西安电子科技大学822电磁场与微波技术历年考研试题
电子科技大学03-04学年第二学期《电磁场与电磁波》试题与答案
I eφ H 上 = eφ H 下 ⇒ H 上 = H 下 =eφ 2π r µI µI （ z > 0） ； ，( z < 0 ) 则 B上 = µ0 H 上 =eφ 0 ， B下 = µ H 下 =eφ 2π r 2π r
由 参考评分标准：正确判断 eφ H 上 = eφ H 下 ，并正确应用安培环路定理求得 H （10 分） ；
a . f = fc ； a . 无关； a. a+b；
b . f > fc ；
c . f < fc
） 。
12．矩形波导的截止波长与波导内填充的媒质（
b . 有关； b . 2a ； b . sin θ ；
c . 关系不确定，还需看传播什么波型
） 。
13．矩形波导的横截面尺寸为 a × b ，设 a > b ，则此波导中传播的主模的截止波长为（
a . 等于光速 c ；
10．矩形波导中可以传输（
b . 等于 c 2 ；
） 。
c . 等于 c 4 c . TE 和 TM 波
1 2π µε (mπ a ) 2 + (nπ b) 2 ，
a . TEM 、 TE 和 TM 波；
b . TEM 波；
11．横截面尺寸为 a × b 的矩形波导管，内部填充理想介质时的截止频率 = fc 工作频率为 f 的电磁波在该波导中传播的条件是（ ） 。
附：参考数据及公式 （1） ε 0 ≈ 8.854 × 10
−12
≈
1 F m， 4π × 9 ×109
µ = 4π ×10−7 H m 0
（2）圆柱坐标系中的相关公式
西电电磁场与电磁波试卷
《电磁场与电磁波》模拟试卷6一、 填空题（本大题共10小题，每小题3分，共30分）1. 设x y z r xe ye ze ==++r ，r ∇⨯ = ，2(1/)r ∇= 。
2.. 在国际单位制中电场强度E 的单位是/V m ，磁场强度H 的单位是__________，传导电流密度矢量J 的单位是__________，位移电流密度矢量D J 的单位是__________。
3. 无限长直导线（沿z 轴放置）上有线电荷l ρ，则线外任一点电场强度的大小为，方向为。
4. 电磁波的相移常数β的单位为 , 在自由空间与相波长的关系为。
5. 电磁波等相位面移动的速度称为，电磁波能量传播的速度称为，对于TME 波两个速度的关系为。
6.任一线极化波都可分解为两个振幅、旋向的圆极化波，任一圆极化波都可分解为两个振幅、相互且相位的线极化波。
7.半径为a 的接地导体球外距球心d 处放置一点电荷q ，则镜像电荷q '-=，距球心b = 。
8. 已知介质的电参数为9,4,0r r μεσ===，则波阻抗η=。
9. 均匀平面波由空气向9r ε=的理想介质垂直入射时，媒质界面处的反射系数Γ=，透射系数τ=，驻波比ρ=。
10.若接收点距离发射天线1km 处，用电基本阵子做发射天线，要求接收点的场强值至少为30/mV m 时，天线的辐射功率至少为。
二、 单项选择题（本大题共10小题，每小题3分，共30分）1. 电磁波的极化特性由决定。
A.磁场强度B.电场强度C.电场强度和磁场强度D. 矢量磁位2. 已知静磁场中的矢位函数为77x y xy yx =+A e e ，那么磁感应强度B = A. 77z z y x -e e B.77z z y x +e e C.77x y x y +e e D. 77y x x y +e e3. 下述关于介质中静电场的基本方程正确的是 。
A.0∇⨯=E ，Sqd ε⋅=⎰E S B. ∇⨯=E J ，Sqd ε⋅=⎰E SC.ρ∇⋅=D ，0Cd ⋅=⎰E l D.Sqd ε⋅=⎰E S ，0Cd ⋅=⎰E l4. 一半径为a 的圆环（环面法矢z =n e ）通过电流I ，则圆环中心处的磁感应强度B 为A.02r Iaμe B.02Iaφμe C.02z Iaμe D.02z Iaμπe 5. 下列关于电力线的描述正确的是A.是表示电子在电场中运动的轨迹B. 只能表示E 的方向，不能表示E 的大小C. 曲线上各点E 的量值是恒定的D. 既能表示E 的方向，又能表示E 的大小 6. 0∇⋅=E 说明A.静电场是无散场B.空间不存在电荷C.空间不存在电流D. 以上都不是7. 恒定电场的基本方程可由下面D 式推导而来。
西安电子科技大学 2009年攻读硕士学位研究生入学考试试题
西安电子科技大学2009年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目代码及名称822电磁场与微波技术考试时间2009年 1月 10日下午（ 3小时）答题要求：所有答案〈填空题按照标号写〉必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置!一、（15分） z=0平面将无限大空间分为两个区域:z<0区域为空气，z>0区域为相对磁导率μr =1，相对介电常数εr =4的理想介质，若知空气中的电场强度为14x z E a a =+V/m ，试求:（1）理想介质中的电场强度E 2;（2）理想介质中电位移矢量D 2与界面间的夹角α;（3） z=0平面上的极化面电荷密度ρsp .二、（15分）均匀平面电磁波在相对磁导率μr =1的理想介质中传播，其电场强度的瞬时值为88(,)5sin[2(10)]5cos[2(10)]x v E r t a t z a t z ππ=-+-（mV/m ），试求：（1）该理想介质的相对介电常数εr ;（2）平面电磁波在该理想介质中的相速度V p ;（3）平面电磁波的极化状态。
