模拟电子技术练习题-2012
《模拟电子技术基础》总复习典型习题解析
2011-2012（2）《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用（一）二极管的符号及伏安特性曲线：（二）二极管的特性：单向导电性（三）二极管的模型：重点掌握理想模型和恒压降模型（四）典型习题1. 电路如图所示，已知u i =10sinωt（V），二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管的状态，并画出输出u i与u o的波形。
（a）（b）（c）2. 设二极管是理想的，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
（a）（b）3.电路如图所示，已知u i =8sinωt（V），二极管的正向导通电压U D=0.7V，试分析二极管的状态，画出输出u i与u o的波形，并标出幅值。
（a）（b）（c）4. 电路如图所示，已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管D1和D2的状态，并求出输出电压U o。
（a）（b）二. 三极管及场效应管的应用（一）三极管的符号及伏安特性曲线：i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线，PNP 管的特性曲线（二）三极管的电流控制作用：B C i i β=（三）三极管放大电路的直流通路和交流通路：（四）三极管的交流等效电路：（五）三极管放大电路的组态（六）放大电路的分析方法交流等效电路法：利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。
图解法：利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线，采用作图的方式确定一个Q 点。
（七）放大电路的非线性失真饱和失真：工作点位于饱和区截止失真：工作点位于截止区注意：图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真，PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。
（八）放大电路静态工作点稳定问题Q 点不合适， 的波形要失真；，A u 与I B 有关。
在电路中引入直流负反馈。
模拟电子技术练习题-考试必备
2012模拟电子技术练习题一、填空题1、正弦波信号发生器的类型有 和 两大类。
产生1MHz 以下的是 。
2、负反馈放大电路，级数多、反馈深度大的容易产生自激振荡，防止产生自激振荡采用破坏同时满足振幅条件和相位条件，其幅值裕度和相位裕度临界值分别为 dB 和 度。
3、P 型半导体掺入 价元素，其多数载离子是 。
PN 结具有 导电性，呈现扩散电容为主时是处于 状态。
4、滤波器按频率参数分为 、 、 、 、 。
5、负反馈放大电路中，可以实现电压电流变换的是 负反馈，可以实现电流电压变换的是 负反馈。
6、集成运放工作在线性状态时，分析方法是依据 ，工作在非线性状态时，分析方法是依据 。
7、已知某集成运放，开环增益120dB 、带宽0-10Hz ，用此设计带宽0-100KHz 的放大器，单片可以实现的放大倍数是 倍。
若需要放大倍数1000倍，需要 片级联。
二、简答题1、二极管稳压电路中电阻R 的作用？其取值与哪些因素有关？R 为限流电阻，作用是使电路有一个合适的工作状态，并限定电路的工作电流。
其取值与负载的需要及稳压额定功率有关。
2、正弦波振荡电路的频率是多少？RViVoViVi图a图bRt与Rf的关系？Rt的温度特性？F=1/2paiRC因为：Av=（1+Rf/Rt）>3 所以Rf>2RtRt随温度升高二增大3、什么是零点漂移现象？如何克服零点漂移？在多级直流放大电路中，当输入信号为零时，在输出端出现的偏离零点的变化缓慢的不规则的信号的现象叫做零点漂移。
克服零点漂移最有效且最常用的措施是采用差动式放大电路。
4、两个电路中的运放分别工作在什么状态？其电路功能分别是什么？三、电路如图所示，设图中运放均为理想运放。
试分别推导出Vo1、Vo2、Vo 与Vi1、Vi2的关系式。
四、电路如图所示，Vcc=12V，RL=8Ω，C的电容量很大，Vi为正弦波，忽略管子饱和压降。
（1）静态时，C2两端电压是多少？（2）动态时，如果出现交越失真，如何解决？（3）最大输出功率是多少？五、放大电路如图，β=150、Rb1=47K 、Rb2=20K 、Rc=3.3K 、Re1=50、Re2=1.2K 、RL=2K 、Vcc=12V 。
2012年模拟电子技术试题
。
A. 2V
B. 8V
C. 4V
D. 6V
4.已知复合管 V1 的1 = 30，V2 的2 = 50，则复合后的 约为
。
A．1500 B.80 C.50 D.30
5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即 RC 串并联选频网络和
A. 基本共射放大电路
B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路
4 题图
…
…
…
…
…
…
④
…
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…
…
…
…
…
…
…
…
…
…
…
…
⑤
大连民族学院 电子、通信、自动化、测控 专 业 模拟电子技术基础（A）试 题 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分
一．选择填空（本题 15 分）
1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V，-10 V，-9.3 V，则这只
