专用集成电路实验报告
集成电路实验日常实训报告
一、实训时间2022年X月X日至2022年X月X日二、实训地点XX大学电子实验室三、实训目的1. 熟悉集成电路的基本原理和实验方法；2. 培养动手能力和实验操作技能；3. 深入了解集成电路的设计与制造过程；4. 提高对电子电路的分析与解决实际问题的能力。
四、实训内容1. 集成电路基本原理及实验（1）半导体材料与器件：了解半导体材料的特性，掌握PN结、二极管、晶体管等基本器件的原理和特性。
（2）集成电路基本电路：学习放大器、稳压器、滤波器等基本电路的设计与实验。
（3）集成电路制造工艺：了解集成电路的制造工艺流程，包括光刻、蚀刻、离子注入、扩散等。
2. 集成电路设计及实验（1）模拟集成电路设计：学习模拟电路的基本原理，掌握运算放大器、滤波器、稳压器等模拟电路的设计方法。
（2）数字集成电路设计：学习数字电路的基本原理，掌握逻辑门、触发器、计数器等数字电路的设计方法。
（3）集成电路版图设计：学习版图设计软件，掌握版图设计的基本规则和技巧。
3. 集成电路制造工艺实验（1）光刻实验：学习光刻原理，掌握光刻机的操作方法和光刻工艺流程。
（2）蚀刻实验：学习蚀刻原理，掌握蚀刻机的操作方法和蚀刻工艺流程。
（3）离子注入实验：学习离子注入原理，掌握离子注入机的操作方法和离子注入工艺流程。
五、实训过程及结果1. 集成电路基本原理及实验在实训过程中，我们学习了半导体材料与器件的基本原理，掌握了PN结、二极管、晶体管等基本器件的特性和应用。
通过实验，我们验证了放大器、稳压器、滤波器等基本电路的性能。
2. 集成电路设计及实验在模拟集成电路设计方面，我们学习了运算放大器、滤波器、稳压器等模拟电路的设计方法，并成功设计出满足要求的电路。
在数字集成电路设计方面，我们掌握了逻辑门、触发器、计数器等数字电路的设计方法，并成功设计出满足要求的电路。
3. 集成电路制造工艺实验在光刻实验中，我们学会了光刻机的操作方法和光刻工艺流程，成功完成了光刻实验。
集成电路实验报告
班级：XX姓名：XXX学号：XXXXXX指导老师：XXX实验日期：XXXX年XX月XX日一、实验目的1. 理解集成电路的基本组成和工作原理。
2. 掌握基本的集成电路设计方法，包括原理图设计、版图设计、仿真分析等。
3. 学习使用集成电路设计软件，如Cadence、LTspice等。
4. 通过实验加深对集成电路理论知识的理解，提高动手能力和问题解决能力。
二、实验内容本次实验主要包括以下内容：1. 原理图设计：使用Cadence软件绘制一个简单的CMOS反相器原理图。
2. 版图设计：根据原理图，使用Cadence软件进行版图设计，并生成GDSII文件。
3. 仿真分析：使用LTspice软件对设计的反相器进行仿真分析，测试其性能指标。
4. 版图与原理图匹配：使用Cadence软件进行版图与原理图的匹配，确保设计正确无误。
三、实验步骤1. 原理图设计：- 打开Cadence软件，选择原理图设计模块。
- 根据反相器原理，绘制相应的电路符号，包括NMOS和PMOS晶体管、电阻和电容等。
- 设置各个元件的参数，如晶体管的尺寸、电阻和电容的值等。
- 完成原理图设计后，保存文件。
2. 版图设计：- 打开Cadence软件，选择版图设计模块。
- 根据原理图，绘制晶体管、电阻和电容的版图。
- 设置版图规则，如最小线宽、最小间距等。
- 完成版图设计后，生成GDSII文件。
3. 仿真分析：- 打开LTspice软件，选择仿真模块。
- 将GDSII文件导入LTspice，生成对应的原理图。
- 设置仿真参数，如输入电压、仿真时间等。
- 运行仿真，观察反相器的输出波形、传输特性和功耗等性能指标。
4. 版图与原理图匹配：- 打开Cadence软件，选择版图与原理图匹配模块。
- 将原理图和版图导入匹配模块。
- 进行版图与原理图的匹配，检查是否存在错误或不一致之处。
- 修正错误，确保版图与原理图完全一致。
四、实验结果与分析1. 原理图设计：- 成功绘制了一个简单的CMOS反相器原理图，包括NMOS和PMOS晶体管、电阻和电容等元件。
专用集成电路实验报告56
专用集成电路实验报告56
专用集成电路实验报告56
一、实验介绍
本次实验是关于专用集成电路的实验，通过搭建实际电路并进行测试，以加深对专用集成电路原理和应用的理解。
二、实验原理
三、实验过程
1.首先，根据实验要求，选择一个具体的应用场景并找到相关的专用
集成电路芯片。
本次实验选择了一个用于数码相机的图像传感器集成电路。
2.根据芯片手册，获取其引脚定义和使用方法。
了解芯片的输入输出
信号特性，并设计出相应的电路接线。
3.接下来，搭建实际电路。
根据设计图纸，将专用集成电路芯片与其
他电路元器件连接起来，确保连接正确、稳定。
4.完成电路搭建后，对电路进行电气测试。
通过调整电源电压和信号
输入，观察电路的输出波形和电流大小，验证电路的性能和功能。
5.在实验过程中，及时记录实验数据和观察结果。
根据需求，可以对
电路参数、性能和功能进行测试和分析。
四、实验结果
经实验验证，所搭建的专用集成电路电路运行正常，输入信号能够正
确地输出，符合芯片手册的规定。
实验数据和观察结果见附表1
五、实验总结
通过本次实验，我们深入了解了专用集成电路的原理和应用，学习了如何选择合适的芯片、设计电路接线和进行测试分析。
同时，本次实验也加深了我们对电路搭建和调试的理解，培养了我们的动手能力和团队合作意识。
在今后的学习和工作中，我们将更加注重专用集成电路的应用研究和创新，为电子科技的发展做出更大的贡献。
附表1：实验数据和观察结果
...
