薄膜物理与技术
薄膜物理与技术-7薄膜的物理性质--(1)薄膜的力学性质
电镀膜的附着性能差(∵有一定数量的微孔）
第七章 薄膜的物理性质
7.1 薄膜的力学性质
7.1.1 薄膜的附着力
附着力的测试方法 机械方法数种如下：
扩散附着
通过中间层附着
宏观效应附着
第七章 薄膜的物理性质
7.1 薄膜的力学性质
简单附着
7.1.1 薄膜的附着力
(a)简单附着： 是在薄膜和基体之间存在一个很清楚的分界面。由两个接
触面相互吸引形成的。当两个不相似或不相容的表面相互接 触时就易形成这种附着。(如真空蒸镀)
附着能 : Wfs = Ef + Es - Efs
②静电力—薄膜和基体两种材料的功函数不同， 接触后发生电子转移→界面两边积累正负 电荷 → 静电吸引
物理吸附能：0.001eV~0.1eV
③化学键力（化学吸附能0.1-0.5eV）
共价键 离子键 金属键
价电子发生了转移， 短程力，不是普遍存在。
第七章 薄膜的物理性质
7.1 薄膜的力学性质
7.1.1 薄膜的附着力
须注意：T↑→薄膜晶粒大→热应力↑→其它性能变
第七章 薄膜的物理性质
7.1 薄膜的力学性质
7.1.1 薄膜的附着力
③引入中间过渡层 某种材料与一些物质间附着力大，与另一些物质的附
着力却可能很小。如：
（1）二氧化硅-玻璃→附着好；二氧化硅-KDP（磷酸二氢 钾）晶体→附着差 （2）金-玻璃→附着差；金-铂、镍、钛、铬等→附着好
方法：在基片Байду номын сангаас镀一层薄金属层（Ti、Mo、Ta、 Cr等）.然后，在其上再镀需要的薄膜，薄 金属夺取基片中氧 中间层表面掺杂。
第七章 薄膜的物理性质
薄膜物理与技术绪论
生物医学领域应用
生物传感器
利用生物功能化的薄膜制备生物传感器，实现对生物分子和细胞 的灵敏检测和实时监测。
药物传递与控制释放
通过制备药物载体薄膜，实现药物的精确传递和可控释放，提高药 物的疗效和降低副作用。
医疗器械与植入物
利用薄膜材料制备医疗器械和植入物，提高医疗器械的性能和使用 寿命，降低医疗成本。
子器件。
光学工业
用于制造反射镜、光学 仪器、光电器件等。
机械工业
用于制造耐磨、耐腐蚀 的表面涂层和刀具等。
生物医学
用于制造人工关节、牙 齿等生物医学材料。
02
薄膜制备技术
物理气相沉积技术
真空蒸发沉积
溅射沉积
利用加热蒸发材料，使其原子或分子从熔 融态或气态转化为蒸气态，并在基体表面 凝结形成薄膜。
成薄膜。
溶胶凝胶法
将欲形成薄膜的元素或化合物 以溶胶凝胶的形式涂敷在基体 表面，经过热处理或化学处理 形成薄膜。
电泳沉积法
利用电场作用将欲形成薄膜的 颗粒在基体表面沉积形成薄膜 。
化学镀法
利用还原剂将欲形成薄膜的金 属离子还原成金属原子，并在
基体表面沉积形成薄膜。
溅射法
直流溅射法
磁控溅射法
利用直流电源作为溅射电源，使气体 辉光放电，产生等离子体轰击靶材， 使靶材原子或分子被溅射出来，并在 基体表面凝结形成薄膜。
弹性模量是衡量薄膜在受力时抵抗变形能力 的指标。
拉伸强度与延伸率
拉伸强度和延伸率是评估薄膜在受力时的力 学性能和耐久性的重要参数。
电学性能表征
总结词
电学性能表征是评估薄膜在电场作用下 的行为和性能表现的关键手段。
介电常数与介质损耗
介电常数和介质损耗是衡量薄膜在电 场中储能和能量损耗的重要参数。
《薄膜物理与技术》课程教学大纲
《薄膜物理与技术》课程教学大纲课程代码：ABCL0527课程中文名称: 薄膜物理与技术课程英文名称：Thin film physics and technology课程性质：选修课程学分数：1.5课程学时数：24授课对象：新能源材料与器件专业本课程的前导课程：《材料表面与界面》、《近代物理概论》、《材料科学基础》、《固体物理》、《材料物理性能》一、课程简介本课程主要论述薄膜的制造技术与薄膜物理的基础内容。
其中系统介绍了各种成膜技术的基本原理与方法，包括蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀、化学气相沉积、溶液制膜技术以及膜厚的测量与监控等。
同时介绍了薄膜的形成，薄膜的结构与缺陷，薄膜的电学性质、力学性质、半导体特性、磁学性质以及超导性质等。
通过本课程的讲授，使学生在薄膜物理基础部分，懂得薄膜形成物理过程及其特征，薄膜的电磁学、光学、力学、化学等性质。
在薄膜技术部分初步掌握各种成膜技术的基本内容以及薄膜性能的检测。
二、教学基本内容和要求掌握物理、化学气相沉积法制膜技术，了解其它一些成膜技术。
学会对不同需求的薄膜，应选用不同的制膜技术。
了解各种薄膜形成的过程及其物理特性。
理解并能运用热力学界面能理论及原子聚集理论解释薄膜形成过程中的一些现象，了解薄膜结构及分析方法，理解薄膜材料的一些基本特性，为薄膜的应用打下良好的基础。
以下分章节介绍：第一章真空技术基础课程教学内容：真空的基础知识及真空的获得和测量。
课程重点、难点：真空获得的一些手段及常用的测量方法。
课程教学要求：掌握真空、平均自由程的概念，真空各种单位的换算，平均自由程、碰撞频率、碰撞频率的长度分布率的公式，高真空镀膜机的系统结构及抽气的基本过程。
理解蒸汽、理想气体的概念，余弦散射率，真空中气体的来源，机械泵、扩散泵、分子泵以及热偶真空计和电离真空计的工作原理。
了解真空的划分，气体的流动状态的划分，气体分子的速度分布，超高真空泵的工作原理。
第二章真空蒸发镀膜法课程教学内容：真空蒸发原理，蒸发源的蒸发特性及膜厚分布，蒸发源的类型，合金及化合物的蒸发，膜厚和淀积速率的测量与监控。
薄膜物理与技术
1、为什么要真空？真空的概念？真空的用途？答：真空蒸发、溅射镀膜和离子镀膜等常称为物理气相沉积（PVD法）是基本的薄膜制作技术。
他们均要求淀积薄膜的空间要有一定的真空度。
因此，真空技术是薄膜制作技术的基础，获得并保持所需的真空环境，是镀膜的必要条件。
