二极管练习题
模电 练习题
11
第一章 练习题
3.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该 三极管（）。 A.处于放大区域 B.处于饱和区域 C.处于截止区域 D.已损坏
答案：D
12
第一章 练习题
4. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位 分别为0V、－10V和－9.3V，则该管为（ ）。 A、NPN硅管 B、NPN锗管 C、PNP硅管 D、PNP锗管
A：C极，B：B极，C：E极，NPN管
10
第一章 练习题
2. 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地 电位分别为VA＝-9V，VB＝-6V，VC＝-6.2V，试分 析A、B、C中哪个是基极b、发射级e、集电极c、并 说明此BJT是NPN管还是PNP管。
A：C极，B：E极，C：B极，PNP锗管
答案：A
13
第一章 练习题
5.用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对 于某一参考点的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作 在（ ）。 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、倒置状态
答案：C
14
第一章 练习题
场效应管判断类型
方法：
N、P沟道判断：看iD正负（正N、负P） 增强、耗尽型判断：uGS=0时有无电流（有耗尽、无增强） 结型、绝缘栅判断：uGS=0时，如果电流最大值（结型），无iD 最大值（绝缘栅）
D1处于截止状态、D2处于导通状态 VAO＝－6V。
5
第一章 练习题
4. 试判断图中的二极管是导通还是截止，为什么？ （假设二极管是理想的）
VA＝1V VB＝1+2.5＝3.5V D处于反向截止状态。
6
第一章 练习题
VA＝1V VB＝2.5－1＝1.5V D处于反向截止状态。
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。
2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。
3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。
4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。
三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。
（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。
（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。
（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。
（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。
2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。
3. 解释什么是三极管的放大作用。
4. 简述二极管整流电路的工作原理。
五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。
2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。
3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。
六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。
2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。
晶体二极管及应用练习题
第一题晶体二极管及应用练习题一、填空题。
1、物质按其导电性能分为、、。
2、半导体具有、、。
3、本征半导体是指的半导体。
其内部自由电子数空穴数。
4、自由电子带一个单位的电荷，空穴带一个单位的电荷，它们电性，电量。
5、运载电荷，形成电流的微粒称为。
6、半导体中的载流子有和两种。
7、N型半导体是在中掺入微量的价元素形成一种型半导体。
其内部自由电子数空穴数。
8、P型半导体是在中掺入微量的价元素形成一种型半导体。
其内部自由电子数空穴数。
9、在一块本征半导体基片上，采用特殊方式，使一边形成P型半导体区域，另一边形成N型区域，在P区和N区交界面附近形成一个特殊薄层。
这个薄层就是。
10、PN结的内电场方向是。
11、如果给PN结加上电压称为给PN结以。
12、若PN结的P区接电源的极，N区接电源极，称为正向偏置，简称；若PN结的P区接电源的极，N 区接电源极，称为反向偏置，简称。
13、PN结的特性是。
即。
14、二极管的内部结构，究其本质而言，它就是一个。
15、二极管的伏安特性是指：。
16、在直角坐标系中，用横轴表示，纵轴表示。
将流过二极管的电流随偏置电压变化而变化的关系特性，以曲线的形式描述出来，这个曲线称为。
17、二极管的正向特性是指：在偏置电压作用下，流过二极管的电流随电压变化而变化的关系特性。
其正向特性是：在正偏压较低（即：低于）时，正向电流，近似为，这个区域称为。