（请根据实际情况填写实验数据和观察结果）。
集成电路实验报告
集成电路实验报告本次实验主要介绍集成电路的基本概念和电路设计方法，通过设计和制作CMOS场效应晶体管（MOSFET）的放大器电路来实现对这些知识的应用。
本次实验的主要内容如下：一、实验器材和材料本次实验所使用的器材和材料：1、计算机2、激光打印机3、示波器4、信号源5、直流电源6、理想电感7、电容8、MOSFET二、实验原理本次实验涉及的知识点包括：1、MOSFET的基本概念和特性MOSFET是一种场效应管，在电子学中起到了很重要的作用。
它的主要特点是控制端的电压可以改变通道区中的电子密度，从而控制电流流过管子中的通道。
根据不同的控制方式，MOSFET可以分为N型和P型两种。
2、放大器电路的基本原理放大器电路是一种能够放大电信号的电路，可以将小电信号放大为相对较大的电信号。
根据不同的信号类型和放大器类型，可以设计不同种类的放大器电路。
三、实验内容和步骤本次实验的实验内容和步骤如下：1、设计MOSFET的放大器电路首先，我们需要根据实验所需放大器的需求，设计出一种合理的MOSFET放大器电路。
具体步骤如下：（1）根据输入信号和输出信号的大小，计算出所需放大器的放大倍数。
（2）根据放大倍数，选择合适的与MOSFET配合使用的电容和电阻。
（3）将MOSFET、电容和电阻按照电路图的样式和连接方式进行连接。
制作和测试MOSFET放大器电路，具体步骤如下：（2）使用万用表对焊接完成的电路进行测试，确保电路连接正常。
（3）将电路连接到直流电源和信号源上，调节电源和信号源的参数，测试电路的放大效果。
四、实验结果分析本次实验的主要结果包括设计和制作的MOSFET放大器电路以及测试结果。
通过测试结果的分析，我们可以对电路的性能进行评估，并确定是否满足所需放大倍数的要求。
五、实验总结通过本次实验，我们了解了集成电路的基本概念和电路设计方法，并掌握了MOSFET放大器电路的设计和制作方法。
通过实验结果的分析，我们也可以更好地理解和掌握集成电路的相关知识和应用。
ne555实验报告
ne555实验报告NE555实验报告NE555是一种常用的集成电路，被广泛应用于定时器、脉冲发生器和脉冲宽度调制等电路中。
在本次实验中，我们将对NE555进行实验，以探究其工作原理和性能特点。
实验目的：1. 了解NE555的内部结构和工作原理；2. 掌握NE555的基本应用电路；3. 通过实验验证NE555的性能特点。
实验原理：NE555是一种集成电路，内部包含比较器、RS触发器、电压比较器和输出级驱动器等功能模块。
NE555的工作原理主要是通过外部电路控制电压比较器和RS 触发器的状态，从而实现定时和脉冲发生的功能。
实验材料：1. NE555集成电路芯片；2. 电阻、电容、开关等元器件；3. 示波器、数字万用表等测量仪器。
实验步骤：1. 搭建NE555的基本应用电路，如单稳态触发器、多谐振荡器等；2. 调节外部电路参数，观察NE555的输出波形和频率等性能指标；3. 使用示波器和数字万用表等测量仪器对NE555的工作状态进行实时监测。
实验结果：通过实验我们发现，NE555在不同的外部电路条件下，可以实现不同的定时和脉冲发生功能。
其输出波形可以是方波、三角波等不同形式，频率和占空比也可以通过外部电路调节。
NE555具有稳定的性能特点，适用于各种定时和脉冲发生的应用场景。
结论：NE555作为一种常用的集成电路，在电子电路设计中具有重要的应用价值。
通过本次实验，我们对NE555的工作原理和性能特点有了更深入的了解，为今后的电子电路设计和应用奠定了基础。
通过本次实验，我们对NE555的工作原理和性能特点有了更深入的了解，为今后的电子电路设计和应用奠定了基础。
NE555的应用范围非常广泛，可以用于定时器、脉冲发生器和脉冲宽度调制等电路中。
希望本次实验能够对大家有所帮助。
集成电路的实习报告
随着科技的不断发展，集成电路（IC）产业已成为我国战略性新兴产业的重要组成部分。
为了更好地了解集成电路产业，提高自己的专业素养，我于XX年XX月XX日至XX年XX月XX日在XX集成电路公司进行了为期一个月的实习。
二、实习目的1. 了解集成电路产业的基本情况和发展趋势；2. 学习集成电路的设计、制造、封装和测试等环节；3. 提高自己的实际操作能力和团队协作能力。
三、实习内容1. 集成电路设计：在实习期间，我学习了集成电路设计的基本原理和流程，掌握了Cadence等设计工具的使用。
通过参与实际项目，我学会了设计反相器、与非门等基本电路，并完成了相关设计文档的编写。
2. 集成电路制造：在制造环节，我了解了集成电路制造的基本流程，包括光刻、蚀刻、离子注入、扩散、化学气相沉积等。
通过参观生产车间，我看到了集成电路制造的自动化生产线，了解了生产过程中的质量控制要点。
3. 集成电路封装：在封装环节，我学习了封装的基本原理和工艺流程，了解了芯片封装的类型、材料和应用。
通过实际操作，我学会了封装机、焊锡机等设备的使用，并参与了芯片封装的实验。
4. 集成电路测试：在测试环节，我了解了集成电路测试的基本原理和方法，学习了测试设备的操作。
通过实际测试，我学会了如何分析测试数据，判断芯片的质量。
四、实习收获1. 理论知识与实践相结合：通过实习，我将所学的理论知识与实际生产相结合，提高了自己的实际操作能力。
