费米分布及玻耳兹曼分布
波色统计和费米统计

A为常数,著名的斯特藩-玻尔兹曼定律
b
11
物理意义: 单位体积的辐射能只与温度有关, 与温度的四次方成正比。
b
12
适用量子分布的理想气体称之为简并气体。
1.费米分布 (适用自旋为1/2的电子系统)
FFD
1 e( )/kT
1
常记为 f ,称为费米能级
b
2
费米分布的性质
别:
b
3
费米能级的具体表示:
其中:n N 表示单位体积的自由电子数 V
b
4
f
f
0
1
2
8
Tc
2 2
mk
(N 2.612V
)2/3
玻色子的质量和粒子数密度决定。
b
7
物理意义:
超导体的正常态转化到超导态可用玻色凝聚解释
b
8
光子气体
平衡系统特点: 高频光子和低频光子总在不停地转换,因而光子数 量也在不断变化,系统中光子数不守恒。
b
9
上式称之为普朗克辐射公式。
b
10
上式为著名的维恩位移定律。 该定律可以用于确定很多星体表面的温度。
第十一章 玻色统计和费米统计
单
粒 子
经典分布 玻尔兹曼分布
态
上
的
三
费米分布
种 分 布
量子分布 玻色分布
经典分布考虑了微观粒子的测不准关系和能量量
子化的影响。但是却没有考虑粒子的全同性以及
泡利不相容原理。
b
1
粒子全同性的微观解释: 微观粒子具有波动性,它们在运动时无轨道可言, 因而无法用编号的方法追踪它们的运动,它们是 不可分辨的。 或者说,粒子的互换不产生新的微观态。
玻尔兹曼分布与费米狄拉克分布的统一

p 2 c2
+
m
2 e
c4.
为了简化,
把所有的能量以
m e c2
为单位, 动量以 m e c为单位, 上式化为
ne = 8KP3e Q]1
1+
E E2 - 1 exp [ (E - Le - 1)
/kT ]
dE,
( 7)
Ke = h /m e c为电子的 Com pton波长.
如果要计算电子处在 E 1和 E 2之间的几率 f2, 则需要
0. 3109 0. 1230 2. 5286 0. 5722 0. 0347 16. 4914
0. 3109 0. 1707 1. 8217 0. 5722 0. 0483 11. 8537
2
0. 3109 0. 2353 1. 3215 0. 5722 0. 0716 7. 9958
1
0. 3109 0. 2829 1. 0991 0. 5722 0. 0983 5. 8221
后左右调一点但是值不变就是它合理的上限.
3 数值结果和分析 [ 4- 8]
表 1给出了在不同温度和化学势下玻尔兹曼分布和 费米 ) 狄拉克分布的比较. 其中左列为温度 kT= 0. 5M eV, 电子动能 0. 5- 1M eV的几率; 右列为 kT = 0. 05M eV, 电子 动能 0. 05- 0. 5M eV 的几率. f1 和 f2 分别代表玻尔兹曼分 布和费米 ) 狄拉克分布的结果. 由于玻尔兹曼分布不受化 学势的影响, 故化学势变化保持恒值; 费米 ) 狄拉克分布 的值随化学势减小而变大. 当温度较高, 如左列, 在化学势 很小时, 它们的分布几率是相差不大的. 但随温度降低, 如 右列, 它们偏离会增加. 随着 kT 值的增大, 物态越接近于 理想气体, 故两种分布几率越接近.
电子工程物理作业.

第四章1. 当E-E F 分别为kT 、4kT 、7kT ,用费米分布和玻尔兹曼分布分别计算分布概率,并对结果进行讨论。
解:电子的费米分布 ()011F F D E E k Tf E e--=+,玻尔兹曼近似为()0F E E k TM B f E e---=(1)E-E F =kT 时 ()10.268941F D f E e-==+ ,()1=0.36788M B f E e --= (2)E-E F =4kT 时 ()410.018321F D f E e-=≈+ ,()40.01799M B f E e --=≈ (3)E-E F =7kT 时 ()710.000911F D f E e-=≈+ ,()70.00091M B f E e --=≈ 当0F E E k Te-远大于1时,就可以用较为简单的玻尔兹曼分布近似代替费米狄拉克分布来计算电子或空穴对能态的占据概率,从本题看出E-E F =4kT 时,两者差别已经很小。
2. 设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近的能量Ec(k)和价带极大值附近的能量En(k)分别为()()m k k m k k E c 212223-+= ,()m k m k k E v 2221236 -= 式中m 为电子惯性质量,14.3,/1==a a k πÅ,试求出:(1)禁带宽度(2)导带底电子的有效质量; (3)价带顶电子的有效质量;(4)导带底的电子跃迁到价带顶时准动量的改变量。
解: (1) 令 0)(=∂∂k k E c 即 ()023201202=-+m k k h m k h 得到导带底相应的 143k k =令 0)(=∂∂k k E v 即 0602=m kh 得到价带顶相应的 0=k故禁带宽度()0212210221021641433043m k h k m h k m hk E k k E E v c g -⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫⎝⎛==-⎪⎭⎫ ⎝⎛==将k 1=a/2代入,得到022481m a h E g =(2)导带底电子有效质量02C 22nm 83dk E d /h m ==*(3)价带顶空穴有效质量02V 22p m 61dk E d /h m -==* (4)动量变化为a 8h30k 43p 1=⎪⎭⎫ ⎝⎛-=∆3. 一块补偿硅材料,已知掺入受主杂质浓度N A =1⨯1015cm -3, 室温下测得其费米能级位置恰好与施主能级重合,并测得热平衡时电子浓度n 0=5⨯1015cm -3。
玻尔兹曼系统、玻色子系统、费米子系统的区别及统计规律