在此区域内，正向电流正偏压变化而变化，其等效电阻；当正偏压大于后，流过二极管的正向电流随正偏电压变化而变化，此区域为，其等效电阻。
在此区域，二极管两端的正偏电压变化不大，近似为一个固定值，硅管约为，鍺管约为。
18、二极管的反向特性是指：在偏置电压的作用下，流过二极管的随电压的变化而变化的关系特性。
其反向特性是指：在反偏压较低（即低于）时，流过二极管的反向电流，近似为，这个区域称为。
在此区域内流过二极管的反向电流反偏压变化，其等效电阻。
当反偏压大于后，流过二极管的反向电流，此区域称为。
二极管习题课
课题：二极管（习题课）学习目标熟练掌握二极管的相关知识，并用这些知识解题学习难点类型题：判定二极管在电路中的状态学习重点类型题：判定二极管在电路中的状态教学资源多媒体课件教学过程教学方法和师生活动引入上节课学习了二极管的结构、符号、分类、特性、主要参数和检测。
本节课将通过一些习题来应用一下所学习的知识。
承上启下新授一、练习题1、二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。
2、二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
3、二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场通过这些习题让学合。
4、硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的5、硅管正偏导通时，其管压降约为（）。
A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V6、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降7、二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
（）8、二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。
（）9、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）10、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）二、例题生回忆了旧知识，加深了对知识的记忆，同时学会了应用知识要点。
如图所示电路，设二极管正向导通压降为0.7V,试判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压U0U0=－6.7V U0=－6V 解题思路：先假设二极管断开，再计算二极管两端电压，若该电压为正向电压且大于死区电压，则可判断二极管处于导通状态。
若该电压为负电压或正向电压低于死区电压，则可判断二极管处于截止状态。
巩固练习二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o。
设二极管的导通压降为0.7V。
二极管练习题
二极管练习题一、选择题1. 下列哪个选项是二极管的基本特性？A. 可逆性B. 单向导电性C. 双向导电性D. 自我振荡性2. 二极管的正向导电电压约为：A. 0.2VB. 0.3VC. 0.7VD. 1.0V3. 稳压二极管的主要用途是：A. 整流B. 稳压C. 放大D. 检波4. 下列哪个二极管具有发光功能？A. 稳压二极管B. 发光二极管C. 变容二极管D. 肖特基二极管5. 二极管的反向击穿电压是指：A. 二极管能够承受的最大正向电压B. 二极管能够承受的最大反向电压C. 二极管在正向导电时的电压D. 二极管在反向截止时的电压二、填空题6. 二极管由P型半导体和N型半导体结合形成，其结构称为________。
7. 当二极管正向偏置时，其内部的________层将允许电流通过。
8. 发光二极管(LED)在正向偏置时，电子和空穴在结区复合，释放出________。
9. 稳压二极管具有________特性，常用于电路的稳定电压输出。
10. 变容二极管的电容值会随着________的变化而变化。
三、简答题11. 简述二极管在整流电路中的作用。
12. 说明稳压二极管与普通二极管的区别。
13. 描述发光二极管(LED)的工作原理。
14. 变容二极管在电子调谐电路中是如何工作的？15. 为什么肖特基二极管的正向导电电压较低？四、计算题16. 已知一个硅二极管的正向导电电压为0.7V，若通过该二极管的电流为20mA，请计算该二极管两端的电压降。
17. 若一个稳压二极管的稳定电压为5.6V，电路中串联了一个10Ω的电阻，且电流为50mA，请计算该稳压二极管两端的电压。
五、分析题18. 某电路中使用了整流桥，分析整流桥的工作原理及其在电路中的作用。
19. 在一个电源适配器中，稳压二极管和变容二极管可能分别承担哪些功能？20. 描述发光二极管(LED)在现代显示技术中的应用，并分析其优势。
六、实验题21. 设计一个实验来验证二极管的单向导电性。
第一章 二极管试题打印
一.选择题(60分)1.如图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V 时,测得I=1mA 。
若把电源电压调到V1=10V ，则电流的大小将是___。
A 、I=2mAB 、I<2mAC 、I>2mA2.图1.1.1中，设电路中V1=5保持不变，当温度为20°C 时，测得二极管的电压Vd=0.7V,当温度上升到40°C 时， 则Vd 的大小将是___。
A 、Vd=0.7V B 、Vd>0.7V C 、Vd<0.7V5.如图1.1.3所示电路中，D1-D3为理想二极管，A 、B 、C 白炽灯泡功率相同，其中最暗的灯是___。