所谓真空是指低于一个大气压的气体空间。
同正常的大气相比，是比较稀薄的气体状态。
粗真空（105~102Pa）：真空浸渍工艺低真空（102~10-1）：真空热处理高真空（10-1~10-6）：分子按直线飞行超高真空（< 10-6）：一得到纯净的气体；二获得纯净的固体表面2、分子的三种速率答：最可几速度：平均速度：均方根速度：3、气体的临界温度：对于每种气体都有一个特定的温度，高于此温度时，气体无论如何压缩都不会液化，这个温度称为该气体的临界温度。
利用临界温度来区分气体与液体。
高于临界温度的气态物质称为气体，低于临界温度称为蒸汽。
极限压强（极限真空）：对于任何一个真空系统而言，都不可能得到绝对真空（p=0），而是具有一定的压强Pu，称为极限压强（或极限真空），这是该系统所能达到的最低压强，是真空系统是否满足镀膜需要的重要指标之一。
4、溅射：所谓溅射，是指何能粒子轰击固体表面（靶），使固体原子（或分子）从表面射出的现象。
5、CVD（化学气相沉积）：化学气相沉积是一种化学气相生长法，简称CVD技术。
这种方法是把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物的单质气体供给基片，利用加热、等离子体、紫外光乃至激光等能源，借助气相作用或在基片表面的化学反应（热分解或化学合成）生成要求的薄膜。
6、薄膜的组织结构：是指它的结晶形态，分为四种类型：无定型结构、多晶结构、纤维结构和单晶结构。
7、薄膜的缺陷：在薄膜的生长和形成过程中各种缺陷都会进入到薄膜之中。
这些缺陷对薄膜产生重要的影响。
他们与薄膜制作工艺密切相关。
点缺陷：在基体温度低时或蒸发过程中温度的急剧变化会在薄膜中产生许多点缺陷，这些点缺陷对薄膜电阻率产生较大影响。
薄膜物理与技术-5薄膜的形成与生长
Z
n1
exp
G* kT
2 r* sin
Ja0
exp
Ed ED kT
Z
n1
2
r*
sin
Ja0
exp
Ed
ED kT
G*
与成核能量和成膜参数有关的函数
电化学镀膜方法： 电流通过在电解液中的流动而产生化学反应，在阳极或阴 极上沉积薄膜的方法。
在
阳极 阴极
表面，利用还氧原化反反应应
生长
沉积
氧金化属物薄膜
阳极氧化 电镀
化学镀： 在无电流通过时，借助还原剂在金属盐溶液中使目标金属离子还 原，并沉积在基片表面上形成金属/合金薄膜的方法。
Ed kT
2）每个临界核的捕获范围（周长）为： A 2 r* sin
相邻吸附位置间距
3）原子向临界核运动的总速率：V n1 v
v
a0
D
a0
0
exp
ED kT
平均表面扩散时间
5.2 成核理论-热力学界面能理论
成核速率:
I Z ni* AV
5.2 成核理论
5.3.1 毛细理论（热力学界面能理论）
薄膜形成：气相→ 吸附相→固相的相变过程。 毛细理论视原子团为微小的凝聚滴
（1）成核过程定性分析：
•原子团通过吸附原子而增大，表面能增大，体系自由能增 加∆G； •到临界核时，自由能增加到最大值∆Gmax； •然后，原子团再增大，体系∆G下降，形成稳定核。
薄膜物理与技术-绪论
液相外延生长
溶液生长法
将基底浸入含有所需材料的溶液 中，通过控制溶液浓度、温度等 因素，使材料在基底表面外延生 长形成薄膜。
溶胶凝胶法
利用前驱体溶液在基底表面进行 水解、缩聚等化学反应，形成凝 胶态薄膜，再经过热处理等后处 理形成固态薄膜。
04
薄膜特性与性能
力学性能
弹性模量
描述薄膜在受力时抵抗弹性变 形的能力，是材料刚度的度量
介电常数
衡量电场作用下，介质中电位移与电场强度 之比的虚部，与电容、电场能量有关。
热电效应
当温度梯度存在时，薄膜中产生电动势的现 象，与热能转换为电能有关。
光学性能
反射、折射与散射
描述光波通过薄膜时的行为，包括光 的传播方向和强度的变化。
吸收光谱
描述光波通过薄膜时被吸收的特性， 与光的频率和薄膜的组成有关。
例如，在显示器中，通过在玻璃基板表面蒸镀不同材质和厚 度的薄膜，可以形成多层结构，控制光的反射和透射，从而 实现高清晰度和高亮度的显示效果。
能源与环境领域
薄膜技术在能源与环境领域也具有广泛的应用。薄膜材料 在太阳能电池、燃料电池、环境监测和治理等领域中发挥 着重要作用。通过改进薄膜材料的性能，可以提高能源利 用效率和环境质量。
02
薄膜物理基础
原子结构与电子状态
原子结构
原子由原子核和核外电子组成，原子 核由质子和中子组成。原子的电子状 态由主量子数、角量子数和磁量子数 决定。
电子状态
电子在原子中的状态可以用电子云、 能级和电子自旋等描述。电子的跃迁 和能量吸收、发射与物质的光学、电 学和热学性质密切相关。
晶体结构与缺陷
薄膜物理与技术-绪论
目录
• 薄膜的定义与分类 • 薄膜物理基础 • 薄膜制备技术 • 薄膜特性与性能 • 薄膜应用领域
薄膜物理与技术
将气体在电场的作用下离化，形成离子束或等离子体，然后轰击材 料表面，使其原子或分子沉积在基底表面形成薄膜。
化学气相沉积（CVD）
常压化学气相沉积（APCVD）
在常压下，将反应气体在气相中发生化学反应，生成固态物质并沉积在基底表面形成薄膜 。
低压化学气相沉积（LPCVD）
在较低的压力下，将反应气体在气相中发生化学反应，生成固态物质并沉积在基底表面形 成薄膜。
等离子体增强化学气相沉积（PECVD）
利用等离子体激活反应气体，使其发生化学反应，生成固态物质并沉积在基底表面形成薄 膜。
液相外延（LPE）
溶胶-凝胶法
将金属盐溶液通过脱水、聚合 等过程转化为凝胶，然后在一
定条件下转化为薄膜。
化学镀
利用化学反应在基底表面沉积 金属或合金薄膜。
电镀
利用电解原理在基底表面沉积 金属或合金薄膜。
薄膜的特性与性能参数
特性
薄膜具有一些独特的物理和化学特性， 如高表面面积、高纯度、高密度等， 这些特性使得薄膜在电子、光学、磁 学等领域具有广泛的应用前景。
性能参数
