材料物理导论答案
材料物理导论-思考题3
第二章 材料的热学1. 讨论为什么高温下非密排结构晶体是稳定相,而低温时,密排结构晶体却为稳定相?1.高温下原子活动能力较强,为了满足高温下原子平衡跳动的需要,原子间距要大,所以为非密排结构;低温时,原子活动性弱,原子间距小,在最低能态的条件下,原子尽量以密排方式。
2. 如图,比较铜和铁的热传导系数随温度的变化情况,讨论为什么铜在1084℃、铁在912℃会出现跳跃?2.铜在1084℃、铁在912℃会出现相变,晶体结构有变化。
铜的热传导系数出现跳跃是因为在此温度下铜由固态变成了液态,发生了相变,由于吸热使得单位时间内通过单位垂直面积的热量骤减,故热传导系数骤减;而铁在912℃由α-Fe 转变成γ-Fe ,晶体结构发生改变,热传导系数骤增,出现跳跃。
3. 进一步讨论晶体结构是如何影响热膨胀系数的?举例说明。
3、物体的体积或长度随着温度的升高而增大的现象称为热膨胀(thermal expansion )用先膨胀系数、体膨胀系数表示。
线(体)膨胀系数指温度升高1K 时,物体的长度(体积)的相对增加。
由于晶体结构类型变化伴随着材料比体积发生引起线膨胀系数发生不连续变化。
例如,有序—无序转变时,伴随着膨胀系数的变化,在膨胀曲线上出现拐折,其中Au —Cu50%(质量分数)的有序合金加热至300℃时,有序机构开始破坏,450℃完全变为无序结构。
在这个温度区间,膨胀系数增加很快,在450℃处,膨胀曲线上出现明显的拐折,拐折点对应于有序—无序转变温度。
从曲线可以看出,有序结构具有较小的膨胀系数,这是CuFe 温度,℃/热传导系数 ℃/mm 0.40.2题2图 热传导系数与温度关系由于有序结构使合金原子间结合力增强的结果。
4. 根据题4图,如果变化相同的 T ,说明哪种材料的热膨胀系数更大,哪种材料的熔点更高,为什么?4、B 的热膨胀系数更大,A 的熔点更高。
材料的热膨胀与点阵中质点的位能有关,而质点的位能是由质点间的结合力特性所决定。
(完整)材料物理性能答案
)(E k →第一章:材料电学性能1 如何评价材料的导电能力?如何界定超导、导体、半导体和绝缘体材料?用电阻率ρ或电阻率σ评价材料的导电能力.按材料的导电能力(电阻率),人们通常将材料划分为:)()超导体()()导体()()半导体()()绝缘体(m .104m .10103m .10102m .1012728-828Ω〈Ω〈〈Ω〈〈Ω〈---ρρρρ2、经典导电理论的主要内容是什么?它如何解释欧姆定律?它有哪些局限性?金属导体中,其原子的所有价电子均脱离原子核的束缚成为自由电子,而原子核及内层束缚电子作为一个整体形成离子实。
所有离子实的库仑场构成一个平均值的等势电场,自由电子就像理想气体一样在这个等势电场中运动.如果没有外部电场或磁场的影响,一定温度下其中的离子实只能在定域作热振动,形成格波,自由电子则可以在较大范围内作随机运动,并不时与离子实发生碰撞或散射,此时定域的离子实不能定向运动,方向随机的自由电子也不能形成电流。
施加外电场后,自由电子的运动就会在随机热运动基础上叠加一个与电场反方向的平均分量,形成定向漂移,形成电流。
自由电子在定向漂移的过程中不断与离子实或其它缺陷碰撞或散射,从而产生电阻。
E J →→=σ,电导率σ= (其中μ= ,为电子的漂移迁移率,表示单位场强下电子的漂移速度),它将外加电场强度和导体内的电流密度联系起来,表示了欧姆定律的微观形式.缺陷:该理论高估了自由电子对金属导电能力的贡献值,实际上并不是所有价电子都参与了导电。
(?把适用于宏观物体的牛顿定律应用到微观的电子运动中,并且承认能量的连续性)3、自由电子近似下的量子导电理论如何看待自由电子的能量和运动行为?自由电子近似下,电子的本证波函数是一种等幅平面行波,即振幅保持为常数;电子本证能量E 随波矢量的变化曲线 是一条连续的抛物线.4、根据自由电子近似下的量子导电理论解释:准连续能级、能级的简并状态、简并度、能态密度、k 空间、等幅平面波和能级密度函数.n 决定,并且其能量值也是不连续的,能级差与材料线度L ²成反比,材料的尺寸越大,其能级差越小,作为宏观尺度的材料,其能级差几乎趋于零,电子能量可以看成是准连续的。
材料物理导论习题答案-1
第四章:晶体缺陷 部分作业答案1、 证明位错线不能终止在晶体内部。
解 设有一位错线从表面深入晶体,终点A 在晶体内,如图所示绕位错作一柏氏回路1L ,获得柏氏矢量b 。
现把回路移动到2L 位置,按柏氏回路性质,柏氏回路在完整晶体中移动,它所得的柏氏矢量不会改变,仍为b 。
但从另一角度看,内是完整晶体,它对应的柏氏矢量应为0。
这二者是相悖的,所以这是不可能的。
2、 一个位错环能否各部分都是螺位错,能否各部分都是刃位错,为什么? 解 螺位错的柏氏矢量与位错线平行,一根位错只有一个柏氏矢量,而一个位错环不可能与一个方向处处平行,所以一个位错环不能各部分都是螺位错。
刃位错的柏氏矢量与位错线垂直,如果柏氏矢量垂直位错环所在的平面,则位错环处处都是刃位错。
这种位错的滑移面是位错环与柏氏矢量方向组成的棱柱面,这种位错又称棱柱位错。
3、 面心立方系单晶体受拉伸形变,拉伸轴是[001],求对b =a[011-]/2及t 平行于[211-]的位错在滑移和攀移方向所受的力。
已知点阵常数a=0.36nm 。
解 (1)单位长度位错线在滑移面上所受的力g F 是外加应力场在滑移面滑移方向的分切应力τ与柏氏矢量b 的乘积:b F g τ=。
在单位拉伸(应力为σ)的情况,ϕλστcos cos =。
因b=a[011-]/2及t 平行于[211-],滑移面是柏氏矢量和位错共面的面,所以滑移面是(111)。
因此,λ是]011[]001[--的夹角,ϕ是]111[]01-的夹角。
根据第一题的计算知2/1cos =λ,3/1cos =ϕ;故σστ408.06/==。
而b 的模为m m a 1091055.22/21036.02/2--⨯=⨯⨯=,最后得m N m N b F g /1004.1/1055.2408.01010σστ--⨯=⨯⨯==式中,σ的单位为Pa 。
(2)单位长度位错线在攀移方向上所受的力C F 是外加应力场在刃位错半原子面的正应力C σ与柏氏矢量b 的乘积:b F c c σ-=。
材料物理导论-思考题4
第三章 材料的电学1.说明量子自由导电理论与经典导电理论的异同。
经典导电理论:金属是由原子点阵组成的,价电子是完全自由的,可以在整个金属中自由运动自由电子的运动遵守经典力学的运动规律,遵守气体分子运动论。
这些电子在一般情况下可沿所有方向运动。
在电场作用下自由电子将沿电场的反方向运动,从而在金属中产生电流。
电子与原子的碰撞妨碍电子的继续加速,形成电阻。
量子自由导电理论:金属离子所形成的势场各处都是均匀的,价电子是共有化的,它们不束缚于某个原子上,可以在整个金属内自由地运动,电子之间没有相互作用。
电子运动服从量子力学原理 。