A 、B B 、C C 、A6.如图1.1.4所示电路中，二极管是理想的，电阻R=6欧姆。
当普通指针式万用表置于R*1欧姆档时，用黑表笔（带正电）接A 点，红表笔（带负电接B 点），则万用表的指示值为___.A 、18欧姆B 、6欧姆C 、3欧姆D 、2欧姆7.在同一测试电路中，分别测得A,B 和C 三个二极管的电流如下表所示.你认为哪一个二极管的性能最好？A 、AB 、BC 、C10.设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V 和8V,正向压降均为0.7V,求图1.1.7中电路的输出电压Vo 。
A 、Vo=13VB 、Vo=1.4VC 、Vo=5VD 、Vo=0.7V1.场效应管属于__ 控制型器件。
2.在图1.1.9所示电路中，已知稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为6V 和7V,且具有理想稳压特性，求输出电压Vo=__。
3.在图1.1.10所示电路中，已知稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为6V 和7V,且具有理想稳压特性，求输出电压Vo=__。
4.设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V 和8V,正向压降均为0.7V,求图1.1.11中电路的输出电压Vo=__。
5.如图1.1.8所示。
试估算A 点的电位为__。
第一章二极管及其应用（1）第一章二极管及其应用（2）1、填空：（每空1分40分）（1）、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物体。
二极管练习题
一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。
2、所谓半导体是指。
半导体中存在两种载流子：和。
3、的半导体称为本征半导体。
4、P型半导体又称为半导体，其内部为多数载流子，为少数载流子。
5、N型半导体又称为半导体，其内部为多数载流子，为少数载流子。
6、晶体二极管是在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。
P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层称为PN结，PN结具有性。
二、选择题：1、如果二极管的阳极电位高，阴极的电位低，二极管将会（）。
A导通 B截止 C烧坏二极管 D无法确定2、晶体二极管的阳极电位是—7V，阴极电位是—5V，该晶体二极管处于（）。
A正偏 B反偏 C零偏 D无法确定3、半导体二极管加正向电压时，（）A、电流大电阻小B、电流大电阻大 C电流小电阻小 D、电流小电阻大4、半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为（）。
A、本征半导体B、 P型半导体 C 、N型半导体 D无法确定5、（）又称为空穴型半导体。
A、本征半导体B、 P型半导体 C 、N型半导体 D无法确定6、（）又称为电子型半导体。
A、本征半导体 B 、P型半导体 C 、N型半导体 D无法确定7、（）内部空穴数量多于自由电子数量。
A、本征半导体B、 P型半导体 C 、N型半导体 D无法确定8、（）内部自由电子是多数载流子。
A、本征半导体B、 P型半导体 C 、N型半导体 D无法确定三、选择题：1、本征半导体就是不加杂质的纯净半导体。
（）2、在硅单晶体中加入微量的硼元素可得到P型硅。
（）3、N型半导体中空穴是多数载子，自由电子是少数载流子。
（）4、晶体二极管内部有一个具有单向导电性的PN结。
（）5、二极管的正极从N型区引出，负极从P型区引出。
（）。
1.2二极管练习题
练习题
一、选择题
1、二极管内部是由所构成的。
A 一个PN结
B 两个PN结
C 两块N型半导体 D两块P型半导体
2、硅二极管的死区电压未。
A C D
3、硅二极管的导通电压为。
A C D
4、锗二极管的死区电压为。
A C D
>
5、锗二极管的导通电压为。
A C D
6、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线。
A V D-I D
B V D-r D
C I D-r
D D f-I D
7、若把二极管直接同一个电动势为，内阻为零的电源实行正向连接，则该管。
A 击穿 B电流为零 C 电流过大而损坏 D 正向电压偏低而截止
二、填空题
1、二极管加上正向偏置是将电源正极与二极管的极相连，电源负极与二极管的相连，此时二极管呈现电阻，可等效为开关。
2、二极管处于反向偏置时，呈现的内阻，可等效为开关。
3、二极管的最大整流电流含义是。
￥
4、晶体管手册中V RM通常规定为反向击穿电压的。
5、二极管的反向饱和电流I R会随升高而增大。
6、2AP系列二极管是半导体材料制成的，2CP系列二极管是半导体材料制成的。
三、问答题
1、二极管的选用原则是什么
2、分析在气温较高的夏季，电视机、收音机等家用电器为什么较容易出现电路故障。
(完整word版)二极管练习题
页共3 页《二极管及其应用》章节测验一、选择1、本征半导体又叫（）A、普通半导体B、P型半导体C、掺杂半导体D、纯净半导体2、锗二极管的死区电压为( ）A、0。
3VB、0.5VC、1V D、0。
7V3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是( )-5.3V -6V —6V -5。