RB1
L
+VCC C1
C2
V1
RB2
RE
+ Ce
(a)
RB1 Cb + RB2
+VCC C1 L C2
V2 RE
(b)
图题六-1
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七．稳压电源如图题七所示。设 V32=10V。（本题 10 分）
1.写出 VREF 的表达式 2.试求输出电压范围的表达式。
图题七
2.请把图题六-2 中的文氏桥振荡电路接好；若要求振荡频率为 480HZ，试确定 R 的阻值。（6 分）
D. 带阻滤波电路
2011——2012 学年 2 学期
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《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术练习题
模拟电子技术练习题欢迎参加模拟电子技术练习题，本练习题将涵盖基本的电子技术概念和应用知识。
通过完成下列练习题，你将有机会巩固和扩展你对电子技术的理解。
请按照题目要求，用合适的格式回答问题，并在最后给出你的答案。
祝你好运！练习题一：电阻与电流关系1. 当一个电流为2A的电路中通过一个2欧姆的电阻，求这个电阻两端的电压是多少？2. 如果电路中的电流不变，而电阻增大到4欧姆，那么这个电阻两端的电压是多少？练习题二：电流分流考虑以下电路，其中R1 = 2欧姆，R2 = 4欧姆，和R3 = 6欧姆，并假设电源电压为12伏。
请回答以下问题：1. 求电路中总电流是多少？2. 求每个电阻上的电压分别是多少？3. 求通过R2的电流是多少？练习题三：电容充放电1. 当一个100μF的电容器通过一个10千欧姆的电阻放电时，如果初始电压为12伏，求1秒钟后电容器的电压是多少？2. 如果我们将电容充电到12伏，并闭合一个继电器，将电容连接到一个无阻尼振荡电路，电容的振荡频率是多少？练习题四：半导体二极管1. 请解释什么是半导体二极管？2. 在一个二极管的伏安特性曲线中，当正向偏置电压增大时，电流如何变化？为什么？练习题五：放大电路考虑以下放大电路，其中R1 = 10千欧姆，R2 = 1千欧姆，和R3 = 5千欧姆，以及输入电压Vin = 1伏和电源电压Vcc = 12伏。
请回答以下问题：1. 多大的输入电阻？2. 求中间节点的电压？3. 多大的输出电压？练习题六：数模转换考虑一个8位的模数转换器，输入电压范围为0到5伏特。
请回答以下问题：1. 该转换器可以表示多少个离散的电压级别？2. 求一个电压为3.5伏特的输入信号在这个转换器中的模拟数值。
练习题七：运放1. 请解释什么是运放？2. 当使用正向反馈配置的非反转运放电路时，输出电压与输入电压之间的关系如何？练习题八：数字逻辑门请列举并解释以下逻辑门的功能：1. 与门 (AND gate)2. 或门 (OR gate)3. 非门 (NOT gate)4. 异或门 (XOR gate)练习题答案：练习题一：1. 根据欧姆定律，电压等于电流乘以电阻：电压= 2A * 2Ω = 4V电阻两端的电压为4伏特。
模拟电子技术填空题答案
1，半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2，本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是自由电子，若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3，PN结在正偏是导通，反偏是截止，这种特性称为单向导电性。
4，当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向电压将减小。
5，整形电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单项脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6，发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7，光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8，测得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于650Ω，交流电阻等于26Ω。
1，晶体管从结构上可以分为PNP和NPN两种类型，它工作时有两种载流子参与导电。
2，晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
3，晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。
4，当温度升高时，晶体管的参数增大，I增大，导通电压减小。
5，某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10uA变化到20uA时，集电极从1mA变为1.99mA，则交流电流放大系数约为99.6，场效应管从结构上可分为两大类：MOS场效应管、结型场效应管；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：增强型、耗尽型。
7，Ugs(off)表示夹断电压，Idss表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。
1，放大电路的输入电压Ui=10mV,输出电压Uo=1V，该放大电路的电压放大倍数为100，电压增益为40dB。
2，放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电阻也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。