2. 一块n 型硅半导体,其施主浓度N D =1015/cm 3,本征费米能级Ei 在禁带正中,费米能级E F 在Ei 之上0.29eV 处,设施主电离能∆E D =0.05eV ,试计算在T =300K 时,施主能级上的电子浓度对于硅半导,其禁带E=E C -E V =1.12ev又由题可知:E F -Ei=0.29ev ,∆E D = E C -E D = 0.05eV所以 E D -E F =0.5E-∆E D -(E F -Ei )=0.22ev将 N D =1015/cm 3,E D -E F = 0.22ev ,T=300K ,k=1.38 x 10-23带入下式因此施主能级上的电子浓度n D =4.06 x 1011/cm 33.为什么金属的电阻随温度的上升而增加,半导体却降低?半导体是靠载流子(空穴或电子)导电的,温度升高,载流子增多,导电性增强;金属晶体里边,温度升高原子核振动加剧,碰撞电子使之减速的概率增加,电阻率上升4.在实际工程中往往需要金属既有良好的导电性又有高的强度,假如足够高的强度既可以通过冷加工获得,也可以由固溶强化得到,从导电率的要求看,你建议采用哪种强化方法?为什么?采用冷加工的方法,固溶强化会使金属的电导率大大降低,主要原因是溶质原子的溶入引起溶剂点阵的畸变,量子力学可以证明,当电子波在绝对零度下通过一个完整的晶体点阵()11exp()2DD D D D F N n N fE E E kT==-+时,将不受到散射而无阻碍地传播,这时电阻率为0,而电导率应为无穷大。
材料物理导论-思考题4
材料物理导论-思考题4第三章材料的电学1.说明量子自由导电理论与经典导电理论的异同。
经典导电理论:金属是由原子点阵组成的,价电子是完全自由的,可以在整个金属中自由运动自由电子的运动遵守经典力学的运动规律,遵守气体分子运动论。
这些电子在一般情况下可沿所有方向运动。
在电场作用下自由电子将沿电场的反方向运动,从而在金属中产生电流。
电子与原子的碰撞妨碍电子的继续加速,形成电阻。
量子自由导电理论:金属离子所形成的势场各处都是均匀的,价电子是共有化的,它们不束缚于某个原子上,可以在整个金属内自由地运动,电子之间没有相互作用。
电子运动服从量子力学原理。
2. 一块n 型硅半导体,其施主浓度N D =1015/cm 3,本征费米能级Ei 在禁带正中,费米能级E F 在Ei 之上0.29eV 处,设施主电离能?E D =0.05eV ,试计算在T =300K 时,施主能级上的电子浓度对于硅半导,其禁带E=E C -E V =1.12ev又由题可知:E F -Ei=0.29ev ,?E D = E C -E D = 0.05eV所以 E D -E F =0.5E-?E D -(E F -Ei )=0.22ev将 N D =1015/cm 3,E D -E F = 0.22ev ,T=300K ,k=1.38 x 10-23带入下式因此施主能级上的电子浓度n D =4.06 x 1011/cm 33.为什么金属的电阻随温度的上升而增加,半导体却降低?半导体是靠载流子(空穴或电子)导电的,温度升高,载流子增多,导电性增强;金属晶体里边,温度升高原子核振动加剧,碰撞电子使之减速的概率增加,电阻率上升4.在实际工程中往往需要金属既有良好的导电性又有高的强度,假如足够高的强度既可以通过冷加工获得,也可以由固溶强化得到,从导电率的要求看,你建议采用哪种强化方法?为什么?采用冷加工的方法,固溶强化会使金属的电导率大大降低,主要原因是溶质原子的溶入引起溶剂点阵的畸变,量子力学可以证明,当电子波在绝对零度下通过一个完整的晶体点阵()11exp()2DD D D D F N n N fE E E kT==-+时,将不受到散射而无阻碍地传播,这时电阻率为0,而电导率应为无穷大。
材料物理性能答案
材料物理性能答案材料的物理性能是指材料在物理方面所表现出来的特性和性能。
它包括了材料的力学性能、热学性能、电学性能、磁学性能等多个方面。
在工程实践中,对材料的物理性能有着非常高的要求,因为这些性能直接关系到材料在使用过程中的稳定性和可靠性。
下面将分别对材料的力学性能、热学性能、电学性能和磁学性能进行详细介绍。
首先,力学性能是材料最基本的性能之一。
它包括了材料的强度、韧性、硬度、塑性等指标。
强度是材料抵抗外部力量破坏的能力,韧性是材料抵抗断裂的能力,硬度是材料抵抗划痕的能力,塑性是材料在外力作用下发生形变的能力。
这些指标直接影响着材料在工程中的使用寿命和安全性。
其次,热学性能是材料在热学方面的表现。
它包括了材料的热膨胀系数、热导率、比热容等指标。
热膨胀系数是材料在温度变化时长度、面积或体积的变化比例,热导率是材料传导热量的能力,比热容是材料单位质量在温度变化时吸收或释放的热量。
这些指标对于材料在高温或低温环境下的稳定性和耐热性有着重要的影响。
再次,电学性能是材料在电学方面的表现。
它包括了材料的导电性、绝缘性、介电常数等指标。
导电性是材料导电的能力,绝缘性是材料阻止电流流动的能力,介电常数是材料在电场中的响应能力。
这些指标对于材料在电子器件、电力设备等方面的应用具有重要的意义。
最后,磁学性能是材料在磁学方面的表现。
它包括了材料的磁化强度、磁导率、矫顽力等指标。
磁化强度是材料在外磁场作用下磁化的能力,磁导率是材料传导磁场的能力,矫顽力是材料磁化和去磁化之间的能量损耗。
这些指标对于材料在电机、变压器等磁性设备中的应用具有重要的作用。
综上所述,材料的物理性能是材料工程中非常重要的一部分。
它直接关系到材料在使用过程中的性能和稳定性,对于材料的选用、设计和应用具有重要的指导意义。
因此,对材料的物理性能进行全面的了解和评价,是材料工程中必不可少的一项工作。
材料物理导论
《材料物理导论》习题解答第一章材料的力学1. 一圆杆的直径为2.5 mm、长度为25cm并受到4500N的轴向拉力,若直径拉细至2.4mm,且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉力下的真应力、真应变、名义应力和名义应变,并比较讨论这些计算结果。
解:根据题意可得下表2. 一试样长40cm,宽10cm,厚1cm,受到应力为1000N拉力,其杨氏模量为3.5×109 N/m2,能伸长多少厘米?3. 一材料在室温时的杨氏模量为3.5×108 N/m2,泊松比为0.35,计算其剪切模量和体积模量。
5. 一陶瓷含体积百分比为95%的Al2O3 (E = 380 GPa)和5%的玻璃相(E = 84 GPa),试计算其上限和下限弹性模量。
若该陶瓷含有5 %的气孔,再估算其上限和下限弹性模量。
8. 一试样受到拉应力为1.0×103 N/m2,10秒种后试样长度为原始长度的1.15倍,移去外力后试样的长度为原始长度的1.10倍,若可用单一Maxwell模型来描述,求其松弛时间τ值。
第二章材料的热学9.一硅酸铝玻璃的性能为=2.1J/(㎡▪s▪K),α=4.6×/K,σf=N/㎡,E=N/㎡,μ=0.25.求第一和第二抗热冲击断裂因子和。
10.一热机部件由氮化硅制成,导热率为1.84J/(㎡▪s▪K),最大厚度=0.12m,表面热传导系数为500J/(㎡▪s▪K),请估算能承受热冲击的最大允许温差。
第三章材料的电学20.如果A原子的原子半径为B原子的两倍,那么在其他条件都相同的情况下,A原子的电子极化率大约是B原子的多少倍?25、画出典型铁电体的电滞回线示意图,并用有关机制解释引起非线性关系的原因。
解:铁电体晶体在整体上呈现自发极化,这意味着在正负端分别有一层正的和负的束缚电荷。
束缚电荷产生的电场在晶体内部与极化反向(称为退极化场),使静电能升高。
在受机械约束时,伴随着自发极化的应变还能使应变能增加。
材料物理导论(熊兆贤着)课后习题答案第三章习题参考解答