3V 5V -5V0V —0.7V4、变压器中心抽头式全波整流电路中,每只二极管承受的最高反向电压为（）A、U2B、2U2C、1.2 U2D、22 U25、在有电容滤波的单相半波整流电路中,若要使输出的直流电压平均值为60V，则变压器的次级低电压应为（）A、50VB、60V C、72V D、27V6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（ )7、电路如图7所示，三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个白炽灯规格也一样，则最亮的白炽灯是（）A．A B．B C．C D．一样亮8、图8所示电路，二极管导通电压均为0.7V，当V1=10V，V 2=5V时,（1）判断二极管通断情况( ）A．VD1导通、VD2截止 B．VD1截止、VD2 导通C．VD1、VD2均导通 D．VD1、VD2均截（2）输出电压VO为（ )A．8.37V B．3。
87V C．4.3V D．9.3V9．分析图9所示电路，完成以下各题（1)变压器二次电压有效V1为ABCDR LR L图7图9（ )A．4.5V B．9V C．12V D．14V（2）若电容C脱焊，则V1为（ )A．4。
5V B．9V C．12V D．14V（3）若二极管VD1接反，则( )A．VD1、VD2或变压器烧坏 B．变为半波整流C．输出电压极性反转，C被反向击穿D．稳压二极管过流而损坏（4）若电阻R短路，则（ )A．VO将升高 B．变为半波整流C．电容C因过压而击穿 D．稳压二极管过流而损坏二、判断（）1、本征半导体中没有载流子。
( ）2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。
（ )4、RCπ型滤波器的特点是：滤波效果好，有直流损耗，带负载能力差。
半导体二极管-练习题1
半导体二极管 练习题1一、单选题(每题1分)1. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的＿＿电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。
A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同2. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴3. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴4. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。
A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V5. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。
A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于6. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷7. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。
A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移8. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ） 。
A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I9. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。
A B C D10. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（ ）。
A U th ≈0.525V ，I S ≈0.05pAB U th ≈0.525V ，I S ≈0.2pAC U th ≈0.475V ，I S ≈0.05pAD U th ≈0.475V ，I S ≈0.2pA11. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
有关二极管的练习题
一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 检波C. 开关D. 滤波2. 二极管正向导通的条件是：A. P区电位高于N区电位B. N区电位高于P区电位C. P区电位低于N区电位D. P区和N区电位相等3. 二极管反向截止时，其电流大小主要取决于：A. 二极管的反向电阻B. 外加反向电压C. 二极管的正向电流D. 二极管的反向电流4. 二极管正向导通时，其电压降大约为：A. 0.3VB. 0.7VC. 1.0VD. 1.5V5. 二极管在电路中的作用不包括：A. 限幅B. 整流C. 检波D. 放大二、填空题1. 二极管由__________和__________两种半导体材料组成。
2. 二极管正向导通时，其正向电阻约为__________；反向截止时，其反向电阻约为__________。
3. 二极管在电路中常用于__________、__________和__________等。
4. 二极管正向导通时，其电流与电压的关系可用__________方程表示。
