MHCHXM肖特基二极管MBR20100CT

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mbr20100ct_to_00001工作原理

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MBR20100CT是一种常规PN结肖特基二极管,它的工作原理与其他PN结二极管相似。

当正向偏置应用到二极管的正极(阳极),并且负向偏置应用到二极管的负极(阴极)时,一个内部电场会在PN结附近形成。

在这种情况下,当电子从P区向N区移动时,空穴从N区向
P区移动。

当电子和空穴进入PN结区域时,由于电场的作用,空穴和电子将被迫朝着反方向移动。

这种电子和空穴的移动会导致产生一个被称为正向偏置电流的电流流动。

然而,当逆向偏置应用到二极管时,电子和空穴都受到电场的压制,因此电流流动非常小。

MBR20100CT具有较高的额定电流和电压,因此在正向偏置
下工作时可以处理更大的电流。

此外,由于其肖特基结的特殊设计,它具有较低的开启电压和快速的切换特性。

总体而言,MBR20100CT的工作原理基于PN结肖特基二极管的基本工作原理,它在正向偏置下形成导电路径,而在逆向偏置下具有高阻抗。

这使得它成为电源线保护、电压调节和开关应用的理想选择。

MBR10200CT-MBR20100CT ASEMI高压肖特基二极管规格

MBR10200CT-MBR20100CT ASEMI高压肖特基二极管规格

MBR10200CT ASEMI高压肖特基二极管
肖特基二极管MBR10200CT参数规格:
肖特基二极管MBR10200CT电流:10A;
肖特基二极管MBR10200CT电压:200V;
肖特基二极管MBR10200CT管装:50/管;盒装:1000PCS/盒。

肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

MBR10200CT ITO-220AB肖特基二极管PDF资料
MBR10200CT肖特基类型:高结温芯片,品牌:ASEMI,
应用市场:电源,小家电,LED电源,各式充电器,开关电源,LED显示屏等。

MBR10200CT肖特基相关参数如下:
MBR10200CT电压Vrrm:200V
MBR10200CT电流If平均:10A
MBR10200CT正向电压Vf最大:0.87V
MBR10200CT电流,Ifs最大:150A
MBR10200CT工作温度范围:-40°C to+150°C
MBR10200CT封装形式:TO-220/TO-220F/ITO-220
MBR10200CT反向恢复电流,Irrm:10UA
肖特基系列型号:
MBR1040CT,MBR1045CT,MBR1060CT,MBR1060FCT, MBR10100CT,MBR10100FCT,MBR10150FCT,MBR10150CT, MBR10200FCT,MBR10200CT
肖特基二极管封装:TO-251,TO-252,TO-263,
TO-220,TO-247,TO-3P。

MBR1040CT-MBR1040FCT ASEMI高压大功率肖特基二极管规格

MBR1040CT-MBR1040FCT ASEMI高压大功率肖特基二极管规格

MBR1040CT MBR1040FCT MBR1040DC肖特基二极管参数PDF规格书MBR1040FCT等肖特基均采用俄罗斯Mikron芯片,28条台湾健鼎测试线,确保MBR1040FCT的高可靠性肖特基二极管MBR1040FCT参数规格:肖特基二极管MBR1040FCT电流:10A;肖特基二极管MBR1040FCT电压:40V;肖特基二极管MBR1040FCT管装:50/管;盒装:1000PCS/盒。

肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

MBR1040CT ITO-220AB肖特基二极管PDF资料MBR1040CT肖特基类型:高结温芯片,品牌:ASEMI,应用市场:电源,小家电,LED电源,各式充电器,开关电源,LED显示屏等。

MBR1040CT肖特基相关参数如下:MBR1040CT电压Vrrm:40VMBR1040CT电流If平均:10AMBR1040CT正向电压Vf最大:0.54VMBR1040CT电流,Ifs最大:120AMBR1040CT工作温度范围:-40°C to+150°CMBR1040CT封装形式:TO-220/TO-220F/ITO-220MBR1040CT反向恢复电流,Irrm:20UA肖特基系列型号:MBR1040CT,MBR1045CT,MBR1060CT,MBR1060FCT,MBR10100CT,MBR10100FCT,MBR10150FCT,MBR10150CT,MBR10200FCT,MBR10200CT肖特基二极管封装:TO-251,TO-252,TO-263,TO-220,TO-247,TO-3P。

肖特基二极管参数表

肖特基二极管参数表

肖特基二极管参数表【原创版】目录一、肖特基二极管概述二、肖特基二极管参数表详解三、肖特基二极管的应用场景四、结论正文一、肖特基二极管概述肖特基二极管,又称为肖特基势垒二极管,是一种金属与半导体接触的整流器件。