2. 团队协作能力：在实习过程中，我学会了与团队成员沟通交流，共同完成项目任务，提高了自己的团队协作能力。
3. 职业素养：在实习期间，我了解了集成电路产业的相关政策和法规，提高了自己的职业素养。
通过一个月的实习，我对集成电路产业有了更深入的了解，掌握了集成电路设计、制造、封装和测试等环节的基本知识和技能。
在今后的学习和工作中，我将继续努力，不断提高自己的专业素养，为我国集成电路产业的发展贡献自己的力量。
集成电路试验报告
通用集成电路实验报告系别：电子信息工程学院专业：--- ----班级：----------小组：第六组小组成员：--- --- ------ ---指导教师：-----完成时间：2011年5月实验报告目录实验报告目录 (2)实验课题一：可调稳压电源 (3)实验课题二：触摸式“叮咚”门铃 (6)一、实验目的 (6)二、实验内容 (6)实验课题三：专用有源音箱 (9)一、实验目的 (9)二、实验内容 (9)三、实验总结 (11)实验课题四：元器件YD2822资料 (12)实验课题五:光控自动照明小灯 (18)一、实验目的 (18)二、实验内容 (18)三、实验小结 (19)全部实物照片 (20)实验课题一：可调稳压电源一、实验目的1、掌握二极管的单向导电性。
2、熟悉桥式整流的组成结构、工作原理和电路参数的计算。
3、掌握电容虑波电路的工作原理以及电路的参数计算。
4、掌握三端稳压、可调集成稳压电路的基本应用方法。
5、掌握完成直流稳压电源的设计、安装、调试、并测试其参数 二、实验内容1、电路原理图及工作原理图 电路原理图DIN4001TC20.33C3104C11000u fC4470uf1237805R 510RP 1K+-R21kLE D工作原理：第一阶段：降压。
变压器将电网220v 交流电降为符合要求的12V 交流电，并输送给整流电路。
第二阶段：整流。
此电路采用桥式整流，整流桥将变压器输出的交流电变为脉动的直流电，并输送给滤波电路。
第三阶段：滤波。
首先用大容量的电解电容滤除较大的纹波成分，再由独石电容或瓷片电容滤除其他交流成分，从而得到较平滑的直流电。
第四阶段：稳压。
经由三段集成稳压片7805得到5V 的直流电压，由于接地端接可调电阻可以得到可调的基准的电压，从而制成可调的直流稳压电源。
2、元件清单3、实物图片4、测试结果：见附表 三、实验小结名称变压器In4001 电容1000uf 电容470uf 电容104 电容333 LED电阻1K 电阻510 万用版 数量 1个4个1个1个1个1个1个 1个1个1个使我们对电子元件及电路安装有一定的感性和理性认识；培养和锻炼我们的实际着手能力。
集成电路实验报告
集成电路实验报告第一篇：集成电路实验报告集成电路实验报告班级：姓名：学号：指导老师：实验一：反相器的设计及反相器环的分析一、实验目的1、学习及掌握cadence图形输入及仿真方法；2、掌握基本反相器的原理与设计方法；3、掌握反相器电压传输特性曲线VTC的测试方法；4、分析电压传输特性曲线，确定五个关键电压VOH、VOL、VIH、VIL、VTH。
二、实验内容本次实验主要是利用 cadence 软件来设计一基本反相器(inverter)，并利用仿真工具Analog Artist(Spectre)来测试反相器的电压传输特性曲线(VTC，Voltage transfer characteristic curves)，并分析其五个关键电压:输出高电平VOH、输出低电平VOL、输入高电平VIH、输入低电平VIL、阈值电压 VTH。
三、实验步骤1.在cadence环境中绘制的反相器原理图如图所示。
2.在Analog Environment中，对反相器进行瞬态分析(tran)，仿真时间设置为4ns。
其输入输出波形如图所示。
分开查看：分析：反相器的输出波形在由低跳变到高和由高跳变到底时都会出现尖脉冲，而不是直接跳变。
其主要原因是由于MOS管栅极和漏极上存在覆盖电容，在输出信号变化时，由于电容储存的电荷不能发生突变，所以在信号跳变时覆盖电容仍会发生充放电现象，进而产生了如图所示的尖脉冲。
3.测试反相器的电压传输特性曲线，采用的是直流分析(DC),我们把输入信号修改为5V直流电源，如图所示。
4.然后对该直流电源从0V到5V进行线性扫描,进而得到电压传输特性曲线如图所示。
5.为反相器创建symbol，并调用连成反相器环，如图。
6.测量延时，对环形振荡器进行瞬态分析，仿真时间为4ns，bcd 节点的输出波形如图所示。
7.测量上升延时和下降延时。
(1)测量上升延时：可以利用计算器(calculator)delay函数来计算信号c与信号b间的上升延时和下降延时如图所示。
集成电路导论实验报告
集成电路导论实验报告实验一：集成电路的基本参数测量方法实验目的：1. 了解集成电路的基本参数。
2. 学习集成电路的测量方法。
3. 掌握集成电路测量所需的仪器和设备的使用方法。
实验器材：1. 集成电路：选取常见的几种逻辑门电路芯片。
2. 集成电路测试台：包括电源、波形发生器、示波器等。
3. 测试电缆和测量仪器。
实验步骤：1. 准备集成电路和测试台，并将电源、波形发生器和示波器连接好。
2. 将集成电路插入测试台相应插槽，并按照测试仪器的要求连接电路。
3. 打开电源并设置合适的电压和频率。
4. 使用示波器观察集成电路的输入输出电压波形，并记录相应数据。
5. 根据所测数据计算集成电路的基本参数，如电压增益、功耗等。
