晶闸管的基本特性
晶闸管相关知识点总结
晶闸管相关知识点总结一、晶闸管的基本结构晶闸管由四层P-N结组成，常用的结构有NPNP和PNPN两种。
NPNP结构的晶闸管由N型半导体和P型半导体交替组成，其中N1P1之间为薄的P2层，称为控制层。
PNPN结构的晶闸管则由P型半导体和N型半导体交替组成，其中P1N1之间为薄的N2层，也称为控制层。
在两种结构中，N1和P2之间或P1和N2之间的结被称为触发结，控制层P2或N2与外接的触发电压信号V_g相结，当V_g增大到一定数值时，触发结打开，晶闸管导通，电流通过。
晶闸管的最大阳极与阴极电压称为额定阳极电压U DRM，最大阳极电流称为额定阳极电流I DRM。
二、晶闸管的工作原理晶闸管的工作原理可以从触发过程和导通过程两个方面来解释：1.触发过程晶闸管的触发过程是从晶闸管关断状态转变成导通状态的过程。
在正常工作状态下，晶闸管的阳极与阴极两端之间的电压为正向电压，晶闸管是处于关断状态的。
当控制层加上一个正脉冲电压时，触发结上的电场会产生漏极扩散，从而使控制层中的电子和空穴向N1层或P1层运动。
如果控制层中的载流子浓度高于某个值，那么触发结的电阻就会下降，电流将通过触发结，使晶闸管进入导通状态。
2.导通过程当晶闸管处于导通状态时，阳极和压电传输的电流都是主要的通电要素。
此时晶闸管的特性曲线显示出电流与电压之间的非线性关系。
当电流I G增加，晶闸管的触发电压U GT几乎不变，但是阳极电流I A与触发电流I G呈线性关系。
当晶闸管的阳极电压增加，电流增大，但是增加的速度并非线性关系。
当电压继续增大时，电流稳定在一个较大的数值。
在导通状态下，晶闸管相当于一个两端电压少量扩大的二极管。
三、晶闸管的特性晶闸管的特性可以从静态特性和动态特性两个方面来讨论：1.静态特性晶闸管的静态特性包括触发特性和导通特性两个方面：触发特性是指晶闸管在不同触发电流和触发电压条件下的触发特性曲线。
当触发电流I G增加时，触发电压U GT基本不变，这种关系在实际电路中经常用来测量晶闸管的参数。
晶闸管的仿真与设计
晶闸管的仿真与设计晶闸管是一种电子器件，被广泛应用于交流电控制和直流电变换等领域。
晶闸管仿真和设计是电气工程师日常工作中必不可少的一部分。
本文将介绍晶闸管的仿真和设计过程。
晶闸管的基本构造：晶闸管由四个区域组成：P区，N区，P区和N区。
控制电压施加在P区和N区之间的结（P-N结）上时，这个结就变得导电，晶体管就被激活，使得电流流过。
这个结被激活后，晶体管就会继续导电，即使控制电压已经被取消了。
晶闸管的原理和特性：晶闸管的原理和特性与晶体管类似，但是晶闸管的电流和电压比晶体管更高。
晶闸管能够承受更高的电压和电流，使得它被广泛应用于更大功率的电子器件中。
晶闸管的仿真和设计是电气工程师的一个核心技能之一，它使得电气工程师能够预测电子电路的行为并设计出最佳的电路。
以下是晶闸管的仿真和设计过程的概述。
1. 确定应用场景：在设计晶闸管之前，必须先确定应用场景。
这包括了电源电压、电子电路的负载和其他相关的参数。
这个步骤将有助于确定设计中需要考虑哪些因素。
2. 选择晶闸管：在确定应用场景后，必须选择合适的晶闸管。
不同的晶闸管具有不同的特性，如极值（包括峰值反向电压、峰值正向电流等等）、导通电阻、高压限制、能量限制等等。
根据应用场景，必须选择最适合的晶闸管。
3. 仿真：在确定应用场景和选择晶闸管后，电气工程师可以开始仿真。
仿真软件可以模拟出电路的行为，并根据所选的元件参数对电路进行评估。
仿真可以帮助电气工程师发现电路的潜在问题，并优化元件的选择和电路的设计。
4. 布局和绘图：在完成仿真后，必须进行布局和绘图。
布局将晶闸管和其他元件的位置确定在标准电子电路图上，以确定元件之间的物理位置和连接方式。
接下来，必须按照图纸绘制出原型电路板。
5. 制造原型：在绘制电路板之后，电气工程师必须制造出原型。
这可以通过使用电子布线系统或手工制作电路板来完成。
在制造原型时，必须注意元件的位置和连接方式，以确保电路可以正常运转。
总结：晶闸管的仿真和设计是电气工程师必备的核心技能之一。
晶闸管介绍
晶闸管介绍：晶闸管是一种大功率开关型半导体器件，具有硅整流器件的特性。
1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化。
晶闸管是PNPN 四层半导体结构，有三个极：阳极、阴极和控制极。