3，共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为1，输入电阻大，输出电阻小。
2012模电综合复习题(只有部分答案)
2012《模拟电子技术》复习题1、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图1示，试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？答：题图1所示的各个三极管的工作状态，图（a ）为损坏， 图（b ）为放大， 图（c ）为放大， 图（d ）为截止， 图（e ）为损坏，图（f ）为饱和（或B 、C 极间击穿）。
2、 放大电路如题 图2所示，对于射极电阻e R 的变化是否会影响电压放大倍数v A 和输入电阻i R 的问题，有三种不同看法，指出哪一种是正确的？甲：当e R 增大时，负反馈增强，因此↓v A 、↑i R 。
（ ） 乙：当e R 增大时，静态电流C I 减小，因此↓v A 、↑i R 。
（ ）丙：因电容e C ，对交流有旁路作用，所以e R 的变化对交流量不会有丝毫影响，因此，当e R 增大时，v A 和i R 均无变化。
题图 1题图2解：本题意在我们要搞清e R ，在分压式电流负反馈偏置电路中的作用，从表面看，e R 被e C 交流旁路了，对交流量无影响（即不产生交流负反馈），所以e R 的变化不影响u A 和i R ，这是本题容易使我们产生错觉的地方。
但我们还必须进一步考虑，尽管e R 不产生交流负反馈，但它对放大器的静态工作点的影响是很大的，既然影响到CQ I ，就影响到be r 进而影响u A 和i R 。
甲的说法是错误的，原因：因e C 的旁路作用，所以e R 不产生交流负反馈，所以甲的观点前提就是错的。
乙的说法是正确的。
原因：;)(↓↑→↓→↑→u be EQ CQ e A r I I R↑∴=↑i be b i be R r R R r ,//,丙的说法是错误的，原因：正如解题分析中所说，尽管e R 不产生交流负反馈，但e R 增大使EQEQ ，II 减小的减小必然引起u A 减小和i R 的增加。
3、一个如图3（a ）所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如题图（b ）的输出特性，静态工作点Q 和直流负载线已在图上标出（不包含加粗线）。
2012级《模拟电子技术》期末试题A卷
四川工业管理职业学院2012～2013学年度下期12级电子设备与运行管理专业期末考试《模拟电子技术》试题(A卷)座位号：＿＿＿（满分100分，120分钟完卷）一、填空题（共25空，每空1分，共25分）1、P型半导体中空穴为载流子，自由电子为载流子。
2、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有单向导电性。
3、反向电流是由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压无关。
4、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。
5、当温度升高时，三极管的集电极电流I C ，发射结压降U BE。
6、晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。
7、三极管放大电路共有三种组态、共集电极、放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用负反馈，为了减小输出电阻采用负反馈。
9、负反馈放大电路的放大倍数A f= ，对于深度负反馈A f= 。
10、共模信号是大小，极性的两个信号。
11、乙类互补功放存在失真，可以利用类互补功放来克服。
12、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有网络。
13、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是。
14、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。
二、选择题（每题2分，共30分）1、PN结加反向电压时，其空间电荷区（）A.变窄B.变宽C.不变D.不一定2、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V，VB=2.8V，VC=4.4V，说明此三极管处在（）A.放大区B.饱和区C.截止区D.反向击穿区3、某放大器的中频电压增益为40dB，则在上限频率处的电压放大倍数约为（）A.43B.100C.37D.704、把差动放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以（）A.增大差模输入电阻B.提高共模增益C.提高差模增益D.提高共模抑制比5、负反馈所能抑制的是（）的干扰和噪声。
A.反馈环内B.输入信号所包含C.反馈环外D.不确定6、用集成运放组成模拟信号运算电路时，通常工作在（）A.线性区B.非线性区C.饱和区D.截止区7、某迟滞比较器的回差电压为6V，其中一个门限电压为-3V，则另一门限电压为（）A.3VB.-9VC.3V或-9VD.9V8、RC桥式振荡电路中，RC串并联网络的作用是（）A.选频B.引入正反馈C.稳幅和引入正反馈D.选频和引入正反馈9、功率放大电路的输出功率大是由于（）A.电压放大倍数大或电流放大倍数大B.电源电压高且输出电流大C.输出电压变化幅值大且输出电流变化幅值大D.负载电阻小且输出电流大10、若一个乙类双电源互补对称功率放大电路的最大输出功率为4W，则该电路的最大管耗约专业______________班级______________姓名______________学号______________为（ ）A .0.8WB .4WC .0.4 WD .无法确定11、某简单稳压电路要求稳定电压为8V ，而仅有7.3V 硅稳压管D Z 一只，二极管（硅管）D 一只，可采用D Z 与D 串联接入电路（ ）A .D 正偏，D Z 反偏B .D 反偏，D Z 反偏C .D 正偏，D Z 正偏 D .D 反偏，D Z 正偏 12、为了获得电压放大，同时又使得输出与输入电压同相，则应选用（ ）放大电路。