它具有很高的工作效率和较低的正向电压降。

肖特基二极管广泛应用于整流、限幅、开关和稳压等电路中。

二、肖特基二极管参数表详解肖特基二极管参数表主要包括以下几个方面:1.最大重复峰值反向电压(VRRM):表示二极管能够承受的最大重复峰值反向电压。

例如,MBR10200CT 肖特基二极管的 VRRM 为 200V。

2.最大直流闭锁电压(VDC):表示二极管在最大直流电压下仍能保持导通状态的电压值。

例如,MBR10200CT 肖特基二极管的 VDC 为 200V。

3.最大正向平均整流电流(I(AV)):表示二极管在最大正向电压下能够通过的平均整流电流。

例如,MBR10200CT 肖特基二极管的 I(AV) 为10.0A。

4.最大瞬时正向电压(VF):表示二极管在最大正向电流下对应的正向电压。

例如,MBR10200CT 肖特基二极管的 VF 为 0.92V。

5.额定直流阻断电压下的最大直流反向电流(IR):表示二极管在最大直流阻断电压下能够承受的最大直流反向电流。

例如,MBR10200CT 肖特基二极管的 IR 分别为 0.1mA(TA25)和 20.0mA(TA125)。

6.工作温度和存储温度范围(TJ,TSTG):表示二极管能够正常工作的温度范围和存储温度范围。

例如,MBR10200CT 肖特基二极管的 TJ,TSTG 为 -65to 175。

三、肖特基二极管的应用场景肖特基二极管广泛应用于以下场景:1.整流电路:将交流电转换为直流电,例如在电源电路中。

2.限幅电路:限制信号波形的幅值,例如在音频处理电路中。

3.开关电路:实现开关控制功能,例如在场效应管开关电路中。

4.稳压电路:稳定输出电压,例如在稳压电源电路中。

肖特基二极管结构原理及参数 知乎

肖特基二极管结构原理及参数 知乎

一、肖特基二极管结构原理肖特基二极管(Schottky Diode)是一种特殊的二极管,它的结构原理和普通的 PN 结二极管有所不同。

普通的 PN 结二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体材料构成的,而肖特基二极管是由金属和半导体材料构成的。

具体而言,肖特基二极管是由金属和半导体的接触界面构成的,通常是一种金属覆盖在 N 型半导体表面上,形成一种金属-半导体接触。

二、肖特基二极管的参数对于肖特基二极管来说,有一些关键的参数需要我们了解。

其中最重要的参数之一是肖特基势垒高度,记作Φ_B。

它是描述金属和半导体接触界面的势垒高度的重要参数。

另外,肖特基二极管还有正向电压降(V_F)、反向漏电流(I_R)、最大反向工作电压(V_RRM)等参数,这些参数都影响着肖特基二极管的性能和应用。

三、深度探讨:肖特基二极管的优势和应用相对于普通的 PN 结二极管,肖特基二极管具有许多优势和特点。

它的正向压降较小,约为0.3V左右,这意味着在一些特定的应用场合中,肖特基二极管可以替代普通的 PN 结二极管,实现更低的功耗和更高的效率。

肖特基二极管的开关速度非常快,这使得它在高频和射频电路中得到广泛应用。

四、广度探讨:肖特基二极管的应用领域肖特基二极管由于其独特的特性,在许多领域都有着广泛的应用。

在通信领域,肖特基二极管被广泛应用于射频功率放大器和射频混频器等电路中,用于实现信号的调制和解调。

在开关电源和电源管理领域,肖特基二极管也被用于设计高效、稳定的开关电源电路和直流电源管理电路。

在光伏领域、功率电子领域和微波领域,肖特基二极管也都有着重要的应用。

五、总结与回顾通过本文的深度和广度探讨,我们对肖特基二极管的结构原理和参数有了全面的了解。

肖特基二极管作为一种特殊的二极管,在功耗、开关速度和应用领域等方面有着许多优势,因此在现代电子电路中有着广泛的应用前景。

希望本文能够帮助读者深入理解肖特基二极管,并在实际应用中发挥其重要作用。

肖特基二极管的原理介绍

肖特基二极管的原理介绍

肖特基势垒二极管SBD(SchottkyBarrierDiode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。

其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。

这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。

中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。

一、肖特基二极管原理肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。

因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。

显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。

随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。

但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。

当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。

阳极(阻档层)金属材料是钼。

二氧化硅(SiO2)用来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。

N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。

在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。

通过调整结构参数,可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒,当加上正偏压E时,金属A和N型基片B分别接电源的正、负极,此时势垒宽度Wo变窄。

加负偏压-E时,势垒宽度就增加。

综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN 结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。

常用肖特基二极管型号

常用肖特基二极管型号

常用肖特基二极管型号:常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号,各管的主要参数见表4-43。