材料物理导论(熊兆贤着)课后习题答案第三章习题参考解答第三章 材料的电学3112319/)(/1006.4)3001038.1106.122.0exp(211211)(22.005.029.0212.1)(,12.1.1cm e N E f N n eV E E E E E E E E E E E E eV E Si kT E E D D D D F D i F D i c F D D c D g F D ⨯=⨯⨯⨯⨯+=+=⋅==-=-∴--∆--=--=∆=⊗---的查解:⎪⎩⎪⎨⎧⨯==⨯==∴〈〈⊗。
少子;多子解:)(/1013.1)(/105.1.239203150cm N n p cm N n N n D i D D i ΘeV22.0J 1053.3E E cm /102N cm /100.1N N Nln kT E E P cm /1045.8102)103.1(p n n cm /102109101.1N N p T N P ,N N .320V F 315A 319V AVV F 34152102i 3151516D A A D =⨯=-⨯⨯=-⎪⎩⎪⎨⎧⨯=⨯⨯==⨯=⨯-⨯=-=⇒∴∴〈⊗-代入可得取,取型半导体,有对于杂质几乎完全电离在室温,较少且又型半导体补偿后解:ΘΘ时可保持强电离。
则有令,仅考虑杂质电离有低温区,忽略本征激发解:318D 318DD D 2/1kT /E CD DD0cm /1032.1N cm /1032.1N N 9.0n )e N N 8(1N 2n n .4D ⨯〈⨯〈⇒≥⋅+==⊗+∆+mE s q m m q n n n d s n n n n n n 181********311048.11048.110101.01048.1106.110101.926.01.0.9-------**⨯=⨯⨯⨯⨯=⋅⋅=⋅=⨯=⨯⨯⨯⨯⨯==∴=τμτυλμττμΘ解:Ω=⨯=⋅ρ=⋅Ω=⨯⨯⨯=μ=σ=ρ⊗-3.16.01781.0S l R cm 781.08000106.1101nq 11.101915nΘ解:225112251123312319193103.421023.412.4400)2(5.361065.3365.3)1010/(101.926.03001038.13106.110/33,,)1(101.926.026.0.11------------⋅=⋅⨯==⋅Ω=⋅=⋅⨯===⋅Ω=⋅⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯=⋅⋅=∴===⨯⨯==⊗cm A m A i m K cm A m A m kTqN E i mE m kTq N m kT V E V nq kg m m Si dnA dnA dn dn σσσμμσ时,同理,(电子有效质量),对解:Θcm 045.0)1350106.1103.10()pq (s V cm 1350cm /103.10100.1101103.1n )3(cm34.4)480106.1103.0()pq (cm /103.0100.1103.1N N p)2(cm34.4)480106.1103()pq (s V cm 480cm /103N p ,n n )1(.12119161112n 3161617161191613161616D A 119151112p315A A i ⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=μ=ρ∴⋅⋅=μ⨯=⨯-⨯+⨯=⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=μ=ρ∴⨯=⨯-⨯=-=⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=μ=ρ∴⋅⋅=μ⨯=≈∴〈〈⊗-------------ΘΘ又又查得解:为最大。
材料导论期末试题及答案
材料导论期末试题及答案第一部分:选择题题目一:材料的基本分类包括哪些?答案:常见的材料分类包括金属材料、非金属材料和复合材料。
题目二:以下哪种材料属于金属材料?A. 玻璃B. 陶瓷C. 铝D. 塑料答案:C. 铝题目三:复合材料的特点是什么?答案:复合材料由两种或两种以上的不同材料组成,具有综合利用不同材料的特点的优势,如高强度、高韧性、轻量化等。
题目四:在材料测试过程中,下列哪种测试方法可以得到材料的硬度值?A. 拉伸试验B. 弯曲试验C. 冲击试验D. 巴氏硬度试验答案:D. 巴氏硬度试验第二部分:非选择题题目五:请简述金属材料的特点及应用领域。
答:金属材料具有高强度、导电、导热等特点,常见的金属材料有铁、铝、铜等。
金属材料广泛应用于机械制造、建筑、电子等领域。
在机械制造领域,金属材料被用于制造强度要求高的零部件,如汽车发动机、飞机结构等。
在建筑领域,金属材料常用于建筑结构中,如钢结构、铝合金窗户等。
在电子领域,金属材料被用于制造电子元器件,如导线、电路板等。
金属材料由于其优良的性能,得到了广泛的应用。
题目六:什么是非金属材料?请列举三种非金属材料并简要介绍其应用。
答:非金属材料是指那些不含金属元素或金属化合物的材料,其特点一般是密度低、导电性能差、导热性能差等。
常见的非金属材料包括陶瓷、塑料和纤维素材料。
陶瓷材料具有高温耐久性和化学稳定性,在航空航天、能源和化工等领域得到广泛运用。
塑料材料具有良好的韧性和可塑性,广泛应用于包装、建筑、电子等行业。
纤维素材料具有较高的强度和较低的密度,常用于纸制品、纺织品等领域。
题目七:什么是复合材料?请说明复合材料的优点并列举两类复合材料。
答:复合材料是由两种或两种以上的不同材料经过一定的工艺和结合方式组合而成的新型材料。
复合材料具有以下优点:1. 综合利用材料的优点,发挥各种材料的优势,例如高强度、高韧性、轻量化等。
2. 具有可调性,通过改变复合材料中各材料的组合比例和结构,可以调节复合材料的性能。
材料物理导论(熊兆贤着)课后习题答案第四章习题参考解答
第四章材料的磁学 1. 垂直于板面方向磁化,则为垂直于磁场方向 J =μ0M = 1Wb/m 2 退磁场Hd = - NM大薄片材料,退磁因子Na = Nb = 0, Nc = 1所以Hd = - M = -0μJ =m H m Wb /104/172-⨯π=7.96×105A/m 2. 试证明拉莫进动频率W L = 002H m e eμ 证明:由于逆磁体中自旋磁矩相互抵消,只须考虑在磁场H 中电子轨道运动的变化,按照动量矩定理,电子轨道动量l 的变化等于作用在磁矩μl 的力矩,即:dtdl = μl ()00B H l ⨯=⨯μμ,式中B 0 = μ0H 为磁场在真空中的磁感应强度. 而 μl = - l me 2 上式改写成: l B m e dt dl ⨯=02,又因为L V dtdl ϖ==线 所以,在磁场B 0电子的轨道角动量l 和轨道磁矩均绕磁场旋转,这种旋转运动称为拉莫运动,拉莫运动的频率为00022H m e m eB W l μ==3. 答: 退磁因子,无量纲,与磁体的几何形状有关.对于旋转椭圆体的三个主轴方向退磁因子之和,存在下面简单的关系:Na + Nb +Nc = 1 (a,b,c 分别是旋转椭圆体的三个半主轴,它们分别与坐标轴x,y,z 方向一致)根据上式,很容易求得其三种极限情况下的退磁因子:1) 球形体:因为其三个等轴, Na = Nb = Nc 31=∴N 2) 细长圆柱体: 其为a,b 等轴,而c>>a,b Nb Na =∴ 而0=Nc 3) 薄圆板体: b=a>>c 0=∴Na 0=Nb 4. 