6. 对不同类型的集成电路重复上述步骤，进行不同参数的测量。
实验结果：以74LS00为例，通过测量得到的数据如下：输入电压：2V输出电压：4V功耗：20mW增益：2实验讨论：根据测得的数据，可以看出74LS00逻辑门电路芯片在2V的输入电压下，产生4V的输出电压，且功耗为20mW。
通过计算得到的增益为2，即输出电压是输入电压的2倍。
这些参数的测量结果可以用来评估集成电路的性能和设计电路时的参考。
实验总结：通过本次实验，我们学习了集成电路的基本参数测量方法，掌握了集成电路测量所需的仪器和设备的使用方法。
实验中我们选取了几种常见的逻辑门电路芯片进行了测量，通过观察波形、记录数据和计算参数，获得了它们的基本参数。
这些参数的测量对于电路设计和性能评估都具有重要的参考价值。
ne555实验报告
ne555实验报告NE555实验报告引言：NE555是一款经典的集成电路，被广泛应用于定时器、脉冲发生器、频率分频器等电子电路中。
本实验旨在通过实际操作NE555电路，深入了解其工作原理和特性。
一、实验目的本实验的主要目的有以下几点：1. 掌握NE555的引脚功能及工作原理；2. 理解NE555作为定时器的基本应用；3. 学会使用NE555构建简单的脉冲发生器。
二、实验原理NE555是一款8脚的集成电路，主要由比较器、RS触发器、RS锁存器和输出级组成。
通过对电路的引脚连接和外部元件的选择，可以实现不同的功能。
三、实验器材1. NE555芯片；2. 电阻、电容、二极管等元件；3. 电源、示波器、万用表等实验设备。
四、实验步骤1. 搭建基本的NE555定时器电路。
将NE555芯片插入实验板上，根据原理图连接电阻、电容和电源等元件。
2. 调节电源电压。
根据NE555的工作电压范围，选择适当的电源电压，并通过万用表测量电压值。
3. 测试NE555的工作频率。
将示波器连接到NE555的输出引脚上，调节电阻和电容的值，观察示波器上的波形变化，并记录下不同参数下的频率值。
4. 构建脉冲发生器。
在基本的NE555定时器电路的基础上，添加电阻、电容和二极管等元件，实现脉冲发生器的功能。
通过示波器观察输出的脉冲波形，并记录下不同参数下的频率、占空比等数值。
五、实验结果与分析通过实验，我们得到了NE555在不同参数下的工作频率和脉冲波形。
根据实验数据，我们可以分析NE555的特性和性能。
首先，NE555的工作频率与电阻和电容的值有关。
当电阻值较大或电容值较小时，工作频率较低；反之，工作频率较高。
这是因为NE555的内部电路通过电阻和电容的充放电过程来实现定时功能。
其次，NE555作为脉冲发生器时，其输出波形的频率和占空比也与电阻和电容的值密切相关。
通过调节电阻和电容的数值，可以实现不同频率和占空比的脉冲波形。
六、实验总结本实验通过实际操作NE555电路，深入了解了其工作原理和特性。
集成电路实习报告(通用6篇)精选全文
可编辑修改精选全文完整版集成电路实习报告艰辛而又充满意义的实习生活又告一段落了，想必都收获了成长和成绩，是时候回头总结这段时间的实习生活了。
你所见过的实习报告应该是什么样的？下面是小编帮大家整理的集成电路实习报告（通用6篇），仅供参考，大家一起来看看吧。
集成电路实习报告1一：实习目的1、学习焊接电路板的有关知识，熟练焊接的具体操作。
2、看懂收音机的原理电路图，了解收音机的基本原理，学会动手组装和焊接收音机。
3、学会调试收音机，能够清晰的收到电台。
4、学习使用protel电路设计软件，动手绘制电路图。
二：焊接的技巧或注意事项焊接是安装电路的基础，我们必须重视他的技巧和注意事项。
1、焊锡之前应该先插上电烙铁的插头，给电烙铁加热。
2、焊接时，焊锡与电路板、电烙铁与电路板的夹角最好成45度，这样焊锡与电烙铁夹角成90度。
3、焊接时，焊锡与电烙铁接触时间不要太长，以免焊锡过多或是造成漏锡；也不要过短，以免造成虚焊。
4、元件的腿尽量要直，而且不要伸出太长，以1毫米为好，多余的可以剪掉。
5、焊完时，焊锡最好呈圆滑的圆锥状，而且还要有金属光泽。
三：收音机的原理本收音机由输入回路高放混频级、一级中放、二级中放、前置低放兼检波级、低放级和功放级等部分组成接收频率范围为535千赫1065千赫的中段。
1、具体原理如下原理图所示：2、安装工艺要求：动手焊接前用万用表将各元件测量一下，做到心中有数，安装时先安装低矮和耐热元件（如电阻），然后再装大一点的元件（如中周、变压器），最后装怕热的元件（如三极管）。
电阻的安装：将电阻的阻值选择好后根据两孔的距离弯曲电阻脚可采用卧式紧贴电路板安装，也可以采用立式安装，高度要统一。
瓷片电容和三极管的脚剪的长短要适中，它们不要超过中周的高度。
电解电容紧贴线路板立式焊接，太高会影响后盖的安装。
、棒线圈的四根引线头可直接用电烙铁配合松香焊锡丝来回摩擦几次即可自动上锡，四个线头对应的焊在线路板的铜泊面。
集成电路设计实验报告
三、实验方法：
熟悉L-EDIT版图软件工具及工艺库相关内容，熟练该软件工具菜单功能及使用方法。以PMOS器件为例，在调用相应的工艺文件基础上，画元器件的物理实现版图（如选用几微米的工艺线、设计法则等）,设计完成后运用该软件的设计规则对所画的版图进行DRC验证，并修改不正确的部分，直至设计无错误。
12.画Pselect掩模板，其中宽度W = 18µm 高度H = 15µm。