玻尔兹曼系统、玻色子系统、费米子系统的区别及统计规律当描述粒子行为时,玻尔兹曼系统、玻色子系统和费米子系统有着不同的特点和统计规律。
下面对它们进行详细说明:玻尔兹曼系统:描述:玻尔兹曼系统适用于经典粒子,如分子和原子等。
这些粒子之间可以相互交换位置和能量,且粒子可以具有任意能量。
玻尔兹曼系统假设粒子之间是无差别可区分的。
统计规律:玻尔兹曼系统中的粒子遵循玻尔兹曼分布。
玻尔兹曼分布描述了粒子在可分辨的能级上的分布情况,其表达式为:P(E) ∝exp(-E/kT),其中P(E)表示具有能量E的粒子的概率,k是玻尔兹曼常数,T是系统的温度。
玻色子系统:描述:玻色子是具有整数自旋的粒子,如光子和声子等。
玻色子系统中的粒子可以占据相同的量子态,即多个粒子可以处于同一个量子态。
这种行为被称为玻色统计。
统计规律:玻色子系统中的粒子遵循玻色-爱因斯坦统计。
根据玻色-爱因斯坦分布,粒子的分布可以是任意整数,不受限制。
这意味着在低温条件下,大量玻色子可以集中在系统的最低能级,形成所谓的玻色-爱因斯坦凝聚。
费米子系统:描述:费米子是具有半整数自旋的粒子,如电子和中子等。
费米子系统中的粒子由于遵循泡利不相容原理,每个量子态只能被一个粒子占据。
这意味着费米子之间无法处于同一个量子态,也无法彼此交换位置。
统计规律:费米子系统中的粒子遵循费米-狄拉克统计。
根据费米-狄拉克分布,每个量子态最多只能被一个粒子占据。
在多粒子费米子系统中,由于每个量子态只能占据一个粒子,系统的能级填充依次递增,满足所谓的泡利不相容原理。
总结:玻尔兹曼系统适用于经典粒子,粒子之间无限制;玻色子系统适用于具有整数自旋的粒子,允许多个粒子占据同一个量子态;费米子系统适用于具有半整数自旋的粒子,每个量子态最多只能有一个粒子占据。
玻尔兹曼系统服从玻尔兹曼分布,玻色子系统服从玻色-爱因斯坦统计,费米子系统服从费米-狄拉克统计。
这些统计规律决定了粒子在不同系统中的分布特征和行为方式。
第九章第1讲 玻尔兹曼统计

•单原子分子:无内部结构的质点(没有转动等自由度)。
•理想气体:分子之间没有相互作用。
•考虑无外场,因此分子运动看作是在容器内的自由运动
ε=
p2 = 2m
1 2m
(
px2
+
py2
+
pz2 )
∫ ∫ = Z1 = e−βε dΩ
e−
β
1 2m
(
px2
+
p
2 y
+
pz2
)
dxdydzdpxdpydpz
h3
2kT m
方均根速率:
∫ ∫ vs=2 v=2
f (v)v2d=v
4
−
πAe
m 2kT
v2
v
4
d=v
3kT
m
= vs = v2
using: 1+ x + x2 + ... = (1− x)−1
每个单粒子态上的平均粒子数为
N
= − ∂ ln ξ ∂α
= eα +β1ε −1
= e(ε −µ )1/kT
−1
f BE
(ε
)
=
e(ε
1
−µ )/kT
-1
∈ (0,
+ ∞)
上式称为玻色分布函数,其意义是:玻色系统处于平衡态时, 各单粒子态(能量为ε)上的平均占据数无限制。
1
≈
1
exp[(ε − µ) kT ] ±1 exp[(ε − µ) kT ]
= exp[(µ − ε ) kT ] = fB (ε )
fB (ε=) exp(−α − βε=) exp[(µ − ε ) kT ] 1
半导体物理-11

庞智勇
山东大学物理学院
本幻灯片参照刘恩科等所编著教材《半导体物理学》编写
半导体物理 Semiconductor Physics
前面几节中我们都假定费米能级位于离开带边较 远的禁带之中,但是在有些情形下,费米能级可以 接近带边甚至进入带内,这种情形称为简并。
在费米能级位于离开带边较远的禁带之中情况下, 费米分布可由玻尔兹曼分布近似。在简并情形下, 由于占有几率f(E)一般有较大的值,玻尔兹曼分布和 费米分布之间的区别将变得显著,由玻尔兹曼分布 得到的占有几率将大于由费米分布得到的,所以不 能再用玻尔兹曼近似,而必须用费米分布。
积分,得到导带电子浓度
n0
Ec' Ec
4
(2mn* )3/ 2 h3
exp(
E EF k0T
)(E
Ec )1/ 2dE
对于简并半导体
Ec - EF >> k0T 的条件不满足,这时导带电子浓度必须用 费米分布函数计算,于是简并半导体的电子浓度n0为
n0
4
(2mn* )3/ 2 h3
对掺磷的n型硅,ED =0.044 eV,mn* 1.08m0 ,
计算可得 ND 2.31023 cm3
当杂质浓度超过一定数量后,载流子开始简并化的现 象称为重掺杂,这种半导体即称为简并半导体。
半导体物理 Semiconductor Physics
简并时杂质没有充分电离
注意这是一个结论,而不是当没有充分电离时怎样计算
dN fB (E)gv (E)dE
4V
(2mn* )3/ 2 h3
exp(
E EF k0T
)(E
玻尔兹曼分布与费米—狄拉克分布的统一