它能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制，被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
晶闸管具有硅整流器件的特性，因此能够在高电压、大电流条件下工作。
在实际应用中，晶闸管的导通和截止状态可以通过控制极触发电流来实现控制。
在正向电压条件下，晶闸管内部两个等效三极管均处于截止状态，此时晶闸管是截止的。
当控制极上施加触发电流时，晶闸管内部等效三极管导通，晶闸管进入导通状态。
在导通状态下，控制极失去作用，即使控制极上施加反向电压，晶闸管仍然保持导通状态。
要使晶闸管截止，需要使其阳压为零或为负，或将阳压减小到一定程度，使流过晶闸管的电流小于维持电流，晶闸管才自行关断。
此外，晶闸管具有正向和反向特性。
在正向特性下，只有很小的正向漏电流；在反向特性下，需要施加反向电压才能使晶闸管导通。
因此，在实际应用中需要根据具体电路要求选择合适的晶闸管类型和规格。
晶闸管的特点
晶闸管的特点
晶闸管的特点：
1、开关特性：晶闸管具有较强的开关特性，即在小输入电流和很小的电压差下，可在微秒级别内容直接承担大于千瓦的负载，承担功率器件特点，性能比开关管表现更好。
2、稳定性：晶闸管具有良好的稳定性，无需外接电容就可以达到高稳定性，并且在保证稳定性情况下，能够承担大于千瓦的电流负载，因此晶闸管在电源调节器技术中得到了广泛的应用。
3、受控特性：极小的控制和驱动电流，可以在测量微小的电压差的条件下控制强大的负载系统，可直接把小功率的输入电流转换成大功率的交流输出，这也是晶闸管作为集中系统控制器的重要原因之一。
4、阻断能力：晶闸管具有很强的阻断能力，即在小电流和很小的电压差下，可以在微秒级别直接承担大于千瓦的负载，可阻断高压和大电流模型，安全可靠。
5、散热特性：晶闸管具有良好的散热性能，在小电流情况下它的尖峰散热强度大于硅发射管；而当它的电流大于一定的阈值的时候，其热损失可大大降低，这有助于提高系统效率并延长其使用寿命。
6、反应速度：晶闸管的反应速度比普通硅发射管要快，可以在微秒级别内，控制一个大于千瓦的负载，这样就可以有效地防止因负载高速切换而带来的损耗和影响，是电源技术的重要元件。
7、安全性：晶闸管由于其结构安全性能稳定，多数电路结构中使用它作为保护元件，以降低系统停电率，改善系统的安全性能，保护系统的安全运行。
晶闸管相关练习题
晶闸管相关练习题
晶闸管是一种常用的电子器件，广泛应用于电力电子控制领域。
为了帮助大家更好地掌握晶闸管的操作和特性，以下是一些晶闸管相关练习题，供大家练习和巩固知识。
题目一：晶闸管的基本特性
1. 什么是晶闸管？它的主要结构是什么？
2. 晶闸管的工作原理是什么？
3. 晶闸管的常见用途有哪些？
题目二：晶闸管的控制
1. 晶闸管的触发方式有哪些？请分别介绍。
2. 画出晶闸管的典型触发电路，并解释其工作原理。
3. 晶闸管的关断方式有哪些？请分别介绍。
题目三：晶闸管的保护和应用
1. 晶闸管的过电流保护方法有哪些？
2. 晶闸管的过压保护方法有哪些？
3. 晶闸管在电机控制中的应用有哪些？请举例说明。
题目四：晶闸管的特性参数
1. 什么是晶闸管的导通压降和关断压降？它们分别有什么特点？
2. 什么是晶闸管的阻断能力？
3. 什么是晶闸管的恢复时间和导通延迟时间？它们对晶闸管性能有何影响？
题目五：晶闸管的常见故障和排除方法
1. 晶闸管的常见故障有哪些？请分别介绍。
2. 当晶闸管出现故障时，我们应该如何判断和排除问题？
3. 晶闸管故障的预防措施有哪些？
题目六：晶闸管的逆变电路
1. 什么是逆变电路？它有什么常见的应用？
2. 画出晶闸管逆变电路的典型示意图，并解释其工作原理。
3. 晶闸管逆变电路的控制方法有哪些？
以上是一些晶闸管相关的练习题，希望能够帮助大家更好地理解和掌握晶闸管的知识。
通过不断练习和学习，我们可以在电力电子控制领域中更加熟练地应用晶闸管，为实际工程带来更多的便利与效益。
祝大家在晶闸管的学习中取得好成绩！。
电力电子技术-模拟试题4-答案
哈尔滨工业大学远程教育学院 2007年秋季学期电力电子技术模拟试题4（开卷，时间：120分钟）（所有答案必须写在答题纸上）一、填空题（40分，每空1分）1.晶闸管的基本工作特性可概括为：承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在门极有触发电流情况下，晶闸管才能导通；晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。