13.画Active有源区掩模板，其中宽度W = 14µm 高度H = 6µm。该有源区与左边、右边和下边的间距都为2µm。
14.画Nselect掩模板，其中宽度W = 9.5µm 高度H = 15µm。
15.画Active有源区掩模板，其中宽度W = 5.5µm 高度H = 6µm。
4.以morbn20.tdb工艺库为例，画NMOS版图。File→New→Copy TDB setup from。
5.点击Browse选择根目录Tanner→LEDIT83。
6.点击LEDIT83→Samples。
7.点击Samples→tech。
8.点击tech→mosis。
9.在mosis文件夹下，选择工艺库文件morbn20.tdb。
19.进行设计规则检查，Tools→DRC即可。
20.检查没有错误，表示所画版图正确。
21. 如果不能通过DRC，则点击此叉图来查找问题，并改正。
五、实验中遇到的问题和解决办法
按照实验内容画好没有错误，如下：
专用集成电路实验报告
实验3/4 反相器的特性：学号：班级：指导老师：1、实验目的1.了解反相器的电路结构和版图结构。
2.理解反相器的开关阈值。
3.理解反相器延时与电源和器件尺寸的关系。
4.理解反相器链的延时与器件尺寸的关系。
2、实验容1. 画出一个双阱工艺反相器的版图示意图（不严格要求尺寸和比例关系，画出阱、扩散区、多晶栅极、栅接触孔、源极漏极接触孔、金属即可）。
2. 一个0.25um 工艺的反相器，NMOS 管的尺寸为L = 0.250um ，W = 0.375um ；PMOS 管的尺寸为L = 0.250um ，W = 1.125um 。
a) 电源为2.5V ，从0到2.5V 扫描输入电压vin ，观察输出电压vout ，找到开关阈值； b) 仅修改PMOS 管的W = 2.750um ，找到此时的开关阈值；c) 恢复PMOS 管尺寸W = 1.125um ，电源分别为2.5V 、1.5V 、1V ，观察pHL t 和pLH t （50%到50%）；d) 修改PMOS 管的W = 0.750um ，电源为2.5V ，观察pHL t 和pLH t （50%到50%）。
3. 四个反相器级联，所有的NMOS 管的尺寸为L = 0.250um ，W = 0.375um ；所有的PMOS 管的L = 0.250um ；电源为2.5V 。
a) 第一个反相器的PMOS 管W = 1.125um ，第二个反相器的PMOS 管W = 1.875um ，第三个反相器的PMOS 管W = 3.000um ，第四个反相器的PMOS 管W = 5.250um ； b) 四个反相器的PMOS 管均为W = 1.125um ； c) 四个反相器的PMOS 管均为W = 1.875um ； d) 四个反相器的PMOS 管均为W = 3.000um ；观察四种情况下反相器链的pHL t 和pLH t 。
一、双阱工艺反相器的版图示意图双阱工艺反相器的版图示意图如图1.1所示图1.1 二、单个反相器2.1 电源为2.5V，从0到2.5V，仿真图形如图2.1图2.1从图2.1可以看出在上述条件下的开关阈值大约为：1.25V2.2 修改PMOS管的W = 2.750um，其他条件保持不变，此时的仿真波形如图2.2.图2.2从图2.2可以看出在上述条件下的开关阈值为1.42V2.3 恢复PMOS管尺寸W = 1.125um，电源分别为2.5V、1.5V、1V，此时的仿真波形分别如图2.3，图2.4以及图2.5，其pHL t 和pLH t 分别如图中的箭头所示。
(集成电路应用设计实验报告)计数、译码、显示电路实验
计数、译码、显示电路实验一、实验器材（设备、元器件）:1，数字、模拟实验装置（1台）；2，数字电路实验板（1块）；3，74LS90、74LS00芯片（各一片）；4，函数信号发生器（1台）。
二、实验内容及目的：1，熟悉和测试74LS90的逻辑功能；2，运用中规模集成电路组成计数、译码、显示电路。
三、实验步骤：1、利用数字电路实验装置测试74LS90芯片的逻辑功能异步计数器74LS90为中规模TTL集成计数器，可实现二分频、五分频、十分频等功能，它由一个二进制计数器和一个五进制计数器构成，其外引脚图和功能表如下图所示：异步：同步：满足1)2()1(00=∙R R ，1)2()1(=∙Sq Sq 时：①1CP =CP ，2CP =0时：二进制计数； ②1CP =0，2CP =CP 时：五进制计数；③1CP =CP ，2CP =A Q 时：8421码二进制计数； ④1CP =D Q ,2CP =CP 时：5421码十进制计数。
插好74LS90芯片，连好电源和接地端，计数脉冲由函数信号发生器提供，)1(0R 、)2(0R 、)1(9S 、)2(9S 分别接逻辑开关，四个输出端接电平显示或数码管，按功能表拨动开关验证其结果。
2，设计一个显示星期的计数器，使之重复0——6的显示（用74LS90与74LS00实现）利用反馈归零法可以使74LS90实现十以内的N 进制计数器，即从0记到要设计的进制时使清零端)1(0R 、)2(0R 有效（同时为高电平），进而反馈清零。
此实验实现0——6显示，即设计七进制数，当计数器计到111时，用反馈清零法使之为000，故先将)1(9S 、)2(9S 接地，1CP 接计数脉冲CP ，2CP 接A Q ，构成十进制数，再由于此只为七进制，故只用到A Q 、B Q 、C Q ，又用74LS00，故可使C Q 接B Q 、A Q 与非后再和“1”与非后接)2(0R ，使得当计数器计到111时，)1(0R 、)2(0R 实现清零。