如果要计算电子处在 和 之间 的几率 , 则需要
先算 出 E 到 的积分 , 出之间的粒子数密度 , 得 再除 以 ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
总的 数密度 , 即
.
F
E
一1
-
— —
J Z
, I
—
-
- Ie
—
:
—
( t )k x [ E- e 1 / r] p" i ,—一 —— _ = ; —
e 璃4 一 T d r 口
统计、 玻色统计和费米一狄拉克统计. 尔兹曼统计主要 玻
研究定 域系统 和满足 经典 极 限条 件 的近 独立 粒 子 系统 的
() 1 式其实就是麦克斯韦速率分布, 以有时将玻尔兹曼 所
能 量分布 又叫麦玻 能量 分布. 了更 清楚 的看 到玻 尔兹 曼 为
玻尔兹曼根据平衡时各态概率均等原理和概率归一 化条件, 运用经典力学的观点把能量看成是可连续变化的
・
能) 是 Bhm n 常数. , oz an 如果现在我们将其在 0~∞区域 进行积分 , 3 式变为 () 。
收稿 日期 :0 0— 5—2 21 0 8
基金项 目: 国家 自 然科 学基金 资助 项 目(0779 ; 1781) 四川省教 育厅青 年基金资助 项 目(9 B8 , 7 B8 ) 西华师 范 0Z 07 0 Z09 ;
第2 0卷 5期
Vo . O No 5 12 .
四川 文理 学院学 报
Sc u n Unv ri fArs a d S in e J u n l ih a ie st o t n ce c o r a y
21 0 0 0年 9月
S p. 0 0 e 2 1
说明玻尔兹曼系统玻色子系统费米子系统的区别

说明玻尔兹曼系统玻色子系统费米子系统的区别玻尔兹曼系统和玻色子系统以及费米子系统是统计力学中的三种重要模型。
它们描述了微观粒子在宏观尺度上的行为。
本文将逐步阐述玻尔兹曼系统、玻色子系统和费米子系统的区别。
1.玻尔兹曼系统:玻尔兹曼系统是一种描述粒子统计行为的模型。
在玻尔兹曼系统中,粒子可以以任意数量存在于相同的量子态。
这意味着多个粒子可以处于相同的能量状态,也就是说,它们之间没有排斥效应。
玻尔兹曼系统中的粒子是无标识的,它们之间是可以交换的。
2.玻色子系统:玻色子系统描述了玻色子的统计行为。
玻色子是一类具有整数自旋的粒子,例如光子、声子等。
玻色子系统中,多个粒子可以同时处于相同的能量状态,它们之间没有排斥效应。
这种行为被称为玻色-爱因斯坦统计。
玻色子系统的一个重要特点是它们会聚集到基态,即粒子会尽可能地集中在能量最低的状态。
3.费米子系统:费米子系统描述了费米子的统计行为。
费米子是一类具有半整数自旋的粒子,例如电子、质子等。
费米子系统中,根据泡利不相容原理,每个能级只能有一个粒子占据,它们之间存在排斥效应。
这种行为被称为费米-狄拉克统计。
费米子系统的一个重要特点是它们填充能级从低到高,直到达到所谓的费米能级。
根据以上的描述,可以总结出玻尔兹曼系统、玻色子系统和费米子系统的区别:1.统计行为:玻尔兹曼系统中粒子之间无排斥效应,玻色子系统中多个粒子可以处于相同的能级,费米子系统中每个能级只能有一个粒子占据。
2.粒子类型:玻尔兹曼系统中的粒子是无标识的,玻色子系统中的粒子具有整数自旋,费米子系统中的粒子具有半整数自旋。
3.基态分布:玻色子系统会聚集到能量最低的状态,费米子系统填充能级从低到高。
4.波尔茨曼系统、玻色子系统和费米子系统在实际应用中有着不同的物理特性和行为模式。
综上所述,玻尔兹曼系统、玻色子系统和费米子系统在统计行为、粒子类型、基态分布等方面存在着明显的区别。
这些模型在研究微观粒子的统计性质和宏观行为时提供了重要的理论基础和工具,对于理解物质的性质和行为具有重要意义。
1 、当 为 时,分别用费米分布函数和玻尔兹曼分布函数计算