2012年《模拟电子技术》在线作业及标准答案
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2012-6-12
试题
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此题得分：0.0
20．第39题 基本积分电路的电容器接在 运放电路的（ ）。
A.反向输入端 B.同向输入端 C.反向端与输出端之间 D.输出端 答案:C
标准答案：C 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：2.0
标准答案：B 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：0.0
18．第37题 PN结具有（ ）导电特性。
A.双向 B.单向 C.不确定 答案:B
标准答案：B 您的答案：B 题目分数：2.0 此题得分：2.0
19．第38题 场效应管参与导电的载流子是（ ）。
A.电子 B.空穴 C.多数载流子 D.少数载流子 答案:C
A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 答案:B
标准答案：B 您的答案：B 题目分数：2.0 此题得分：2.0
23．第45题 电路如题图所示，电路引入( )负反馈。
A.电压串联
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2012-6-12
试题
B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联 答案:B
21．第41题 测得三极管发射结正偏，集电结正偏，此时该三极管处于( )
A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态 答案:C
标准答案：C 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：2.0
22．第42题 在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为2.8V、3.5V、6V，则这只三 极管属于（ ）
A.饱和 B.截止 C.低频 D.交越 答案:B
电子技术及实训模拟练习题+参考答案
电子技术及实训模拟练习题+参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、为调整放大器的静止工作点，使之上移，应该使RB电阻值(____)。
A、减小；B、增大；C、不变；D、不确定正确答案：A2、二极管的正向电阻越小，反向电阻越大说明其质量越(____)。
A、一般B、无法确定；C、好；D、差；正确答案：C3、杂质半导体的少数载流子随温度升高其数量(____)。
A、无法确定B、不变；C、增大；D、减小；正确答案：C4、由漂移形成的电流是反向电流，其大小决定于（），A、温度；B、浓度；C、电场；D、频率正确答案：A5、温度对三极管参数有很大的影响，温度上升，则(____)。
A、放大倍数β下降；B、不影响放大倍数；C、不能确定D、放大倍数β增大；正确答案：D6、射极输出器的主要作用是进行(____)。
A、电压、电流同时放大B、电流放大；C、阻抗变换；D、电压放大；正确答案：C7、工作在放大区的某三极管，基极电流从40微安减小到20微安时，集电极电流从2毫安变为1毫安，其电流放大系数β约为(____)。
A、50；B、10；C、100；D、25正确答案：A8、将整流电容滤波电路的滤波电容值减小，输出电压平均值(____)。
A、增大；B、减小；C、无法确定D、不变；正确答案：B9、当温度降低时，放大电路的静态工作点随之(____)。
A、不变B、降低；C、升高；D、无法确定；正确答案：B10、三极管可看成下列哪种电源：(____)。
A、受电流控制的电流源；B、受电压控制的电压源；C、受电压控制的电流源D、受电流控制的电压源；正确答案：A11、共发射极放大器的输出电压和输入电压的相位上的关系是(____)。
A、相位差90度；B、不能确定C、同相位；D、相位差180度；正确答案：D12、PNP型三极管的三个脚分别为1、2、3。
用试验法测得三极管1端对地－6.2V，2端对地电玉为—6V, 3端对地电压为－9V，则发射极(____)。
(完整word版)模拟电子技术基本练习题(解).doc
电子技术基础（模拟部分）综合练习题2010-12-12一．填空题：（将正确答案填入空白中）1．N 型半导体是在本征半导体中掺入 3 价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
P 型半导体是在本征半导体中掺入 5 价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。
3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。
4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。
