模拟电子技术习题及答案

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模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。

〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。

设二极管的导通压降为ud=0.7v。

adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。

解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。

6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。

1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。

模拟电子技术习题及答案

习题55.1在以下几种情况下，应分别采用哪种类型的滤波电路〔低通、高通、带通、带阻〕。

（1）从输入信号中提取100kHz～200kHz的信号；（2）抑制1MHz以上的高频噪声信号；（3）有用信号频率为1GHz以上的高频信号；（4）干扰信号频率介于1 kHz～10 kHz；解答：〔1〕带通滤波器；〔2〕低通滤波器；〔3〕高通滤波器；〔4〕带阻滤波器。

5.2在以下各种情况下，应分别采用哪种类型〔低通、高通、带通、带阻〕的滤波电路。

〔1〕抑制50Hz交流电源的干扰；〔2〕处理具有1Hz固定频率的有用信号；〔3〕从输入信号中取出低于2kHz的信号；〔4〕抑制频率为100kHz以上的高频干扰。

解：〔1〕带阻滤波器〔2〕带通滤波器〔3〕低通滤波器〔4〕低通滤波器5.3填空：〔1〕为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。

〔2〕输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。

（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。

〔4〕为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。

解：〔1〕带阻〔2〕带通〔3〕低通〔4〕有源5.4无源一阶RC低通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。

解答：时间常数，3dB5.5无源一阶RC高通滤波电路的截止频率决定于的倒数，在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。

解答：时间常数，3dB5.6 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路那么以 /十倍频斜率衰减。

阶数越，阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。

解答：-20 dB ，-40 dB ，高。

5.7 试求题图所示电路的传递函数和频率响应表达式。

题图解答：()1v sR C A s sR C =+，j (j )1j v R CA R Cωωω=+5.8 题图5.8中所示为一个一阶低通滤波器电路，试推导输入与输出之间的传递函数，并计算截止角频率H ω。

模拟电子技术基础习题及答案

第一章半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。

如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。

（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。

此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。

已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。

试求：（1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。

模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1

习题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。

若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。

解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ，当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ，当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ，当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。

题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。

解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ，当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。

题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。

解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。

模拟电子技能技术总结习题及答案

精心整理模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。

3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

456781．1A2．A3A4A5A1．12341．1值。

解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U＝(6—0.7)V＝5.3V。

(b)令二极管断开，可得UP ＝6V、UN＝10V，UP<UN，所以二极管反向偏压而截止，U＝10V。

(c)令V1、V2均断开，UN1＝0V、UN2＝6V、UP＝10V，UP—UN1>Up—UN2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U＝0.7V。

2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出ui 、u、iD的波形。

解：输入电压ui 为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u＝0，而流过二极管的电流iD ＝ui／R，为半波正弦波，其最大值IDm＝10V／1kΩ＝10mA；当ui为负半周时，二极管反偏截止，iD ＝0，u＝ui为半波正弦波。

因此可画出电压u电流iD的波形如图(b)所示。

3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知UZ ＝5V，IZ＝5mA，电压表中流过的电流忽略不计。

试求当开关s断开和闭合时，电压表和电流表、读数分别为多大?解：当开关S断开，R2支路不通，IA2＝0，此时R1与稳压二极管V相串联，因此由图可得可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5V。

当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得R2两端压降为故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R1、R2构成串联电路，电流表A1、A2的读数相同，即而电压表的读数，即R2两端压降为3.6V。

第2章半导体三极管及其基本应用2．1填空题12种载流子参与导电。

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。

2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。

A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

模拟电子技术复习题+参考答案

模拟电子技术复习题+参考答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。

( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、射极输出器是典型的（）。

A、电压并联负反馈；B、电压串联负反馈。

C、电流串联负反馈；正确答案：B3、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案：A4、二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。

（）A、对 :B、错正确答案：B5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。

A、正确 ;B、错误正确答案：A6、双极三极管是一种（）A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案：B7、理想集成运放的输入电阻为（）。

A、0；B、不定。

C、∞；正确答案：C8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。

A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案：C10、基本放大电路中的主要放大对象是( )。

A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。

正确答案：B11、晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。

（）A、对 :B、错正确答案：B12、集成运放的非线性应用存在( )现象。

A、虚断;B、虚地;C、虚断和虚短。

正确答案：A13、若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏。

D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：B14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。

( )A、错误B、正确 ;正确答案：A15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。

模拟电子技术考试模拟题+答案

模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案：C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案：C3、为了提高交流放大电路的带负载能力，应选用( )作为输出级。

A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案：C4、功率放大电路的转换效率是指( )。

A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案：B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案：B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。

A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案：A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。

A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案：D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。

稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案：A10、安装桥式整流电路时，若将其中一只二极管虚焊，则通电工作时可能产生的后果是( )。

A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案：B11、在固定偏置放大电路中，如果负载电阻增大，则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案：C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真，则该放大电路产生了( )失真。

模拟电子技术习题及答案

一、判断题：1、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（错）2、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（对）3、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（错）4、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（错）5、可以说任何放大电路都有功率放大作用。

（对）6、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的。

（错）7、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（对）8、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

（错）9、现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。

( 错 )10、阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( 对 )它只能放大交流信号。

( 对 )11、直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( 对 )它只能放大直流信号。

( 错 )12、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。

( 错 )13、运放的共模抑制比c dCMR A A K ( 对 )14、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。

( 错 )15、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。

（错）16、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。

（错）17、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。

（错）18、放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，放大倍数就越稳定。

（错）19、反馈量仅仅决定于输出量。

（对）20、既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。

（错）21、运算电路中一般均引入负反馈。

（对）22、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。

（错）23、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

（对）24、只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。

《模拟电子技术》试卷及答案

《模拟电子技术》试卷及答案（本题共5小题，每小题4分，共20 分）一、填空题1.多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。

2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。

由此可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。

若已知I1电流方向流入晶体管，则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。

3. 硅二极管导通压降的典型值是V、锗二极管导通压降的典型值是V；NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管；PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。

4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。

5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为反馈。

放大电路通常采取反馈。

6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。

（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、判断正、误题1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

（）3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。

（）4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V。

（）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。

（）6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。

（）7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。

（）8. 放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。

模拟电子技术课后习题及答案

第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。

（）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。

（）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。

（）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。

（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是。

A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

解：U O1＝6V，U O2＝5V。

五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。

《模拟电子技术》复习题10套及答案

.《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型.图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 模拟电路中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 在理想运算放大器中，输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B3. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案：C4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D5. 在运算放大器电路中，虚短是指：A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案：ACD2. 运算放大器的典型应用包括：A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案：ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力？A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案：ABD5. 在模拟电路中，负反馈的作用包括：A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，信号的放大是通过________来实现的。

答案：晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。

答案：零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。

答案：电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流（DC）到________赫兹。

答案：几十兆5. 在模拟电路设计中，________是用来减少信号失真的。

答案：负反馈四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的区别。

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1.1填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2.本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体,其多数载流子是3±—;若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体,其多数载流子是空穴o3. PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。

4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。

5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。

稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。

8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为V,该二极管的直流电阻等于650 交流电阻等于26 Q。

1. 2单选题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（C ）。

A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷2. PN结形成后，空间电荷区由（D ）构成。

A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（B ）。

A.减小B.基本不变C.增大4.流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将（C ）o A.增大B.基本不变C.减小5.变容二极管在电路中主要用作（D ）o、A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（V ）2.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（X ）3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。

（X ）4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。

（X ）1.4分析计算题1.电路如图TL 1所示，设二极管的导通电压仄丽）二，试写出各电路的输出电压Uo值。

解：（a）二极管正向导通，所以输出电压U0= （6—V= Vo（b）令二极管断开，可得5=6 V、U N=10 V, IUU N,所以二极管反向偏压而截止，Uo=10 Vo（c）令1、V,2均断开，U N尸0V、U N2=6V、U P=10V,U P—UQUp—LU,故％优先导通后，V2截止，所以输出电压Uo= V o2.电路如图TL 2所示，二极管具有理想特性，已知ui=（sin3t）V,试对应画出口、U。

模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_3

习题题 3.1 在题图 3.1 所示的电路中，1T 、2T 、3T 的特性都相同，且321βββ==很大，===3BE 2BE 1BE U U U 0.7V ，计算21U U −。

题图3.1 解：43.1107.01511BE CC REF 1C 2C =−=−==≈R U V I I I mA ， 85.743.157.02C 23BE 21=⨯+=⋅+=−∴I R U U U V 。

题3.2 由对称三极管组成题图3.2所示的微恒流源电路。

设三极管的β相等，=BE U 0.6V ，=CC V +15V 。

要求：①设反向饱和电流2S 1S I I =，根据三极管电流方程导出工作电流C1I 与2C I 之间的关系式。

②若要求mA 5.01C =I ，μA 202C =I ，则电阻R 、E R 。

题图3.2解：①2C 1C E T 1E 2E 2C ln I I R U I I I ⋅≈=≈， RU V I I BE CC 1C REF −=≈。

②mA 5.01C =I ，μA 202C =I 时，Ωk 8.285.06.015C1BE CC =−=−=I U V R ， Ωk 18..4ln 2C C12C T E =⋅=I I I U R 。

题3.3 题图3.3所示电路是某集成运放的一个多路输出恒流源电路。

图中所有三极管均为硅管，−=BE U 0.7V ，>>β1。

计算1o I 、2o I 和3o I 。

题图3.3解：mA 265.0203.57.0)6(00E REF ==+−−−=R R I ， μΑ3.5265.0255.01E 0E REF 1o =⨯=⋅=R R I I ， m Α1325.0265.015.02E 0E REF 3o 2o =⨯=⋅==R R I I I 。

题 3.4 在题图 3.4 所示的一种改进型镜像恒流源中，设==21U U 10V ，Ωk6.81=R ，Ωk7.42=R ，三个晶体管的特性均相同，且=β50，=BE U 0.7V 。

(完整版)模拟电子技术测试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。

2、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为0，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷，等效成断开；4、三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变小，发射结压降不变。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电压并联负反馈，为了稳定交流输出电流采用串联负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/（1/A+F），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW，其中BW=fH –fL，1+AF称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率放大器。

13、OCL电路是双电源互补功率放大电路；OTL电路是单电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1，输入电阻大，输出电阻小等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为载波信号。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy，电路符号是。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（ C ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ F ）状态。

模拟电子技术第一章习题与答案

模拟电⼦技术第⼀章习题与答案第⼀章习题与答案1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？答：⼆极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称⼆极管正向偏置，简称正偏，此时⼆极管处于导通状态，流过⼆极管电流称作正向电流。

⼆极管阳极接电源负极，阴极接正极，⼆极管处于反向偏置，简称反偏，此时⼆极管处于截⽌状态，流过⼆极管电流称为反向饱和电流。

把⼆极管正向偏置导通、反向偏置截⽌的这种特性称之为单向导电性。

2.锗⼆极管与硅⼆极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。

硅⼆极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗⼆极管约0.2～0.3V。

硅管的反向电流⽐锗管⼩，硅管约为1uA，锗管可达⼏百uA。

3.为什么⼆极管可以当作⼀个开关来使⽤？答：⼆极管在正向电压作⽤下电阻很⼩，处于导通状态，相当于⼀只接通的开关；在反向电压作⽤下，电阻很⼤，处于截⽌状态，如同⼀只断开的开关。

4.普通⼆极管与稳压管有何异同？普通⼆极管有稳压性能吗？答：普通⼆极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作⽤下，导通电阻很⼩；⽽在反向电压作⽤下导通电阻极⼤或⽆穷⼤。

稳压⼆极管的稳压原理：稳压⼆极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。

⽽普通⼆极管反向击穿后就损坏了。

这样，当把稳压管接⼊电路以后，若由于电源电压发⽣波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。

因此，普通⼆极管在未击穿的条件下具有稳压性能。

5.选⽤⼆极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？答：正向电流IF：在额定功率下，允许通过⼆极管的电流值。

正向电压降VF：⼆极管通过额定正向电流时，在两极间所产⽣的电压降。

最⼤整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续⼯作的情况下，允许的最⼤半波电流的平均值。

反向击穿电压VB：⼆极管反向电流急剧增⼤到出现击穿现象时的反向电压值。

模拟电子技术基础自测题及答案

自测题一一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电;2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体;1．半导体中的少数载流子产生的原因是 ;A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将 ;A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将 ;A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映能力的参数;A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=,V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次是 ;A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 ;A ．非饱和区B ．饱和区C ．截止区D ．击穿区1．在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ;3．PN 结正偏导通,反偏截止,称为PN 结的性能;6．三极管最重要的特性是 ;8．场效应晶体管属于控制器件;自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS管沟道增强型沟道增强型自测题二一、判断题1．晶体管的输入电阻r是一个动态电阻,故它与静态工作点无关;be2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;5．直接耦合放大电路只能放大直流信号,不能放大交流信号;二、单选题1．在基本共射放大电路中,负载电阻减小时,输出电阻将 ;A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定2．在基本共射放大电路中,信号源内阻减小时,输入电阻将 ;A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定6．晶体管能够放大的外部条件是 ;A．发射结正偏,集电结正偏 B．发射结正偏,集电结反偏C．发射结反偏,集电结正偏 D．发射结反偏,集电结反偏7．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 ;A．电压放大倍数高 B．输出电流小C．输出电阻增大 D．带负载能力强三、填空题1．要使三极管放大电路不失真,必须设置合理的 ;2．在三极管放大电路中,静态工作点过高会产生失真;3．若放大电路静态工作点选的过低,信号容易产生失真;4．基本共射放大电路,当温度升高时,Q 点将向移;5．若三极管发射结正偏,集电结也正偏则三极管处于状态;L 则其电压放大倍数 ;自测题二一、判断题1.错2.对3.错4.错5.错二、单选题三、填空题1.静态工作点2.饱和3.截止4.上5.饱和6.相同7.强8.越大 10.2H L ωωπ- 自测题三一、判断题1．测得两共射放大电路空载电压放大倍数均为－100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000;3．阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号;二、单选题1．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 ;A ．电阻阻值有误差B ．晶体管参数的分散性C ．晶体管参数受温度影响D ．受输入信号变化的影响2．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 ;A ．电压放大倍数高B ．输出电流小C ．输出电阻增大D ．带负载能力强3．多级放大电路与单级放大电路相比,电压增益和通频带 ;A ．电压增益减小,通频带变宽B ．电压增益减小,通频带变窄C ．电压增益提高,通频带变宽D ．电压增益提高,通频带变窄4．有两个放大器,空载时的输出电压均为3V,当它们接入相同的负载时,甲放大器的输出电压为2V,乙放大器的输出电压为1V,则说明甲比乙的 ;A ．输入电阻大B ．输入电阻小C ．输出电阻大D ．输出电阻小三、填空题1．在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的 ;2．在多级放大电路中,前级的输出电阻可视为后级的 ;3．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用耦合方式;5．多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要 ;6．放大器级间耦合方式有三种：耦合；耦合；耦合；在集成电路中通常采用耦合;自测题三一、判断题1.错2.错3.对4.错二、单选题三、填空题1.负载2.信号源内阻3.直接4.好5.窄6.直接,阻容,变压器,直接自测题四一、判断题1．运放的共模抑制比c d CMR A A K 3．互补输出级应采用共集或共漏接法;4．对于长尾式差动放大电路,不论是单端输入还是双端输入,在差模交流通路中,射极电阻E R 一概可视为短路;二、单选题1．放大电路产生零点漂移的主要原因是 ;A ．放大倍数太大B ．采用了直接耦合方式C ．晶体管的噪声太大D ．环境温度变化引起参数变化2．为更好的抑制零漂,集成运放的输入级大多采用 ;A ．直接耦合电路B ．阻容耦合电路C ．差动放大电路D ．反馈放大电路3．差动放大电路的主要特点是 ;A ．有效放大差模信号,有力抑制共模信号B ．既放大差模信号,又放大共模信号C ．有效放大共模信号,有力抑制差模信号D ．既抑制差模信号,又抑制共模信号4．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 ,而提高共模抑制比;A ．抑制共模信号B ．抑制差模信号C ．放大共模信号D ．既抑制共模信号又抑制差模信号5．差动放大电路用恒流源代替E R 是为了 ;A ．提高差模电压放大倍数B ．提高共模电压放大倍数C ．提高共模抑制比D ．提高差模输出电阻6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 ;A ．可获得较高增益B ．可使温漂变小C ．在集成工艺中难于制造大电容D ．可以增大输入电阻三、填空题1．选用差分放大电路的原因是 ;2．差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ;3．共模信号是两个输入端信号的 ;4．互补输出级采用共集形式是为了使 ;8．差动放大电路两个输入端的信号mV u i 801=,mV u i 602=,则一对差模输入信号=-=21i i u u mV ;9．集成运放的输入级采用差动放大电路的主要作用是 ;10．集成运放的输出级多采用电路;13．差分放大器的基本特点是放大、抑制 ;自测题四一、判断题1.对2.对3.对4.对二、单选题三、填空题1.克服温漂2.差3.平均值4.带负载能力强5.好6.零点漂移7.无穷大 9.克服零漂 10.射极跟随器11.共模 11.输入级中间级输出级偏置电路 13.差模信号共模信号自测题五三、填空题1．理想运算放大器同相输入端接地时,则称反相输入端为端;2．理想运放工作在线性区,流进集成运放的信号电流为零,称此为 ;3．理想运算放大器的两条重要法则是 ;自测题五三、填空题1.虚地2.虚断3.净输入电压等于零和净输入电流等于零自测题六一、判断题2．既然电流负反馈稳定输出电流,那么必然稳定输出电压;二、单选题2．要得到一个由电压控制的电流源应选用 ;A．电压串联负反馈 B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈 D．电流并联负反馈3．放大电路引入交流负反馈后将 ;A．提高输入电阻 B．减小输出电阻C．提高放大倍数 D．提高放大倍数的稳定性4．放大电路引入直流负反馈后将 ;A．改变输入、输出电阻 B．展宽频带C．减小放大倍数 D．稳定静态工作点5．引入电压并联负反馈后,基本放大器的输入、输出电阻的变化是 ;A．输入电阻增大,输出电阻增大 B．输出电阻增大,输入电阻减小C．输入电阻减小,输出电阻减小 D．输入电阻减小,输出电阻增大7．为使放大电路的输出电压稳定、输入电阻增大,需引入的交流负反馈是 ;A．电压串联 B．电压并联 C．电流串联 D．电流并联三、填空题1．在放大电路中,若要稳定放大倍数,应引入 ;2．在放大电路中,希望展宽频带,应引入 ;3．在放大电路中,如要减少输入电阻,应引入 ;6．引入电压负反馈可以稳定放大电路的 ;自测题六一、判断题1.对2.错3.错4.错5.错6.错二、单选题三、填空题1.交流负反馈2.交流负反馈3.并联负反馈4.电流负反馈5.增大6.输出电压自测题八一、判断题2．功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号;3．由于功率放大管处于大信号工作状态,所以微变等效电路方法已不再适用;4．在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功率损耗也最大;二、单选题1．与甲类功率放大方式比较,乙类推挽方式的主要优点是 ;A．不用输出变压器 B．不用输出端大电容 C．无交越失真 D．效率高2．乙类放大电路是指放大管的导通角等于 ;A．360度 B．180度 C．90度 D．小于90度4．功率放大三极管工作在A．高电压、小电流状态 B．低电压、小电流状态C．低电压、大电流状态 D．高电压、大电流状态三、填空题1．输出功率为20W的乙类推挽功率放大器,则应选至少为瓦的功率管两个;,类推挽放大器;一、判断题2.对3.对4.错二、单选题三、填空题2.互补对称3.交越失真甲乙。

(完整版)电工电子技术模拟题题及答案

电工学模拟试题（一）一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内1、在图示电路中，已知 U S = 2 V ，I S = -2 A 。

A 、B 两点间的电压 U AB 为 ( )。

(a) -3 V(b) -1 V(c) -2 V1题2题2、在图示电路中，U S，I S 均为正值，其工作状态是 ( )。

(a) 电压源发出功率 (b) 电流源发出功率 (c) 电压源和电流源都不发出功率3、半导体二极管的主要特点是具有（）。

(a) 电流放大作用 (b) 单向导电性 (c) 电压放大作用 4、旋转磁场的转速 n 1 与极对数 p 和电源频率 f 的关系是( ) 。

(a) n fp160=(b) n f p 1602= (c) n p f160= 5、若把电路中原来电位为－2 V 的一点改为电位参考点，则改后的电路中，各点电位比原来( )。

(a) 变高 (b) 变低 (c) 不能确定 6、某三相电源的电动势分别为 e t A =+︒2031416sin()V ，e B = 20 sin (314 t －104︒) ，e t C V =+︒20314136sin()，当 t = 13 s 时，该三相电动势之和为 ( )。

(a) 20 V (b)202V(c) 0 V7、某三角形联接的纯电容负载接于三相对称电源上，已知各相容抗 X C = 6 Ω，线电流为 10 A ，则三相视在功率 ( )。

(a) 1 800 V A (b) 600 V A (c) 600 W8、图示电路中，R = X L = X C = 1 Ω，则电压表的读数为 ( )。