1、当F E E −为00015410.k T ,k T ,k T 时,分别用费米分布函数和玻尔兹曼分布函数计算电子占据各该能级的几率。
2、利用表3-2中的n p m ,m ∗∗数值,计算Si ,Ge ,GaAs 在室温下的C V N ,N 以及本征载流子浓度。
3、①室温下,Ge 的有效态密度19310510C N .cm −=×;1835710v N .cm −=×,求Ge 的载流子有效质量n pm ,m ∗∗。
计算77k 时的C N 、V N 。
已知300K 时,067g E .eV =,77K 时076g E .eV =。
求这两个温度下Ge 的本征载流子浓度。
②77K 时,Ge 的电子浓度为17310cm −,假定受主浓度为零,而001C D E E .eV −=,求Ge 中施主浓度D N 为多少?4、计算施主杂质浓度分别为163183193101010cm ,cm ,cm −−−的Si 在室温下的费米能级,并假定杂质是全部电离。
再用算出的费米能级核对一下上述假定是否在每一种情况下都成立。
计算时,取施主能级在导带底下面0.05eV 处。
5、计算含有施主杂质浓度153910D N cm −=×及受主浓度为1631110A N .cm −=×的Si 在300T K =时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
6、施主浓度为13310D N cm −=的n 型硅,计算400K 时本征载流子浓度,多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。
7、制造晶体管一般是在高杂质浓度的n 型衬底上外延一层n 型外延层,再在外延层中扩散硼、磷而成。
①设n 形硅单晶衬底是掺锑的,锑的电离能为0.039eV ,300K 时的F E 位于导带底下面0026.eV 处,计算锑的浓度和导带中电子浓度;(衬底)②设n 型外延层杂质均匀分布,杂质浓度为1534610.cm −×,计算300K 时F E 的位置及电子和空穴浓度;(外延层)③在外延层中扩散硼后,硼的浓度分布随样品深度变化。
第三章费米分布及玻耳兹曼分布

绝对温度T 下的物体内,电子达到热平衡状态时,一个 能量为E的独立量子态,被一个电子占据的几率f(E)为:
fn E
1
EEF
电子的费米分布函数
1 e k0T
K0为玻尔兹曼常数。 EF为一个类似于积分常数的一个待定常数,称为费米能级。
3.2.1 费米分布函数
它描述了在热平衡状态下,在一个费米粒子系统(如电子系统)中 属于能量E的一个量子态被一个电子占据的概率。
T=0K: 若E<EF,则 f(E)=1; 若E>EF,则 f(E)=0。 T>0K: 若E= EF , 则f(E) =1/2 ; 若E< EF , 则f(E) >1/2 ; 若E> EF , 则f(E) <1/2 ;
费米分布函数与温度的关系
19
3.2.1 费米分布函数
温度升高,能量比EF高的量子态被电子占据的概率上升。 E EF 5kT时, f (E) 0.007 E EF 5kT时, f (E) 0.993
对硅, 导带底共有6个对称状态,m dn 1.08m0; 对锗,s 8,m dn 0.56m0
3.1.2 状(能)态密度的定义
3.1.3 状(能)态密度的总结
3.1.3 状(能)态密度的总结
3.2 费米能级和载流子的统计分布
热平衡状态下,电子按能量大小,具有一定的统计分布规律性。 电子是费米子,遵从费米分布。
Ec EF K0T
p0
NV exp
EF EV k0T
可算计出本征载流子浓度为:
n NV
1/2
ex
p-
Eg 2k0T
43
3.3.2 本征载流子浓度 说明:
第3章-半导体中载流子的统计分布

3.1 状态密度
• 1、k空间量子态的分布 • 2、状态密度
1.5 载流子的运动 载流子 参与导电的电子和空穴统称为半导体的载流子。
载流子的产生 本征激发 电子从价带跃迁到导带,形成导带电子和价带空穴 杂质电离 当电子从施主能级跃迁到导带时产生导带电子;
当电子从价带激发到受主能级时产生价带空穴
载流子数目增加
(3-27)
所以,导带底附近的状态密度为:
gC
(E)
dZ dE
4V
2mn 3/ 2
h3
E EC 1/ 2
此式表明,状态密度随电子的能量呈抛物线关系。
对于等能面为椭球面的情况,仍选极值能量为
Ec,E(k)与k的关系:
E(k)
Ec
h2 2
k12
k
2 2
mt
k
2 3
ml
考虑到晶体的对称性,导带底极值附近对应椭球不止
能量为E的空穴状态密度 mp* 空穴的有效质量 EV 价带顶
有效质量
晶体中的电子除了受到外力作用外,还受到晶格原子和 其他电子的作用,为了把这些作用等效为晶体中的电子质 量,所以引入有效质量的概念。(当电子在外力作用下运 动时,它一方面受到外电场力的作用,同时还和半导体内 部原子、电子相互作用着,电子的加速度应该是半导体内 部势场和外电场作用的综合效果。但是要找出内部势场的 具体形式并且求出加速度遇到一定的困难,引进有效质量 后可使问题变得简单,直接把外力和电子的加速度联系起 来,而内部势场的作用则由有效质量加以概括。特别是有 效质量可以直接由试验测定,因而可以很方便地解决电子 的运动规律。)
对于P型半导体,随着受主杂质浓度的增加,费 米能级从禁带中线逐渐移向价带顶附近。
玻尔兹曼分布,玻色分布,和费米分布的关系

玻尔兹曼分布,玻色分布,和费米分布的关系
玻尔兹曼分布、玻色分布和费米分布是统计物理中描述粒子分布的三种基本分布。
玻尔兹曼分布是描述经典粒子在能量状态间的分布情况的分布函数。
根据玻尔兹曼分布,粒子在不同能级上的分布概率与能级的能量成反比。
玻色分布是描述玻色子(具有整数自旋)的分布情况的分布函数。
根据玻色分布,玻色子能够在同一能级上具有任意多个粒子,并且各个粒子之间没有排斥作用。
费米分布是描述费米子(具有半整数自旋)的分布情况的分布函数。
根据费米分布,费米子不能在同一个能级上具有多个粒子,并且各个粒子之间存在排斥作用。
三种分布函数在经典极限情况下可以相互转化。
当粒子间的相互作用很弱或忽略不计时,玻色分布和费米分布在高温极限下会趋向于玻尔兹曼分布。
而在低温极限下,玻尔兹曼分布则趋向于费米分布(保守统计中的玻尔兹曼-玻色平衡)。
综上所述,玻尔兹曼分布、玻色分布和费米分布是三种不同情况下的统计分布,它们在特定条件下可以相互转化或者趋于相似的分布模式。
半导体物理课件费米能级和载流子的统计分布