2.通常取晶闸管的U DRM和U RRM中较小的标值作为该器件的额定电压。
选用时，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2～3倍。
3.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流。
晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流称为擎住电流。
对同一晶闸管来说，通常I L约为I H的称为2～4倍。
4.晶闸管的派生器件有：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管。
5. 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10 s左右。
高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额不易做高。
6.双向晶闸管晶闸管可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。
7.逆导晶闸管是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。
8. 光控晶闸管又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。
光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响。
9.带隔离变压器的DC-DC变换器的基本类型包括单端正激变换器和单端反激变换器，其中单端是指变压器磁通单方向变化。
10.正激变换器是指在开关管开通时电源将能量直接传送给负载。
11.反激变换器是指在开关管开通时电源将电能转为磁能储存在电感（变压器）中，当开关管关断时再将磁能变为电能传送到负载。
12.三相电压型逆变电路中，180度导电角的控制方式下，每个桥臂的导电角度为180˚，各相开始导电的角度依次相差120˚，在任一时刻，有3个桥臂导通。
晶闸管(Thyristor)
1．2 晶闸管（Thyristor）晶闸管是晶体闸流管的简称，属于半控型电力电子器件。
它有三个电极：阳极A，阴极K和门极G。
其外型及电路符号如图1-1所示。
与晶体管不同，晶闸管只有导通和阻断两种状态，导通时电流从阳极A流向阴极K，A-K之间电压很小，类似于一个闭合的开关，但电流不能反向流动；如果晶闸管处于阻断状态，A-K之间无电流流动，其电压由外部电路决定。
若要使晶闸管从阻断状态进入导通状态，必须同时满足以下两个条件：1）阳极和阴极之间加正向电压，A+、K-；2）门极与阴极之间加正向电压，G+、K-。
图1-1 晶闸管的外形和符号晶闸管一旦进入导通状态，门极就失去了控制作用，无论加正向电压还是反向电压，都不会影响晶闸管的导通。
要使晶闸管从导通状态转入阻断状态，可以采取以下措施之一：将阳极电流降低到零；或者在阳极和阴极之间加反压，即阳极接负、阴极接正。
1.2.1 晶闸管的结构和工作原理晶闸管的结构如图1-2所示，四层半导体材料组成P-N-P-N结构，形成三个PN结J1、J2和J3，它们串联连接在阳极和阴极之间。
在门极开路时，无论阳极和阴极之间所加的电压方向如何，三个P-N结至少有一个承受反向电压，因此A、K之间不可能有电流，晶闸管处于阻断状态。
如果满足晶闸管的开通条件，即阳极接电压正极、阴极接负极，同时门极和阴极之间接一个G+、K-的正向电压，晶闸管就可以从阻断状态转入导通状态。
原理如下，假想将晶闸图1-2晶闸管的结构管分为两部分如图1-2（b ），则上半部分相当于一个PNP 形三极管V 1，而下半部分相当于一个NPN 型三极管V 2，两只三极管的连接如图1-2（c ）所示，如此连接使得任何一个三极管导通时电路会出现强烈的正反馈。
如果阳极电路加正向电压（A+、K-），当门极电位高于阴极电位时V 2的发射结正偏，出现门极电流I g ，该电流为V 2提供基极电流I b2，进而产生集电极电流I c2，而I C2亦即T 1的基极电流I b1，经V 1的放大作用，产生集电极电流I c1，I c1又为V 2提供（或强化V 2的）基极电流。
晶闸管原理以及参数介绍
晶閘管結構可等效為一個 NPN型和一個PNP型三極管， 根據其連接方式等效電路 可以基本瞭解到晶閘管控 制導通方式
控制極G加正 向脉衝電壓
NPN管導通
PNP管導通
PNP管關閉
Y
N
NPN管關閉
IT>IH?