评估薄膜性能的参数包括表面粗糙度、 透光性、导电性、硬度等，这些参数 决定了薄膜在不同领域的应用效果。
薄膜的形成与生长机制
形成
薄膜的形成通常是通过物理或化学方法将物质蒸发或溅射到基材表面，然后凝 结或反应形成薄膜。
涉及其他非主要性能的表征，如化学稳定性、热稳定性等。
详细描述
除了光学、力学和电学性能表征外，还有其他一些非主要性能的表征方法，如化学稳定 性表征和热稳定性表征等。这些性能参数对于评估薄膜在不同环境条件下的稳定性和耐 久性具有重要意义，尤其在化学反应容器制造和高温环境应用等领域中具有重要价值。
[课件](讲义1)薄膜物理与技术PPT
薄膜物理与技术PPT](https://img.taocdn.com/s3/m/0fb96d25eff9aef8941e06b4.png)
主要参考书
薄膜物理与器件. 肖定全、朱建国、朱基亮等，国防工业 出版社 (2011-05) 半导体薄膜技术与物理. 叶志镇、吕建国、吕斌，浙江大 学出版社 (2008-09) 薄膜物理与技术. 杨邦朝、王文生，电子科技大学出版社 (2006-09) 薄膜材料制备原理、技术及应用. 唐伟忠，冶金工业出版 社(2003-01) 薄膜科学与技术手册. 田民波、刘德令，机械工业出版社， (1991) Internet
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20
按薄膜厚度和晶体结构
• 超薄膜 • 二维纳米薄膜 • 薄膜 • 厚膜 • 单晶薄膜 • 多晶薄膜 • 非晶薄膜/微晶 • 纳米晶薄膜
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~ 10 nm < 100 nm < 10 µ m 10 ~ 100 µ m
21
四、薄膜的历史
1000多年前，阿拉伯人发明了电镀 7世纪，溶液镀银工艺 19世纪中，电解法、化学反应法、真空蒸镀法等 20世纪以来，学术和实际应用中取得丰硕成果，溅射法 近年来，Sol-Gel法、激光闪蒸法……
1. 2. 2. 3. 4. 5.
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19
按照材料特性（按σ，ε，u）
按电导率（ σ ）分有： 金属薄膜 半导体薄膜 绝缘体薄膜 超导体薄膜 光电薄膜 … 按（ ε ）分有： 介质薄膜
铁电薄膜
压电薄膜 热电薄膜
按导磁率（ u ）分有： 磁性薄膜 非磁性薄膜
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8
薄膜科学包括：
（1） 薄膜制造技术—— 气相沉积生长法（PVD、CVD…） 氧化生长法 Sol-gel法 电镀（电解）法 … （2）薄膜的形成（生长）—— 从气相原子凝结→形成晶核→核长 大 →网状结构（不连续性）→成膜（连续性）
薄膜物理与技术-1真空技术基础PPT课件
目录
• 真空技术基础 • 真空获得技术 • 真空测量技术 • 真空镀膜技术 • 薄膜性能检测技术
01 真空技术基础
真空定义与特性
真空定义
真空是指在给定的空间内，气体压力 低于一个大气压的状态。在真空技术 中，通常使用托斯卡或帕斯卡作为压 力单位。
真空特性
而实现气体的压缩和排除。
分子泵特性
抽气速率高、工作压力范围广、无 油污染、维护简单等。
分子泵分类
直联型分子泵、侧流型分子泵、复 合型分子泵等。
扩散泵抽气原理与特性
扩散泵抽气原理
利用加热的吸气剂将气体分子吸 进吸气剂表面，再通过扩散作用 将气体分子从吸气剂表面传递到 泵的出口，从而实现气体的排除。
扩散泵特性
真空技术的分类与应用
真空技术的分类
根据应用需求，真空技术可分为真空镀膜、真空热处理、真空电子器件制造等。
真空技术的应用
真空技术在科学研究、工业生产、航空航天、电子工业等领域有广泛应用，如 电子显微镜、太阳能电池、平板显示器的制造等。
02 真空获得技术
机械泵抽气原理与特性
机械泵抽气原理
机械泵分类
真空具有低气体压力的特性，这使得 物质在真空中表现出不同的物理和化 学性质。例如，气体分子间的碰撞减 少，气体分子的平均自由程增加。
真空的度量与单位
真空度
真空度是指真空空间内的气体压 力，通常用压力范围来表示，如 低真空、中真空、高真空和超高 真空。
真空单位
常用的真空单位有帕斯卡（Pa）、 托斯卡（Torr）和巴（bar）。1 Torr = 133.322368 Pascal。
利用高速旋转的叶轮将气体吸入，通 过压缩和排出来实现气体压缩和排除。
薄膜物理与技术
第一章真空技术基础1、膜的定义及分类。
答：当固体或液体的一维线性尺度远远小于它的其他二维尺度时，我们将这样的固体或液体称为膜。
通常，膜可分为两类：（1）厚度大于1mm的膜，称为厚膜；（2）厚度小于1mm的膜，称为薄膜。
2、人类所接触的真空大体上可分为哪两种答：（1）宇宙空间所存在的真空，称之为“自然真空”；（2）人们用真空泵抽调容器中的气体所获得的真空，称之为“人为真空”。
3、何为真空、绝对真空及相对真空答：不论哪一种类型上的真空，只要在给定空间内，气体压强低于一个大气压的气体状态，均称之为真空。
完全没有气体的空间状态称为绝对真空。
目前，即使采用最先进的真空制备手段所能达到的最低压强下，每立方厘米体积中仍有几百个气体分子。
因此，平时我们所说的真空均指相对真空状态。
4、毫米汞柱和托答：“毫米汞柱（mmHg）”是人类使用最早、最广泛的压强单位，它是通过直接度量长度来获得真空的大小。
1958 年，为了纪念托里拆利，用“托（Torr）”，代替了毫米汞柱。
1 托就是指在标准状态下，1 毫米汞柱对单位面积上的压力，表示为1Torr=1mmHg。
5、真空区域是如何划分的答：为了研究真空和实际使用方便，常常根据各压强范围内不同的物理特点，把真空划分为以下几个区域：（1）粗真空：l′105 ~ l′102 Pa，（2）低真空：l′102 ~ 1′10-1Pa，（3）高真空：l′10-1 ~ 1′10-6Pa和（4）超高真空：< 1′10-6Pa。