部占据导带底能级时该能级上的 状态密度。
同理
p0
Ev[1
Ev
f
(E)] gv (E) V
dE
p0
2
(2m
* p
k
0T
)
3
2
h3
exp(
Ev EF k0T
)
Nv
f
(Ev )
Nv
2
(2m*p k0T
h3
)
3 2
四、载流子浓度乘积n0p0
n0 p0
Nc Nv
exp(
Ec E v k0T
)
Nc Nv
k0T ln 2
Nv Nc
Ec
Ev 2
3k0T ln m*p
4
mn*
ni
n0
p0
1
(NcNv) 2
exp(
Eg 2k0T
)
n0
p0
ni2
Nc Nv
exp(
Eg k0T
)
注:热平衡条件下,非简并半导体的载流子浓度积等于本征载 流子浓度的平方,此式成为系统是否处于热平衡状态的判据。
对于Si、Ge和GaAs,EF基本上在禁带中间 位置。
比杂质浓度低一个数量级。当本征载流子浓度(随温度呈指
数上升)与杂质浓度相当时器件失效,即在一个数量级范围
内时失效,由此限制的本征载流子浓度值所对应的温度即为
器件工作温度上限。
本征载流子浓度依赖于禁带宽度,
ni
(NC
NV
)1/ 2
exp(
Eg 2k0T
)
即在相同温度下禁带宽度越宽,本征载流子浓度越小,对于 硅 、 锗 、 砷 化 镓 器 件 , 若 杂 质 浓 度 相 同 , 由 于 EgGe<EgSi <EgGaAs, 若 使 本 征 载 流 子 浓 度 与 之 相 当 , 则 需 要 的 温 度 TGe<TSi<TGaAs,所以砷化镓具有更高的工作温度上限。
第三章 费米分布及玻耳兹曼分布[详版课资]
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此时,电子的费米分布函数近似为
f F E
1+exp
E
EF kT
-1
exp(- E - EF kT
)
即这时电子的费米分布函数转化为电子的玻耳兹曼分布函数:
fBE
exp
E EF k0T
23
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23
3.2.2 玻耳兹曼分布函数
2. 空穴的玻耳兹曼分布函数
类似地,若 EF E kT时, exp [(EF-E)/kT] 1 此时,空穴的费米分布函数近似为
先考虑导带:
E E+dE内的量子态数: dZ=gc(E)dE; 电子占据能量为E的量子态的概率: f(E); 则E E+dE内的所有量子态上的电子数为: dN=f(E)gc(E)dE
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29
3.2.3 导带电子浓度和价带空穴浓度
对旋转椭球形等能面:
gc (E)
4V
(2mn )3/ 2 h3
15
3.1.3 状(能)态密度的总结
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16
3.2 费米能级和载流子的统计分布
课堂优质
17
热平衡状态下,电子按能量大小,具有一定的统计分布规律性。 电子是费米子,遵从费米分布。
3.2.1 费米分布函数
绝对温度T 下的物体内,电子达到热平衡状态时,一个 能量为E的独立量子态,被一个电子占据的几率f(E)为:
37
3.2.4 载流子浓度乘积
讨论
1. 电子和空穴浓度乘积与费米能级无关,也与掺杂无关, 取决于不同材料的禁带宽度及其状态密度有效质量。
2. 在特定温度下,对于确定的半导体材料,热平衡下载流 子浓度的乘积保持恒定。
课堂优质
38
3.3 本征半导体的载流子浓度
热力学统计物理玻耳兹曼统计

义
粒子处在该
能级的几率
有效状 态数
al
N Z1
l
e
l
al
el l
N
Z1
el l el l
玻耳兹
曼因子 粒子总是优先占据较低能级;温度升高,占 据该能级的几率增大。
Z1——有效状态和 一个粒子所有可能达到的有效状态的总和。
热统 西华大学 理化学院
6
f e s
l 能量为εl的一个量子态s上的平均粒子数
p
3.粒子配分函数的经典表达式
处元于内能层的l 粒l内子,数运为动:状态处于相体积
al
l
h0r
fs
l h0r
e l
N Z1
l
h0r
el
l x
Z1
l
el l
h0r
al
N Z1
l
h0r
el
取 l 足够小,求和可化为积分:
Z1
el d
h0r
e ( p,q) dq1dq2 dqr dp1dp2 dpr h0r
l l
FD l l! BE
l
l
l
e l
ln
l l
l
对于满足非兼并条件的处
于平衡态(最可几分布) lnFD lnBE l ln l lnl !
的非定域(玻色、费米) 系统,通过对所对应的系 统微观状态数目取对数, 得到了微观状态数目的对 数ln与系统包含的粒子数
l
l
l ln l l ln l 1
玻尔兹曼、玻色、费米系统之间的关系
玻色粒子,玻色分布
=
e+
1
非兼并条件
e》1 l l
费密粒子,费密分布
费米分布函数和玻尔兹曼函数的区别

