电光调制器PPT幻灯片课件

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光电子技术王俊波电光调制.ppt

光电子技术王俊波电光调制.ppt


L (c / n)
激光通过长度为L的晶体所需时间。
对电光调制器来说,总是希望获得高的调制效率及满足要求的 调制带宽。
前面对电光调制的分析,均认为调制信号频率远远低于光波频
率(也就是调制信号波长远远大于光波波长),并且入远大于晶体的
长度L,因而在光波通过晶体L的渡越时间 d

L (c / n)
内,调制信号
由此可见,输出的调制光中含有高次诣波分量,使 调制光发生畸变。为了获得线性调制,必须将高次
2019/10/15 共29页 9
UP
DOWN
BACK
谐波控制在允许的范围内。设基频波和高次谐波的幅 值分别为I1和I2n+1, 则高次谐波与基频波成分的比值为
(3.2-33)
若取 =1rad, 则J1 (1)=0.44, J3(1)=0.02, 所以I3 /I 1
UP
DOWN
BACK
其一,除了施加信号电压之外,再附加一个 Vλ/4 的固定偏压, 但会增加电路的复杂性,且工作点的稳定性也差。
其二,在光路上插入一个1/4波片(3.2-5图)其快慢轴与晶体 主轴x成45o 角,使E x’和E y’二分量间产生 /2 的固定相位差。 (3.2-30)式中的总相位差
UP
DOWN
BACK
1.外电路对调制带宽的限制
调制带宽:调制信号占据的频带的宽度。
调制信号频率高时大部分电压降在电源内阻上,致使晶体无法 工作。若要调制信号在较高频状况下工作时(实现阻抗匹配必须在 晶体两端并联一电感和分流电阻)其频带宽度就要受到约束:
当调制频率与谐振频率相同时电压全降在晶体上。
于是,通过两块晶体之后的总相位差
(3.2-37) 因此,若两块晶体的尺寸、性能及受外界影响完全相同,则自 然双折射的影响即可得到补偿。

第3讲-调制及电光调制.ppt

第3讲-调制及电光调制.ppt

AcJ0(m)c osc(tc)
Ac Jn(m) c osc(nm)tc (1)nc o(sc nm)tc
n1
8
可见,在单频正弦波调制时,其角度调制波的频谱是由光载频与
第三章 激光调制技术
3.1 调制的基本概念
3.1.1 振幅调制 3.1.2 频率调制和相位调制━━调频和调相 3.1.3 强度调制 3.1.4 脉冲调制 3.1.5 脉冲编码调制(一般了解)
3.2 电光调制
3.2.1 电光调制的物理基础 3.2.2 电光强度调制 3.2.3 电光相位调制 3.2.4 电光调制器的电学性能 3.2.5 设计电光调制器应考虑的问题
s isn i n 1 2 c o s ) c ( o s )(c o cs o 1 2 s c o s ) c ( o s )
可得:e(t)AcJ0(m)c osc(tc)J1(m)c os(c m)tc J1(m)c os(c m)tc J2(m)c os(c 2m)t c J2(m)c os(c 2m)tc
这种将信息加载于激光的过程称之为调制
完成这一过程的装置称为
x(t)
调制器。其中激光称为载
波;起控制作用的低频信
息称为调制信号。
t
解调:调制的反过程,即
把调制信号还原成原来的
信息。
2
激光光波的电场强度是: ec(t)A ccocts (c)
其中 Ac 振幅 c 角频率c 相位角
因激光具有振幅、率、相位、强度等参量,如使其中某一参 量按调制信号的规律变化,则激光受到信号的调制,达到运载 信息的目的。
利用 c o )s c(c oo s ss isn i三n 角公式展开,得:
e(t)A cc o cts(c)c o m ssi (n m t)