专用集成电路实习报告
实习报告：专用集成电路设计与验证一、实习背景与目的随着现代电子技术的快速发展，集成电路（IC）设计在各个领域发挥着越来越重要的作用。
为了提高我国在集成电路领域的竞争力，培养具有实际操作能力的集成电路设计人才，我国许多高校都开设了相关专业课程，并配备了先进的实验设备。
本次实习旨在让我们深入了解专用集成电路（ASIC）的设计与验证过程，提高我们的实际动手能力，为今后的学术研究和就业打下坚实基础。
二、实习内容与过程1. 实习前的准备在实习开始前，指导老师为我们讲解了专用集成电路的基本概念、设计流程和验证方法。
同时，我们还学习了相关软件的使用方法，如Cadence、Synopsys等。
通过这些准备工作，我们对实习内容有了初步的了解。
2. 实习过程（1）需求分析与设计方案确定首先，我们分组进行了需求分析，明确了实习项目的要求和性能指标。
随后，根据需求分析结果，我们确定了设计方案，包括选择合适的处理器架构、确定内存容量和类型等。
（2）电路设计与仿真在电路设计阶段，我们使用了Cadence软件进行原理图绘制和版图设计。
在设计过程中，我们充分考虑了电路的性能、功耗和面积等因素。
设计完成后，利用Cadence内置的仿真工具进行了功能仿真，验证了电路的正确性。
（3）硬件描述语言（HDL）编写与仿真为了实现电路的模块化设计，我们使用了Verilog语言编写硬件描述代码。
通过编写代码，我们将复杂的电路结构转化为易于理解和修改的模块。
编写完成后，利用Synopsys软件进行了综合和仿真，验证了模块的功能和性能。
（4）晶圆制造与封装在完成电路设计和仿真后，我们将设计文件提交给晶圆制造商，进行晶圆制造。
制造完成后，进行封装测试，确保芯片在封装过程中没有损坏。
（5）系统级验证最后，我们将封装好的芯片焊接到测试板上，进行系统级验证。
通过实际运行，验证了芯片在实际应用场景中的性能和稳定性。
三、实习收获与反思通过本次实习，我们深刻了解了专用集成电路的设计与验证过程，掌握了相关软件的使用方法，提高了实际动手能力。
集成电路实验报告
|Vtp 1 |
2 0.24 2 0.24
80.6= 35.8=
（ （
）（1 − |Vtp |）
2 2
）（0.8 − |Vtp |）
得到：K p2 ，
|Vtp 2 |
K p =（K p1 +K p2 ）/2= 47.1 |Vtp | = （ |Vtp 2 | +|Vtp 2 |）/2=0.39
Ids 5 >=74.1uA
所以选择 Ids 5 =110uA D、根据共模输入最大值 VIC max = VDD − VSG 3 + VTN 1 ，可以计算 M3 和 M4 的尺寸 1.6v = 1.8v-VSG 3 +0.41v
55 0.5∗K P ∗( )
W L
VSG 3 = 0.61=
求解可得：(
.LIB "..\tsmc_018um_model.lib" CMOS_MODELS .END
PMOS PMOS I-V Characteristic M2 OUT IN VDD VDD CMOSP L=0.24U W=2U VIN VDD IN 0.8 VOUT VDD OUT 1 .OPTIONS LIST NODE POST .DC VOUT 0 1.8 0.1 sweep VIN 0.8 1.0 0.2 .PRINT DC I(M2) .LIB "..\tsmc_018um_model.lib" CMOS_MODELS .END 5、结论和分析：
联立两式可得λn =0.16 B、计算K n 和Vtn ：
235= 102=
Kn 2 Kn 2
（ （
2 0.24 2 0.24
）（1 − Vtn ）
集成电路实验报告 (2)
实验 3 使用T-Spice 进行单元电路的瞬时分析3.1 实验目的及要求1．进一步熟悉Tanner Pro 软件中T-Spice 软件的使用；2．掌握使用T-Spice 分析简单电路的方法与操作流程，从而学会分析较为复杂的逻辑电路。
3.2 实验内容3.2.1 反相器瞬时分析（1）打开S-Edit，由于本实例中所使用的电路需要在反相器电路的基础上进行适当修改，为不影响后面的版图设计，同学们可以建立新文件EX3，将EX2 中反相器模块复制到EX3 文件中，再打开加入电源进行适当修改即可。
反相器电路设计较为简单，在此只是教大家掌握复制模块的方法，希望大家掌握。
（2）复制inv 模块方法如下：先打开实验 2 中设计的“EX2.sdb”。
进行复制前必须回到EX3 文件环境，方法为选择Module－>Open 命令，打开Open Module 对话框，在Files下拉列表中选择EX3，单击OK 回到EX3 环境，才能进行复制模块操作。
选择Module－>Copy命令，打开Copy Module 对话框，在下拉列表中选择EX2 选项，在Select Module To Copy列表中选择inv 选项，单击OK 按钮即可。
（3）加入工作电源：inv 模块在电路设计模式下，选择Moudle－>Symbol Browser 命令，在Library 列表框中选择spice 组件库，其中有很多电压源符号，选取直流电压源Source_v_dc 作为此电路的工作电压源。