6、真空各区域的气体分子运动规律。
答：（1）粗真空下，气态空间近似为大气状态，分子仍以热运动为主，分子之间碰撞十分频繁；（2）低真空是气体分子的流动逐渐从黏滞流状态向分子状态过渡，气体分子间和分子与器壁间的碰撞次数差不多；（3）高真空时，气体分子的流动已为分子流，气体分子与容器壁之间的碰撞为主，而且碰撞次数大大减少，在高真空下蒸发的材料，其粒子将沿直线飞行；（4）在超高真空时，气体的分子数目更少，几乎不存在分子间的碰撞，分子与器壁的碰撞机会也更少了。
薄膜物理与技术课件
薄膜的性质进入20世纪以来．薄膜技术无论在学术上还是在实际应用中都取得了丰硕的成果。
其中特别应该指出的是下述三个方面。
第一是以防反射膜、干涉滤波器等为代表的光学薄膜的研究开发及其应用。
这种薄膜在学术上有重要意义，同时，具有十分广泛的实用性，对此人们寄予了很大的希望。
第二是在集成电路（IC、LSI）等电子工业中的应用。
一个显著成果是外延薄膜生长。
特别是随着电路的小型化，薄膜实际的体积接近于零这一特点就显得更加重要了。
第三是对材料科学的贡献。
薄膜技术本身属于非平衡过程，与通常的材料的热平衡制备法相比，薄膜材料的非平衡特征非常明显。
虽然这种非平衡过程也有缺点，但可以制备普通相图中不存在的物质。
这些都是很突出的优点。
在研究物性时，发现物体的大小会对物性产生影响。
这种效应称为尺寸效应。
在粉末、微粒子等状态中也发现有这种效应。
对于薄膜来说．在厚度这一特定方向上，尺寸很小，而且在厚度方向上由于表面、界面的存在，使物质的连续性发生中断，由此对薄膜性质产生各种各样的影响。
★熔点降低★干涉效应★表面散射★平面磁化各向异性★表面能级★量子尺寸效应★熔点降低在此考虑半径为的固体球。
考虑此球与其外侧相（液体）的界面能，求块体(buk)材料熔点和小球熔点之间的关系。
r m T s T 设：固-液相间的界面能为固体的熔解热为熔解过程中熵的变化固体的密度为σLS∆ρ当质量为的物质熔化变为液体．球的表面积产生的变化，其热力学平衡关系式如下：dW dA 0s LdW T SdW dA σ-∆-=对于体材料：m LdW T SdW -∆=将，代入上式，得到m S L T ∆=2dA dW rρ=20m s m T T T Lr σρ-=>半径越小，越低。
m sT T >s T以Pb 为例：233 erg/cmσ= 1.1 kcal/mol L =311.3 g/cm ρ=当时，710cm r -=150 K m s T T -=当时，610cm r -=15 Km s T T -=尽管上述讨论是固体-液体系统，对于固体-气体系统仍有所谓薄膜越薄熔点越低的结论。
薄膜物理与技术-3 薄膜的化学制备工艺学
Gr Gf (生成物) Gf (反应物)
CVD热力学分析的主要目的是预测某些特定条件下某些 CVD反应的 可行性（化学反应的方向和限度）。
在温度、压强和反应物浓度给定的条件下，热力学计算能从理论上 给出沉积薄膜的量和所有气体的分压，但是不能给出沉积速率。
热力学分析可作为确定CVD工艺参数的参考。
良好的耐热冲击材料,还是电绝缘体
■ 单氨络合物制备氮化物薄膜：AlCl3· NH3 (g) AlN (s) + 3HCl (g) 800-1000℃
3 薄膜制备的化学工艺学
3.2 化学气相沉积（CVD）
3.2.1 CVD的主要化学反应类型
热解 反应 还原 反应 氧化 反应 置换 反应 歧化 反应 输运 反应
二、还原反应：薄膜由气体反应物的还原反应产物沉积而成。 1）反应气体：热稳定性较好的卤化物、羟基化合物、卤氧化物等 + 还原性气体。 2）典型反应：
■ H2还原SiCl4外延制备单晶Si薄膜： SiCl4 (g) + 2H2 (g) Si (s) + 4HCl (g) (单晶硅外延膜的生长) ■ 六氟化物低温制备难熔金属W、Mo薄膜： WF6 (g) + 3H2 (g) W (s) + 6HF (g)
借助于适当的气体介质与之反应而形成一种气态化合物， 这种气态化合物再被输运到与源区温度不同的沉积区， 并在基片上发生逆向反应，从而获得高纯源物质薄膜的沉积。
1）反应气体：固态源物质 + 卤族气体。
2）典型反应：
T1 Ge ( s)＋I 2 ( g ) GeI 2 ■ 锗（Ge）与碘（I2）的输运反应沉积高纯Ge薄膜： T2 - 200℃ （类似于Ti的碘化精炼过程）： Ti ( s ) ＋2 I 2 ( g ) 100 TiI（ g ） 4
薄膜物理与技术课件1-8
③ 指定空间内，低于一个大气压的气体状态（科学概念） 用气压表示空气的稀密程度。
什么是气压？
容器里飞来飞去的气体分子一直在频繁地撞击容器壁， 其趋势是向外推挤容器壁。单个分子碰在器壁上产生的力自 然是微不足道的，然而同时碰在器壁上的分子数目非常巨 大，合起来就是很大的力，这种推力就是气压。 气压的性质是，当温度和体积不变时，容器中的空气越 稀薄，也就是说容器中气体分子的数越少，气压越低。在自 然环境中，海拔越高的地方，气压越低。也就是说，越往高 空（外太空）去，便越接近“完全空”的真空。
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1.1.2
真空术语(six vacuum terms)
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
① 速度分布(velocity distribution) 教材图1－1的麦克斯韦速率分布曲线。 最可几速度 平均速度
v m = 1 . 41 RT ( cm / s )( 1 − 3 ) 讨论速度分布 M
v a = 1 . 59
v r = 1 . 73
11
微机械与薄膜技术
薄膜技术能实现材料的微米、纳米超微细加工。由此实现的微机 械具有无限的应用前景。
图0-7
微型马达实例图
12
图0-7
微机械挽救重症患者生命（左），可进入血管的微型机器人（右）
13
加速度传感器
用于汽车防撞系统的气囊，及时充气膨胀就是靠检测汽车的加速度，并由 此触发信号。 机器人行走，也要靠行走中因倾斜产生的力（加速度）来控制步行姿势。 为了测量加速度，离不开由薄膜技术及超微细加工技术制作的传感器。
26
真空术语（续） ⑤ 饱和蒸汽压（重点与难点）
把各种固液体放入密闭的容器中，在任何温度下都会蒸发，蒸发出 来的气压称为蒸汽压。在一定温度下，单位时间内蒸发出来的分子数与
薄膜物理与技术
太阳能电池有以下几类： 硅基太阳能电池(单晶/多晶/非晶)(24.7%) ；化合物太阳能电池(砷化镓/硫化镉/碲化镉/铜铟硒等)； 有机薄膜太阳能电池 (酞青类化合物/导电聚合物等)； 纳米薄膜太阳能电池(纳米TiO2) 。
第五章 薄膜的性质
了解薄膜的一些力、电、半导体、磁特性，及这些特性的使用价值。薄膜的力学、电学性质，及半导体、磁性、超导薄膜的特性及薄膜的应用。了解薄膜的一些力、电、半导体、磁特性，及这些特性的使用价值。 重点： 力，电性质，薄膜应用。薄膜材料以其独特的性质为促进器件微型化、集成化发挥了重要作用。薄膜制作作为一种极其重要的材料制作关键技术是现代大学本科生必须了解的基础知识。
镜面镀膜有三层：外层防污膜是防灰尘和油渍；中层防反射膜，是提高镜片光线通过率。 内层加硬膜是防止镜片磨损、刮花。
2.、太阳能薄膜技术
1973年世界爆发了第一次能源危机，使人们清醒地认识到地球上化石能源储藏及供给的有限性，客观上要求人们必须寻找其它可替代的能源技术，改变现有的以使用单一化石能源为基础的能源供给结构。为此，以美国为首的西方发达国家纷纷投入大量人力、物力和财力支持太阳电池的研究和发展，同时在以亟待解决的与化石能源燃烧有关的大气污染、温室效应等环境问题的促使下，在全世界范围内掀起了开发利用太阳能的热潮，也由此拉开了太阳电池发电的序幕。
薄膜技术与薄膜材料之所以受到人们的关注，主要基于下面几个理由：
（1）薄膜材料是典型的二维材料，即在两个尺度上较大，而在第三个尺度上很小。
薄膜物理与技术题库
一、填空题薄膜的形成过程一般分为：凝结过程、核形成与生长过程、岛形成与结合生长过程薄膜形成与生长的三种模式：层状生长，岛状生长，层状-岛状生长在气体成分和电极材料一定条件下，起辉电压V只与气体的压强P和电极距离的乘积有关。
1.表征溅射特性的参量主要有溅射率、溅射阈、溅射粒子的速度和能量等。
2. 溶胶(Sol)是具有液体特征的胶体体系，分散的粒子是固体或者大分子，分散的粒子大小在 1～100nm之间。
3．薄膜的组织结构是指它的结晶形态，其结构分为四种类型：无定形结构，多晶结构，纤维结构，单晶结构。
4．气体分子的速度具有很大的分布空间。
温度越高、气体分子的相对原子质量越小，分子的平均运动速度越快。
二、解释下列概念溅射：溅射是指荷能粒子轰击固体表面(靶)，使固体原子(或分子)从表面射出的现象气体分子的平均自由程:每个分子在连续两次碰撞之间的路程称为自由程，其统计平均值：称为平均自由程，饱和蒸气压：在一定温度下，真空室内蒸发物质与固体或液体平衡过程中所表现出的压力。
凝结系数：当蒸发的气相原子入射到基体表面上，除了被弹性反射和吸附后再蒸发的原子之外，完全被基体表面所凝结的气相原子数与入射到基体表面上总气相原子数之比。
物理气相沉积法：物理气相沉积法(Physical vapor deposition)是利用某种物理过程，如物质的蒸发或在受到粒子轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移的过程真空蒸发镀膜法:是在真空室内，加热蒸发容器中待形成薄膜的源材料，使其原子或分子从表面汽化逸出，形成蒸气流，入射到固体(称为衬底、基片或基板)表面，凝结形成固态溅射镀膜法:利用带有电荷的离子在电场加速后具有一定动能的特点，将离子引向欲被溅射的物质作成的靶电极。
在离子能量合适的情况下，入射离子在与靶表面原子的碰撞过程中将靶原子溅射出来，这些被溅射出来的原子带有一定的动能，并且会沿着一定的方向射向衬底，从而实现薄膜的沉积。
薄膜物理与技术
薄膜物理与技术薄膜物理与技术Physics and Technology of Thin Films课程编号：07370110学分：2学时：30（其中：讲课学时： 30 实验学时：0 上机学时：0）先修课程：⼤学物理，普通化学适⽤专业：⽆机⾮⾦属材料⼯程（光电材料与器件）教材：《薄膜物理与技术》，杨邦朝，王⽂⽣主编，电⼦科技⼤学出版社，1994年1⽉第1版开课学院：材料科学与⼯程学院⼀．课程的性质与任务薄膜科学是现代材料科学中及其重要且发展⾮常迅速的⼀个分⽀，已成为微电⼦学、固体发光、光电⼦学等新兴交叉学科的材料基础，同时薄膜科学研究成果转化为⽣产⼒的速度愈来愈快，国内外对从事薄膜研发和⽣产的⼈才需求也⽇益强劲。
本门课程就是为适应学科发展，学⽣适应市场需求⽽设置的专业课程。
课程的基本任务是：1、基本掌握各种成膜技术的基本原理和⽅法；2、了解并初步掌握薄膜的形成、结构与缺陷，薄膜的电学、⼒学、半导体、磁学等物理性质。
⼆．课程的基本内容及要求第⼀章真空技术基础1、教学内容（1）真空的基本知识（2）稀薄⽓体的基本性质（3）真空的获得及测量2、教学要求理解真空的基本知识和稀薄⽓体的基本性质，掌握真空的获得、主要⼿段和真空度策略⽅法，了解实⽤真空系统。
第⼆章真空蒸发镀膜1、教学内容（1）真空蒸发原理（2）蒸发源的蒸发特性及膜厚分布（3）蒸发源的类型（4）合⾦及化合物的蒸发（5）膜厚和沉积速率的测量与监控2、教学要求掌握真空蒸发原理，掌握真空镀膜的特点和蒸发过程，理解饱和蒸汽压和蒸发源的发射特性，熟练掌握蒸发速率、薄膜厚度的测量和控制，了解蒸发镀膜的常⽤⽅法（电阻加热和电⼦束加热），了解合⾦膜及化合物摸的蒸镀。