电光调制器强度调制器相位调制器EOM原理课件

电光调制器强度调制器相位调制器EOM原理课件

应用领域与优势
应用领域
相位调制器广泛应用于光纤通信、光学传感、光学测量 等领域。
优势
相位调制器具有调制速度快、调制效率高、易于集成等 优点。
04
电光调制器强度调制器相位调制器EOM 比较
工作原理比较
电光调制器 (EOM)
通过施加电场改变晶体的折射率,从而实现 光的调制。
强度调制器 (IM)
通过改变光的传输损耗或反射系数,实现对 光强的控制。
类型与分类
类型
电光调制器可分为泡克耳斯调制器和 双折射调制器等。
分类
根据调制方式的不同,电光调制器可 分为单级调制器和双级调制器等。
应用领域与优势
应用领域
强度调制器广泛应用于光纤通信、光信息处理、光谱分析等 领域。
优势
电光调制器具有调制速度快、调制效率高、稳定性好等优点 ,能够实现高速、高精度、高稳定性的光信号调制。
特性。
IM
结构简单、易于集成、低成本; 但调制速度相对较慢,且带宽受限 。
PM
调制速度高、带宽大、易于实现高 精度相位编码;但插入损耗较大, 且对温度和波长敏感。
05
电光调制器强度调制器相位调制器EOM 发展前景
技术发展趋势
集成化与小型化
随着微纳加工技术的发展,电光调制器将趋向于集成化和微型化, 以提高稳定性和降低成本。
相位调制器 (PM)
通过改变光的相位,实现对光束相位的控制 。
应用领域比较
EOM
主要用于高速光通信、光信号处理和光传感等领 域。
IM
广泛应用于光开关、光限幅器和光放大器等器件 。
PM
适用于光学干涉、光学相位编码和光学相干检测 等领域。
优缺点比较

电光调制课件

电光调制课件

实验步骤2
• 实验过程——判断电光调制现象 1、插入起偏器 (P),调节起偏器的镜片架转角, 使透光轴与垂直方向约成 P=45。 2、插入检偏器(A)转动检偏器,使激光点消失,光 强指示接近于0,表示此时检偏器与起偏器的光轴 己处于正交状态(P A). 3、将电光晶体插入光具座,使激光束透过,适当 调节电光晶体平台上三个调节螺丝,使反射光斑 打在激光器光源输出口附近,此时激光束基本正 射透过。调节电光晶体旋转镜片架角度,使接收 光强趋近于0(达到最小,应该在0.1以下)。此时 从示波器观察应出现倍频现象,即解调信号频率 是调制信号频率的两倍。 特别注意:在这个环节中,要保证每个光学器件加 入光路时反射点都要几乎原路返回,且不可相交。
选择不同工作点时的输出波形
IA
③ 工作点③ ② 工作点②
IA
① o
o
Uπ/2

U
t
工作点①
t
选择工作点②(U=U /2)时,输出波形最大且不失真。相位差在= /2或(U=U /2 )附近时,光强IA与相位差(或电压U)呈线性关系,从 调制的实际意义上来说,电光调制器的工作点通常就选在该处附近。 选择工作点①(U=0)或③ (U=U)时,输出波形小且严重失真,同时 输出信号的频率为调制频率的两倍,即倍频现象。
2插入检偏器a转动检偏器使激光点消失光强指示接近于0表示此时检偏器与起偏器的光轴己处于正交状态p3将电光晶体插入光具座使激光束透过适当调节电光晶体平台上三个调节螺丝使反射光斑打在激光器光源输出口附近此时激光束基本正射透过
电光调制实验
Electro-optic modulation
实验目的
• 掌握晶体电光调制的原理和实验方法。 • 对电光调制原理中的有关物理量进行 定性或定量分析。

第三讲-电光调制器.

第三讲-电光调制器.

第三章电光调制器内容•电光调制的基本原理•铌酸锂(LiNbO3)电光调制器•半导体电吸收调制器(EAM)电光调制电光调制:将电信息加载到光载波上,使光参量随着电参量的改变而改变。

光波作为信息的载波。

强度调制的方式作为信息载体的光载波是一种电磁场:()()0cos E t eA t ωφ=+r r 对光场的幅度、频率、相位等参数,均可进行调制。

在模拟信号的调制中称为AM 、FM 和PM ;在数字信号的调制中称为ASK 、FSK 和PSK 。

调制器:将连续的光波转换为光信号,使光信号随电信号的变化而变化。

性能优良的调制器必须具备:高消光比、大带宽、低啁啾、低的偏置电压。

电光调制的主要方式直接调制:电信号直接改变半导体激光器的偏置电流,使输出激光强度随电信号而改变。

优点:采用单一器件成本低廉附件损耗小缺点:调制频率受限,与激光器弛豫振荡有关产生强的频率啁啾,限制传输距离光波长随驱动电流而改变光脉冲前沿、后沿产生大的波长漂移适用于短距离、低速率的传输系统电光调制的主要方式外调制:调制信号作用于激光器外的调制器上,产生电光、热光或声光等物理效应,从而使通过调制器的激光束的光参量随信号而改变。