何谓轨道角动量猝灭现象?由于晶体场导致简并能级分裂,可能出现最低轨道能级单态.当单态是最低能级轨道时,总轨道角动量的绝对值L 2虽然保持不变,但轨道角动量的分量L z 不再是常量. 当L z 的平均值为0,即0=⎰*τϕϕd L z 时,称其为轨道角动量猝灭. 5. 推导居里-外斯定律cT T C -=χ,说明磁化率与温度的关系0证明: 铁磁体中作用于本征磁矩的有效磁感应场M B B eff λ+=0其中M 为磁化强度,则M λ为内场,顺磁体磁化强度表达式:⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=T k JB g JB Ng M B B J B 0μμ 把B 0用B eff 代替,则得到铁磁体磁化强度:()⎥⎦⎤⎢⎣⎡+=T k M B J g JB Ng M B B J B B )(00λμμ……………….(1) 当T>T c 时,自发磁化强度消失,只有在外磁场B 0作用下产生磁化强度当T>>T c 时,可令1)(0<<+T k M B J g B B λμ,则(1)式变为: )(3)1(022M B Tk J J Ng M B B λμ++=………………..(2) 又B B k J J Ng Tc 3/)1(22λμ+= 代入(2)式有 T M B T M c λλ)(0+=解得λ)(0c c T T B T M -= 令λc T C =' 则得c c cc T T C T T C H H T T C T T B C M -=-=∴=-=-='''000μχχμ当T c T ≤时,0<χ为铁磁性当T > T c 时,0>χ为顺磁性6. 自发磁化的物理本质是什么?材料具有铁磁性的充要条件是什么?答: 铁磁体自发磁化的本质是电子间的静电交换相互作用材料具有铁磁性的充要条件为:1) 必要条件:材料原子中具有未充满的电子壳层,即原子磁矩2) 充分条件:交换积分A > 07.超交换作用有哪些类型? 为什么A-B 型的作用最强?答: 具有三种超交换类型: A-A, B-B 和A-B因为金属分布在A 位和B 位,且A 位和B 位上的离子磁矩取向是反平行排列的.超交换作用的强弱取决于两个主要的因素: 1)两离子之间的距离以及金属离子之间通过氧离子所组成的键角ψi 2) 金属离子3d 电子数目及轨道组态.A-B 型ψ1=125°9’ ; ψ2=150°34’A-A 型ψ3=79°38’B-B 型ψ4=90°; ψ5=125°2’因为ψi 越大,超交换作用就越强,所以A-B 型的交换作用最强.8. 论述各类磁性χ-T 的相互关系1) 抗磁性.d χ 与温度无关,d χ<0 2) 顺磁性:c T T C -=χ,T c 为临界温度,成为顺磁居里温度,T>T c 时显顺磁性 3) 反铁磁性:当温度达到某个临界值T N 以上,服从居里-外斯定律4) 铁磁性: χf >0, T< T c ,否则将转变为顺磁性,并服从居里-外斯定律5) 亚铁磁性: 是未抵消的反铁磁性结构的铁磁性9. 比较铁磁体中五种能量的下列关系:答:铁磁材料的五种相互作用能分别为: 交换能F ex ,磁晶各向异性能F x ,磁弹性能F σ,退磁场能F d 和外磁场能F H1) 相邻原子电子自旋的单位体积内的交换能A>0时,电子自旋不平行,则会引起系统交换能的增加, F ex >0,只有当不考虑自旋轨道耦合时,交换能F ex 是各向同性的.2) 磁晶各向异性能F x ,是饱和磁化强度矢量在铁磁材料中取不同方向时随时间而改变的能量,仅与磁化强度矢量在晶体中的相对晶轴的取向有关磁晶各向异性来源于电子自旋与轨道的相互耦合作用以及晶体电场效应.这种原子或离子的自旋与轨道的耦合作用,会导致铁磁体的长度和体积的大小发生变化,出现所谓的磁致伸缩3) 铁磁体在受到应力作用时会发生相应的应变,从而引起磁弹性能F σ,包括由于自发形变而引起的磁应力能,包括外加应力和内应力4) 铁磁体在外磁场中具有位能成为外磁场能F H ,外磁场能是铁磁体磁化的动力5) 有限尺寸的铁磁体材料,受到外加磁场H 的变化,会在两端面上分别出现正负磁荷,从而产生减弱外磁场的磁场H d ,均匀磁化材料的退磁场能F d 为:10. 用能量的观点说明铁磁体内形成磁畴的原因答:根据热力学定律,稳定的磁状态一定是对应于铁磁材料内总自由能极小值的状态.磁畴的形成和稳定的结构状态,也是对应于满足总的自由能为极小值的条件.对于铁材料来说,分成磁畴后比分成磁畴前能量缩小,故铁磁材料自发磁化后必然分成小区域的磁畴,使总自由能为最低,从而满足能量最低原理.可见,退磁场能是形成磁畴的原因11. 解:单位面积的畴壁能量231/1098.32m J aA k S -⨯==πγ S 为自旋量子数=1 磁畴宽度m L M D s 641095.80.1710-⨯==γ L=10-2m 12 解:此题通过内应力分布为l x πσσ2sin0=,可见为90°畴壁位移,其为位移磁方程为σλμs s H M 230=,当外磁场变化H ∆,畴壁位移x ∆平衡时 H x M x x xH M s s s s ∆∂∂=∆∴∆∂∂=∇σλμσλμ232300 此时沿外磁场方向上磁矩将增加⊥∆=∆⊥S x S M s H (μ为单位体积90°畴壁的面积) 设磁畴宽度2l D =,在单位体积内将有2/D 个畴和畴壁数目,因而单位体积内畴壁面积应为)3....(....................442)11(l S l D =∴=⨯⨯⊥ 将(2)(3)代入(1),可得:0209034σλμπχs s i M =- 13. 证明: 用单弛豫来描述,磁场为交变磁场强度t i m e H H ω=作用下磁感应强度为)(c t i m e B B δω-=由t i m e H i H B ωμμμμμ)'''(00-==所以为半圆形14.15.讨论动态磁化过程中,磁损耗与频率的关系。
材料物理答案全.doc
♦选择题(每小题2分,共20分)1.材料的硬度取决于CA.显微结构B.裂纹C.化学组成和物质结构D.杂质2•下列不属于激光工作物质的是CA. CaWO3Nd2+B. Y3AI2O3/Nd3+C. Y3AI3O2Ce3+D丄a2O2SNd3+ 3•下列关于磁性材料说法中,不正确的是dA.磁性材料都有抗磁性,因为它++弱,只有当其它类型的磁性完全消失时才能+++B.抗磁体和感磁体对于磁性材料应用来说都视为无磁性C.材料是否具有铁磁性取决于原子是否具有的未成对电子以及原子在晶格中的排列方式D.亚铁磁性在宏观性能上与铁磁性类似,区别在于亚铁磁性材料的饱和磁化强度比铁磁性的高4•下列元素中常用作稀土发光材料激活剂的是AA. Eu3+B. Y3+C. Lu2+D. La3+6• —般硅酸铝箔的性能为#!=4*104K, #2=7*104N W2#3=4*104N W2u=0.5, K第一热冲击断裂因子R1为CA. 234.6KB. 242.8KC. 162KD. 183K9•下血列举的磁性中属于强磁性的是BA.顺磁性B.亚铁磁性C.反铁磁性D.抗磁性10•下列属于抗磁性材料的是DA. FeB. NiC. Dy D・ Zn♦填空题(每小题1分,共20分)1.压电功能材料一般利用压电材料的压电功能、热释电______ 功能、_电致仲缩_____ 功能或电光功能。