5．某三极管，其α =0.98，当发射极电流为 2mA ，其基极电流为0.04mA ，该管的β值为49 。
6．某三极管，其β =100，当集电极极电流为 5mA，其基极电流为0.05mA ，该管的α值为0.99 。
7．某三极管工作在放大区时，当 I B从 20μA 增大到 40μA ，I C从 1mA 变成 2mA 。
则该管的β约为50。
8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。
其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。
其输入电阻很高。
9. 晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。
场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。
10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。
11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。
12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路 , 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。
A =20；A =-100； Av3=1，则可知这三级放13．在一个三级放大电路中，已知大电路中 A1是共基极v1 v2 组态； 3 是共集电极组态。
专科《模拟电子技术》模拟题试卷
专科《模拟电子技术》模拟题试卷一. （共60题,共150分.1.理想的功率放大电路应工作于.)状态.（2分.A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补★检查答案标准答案: C2.NPN共射电路的Q点设置在接近于.)处将产生顶部失真.（2分.A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区★检查答案标准答案: A3.双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是.)接法.（2分.A.共基极B.共源极C.共漏极D.共栅极★检查答案标准答案: B4.当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时, 应采用的最佳滤波电路是.).（2分.A.低通B.高通C.带通D.带阻★检查答案标准答案: C5.为了提高电压放大倍数, 希望放大电路的.)大一些.（2分.A.输入电流B.输出电流C.输入电阻D.输出电阻★检查答案标准答案: D6.当PN给外加反向电压时, 其内部的扩散电流将.)漂移电流。
此时, 耗尽层的宽度将.).（2分.A.大于变宽B.大于变窄C.小于变宽D.等于不变★检查答案标准答案: C7.差动放大电路的特点是抑制.)信号, 放大.)信号.（2分.A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模★检查答案标准答案: B8.共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位.).（2分.A.相差0B.相差45C.相差90D.相差180★检查答案标准答案: A9.直流电源滤波的主要目的是: .).（2分.A.将交流变直流B.将高频变低频C.将正弦波变成方波D.将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案: D10.电路如图所示。
若V1管正负极接反了, 则输出.). （2分.A.只有半周波形B.全波整流波形, 但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D.无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案: D11.双极型三极管是控制器件, 当其工作在放大区时发射结需要加偏置, 集电结需要加偏置。
2012年模拟电子技术第五章 集成运算放大电路及其应用练习题(含答案)
第五章集成运算放大电路及其应用【教学要求】本章主要叙述了集成运放内部电路的组成及作用；讨论了电流源电路、差分放大器等单元电路；同时介绍了集成运放的理想化条件及它的三种基本电路和运算、集成运放的应用电路及其特点和集成运放的非线性应用；教学内容、要求和重点如表5.1。
表5.1 教学内容、要求和重点【例题分析与解答】【例题5-1】差动放大器如图5-1所示。
已知三极管的β1=β2=50，β3=80，r bb’=100Ω，U BE1=U BE2=0.7V，U BE3=－0.2V，V CC=12V。
当输入信号U i=0时，测得输出U o=0。
1：估算T1、T2管的工作电流I c1、I c2和电阻R e的大小。
2：当U i=10mV时，估算输出U o的值图5-1解：1：由电路可知，当U i =0时，要保证U o =0V ，则电阻R e3上压降应为12V ，，由此可求得3c I ：mA R U U I e cc o c 11212)(33==--=，T 3管的设计电流3E I 为：33c E I I ≈，而T 2管集电极电阻R c2上的压降2C R U 可近似为：V U R I U EB e E R C 2.32.0313332=+⨯=+⋅≈。
于是T 1、T 2管的集电极电流1C I 、2C I 为：)(32.0102.32212mA R U I I C RR C C C ====。
射极电阻R e 上的电流e R I 为：)(64.021mA I I I C C R e=+=。
