常用电子元器件芯片资料-常见变容2极管参数
常用电子元器件基础知识说明书
第3章 常用电子元器件基础知识常用电子元器件包括电阻、电容、电感、二极管、三极管、场效应管等半导体分立器件及常用集成电路,它们是构成电子电路的基本部件。
了解常用电子元器件的基础知识,并学会识别和测量,是正确使用的基础,是组装、调试、维修电子电路必须具备的基本技能。
3.1 电阻、电容、电感器件3.1.1 电阻器电阻器是电子电路中使用最多的元件之一,主要用于控制和调节电路中的电流和电压,用作负载电阻和阻抗匹配等。
电阻器属于无源器件,种类繁多。
按结构形式可分为固定电阻和可变电阻。
固定电阻一般称为“电阻”,可变电阻常称为电位器,如图3-1所示。
按材料可分为碳膜电阻、金属膜电阻和线绕电阻等;按功率规格可分为1/16W、1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、5W等;按误差范围可分为精度为±5%、±10%、±20%等的普通电阻,以及精度为±0.1%、±0.2%、±0.5%、±1%、±2%等的精密电阻。
电阻的类别可以通过外观的标记识别。
(a)固定电阻(b)电位器图3-1 电阻器的符号表示1.电阻器的型号命名方法电阻器的型号命名方法根据《电子设备用固定电阻器、固定电容器型号命名方法》(GB/T 2470—1995),分为4个部分表示,如表3-1所示。
表3-1 电阻器的型号命名方法第1部分第2部分第3部分第4部分用字母表示主称用字母表示材料用数字或字母表示特征用数字表示序号符号意义符号意义符号意义RW电阻器电位器TPUC碳膜硼碳膜硅碳膜沉积膜1,2345普通超高频高阻高温电子工业出版社版权所有盗版必究第1部分 第2部分 第3部分 第4部分 用字母表示主称 用字母表示材料 用数字或字母表示特征用数字表示序号符 号意 义符 号 意 义 符 号 意 义H I J Y SN X R G M合成膜 玻璃釉膜 金属膜(箔) 氧化膜 有机实心 无机实心 线绕 热敏 光敏 压敏7 8 9 G T X L W D精密 电阻器—高压 电位器—特殊函数特殊 高功率 可调 小型 测量用 微调 多圈例如:精密金属膜电阻器R -J -7-3。
常用电子元器件介绍
1T=103G=106 M=109 K=1012 R 1.1.6. 电阻器的特性: 电阻为线性原件,即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比,通过这段导体的电流强度与这段 导体的电阻成反比。即欧姆定律:I=U/R。 1.1.7. 电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波(与电容器组合使用)和阻抗匹配等。 1.1.8. 主要参数:标称阻值 额定功率 允许误差等级 阻值变化规律(电位器)
1.1.10.1. 直标法 将电阻器的标称值用数位元元元和文字元号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百分数表示,未 标偏差值的即为±20%. 1.1.10.2. 数码标记法 一般用三位元元数位元元元来表示容量的大小,单位元元元为欧姆()。前两位为有效数字, 后一位表示倍率。即乘以10i,i为第三位元数位,若第三位元数位9,则乘10-1。 如223J代表22103欧姆()=22000欧姆 ()=22千欧姆(K),允许误差为5%;又如 479K代表4710-1欧姆(),允许误差为5%的电阻。这种表示方法最为常见。
为者常成,行者常至
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1.2.8. 标称容值的表示方法
1.2.8.1. 直标法
由于电容体积要比电阻大,所以一般都使用直接标称法。如果数字是0.001,那它代表的是0.001uF=1nF,如果 是10n,那么就是10nF,同样100p就是100pF。
1.2.8.2. 数码标记法
不标单位的直接标记法:用1~4位元元元元数位元元元表示,容量单位元元元为pF,如350为350pF,3为3pF, 0.5为0.5pF
稳压管的最主要的用途是稳定电压。在要求精度不高、电流变 化范围不大的情况下,可选与需要的稳压值最为接近的稳压管 直接同负载并联。在稳压、稳流电源系统中一般作基准电源, 也有在集成运放中作为直流电平平移。其存在的缺点是杂讯系 数较高,稳定性较差。
常见变容二极管参数18种
常见变容二极管参数18种1.阈值电压(VT):变容二极管的工作电压范围,一般以伏特(V)为单位。
2.最大顶峰电流(IPK):变容二极管能够承受的最大电流峰值,通常以安培(A)为单位。
3.最大连续电流(IO):变容二极管能够持续承受的最大电流值,通常以安培(A)为单位。
4.最大反向电流(IR):在反向偏置时,变容二极管所能承受的最大反向电流值,通常以安培(A)为单位。