2.半导体材料的导电率取决于材料中的—口由电子________ 和_空穴3.自发磁化的物理本质是_电子间的静电交换相互作用____________ o材料具有铁磁性的充分必要条件为(1)必要条件材料原子中具有未充满的电子壳层,即原子磁矩____ 、_________ 和(2)充分条件—交换能积分常数A>0 _______ 。
4.V族杂质在硅酸中电离,放出电了产生导电导了形成正点中心,称为施主杂质_____ O释放电子的过程称为_施主电离_o依靠导带电了导电_____ 的半导体称为n型半导体。
材料物理导论 试卷及参考答案-试卷及参考答案-Test3 A
河北大学课程考核试卷—学年第学期级应用物理物理专业(类)考核科目材料物理导论课程类别考核类型考试考核方式开卷卷别 A (注:考生务必将答案写在答题纸上,写在本试卷上的无效)1. Define the following terms in English. (30 points, 6 points for each question)1). Slip2). Scanning electron microscope (SEM).3). Covalent bond.4). Defect structure5). Imperfection.2.Determine the indices for the directions shown in the following hexagonal unit cell: (10 points)3. Questions and Answers. (20 points, 10 points for each question)(a)Please to describe what are the substitutional solid solutions and interstitial solid solutions?(b) What are the factors affecting the solubility of substitutional solid solutions?A-2-14. Please compare the distortion energy of two dislocations within the FCC crystal. (20 points)5. Calculate the energy for vacancy formation in silver, given that the equilibrium number of vacancies at 800o C (1073 K) is 3.6x1023m-3. The atomic weight and density (at800o C) for silver are, respectively, 107.9 g/mol and 9.5 g/cm3. (20 points)A-2-2。
材料物理导论(熊兆贤着)课后习题答案第三章习题参考解答
第三章 材料的电学3112319/)(/1006.4)3001038.1106.122.0exp(211211)(22.005.029.0212.1)(,12.1.1cm e N E f N n eVE E E E E E E E E E E E eV E Si kT E E D D D DF D i F D i c F D D c D g F D ⨯=⨯⨯⨯⨯+=+=⋅==-=-∴--∆--=--=∆=⊗---的查解:⎪⎩⎪⎨⎧⨯==⨯==∴〈〈⊗。
少子;多子解:)(/1013.1)(/105.1.239203150cm N n p cm N n N n D i D D i eV22.0J 1053.3E E cm /102N cm /100.1N N Nln kT E E P cm /1045.8102)103.1(p n n cm /102109101.1N N p T N P ,N N .320V F 315A 319V AVV F 34152102i 3151516D A A D =⨯=-⨯⨯=-⎪⎩⎪⎨⎧⨯=⨯⨯==⨯=⨯-⨯=-=⇒∴∴〈⊗-代入可得取,取型半导体,有对于杂质几乎完全电离在室温,较少且又型半导体补偿后解:时可保持强电离。
则有令,仅考虑杂质电离有低温区,忽略本征激发解:318D 318DD D 2/1kT /E CD DD0cm /1032.1N cm /1032.1N N 9.0n )e N N 8(1N 2n n .4D ⨯〈⨯〈⇒≥⋅+==⊗+∆+K T m k N D T T k E kT m N D N D n T k E N ND T kE N N N n N N T k E E Tk E E N n T k E E Tk E E N n dn D D dn c D D D cD D c D D D cDc F FD D D FD F D D D 125)2()_ln(ln )2/3()1)(/)2(2_,_)/exp()(2_),/exp()(2ln )exp(21)exp(,)exp(211.532/3002/3000000≈∴+=∆=≈∴∆=∆≈∴+=∴--=>>----+=ππ(代入将总数的百分比为未电离的施主杂质占令代入上式杂质饱和电离时当解:31319p n i i p n i ii cm/1029.2)19003900(106.1471)(q 1n )(q n 1.6⨯=+⨯⨯⨯=μ+μρ=∴μ+μ=ρ=σ⊗- 解:661119163163221161910310108.21085.3/8.108.101350106.1105/105,/1051085.3)5001350(106.1103.1)(/103.1300.7⨯=⨯=∴⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=≈⨯=⨯=⋅Ω⨯=+⨯⨯⨯⨯=+=⨯=⊗--------in n D n D i p n i i i cm q n cm n cm N Si cm q n cmn Si K σσμσμμσ则的密度本征又的时解:cm 34.1400106.11017.11pq 1cm /1017.1)33.2500/(1002.68.10105.4N p .81916p 316235A ⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=μ=ρ∴⨯=⨯⨯⨯=≈⊗-- 解:mE s q m m q n n n d s n n n n n n 181********311048.11048.110101.01048.1106.110101.926.01.0.9-------**⨯=⨯⨯⨯⨯=⋅⋅=⋅=⨯=⨯⨯⨯⨯⨯==∴=τμτυλμττμ 解:Ω=⨯=⋅ρ=⋅Ω=⨯⨯⨯=μ=σ=ρ⊗-3.16.01781.0S l R cm 781.08000106.1101nq 11.101915n解:225112251123312319193103.421023.412.4400)2(5.361065.3365.3)1010/(101.926.03001038.13106.110/33,,)1(101.926.026.0.11------------⋅=⋅⨯==⋅Ω=⋅=⋅⨯===⋅Ω=⋅⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯=⋅⋅=∴===⨯⨯==⊗cm