若设T 1管基极电位U B1=0V ，则U E1=－0.7V ，射极电阻R e 为：)(7.1764.0127.0)(1Ω=+-=--=K I U U R e R CC E e2：U i =10mA 时，U o 的大小：由于电路的结构为单入、单出型，故将T 3管构成的后级电路输入电阻R i2作为差放级的负载考虑，其电压放大倍数A u1为：)(2)//(12211be b i c u r R R R A +=β；其中： )(24.432.026)501(1001Ω=⨯++=K r be ，3332)1(e be i R r R β++=； 而3be r 为： )(2.2126)801(1003Ω=⨯++=K r be ； 所以： )(2453)801(2.22Ω=⨯++=K R i电压放大倍数为：8.45)24.41(2)245//10(501=+⨯⨯=u AT3管构成的后级放大电路的电压放大倍数2u A 为：9.33812.21280)1(333332-=⨯=⨯-=++-=e be c u R r R A ββ当输入U i =10mA 时，电路输出电压U o 为：)(8.110)9.3(8.4521V U A A U i u u o -=⨯-⨯=⋅⋅=【例5-2】图5-2给出了采用两级运放电路实现的差分比例运算电路。
模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1.1填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2.本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体,其多数载流子是3±—;若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体,其多数载流子是空穴o3. PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。
4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。
5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。
8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为V,该二极管的直流电阻等于650 交流电阻等于26 Q。
1. 2单选题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（C ）。
A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷2. PN结形成后，空间电荷区由（D ）构成。
A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（B ）。
A.减小B.基本不变C.增大4.流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将（C ）o A.增大B.基本不变C.减小5.变容二极管在电路中主要用作（D ）o、A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（V ）2.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（X ）3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
（X ）4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
（X ）1.4分析计算题1.电路如图TL 1所示，设二极管的导通电压仄丽）二，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：（a）二极管正向导通，所以输出电压U0= （6—V= Vo（b）令二极管断开，可得5=6 V、U N=10 V, IUU N,所以二极管反向偏压而截止，Uo=10 Vo（c）令1、V,2均断开，U N尸0V、U N2=6V、U P=10V,U P—UQUp—LU,故％优先导通后，V2截止，所以输出电压Uo= V o2.电路如图TL 2所示，二极管具有理想特性，已知ui=（sin3t）V,试对应画出口、U。
《模拟电子技术》试卷A（答案）
2011—2012学年春季学期《模拟电子技术基础》考试试卷（A ）卷（答案）考试形式： 闭卷 考试时间： 120 分钟 满分： 100 分2、密封线左边请勿答题，密封线外不得有姓名及相关标记。
一、选择题（共15空，每空2分，共30分）1. 杂质半导体中多数载流子浓度( B )。
A 、只与温度有关B 、取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C 、与温度无关D 、与掺杂浓度和温度都无关2. 稳压管的稳压区是其工作在( C ) 。
A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿D. 无偏置状态3. P 沟道增强型MOS 管的电路符号为( B )。
4. 工作在放大状态的某PNP 晶体三极管，各电极电位关系为( A )。
A.V C <V B <V E B. V C >V B >V E C.V C <V E <V BD. V C >V E >V B5. 在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E ，电压放大倍数将（ A ）。