5. 回复时间(TRR):变容二极管从正向偏置到反向偏置的时间延迟,通常以纳秒(ns)为单位。
6.反向导电性(RR):变容二极管在反向偏置时的导电能力,通常以欧姆(Ω)为单位。
7.串联电阻(RS):变容二极管正向电压条件下的串联电阻,通常以欧姆(Ω)为单位。
8.导通电压(VF):变容二极管正向偏置时的导通电压,通常以伏特(V)为单位。
9.导通电流(IF):变容二极管正向偏置时的导通电流,通常以安培(A)为单位。
10.最大反向耐压(VR):变容二极管能够承受的最大反向电压,通常以伏特(V)为单位。
11.最大耗散功率(PD):变容二极管能够耗散的最大功率,通常以瓦特(W)为单位。
12.最大峰值倒换电流(IFSM):变容二极管在瞬态工作条件下能够承受的最大倒换电流,通常以安培(A)为单位。
13. 最大工作温度(TJ max):变容二极管能够工作的最高温度,通常以摄氏度(°C)为单位。
14. 最小存储温度(TSTG min):变容二极管能够存储的最低温度,通常以摄氏度(°C)为单位。
15.包装类型:变容二极管的封装形式,如导线封装、表面封装、贴片封装等。
16. 尺寸:变容二极管的尺寸,通常以毫米(mm)为单位。
17.重量:变容二极管的重量,通常以克(g)为单位。
18.可靠性:变容二极管的可靠性参数,如寿命、失效率等。
以上是常见的变容二极管参数,不同型号的变容二极管可能具有不同的参数组合。
根据具体的应用需求,选择适合的变容二极管型号进行设计和应用。
常见电子元件的参数
常见电子元件的参数[转]一、电阻电阻在电路中用“ R”加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻。
电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。
1 、参数识别:电阻的单位为欧姆(Q ),倍率单位有:千欧(K Q ),兆欧()等。
换算方法是:1 兆欧=1000 千欧=1000000 欧电阻的参数标注方法有3 种,即直标法、色标法和数标法。
a、数标法主要用于贴片等小体积的电路,如:472 表示47 X 100 Q (即4.7K ); 104 则表示100Kb、色环标注法使用最多,现举例如下:四色环电阻五色环电阻(精密电阻)2 、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示:颜色有效数字倍率允许偏差(%)银色/ x0.01 ±10金色/ x0.1 5±黑色0 +0 / 棕色 1 x10 ± 1 红色 2 x100 ± 2 橙色 3 x1000 / 黄色4 x10000 / 绿色5 x100000 ±0.5蓝色6 x1000000 ±0.2紫色7 x10000000 ±0.1灰色8 x100000000 / 白色9 x1000000000 /二、电容1、电容在电路中一般用“ C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。
电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开组成的元件。
电容的特性主要是隔直流通交流。
电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。
容抗XC=1/2 n f c (f表示交流信号的频率,C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。
2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。
电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF )、微法(uF )、纳法(nF )、皮法(pF )其中:1 法拉=103 毫法=106 微法=109 纳法=1012 皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍率。
常见变容二极管参数18种
常见变容二极管参数18种慧聪电子元器件商务网2003-09-12 14:42:05型号电容量(工作电压)电容比率工作频率最小值最大值303B3~5p(25V)18p(3V)>61000MHz2AC12p(25V)27p(3V)>750MHz2CC1 3.6p(25V)20p(3V)4~650MHz2CB143p(25V)18~30p(3V)5~750MHz2CC-32 2.5p(25V)25p(3V) 4.5>800MHzISV-10112p(10V)32p(2.5V) 2.4100MHzAM-10930p(9V)460p(1V)15AMBB-11217p(6V)12p(3V) 1.8AMISV-14930p(8V)540p(1V)18AMS-153 2.3p(9V)16p(2V)7>600MHzMV-20911p(9V)33p(1.5V)3UHFKV-123630p(8V)540p(1V)20AMKV-131043p(8V)93p(2V) 2.3>100MHzIS14930p(8V)540p(1V)18AMS208 2.7p(9V)17p(4V)>4.5>900MHzMV21056p(9V)22p(4V) 2.5UHFDB300 6.8p(25V)18p(3V) 1.850MHzBB11210p(25V)180p(3V)>16AM信息来源:常见铝电解电容器的套管颜色与含义慧聪电子元器件商务网2003-09-12 14:42:05一般情况下,铝电解电容器的铝壳外面都有一个塑料套管。