优点:不干扰激光器工作,波长稳定可对信号实现多种编码格式高速率、大的消光比低啁啾、低的调制信号劣化缺点:额外增加了光学器件、成本增加增加了光纤线路的损耗目前主要的外调制器种类有:电光调制器、电吸收调制器调制器调制器连续光源光传输NRZ 调制格式其他调制格式: •相位调制•偏振调制•相位与强度调制想结合光传输RZ 调制格式脉冲光源电光调制折射率的改变通过电介质晶体Pockels 效应和半导体材料中的电光效应光吸收的改变通过半导体材料中的Franz-Keldysh效应量子阱半导体材料中的量子限制的Stark 效应光与物质相互作用相位调制偏振调制(双折射材料)强度调制强度调制通过-干涉仪结构-定向耦合光在晶体中的传播-电光效应在光与物质相互作用中,电场强度(E)与电极化矢量(P)的关系。

电光调制ppt课件

电光调制ppt课件

实现线性调制的判据为
m 1rad
此时的透过率为
m

Vm V
1rad
T

I Io

1 2
[1

m
sin
mt ]
输出的强度调制波是调制信号的线性复现
20
电光调制的基本原理及公式推导-相位调制
工作原理: 电光相位调制器由起偏器和电光晶体组成
起偏器的偏振方向平行于晶体的感应主轴(x'或y' ),此时入射晶体 的线偏振光不再分解成沿x’和y’ 两个分量,而是沿着x’或y’轴
KDP的纵向运用中 特性阻抗 Zm 与驱动功率Pdri
V

2n03 63
Z m 1/ c(1/ CC0 )1/ 2
式中:c为真空中的光速 C为电极每单位长度的电容 C0为用空气代替所有波导材料的电极每单位长度电容。
要获得好的特性阻抗就要减小电极和波导材料的电容。
24
电光调制器的技术参数
x2 y2 z2 1 n12 n22 n32 1.x,y,z为介质的主轴方向,在晶体内沿着主轴方 向的电位移D和电场强度E是互相平行的; 2. n1、n2、n3为折射率椭球x,y和z方向的折射率(主折射率)。
折射率椭球方程可以描述光波在晶体中的传播特性。
3
电光调制的基本原理及公式推导
KDP为四方晶系,负单轴晶体,n1 n2 n0,n3 ne 电光张量为
其定义为:
L

10 10
lg(Imax lg(Iin /
/ Iin I max
) )
Imax Iin Iin Imax
30
电光调制器的技术参数
8.品质因数 品质因数即驱动电压与电极长度的乘积( V L )。

第一章电光调制与声光调制ppt课件

第一章电光调制与声光调制ppt课件

出功率。
G l
b. 调制器带宽受到谐振腔通带的限制
优 点: a.因为调制器和激光形成无关,不影响激光器的输出功率。 b.调制器的带宽不受谐振腔通带的限制,
缺 点:调制效率低。
三.振幅调制和强度调制
1.振幅调制(调幅) (1) 定义:以调制讯号去改变激光的振幅,使其振幅按调制讯号
的规律变化。ec(t)A ccos(ctc)
I/I0和VD 的曲线不 是线性关系—易发 生畸变,在V/2附近 有一段近似线性部 分----波形畸变小。
3.防止输出光强畸变的方法(如何保证D= /2)
a.在晶体上加以V/2的直流电压
V V 2 V m s inm t, 使 D 2
缺点:工作点的稳定性差。Q V 24 n o 3 6 3, 温 度 变 n o 变 V 2 变
m A Ac
(3)调幅波的频谱分析
a(t)A0cosmt e(t)Ac(1mcosmt)cos(ctc)
Ac[cos(ctc)mcosmtcos(ctc)] Accos(ctc)m 2Accos[(cm)tc]m 2Accos[(cm)tc]
Amax AcKA0
振幅的最小值 振幅的最大增量
Amin AcKA0 A A m a x A c A c A m in