费米分布函数和玻尔兹曼函数的区别费米分布函数和玻尔兹曼函数是描述粒子统计行为的两个重要数学工具。
它们在统计物理学和量子力学中扮演着不可或缺的角色。
费米分布函数描述了处于热平衡态下的费米子(如电子、中子)的能级分布情况,而玻尔兹曼函数则描述了玻色子(如光子、声子)的能级分布情况。
虽然两者都涉及能级分布,但它们有明显的区别。
首先,费米分布函数和玻尔兹曼函数的推导基于不同的统计假设。
费米-狄拉克统计假设认为费米子具有自旋1/2,并遵循泡利不相容原理,即每个量子态最多只能有一个粒子占据。
根据这一假设,可以推导出费米分布函数的表达式。
而玻色-爱因斯坦统计假设认为玻色子具有整数自旋,并允许多个粒子占据同一个量子态。
根据这一假设,可以推导出玻尔兹曼函数的表达式。
其次,费米分布函数和玻尔兹曼函数的表达式具有不同的形式。
费米分布函数表示了处于热平衡态下的费米子能级的占有概率,其表达式为:f(E) = 1 / (exp((E - μ) / kT) + 1)其中,E为能级,μ为化学势,k为玻尔兹曼常数,T为温度。
费米分布函数的特点是在低温下,占据概率逐渐趋于1,近乎于全满,并且在化学势附近有一个陡峭的跃迁区域。
而在高温下,概率逐渐趋于0,近乎于全空。
玻尔兹曼函数表示了处于热平衡态下的玻色子能级的占有概率,其表达式为:f(E) = 1 / (exp((E - μ) / kT) - 1)玻尔兹曼函数的特点是在低温下,占据概率趋近于0,近乎于全空,并且在化学势附近有一个陡峭的跃迁区域。
而在高温下,概率逐渐趋近于1,近乎于全满。
此外,费米分布函数和玻尔兹曼函数的物理意义也有所不同。
费米分布函数描述了费米子在系统中的分布情况,它决定了费米子填充能级的方式,从而影响了材料的导电性、磁性和热疏导性等性质。
费米分布函数还能够解释费米面、费米能级和众多金属、半导体、绝缘体材料的电子性质。
而玻尔兹曼函数描述了玻色子的分布情况,它决定了玻色子在系统中的占据概率,从而影响了光子的发射和吸收过程、声子的传播和散射过程。
半导体物理名词解释(四川农业大学)

半导体物理名词解释金刚石型结构:金刚石结构是一种由相同原子构成的复式晶体,它是由两个面心立方晶胞沿立方体的空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。
每个原子周围都有4个最近邻的原子,组成一个正四面体结构。
闪锌矿型结构:闪锌矿型结构的晶胞,它是由两类原子各自组成的面心立方晶格,沿空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。
有效质量:粒子在晶体中运动时具有的等效质量,它概括了半导体内部势场的作用。
有效质量表达式为:费米能级: 费米能级是T=0 K 时电子系统中电子占据态和未占据态的分界线,是T=0 K 时系统中电子所能具有的最高能量。
准费米能级:统一的费米能级是热平衡状态的标志。
当外界的影响破坏了热平衡,使半导体处于非平衡状态时,就不再存在统一的费米能级。
但是可以认为,分别就导带和价带中的电子讲,他们各自基本上处于平衡状态,导带与价带之间处于不平衡状态。
因为费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍是适用的,可以引入导带费米能级和价带费米能级,它们都是局部的费米能级。
称为“准费米能级”费米面:将自由电子的能量E 等于费米能级Ef 的等能面称为费米面。
费米分布:大量电子在不同能量量子态上的统计分布。
费米分布函数为:施主能级:通过施主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级,被子施主杂质束缚的电子能量状态称为施主能级。
受主能级:通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级,被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。
禁带:能带结构中能态密度为零的能量区间。
价带:半导体或绝缘体中,在绝对零度下能被电子沾满的最高能带。
导带:导带是自由电子形成的能量空间,即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。
222*dk Ed h m n T k E E FeE f 011)(N型半导体: 在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。
P型半导体: 在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,形成P 型半导体。
半导体物理复习要点 河北大学