塑料套管的颜色有多种,例如浅蓝色的、橙色的、黄色的等。
生产厂家之所以把铝电解电容器的套管制成五颜六色,其目的并非仅仅为了美观,而是具有特定的意义,在选用和更换铝电解电容器时应重视这一特点。
现给出常见铝电解电容器的套管颜色与含义如下表所示,供广大的电子爱好者参考。
附表:铝电解电容器的套管颜色与其代表的特性系列特点通用小型薄型低阻双极低漏用途电压范围容量范围管套颜品化化抗性电色MG 小型标准品y y 一般电路6V3~250V 0y22~10000μF 黑MT105℃小型标准品y y高温一电路6V3~100V 0y22~1000μF 橙SM 高度为7㎜y y y 微型机6V3~63V 0y1~190μF 蓝MG-9 高度为9㎜y y y 薄型机6V3~50V 0y1~470μF 黑BP 双极性品y y极性反转回路6V3~50V 0y47~470μF 浅蓝EP 高稳y y 定时电路, 16~50V 0y1~470μF 浅蓝定品代替钽电容LL 低漏电电流y y 定时电路, 10~50V 0y1~1000μF 黄小信号电路BPC耐高波纹电流y y y 电视机S 25~50V 1~12μF 深蓝校正用BPA 音质改善用y y y y 音频电路25~63V 1~10μF 海蓝HF 低阻抗y y 开关电路6V3~63V 22~2200μF 灰HV 高耐压高压电路160~4000V 1~100Μf西太青蓝常用稳压二极管技术数据82种慧聪电子元器件商务网2003-09-04 9:02:06。
各种二级管介绍
50
100
200
300
400
500
600
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800
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3变容二极管
变容二极管使利用PN结空间电荷具有电容特性的原理制成的特殊二极管。变容二极管为反偏二极管,其结电容就是耗尽层的电容,一次可以近似把耗尽层看作为平行板电容,且导电板之间有介质。一般的二极管多数情况下,其结电容很小,不能有效利用。变容二极管的结构特殊,它具有相当大的内部电容量,并可像电容器一样地运用于电子电路中。
主要参数:
⑴最大工作电流
是指稳压二极管长时间工作时,允许通过的最大反向电流值。在使用稳压二极管时,其工作电流不能超过这个数值,否则,可能会把稳压管烧坏。为了确保安全,在电流中必须采取限流措施,使通过稳压管的电流不超过允许值。
⑵稳定电压
稳压二极管在起稳定作用的范围内,其两端的反向电压值,称为稳定电压。不同型号的稳压二极管,稳定电压是不同的。
⑶动态电阻
稳压二极管在直流电压的基础上,再加上一个增量电压,稳压二极管就会有一个增量电流。增量电压于增量电流的比值,就是稳压管的动态电阻。动态电阻反映了稳压二极管的稳压特性,其值越小,稳压管性能越好。
2整流二极管
整流二极管的内部结构为一个PN结,外形封装有金属壳封、塑料封装和玻璃封装等多种形式。其管性大小随整流管的参数而异。整流二极管主要用于整流电路,利用二极管的单项导电性,将交流电变为直流电。由于整流管的正向电流较大,所以整流二极管多为面接触型的二极管,结面积大、结电容大,但工作频率低。
常见变容二极管参数18种
常见变容二极管参数18种变容二极管是一种特殊的二极管,具有可调节电容值的功能。
它可以用于各种电子电路中,常见的有18种参数。
1. 最大电压(Maximum voltage):变容二极管可以承受的最大电压。
超过这个值,会导致二极管破裂或烧毁。
2. 最小电容(Minimum capacitance):变容二极管可以调节的最小电容值。
3. 最大电容(Maximum capacitance):变容二极管可以调节的最大电容值。
4. 调节电压(Adjustment voltage):用于调节变容二极管电容值的电压范围。
5. 零电压电容(Zero-voltage capacitance):当变容二极管施加的电压接近于零时的电容值。
6. 最小调节电压(Minimum adjustment voltage):可以使变容二极管电容值发生变化的最小电压。