整個晶閘管關閉
整個晶閘管 導通
晶閘管的分類
基本分類
按关断导通控制 方式 普通晶闸管(SCR)、双向晶闸管(TRIAC)、逆导晶闸管(RCT)、门极关断晶闸 管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管(LTT)等多种。
普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整 流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可 以构成可控整流电路。
晶閘管的基本應用
1.单相半波相控整流电路 下图为单相半波相控整流电路（Single-phase half wave
controllable rectifier），整流变压器二次电压有效值用U2表 示，瞬时值用u2表示，负载上输出电压用uo表示。
（2）维持电流IH（Holding current） 指在室温和门极开路时，逐渐减小导通状态下晶闸管的
阳极电流，最后能维持晶闸管持续导通所必须的最小阳极电 流，结温越高，维持电流IH越小，晶闸管越难关断。
晶閘管的參數介紹
2. 晶闸管的电流参数
（3）掣住电流IL（Latching current） 指晶闸管触发后，刚从正向阻断状态转入导通状态，在立
（6）通态正向平均电压UF
在规定的环境温度和标准散热条件下，器件正向通过正弦 半波额定电流时，其两端的电压降在一周期内的平均值，又称 管压降，其值在0.6~1.2V之间。
晶閘管的參數介紹
2. 晶闸管的电流参数
1.2 晶闸管(SCR)
晶闸管的门极伏安特性
极限高阻 曲线
极限低阻 曲线 门极触发电 流、电压
晶闸管的门极触发电压较一般PN结压降高
1.2.2 晶闸管的基本特性
2） 动态特性 ）
1) 开通过程
延迟时间td (0.5~1.5µs) 延迟时间 µ 上升时间t 上升时间 r (0.5~3µs) µ 开通时间t 开通时间 on以上两者之和， ton=td+ tr （1-6） 普通晶闸管的开通时间约为 6微秒
晶闸管的结构与工作原理
常用晶闸管的结构
螺栓型晶闸管
晶闸管模块
平板型晶闸管外形及结构
1.2.1
晶闸管的结构与工作原理
——晶闸管开关实验 ——晶闸管开关实验
主电路
控制电路
直流电源 门极电源
图 晶闸管导通关断实验 实验现象如下： 1.仅UAK<0时, 无论Ug何值（即UGK 值），VT关断，灯不亮。 2.当UAK>0时, 但Ug＝0（即UGK 值），VT关断，灯不亮。 3.当UAK>0, Ug>0（即UGK 值）时，VT导通，灯亮。 注：晶闸管导通下，只要保持承受一定的正向阳极电压，则不论UGK 电压如何，晶闸管均仍然导通，即晶闸管导通后，门极就失去对它的 控制作用。 4.晶闸管在导通情况下，只有当其正向阳极电压减少到一定值或者阳极 电压为负值，才能使阳极电流减小到一定数值（维持电流IH）以下，晶 闸管才从导通状态恢复为阻断状态。
1.3.3
3）动态参数
晶闸管的主要参数
除开通时间ton和关断时间toff外，还有：
断态电压临界上升率du/dt 断态电压临界上升率
——指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通 态转换的外加电压最大上升率。 ——电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通 。
第1章 晶闸管
有效值与平均值之比称为波形系数Kf则: Kf=I/Id或I= KfId 。 例:设晶闸管承受的电压有效值为２２０Ｖ，流过的电流平 均为１５７Ａ，波形系数为１.１１,考虑安全裕量，求晶 闸管电压、电流定额。 i 解：ＵＮ＝(2～3)1.414×220 IM =622 ～933Ｖ（取800Ｖ)
I K f Id I IT ( AV ) = (1.5 2) = (1.5 2) 1.57 1.57 1.11´ 157 0 （取 200 Ａ） = (1.5 2) = 166 222 A 图1-11 1.57
学习重点:
晶闸管的工作原理、基本特性、主要参数以 及选择和使用中应注意的一些问题。