A. 增加B. 减小C. 不变D. 不能确定6. 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e ，将使电路的（ B ）。
A. 差模放大倍数数值增大 B. 抑制共模信号能力增强 C. 差模输入电阻增大 D. 共模抑制比变小学号： 姓名： 学院： 年级： 专业：------------------------------------------------- 密 － 封 － 线 ------------------------------------------------------7.某两级阻容耦合共射放大电路，不接第二级时第一级的电压放大倍数为100倍，接上第二级后第一级电压放大倍数降为50倍，第二级的电压放大倍数为50倍，则该电路总电压放大倍数为（ B ）。
A.5000倍B. 2500倍C. 150倍D. 200倍8.基本差动放大电路中，两个单边放大器的电压增益为100。
《模拟电子技术基础》总复习典型习题
2011-2012（2）《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用（一）二极管的符号及伏安特性曲线：（二）二极管的特性：单向导电性（三）二极管的模型：重点掌握理想模型和恒压降模型（四）典型习题1. 电路如图所示，已知u i =10sinωt（V），二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管的状态，并画出输出u i与u o的波形。
（a）（b）（c）2. 设二极管是理想的，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
（a）（b）3.电路如图所示，已知u i =8sinωt（V），二极管的正向导通电压U D=0.7V，试分析二极管的状态，画出输出u i与u o的波形，并标出幅值。
（a）（b）（c）4. 电路如图所示，已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管D1和D2的状态，并求出输出电压U o。
（a）（b）二. 三极管及场效应管的应用（一）三极管的符号及伏安特性曲线：i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线，PNP 管的特性曲线（二）三极管的电流控制作用：B C i i β=（三）三极管放大电路的直流通路和交流通路：（四）三极管的交流等效电路：（五）三极管放大电路的组态（六）放大电路的分析方法交流等效电路法：利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。
图解法：利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线，采用作图的方式确定一个Q 点。
（七）放大电路的非线性失真饱和失真：工作点位于饱和区截止失真：工作点位于截止区注意：图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真，PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。
（八）放大电路静态工作点稳定问题Q 点不合适， 的波形要失真；，A u 与I B 有关。
在电路中引入直流负反馈。
模电64试题A卷
本次考试可以使用计算器共页第页2．装订试卷，考生答卷时不得拆开或在框外留写标记，否则按零分计共 页 第 页说明：1、除填空题、图解及特要求外一般不留答题空间。
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2012模拟电子技术练习题
一、填空题
1、正弦波信号发生器的类型有 和 两大类。
产生1MHz 以下的是 。
2、负反馈放大电路，级数多、反馈深度大的容易产生自激振荡，防止产生自激振荡采用破坏同时满足振幅条件和相位条件，其幅值裕度和相位裕度临界值分别为 dB 和 度。
3、P 型半导体掺入 价元素，其多数载离子是 。
PN 结具有 导电性，呈现扩散电容为主时是处于 状态。
4、滤波器按频率参数分为 、 、 、 、 。
5、负反馈放大电路中，可以实现电压电流变换的是 负反馈，可以实现电流电压变换的是 负反馈。
6、集成运放工作在线性状态时，分析方法是依据 ，工作在非线性状态时，分析方法是依据 。
7、已知某集成运放，开环增益120dB 、带宽0-10Hz ，用此设计带宽0-100KHz 的放大器，单片可以实现的放大倍数是 倍。
若需要放大倍数1000倍，需要 片级联。
二、简答题
1、二极管稳压电路中电阻R 的作用？其取值与哪些因素有关？
2、正弦波振荡电路的频率是多少？Rt 与Rf 的关系？Rt 的温度特性？
R
Vi
Vo
Vi
Vi
图a图b
3、什么是零点漂移现象？如何克服零点漂移？
4、两个电路中的运放分别工作在什么状态？其电路功能分别是什么？
三、电路如图所示，设图中运放均为理想运放。
试分别推导出Vo1、Vo2、Vo 与Vi1、Vi2的关系式。
四、电路如图所示，Vcc=12V，RL=8Ω，C的电容量很大，Vi为正弦波，忽略管子饱和压降。
（1）静态时，C2两端电压是多少？（2）动态时，如果出现交越失真，如何解决？（3）最大输出功率是多少？
五、放大电路如图，β=150、Rb1=47K 、Rb2=20K 、Rc=3.3K 、Re1=50、Re2=1.2K 、RL=2K 、Vcc=12V 。
（1）求电路的静态工作点Q ；（2）计算0,,R R A i V ；（3）如果出现截止失真，如何调节？（4）需要增大放大能力，如何调节？
Vo
六、两反馈放大电路分别如下图(a)、（b ）所示。
（1）试分别判断各电路的级间交流反馈的组态；
（2）分别求各电路的闭环电压增益A VF =v o /v i 表达式。
R2
+-
图(a) 图(b)。