A=KA0可得
m

K A0 Ac
m主要由K,A0决定,即比例系数K和调制讯号的振幅A0
对m的要求: m<1,保证调制信号在传输过程中
不畸变。 m≥1时,使调制信号失真。
在实际应用中,为了得到较强的抗干扰效果,往往利用二次 调制方式,即先将低频信号对一高频副载波进行频率调制,然 后再用这个已调频波对光载波进行强度调制,使光波按副载波 信号的变化而变化。这是因为在传输过程中,尽管大气感染波 会直接叠加到光信号波上,但经调节后,其信息是包含在调频 的副载波上,故其信息不会受到干扰,可以无失真地再现原来 的信息。

光电子技术课件:5_3 电光调制

光电子技术课件:5_3   电光调制

4)使
(n
1 )
2
时,
E2 x
A12
E
2 y
A22
1
这是一个正椭圆方程,当A1=A2 时,其合成光就变成一 个圆偏振光,相当于一个“1/4波片”的作用。
(3) 当外加电场Vλ/2使△ = (2n+1)π, 有
Ex Ey 2 0
A1
A2
Ey
(
A 2
A
)Ex
Extg( )
1
x’
x y’
y
E
上式说明合成光又变成线偏振光,但偏振方向相对于入射光旋
Ex 0 Acoswct Ey 0 Acoswct
复数形式为
Ex0 Aexpiwct Ey0 Aexpiwct
由于光强正比于电场的平方,因此,入射光强度为
当光通过长度为L的晶体后,由于电光效应,E x’和E y’二分量间就 产生了一个相位差 ,则
ExL A EyL Aexp i
与之相应的输出光强为:
( 1 E )x2 ( 1 E ) y2 1 z2 1
n2
63 z
n2
63 z
n2
0
0
e
这就是KDP类晶体沿Z轴加电场之后的新椭球方程,如图所示。 其椭球主轴的半长度由下式决定:
y
y'
x'
1 nx2
1 no2
63Ez
450
x
1 ny2
1 n02
63Ez
11 nz2 ne2
由于γ63 很小(约10-10m/V),一般是γ63EZ <<
3. 光偏振态的变化
根据上述分析可知,两个偏振分量间的差异,会使一个分 量相对于另一个分量有一个相位差(△),而这个相位差作用 就会改变出射光束的偏振态。在一般情况下,出射的合成振动 是一个椭圆偏振光,用数学式表示为:

光电测试技术4-6光调制 PPT课件

光电测试技术4-6光调制 PPT课件
光电测试技术
光调制器件
概念: 利用各种物理效应对光的 振幅,频率,相位,偏振状态和 传播方向等参量进行调制的器件, 又称为光控器件
对光的振幅进行调制也就是对光 强进行调制
性能稳定、调制度高,损耗小、相位均匀 有一定的带宽
工作基础:物质对外来作用产生的各种物理效应
电光效应 声光效应
磁光效应
电光器件
2.布拉格(Bragg)衍射 (1)各向同性介质中的正常布拉格衍射。
当声波频率较高,声光作用长度L较大,
而且光束与声波波面间以一定的角度斜入射
时,光波在介质中要穿过多个声波面,故介质具有“体光栅”的 性质。当入射光与声波面间夹角满足一定条件时,介质内各级衍 射光会相互干涉,各高级次衍射光将互相抵消,只出现0级和+l级 (或-1级)(视入射光的方向而定)衍射光,即产生布拉格衍射(类似 于闪耀光栅),如图1. 3-5所示。因此,若能合理选择参数,超声 场足够强,可使入射光能量几乎全部转移到+1级(或-1级)衍射极 值上。因而光束能量可以得到充分利用,因此,利用布拉格衍射 效应制成的声光器件可以获得较高的效率。
Laser in
(2)电—声换能器(又称超声发生器)
(3)吸声(或反射)装置(放置在超声源的对面)。
Laser out
吸声装置
(4)驱动电源 它用以产生调制电信号施 加于电—声换能器的两端电极上,驱动 声光调制器(换能器)工作。
图 1.3-11 声光调制器结构
三、磁致双折射 科顿—穆顿效应: 某些透明液体在磁场H作用下变为各向异性 性质类似于单轴晶体 光轴平行磁场
光隔离器
单向闸门
P1
电极
P2
45º
光隔离 器
为了避免各界面的反射光对激光光源产 生干扰,可利用法拉第效应制成光隔离器,只 允许光从一个方向通过而不能从反方向通过

电光调制器强度调制器相位调制器EOM原理课件

电光调制器强度调制器相位调制器EOM原理课件

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平方电光效应
电场引起的折射率变化与电场 强度的平方成正比。
电光效应的物理机制
与晶体的内部结构、电子云分 布和能带结构有关。
电光调制器的工作原理
01
调制信号输入
将需要调制的信号输入到电光调制 器中。
光学调制
折射率的变化导致光波的相位和振 幅发生变化,从而实现调制。
03
02
电场作用
通过施加电场,改变晶体的折射率 。
04
EOM(电光调制器)原理
EOM的基本结构和工作原理
基本结构
EOM通常由电光晶体和电极组成。电光 晶体具有特殊的电光效应,当施加电压 时,能够改变其折射率,从而改变光的 传播方向或振幅。电极用于施加电信号 。
VS
工作原理
在EOM中,当电信号施加到电光晶体上 时,由于电光效应,电光晶体的折射率发 生变化,导致通过的光的相位或偏振态发 生改变。这种相位或偏振态的变化可以通 过检测器检测,从而实现对光的调制。
相位调制器的应用
光纤通信系统
相位调制器在光纤通信系统中有着广泛的应用。通过将信息编码为光波的相位变化,可以实现高速、 大容量的光纤通信系统。相位调制器可以提高通信系统的传输速率和传输距离,同时降低噪声和干扰 的影响。
光学干涉仪
相位调制器在光学干涉仪中也有着重要的应用。通过将光波的相位变化引入干涉仪中,可以实现对光 波干涉图样的控制和测量。相位调制器可以提高干涉仪的测量精度和稳定性,广泛应用于光学测量、 光学传感等领域。
强度调制器
广泛应用于高速光信号处 理、光强调制、光功率控 制等领域。
相位调制器
广泛应用于光学干涉、光 学成像、量子通信等领域 。
优缺点的比较

2.1电光调Q技术ppt课件

2.1电光调Q技术ppt课件

15.1 mm <1.8%
19.5 mm
<2.0%
5000:1 2500:1 3.2 kV <λ/8
4000:1 1500:1 3.5 kV <λ/8
3500:1 1800:1 3.3 kV <λ/8
3000:1 1600:1 3.5 kV <λ/8
6pF
9pF
9pF
0.8 ns 1.1 ns 1.1 ns
晶体上施加λ 4电压后,电光晶体抵消λ 4波片的作用,接通光
路,产生短脉冲激光输出。
损耗高
损耗低
不能振荡
输出巨脉冲
调制电压
4
输 出 镜
聚光腔 YAG 晶体棒
偏振片
电光 4 晶体
全 反 镜
……
脉冲氙灯
激光电源
调Q模块
加压式调Q示意图
x2 no2
y2 no2
z2 ne2
1
二、普克尔Q开关
1. 电光效应
x2 y2 z2 no2 no2 ne2 1 x2 y2 z2 1 nx2 ny2 nz2
KDP纵向电光效应
n x
no
1 2
n
3 o
r6
3
E
z
n y
no
1 2
n
3 o
r63
E
z
nno3r63Ez
常用晶体的电光参量
相位延迟
2 nl
V / 2
2no3r63
电压与透射光强的关系
美国Cleveland Crystal公司〔该公司是英国Gooch and Housego的子公司〕生产的电光Q开关,开关速 度快,调Q频率高达10kHz以上,使用寿命超过两年, 是国际上最好的电光Q开关。

第三讲-电光调制器

第三讲-电光调制器

第三章电光调制器内容•电光调制的基本原理•铌酸锂(LiNbO3)电光调制器•半导体电吸收调制器(EAM)电光调制电光调制:将电信息加载到光载波上,使光参量随着电参量的改变而改变。

光波作为信息的载波。

强度调制的方式作为信息载体的光载波是一种电磁场:()()0cos E t eA t ωφ=+r r 对光场的幅度、频率、相位等参数,均可进行调制。

在模拟信号的调制中称为AM 、FM 和PM ;在数字信号的调制中称为ASK 、FSK 和PSK 。

调制器:将连续的光波转换为光信号,使光信号随电信号的变化而变化。

性能优良的调制器必须具备:高消光比、大带宽、低啁啾、低的偏置电压。

电光调制的主要方式直接调制:电信号直接改变半导体激光器的偏置电流,使输出激光强度随电信号而改变。

优点:采用单一器件成本低廉附件损耗小缺点:调制频率受限,与激光器弛豫振荡有关产生强的频率啁啾,限制传输距离光波长随驱动电流而改变光脉冲前沿、后沿产生大的波长漂移适用于短距离、低速率的传输系统电光调制的主要方式外调制:调制信号作用于激光器外的调制器上,产生电光、热光或声光等物理效应,从而使通过调制器的激光束的光参量随信号而改变。

优点:不干扰激光器工作,波长稳定可对信号实现多种编码格式高速率、大的消光比低啁啾、低的调制信号劣化缺点:额外增加了光学器件、成本增加增加了光纤线路的损耗目前主要的外调制器种类有:电光调制器、电吸收调制器调制器调制器连续光源光传输NRZ 调制格式其他调制格式: •相位调制•偏振调制•相位与强度调制想结合光传输RZ 调制格式脉冲光源电光调制折射率的改变通过电介质晶体Pockels 效应和半导体材料中的电光效应光吸收的改变通过半导体材料中的Franz-Keldysh效应量子阱半导体材料中的量子限制的Stark 效应光与物质相互作用相位调制偏振调制(双折射材料)强度调制强度调制通过-干涉仪结构-定向耦合光在晶体中的传播-电光效应在光与物质相互作用中,电场强度(E)与电极化矢量(P)的关系。