三、判断题1. 二极管在正向导通时，其正向电阻无穷大。
（）2. 二极管在反向截止时，其反向电流为零。
（）3. 二极管可以用于放大信号。
（）4. 二极管在电路中只能起到开关作用。
（）四、简答题1. 简述二极管正向导通和反向截止的条件。
2. 解释二极管在电路中的作用。
3. 说明二极管在整流电路中的应用。
五、计算题1. 已知二极管正向导通电压为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。
2. 若二极管反向电压为100V，反向电流为1μA，求二极管的反向电阻。
3. 设计一个简单的桥式整流电路，并计算输出电压和电流。
六、分析题1. 分析二极管在电路中的限幅作用。
2. 分析二极管在电路中的开关作用。
3. 分析二极管在电路中的检波作用。
七、选择题6. 二极管反向击穿电压是指：A. 二极管正向导通时的电压B. 二极管反向截止时的电压C. 二极管反向电流开始急剧增加的电压D. 二极管正向电流开始急剧增加的电压7. 在二极管正向导通时，若P区掺杂浓度高于N区，则该二极管为：A. P型二极管B. N型二极管C. 双极型二极管D. 双层二极管8. 二极管在电路中实现整流时，通常采用的连接方式是：A. 串联B. 并联C. 串并联D. 无特定连接方式9. 二极管在电路中实现稳压时，通常采用的元件是：A. 电阻B. 电容C. 稳压二极管D. 变压器10. 二极管在电路中实现检波时，通常采用的电路是：A. 串联电路B. 并联电路C. 滤波电路D. 放大电路八、填空题11. 二极管在正向导通时，其电流与电压的关系可用__________方程表示。
二极管三极管练习题(学生用)
一、填空题1．纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
2．本征半导体的主要特性有、、。
3．杂质半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。
4．N型半导体是在本征半导体中掺入__ _价元素，其多数载流子是_ ___，少数载流子是__ _。
5．P型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数载流子是____ _，少数载流子是__ __ _。
6．已知杂质半导体中的载流子和离子如图0001所示，请指出各为何种类型的杂质半导体：(a)为；(b为。
图0001 杂质半导体中的载流子和离子7．PN结正向偏置时，内、外电场方向；PN结反向偏置时，内、外电场方向。
8．PN结具有性，______偏置时导通，______偏置时截止。
9．PN结的电击穿包括和两类。
10．按材料不同，二极管可分为和两类。
11．按制造工艺及结构不同，二极管可分为、两类。
12．二极管P区接（高，低）电位端，N区接（高，低）电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
13．U T为温度的电压当量，当温度为室温时，U T≈mV。
14．三极管属控制型器件。
15．在构建放大电路时，双极型三极管应工作于区，即发射结应为偏置，集电结应为偏置。
16．根据器件的符号填上器件的名称：7．某三极管，当测得A I B μ30=时，mA I C 2.1=，则发射极电流=E I mA18．根据图0014填空（设晶体管处于放大状态）。
图001419．某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2=-6V ，U 3=-6.2V ，则三极管为 型管。
单项选择题1．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷2．当环境温度降低时，二极管的反向电流（ ）A. 不变B. 增大C. 减小D. 无法判断3．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1k Ω，说明该二极管（ ）。
二极管练习题
2017学年德清职业中专《模拟电路》第一次月考试卷第一学期（适用15计网3+2）班级：姓名: 得分：一．填空题1.当二极管两端电压U为0时，通过二极管的电流为__________。
2.当二极管外加正向电压很小时，外加电压不足以克服内电场对__________扩散运动的阻力，正向电流很小，近似为0。
当外加电压超过某一数值，电流随电压增加而迅速_________，二极管才真正导通，这个电压值称为_________。
3.二极管正向导通之后，当正向电流在一定范围内变化时，二极管的正向压降___________（变化或基本不变）。
4.当二极管反向电压不很大时，由于___________的漂移运动形成很小的反向电流，它不随外加反向电压的大小不同而变化，故又称为_____________。
5.当二极管外加反向电压超过某一定值时，反向电流急剧增大，二极管的单向导电性被破坏，这种现象称为__________，对应的反向电压值称为_____________。
6.利用二极管单向导电性及导通时正向压降很小的特点，可用来进行限幅、开关、___________、____________、_____________等各项工作。
二．计算分析题1.如图1-1所示，求电路中输出电压U0，并写出二极管状态。
设二极管为理想二极管（导通正向电阻为0，截止反向电阻为无穷大）。
(a) (b)图1-12.如图1-2所示，计算电路中输出电压U0，要求写出二极管的状态。
（1）U1=U2=0时；（2）U1=E，U2=0时；（3）U1=U2=E时。
图1-23.如图1-3所示，E=5V，u1=10sinwtV，二极管正向压降可忽略不计。