直流电压源Source_v_dc 符号有正（+）端与负（－）端。
在inv 模块编辑窗口中直流电压源有两种接法可以直接连线接到原电路图的Vdd 与Gnd，也可另外复制两个Vdd 与Gnd（Ctrl＋C 复制Ctrl＋V 粘贴）接到电压源正负极，虽然两个全域符号Vdd 与Gnd 符号分开放置，但两个分离的Vdd 符号实际上是接到同一个节点，而两个Gnd 符号也是共同接地的。
专用集成电路实验报告材料56
专用集成电路实验报告组合逻辑电路特性姓名：学号：班级：指导老师：一、实验目的1.理解CMOS 复杂逻辑门的综合过程及其特性。
2.理解加法器的结构。
二、 实验内容1)利用对偶原理综合CMOS程，画出三极管级原理图。
2)一个1bit 全加器的逻辑表达式为：S A B C i =⊕⊕，()()C o A B C i A B =⊕⋅+⋅；A 、B 为加法输入，Ci 为进位输入，S 为和输出，Co 为进位输出；⊕为异或操作，+为或操作，⋅为与操作。
a)画出2bit 全加器的门级原理图；b)通过调整输入的不同位置，下列电路能够实现AND 、OR 、XOR 及其非逻辑的功能，图中的三极管为NMOS 。
使用多个下列电路实现2bit 全加器，画出三极管级原理图。
3)设使用0.25um 工艺，NMOS 管的尺寸为L = 0.250um ，W = 0.375um ；PMOS 管的尺寸为L = 0.250um ，W = 1.125um 。
对实验内容1和2的电路进行spice 仿真。
调整实验内容1的器件尺寸和电源电压，观察门的延时；观察和理解实验内容2中加法器的进位延时。
三、实验步骤及过程：1）图1 OrCAD 画出的三极管级原理图2) A ）图2 2bit 全加器的门级原理图M8M9A0A1B)差分传输管逻辑的与和与非逻辑：图3 与门（与非门）差分传输管逻辑的或和或非逻辑：图4 或门（或非门）差分传输管逻辑的异或和异或非：图5 异或门（异或非门）总的2bit 全加器的原理图：M14MbreakNM34MbreakN！M14MbreakN图 6 差分传输管构成的2bit 全加器3）A 、调节实验内容1的器件尺寸和电源电压，观察门的延时。
这里设定A0为pulse 信号，A1为2.5V ，其余都为0V ，则Y 的输出与A0反向，输出波形应该类似于反相器。
图3.1 输入和输出波形Measure 输出文件：M14M18MbreakNM22M26MbreakNM30MbreakNM34MbreakN！M38M42MbreakNM46M50MbreakN！$DATA1 SOURCE='HSPICE' VERSION='U-2003.09 ' .TITLE '*dai56_1object't1dlay t2dlay temper alter#6.580e-11 6.900e-11 25.0000 1.0000t1dlay为输出端下降沿与输出端上升沿的50%——50%延时。
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实验3/4 反相器的特性
：
学号：
班级：
指导老师：
1、实验目的
1.了解反相器的电路结构和版图结构。
2.理解反相器的开关阈值。
3.理解反相器延时与电源和器件尺寸的关系。
4.理解反相器链的延时与器件尺寸的关系。
2、实验容
1.画出一个双阱工艺反相器的版图示意图（不严格要求尺寸和比例关系，画出阱、扩散区、
多晶栅极、栅接触孔、源极漏极接触孔、金属即可）。
2.一个0.25um工艺的反相器，NMOS管的尺寸为L = 0.250um，W = 0.375um；PMOS管的尺
寸为L = 0.250um，W = 1.125um。
a) 电源为2.5V ，从0到2.5V 扫描输入电压vin ，观察输出电压vout ，找到开关阈值； b) 仅修改PMOS 管的W = 2.750um ，找到此时的开关阈值；
c) 恢复PMOS 管尺寸W = 1.125um ，电源分别为2.5V 、1.5V 、1V ，观察pHL t 和pLH t （50%
到50%）；
d) 修改PMOS 管的W = 0.750um ，电源为2.5V ，观察pHL t 和pLH t （50%到50%）。
3. 四个反相器级联，所有的NMOS 管的尺寸为L = 0.250um ，W = 0.375um ；所有的PMOS 管
的L = 0.250um ；电源为2.5V 。
a) 第一个反相器的PMOS 管W = 1.125um ，第二个反相器的PMOS 管W = 1.875um ，第三
个反相器的PMOS 管W = 3.000um ，第四个反相器的PMOS 管W = 5.250um ； b) 四个反相器的PMOS 管均为W = 1.125um ； c) 四个反相器的PMOS 管均为W = 1.875um ； d) 四个反相器的PMOS 管均为W = 3.000um ； 观察四种情况下反相器链的pHL t 和pLH t 。
一、双阱工艺反相器的版图示意图
双阱工艺反相器的版图示意图如图1.1所示
图1.1
二、单个反相器
2.1 电源为2.5V，从0到2.5V，仿真图形如图2.1
图2.1
从图2.1可以看出在上述条件下的开关阈值大约为：1.25V
2.2 修改PMOS管的W = 2.750um，其他条件保持不变，此时的仿真波形如图2.2.