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4
电光调制
半波电压:是指调制器从关态到开态的驱动电压。 调制带宽:强度调制的调制带宽反映了器件工作的频率范围,它
的定义是调制深度落到其最大值的50%所对应的上下两频率之差。 调制带宽是量度调制器所能使光载波携带信息容量的主要参数。 特性阻抗:要获得好的特性阻抗就要减小电极和波导材料的电容。 透过率:调制器的输出光与输入光之比称为透过率。 消光比:消光比是衡量电光开关性能的指标。消光比越大越好, 因为切断时通过的光越小,切开效果越好。 插入损耗:插入损耗是反映调制器插入光路引起光功率损耗程度 的参数。对于外部调制器而言,必须保证器件的插入损耗最小。 品质因数:即驱动电压与电极长度的乘积。
9
电光效应
利用泡克耳斯电光效应实现电光调制可以分为两种情况: 一是施加在晶体上的电场在空间上基本是均匀的。但在
时间上是变化的。当一束光通过晶体之后,可以使一个随 时间变化的电信号转换成光信号,由光波的强度或相位变 化来体现要传递的信息,这种情况主要应用于光通信、光 开关等领域。 一种是施加在晶体上的电场在空间上有一定的分布, 形成电场图像,即随X和y坐标变化的强度透过率或相位分 布,但在时间上不变或者缓慢变化,从而对通过的光波进 行调制。
5
电光效应
电光调制的物理基础:电光效应 电光效应:当把电压加到电光晶体上时,电光晶体的折射率将
发生变化,结果引起通过该晶体的光波特性的变化,实现对光 信号的相位、幅度、强度以及偏振状态的调制。 电光效应包括克尔效应和泡克耳斯效应。 外加电场时晶体的折射率是电场E的函数,可表示为
n n0 aE bE2 ... 或 n n n0 aE bE 2 ...
折射率椭球方程可以描述光波在晶体 中的传播特性。
7
电光效应
克尔效应: 玻璃板在强电场作用下具有双折射性质,称克尔效应。内盛某
种液体的玻璃盒子称为克尔盒,盒内装有平行板电容器,加电压 后产生横向电场。无电场时液体为各向同性,光不能通过。存在 电场时液体具有了单轴晶体的性质,光轴沿电场方向,此时有光 通过。液体在电场作用下产生极化,这是产生双折射性的原因。 电场的极化作用非常迅速,撤去电场后在同样短的时间内重新变 为各向同性。克尔效应的这种瞬时反应的性质可用来制造几乎无 惯性的光的开关—光闸,在高速摄影、光速测量和激光技术中获 得了重要应用。
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电光效应
泡克耳斯效应: 一些晶体在纵向电场(电场方向与光的传播方向一致)
作用下会改变其各向异性性质,产生附加的双折射效应。 不加电场时,入射光在晶体内不发生双折射,光不能通过 检偏器。加电场后,晶体产生双折射,有光通过检偏器。 大多数压电晶体都能产生泡克耳斯效应。泡克耳斯效应与 克尔效应一样常用于光闸、激光器的 Q 开关和光波调制等。
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电光调制
电光调制是利用某些晶体材料在外加电场作用下折射率发生 变化的电光效应而进行工作的。
根据加在晶体上电场的方向与光束在晶体中传播的方向不同, 可分为纵向调制和横向调制。
纵向电光调制:电场方向与光的传播方向平行。 横向电光调制:电场方向与光的传播方向垂直。
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电光调制
由于纵向调制电光器件需要透明电极,器件工艺复杂、加工成 本大,因此常用的电光器件大多采用横向调制设计。 电光调制又有调相和调幅之分。 电光调相:不改变输出光的偏振态,只改变其相位。 电光调幅:是借助于晶体的电光效应,使光束的偏振态从线偏振
光变为椭圆偏振光,再通过检偏器转变为光的强度调制。
根据电光调制器器件结构的不同,可以分成体型电光制的主要方式
直接调试: 电信号直接改变半导体激光器的偏置电流,使输出激光强度
随电信号而改变。 优点:
采用单一晶体、成本廉价、附件损耗小。 缺点:
线性电光效应
二次电光效应
(Pockels效应) (Kerr效应)
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电光效应
折射率椭球 在晶体未加外电场时,主轴坐标系中 折射率椭球的方程为:
x2 y2 z2 1 n12 n22 n32
x,y,z为介质的主轴方向,在晶体 内沿着主轴方向的电位移D和电场强 度E是互相平行的;
n1、n2、n3为折射率椭球x,y和z方 向的折射率(主折射率)。
不干扰激光器工作,波长稳定;可对信号实现多种编码格式; 高速率、大的消光比;低啁啾、低的调制信号劣化。 缺点:
额外增加了光学器件、成本增加、增加了光线线路的损耗。
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纵向电光调制器
纵向电光强度调制(电光晶体KDP、通光方向与电场方向一致)
电光晶体KDP置于两个正交的偏振器之间。 P1的偏振方向平行于电光晶体的x轴,P2的偏振方向平行于y轴。 当沿晶体z轴方向加电场后,x和y轴旋转45°变为感应主轴x’和y’。 因此,沿z轴入射的光束经起偏器变为平行于x轴的线偏振光,进入晶
调制器:器件的主要功能是通过暂时改变光波的某一特性 而将信息加载到光波上。
开关:改变光线的空间位置,或者是将光导通或断开。
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电光调制
电光调制:将电信息加载到光载波上,使光参量随着电参量的改变而 改变。光波作为信息的载波。 对光场的幅度、频率、相位等参数,均可进行调制。 性能优良的调制器必须具备:高消光比、大带宽、低啁啾、低的偏置 电压。 电光调制器的主要参数有:半波电压、特性阻抗、调制带宽、调制深 度(调制效率)、透过率、消光比、插入损耗、品质因数等。
电光调制器
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C目录 ONTENTS
1 电光调制 2 电光效应 3 电光调制的主要方式 4 电光调制器的分类与应用 5 总结
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调制器和开关
在许多情形中,根据输入和输出端口的安排以及光波与 控制电信号之间相互作用的强度,同一个器件既可以起调 制器的作用,又可以具有开关的功能。在设计或评价调制 器和开关时,有许多相同的因素需要加以考虑,因而合在 一起讨论。
调制频率受限、与激光器弛豫振荡有关、产生强的频率啁啾、 限制传输距离、光波长随驱动电流而改变、光脉冲前沿和后沿产 生大的波长漂移;适用于短距离、低速率的传统系统。
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电光调制的主要方式
外调制: 调制信号作用于激光器外的调制器上,产生电光、热光或声
光等物理效应,从而使通过调制器的激光束的光参量随信号而 改变。 优点:
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