第三章溅射镀膜1、教学内容（1）溅射镀膜的特点和基本原理（2）溅射镀膜的类型2、教学要求掌握溅射镀膜的基本原理和特点，理解表征溅射特性的参量及其影响因素，了解溅射机理及溅射镀膜的各种类型第四章离⼦镀膜1、教学内容（1）离⼦镀的原理和特点（2）离⼦轰击的作⽤（3）离⼦镀的类型2、教学要求掌握离⼦镀的基本原理和特点，理解离⼦轰击的作⽤，了解离⼦镀的类型。
薄膜物理与技术
薄膜物理与技术薄膜物理与技术第⼀章1、真空：低于⼀个⼤⽓压的⽓体空间。
P12、真空度与压强的关系：真空度越低，压强越⾼。
P13、1Torr = 1/760 atm =133.322Pa.（或1Pa=7.5×10-3Torr）P24、平均⾃由程：每个分⼦在连续两次碰撞之间的路程。
P55、余弦定律：碰撞于固体表⾯的分⼦，它们飞离表⾯的⽅向与原⼊射⽅向⽆关，并按与表⾯法线⽅向所成⾓度θ的余弦进⾏分布。
P76、极限压强（或极限真空）：对于任何⼀个真空系统⽽⾔，都不可能得到绝对真空（p=0），⽽是具有⼀定的压强。
P77、抽⽓速率：在规定压强下单位时间所抽出⽓体的体积，它决定抽真空所需要的时间。
P78、机械泵的原理：利⽤机械⼒压缩和排除⽓体。
P89、分⼦泵的⼯作原理：靠⾼速转动的转⼦碰撞⽓体分⼦并把它驱向排⽓⼝，由前级泵抽⾛，⽽使被抽容器获得超⾼真空。
P13第⼆章1、真空蒸发镀膜的三个基本过程：P17（1）加热蒸发过程：……（2）⽓化原⼦或分⼦在蒸发源与基⽚之间的输运：……（3）蒸发原⼦或分⼦在基⽚表⾯上的淀积过程：……2、为什么真空蒸发镀膜的三个过程必须在空⽓⾮常稀薄的真空环境中进⾏？P18答：如果不是真空环境，蒸发物原⼦或分⼦将与⼤量空⽓分⼦碰撞，使膜层受到严重污染，甚⾄形成氧化物；或者蒸发源被加热氧化烧毁；或者由于空⽓分⼦的碰撞阻挡，难以形成均匀连续的薄膜。
3、饱和蒸⽓压：在⼀定温度下，真空室内蒸发物质的蒸⽓与固体或液体平衡过程中所表现出的压⼒。
P184、蒸发温度：物质在饱和蒸⽓压为10-2托时的温度。
P185、碰撞⼏率：。
P236、点蒸发源：能够从各个⽅向蒸发等量材料的微⼩球状蒸发源。
P25-27计算：公式2-28、2-337、蒸发源与基板的相对位置配置P33（1）点源与基板相对位置的配置：为了获得均匀膜厚，点源必须配置在基板所围成的球体中⼼。
（2）⼩平⾯源与基板相对位置的配置：当⼩平⾯源为球形⼯作架的⼀部分时，该⼩平⾯蒸发源蒸发时，在内球体表⾯上的膜厚分布是均匀的。
薄膜物理与技术生长试题
1.简述薄膜在形成稳定核之前的生长过程？沉积原子到达基片表面，会发生三种状态。
一种是能量较大，在到达基片表面时就会发生反射离开；如果能量较低，变会停留在基片表面，而另一部分原子能量较大，在到达基片表面时，会发生表面迁移扩散。
如果扩散原子在驻留时间内不能与其它原子结合形成更大原子团，就会发生再蒸发离开基片表面，而扩散原子团在驻留时间内不能与其它原子相结合，便会发生分解。
如果表面原子或原子团在驻留时间内能与其它原子结合，便形成更大原子团；原子团继续吸附其它原子就会不断长到形成稳定核。
2.从热力学角度分析，薄膜的形核主要分哪两类？形成机制是什么？1.从热力学角度，形核主要分：自发形核和非自发形核；2.自发形核主要是由于相变自由能差导致的，而非自发形核不但受到相变自由能差的影响，还受到其它一些因素的影响，如界面，缺陷等。
3.简述扫描电子显微镜的成像原理？X射线衍射技术的基本原理？扫描电子显微镜：入射电子激发样品表面产生二次电子，由于样品表面起伏变化造成二次电子发射数目和发射角度的不同，从而形成明暗相间的衬度像。
X射线衍射技术：布拉格衍射公式。
4.简述四种薄膜的成份分析方法？1.X射线能量色散谱（EDX）；2.电子探针（EPMA）；3. 俄歇电子能谱（AES）；4. X射线光电子谱（XPS）；5. 卢瑟福背散射（RBS）; 6. 二次离子质谱（SIMS）。
任意四种。
5.薄膜的组织结构可以分为哪四类？1.无定型结构；2. 多晶结构；3. 纤维结构；4. 单晶结构；6.列举出连续薄膜形成的三种重要影响机制？奥斯瓦尔德吞并机制、熔结机制、原子团迁移机制。
下列描述不属于薄膜组织结构的是（）（1）无定形结构（2）多晶结构（3）单晶结构（4）复合结构下列仪器设备不能用于薄膜表面形貌分析的是：（1）扫描电子显微镜（2）原子力显微镜（3）透射电子显微镜（4）X射线衍射B卷：7.简述薄膜的生长过模式及主要的控制因素？生长模式：岛状生长模式、层状生长模式和岛状-层状生长模式；控制因素主要分两类：晶格失配度和基片表面（或者基片湿润性或浸润性）；8.从沉积速率和沉积温度出发，简述如何形成单晶或者粗大晶粒？如何形成多晶、微晶甚至非晶？请给出简单图示？1.提高温度或降低沉积速率可以形成单晶或者粗大晶粒；2.降低温度或提高沉积速率可形成多晶、微晶甚至非晶。
薄膜物理与技术要点总结
第一章最可几速率：根据麦克斯韦速率分布规律，可以从理论上推得分子速率在m v 处有极大值，m v 称为最可几速率M RT M RT m kT 41.122==,Vm 速度分布 平均速度:M RT m RT m kT 59.188==ππ，分子运动平均距离 均方根速度:M RT M RT m kT 73.133==平均动能真空的划分：粗真空、低真空、高真空、超高真空。
真空计：利用低压强气体的热传导和压强有关； (热偶真空计)利用气体分子电离；（电离真空计）真空泵：机械泵、扩散泵、分子泵、罗茨泵机械泵：利用机械力压缩和排除气体扩散泵：利用被抽气体向蒸气流扩散的想象来实现排气作用分子泵：前级泵利用动量传输把排气口的气体分子带走获得真空。
平均自由程：每个分子在连续两次碰撞之间的路程称为自由程；其统计平均值成为平均自由程。