画出输出电压u0的波形。
图1-34.如图1-4所示，设D为理想二极管，已知输入电压u i的波形。
画出输出电压u0的波形图。
图1-45.如图1-5所示，u i是波形不整齐的输入电压，设D为理想二极管，画出输出电压u0的波形图。
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 下列哪种器件属于半导体器件？A. 二极管B. 稳压管C. 晶体管2. 二极管的正向导通电压约为多少？A. 0.1VB. 0.2VC. 0.7VD. 1.5V3. 下列哪种类型的二极管具有稳压功能？A. 普通二极管B. 发光二极管C. 稳压二极管D. 变容二极管4. 三极管的工作原理是基于哪种效应？A. 光电效应B. 热电效应C. 晶体管效应D. 二极管效应5. 三极管的三个工作区域分别是：A. 放大区、饱和区、截止区B. 放大区、截止区、饱和区C. 饱和区、放大区、截止区D. 截止区、饱和区、放大区6. 三极管放大状态下，基极电流与集电极电流的关系是：A. Ib = IcB. Ib < IcC. Ib > IcD. Ib = 07. 下列哪种电路属于三极管放大电路？A. 共发射极电路B. 共集电极电路C. 共基极电路8. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号相位关系为：A. 同相B. 反相C. 90°相位差D. 180°相位差二、填空题9. 二极管的主要特性是________和________。
10. 三极管的工作原理是基于________、________和________。
11. 三极管放大电路有________、________和________三种基本接法。
12. 二极管正向导通时，其正向电阻________，反向截止时，其反向电阻________。
13. 三极管在放大状态时，基极电流________，集电极电流________。
14. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号的相位关系为________。
三、判断题15. 二极管具有单向导电性。
（）16. 三极管可以工作在放大、饱和和截止三种状态。
（）17. 二极管的反向电流随温度升高而减小。
（）18. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号相位相同。
（）19. 二极管和三极管都是半导体器件。
2022二极管练习公开课
慈溪市职业高级中学XX学年XX学期XX年级随堂练习电子电工试题卷姓名班级本试题卷共9大题，共X页。
满分60分，考试时间X分钟。
第一部分基础理论（必做题，满分X分）一、单项选择题（本大题共20小题，每小题1.0分，共20分）在每小题列出的四个备选答案中，只有一个是符合题目要求的。
错选、多选或未选均无分。
L在如图所示的电路中，假设二极管的正向导通电压为0.7 V,则图中A电位为（）A. 3.7 V2 .桥式整流电容滤波电路如图所示，已知变压器中次级绕组的电压有效值S=20V,若其中一个二极管出现开路故障，则输出电压约为O （）A. 18 VB. 20 VC. 24 VD. 28 V3 .错二极管的死区电压为（）A.0.2VB.0.3VC.0.5VD.0.7V4 .单相半波整流电路的输入电压为20sinωt,则输出平均电压为（）A.9VB.5VC.4.5VD.4.52V5 .在带电容滤波的单相桥式整流电路中，如果电源变压器二次电压最大值为1OO√∑V,则负载电压为（）A.120VB.100VC.90VD.45V6 .如下图所示的电路中，二极管的导通情况是（）A.VD1导通，VD2截止B.VD1截止，VD2导通C.VD1、VD2都导通D.VD1、VD2都截止7 .电容滤波与电感滤波相比较，下列说法正确的是（）A.电容滤波输出电压高，带负载能力强B.电容滤波输出电压低，带负载能力弱C.电容滤波输出电压高，带负载能力弱D.电容滤波输出电压低，带负载能力强8 .将单相半波整流电容滤波电路、全波整流电容滤波电路和桥式整流电容滤波电路分别接到相同的交流电源上，已知半波整流电路中二极管所承受的最大反向电压为U, 则全波整流电路、桥式整流电路中二极管所承受的最大反向电压分别为（）A.2U UB.U IUC.U 2UD.2U 2U9 .在单相桥式整流电路的实际应用中，经常用“全桥”整流堆代替4个整流二极管。
如下图所示为其中一种“全桥”堆的外形，它的负载电阻RL接法正确的是（）A.®—a> ®—bB.③一a、®—bC.①一a、③一bD.②一a、b10 .如下图所示的电路中，二极管VDl、VD2的导通情况分别是（）A.VD1导通，VD2截止B.VD1截止，VD2导通C.VD1、VD2都导通D.VD1、VD2都截止11 .在滤波电路中，滤波效果好，且能起降压、限流作用的电路是（）A.电容滤波器B.电感滤波器C.RC-π型滤波器D.LC—兀型滤波器12 .在桥式整流电容滤波电路中，输出电压U°=12V,电容的耐压值应大于（）A.10 VB.12 VC.1O√2 VD.2Q√2 V13 .当整流输出电压相同时∙，二极管承受反向电压最小的电路是A.单相半波B.单相全波C.单相桥式D.以上都一样14 .在单相桥式整流电路中，每只整流二极管的导通角（）A.等于90。
1半导体器件复习练习题二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放
半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A．减小温漂B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。
A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。
A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管ArrayC.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。
A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 =50，则复合后的β约为（）。
A．1500 B.80 C.50 D.3015、发光二极管发光时，工作在( )。
二极管、三极管练习题
二极管、三极管习题一、填空题1、晶体三极管通过改变来控制。
2、对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三管处于_______ 状态。
3、一个三极管有两个PN结，分别称为结和结。
4、ＰＮ结具有性，即加正向电压时，ＰＮ结，加反向电压时，ＰＮ结5、半导体二极管按其所使用的材料可分为管和管两类。
6、硅管的死区电压约为V，锗管的死区电压约为V。
7、半导体三极管的结构分为三个区，分别是区、区、区。
8、三极管按其内部结构分为和两种类型9、三极管三个电极的电流存在关系。
10、三极管有三个工作状态，即、和状态，状态具有放大作用。
11、、三极管工作在截止状态时，相当于开关；工作在饱和状态时，相当于开关。
二、选择题1、晶体三极管处于放大状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。
(a) 发射结反偏，集电结正偏(b) 发射结、集电结均反偏(c) 发射结、集电结均正偏(d) 发射结正偏，集电结反偏2、半导体二极管的主要特点是具有（）。
(a) 电流放大作用 (b) 单向导电性(c) 电压放大作用3、稳压管起稳压作用，是利用它的（）。
A 正向特性B 单向导电性C 双向导电性D 反向击穿特性4、二极管两端加上正向电压时（）A 一定导通B 超过死区电压才导通C 超过0.7V才导通D 超过0.3V才导通5、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
二极管练习题
第二章
一、填空题：
1、基本放大电路的三种组态分别是： 放大电路、 放大电路和
放大电路。
2、多级放大电路中级与级之间的耦合方式主要有 耦合和 耦合。
3、在画放大电路的直流通路时常将耦合电容视作 ，而在画其交路时
常将耦合电容视作 。
二、选择题：
1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（ ）。
A 、直流成分；
B 、交流成分；
C 、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（ ）。
A 、直流信号；
B 、交流信号；
C 、交直流信号均有。
3、采用差分放大电路是为了（ ）
A 加强电路对称性
B 抑制零点漂移
C 增强放大倍数
D 以上都不对
三、计算题
1、如图所示的放大电路，400,4,12,40b c CC R K R K U V β====，忽略BEQ U 。
求：
（1） 静态工作点；
（2） 画出交流微变等效电路；
（3） 求交流电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。
（)
(26)1(300mA I mv r CQ be β++=）。
C2
C1Vi
Rb Rc
Ucc
U L Vo
2、如图所示放放大电路中，400,4,12,40b c CC R K R K U V β====，忽略BEQ U ，
（1）求该放大器的静态工作点。
（2）求中频电压放大倍数u A 。
(R L
=4K) C2
C1Vi
Rb Rc
Ucc
U L Vo。
二极管、三极管放大电路练习题
R
Ui
D
VD＋ = Ui = 5V
+
U0
_
VD－ =0V
R
+
Ui
D U0
_
(2)求出断开两点间的 电位差VD 。
VD= VD＋ － VD－ =5V
例1：设二极管为理想二极管，试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
(3)判断二极管的导通状态
R
+
Ui
D
U0
_
∵ VD= 5V>0 ∴ 二极管D导通
R
+
UD+－UD－≥UF，二极管导通，等效为UF恒压源； UD+－UD－<UF，二极管截止，等效为断路。 • 折线模型
UD+－UD－≥Uth，二极管导通，等效为Uth恒压源串联电阻； UD+－UD－<Uth，二极管截止，等效为断路。
例1：设二极管为理想二极管，试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
解:(1)断开二极管D
二极管及其基本电路、三极管练习
二极管复习
1、二极管基本电路的分析方法：
关键是判断二极管的导通与截止
首先假设二极管断开，然后求得二极管正极和负极之 间的电压。如该电压大于导通电压，则说明该二极管导通， 两端的实际电压为二极管的导通电压；如果该电压小于导 通电压，则说明该二极管截止。然后进一步计算所要求的 各物理量。
可见，二极管接入后，反向偏置，VD处于截止状态。电 路中电流为0，电阻上压降为0，所以
Vo=VB=VC=-5V
3：设二极管为理想二极管，试判断各个二极管 的工作状态，求输出电压U0的大小。
(1)设D1、D2都断开，设0电位点