1.1
引言
晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流 器（Silicon Controlled Rectifier——SCR）
1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。
第1章
1.1 引言
晶闸管
1.2 晶闸管的结构与工作原理 1.3 晶闸管的基本特性 1.4 晶闸管的主要参数 1.5 晶闸管的派生器件
1.6 电力二极管(整流二极管)
本章学习内容与重点
本章内容:
介绍晶闸管的工作原理、基本特性、主要参 数以及选择和使用中应注意的一些问题。 介绍电力二极管、晶闸管派生器件的基本特 性和使用中应注意的一些问题。
仿真实验
1.2 晶闸管的结构与工作原理
晶闸管的工作原理
⊕工作原理（从其内部四层结构来 A 分析） P1 ①定性分析 J1 N1 a. UG≤0，IG=0 G J2 P2 UAK＜0时，J1，J3反偏，J2正 J 3 偏，反向阻断，晶闸管不导通， N2 解释①。 K UAK＞0时，J1，J3正偏，J2反 偏，晶闸管不导通，解释⑤。图1-2 晶闸管的内部结构图
简述晶闸管直流调速系统工作于整流状态时的机械特性基本特点。
简述晶闸管直流调速系统工作于整流状态时的
机械特性基本特点。
当晶闸管直流调速系统工作于整流状态时，其机械特性有以下基本特点：
1.单向导电：晶闸管在整流状态下只能向一个方向导电，通
常为正向导通。
当电流沿着正向方向流过晶闸管时，晶闸
管处于导通状态；而当电流反向流动时，晶闸管会自动关
闭，即为阻断状态。
2.非线性电流特性：晶闸管的电流-电压特性是非线性的。
在整流状态下，当晶闸管导通时，其电压降较低，电流急
剧增加；而当晶闸管阻断时，其电压降较高，电流几乎为
零。
这种非线性特性决定了晶闸管在整流过程中的开关行
为。
3.可控：晶闸管的导通和阻断状态可以通过触发控制电路来
控制。
通过适时的触发信号，可以使晶闸管在需要的时候
打开，实现正向导通；而在不需要通过正向电流时，可以
通过控制信号关闭晶闸管，实现阻断。
4.输出电压可调：晶闸管整流系统可以调整输出电压的大小。
通过改变晶闸管的导通角度（触发时刻），可以控制输出
电压的大小。
当导通角度增加时，输出电压增加；当导通
角度减小时，输出电压减小。
5.输出电流脉动：晶闸管整流系统的输出电流存在脉动现象。
由于晶闸管的非线性特性，输出电流在每个电周期内会出现脉动，造成输出电压的纹波。
输出电流脉动的幅值与负载电流有关，负载电流越大，脉动幅值越小。
这些基本特点决定了晶闸管整流系统在调速和控制过程中的特性和工作方式。
在应用中，需要根据具体需求和系统要求来选取合适的触发角度和控制策略，以实现所需的电压输出和负载调整。
晶闸管总结
晶闸管总结简介晶闸管（Thyristor），也被称为可控硅（SCR），是一种电子元件，广泛应用于电力控制和电子开关电路中。
晶闸管具有双向导通特性，可以实现电流的单向控制，是一种非常重要的功率电子器件。
工作原理晶闸管是一种多层半导体结构，主要由P-N-P-N四层半导体材料构成。
其基本结构包括阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。
当控制极施加正向电压时，晶闸管处于关断状态，不导通；当控制极施加负向电压时，晶闸管处于可控导通状态，可以通过施加正向电压的方式控制电流通过。
晶闸管具有开关特性，分为关态和导态。
在关态时，晶闸管具有很高的阻抗，电流几乎为零；在导态时，晶闸管的阻抗非常低，电流可以流过。
应用领域晶闸管在电力控制和电子开关电路中具有广泛的应用，包括以下几个方面：1.电力控制：晶闸管可以用于实现电源控制和电压调节。
通过控制晶闸管的导通时间和导通角，可以控制电源对负载的输出功率，实现对电力的调节。
2.交流电压调节：晶闸管在交流电源电路中可以用来实现电压和功率的调节。
通过控制晶闸管的导通时间，可以改变负载所受到的电压，实现调光和电压调节功能。
3.直流电机控制：晶闸管可以用于对直流电机进行调速控制。
利用晶闸管的开关特性，可以控制电机的启动、制动和调速过程，实现对电机的精确控制。
4.交流电机控制：晶闸管可以用于对交流电机进行调速控制。
通过控制晶闸管的导通时间，可以改变交流电机所受到的电压和频率，实现对电机转速的调节。
5.电流变换和矩阵转换：晶闸管可以用于实现电流的变换和矩阵转换。
通过控制晶闸管的导通时间和序列，可以实现电流的调节和改变电流的方向。
优缺点晶闸管作为一种功率电子器件，具有以下几个优点：1.可控性强：晶闸管可以通过控制极的正负偏置实现对电流的控制，具有较高的可控性和灵活性。
2.节能高效：晶闸管具有低导通压降和低导通损耗，能够提高效率和节能。
3.可靠性高：晶闸管结构简单，无机械部件，不易损坏，寿命长。
晶闸管的基本特性
1 T
T
i
0
2
dt
1 2
Im (Imsin t ) dt 2 0
2
IT ( AV )
1.5 7
有效值
管子额定电流的选择： (1) 按电流有效值相等的原则选择晶闸管 (2) 留裕量，取1.5-2倍后取整 (3) 额定电流等级： 50A以下-1、5、10、20、30、40、50A； 100~1000A- 100、200、300、 400、500、 600、800、1000A。
1.3.4
晶闸管的派生器件
2. 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor—LTT）
1) 电路符号和特性
A
G
a)
K
b)
图1-12 光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性
2) 特点 • 利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸
管→又称光触发晶闸管.
• 小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子. • 大功率光控晶闸管则还带有光缆，光缆上
800V/管压降0.4v~0.5v的普通晶闸管
本章思考题
1.晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的除螺栓式 以外还有？ 2.晶闸管象二极管一样具有可控的什么特性？ 3.为了保证晶闸管可靠与迅速关断，通常在管子阳 极电压下降为零之后，在门极采取什么措施？ 4.型号为KP10-1000晶闸管的额定容量是多少？ 5.如何选择晶闸管的容量？ 6.在分析了晶闸管的主要参数后，你使用晶闸管时 应注意什么？
-UA IA 正向 导通
IH O
IG2
IG1
IG=0
正向电压超过临界极限━正 向转折电压Ubo →则漏电流急 剧增大→器件开通。
(整理)晶闸管(SCR)原理
晶闸管(SCR)原理作者：时间：2007-12-17 来源:电子元器件网浏览评论推荐给好友我有问题个性化定制关键词：晶闸管半导体材料晶闸管(thyristor)是硅晶体闸流管的简称，俗称可控硅（SCR），其正式名称应是反向阻断三端晶闸管。
除此之外，在普通晶闸管的基础上还派生出许多新型器件，它们是工作频率较高的快速晶闸管(fast switching thyristor，FST)、反向导通的逆导晶闸管(reverse conducting thyristor，RCT)、两个方向都具有开关特性的双向晶闸管(TRIAC)、门极可以自行关断的门极可关断晶闸管（gate turn off thyristor，GTO）、门极辅助关断晶闸管(gate assisted turn off thytistor，GATO)及用光信号触发导通的光控晶闸管(light controlled thyristor，LTT)等。
一、结构与工作原理晶闸管是三端四层半导体开关器件，共有3个PN结，J1、J2、J3，如图1(a)所示。
其电路符号为图1(b)，A(anode)为阳极，K(cathode)为阴极，G(gate)为门极或控制极。
若把晶闸管看成由两个三极管T1(P1N1P2)和T2(N1P2N2)构成，如图1(c)所示，则其等值电路可表示成图1(d)中虚线框内的两个三极管T1和T2。
对三极管T1来说，P1N1为发射结J1，N1P2为集电结J2；对于三极管T2，P2N2为发射结J3，N1P2仍为集电结J2；因此J2（N1P2）为公共的集电结。
当A、K两端加正电压时，J1、J3结为正偏置，中间结J2为反偏置。
当A、K两端加反电压时，J1、J3结为反偏置，中间结J2为正偏置。
晶闸管未导通时，加正压时的外加电压由反偏值的J2结承担，而加反压时的外加电压则由J1、J3结承担。
如果晶闸管接入图1(d)所示外电路，外电源U S正端经负载电阻R引至晶闸管阳极A，电源U S的负端接晶闸管阴极K，一个正值触发控制电压U G经电阻R G后接至晶闸管的门极G，如果T1（P1N1P2）的共基极电流放大系数为α1，T2（N1P2N2）的共基极电流放大系数为α2，那么对T1而言，T1的发射极电流I A的一部分α1I A将穿过集电结J2，此外，J2受反偏电压作用，要流过共基极漏电流i CBO1，因此图1(d)中的I C1可表示为I C1=α1I A+i CBO1。
晶闸管特性、作用
③最大可关断阳极电流 I A T O ——GTO额定电流。 ④ 电流关断增益off ——最大可关断阳极电流与门极负脉冲电 流最大值IGM 之比称为电流关断增益。
o ff
I ATO I GM
off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。
⑵ GTO的动态特性
开通过程：与普通晶闸管相同 关断过程：与普通晶闸管有所不同 储存时间 t ，使等效晶体退出饱 s 和 。 下降时间 t ， f
iG
O
t
尾部时间 —残存载流子复 t 合。
t
iA IA 90%IA
td
tr
ts
tf
tt
10%IA 0
t0
t1
t2
t3
t4
t5
t6
t
图1.14
GTO的开通和关断过程电流波形
⑴GTR的结构和工作原理
在应用中，GTR一般采用共发射极接法。 集电极电流与基极电流之比为
ic ib
——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电
极电流的控制能力 。
当考虑到集电极和发射极间的漏电流时，
ic i iceo b
单管GTR的 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左 右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。
截止区
②动态特性
开通过程 90% I b1 延迟时间 t d 和上升时间 ， 10% I b1 t 二者之和为开通时间 。 0 on tr 加快开通过程的办法 。 关断过程 储存时间 和下降时间 ts 二者之和为关断时间 tf 加快关断速度的办法。 t o ff 。
90% ，Ics
设计晶闸管特性实验报告
设计晶闸管特性实验报告1. 实验目的本实验旨在通过实际操作，加深对晶闸管的理解，掌握晶闸管的基本特性，并能正确进行晶闸管的触发、导通和关断操作。
2. 实验原理晶闸管是一种主控制型元件，具有单向导电性。
它由四层n-p-n-p的结构组成，其中两个pn 结构的掺杂浓度较高，用作控制区；另外两个pn 结构的掺杂浓度较低，用作限流区。
当晶闸管的控制区施加正向偏置电压，通过控制电极施加正向脉冲，即可触发晶闸管，使之导通。
晶闸管导通后，只需保持控制电极在一定的电压范围内，晶闸管就可以一直导通。
若控制电极的电压降低或没有维持在一定电压范围内，晶闸管将进入关断状态。
3. 实验器材- 示波器- 变压器- 脉冲发生器- 晶闸管- 电阻- 电容- 电路板4. 实验步骤4.1 硬件连接按照实验要求，将示波器、变压器、脉冲发生器、晶闸管、电阻、电容等器件进行正确的电路连接。
4.2 晶闸管触发电路设计设计一个适当的触发电路，通过控制电极给晶闸管施加正向脉冲，以触发晶闸管导通。
4.3 测试晶闸管导通特性在脉冲发生器的输出端口连接示波器，观察晶闸管导通状态时的电压波形，并记录数据。
4.4 测试晶闸管关断特性通过改变控制电极的电压，并通过示波器观察晶闸管关断状态时的电压波形，并记录数据。
5. 实验结果与分析通过实验测量，得到了晶闸管导通和关断时的电压波形数据，根据实验数据我们可以得出以下结论：1. 在给定适当的脉冲信号下，晶闸管可以被触发导通；2. 在控制电极电压维持在一定范围内，晶闸管可以一直导通；3. 当控制电极电压降低或不在一定电压范围内时，晶闸管将进入关断状态。
通过对实验结果的分析，可以进一步了解晶闸管导通和关断特性，为晶闸管的应用提供了实际基础。
6. 实验总结本次实验通过设计晶闸管特性实验，我们深入了解了晶闸管的工作原理和特性。
在实验过程中，我们学会了如何正确地触发晶闸管，使之导通，并通过变化控制电极的电压，观察晶闸管导通和关断时的波形数据。
晶闸管三象限
晶闸管三象限晶闸管是一种常见的电力电子元器件，广泛应用于电力变换、控制领域。
作为一种特殊的开关元件，晶闸管具有独特的导通和关断特性，三象限方式即是晶闸管特性的重要表现之一。
一、晶闸管的基本特性晶闸管是一种可控硅元器件，它具有比较高的承压能力和电流能力。
晶闸管一般有三个电极，即阳极、阴极和控制极，在导通状态下，晶闸管三个电极之间呈电路短接状态，使电路中电流能够流通；在断开状态下，其正、负极相互隔离，电路断开，不再有电流流通。
晶闸管的状态转换由外部电源控制电信号触发实现。
二、晶闸管的三象限晶闸管的特性表现为一种称为三象限的现象，也被称为工作区域。
这里的“三象限”指的是晶闸管导通时的三个条件。
具体如下：1.阳极正向电压和控制极方向的电压之和大于阀值电压，即VAK > Vth；2.阳极电流大于最小保持电流，即IA > IH；3.阳极电流小于最大额定电流，即IA < ILM。
这三个条件组成了晶闸管导通的三象限，也是晶闸管工作条件的重要标志。
三、三象限在控制中的应用晶闸管的三象限特性是控制其导通和断开的功率控制基础。
在电力电子控制中，控制晶闸管运行的电路通常包括触发电路、保持电路和负载电路。
主要控制方法包括前沿触发控制、后沿触发控制、中点触发控制和斩波触发控制等。
除了广泛的应用于交流和直流电源的开关控制器、稳压器、逆变器、电动机控制等电力电子设备中，晶闸管作为控制元件也广泛应用于太阳能电池板控制器、火花塞控制器、舞台照明控制等多种领域。
总之，晶闸管作为一种新型的电力电子元器件，以其特殊的三象限特性，为现代电力电子控制技术带来了前所未有的发展机遇。
不断创新、提高控制技术，是不断深化晶闸管技术应用的重要途径。
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晶闸管的基本特性
1、晶闸管的静态伏安特性第I 象限的是正向特性有阻断状态和导通状态之分。
在正向阻断状态时，晶闸管的伏安特性是一组随门极电流的增加而不同的曲线簇。
当IG 足够大时，晶闸管的正向转折电压很小，可以看成与一般二
极管一样第III 象限的是反向特性晶闸管的反向特性与一般二极管的反向特性相似。
IG=0 时，器件两端施加正向电压，为正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过，正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿晶闸管本身的压降很小，在1V 左右导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH 以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。
IH 称为维持电流。
晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性晶闸管的门极触发电流从门极流入晶闸管，从阴极流出阴极是晶闸管主电路与控制电路的公共端门极触发电流也往往是通过触发电路在门极和阴极之间施加触发电压而产生的晶闸管的门极和阴极之间是PN 结J3，其伏安特性称为门极伏安特性。
为保证可靠、安全的触发，触发电路所提供的触发电压、电流和功率应限制在可靠触发区。
2. 动态特性与二极管类似，开通、关断过程产生动态损耗
晶闸管的开通和关断过程波形
1) 开通过程延迟时间td：门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值。