常用压强单位的换算 1Torr=133.322 Pa 1 Pa=7.5×10-3 Torr1 mba=100Pa 1atm=1.013*100000Pa真空区域的划分、真空计、各种真空泵粗真空 1×105 to 1×102 Pa 低真空 1×102 to 1×10-1 Pa 高真空 1×10-1 to 1×10-6 Pa 超高真空 <1×10-6 Pa旋转式机械真空泵油扩散泵复合分子泵属于气体传输泵，即通过气体吸入并排出真空泵从而达到排气的目的分子筛吸附泵钛升华泵溅射离子泵低温泵属于气体捕获泵，即通过各种吸气材料特有的吸气作用将被抽气体吸除，以达到所需真空。
不需要油作为介质，又称为无油泵绝对真空计：U 型压力计、压缩式真空计相对真空计：放电真空计、热传导真空计、电离真空计机械泵、扩散泵、分子泵的工作原理，真空计的工作原理第二章1.什么是饱和蒸气压？蒸发温度？饱和蒸气压：在一定温度下，真空室内蒸发物质的蒸气与固体或液体平衡过程中所表现出的压力蒸发温度：物质在饱和蒸气压为10-2托时的温度。
《薄膜物理与技术》课程教学改革的研究与实践
《薄膜物理与技术》课程教学改革的研究与实践《薄膜物理与技术》是材料科学与工程领域中的一门重要课程，旨在培养学生对薄膜材料的理论基础和实际应用的综合能力。
随着科技的发展和社会的需求，薄膜技术的研究和应用越来越广泛，因此对《薄膜物理与技术》课程的教学改革势在必行。
本文旨在探讨《薄膜物理与技术》课程教学改革的研究与实践，以期为相关教学工作提供参考和借鉴。
一、课程现状分析《薄膜物理与技术》课程的教学内容主要包括薄膜材料的基本概念、薄膜的制备方法、薄膜的物理性质以及薄膜在各个领域中的应用等方面。
传统的教学模式主要以理论教学为主，实践教学为辅，师生之间的互动较少，学生缺乏实际操作和动手能力，对薄膜技术的理解和应用能力相对较弱，不能满足社会和产业的需求。
二、课程教学改革的研究1. 更新教学内容随着薄膜技术的不断发展，课程教学内容也需要不断更新。
需要加入最新的研究成果和应用案例，使课程内容更加贴近实际应用，激发学生学习的兴趣。
注重培养学生的创新意识，引导学生主动参与课程的讨论和研究。
2. 强化实践教学薄膜技术是一门实践性很强的学科，因此实践教学是十分重要的一环。
可以增加实验课程的时间和内容，让学生动手操作，从中体会薄膜制备的具体步骤和注意事项，同时增强学生的动手能力和实际操作经验。
3. 提高教学方法传统的理论授课模式已经不能满足学生的需求，需要采用更多元化的教学方法。
可以引入案例教学、小组讨论、实验报告等教学方法，激发学生的学习兴趣，增强学习效果。
采用信息技术手段，如PPT、视频等，能够更直观、生动地向学生展示薄膜技术的相关知识，提高教学效果。
4. 建立实习基地和科研平台为了培养学生的实际操作能力和动手能力，可以与企业合作建立实习基地，让学生在校期间有更多的机会接触薄膜技术的实际应用，提前适应工作需要。
可以建立科研平台，指导学生参与薄膜技术的科研项目，培养学生的科研能力和创新精神。
结合实际需求和最新研究成果，对《薄膜物理与技术》课程的教学内容进行了更新和调整。
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薄膜物理与技术第一章1、真空：低于一个大气压的气体空间。
P12、真空度与压强的关系：真空度越低，压强越高。
P13、1Torr = 1/760 atm =133.322Pa.（或1Pa=7.5×10-3Torr）P24、平均自由程：每个分子在连续两次碰撞之间的路程。
P55、余弦定律：碰撞于固体表面的分子，它们飞离表面的方向与原入射方向无关，并按与表面法线方向所成角度θ的余弦进行分布。
P76、极限压强（或极限真空）：对于任何一个真空系统而言，都不可能得到绝对真空（p=0），而是具有一定的压强。
P77、抽气速率：在规定压强下单位时间所抽出气体的体积，它决定抽真空所需要的时间。
P78、机械泵的原理：利用机械力压缩和排除气体。
P89、分子泵的工作原理：靠高速转动的转子碰撞气体分子并把它驱向排气口，由前级泵抽走，而使被抽容器获得超高真空。
P13第二章1、真空蒸发镀膜的三个基本过程：P17（1）加热蒸发过程：……（2）气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运：……（3）蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程：……2、为什么真空蒸发镀膜的三个过程必须在空气非常稀薄的真空环境中进行？P18答：如果不是真空环境，蒸发物原子或分子将与大量空气分子碰撞，使膜层受到严重污染，甚至形成氧化物；或者蒸发源被加热氧化烧毁；或者由于空气分子的碰撞阻挡，难以形成均匀连续的薄膜。
3、饱和蒸气压：在一定温度下，真空室内蒸发物质的蒸气与固体或液体平衡过程中所表现出的压力。
P184、蒸发温度：物质在饱和蒸气压为10-2托时的温度。
P185、碰撞几率：。
P236、点蒸发源：能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源。
P25-27计算：公式2-28、2-337、蒸发源与基板的相对位置配置P33（1）点源与基板相对位置的配置：为了获得均匀膜厚，点源必须配置在基板所围成的球体中心。
（2）小平面源与基板相对位置的配置：当小平面源为球形工作架的一部分时，该小平面蒸发源蒸发时，在内球体表面上的膜厚分布是均匀的。
（3）大、小面积基板和蒸发源的配置。
8、对蒸发源材料的要求：①熔点要高；②饱和蒸气压低；③化学性能稳定，在高温下不应与蒸发材料发生化学反应；④具有良好的耐热性，热源变化时，功率密度变化较小；⑤原料丰富，经济耐用。
P35、379、表2-5 适合于各种元素的蒸发源（蒸发源材料）。
P3610、外延：在适当的衬底与合适条件下，沿衬底材料晶轴方向生长一层结晶结构完整的新单晶层薄膜的方法。