三、（15分）空气中传播着磁场复矢量振幅(0.80.6)1()(34)12j x z x z H r a a e ππ-+=-mA/m ，的均匀平面电磁波，试求：（1）该平面电磁波的波长λ；（2）该平面电磁波传播方向的单位矢n ；（3）该平面电磁波电场的复振幅矢量 E®。
四、（15分）电场强度复振幅矢量2()24j z i x E r a e ππ-=（mA/m ）的均匀平面电磁波由空气垂直入射到相对介电常数εr =2.25，相对磁导率μr =1的半无限大理想介质的界面（z=0平面），试求:（1）反射波电场强度的振幅E rm ；（2）反射波磁场的复振幅矢量H r (r)；（3）透射波电场的复振幅矢量E t (r)。
五、（20分）己知无耗传输线电长度为θ，特性阻抗Z 0=1。
第五题用图（a ）（1）已知负载阻抗L l l Z r jx =+，求负载驻波比ρL ；（2）求输入驻波比ρin ；（3）求负载反射系数ΓL 。
2008~2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题【圣才出品】
2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a 、b （a>b ），球心距为c （c<a-b ）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b 的球面内任意一点的电场强度。
第一题用图 二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a ，外导体半径为b ，长度为L ，同轴线两端用理想导体板短路。
已知在a r b ≤≤，0z L ≤≤区域内的电磁场为ˆsin ˆcos r A E e kz r B H e kz rθ==v v（1）确定A ，B 间的关系；（2）确定k ； （3）求r=a 及r=b 面上的s ρ，s J v 。
三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为(2)6ˆ3()(/)j x x y E e e V m π-=v试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。
四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。
五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb ，工作波长λ，写出TE 10波的导波波长λg 。
（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a ，外半径为b ，画出截面上TEM 波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z 0公式。
六、（15 分）观管Pin 管相当于归一化电阻1R 和2R （正向运用），商管间隔90θ=︒，求输入端匹配时的1R 和2R 的关系式。
第六题用图七、（15 分）矩形谐振腔（axbxc ）如图，画出TE 101模的电场和磁场分布，写出电场与磁场公式。
(NEW)西安电子科技大学电子工程学院《822电磁场与微波技术》历年考研真题汇编
目 录2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2010年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2009年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2008年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2007年西安电子科技大学422电磁场与微波技术考研真题2006年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题（部分）2005年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2004年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a、b（a>b），球心距为c（c<a-b）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。
第一题用图二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。
已知在，区域内的电磁场为（1）确定A，B间的关系；（2）确定k；（3）求r=a及r=b面上的，。
三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。
四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。
五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb，工作波长λ，写出TE10波的导波波长λg。
（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a，外半径为b，画出截面上TEM波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z0公式。
电子科技大学研究生微波工程试题
电⼦科技⼤学研究⽣微波⼯程试题电⼦科技⼤学研究⽣试卷(考试时间：⾄，共120分钟)课程名称微波⼯程教师学时 50 学分 2.5 教学⽅式课堂教学考核⽇期年⽉⽇成绩考核⽅式：__________(学⽣填写)⼀、填空（每空格1分，共36分）(1) 常规空波导中传输的TE 波称为_________波，TM 波称为_________波，它们的相速与光速的关系是______p v c ，称为_________波。
(2) c k 称为_________波数，波的传播条件是_____c k k ，_____c f f 。
(3) 若传输线上⽆反射波存在，则传输线⼯作于______状态，此时反射系数满⾜______；若反射波等于⼊射波，则⼯作于______状态，此时反射系数满⾜______；当01L 时，传输线⼯作于_______状态。
(4) 在E ⾯分⽀波导中，若微波功率从分⽀端（3⼝）输⼊，则在1⼝与2⼝将_______输出；在H ⾯分⽀波导中，若微波功率从1⼝与2⼝等幅反相输⼊，则从分⽀端（3⼝）将_________输出。
(5) 纵向磁场铁氧体微波元件利⽤的是铁氧体的_______效应，⽽利⽤_______效应做成的微波元件则称为横向磁场铁氧体微波元件。
(6) 传输系统的正常⾊散特性是指______________，异常⾊散特性是指________________，⽆⾊散特性是指_______________，微波传输系统的种类⼀般可以分为：______________，_____________________，__________________________。
(7) ⾏波管中电⼦向⾼频场交出能量的条件是：______________________________________，⽽回旋管此条件为：__________________________________________________________。
西安电子科技大学《电磁场与微波技术》考研真题2011年
西安电子科技大学《电磁场与微波技术》考研真题2011年(总分：150.00，做题时间：90分钟)一、{{B}}{{/B}}(总题数：1，分数：15.00)1.如下图所示，半径分别为a、b(a＞b)，球心距为c(c＜a-b)的两球面间有密度为ρ的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。
（分数：15.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(为了使用高斯定理，在半径为b的空腔内填充密度为+ρ的体电荷，在半径为a的空腔内填充密度为-ρ的体电荷。
这样，任意一点的电场就相当于带正电的大球体和一个带负电的小球体共同产生。
正、负带电体所产生的场分别用高斯定理来计算。
正电荷在空腔内产生的电场为：[*]负电荷在空腔内产生的电场为：[*]单位向量e r1、e r2分别以大、小球体球心坐标为坐标原点。
考虑到r1e r1-r2e r2=ce x，最后得到空腔内的电场为：[*])解析：二、{{B}}{{/B}}(总题数：1，分数：15.00)一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。
已知在a≤r≤b，0≤z≤L区域内的电磁场为：（分数：15.00）(1).确定A、B间的关系。
（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(由法拉第电磁感应公式[*]可得： [*] 比较可知[*]，又因为[*]，所以：[*] 其中，η是导体内介质的特性阻抗。
)解析：(2).确定k。
（分数：5.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：(因为同轴线两端用理性导体板短路，所以两端处即(z=0和z=L处)电场强度为0，则有[*]，所以：[*](m=1，2，3…))解析：(3).求r=a及r=b面上的ρs、J s。
西安电子科技大学822电磁场与微波技术2010年考研专业课真题试卷
2010年真题10 西安电子科技大学2010年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目代码及名称 822电磁场与微波技术（A ）考试时间 2010年1月10日下午（3小时）答题要求：所以答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置!一、（15分）相对介电常数2r ε=的区域内电位()222r x y z φ=-+ (V)，求点（1，1，1）处的：1、电场强度E ；2、电荷密度ρ；3、电场能量密度w e 。
二、（15分）电场强度()()88(,)cos 31024sin 3102t t z t z ππππ=⨯--⨯-x y E r a a （mV/m ）的均匀平面电磁波在相对磁导率1r μ=的理想介质中传播，求：1、电磁波的极化状态；2，理想介质的波阻抗η；3、电磁波的相速度V p 。
三、（15分）磁场复矢量振幅()()()3418660j x z e ππ-+=-+i x y H r a a （mA/m ）的均匀平面电磁波由空气斜入射到海平面（z=0的平面），求：1、反射角θr ；2、入射波的电场复矢量振幅()i E r ；3、电磁波的频率f 。
四、（15分）电场复矢量振幅()10j z e π-=i x E r a (mV/m)的均匀平面电磁波由空气一侧垂直入射到相对介电常数 2.25r ε=，相对磁导率1r μ=的理想介质一侧，其界面为z=0平面，求：1、入射波磁场的瞬时值(),t i H r ；2、射波的振幅E r m ；3、透射波坡印廷（Poynting ）矢量的平均值S av (r ) 。
入射波的振幅反射波的振幅。
西安电子科技大学《电路与电磁场》考研真题2011年(复试)
西安电子科技大学《电路与电磁场》考研真题2011年(复试)(总分：99.98，做题时间：90分钟)一、 (总题数：1，分数：50.00)电磁场与电磁波部分（分数：50.00）(1).同轴线内、外导体的半径分别为a和b，并计算同轴线单位长度上的电容。
（分数：10.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：()解析：证明：设内、外导体单位长度带电分别为+ρl和-ρl，则同轴线内、外导体之间的电场为如果将同轴线内单位长度存储的能量记为W，而将从a到c单位长度的存储能记为W 1，即令，得，即以。
为半径的圆柱内静电能量是整个能量的一半。
又∵所以(2).已知无限大区域内，在x＜0区域内填充有磁导率为μ的均匀电介质，x＞0区域内为真空。
分界面上有电流I沿z轴方向，计算空间中的磁感应强度和磁场强度。
（分数：10.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：()解析：解：由磁场边界条件n·(B 2 -B 1 )=0知，在介质分界面上磁感应强度B相等，由安培环路定律得：πrH 1 +πrH 2 =I，其中B 1 =μH 1，B 2 =μ0 H 2所以(3).已知平面电磁波电场强度为：E=[(2+3j)·e x+4·e y+3·e z ]e j(1.8y-2.4z)，请写出电场的传播方向、极化方向，判断该电磁波是否为横电磁波?（分数：10.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：()解析：解：∵电场强度可写为E=[(2+j3)e x +4e y +3e z ]e -j3k·r∴传播方向为∵∴该电磁波为横电磁波。
电磁场与微波技术一至三讲
西安电子科技大学考研《822 电磁场与微波技术》命题规律分析及复习要点精讲主讲：李其强老师1一、考情分析及命题规律总结1、试题构成与特点试题一般分为填空题、分析计算题、论述证明题，试卷总分为150分。
其中，“电磁场理论”部分60分（一般3-4道），“微波技术基础”部分45分（一般3道），“天线原理”部分45分（一般3道）。
试题难度适中，难题、偏题较少。
2、教材基本内容与考题权重分析《电磁场与电磁波基础》部分，考研涉及部分包括：第一章矢量分析与场论；第二章静电场；第三章恒定电流的电场与磁场；第四章静电场的解；第五章时变电磁场；第六章平面电磁场。
一般考研分布为4道题，共计60分。
第一章是贯穿在整个的运算当中的，其余的五章里，静电场和恒定电流场应该会有一道大的计算题；静态场求解关于唯一性定理、镜像法或者是分离变量法应该会有一道大题；时变电磁场应该有一道计算题；平面电磁波关于反射特性也应该会有一2道计算题。
《简明微波》部分，考研涉及部分包括：微波基本概念及理论、传输线理论、波导理论、谐振腔理论。
一般分布为3道题，关于传输线计算的一道；关于波导理论的一道；关于谐振腔理论的一道。
《天线原理》部分，考研涉及部分包括：基本概念和理论、天线特性参数、天线阵方向特性和阻抗特性、典型线天线、典型面天线。
一般分布为2-3道题，考查内容为基本概念、基本公式计算和对天线工作原理的理解。
3、命题规律总结及命题趋势分析本门专业课严格按照考研大纲出题，考察重点较为突出，题量和难度适中，怪题、偏题较少。
预测今后几年的出题趋势，应当会较为稳定，与前几年变化不大。
4、备考与应试策略关于备战复习，要做到“三要三忌”：要抓基础、要注重理解、要3坚持不懈；忌死记硬背、忌眼高手低、忌主次不分明。
补充常识：微波左邻右舍二、要点精讲和复习思路第一章矢量分析1、本章考情分析本章主要介绍了矢量的概念以及相应的一些计算，虽然不会单独的出一道题，但是电磁场所有的计算都会用到这一章的知识，光有思路计算不出结果显然是不行的，所以这一章显得尤为关键。
电磁场与电磁波试题与答案
电磁场与微波技术基础试题一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号。
每小题2分，共20分)1.设一个矢量场 =x x+2y y+3z z，则散度为( )A. 0B. 2C. 3D. 62.人们规定电流的方向是( )运动方向。
A.电子B.离子C.正电荷D.负电荷3.在物质中没有自由电子，称这种物质为( )A.导体B.半导体C.绝缘体D.等离子体4.静电场能量的来源是( )A.损耗B.感应C.极化D.做功5.对于各向同性介质，若介电常数为ε，则能量密度we为( )A. •B. E2C. εE2D. εE26.电容器的大小( )A.与导体的形状有关B.与导体的形状无关C.与导体所带的电荷有关D.与导体所带的电荷无关7.电矩为的电偶极子在均匀电场中所受的作用力和库仑力矩为( )A. =0,Tq= •B. =0, = ×C. = •，= ×D. = •， =08.在 =0的磁介质区域中的磁场满足下列方程( )A. × =0, • =0B. × ≠0, • ≠0C. × ≠0, • =0D. × =0, • ≠09.洛伦兹条件人为地规定的( )A.散度B.旋度C.源D.均不是10.传输线的工作状态与负载有关，当负载短路时，传输线工作在何种状态?( )A.行波B.驻波C.混合波D.都不是二、填空题(每空2分，共20分)1.两个矢量的乘法有______和______两种。
2.面电荷密度ρs( )的定义是______，用它来描述电荷在______的分布。
3.由库仑定律可知，电荷间作用力与电荷的大小成线性关系，因此电荷间的作用力可以用______原理来求。
4.矢量场的性质由它的______决定。
5.在静电场中，电位相同的点集合形成的面称为______。
6.永久磁铁所产生的磁场，称之为______。
7.在电场中电介质在外电场的作用下会产生______，使电场发生变化。