图2.2
从图2.2可以看出在上述条件下的开关阈值为1.42V
2.3 恢复PMOS 管尺寸W = 1.125um ，电源分别为2.5V 、1.5V 、1V ，此时的仿真波形分别如图
2.3，图2.4以及图2.5，其pHL t 和pLH t 分别如图中的箭头所示。
图2.3
图2.4
图2.5
2.4 修改PMOS管的W = 0.750um，电源为2.5V，此时的仿真波形如图2.6
图2.6
三、四个反相器级联
3.1 第一个反相器的PMOS管W = 1.125um，第二个反相器的PMOS管W = 1.875um，第三个反相器的PMOS管W = 3.000um，第四个反相器的PMOS管W = 5.250um，其实仿真图形如图3.1
图3.1
3.2四个反相器的PMOS管均为W = 1.125um，此时的仿真波形如图3.2
图 3.2
3.3 四个反相器的PMOS管均为W = 1.875um，此时的仿真波形如图3.3
图 3.3
3.4四个反相器的PMOS管均为W = 3.000um，此时的仿真波形如图3.4
图3.4
四、结论
从图3.1到图3.4可以看出，随着工艺尺寸的减小，反相器的延时也随之变小。
对比单个反相器和四个反相器级联的情况我们可以发现，输出电压跳变变得陡峭，其pHL t 和pLH t 也比单个反相器要长。
同时可以看出，随着电压的下降，其pHL t 和pLH t 也随之增大。
附录
一、单个反相器的程序*YBZC
.LIB 'cmos25_level49.txt' TT
*.MODEL n1 NMOS LEVEL=3 THETA=0.4 ...
*.MODEL p1 PMOS LEVEL=3 ...
VDD VDD 0 2.5
*VPULSE VIN 0 PULSE 0 5 2N 2N 2N 98N 200N
*VSIN VIN 0 SIN(0 2.5 1xHZ)
VIN VIN 0 0
VGND GND 0 0
M1 VOUT VIN VDD VDD pMOS L=0.25U W=1.125U
M2 VOUT VIN GND GND nMOS L=0.25U W=0.375U
.DC VIN 0 2.5 0.1
*.TRAN 1N 0.25U
.OPTION POST=PROBE
.PROBE V(VIN) V(VOUT)
.END
说明：根据题目要求不同，只需修改上诉参数的值即可
二、四个反相器级联的程序
*YBZC
*.MODEL n1 NMOS LEVEL=3 THETA=0.4 ...
*.MODEL p1 PMOS LEVEL=3 ...
*.PARAM WN=2U WP=2U LP=2U LN=2U
.LIB 'cmos25_level49.txt' TT
VDD VDD 0 2.5
*VPULSE VIN 0 PULSE 0 5 2N 2N 2N 98N 200N
*VSIN VIN 0 SIN(0 2.5 1xHZ)
VIN VIN 0 0
VGND GND 0 0
M1 VOUT1 VIN VDD VDD pMOS L=0.25U W=1.125U
M2 VOUT1 VIN GND GND nMOS L=0.25U W=0.375U
M3 VOUT2 VOUT1 VDD VDD pMOS L=0.25U W=1.125U M4 VOUT2 VOUT1 GND GND nMOS L=0.25U W=0.375U
M5 VOUT3 VOUT2 VDD VDD pMOS L=0.25U W=1.125U
M6 VOUT3 VOUT2 GND GND nMOS L=0.25U W=0.375U
M7 VOUT VOUT3 VDD VDD pMOS L=0.25U W=1.125U
M8 VOUT VOUT3 GND GND nMOS L=0.25U W=0.375U
.DC VIN 0 2.5 0.1
*.TRAN 1N 0.25U
.OPTION POST=PROBE
.PROBE V(VIN) V(VOUT)
.END
说明：根据题目要求不同，只需修改上诉参数的值即可。