P4611、同质外延：外延薄膜和衬底属于同一物质；异质外延：外延薄膜和衬底属于不同物质。
12、分子束外延：在超高真空条件下，将薄膜诸组分元素的分子束流，直接喷到衬底表面，从而在其上形成外延层的技术。
P4613、第2-5节膜厚的测试方法（表2-8）第三章1、溅射：荷能粒子轰击固体表面（靶），使固体原子（或分子）从表面射出的现象。
P602、辉光放电：在真空度约为10～1Pa的稀薄气体中，两个电极之间加上电压时产生的一种气体放电现象。
P61图3-1 直流辉光放电伏安特性曲线P61图3-4 辉光放电过程中阴极附近分子状态示意图P653、射频辉光放电---为什么能溅射绝缘体？P664、溅射阈值：使靶材原子发生溅射的入射离子所必须具有的最小能量。
P675、溅射率：正离子轰击靶阴极时，平均每个正离子能从阴极上打出的原子数。
P686、两个理论：热蒸发理论、动量转移理论。
P83第四章1、离化率：被电离的原子数占全部蒸发原子数的百分比。
P107第五章1、CVD装置可分为：反应气体输入部分、反应激活能源供应部分、气体排出部分。
P1182、CVD法制备薄膜的过程可分为四个阶段。
P1193、5-4 低压化学气相沉积P1294、5-5 等离子体化学气相沉积P1305、有机金属化学气相沉积法（MOCVD法）的特点。
P133第六章溶液镀膜法（全部）第七章1、两种吸附过程：物理吸附、化学吸附。
P1442、表面扩散过程。
P1453、在研究凝结过程中通常使用的物理参数有：凝结系数、粘附系数、热适应系数。
P1474、薄膜的形成与成长的三种形式：岛状形式、单层成长形式、层岛结合形式。
P1485、在研究核形成过程时，常用的两种理论：热力学界面能理论、原子聚集理论。
P1496、成核速率：单位时间内在单位基体表面上形成稳定核的数量。
P1527、岛状薄膜的形成过程的四个阶段。
P1568、阴极溅射法制备薄膜和真空蒸发法制备薄膜的不同之处。
P1599、晶格失配数P16010、利用计算机模拟薄膜形成过程时可采用的两种方法：蒙特卡罗方法、分子动力学方法。
P161第八章1、薄膜结构的三种类型：组织结构、晶体结构、表面结构。
P1662、组织结构的四种类型：无定形结构、多晶结构、纤维结构、单晶结构。
P1663、沉积薄膜微观结构的变化过程。
P1724、薄膜的缺陷：点缺陷、位错、晶粒间界、层错缺陷。
P175-1815、薄膜结构与组分的分析方法。
P181-188第九章1、薄膜附着的四种类型。
P1892、测量附着力的方法：划痕法、拉张法、剥离法。
P1913、应力、外应力、内应力、张应力、压应力。
P193-1944、测量薄膜内应力的方法：测量晶格畸变、测量基体变形。
P1945、压电薄膜。
P2156、闪锌矿：立方晶结构；纤锌矿：六方晶结构。
P2167、热释电薄膜。
P2198、铁电薄膜。
P220补充：真空表读真空度的方法一个正常大气压为760毫米汞柱，也就是一个负的大气压为-760毫米汞柱，20mmHG 的话也就是要达到-740mmHG，这个值在MPA为单位的表头来表示的话已经接近-0.1Mp 了,MPA为单位的通常一大格分五小格,20/760*50=1.3小格,也就是-0.097MPA左右（1）真空表上“0”表示正一个大气压, “-0.1”表示绝对真空。
真空表上的指示值不表示真空度的绝对值，只表示了真空度的相对值。
真空度的换算；根据本表的刻度示值范围，真空度的绝对值与相对值可用下式换算：P=1×105（1-δ/0.1）[ P - 真空度的绝对值（Pa）δ- 真空表的刻度示值绝对值]例一：表的示值为O，则P=1×105（1-O/0.1）=1×105 Pa = 1个大气压例二：表的示值为0.1，则P=1×105（1-0.1/0.1）= 0 Pa为绝对真空。
(绝对真空是不存在的)例三：表的示值为0.08，则P=1×105（1-0.08/0.1）= 2×104 Pa =20Kpa（2）进口泵常采用mbar（毫巴）作为单位，那么毫巴与表读数如何换算呢？公式：B=1×104（0.1-δ）例：表的示值为0.085，则B=1×104（0.1-0.085）=150mbar（3）国内客户经常用mmHg(毫米汞柱)做单位,那么毫米汞柱与Mpa又该如何换算呢？公式：M=P×760/0.1=P×7600例：表的示值为0.085，则M=0.085×7600=646mmHg计算公式就是：绝对压力（Mpa）=（0.1+压力表读数）（Mpa）我们假设大气压的绝对压力是0.1Mpa，那么：-0.1的时候的绝对压力是多少Pa？0Mpa-0.08的时候绝对压力是多少Pa？0.02Mpa-0.06的时候绝对压力是多少Pa？0.04Mpa0.1的时候绝对压力又是多少MPa？0.2Mpa0.2的时候绝对压力又是多少MPa？0.3Mpa真空表上“0”表示正一个大气压, “-0.1”表示绝对真空。
真空表上的指示值不表示真空度的绝对值，只表示了真空度的相对值。
真空度的换算；根据本表的刻度示值范围，真空度的绝对值与相对值可用下式换算：P=1×105（1-δ/0.1）P - 真空度的绝对值（Pa）δ- 真空表的刻度示值绝对值例一：表的示值为O，则P=1×105（1-O/0.1）=1×105 Pa = 1个大气压例二：表的示值为0.1，则P=1×105（1-0.1/0.1）= 0 Pa为绝对真空。
（绝对真空是不存在的）例三：表的示值为0.08，则P=1×105（1-0.08/0.1）= 2×104 Pa 本产品的真空度指标值为＜267Pa，表示本产品在267Pa（表面示值约为0.0997，接近于-0.1）时的低真空度状态下仍能保证正常工作。
产品的真空度主要取决于配套真空泵的性能。
真空度计量单位换算如下：0.1Mpa =1×105 Pa = 760mmHg = 1个大气压1乇= 1mmHg = 133.33Pa2乇= 0.00026666Mpa ≈267Pa。