A m A i m K cm A m A m kTqN E i mE m kTq N m kT V E V nq kg m m Si dnA dnA dn dn σσσμμσ时,同理,(电子有效质量),对解: cm 045.0)1350106.1103.10()pq (s V cm 1350cm /103.10100.1101103.1n )3(cm34.4)480106.1103.0()pq (cm /103.0100.1103.1N N p)2(cm34.4)480106.1103()pq (s V cm 480cm /103N p ,n n )1(.12119161112n 3161617161191613161616D A 119151112p315A A i ⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=μ=ρ∴⋅⋅=μ⨯=⨯-⨯+⨯=⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=μ=ρ∴⨯=⨯-⨯=-=⋅Ω=⨯⨯⨯⨯=μ=ρ∴⋅⋅=μ⨯=≈∴〈〈⊗------------- 又又查得解:为最大。
材料科学导论题目答案
材料科学导论题目答案1.核外电子的排列规律:一.能量最低原理:原子核外的电子,总是尽先占有能量最低的原子轨道,只有当能量较低的原子轨道被占满后,电子才依次进入能量较高的轨道,以使原子处于能量最低的稳定状态。
原子轨道能量的高低为:1.当n相同,l不同时,轨道的能量次序不s<p<d<f。
例如,E3S<E3P <E3d。
2.当n不同,l相同时,n愈大,各相应的轨道能量愈高。
例如,E2S<E3S <E4S。
3.当n和l都不相同时,轨道能量有交错现象。
即(n-1)d轨道能量大于ns轨道的能量,(n-1)f轨道的能量大于np轨道的能量。
在同一周期中,各元素随着原子序数递增核外电子的填充次序为ns,(n-2)f,(n-1)d,np。
二.泡利不相容原理:在同一原子中没有四个量子数完全相同的电子,或者说在同一原子中没有运动状态完全相同的电子。
根据这个规则,如果两个电子处于同一轨道,那么,这两个电子的自旋方向必定相反。
也就是说,每一个轨道中只能容纳两个自旋方向相反的电子。
三:洪特规则:在等价轨道中,电子尽可能分占不同的轨道,且自旋方向相同。
洪特规则实际上是最低能量原理的补充。
因为两个电子同占一个轨道时,电子间的排斥作用会使体系能量升高,只有分占等价轨道,才有利于降低体系的能量。
2.原子之间的作用力如何由来:当两个原子相互移近时,距原子核最远的价电子比其他电子更早发生重叠,因为价电子只占据部分的壳层,当它们重叠时就会产生引力,但是当两个原子满壳层的电子云也发生重叠时,就会出现浸壳层间的斥力。
离子键型的晶体的结合较强,破坏这种化学键需要较高的能量,所以离子型晶体的熔点、硬度、强度都很高,热膨胀系数很小;共价键性的材料中由于共价键最多,结合键最强,因而熔点、强度和硬度都很高;金属键的材料具有金属光泽、高的导电性和导热性,较好的机械强度和塑形,具有正的电阻温度系数;分子键的材料熔点和沸点低,强度低。
3.材料的结合键与材料性能之间的关系:一、化学键1.离子键离子键是由正负电荷的相互吸引造成的。
材料物理导论习题答案-1
第四章:晶体缺陷 部分作业答案1、 证明位错线不能终止在晶体内部。
解 设有一位错线从表面深入晶体,终点A 在晶体内,如图所示绕位错作一柏氏回路1L ,获得柏氏矢量b 。
现把回路移动到2L 位置,按柏氏回路性质,柏氏回路在完整晶体中移动,它所得的柏氏矢量不会改变,仍为b 。
但从另一角度看,内是完整晶体,它对应的柏氏矢量应为0。
这二者是相悖的,所以这是不可能的。
2、 一个位错环能否各部分都是螺位错,能否各部分都是刃位错,为什么? 解 螺位错的柏氏矢量与位错线平行,一根位错只有一个柏氏矢量,而一个位错环不可能与一个方向处处平行,所以一个位错环不能各部分都是螺位错。
刃位错的柏氏矢量与位错线垂直,如果柏氏矢量垂直位错环所在的平面,则位错环处处都是刃位错。
这种位错的滑移面是位错环与柏氏矢量方向组成的棱柱面,这种位错又称棱柱位错。
3、 面心立方系单晶体受拉伸形变,拉伸轴是[001],求对b =a[011-]/2及t 平行于[211-]的位错在滑移和攀移方向所受的力。
已知点阵常数a=0.36nm 。
解 (1)单位长度位错线在滑移面上所受的力g F 是外加应力场在滑移面滑移方向的分切应力τ与柏氏矢量b 的乘积:b F g τ=。
在单位拉伸(应力为σ)的情况,ϕλστcos cos =。
因b=a[011-]/2及t 平行于[211-],滑移面是柏氏矢量和位错共面的面,所以滑移面是(111)。
因此,λ是]011[]001[--的夹角,ϕ是]111[]01-的夹角。
根据第一题的计算知2/1cos =λ,3/1cos =ϕ;故σστ408.06/==。
而b 的模为m m a 1091055.22/21036.02/2--⨯=⨯⨯=,最后得m N m N b F g /1004.1/1055.2408.01010σστ--⨯=⨯⨯==式中,σ的单位为Pa 。
(2)单位长度位错线在攀移方向上所受的力C F 是外加应力场在刃位错半原子面的正应力C σ与柏氏矢量b 的乘积:b F c c σ-=。
材料物理导论(熊兆贤着)课后习题答案第一章习题参考解答
第一章 材料的力学1. 一圆杆的直径为2.5 mm 、长度为25cm 并受到4500N 的轴向拉力,若直径拉细至2.4mm ,且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉力下的真应力、真应变、名义应力和名义应变,并比较讨论这些计算结果。
解:根据题意可得下表由计算结果可知:真应力大于名义应力,真应变小于名义应变。
2. 一试样长40cm,宽10cm,厚1cm ,受到应力为1000N 拉力,其杨氏模量为3.5×109N/m 2,解:3. 一材料在室温时的杨氏模量为3.5×108N/m 2,泊松比为0.35,计算其剪切模量和体积模量。
解:根据可知:拉伸前后圆杆相关参数表 )(0114.0105.310101401000940000cm E A l F l El l =⨯⨯⨯⨯⨯=⋅⋅=⋅=⋅=∆-σε0816.04.25.2ln ln ln 22001====A A l l T ε真应变)(91710909.4450060MPa A F =⨯==-σ名义应力0851.0100=-=∆=A A l l ε名义应变)(99510524.445006MPa A F T =⨯==-σ真应力)21(3)1(2μμ-=+=B G E )(130)(103.1)35.01(2105.3)1(288MPa Pa E G ≈⨯=+⨯=+=μ剪切模量)(390)(109.3)7.01(3105.3)21(388MPa Pa E B ≈⨯=-⨯=-=μ体积模量4. 试证明应力-应变曲线下的面积正比于拉伸试样所做的功。
证:5. 一陶瓷含体积百分比为95%的Al 2O 3 (E = 380 GPa)和5%的玻璃相(E = 84 GPa),试计算其上限和下限弹性模量。
若该陶瓷含有5 %的气孔,再估算其上限和下限弹性模量。
解:令E 1=380GPa,E 2=84GPa,V 1=0.95,V 2=0.05。
则有当该陶瓷含有5%的气孔时,将P=0.05代入经验计算公式E=E 0(1-1.9P+0.9P 2)可得,其上、下限弹性模量分别变为331.3 GPa 和293.1 GPa 。
材料物理试题与答案
材料物理试题(卷面80分+平时20分)1、解释下列概念(20分)1.2 空位、间隙原子和异类原子;空位:在晶格结点位置应有原子的地方空缺,这种缺陷称为“空位”。
【从晶体点阵中原来应有原子存在的一个阵点处取走了原子,就形成了一个原子空位,这部分缺陷晶体被称为空位,这种空位也叫肖特基空位】间隙原子:在晶格非结点位置,往往是晶格的间隙,出现了多余的原子。
它们可能是同类原子,也可能是异类原子。
【进入晶体点阵间隙位置的原子称为间隙原子,这种间隙位置的特点是:在一般的情况下不应该有原子存在,且是晶体点阵的最大空隙位置。
晶体在高能粒子辐照下,正常位置的原子被打入到晶体的间隙位置,在形成间隙原子的同时,形成等量的空位,称为弗伦克耳空位。
】异类原子(杂质原子):在一种类型的原子组成的晶格中,不同种类的原子替换原有的原子占有其应有的位置。
【即使在纯金属的情况下,也仍然包含有杂质原子,若杂质原子与基体原子相比,其体积大于一定值,则杂质原子以置换的形式存在;而若其体积相对较小时,则有可能以间隙原子的形式出现。
】1.3 晶界、大角晶界和小角晶界;晶界:晶界就是空间取向(或位向)不同的相邻晶粒之间的分界面。
小角度晶界:大致地把晶粒位向差小于十度的晶界称为小角度晶界。
大角度晶界:当相邻晶粒之间的位向差大于10-15度,晶粒间的界面叫大角度晶界。
1.4 上坡扩散和反应扩散;扩散是由低浓度处向高浓度处进行的,如固溶体中某些偏聚或调幅分解,这种扩散被称为“上坡扩散”。
通过扩散使固溶体中的溶质组元超过固溶度而不断形成新相的扩散过程,又称相变扩散。
【许多合金状态图中往往有中间相,因而在扩散过程中也可能出现中间相,这种扩散即为多相扩散。
多相扩散包括两个过程,一个是扩散过程;另一个是界面上达到一定的浓度发生化学反应,从而形成新相的过程。
多相扩散通常也被称为反应扩散。
】1.5 一级相变和二级相变。
一级相变:由α相转变为β相时,Gα=Gβ, μαi=μβi,但自由焓的一阶偏导数不相等,称为一级相变。
材料物理导论试题及答案
材料物理导论试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 材料的导电性主要取决于材料中的:A. 电子浓度B. 电子迁移率C. 电子浓度和电子迁移率D. 电子的热运动答案:C2. 半导体材料的导电性与温度的关系是:A. 随温度升高而降低B. 随温度升高而升高C. 与温度无关D. 先升高后降低答案:B3. 以下哪种材料不属于超导材料?A. 铜B. 铝C. 铅D. 铌答案:A4. 材料的弹性模量反映了材料的:A. 塑性B. 韧性C. 硬度D. 弹性答案:D5. 在材料科学中,晶格常数是指:A. 晶格中原子间的平均距离B. 晶格中原子的数目C. 晶格中原子的体积D. 晶格中原子的质量答案:A6. 以下哪种材料的热膨胀系数最大?A. 钢B. 铝C. 铜D. 玻璃答案:D7. 材料的断裂韧性是指:A. 材料抵抗塑性变形的能力B. 材料抵抗断裂的能力C. 材料的硬度D. 材料的韧性答案:B8. 以下哪种材料的导热性最好?A. 陶瓷B. 塑料C. 金属D. 木材答案:C9. 材料的疲劳寿命主要取决于:A. 材料的强度B. 材料的硬度C. 材料的韧性D. 材料的疲劳极限答案:D10. 以下哪种材料的磁导率最高?A. 铁B. 铜C. 铝D. 不锈钢答案:A二、填空题(每空1分,共20分)1. 材料的______性是指材料在受到外力作用时,能够恢复到原来形状的能力。
答案:弹性2. 材料的______性是指材料在受到外力作用时,能够抵抗断裂的能力。
答案:断裂韧性3. 材料的______性是指材料在受到外力作用时,能够抵抗永久变形的能力。
答案:塑性4. 材料的______性是指材料在受到外力作用时,能够抵抗划痕的能力。
答案:硬度5. 材料的______性是指材料在受到外力作用时,能够吸收能量而不断裂的能力。
答案:韧性6. 材料的______性是指材料在受到温度变化时,能够抵抗体积变化的能力。
答案:热膨胀系数7. 材料的______性是指材料在受到热能作用时,能够传递热量的能力。
材料物理简答题答案
材料物理简答题答案一、材料的电子理论1、说明自由电子近似的基本假设。
在该假设下,自由电子在一维金属晶体中如何分布?电子的波长、能量各如何分布?自由电子近似假设:自由电子在金属内受到一个均匀势场的作用,使电子保持在金属内部,金属中的价电子是完全自由的;自由电子的状态不符合麦克斯韦- 波尔兹曼统计规律,但服从费米- 狄拉克的量子统计规律。
分布:电子的势能在整个长度L 内都一样,当0<x<="0">=L 时U(x)= ,以此建立一维势阱模型。
一维势阱中自由电子运动状态满足的薛定谔方程为,在一维晶体中的解 (归一化的波函数)</x为:(L 为晶体长度)。
在长度L 内的金属丝中某处找到电子的几率为| |2= *= ,与位置x无关,即在某处找到电子的几率相等,电子在金属中呈均匀分布。
自由电子的能量:(n=1、2、3??) 电子波长:λ近自由电子近似基本假设:点阵完整,晶体无穷大,不考虑表面效应;不考虑离子热运动对电子运动的影响;每个电子独立的在离子势场中运动,不考虑电子间的相互作用;周期势场随空间位置的变化较小,可当作微扰处理。
电子在一维周期势场中的运动薛定谔方程:,方程的解为。
自由电子近似下的E-K 关系有:,为抛物线。
在近自由电子近似下,对应于许多K 值,这种关系仍然成立;但对于另一些K 值,能量E 与这种平方关系相差许多。
在某些K值,能量E发生突变,即在K= 处能量E=E n |U n| 不再是准连续的。
近自由电子近似下有些能量是允许电子占据的,称为允带;另外一些能量范围是禁止电子占据的,称为禁带。
2、何为K空间?K空间中的( 2,2,2 )和( 1,1,3 )两点哪个代表的能级能量高?K 空间:取波数矢量K 为单位矢量建立一个坐标系统,他在正交坐标系的投影分别为K x、K y、K z,这样建立的空间称为K 空间。
22+22+22 12+12+32,故( 2,2,2 )比( 1,1,3 )高。
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= ih ψ∇ψ ∗ −ψ ∗∇ψ 2m
=
ih 2m
ir
(−2ikr ) r3
=
hk mr 2
i r
16. 一粒子在一维势阱中运动,势阱为
U (x)
=
⎪⎧U ⎨
o
> 0,
x
>
a
求束缚态(0
<
E
<
U0)的能级所满足的方程。
⎪⎩0, x ≤ a
解:粒子满足波函数:
⎧ ⎪− ⎪
h2 2m
d
2ϕ1 (x0 dx 2
第一章 材料的力学
1. 一圆杆的直径为 2.5 mm、长度为 25cm 并受到 4500N 的轴向拉力,若直径拉细至 2.4mm,
且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉力下的真应力、真应变、名义应力和名义应变,
并比较讨论这些计算结果。
解:根据题意可得下表
拉伸前后圆杆相关参数表
体积 V/mm3 直径 d/mm 圆面积 S/mm2
解:据题即求如图 E1,E2,η2 和η3 四参数。如图所示有
ε
= ε1
+ε2
+ε3
=
σ0 E1
+
σ0 E2
(1 − e−t /τ
)+
σ0 η3
t
其中ε1 立即回复,ε2 逐渐回复,ε3 不能回复。
⇒
⎪⎧ε1 ⎪ ⎪ ⎨ε 3 ⎪
= =
σ0 E1
σ0 η3
= 0.05 − (3 + e10−10 ) /100 = t = 1.0 ×104 ⋅ 36000 = (3 +
MPa,求沿图中所示之方向的滑移系统产生滑移时需要的最小
τ 53
拉力值,并求滑移面的法向应力。
N
60°
解:由题意得图示方向滑移 系统的剪切强度可表示 为:
F cos 53° τ = 0.00152π × cos 60°
⇒
Fmin
=
τ f × 0.00152π cos 53°× cos 60°
= 3.17 ×103 (N )
−
0.03)
10 exp(
−
t
)
+
0.03,
得出τ=3600s,(与ε=(3+e10−t
)
/
100相比)
τ
∴
ε
2=1.0E×210
4
(1-e
−10
)
=
0.01,∴ E2
= 1.0 ×6 ×109 Pa ⋅ s
10. 当取 Tg 为参考温度时 logαT
=
− c2
c1 +
此拉力下的法向应力为 :σ
=
3.17 ×103 × cos 60° 0.00152π / cos 60°
Ф3mm
= 1.12 ×108 (Pa) = 112(MPa)
12. 拉伸某试样得到如下表的数据,试作σ − ε 曲线图,并估算杨氏模量、屈服应力和屈服时
的伸长率以及抗张强度。
ε × 103
5
10 20 30
40
50 60
σ × 104 Pa 250 500 950 1250 1470 1565 1690
ε × 103
70 80 90 100
120
150
σ ×10 4 Pa 1660 1500 1400 1380 1380(断)
σ∗104 Pa
1800 1600
1530
1400 1200 1000
800 600 400 200
解:令 E1=380GPa,E2=84GPa,V1=0.95,V2=0.05。则有
上限弹性模量EH = E1V1 + E2V2 = 380 × 0.95 + 84 × 0.05 = 365.2(GPa)
下限弹性模量EL
=
( V1 E1
+
V2 )−1 E2
=
0.95 (
380
+
0.05 )
−1
84
=
323.1(GPa)
2m 2
2mE 2E / mω 2
∴ 根据Sommerfeld量子化条件有:
∫ Pxd x = π
∫ 2mE ⋅ 2E / mω 2 = 2Eπ
ω
= nh(这时
Px dx相当于椭圆的面积)
⇒ E = nhω (n = 1,2,3,LL)
( ) 15. 波函数的几率流密度 J = ih ψ∇ψ ∗ −ψ ∗∇ψ ,取球面坐标时,算符 2m
(T (T
− Ts − Ts
) )
中的
C1=17.44,C2=51.6,求以
Tg+50℃为
参考温度时 WLF 方程中的常数 C1 和 C2。
解:⎪⎧C1
Q
⎪ ⎨
⎪⎪⎩C2
= =
B 2.303 fg = Bf
= 17.44(B是常数, fg 51.6(B f 是自由体积在
f g是Tg时的自由体积百分数 Tg以上的热膨胀系数 )
抗张强度:为强化阶段曲线最高点:σ b =1690×10-4 Pa
13. 氦原子的动能是 E= 3 kT(式中波尔兹曼常数 k=1.38x10-23 J/K),求 T = 1 K 时氦原子的 2
物质波的波长。
解:根据⎪⎨⎧E
=
3 2
kT
=
1 2
mv 2
⎪⎩P = mv = h / λ
⇒λ =h/P= h = 3mkT
ε1
l1 A l V l1
V
或者:
∫ ∫ ∫ 做功W = l2 Fdl = ε2 Aσldε = V ε2 σdε = VS, 亦即W ∝ S.
l1
ε1
ε1
5. 一陶瓷含体积百分比为 95%的 Al2O3 (E = 380 GPa)和 5%的玻璃相(E = 84 GPa),试计算 其上限和下限弹性模量。若该陶瓷含有 5 %的气孔,再估算其上限和下限弹性模量。
体积模量B = E = 3.5 ×108 = 3.9 ×108 (Pa) ≈ 390(MPa) 3(1 − 2µ) 3(1 − 0.7)
4. 试证明应力-应变曲线下的面积正比于拉伸试样所做的功。
∫ ∫ ∫ 证: 面积S = ε2 σdε = l2 F dl = 1 l2 Fdl = 1 W ,亦即S ∝ W .
0 0.2% 20
σb
48
40
60
80
ε∗103
100
120
扬氏模量 E = σ ,由图中未达屈服点时线段的斜率可求出:E=500 Pa。 ε
屈服应力:由于无明显的屈服点,则取应变为 0.2%时说对应的 σ p0.2 为名义屈服应力点,
作图可得:屈服应力 1530×10-4 Pa,伸长率为 48×10-3。
)
=
(E
−U0
)ϕ1(x)KKKKKK x
<
−a
⎪ ⎨− ⎪
h2 2m
d
2ϕ2 (x0 ) dx 2
=
Eϕ2 (x)KKKKKKKKK −
a
<
x
<
a
⎪ ⎪− ⎩
h2 2m
d
2ϕ3 (x0 ) dx 2
=
(E
− U 0 )ϕ3 (x)KKKKKK x
>
a
即:
⎧d ⎪
⎪
2ϕ1 ( x0 ) dx 2
−
)
又有f
=
fg
+ B f (T
− Tg ) ⇒
f g +50
=
fg
+ 50B f
= 101.6 51.6
fg
∴以Tg
+
50°C为参考时有
⎪⎪⎧C1 ⎨
⎪⎪⎩C2
17.44
=
= 8.86
101.6 / 51.6
= 101.6 × 51.6 = 101.6 51.6
F
11. 一圆柱形 Al2O3晶体受轴向拉力 F,若其临界抗剪强度τf 为 135
h2
h2
⎧d ⎪
⎪
2ϕ1 (x0 dx 2
)
−
α
2ϕ1 (x)
=
当该陶瓷含有 5%的气孔时,将 P=0.05 代入经验计算公式 E=E0(1-1.9P+0.9P2)可得,其
上、下限弹性模量分别变为 331.3 GPa 和 293.1 GPa。
6. 试分别画出应力松弛和应变蠕变与时间的关系示意图,并算出 t = 0,t = ∞ 和 t = τ
时的纵坐标表达式。 解:Maxwell 模型可以较好地模拟应力松弛过程:
解:
∆l
= ε ⋅ l0
=σ E
⋅ l0
=
F ⋅l0 A0 ⋅ E
=
1000 × 40
1×10 ×10−4 × 3.5 ×109
= 0.0114(cm)
3. 一材料在室温时的杨氏模量为 3.5×108 N/m2,泊松比为 0.35,计算其剪切模量和体积模
量。
解:根据 E = 2G(1 + µ) = 3B(1 − 2µ) 可知: 剪切模量G = E = 3.5 ×108 = 1.3 ×108 (Pa) ≈ 130(MPa) 2(1 + µ) 2(1 + 0.35)
其应力松弛曲线方程为:σ (t) = σ (0)e-t/τ 则有:σ (0) = σ (0);σ (∞) = 0;σ (τ ) = σ (0) / e.
Voigt 模型可以较好地模拟应变蠕变过程:
其蠕变曲线方程为:ε (t) = σ 0 (1 − e−t /τ ) = ε (∞)(1 − e−t /τ ) E