常用的表面封装肖特基二极管有FB系列,其主要参数见表4-44。

特基二极管F5KQ100F5KQ100肖特基二极管30CPQ14030CPQ140肖特基二极管30CPQ10030CPQ100肖特基二极管30CPQ09030CPQ090肖特基二极管30CPQ06030CPQ060肖特基二极管30CPQ04530CPQ045肖特基二极管MBRS260T3GMBRS260T3G肖特基二极管MBRS130T3GMBRS130T3G肖特基二极管MBRS320T3GMBRS320T3G肖特基二极管MBRS340T3GMBRS340T3G肖特基二极管MBRS140T3GMBRS140T3G肖特基二极管MBRS240LT3MBRS240LT3肖特基二极管MBRS230LT3MBRS230LT3肖特基二极管MBRS2040LTMBRS2040LT肖特基二极管MBR20100MBR20100肖特基二极管MBR3045MBR3045肖特基二极管MBR2545MBR2545肖特基二极管MBR2045MBR2045肖特基二极管MBR1545MBR1545肖特基二极管MBR1045MBR1045肖特基二极管MBR745MBR745肖特基二极管MBR3100MBR3100肖特基二极管MBR360MBR360肖特基二极管DSC01232DSC01232肖特基二极管SB3040SB3040肖特基二极管IN5817IN5817肖特基二极管IN5819IN5819肖特基二极管IN5818IN5818肖特基二极管IN5822IN5822肖特基二极管HER107HER107肖特基二极管HER207HER207肖特基二极管HER307HER307肖特基二极管FR105FR105肖特基二极管FR2050。

MBR20100FCT ASEMI品牌肖特基二极管

MBR20100FCT ASEMI品牌肖特基二极管

MBR20100FCT ASEMI品牌肖特基二极管原装MBR20100FCT 型号:MBR20100FCT
品牌:ASEMI
封装:TO-220
特性:MBR20200FCT
电性参数:20A 100V
芯片材质:Mikron
正向电流(Io):20A
芯片个数:2
正向电压(VF):0.87V
芯片尺寸:102mil
浪涌电流Ifsm:150A
漏电流(Ir):150A
工作温度:-55~+150℃
恢复时间(Trr):>5nS
引线数量:3
ASEMI半导体厂家-强元芯电子专业经营分离式元器件,主要生产销售整流桥系列封装(DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU);整流模块(MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF);汽车整流子(25A~50A STD&TVS Button、Cell、MUR);
肖特基二极管TO-220(MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封);肖特基TO-3P/247,整流二极管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、开关管、稳压管);玻璃钝化(GPP)六英寸晶圆等,各种封装参数在ASEMI都有详细介绍。

常用肖特基二极管型号及参数

常用肖特基二极管型号及参数

常用肖特基二极管型号及参数肖特基二极管是一种特殊的二极管,由于其具有较高的开关速度和低的开启电压,被广泛应用于电子领域中的高频电路、开关电路和功率放大电路等。

本文将介绍几种常用的肖特基二极管型号及其参数。

1. 1N58171N5817是一种常用的肖特基二极管,其最大反向电压为20V,最大正向电流为1A。

它具有快速恢复特性和低的正向压降,适用于高频开关电源和充电电路。

2. 1N58221N5822是一种常见的肖特基二极管,其最大反向电压为40V,最大正向电流为3A。

该型号的二极管具有较低的正向压降和较高的开关速度,适用于高频开关电源、稳压电路和逆变电路。

3. SR5100SR5100是一种高性能的肖特基二极管,其最大反向电压为100V,最大正向电流为5A。

该型号的二极管具有较低的反向电流和较高的开关速度,适用于高频开关电源、电机驱动和电源逆变器等应用。

4. BAT54BAT54是一种超小封装的肖特基二极管,其最大反向电压为30V,最大正向电流为200mA。

该型号的二极管具有快速恢复特性和低的正向压降,适用于便携式电子产品、无线通信和电源管理等领域。

5. SB5150SB5150是一种高性能的肖特基二极管,其最大反向电压为150V,最大正向电流为5A。

该型号的二极管具有较低的反向电流和较高的开关速度,适用于高频开关电源、电机驱动和电源逆变器等应用。

6. MBR20100CTMBR20100CT是一种高功率的肖特基二极管,其最大反向电压为100V,最大正向电流为20A。

该型号的二极管具有快速恢复特性和低的正向压降,适用于高功率开关电源、电机驱动和逆变器等高要求的应用。

肖特基二极管是一种具有快速恢复特性和低的正向压降的二极管。

常用的肖特基二极管型号包括1N5817、1N5822、SR5100、BAT54、SB5150和MBR20100CT等。

这些二极管具有不同的最大反向电压和最大正向电流,适用于不同的应用场景。

国内常用肖特基二极管型号在集结

国内常用肖特基二极管型号在集结

国内常用肖特基二极管型号在集结在电子元器件这个行业里面,会用到肖特基二极管的人很多,而且肖特基二极管本身的型号和封装也非常的多,所以下面由银联宝电子科技小编来为大家简单介绍一下,肖特基二极管常用的几种型号和封装。

一、肖特基二极管常用型号产品图肖特基二极管二、肖特基二极管型号大全TO-220AB:MBR20100CT、MBR10100CT、MBR2045CT、MBR1645CT、MBR30100CT、MBR10150CT、MBR3045CT、MBR20150CT、MBR1045CT。

ITO-220AB:MBR20100FCT、MBR10100FCT、MBR2045FCT、MBR1645FCT、MBR30100FCT、MBR10150FCT、MBR3045FCT、MBR20150FCT、MBR1045FCT。

TO-247:MBR4045PT、MBR30100PT、MBR40100PT、MBR60100PT、MBR40150PT、MBR30200。

TO-263:MBR30150DC、MBR3060DC、MBR3045DC、MBR20150DC、MBR2045DC、MBR20100DCSMA:SS12、SS14、SS15、SS16、SS120、SS22、SS24、SS26、SS32、SS34、SS36。

SMB: SS52、SS54、SS56、SS33、SS24、SS25、SS26、SS34、SS35、M7、SB240-SR260、SR2100、SR3100、SR540-SR560、SR5100、1N4007、1N5819。

三、肖特基二极管的特性1.肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管的正向压降要低很多,而且肖特基二极管自身的功耗较小,效率高。

2.由于肖特基二极管的反向电荷恢复时间极短,所以适宜工作在高频状态下。

3.而且肖特基二极管能耐受高浪涌电流。

4.以前的肖特基二极管反向耐压一般在200V以下,但现在的技术可以做到高达1000V的产品,所以肖特基二极管的应用范围十分广阔。

常用肖特基二极管参数

常用肖特基二极管参数

常用肖特基二极管参数双击自动滚屏发布者:admin 发布时间:2007-2-1 阅读:3310次型号制造商封装If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.5010MQ060N IR SMA 0.77 90 0.6510MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9610BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34SS12 GS DO214 1.00 20 0.50MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0.3910BQ040 IR SMB 1.00 40 0.53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55SS14 GS DO214 1.00 40 0.50MBRS140T3 ON - 1.00 40 0.6010BQ060 IR SMB 1.00 60 0.57SS16 GS DO214 1.00 60 0.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7510MQ040N IR SMA 1.10 40 0.5115MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.4530BQ015 IR SMC 3.00 15 0.3530BQ040 IR SMC 3.00 40 0.5130BQ060 IR SMC 3.00 60 0.5830BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79STPS340U STM SOD6 3.00 40 0.84MBRS340T3 ON - 3.00 40 0.52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45MBRS360T3 ON - 3.00 60 0.7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.57 6CWQ06FN IR DPAK 6.60 60 0.58 6CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 100 0.81 1N5817 ON 轴向 1.00 20 0.75 1N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55 SB130 GS 轴向 1.00 30 0.501N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60 MBR150 ON 轴向 1.00 50 1.00 MBR160 ON 轴向 1.00 60 1.0011DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.5511DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.5811DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.00 40 0.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.851N5821 ON 轴向 3.00 30 0.381N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52 MBR360 ON 轴向 3.00 60 1.00SS32 GS DO214 3.00 20 3.00 SS34 GS DO214 3.00 40 0.50 31DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85 SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57SB540 GS DO201 5.00 40 0.57 50SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.6650SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66 MBR735 GS TO220 7.50 35 0.84 MBR745 GS TO220 7.50 45 0.84 MBR745 IR TO220 7.50 45 0.84 80SQ040 IR 轴向8.00 40 0.53 STQ080 IR TO220 8.00 80 0.728TQ100 TO220 8.00 100 0.7280SQ040 IR 轴向8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 35 0.53 HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 600 1.7095SQ015 轴向9.00 15 0.3190SQ040 轴向9.00 40 0.4810TQ045 TO220 10.00 45 0.57MBR1035 GS TO220 10.00 35 0.84 MBR1045 ON TO220 10.00 45 0.84 STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64 MBR2060CT ON TO220 10.00 60 0.85 MBR1060 ON TO220 10.00 60 0.95 PBYR10100 PS TO220 10.00 100 0.7010TQ040 IR TO220 10.00 40 0.57 MBR1045 IR TO220 10.00 45 0.8410CTQ150-1 IR D2pak 10.00 150 0.7340L15CTS IR D2pak 10.00 150 0.4185CNQ015A IR D61 80.00 15 0.32150K40A IR D08 150.00 400 1.3312CTQ040 IR TO220 12.00 45 0.73 MBR1545CT IR TO220 pr 15.00 45 0.72 MBR1660 GS TO220 16.00 60 0.7516CTQ080 IR TO220 pr 16.00 80 0.7216CTQ100 IR TO220 pr 16.00 100 0.7216CTQ100-1 IR D2Pak 16.00 100 0.7218TQ045 ON TO220 18.00 45 0.60 HFA16PB120 IR TO247 16.00 1200 3.00 MBR1645 IR TO220AC 16.00 45 0.6319CTQ015 IR TO220 19.00 15 0.3620CTQ045 IR TO220 pr 20.00 45 0.6420TQ045 IR TO220 20.00 45 0.57 MBR2045CT IR TO220 pr 20.00 45 0.84 MBR2090CT IR TO220 pr 20.00 90 0.80 MBR20100CT IR TO220 pr 20.00 100 0.80 MBR20100CT-1IR TO262 20.00 100 0.80 MBR2080CT IR TO220AB 20.00 80 0.85 MBR2545CT IR TO220AB 30.00 45 0.82 MBR3045WT IR TO247 30.00 4532CTQ030 IR TO220 pr 30.00 30 0.4932CTQ303-1 IR D2Pak 30.00 30 0.4930CPQ060 IR TO220 pr 30.00 60 0.62 30CPQ080 IR TO247AC 30.00 80 0.86 30CPQ100 IR TO247 pr 30.00 100 0.86 30CPQ150 IR TO247 pr 30.00 150 1.00 40CPQ040 IR TO247 pr 40.00 40 0.49 40CPQ045 IR TO247 pr 40.00 45 0.49 40CPQ050 IR TO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IR TO247 pr 40.00 100 0.77 40L15CT IR TO220AB 40.00 15 0.5347CTQ020 IR TO220 40.00 20 0.3448CTQ060 IR TO220 40.00 60 0.5840L15CW IR TO247 40.00 15 0.5242CTQ030 IR TO220 40.00 30 0.3840CTQ045 IR TO220 40.00 45 0.6840L45CW IR TO247 40.00 45 0.7040CPQ060 ON TO247 40.00 60 0.68 MBR4045WT IR TO247 40.00 45 0.59 MBR4060WT IR TO247 40.00 60 0.77 43CTQ100 IR TO220 40.00 100 0.98 52CPQ030 IR TO247 50.00 30 0.38 MBR6045WT IR TO247pr 60.00 45 0.73 STPS6045CPI ON TOP3I 60.00 45 0.84 65PQ015 IR TO247 65.00 15 0.5072CPQ030 IR TO247AC 70.00 30 0.51 85CNQ015 IR D61 80.00 15 0.3283CNQ100 IR D61 80.00 100 0.6780CPQ020 IR TO247 80.00 20 0.3282CNQ030A IR D61 80.00 30 0.3782CNQ045A IR D61 80.00 45 0.4783CNQ100A IR D61 80.00 100 0.67 120NQ045 IR HALFPAK 120.00 45 0.52 125NQ015 IR D67 120.00 15 0.33 122NQ030 IR D67 120.00 30 0.41 STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 45 0.95 182NQ030 IR D67 180.00 30 0.41 200CNQ040 IR TO244AB 200.00 40 0.54 200CNQ045 IR TO244AB 200.00 45 0.54 200CNQ030 IR TO244AB 200.00 30 0.48 STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 45 0.91 203CMQ080 IR TO244 200.00 80 1.03 240NQ045 IR HALFPAK 240.00 45 0.55301CNQ045 IR TO244 300.00 45 0.59 403CNQ100 IR TO244AB 400.00 100 0.83 440CNQ030 IR TO244AB 440.00 30 0.41。

关于肖特基MBR系列

关于肖特基MBR系列

关于肖特基MBR系列:为什么要取名为“MBR”?M:是以最早MOTOROLA的命名,取MB:Bridge 桥,整流桥R:Rectifier,整流器SCHOTTKY:肖特基SCHOTTKY RECTIFIER DIODES:肖特基整流二极管。

肖特基二极管也称肖特基势垒二极管(简称SBD),国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....、1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

2、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N 外延层(砷材料)、N型硅基片、N阴极层及阴极金属等构成。

在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。

当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。

肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。

采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。

它有单管式和对管(双二极管)式两种封装形式。

肖特基对管又有共阴(两管的负极相连)、共阳(两管的正极相连)和串联(一只二极管的正极接另一只二极管的负极)三种管脚引出方式。

采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式,有A~19种管脚引出方式。

3、常用的肖特基二极管常用的有引线式肖特基二极管有1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型号。

常用的表面封装肖特基二极管,SCHOTTKY取第一个字母“S”,片式表面贴片SMD取第一个字母“S”,即为SS,如:SS12、SS14....电流最小的肖特基是BAT42(0.2A);BAT54、BAT54A、BAT54C(0.3A);电流最大的肖特基是440A,如:440CMQ030、444CNQ045;超过440A的必定是模块。

肖特基二极管常用参数大全

肖特基二极管常用参数大全

肖特基(势垒)二极管(简称SBD)整流二极管的基本原理•FCH10A15型号简称:10A15•主要参数:IF(AV)=10A, VRRM=150V•产品封装:TO-220F•脚位长度:6-12mm•可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR•型号全名:FCH20A15•型号简称:20A15•主要参数:20A 150V•产品封装:TO-220F•可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR•在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。

肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。

其耐压程度只有40V左右。

其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。

因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

肖特基整流二极管的主要参数•以下是部分常用肖特基二极管型号,以及耐压和整流电流值:肖特基二极管肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 400.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BAT54A PS SOT23 0.20 300.5010MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .6510MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 60.34SS12 GS DO214 1.00 200.50MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .3910BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55SS14 GS DO214 1.00 400.50MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .6010BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57SS16 GS DO214 1.00 600.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 510MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .5115MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45.3530BQ040 IR SMC 3.00 40 0 .5130BQ060 IR SMC 3.00 60 0 .5830BQ100 IR SMC 3.00 100 0.7 9STPS340U STM SOD6 3.00 40 0.84MBRS340T3 ON - 3.00 40 0 .52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45MBRS360T3 ON - 3.00 60 0 .7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6 230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7 030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5 250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5 350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.5 76CWQ06FN IR DPAK 6.60 60 0.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 100 0.811N5817 ON 轴向 1.00 20 0.751N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55SB130 GS 轴向 1.00 30 0.501N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60MBR150 ON 轴向 1.00 50 1.00MBR160 ON 轴向 1.00 60 1.0011DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.5511DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.5811DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.00 40 0.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.851N5821 ON 轴向 3.00 30 0.381N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52MBR360 ON 轴向 3.00 60 1.00SS32 GS DO214 3.00 203.00SS34 GS DO214 3.00 400.5031DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57SB540 GS DO201 5.00 40 0.5750SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.66 50SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66MBR735 GS TO220 7.50 35 0.84MBR745 GS TO220 7.50 45 0.84MBR745 IR TO220 7.50 45 0.8480SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53STQ080 IR TO220 8.00 80 0.728TQ100 TO220 8.00 1000.7280SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 35 0.53HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 600 1.7095SQ015 轴向 9.00 15 0.3190SQ040 轴向 9.00 40 0.4810TQ045 TO220 10.00 45 0.5 7MBR1035 GS TO220 10.00 35 0.84MBR1045 ON TO220 10.00 45 0.84STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64MBR2060CT ON TO220 10.00 60 0.85MBR1060 ON TO220 10.00 60 0.95PBYR10100 PS TO220 10.00 100 0.7010TQ040 IR TO220 10.00 40 0.57 MBR1045 IR TO220 10.00 45 0.8410CTQ150-1 IR D2pak 10.00 150 0.73 40L15CTS IR D2pak 10.00 150 0.41 85CNQ015A IR D61 80.00 15 0.32150K40A IR D08 150.00 400 1.33 12CTQ040 IR TO220 12.00 45 0.73MBR1545CT IR TO220pr 15.00 45 0.72MBR1660 GS TO220 16.00 60 0.75 16CTQ080 IR TO220 pr 16.00 80 0.7216CTQ100 IR TO220 pr 16.00 100 0.7216CTQ100-1 IR D2Pak 16.00 100 0.7218TQ045 ON TO220 18.00 45 0.60HFA16PB120 IR TO247 16.00 1200 3.00MBR1645 IR TO220AC 16.00 45 0.63 19CTQ015 IR TO220 19.00 15 0.3620CTQ045 IR TO220 pr 20.00 45 0.6420TQ045 IR TO220 20.00 45 0.57 MBR2045CT IR TO220 pr 20.00 45 0.84MBR2090CT IR TO220 pr 20.00 90 0.80 MBR20100CT IR TO220 pr 20.00 100 0.80MBR20100CT-1IR TO262 20.00 100 0.80 MBR2080CT IR TO220AB 20.00 80 0.85 MBR2545CT IR TO220AB 30.00 45 0.82 MBR3045WT IR TO247 30.00 4532CTQ030 IR TO220 pr 30.00 30 0.49 32CTQ303-1 IR D2Pak 30.00 30 0.49 30CPQ060 IR TO220 pr 30.00 60 0.62 30CPQ080 IR TO247AC 30.00 80 0.86 30CPQ100 IR TO247 pr 30.00 100 0.8630CPQ150 IR TO247 pr 30.00 150 1.0040CPQ040 IR TO247 pr 40.00 40 0.49 40CPQ045 IR TO247 pr 40.00 45 0.49 40CPQ050 IR TO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IR TO247 pr 40.00 100 0.7740L15CT IR TO220AB 40.00 15 0.53 47CTQ020 IR TO220 40.00 20 0.34 48CTQ060 IR TO220 40.00 60 0.5840L15CW IR TO247 40.00 15 0.5242CTQ030 IR TO220 40.00 30 0.38 40CTQ045 IR TO220 40.00 45 0.6840L45CW IR TO247 40.00 45 0.7040CPQ060 ON TO247 40.00 60 0.68 MBR4045WT IR TO247 40.00 45 0.59 MBR4060WT IR TO247 40.00 60 0.77 43CTQ100 IR TO220 40.00 100 0.9852CPQ030 IR TO247 50.00 30 0.38 MBR6045WT IR TO247pr 60.00 45 0.73STPS6045CPI ON TOP3I 60.00 45 0.8465PQ015 IR TO247 65.00 15 0.50 72CPQ030 IR TO247AC 70.00 30 0.5185CNQ015 IR D61 80.00 15 0.32 83CNQ100 IR D61 80.00 100 0.6780CPQ020 IR TO247 80.00 20 0.32 82CNQ030A IR D61 80.00 30 0.37 82CNQ045A IR D61 80.00 45 0.47 83CNQ100A IR D61 80.00 100 0.67 120NQ045 IR HALFPAK 120.00 45 0.52125NQ015 IR D67 120.00 15 0.33 122NQ030 IR D67 120.00 30 0.41 STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 45 0.95182NQ030 IR D67 180.00 30 0.41 200CNQ040 IR TO244AB 200.00 40 0.54200CNQ045 IR TO244AB 200.00 45 0.54200CNQ030 IR TO244AB 200.00 30 0.48STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 45 0.91203CMQ080 IR TO244 200.00 80 1.03 240NQ045 IR HALFPAK 240.00 45 0.55301CNQ045 IR TO244 300.00 45 0.59 403CNQ100 IR TO244AB 400.00 100 0.83440CNQ030 IR TO244AB 440.00 30 0.41肖特基整流二极管型号额定I(AV)A VRRM V向峰值电压浪涌电流IFSM A 反向恢复时间ns SB020 0.6 20 20 10SB030 0.6 30 20 10SB040 0.6 40 20 101N5817 1 20 25 10 1N5818 1 30 25 10 1N5819 1 40 25 10 SB120 1 20 40 10 SB130 1 30 40 10 SB140 1 40 40 10 SB150 1 50 40 5 SB160 1 60 40 5 SR120 1 20 40 20 SR130 1 30 40 20 SR140 1 40 40 20 SR150 1 50 40 20 SR160 1 60 40 20 SR180 1 80 40 20 SR1A0 1 100 40 20 SB220 2 20 50 20 SB230 2 30 50 20 SB240 2 40 50 20 SB250 2 50 50 20 SB260 2 60 50 20 SR220 2 20 50 10 SR230 2 30 50 10 SR240 2 40 50 10 SR250 2 50 50 10 SR260 2 60 50 10 SR280 2 80 50 10 SR2A0 2 100 50 10 1N5820 3 20 80 20 1N5821 3 30 80 20 1N5822 3 40 80 20 SB320 3 20 80 20 SB330 3 30 80 20 SB340 3 40 80 20 SB350 3 50 80 10 SB360 3 60 80 10 SR320 3 20 80 20 SR330 3 30 80 20 SR340 3 40 80 20 SR350 3 50 80 20 SR360 3 60 80 20 SR380 3 80 80 20 SR3A0 3 100 80 20 SB520 5 20 150 50 SB530 5 30 150 50SB540 5 40 150 50 SB550 5 50 150 25 SB560 5 60 150 25 SR520 5 20 150 50 SR530 5 30 150 50 SR540 5 40 150 50 SR550 5 50 150 25 SR560 5 60 150 25 SR580 5 80 150 25 SR5A0 5 100 150 25。

肖特基二极管结构原理及参数 知乎

肖特基二极管结构原理及参数 知乎

肖特基二极管结构原理及参数知乎肖特基二极管是一种常见且重要的半导体器件,具有许多独特的特性和广泛的应用。

它与普通二极管相比,拥有更高的开关速度、较低的反向电流以及更低的电压下的工作能力。

那么,让我们深入探讨一下肖特基二极管的结构原理和参数,并了解其在实际应用中的重要性。

一、结构原理肖特基二极管由P型半导体和n型金属或合金构成。

正如其名字所示,这种二极管是以物理学家沃尔特·肖特基的名字命名的。

1.1 结构示意图肖特基二极管的结构由两个主要部分组成:P型区和肖特基金属结区。

P型区与n型金属之间形成一个肖特基势垒,这种势垒具有吸收和透射电子的特性。

1.2 肖特基势垒形成原因肖特基势垒的形成是由P型区和n型金属之间的结合引起的。

具体来说,当P型区与n型金属接触时,通过复杂的界面反应,形成了一个类似PN结的界面。

在该界面上,P型区中电子的能级高于n型金属中电子的能级,因此会发生电子从P型区向n型金属的扩散。

而由于肖特基金属的特殊属性,它可以使这些从P型区扩散过来的电子透射到n型金属中。

这个过程将导致P型区与n型金属之间形成一个肖特基势垒,使得肖特基二极管具备了与普通二极管截然不同的性能。

二、参数分析了解肖特基二极管的结构原理之后,让我们来探讨一些与该器件相关的重要参数。

2.1 肖特基二极管的正向电压和反向电压能力正向电压是指在正向偏置下,肖特基二极管中电流开始流动的最低电压。

与普通二极管相比,肖特基二极管的正向电压往往更低,通常在0.2V至0.5V之间。

这意味着在正向工作条件下,肖特基二极管比普通二极管具有更低的能耗和更高的效率。

反向电压能力是指肖特基二极管能够承受的最大反向电压。

由于肖特基势垒较低,该参数通常在比较低的范围内,一般为20V至50V。

2.2 肖特基二极管的开关速度开关速度是指肖特基二极管从导通到截止的转换时间。

由于肖特基势垒的形成,肖特基二极管的开关速度往往比普通二极管更快。

这使得它特别适用于高频应用。

mbr20100ctp二极管参数

mbr20100ctp二极管参数

mbr20100ctp二极管参数1. 概述1.1 MBR20100CTP简介:1.1.1 制造商和型号:MBR20100CTP是一款二极管,由一些知名的电子元器件制造商生产,如ON Semiconductor等。

1.1.2 整流二极管:MBR20100CTP属于整流二极管的范畴,主要用于电源和电路中的整流功能。

1.2 二极管的基本原理:1.2.1 PN结构:二极管具有PN结构,其中P型半导体和N型半导体通过一个特定的结构相连,形成一个二极管。

1.2.2 导通和截止:当施加正向电压时,二极管导通,允许电流流动;而在反向电压下,二极管截止,几乎不允许电流通过。

1.3 MBR20100CTP的应用领域:1.3.1 开关电源:MBR20100CTP常用于开关电源中,用于整流电流并将其转换为直流电源。

1.3.2 逆变器:在逆变器电路中,MBR20100CTP也可以用作整流二极管,将交流电源转换为直流电源。

2. 电气参数2.1 正向电压降(Vf):2.1.1 定义:正向电压降是指在正向电流通过时,二极管两端的电压降。

2.1.2 Typical值:MBR20100CTP的正向电压降Typical值通常为0.85V,这意味着在正常工作条件下,二极管的正向电压降约为0.85V。

2.2 反向击穿电压(Vr):2.2.1 定义:反向击穿电压是指在反向电流通过时,达到的最大电压。

2.2.2 典型值:MBR20100CTP的反向击穿电压Typical值为100V,这是在规定条件下的标准值,用于确保二极管在反向电压下的可靠性。

2.3 额定正向电流(Ir):2.3.1 定义:额定正向电流是指在正向电压下,二极管可持续通过的最大电流。

2.3.2 Typical值:MBR20100CTP的额定正向电流Typical值为20A,表示在规定条件下,二极管能够安全地承受20安的正向电流。

2.4 反向漏电流(Ir):2.4.1 定义:反向漏电流是指在反向电压下,通过二极管的微小电流。

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MBR20100CT
Package
Primary Use
◆ Low Voltage High Frequency Switching Power Supply. ◆ Low Voltage High Frequency Invers Circuit. ◆ Low Voltage Continued Circuit and Protection Circuit.
ITO-220AB TO-220AB
Summarize
MBR20100 Schottky diode,in the manufacture uses the main process technology includes: Silicon epitaxial substrate, P+ loop technology,The potential metal and the silicon alloy technology, the device uses the two chip, the common cathode, the plastic half package structure.
VDC IFAV
DHale Waihona Puke ta 100100 20 10
Unit V
V A
maximal DC interdiction voltage Average Rectified Forward Current TC=150℃ Whole Device unilateral
Forward Peak Surge Current(Rated Load 8.3 Half Mssine Wave-According to JEDEC Method) Operating Junction Temperature Storage Temperature
IFSM TJ TSTG
150 -40- +170 -40- +170
A ℃ ℃
Electricity Character
Item IR VF Test Condition Minimum representative TJ =25℃ VR=VRRM TJ =125℃ TJ =25℃ IF=10A Maximum Value 100 10 0.82 Unit uA mA v
Character Curve
The forward voltage and forward current curve.
The reverse leak current and the reverse voltage (single-device) curve.
The crunode capacitance curve
Typical Reference Data
VRRM=100V IF(AV)= 20A
Internal Equivalent Principle
Absolute Maximum Ratings
Item Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage Symbol VRRM
ELECTRONIC
Productor Character
◆ ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure. Multilayer Metal -Silicon Potential Structure. Low Power Waste,High Efficiency. Beautiful High Temperature Character. Have Over Voltage protect loop,high reliability. RoHs Product.
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