7. 最大调节电压(Maximum adjustment voltage):可以使变容二极管电容值发生变化的最大电压。
8. 失调电容(Mismatch capacitance):在同一调节电压下,不同变容二极管之间电容值的差异。
9. 带宽(Bandwidth):变容二极管在特定电压范围内,可以稳定工作的频率范围。
10. 线性度(Linearity):变容二极管电容值和施加电压之间的关系是否是线性的。
12. 串联电容(Series capacitance):多个变容二极管可以串联使用,得到更大的电容值。
13. 并联电容(Parallel capacitance):多个变容二极管可以并联使用,得到更小的电容值。
14. 温度系数(Temperature coefficient):变容二极管电容值随温度变化的比率。
15. 稳定性(Stability):变容二极管在长时间使用和不同温度条件下,电容值是否保持稳定。
16. 导通电阻(On-resistance):当变容二极管施加最小调节电压时,其电阻值。
电子部材常识培训--二极管[资料]
特串性联,就稳可压获管得在更电多路的中稳可定起电稳压压作用。
当输入电压vi和负载电阻RL
伏安特性
稳压管工作示意图
在一定范围内变化时,流过
稳压管的电流发生变化,而
稳压管两端的电压Vz变化很
注小意,点即: 输出电压Vo基本稳定。
1.稳压管正常工作时,加反向 Байду номын сангаас2.使压用。时要加限流电阻,流
过管子的电流必须介于稳定 电3.通流过和串最联大就电可流获之得间更。多 的稳定电压
负载RL上 电压
1. u 正半周,Va>Vb,二极管 D1、 D3 导通, D2、 D4 截止 。
U负 半周
2. u 负半周,Va<Vb,二极管 D2、 D4 导通, D1、 D3 截止 。
3. 对电阻RL来说,整个周期,RL上的电压始终都保 持正向。 (1) RL上的整流电压平均值 Uo
(2)RULo上的整1 π 流电ο π流平2U 均s值i In oIotd UR (L0 t)0.9RU0 L .4U 5
目前我们节能灯电路里用的DB3是32V±4V。 工作原理:在灯启动时,前极电路对C3充电, 当C3的电压大于DB3的转折电压32V时,Q2 导通。当灯启动之后,DB3就不工作了。
61.发定光义二:极管
发光二极管简称为LED。由镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)的化
合物制成的二极管,当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可
电子部材常识培训--二极管[资料]
二极管的主要参数
用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型 的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:
1、最大正向整流电流IF(AV) 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值,其值与PN结面积及外
常用二极管型号及参数手册
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变容二极管
变容二极管(Varactors ),又称为电压调谐电容(V oltage variable Capactors ,VVC )或调谐二极管(Tuning Diodes ),当在二极管两端加上反向偏压时,会产生电容效应,通常变容二极管的电容量,随反向偏压增大而减小。
变容二极管优点主要表现在:(1)体型小巧易于安装;(2)易于实现自动电子调谐(Auto Electronic Tuning ),方便遥控的电子调谐器的设计。
如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路,基本上都由变容二极管完成。
1、 变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图4-7(a )所示。
图4-7 (a )变容二极管的等效电路 (b )变容二极管的简化等效电路 其中,Rp ——反向偏压的结电阻(Junction Resistance );'Ls ——外部引线电感;Ls ——内部引线电感;Cc ——封装电容;Rs ——二极管体电阻;j C ——结电容。
通常,等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计,简化后的等效电路如图4-7(b )所示。
一般地,变容二极管与外加电压的关系可表示为γ)1(0Dj j V v C C -= (4-5) j C 为变容二极管的结电容,0j C 为变容管加零偏压时的结电容;D V 为变容管PN 结内建电位差(硅管D V =0.7V ,锗管D V =0.3V );γ为变容二极管的电容变化指数,与频偏的大小有关;v 为变容管两端所加的反向电压。
在小频偏情况下,选γ=1的变容二极管可近似实现线性调频;在大频偏情况下,必须选γ=2的超突变结变容二极管,才能实现较好的线性调频。
变容二极管的v C j -特性曲线如图2所示。
当加入的反向电压为t V V v V v m Q Q Ω+=+=ΩΩcos 时,设电路工作在线性调制状态,在静态工作点Q 处,可得曲线的斜率为V C k t ∆∆=。
图4-8 变容二极管的v C j -特性曲线2、变容二极管重要参数:变容比率与Q 值(1)变容比率,实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值,设为R C ,可得近似的变容比率为γ⎥⎦⎤⎢⎣⎡≈=m i n m a x m a x m i n )()(V V V C V C C R (4-6) 式中,)(min V C ——在偏压最小时的结电容值;)(max V C ——在偏压最大时的结电容值。
常见变容二极管参数
常见变容二极管参数1. 最大主偏压(Vfmax):最大主偏压是指在正向工作状态下,变容二极管可以承受的最大电压。
超过这个电压,变容二极管可能会损坏。
2. 最大副偏压(Vrmax):最大副偏压是指在反向工作状态下,变容二极管可以承受的最大电压。
超过这个电压,变容二极管可能会损坏。
3. 最大通过电流(Ifmax):最大通过电流是指变容二极管在正向工作状态下,可以通过的最大电流。
超过这个电流,变容二极管可能会过载而烧坏。
4.反向漏电流(Ir):反向漏电流是指在副偏压下,没有施加正向电压时,变容二极管会有一个微小的反向电流。
反向漏电流越小,表示变容二极管的质量越好。
5.容量比:容量比是指变容二极管的电容值与DC电压值的比值。
容量比越大,表示变容二极管的变化范围越大。
6.交流响应时间:交流响应时间是指变容二极管在响应信号时的速度。
交流响应时间越小,表示变容二极管在变化时的快速响应能力越强。
常见的变容二极管有PIN二极管和反变容二极管。
其参数如下:1.PIN二极管:最大主偏压:一般在数百伏特到几千伏特之间。
最大副偏压:一般在数伏特到数十伏特之间。
最大通过电流:一般在几十毫安到几百毫安之间。
反向漏电流:一般在几微安到几十微安之间。
容量比:一般在0.01至1之间。
交流响应时间:一般在纳秒级以上。
2.反变容二极管:最大主偏压:一般在数十伏特到几百伏特之间。
最大副偏压:一般在几伏特到几十伏特之间。
最大通过电流:一般在几毫安到几十毫安之间。
反向漏电流:一般在几百纳安到几微安之间。
容量比:一般在0.1至10之间。
交流响应时间:一般在微秒级以上。
需要注意的是,不同的变容二极管具体参数可能会有所不同,生产商也可能会提供更为详细和精确的参数。
因此,在使用变容二极管时,需要参考其具体型号的参数手册或者数据表来确定具体的参数。
常用电子元件资料(PDF)
常用电子元器件参考资料第一节 部分电气图形符号一.电阻器、电容器、电感器和变压器248二.半导体管三.其它电气图形符号249第二节 常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一.电阻器和电位器1. 电阻器和电位器的型号命名方法表1 电阻器型号命名方法 第一部分:主称 第二部分:材料 第三部分:特征分类 意义 符号 意义 符号 意义 符号 电阻器 电位器第四部分:序号 R 电阻器 T 碳膜 1 普通 普通 W 电位器 H 合成膜 2 普通 普通 S 有机实芯 3 超高频 ――N 无机实芯 4 高阻 ―― J 金属膜 5 高温 ―― Y 氧化膜 6 ―― ―― C 沉积膜 7 精密 精密 I 玻璃釉膜 8 高压 特殊函数 P 硼碳膜 9 特殊 特殊 U 硅碳膜 G 高功率 ―― X 线绕 T 可调 ―― M 压敏 W ―― 微调 G 光敏 D ―― 多圈 R 热敏 B 温度补偿用―― C 温度测量用――P 旁热式 ―― W 稳压式 ―― Z 正温度系数――对主称、材料相同,仅性能指标、尺寸大小有差别,但基本不影响互换使用的产品,给予同一序号;若性能指标、尺寸大小明显影响互换时,则在序号后面用大写字母作为区别代号。
示例:(1) 精密金属膜电阻器 R J 7 3第四部分:序号第三部分:类别(精密) 第二部分:材料(金属膜) 第一部分:主称(电阻器) (2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分:序号第三部分:类别(多圈) 第二部分:材料(线绕) 第一部分:主称(电位器)2502.电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏,或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。
电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率,而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。
不同类型的电阻具有不同系列的额定功率,如表2所示。
表2电阻器的功率等级名称额定功率(W)实芯电阻器0.25 0.5 1 2 5 -线绕电阻器0.5251352506751010015150薄膜电阻器0.02520.0550.125100.25250.5501100(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一,不同类型的电阻,阻值范围不同,不同精度的电阻其阻值系列亦不同。
常用变容二极管
常用变容二极管变容二极管(Varactors ),又称为电压调谐电容(Voltage variable Capactors ,VVC )或调谐二极管(Tuning Diodes ),当在二极管两端加上反向偏压时,会产生电容效应,通常变容二极管的电容量,随反向偏压增大而减小。
变容二极管优点主要表现在:(1)体型小巧易于安装;(2)易于实现自动电子调谐(Auto Electronic Tuning ),方便遥控的电子调谐器的设计。
如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路,基本上都由变容二极管完成。
1、 变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图1(a )所示。
图1 (a )变容二极管的等效电路 (b )变容二极管的简化等效电路其中,R p ——反向偏压的结电阻(Junction Resistance ); 's L ——外部引线电感;s L ——内部引线电感; c C ——封装电容; s R ——二极管体电阻; j C ——结电容。
通常,等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计,简化后的等效电路如图1(b )所示。
一般地,变容二极管与外加电压的关系可表示为(1)j j DC C v V=(1) j C 为变容二极管的结电容,0j C 为变容管加零偏压时的结电容;V D 为变容管PN 结内建电位差(硅管V D =0.7V ,锗管V D =0.3V ); 为变容二极管的电容变化指数,与频偏的大小有关;v 为变容管两端所加的反向电压。
在小频偏情况下,选 =1的变容二极管可近似实现线性调频;在大频偏情况下,必须选 =2的超突变结变容二极管,才能实现较好的线性调频。
变容二极管的j C v 特性曲线如图2所示。
当加入的反向电压为cos Q Q m v V v V V t = + =时,设电路工作在线性调制状态,在静态工作点Q 处,可得曲线的斜率为/c k C V = 。
图2 变容二极管的j C v 特性曲线2、变容二极管重要参数:变容比率与Q 值(1)变容比率,实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值,设为C R ,可得近似的变容比率为max min max min ()C ()R V C V C V V=(2)式中,min ()C V ——在偏压最小时的结电容值;max ()C V ——在偏压最大时的结电容值。
常见变容二极管的参数
常见变容二极管的参数1. 峰值反向电压(Peak Reverse Voltage):峰值反向电压指变容二极管能够承受的最大反向电压。
超过这个电压,变容二极管会发生击穿,破坏其正常工作状态。
因此,在选择变容二极管时,需要根据实际应用场景确定所需的峰值反向电压。
2. 最大稳态电流(Maximum Steady State Current):最大稳态电流指的是变容二极管能够正常工作的最大电流值。
超过这个电流,会导致变容二极管的电容性能发生变化,影响其正常工作。
在电路设计中,需要保证所选用的变容二极管的最大稳态电流大于实际应用中的电流需求。
3. 容量变化范围(Capacitance Variation Range):容量变化范围是指变容二极管的电容值可以变动的范围。
变容二极管的电容值会随着施加的电压不同而变化,而这个变化范围需要在设计中进行考虑。
变容二极管的容量变化范围决定了其在不同电压下能够提供的电容值。
4. 反向漏电流(Reverse Leakage Current):反向漏电流是指当变容二极管处于反向电压下时,通过二极管的反向电流。
反向漏电流越小,说明变容二极管的绝缘性能越好,能够更好地保持其电容性能。
5. 响应时间(Response Time):响应时间是指从变容二极管的输入信号发生变化到其电容值发生相应变化的时间。
响应时间越短,说明变容二极管对输入变化的响应速度越快,适用于高频应用。
6. 串联电阻(Series Resistance):串联电阻是指变容二极管的引线和结构引起的电阻。
串联电阻越小,说明变容二极管的功耗越低,包括在高频应用中的能量损耗也会减小。
7. 温度特性(Temperature Characteristics):温度特性是指变容二极管电容值随温度变化的程度。
温度变化会导致电容值的波动,温度特性可以描述这种变化的情况。
对于一些应用中对电容值变化敏感的场合,温度特性是一个重要的参数。
2极管参数及符号意义
一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。
在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。
在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
二极管的主要参数
二极管的主要参数:在正向电流IF额定功率下,允许通过二极管的电流值。
正向电压降VF:二极管通过额定正向电流时,在电压降。
最大整流电流(平均值)I:OM在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。
反向击穿电压V:二极管反向B电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
正向反向峰值电:二极管正压VRM常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。
:在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。
反向电流IR结电容C:电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。
:二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
最高工作频率FM2.常用二极管(1)整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管,它是面结合型的功率器件,因结电容大,故工作频率低。
通常,IF在1安以上的二极管采用金属壳封装,以利于散热;IF在1安以下的采用全塑料封装(见图二)由于近代工艺技术不断提高,国外出现了不少较大功率的管子,也采用塑封形式。
(a)全密封金属结构(b)塑料封装(2)? 检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
(3)开关二极管在脉冲数字电路中,用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管,它的特点是反向恢复时间短,能满足高频和超高频应用的需要。
开关二极管有接触型,平面型和扩散台面型几种,一般IF<500毫安的硅开关二极管,多采用全密封环氧树脂,陶瓷片状封装,如图三所示,引脚较长的一端为正极。
图3、硅开关二极管全密封环环氧树脂陶瓷片状封装(4)稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管,它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点,来达到稳压的目的,因为它能在电路中起稳压作用,故称为、稳压二极管(简称稳压管)其图形符号见图4图4、稳压二极管的图形符号稳压管的伏安特性曲线如图5所示,当反向电压达到Vz时,即使电压有一微小的增加,反向电流亦会猛增(反向击穿曲线很徒直)这时,二极管处于击穿状态,如果把击穿电流限制在一定的范围内,管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。
二级管的主要参数指标
肖特基二极管的作用肖特基(Schottky)二极管又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等肖特基(Schottky)二极管又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通讯电源、变频器等中比较常见。
供参考。
电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通讯电源、变频器等中比较常见。
供参考。
<br><br>我知道的一个应用是在BJT的开关电路里面, 通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截至状态.从而提高晶体管的开关速度.这种方法是74LS,74ALS, 74AS等典型数字IC TTL内部电路中使用的技术. <br><br> <br><br>三、晶体二极管<br>晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管。