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《二极管及其应用》章节测验
一、选择
1、本征半导体又叫（）
A、普通半导体
B、P型半导体
C、掺杂半导
体 D、纯净半导体
2、锗二极管的死区电压为（）
A、0.3V
B、0.5V
C、1V
D、0.7V
3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是（）
D
C
B
A
-5.3V -6V -6V -5.3V -5V -5V 0V -0.7V
4、变压器中心抽头式全波整流电路中，每只二极管承受的最高反向电压为（）
A、U2
B、
U2 C、1.2 U2 D、2
U2
5、在有电容滤波的单相半波整流电路中，若要使输出的直流电压平均值为60V，则变压器的次级低电压应为（）
A、50V
B、60V
C、
72V D、27V
6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（）
7、电路如图7所示，三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个白炽灯规格也一样，则最亮的白炽灯是( )
A．A B．B C．C D．一样亮
8、图8所示电路，二极管导通电压均为0.7V，当V1=10V，V 2=5V时，
（1）判断二极管通断情况( )
A．VD1导通、VD2截止 B．VD1截止、VD2 导通
C．VD1、VD2均导通 D．VD1、VD2均截
（2）输出电压VO为( )
A．8.37V B．3. 87V C．4.3V D．9.3V
9．分析图9所示电路，完成以下各题
（1）变压器二次电压有效值为10 V，则V1为( )
A．4.5V B．9V C．12V D．14V
(2)若电容C脱焊,则V1为( )
A．4.5V B．9V C．12V D．14V
(3)若二极管VD1接反，则( )
A．VD1、VD2或变压器烧坏 B．变为半波整流C．输出电压极性反转，C被反向击穿
D．稳压二极管过流而损坏
（4）若电阻R短路，则( )
A．VO将升高 B．变为半波整流
C．电容C因过压而击穿 D．稳压二极管过流而损坏
二、判断
（）1、本征半导体中没有载流子。
（）2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。
（）4、RCπ型滤波器的特点是：滤波效果好，有直流损耗，带负载能力差。
（）5、使用发光二极管时，要加正向电压；使用光敏和稳压二极管时要加反向电压。
（）6、在单相半波整流电容滤波电路中，输出电压平均值ū= U2
（）7、二极管和三极管都属于非线性器件。
（）8、点接触型二极管适用于整流电路。
（）9普通二极管的正向伏安特性也具有稳压作用。
（）10、N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。
三、填空
1、导电能力介于和之间的物体称为半导体。
2、在N型半导体中为多数载流子，为少数载流子。
3、从半导体二极管内部的PN结的区引出的电极叫二极管的正极，从区引出的电极叫二极管的负极。
给二极管正极加高电位，负极加低电位时，叫给二极管加偏电压。
给二极管正极加低电位，负极加高电位时，叫给二极管加偏电压。
4、当加在硅二极管上的正向电压超过伏时，二极管进
入状态。
5、二极管以PN结面积大小分类可分为接触型
和面接触型。
6、利用二极管的特性，把电变成电的电路叫整流电路。
7、常用二极管以材料分类，可分为二极管和二极管；以PN结面积大小分类，又可分为接触型和接触型。
8、把电变成的电路叫整流电路，采用二极管做整流元件是因为二极管具有特性。
9、滤除脉动直流电路电中的交流成分的过程
叫。
10、稳压二极管在状态下管子两端的电压叫稳定电压。
11、图11电路中，设所有二极管均为理想的。
当开关Ｓ打开时，Ａ点定位ＶA＝伏
此时流过电阻Ｒ1中的电流I1＝毫安；
图11
当开关Ｓ闭合时，Ａ点定位ＶA＝伏，
此时流过电阻Ｒ1的电流Ｉ1＝毫安。
（提示：开关Ｓ打开时，Ｖ３管优先导通）
12、在图12路中，Ｖ为理想二极管，则当开关Ｓ打开时，Ａ点定位ＶA
＝伏；开关Ｓ闭合时，ＶA＝伏。
图13
图12
13、在图13所示电路中，二极管是硅管时IV＝毫安，若二极管是锗管，此时IV＝毫安。
14、晶体二极管因所加电压过大而，并且出
现的现象，称为热击穿。
15、电容滤波电路适用
于的场合。
而电感滤波电路适用于的场合。
16、在图13所示电路中，假设二极管均是理想的，Ｖ２＝10V，当开关Ｓ闭合时，ＶL＝伏，ＶRM＝伏；当开关Ｓ打开时，ＶL
＝伏，ＶRM＝伏。
17、图下所示各电路中，如电源均为3V，输入电压VI分别为+6V，0V，-
6V，求各电路的输出电压VO。
（1）VO= V（2）VO= V （3）VO= V
图1
图3
图2
四、简答计算
1、已知带有电容滤波的桥式整流电路，变压器次级电压U2=10V，负载电路RL=100Ω。
试求
①画出电路图。
②负载电压平均值ūo③滤波电容的电容量C ④选择二极管
2.二极管电路如图１－１4所示，假设二极管是理想的，求Ａ、Ｂ两端电压Ｖab。
3.请在图3所示单相桥式整流电路的四个桥臂上，按全波整流要求画上四个整流二极管，并使输出电压满足负载ＲL所要求的极性。
4、桥式整流电路如图2-8所以所示。
（1）在u2的正负半周各有哪几只二极管导通？（2）若V2=20V，RL=100Ω，则VO和IO各为多少？（3）试确定电容器的容
量和耐压值？（4）当万用表测得负载电压Vo分别为9V，18V，20V和24V，试分析电路是否正常，如有故障，故障可能在什么地方？。