第一章1.电子的共有化运动原子组成晶体后,由于电子壳层的交叠,电子不再完全局限在某一个原子上,可以由一个原子转移到相邻的原子上去,因而,电子可以在整个晶体上运动。
这种运动称为电子的共有化运动。
2.准动量(hk)m*v = hk3.有效质量的表达式*nm= h2(d2E/dk2)-1引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用,使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时,可以不涉及半导体内部势场的作用。
4.本征激发价键上的电子激发成为准自由电子,亦即价带电子激发成为导带电子的过程,称为本征激发。
5.硅的能带结构(导带、价带)Si的导带极小值在【100】方向及其对称方向上,共有六个等价能谷。
Si的价带顶位于K=0处,在价带极值处有两个简并化的能谷,产生重空穴、轻空穴两类空穴。
还有一个能带是由于自旋-轨道耦合分裂出来的。
6.导体、半导体、绝缘体的导电性能差别原因(从能带)金属中,由于组成金属的原子中的价电子占据的的能带是部分占满的,所以金属是良好的导体。
绝缘体的禁带宽度很大,激发电子需要很大的能量,在通常温度下,能激发到导带去的电子很少,所以导电性很差。
半导体禁带宽度比较小,数量级在1eV 左右,在通常温度下已有不少电子被激发到导带中去,所以具有一定的导电能力。
P16图 1-12第二章1.杂质的补偿作用当半导体中既掺入施主杂质,又掺入受主杂质时,施主与受主杂质之间有互相抵消的作用,称为杂质的补偿作用。
2.深能级、浅能级的定义及对材料的影响杂质的施主能级Ed距导带底很近,受主能级EA距价带顶很近,通常称这样的杂质能级为浅能级。
浅能级杂质能够提供载流子,提高导电性能,改变导电类型。
非Ⅲ、Ⅴ族杂质在硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带底较远,它们产生的受主能级距价带顶也较远。
通常称这样的能级为深能级。
深能级杂质,一般情况下含量极少,而且能级较深,对于载流子的复合作用比浅能级杂质强,故这些杂质也称为复合中心(减少非平衡载流子寿命)。
Maxwell-Boltzmann分布律

( 1) ( 2)
取极大的变量值分布{ni*}
in1 ln t n1, n2 ,..., ni ,... ln N ! n ! i i
( 3)
N,E守恒条件写作变分形式,有
n
i i i
i
0
i
( 4) ( 5)
n
lnt 最大的必要条件是其一级变分为0
费米系统
离域子、粒子不可分辨、处在同一个量子态上的粒子数只限一个; 讨论能级εi 上ni个粒子放在ωi个量子态上的排列数 第1个粒子有 ωi 第2个粒子有 ωi-1 …… 第ni个粒子有 ωi-(ni-1) 种放法: 进一步考虑粒子不可分辨性,排列数为 则分布{ni}拥有的微 观状态数为: 宏观状态(N,V,E) 总的微观状态数 种放法: 种放法: 相乘得放置方式数为
能级分布及微观状态数
对于宏观状态为(N,V,E)的体系,粒子分布可以描述如下
能级
简并度
粒子数
ε1 ω1 n1
ε2 ω2 n2
… … …
εi ωi ni
… … …
用{ni}表示上述分布,代表了N个粒子在微观能级上的一种分布方式 显然分布{ni}应该满足宏观状态的限制,即:
E ni i
i
N ni
ni
(i 1,2,...)
( 7)
这样的ni取值使得lnt有极值,且又
2 ( n ) 2 ln t ln ni i 0 i ni i i
(7)式的分布{ni}确实使得lnt (因而t )为极大,这一分布也就是最概然 分布,称之为Maxwell-Boltzmann分布律
能级εi的Boltzmann因子
数值与能量零点选择有关
第三章半导体 重点知识