<br>1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;<br>而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常<br>把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。
<br>电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如<br>1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。
二极管参数大全
二极管二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。
它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件,具有按照外加电压的方向,使电流流动或不流动的性质。
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。
当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
一.二极管的应用 1、整流二极管:利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。
2、开关元件:二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。
利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。
3、限幅元件:二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。
利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。
4、继流二极管:在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。
5、检波二极管:在收音机中起检波作用。
6、变容二极管:使用于电视机的高频头中。
7、显示元件:用于VCD、DVD、计算器等显示器上。
8、稳压二极管:反向击穿电压恒定,且击穿后可恢复,利用这一特性可以实现稳压电路。
二.二极管的类型 按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。
根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。
按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。
由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。
(整理)常用电阻二极管三极管参数资料
常用电阻、二极管、三极管参数资料1.固定电阻器的主要参数固定电阻器的主要参数是标称阻值、允许误差和额定功率。
(1)标称阻值和允许误差电阻器上标志的阻值叫标称值,而实际值与标称值的偏差,除以标称值所得的百分数叫电阻的误差,它反映了电阻器的精度。
不同的精度有一个相应的误差,表1列出了常用电阻器的允许误差等级(精度等级)。
表1 常用电阻器允许误差的等级目前固定电阻器大都为I级或II级普通电阻,而且III级很少,能满足一般应用的要求,02、01、005级的精密电阻器,一般用于测量仪器,仪表及特殊设备电路中。
国家有关部门规定了阻值系列作产品的标准,表2是普通电阻器系列表。
表中的标称值可以乘以10n,例如,4.7这个标称值,就有0.47Ω、4.7Ω、47Ω、470Ω、4.7KΩ……。
选择阻值时必须在相应等级的系列表中进行。
表2 电阻器系列及允许误差(2)电阻器的额定功率电阻器长时间工作允许所加的最大功率叫额定功率。
电阻器的额定功率,通常有1/8、1/4、1/2、1、2、3、5、10瓦等。
表示电阻器额定功率的通用符号见图1。
大于1W的则用阿拉伯数字表示。
2.固定电阻器的主要参数的标志方法(1)电阻器的额定功率、阻值及允许误差一般都标在电阻器上。
额定功率较大的电阻器,一般都将额定功率直接印在电阻器上。
额定功率较小的电阻器,可以从它的几何尺寸和表面面积上看出,一般0.125 w、0.25w电阻器的直径约2.5毫米,长约7-8毫米;0.5W电阻器的直径约4.5毫米,长约10-12毫米。
(2)电阻值及允许误差有三种表示法,即直标法、文字符号法和色标法。
直标法是阻值和允许误差直接标明,如2KΩ±5%;文字符号法是阻值用数字与符号组合在一起表示,组合规律如下:文字符号Ω、K、M前面的数字表示整数阻值,文字符号Ω、K、M后面的数字表示小数点后面的小数阻值。
允许误差用符号、J=±5%、K=±10%、M=±20%。