价带顶态密度
1 V ( 2m ) gV ( E ) = ( EV E) 2 2 2π
3 * 2 p 3
结论:导带底和价带顶附近, 结论:导带底和价带顶附近,单位能量间隔内的量子 态数目,随载流子的能量增加按抛物线关系增大, 态数目,随载流子的能量增加按抛物线关系增大,即 能量越大,状态密度越大。 能量越大,状态密度越大。
3.2 费米能级和载流子的统计分布
费米分布函数f(E) 费米分布函数f(E) 热平衡状态下,电子按能量大小具有一定的统 计分布规律性 根据量子力学,电子为费米子,服从费米分布
f (E) =
1 1+ e
E EF k 0T
f(E)表示能量为E f(E)表示能量为E的一个量子态被一个电子占据 的概率。E 的概率。EF表示平衡状态的参数称为费米能级
2 2 C * n
得到K的表达式,并求导,得到KdK关于dE的表达式 5. 代入步骤3的结果,得到dZ与dE关系式
* dZ V ( 2mn )3 / 2 6. 根据定义 g ( E ) = = ( E EC )1/ 2 dE 2π 2 3
结论
3.1状态密度 3.1状态密度
3 * 2 n 3
1 V (2m ) 2 (E EC) 导带底态密度 g c ( E ) = 2 2π
1 f (E) = e
EF E k 0T
3.2 费米能级和载流子的统计分布
3。简并半导体和非简并半导体 。
简并半导体:掺杂浓度高,对于 型半导体 其费米能级E 型半导体, 简并半导体:掺杂浓度高,对于n型半导体,其费米能级 F 接近导带或进入导带中; 型半导体, 接近导带或进入导带中;对于 p型半导体,其费米能级 F 型半导体 其费米能级E 接近价带或进入价带中的半导体 非简并半导体:掺杂浓度较低,其费米能级EF在禁带中的 非简并半导体:掺杂浓度较低,其费米能级 半导体 n型半导体 型半导体 非简并 弱简并 简 并
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9
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3.1.1 费米分布
空穴的费米分布函数:
f
V
(E)
1-f
E
1+exp
EF k0T
E
-1
fV(E)与1-f(E)是关于EF是对称的,即为电子-空穴几率对称性。
10
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3.1.2 玻耳兹曼分布函数 1. 电子的玻耳兹曼分布函数
E EF kT时, exp [(E-EF )/kT] 1
第3章 半导体中载流子的统计分布
Chapter 3 Statistical Distribution of Carriers in Semiconductors
1
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本章要点
理解费米分布和玻尔兹曼分布的前提条件,及费米函数的性质。 熟悉导带电子和价带空穴浓度的分析推导过程。 掌握杂质半导体费米能级随杂质浓度和温度的变化关系。 掌握本征、杂质半导体中载流子浓度的计算。 简并半导体的简并化条件及简并情况下载流子浓度的计算。 热平衡态下半导体中载流子浓度满足关系式。
此时,空穴的费米分布函数近似为
-1
f
V F
E
1+exp
EF k
T
E
exp(- EF - E ) kT
这时空穴的费米分布函数转化为空穴的玻耳兹曼分布:
f
V B
E
exp
EF k0T
E
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3.1.2 玻耳兹曼分布函数
意义:当粒子系统中的微粒子非常稀少时,粒子必须遵守的泡 利不相容原理自动失去意义。即系统中每一个量子态不存在多 于一个粒子占据的可能性。
2
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引言
热平衡状态: 在一定的温度下,给定的半导体中载 流子的产生和复合同时存在,最后达到一动态平 衡。
热平衡载流子浓度 : 当半导体处于热平衡状态时, 半导体导带电子浓度和价带空穴浓度都保持恒定 的值,这时的电子或空穴的浓度称为热平衡载流 子浓度。
3
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3.1 费米分布及玻耳兹曼分布
此时,电子的费米分布函数近似为
f F E
1+exp
E
EF kT
-1
exp(- E - EF kT
)
即这时电子的费米分布函数转化为电子的玻耳兹曼分布函数
fBE
exp
E EF k0T
11
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3.1.2 玻耳兹曼分布函数
2.空穴的玻耳兹曼分布函数
类似地,若 EF E kT时, exp [(EF-E)/kT] 1
除去在EF附近的几个kT处的量子态 外,在 E EF kT 处,量子态为 电子占据的几率很小。即在 E EF kT 的条件下,泡里不相容原理失去作 用,费米分布和波耳兹曼分布这两 种统计的结果是相同的。
E EF 5kT时, f (E) 0.007 E EF 5kT时, f (E) 0.993
费米分布:
f
E
1+exp
E EF k0T
-1
5
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3.1.1 费米分布
说明1:它描述了在热平衡状态下,在一个 费米粒子系统(如电子系统)中属于能量E 的一个量子态被一个电子占据的概率。
T=0K: 若E<EF,则 f(E)=1; 若E>EF,则 f(E)=0。
T>0K: 若E= EF , 则f(E) =1/2 ; 若E< EF , 则f(E) >1/2 ; 若E> EF , 则f(E) <1/2 ;
f B E
exp
E EF k0T
不难证明:
f
V B
E
Hale Waihona Puke exp EF k0T
E
f
V B
E
f
B
E
exp
EF E k0T
exp
E EF k0T
1
上述结果是否正确?
15
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3.1.2 玻耳兹曼分布函数
低掺杂半导体中, 载流子统计分布通 常遵顺玻耳兹曼统 计分布。这种电子 系统称为非简并性 系统。
A:0k, B:300k, C:1000k, D:1500k 图3-1 费米分布函数与温度的关系
6
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3.1.1 费米分布
温度升高,能量比EF高的量子态被电子占据的概率上升。
E EF 5kT时, f (E) 0.007 E EF 5kT时, f (E) 0.993
可见,温度主要影响费米能级附近的电子状态。
f (Ei) N
i
EF与温度、半导体材料等有关。
8
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3.1.1 费米分布 费米能级在能带中的位置:
对于金属晶体,价电子只能部分填满最外的导带,费米能级位 置在导带中。
对于半导体晶体,价电子填满了价带,最外的导带是空的,费 米能级位置在禁带内,且随其中的杂质种类、杂质浓度以及温度 的不同而改变。
13
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3.1.2 玻耳兹曼分布函数
除去在EF附近的几个kT处的量子态外,在 EF E kT 处, 量子态被空穴占据的几率很小。即在 EF E 的k条T 件下, 空穴费米分布和空穴波耳兹曼分布这两种统计的结果是相 同的。
14
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3.1.2 玻耳兹曼分布函数 因为:
4
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3.1.1 费米分布
量子态:一个微观粒子允许的状态。对费米子来说,一个量子 态只能容纳一个粒子。
量子统计理论指出:对于一个包含有众多粒子的微观粒子系统, 如果系统满足量子力学的粒子全同性原理和泡里不相容原理, 则没有必要追究个别粒子落在哪个量子态,而是考究在给定能 量E的量子态中有粒子或没有粒子的概率即可。
说明2:它描述了在热平衡状态下,在一个费米粒子系统(如电子 系统)中属于能量E的一个量子态上的电子数。
f (Ei) N
i
式中求和包括每一能量值所包含的每个量子态。
7
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3.1.1 费米分布 说明3:费米能级EF: 电子占据几率为1/2的量子态所对应的能级
费米能级的意义:反映能级被电子填充水平的高低。 费米能级的确定:用系统包含的电子总数N来决定,即
高掺杂半导体,载 流子服从费米统计, 这样的电子系统称 为简并性系统。
16
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3.2 半导体载流子的统计
17
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电子在允许的量 子态中如何分布?
载流子的 统计分布: 载流子按 能量的分
布
允许的量子态按能量 如何分布?
18
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3.2.1 k空间量子态密度
kz
(1). 一个量子态在k空间所占的体积
电子在晶体中的能量状态用k标志,根据周期 性的边界条件,电子的波矢只能取分立的值: