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IGBT中频、超音频感应加热电源

IGBT中频、超音频感应加热电源

IGBT 中频、超音频感应加热电源IGBT 中频、超音频感应加热电源
IPS 系列中频、超音频电源是清华大学自行研制的新产品,该电源的逆变电路采用新型大功率电力电子器件IGBT
简介:
IPS 系列中频、超音频电源是清华大学自行研制的新产品,该电源的逆变电路采用新型大功率电力电子器件IGBT。

本产品具有体积小,噪音低,整机效率高,维护方便等优点。

频率范围2.5kHz~100kHz。

最大功率可达
500kW,可完全替代高耗能的电子管式超音频电源,中频机组和晶闸管中频电源。

主要应用于金属热处理、热加工,如淬火、透热、熔化、焊接等。

特点:。

IGBT变频电源的原理、特点及应用介绍

IGBT变频电源的原理、特点及应用介绍

IGBT 变频电源的原理、特点及应用介绍
1 前言
当代的感应热处理技术具有优质、高效、环保等诸多特点,符合现代汽车生产需要,因而得到广泛应用。

作为感应热处理技术基础的变频器的IGBT 模块已商品化,在我国感应加热领域已成功生产出10~100 kHz、功率达数百千瓦的IGBT 变频电源。

实践证明,采用IGBT 变频电源完全可以取代耗
能严重的变频发电机组。

2 IGBT 变频电源工作原理及特点
IGBT 变频电源电路如图1 所示:
IGBT 变频电源采用三相桥式全控整流电路,逆变器采用单相桥式逆变电路,负载为并联谐振形式,直流滤波环节为大电感滤波,以满足并联逆变器的输入要求。

逆变控制主要功能采用定时原则实现负载频率自动跟踪、逆变桥启动及为逆变桥功率器件提供可靠的驱动脉冲,其工作原理如图2 所示。

取之于负载的电压信号通过调节延时电路而超前输出电压,经过过零比较。

中频炉设计与维护人员必备知识:IGBT基础与运用【专业文章,请谨慎打开】

中频炉设计与维护人员必备知识:IGBT基础与运用【专业文章,请谨慎打开】

中频炉设计与维护人员必备知识:IGBT基础与运用【专业文章,请谨慎打开】IGBT的资料有很多,如果想找,可以在baidu文档里面找中文的资料,也可以在google找pdf的英文资料。

粗略看起来较为详细的有:富士IGBT应用手册,三菱第五代IGBT应用手册。

而英飞凌的网站上的资料也较为齐整,都是英文的兄弟们可参详。

IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz 频率范围内。

理想等效电路与实际等效电路如图所示:IGBT 的静态特性一般用不到,暂时不用考虑,重点考虑动态特性(开关特性)。

动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取:IGBT的开通过程IGBT 在开通过程中,分为几段时间1.与MOSFET类似的开通过程,也是分为三段的充电时间2.只是在漏源DS电压下降过程后期,PNP晶体管由放大区至饱和过程中增加了一段延迟时间。

在上面的表格中,定义了了:开通时间T on,上升时间Tr和Tr.i 除了这两个时间以外,还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=T on-Tr.iIGBT在关断过程IGBT在关断过程中,漏极电流的波形变为两段。

第一段是按照MOS管关断的特性的第二段是在MOSFET关断后,PNP晶体管上存储的电荷难以迅速释放,造成漏极电流较长的尾部时间。

在上面的表格中,定义了了:关断时间T off,下降时间Tf和Tf.i 除了表格中以外,还定义trv为DS端电压的上升时间和关断延迟时间td(off)。

漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而总的关断时间可以称为toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之和又称为存储时间。

igbt中频电源节能优势完整

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IGBT中频电源的节能优势我国是铸造大国,铸铁件年产量几年来均居世界各国之首位,而其能耗在成本中所占比例却比工业发达国家高出2—3倍,冲天炉的能耗占了其中的大部分。

主要原因是小容量冲天炉所占比例太大,而其中采用烟尘净化和余热回收装置的微乎其微,实现高水平熔炼和计算机控制的更少了。

我国铸铁生产车间一万多个,每个车间年平均产量不足1000t,冲天炉开炉时间短。

在冲天炉结构方面,由于我国铸造厂点过多,限制了大容量冲天炉的使用。

由于产量低,效益差,限制了性能优越的现代化冲天炉及其配套设备的采用。

操作不当不但对冲天炉性能造成不良影响,也是增加冲天炉能耗和环境污染的重要原因,在我国为数众多的小容量冲天炉上,更是普遍存在的现象。

中频技术应用于铸造行业给铸造推广高质量、高效率、节能环保、低碳的中、高频科技技术应用与中国的铸造行业,是保持中国铸造业可持续发展的一项重大举措。

与传统的冲天炉熔炼相比,中频技术应用于熔炼、精铸诠释了科技的力量。

中频感应电炉经历了两次根本的变革,第一次变革源于20世纪60年代后期开发的晶闸管静态变频电源,第二次源于20世纪70年代中期开发的逆变变频及其控制技术。

这样使中频感应电炉的优越性得以充分的发挥。

随着大功率晶闸管变频电源的开发和可靠性的提高,中频感应电炉正在逐步替代工频感应电炉而在铸造业获得愈来愈广泛的应用。

中频电源的基本工作原理,就是通过一个三相桥式整流电路,把50 Hz的工频交流电流整流成直流,再经过一个滤波器(直流电抗器)进行滤波,最后经逆变器将直流变为单相中频交流以供给负载,所以这种逆变器实际上是一只交流—直流—交流变换器,其基本线路如图:中频炉的感应加热原理,它是利用电磁感应原理将电能转变为热能,当交变电流i感应线圈时,感应线圈便产生交变磁通Φ,使感应中的工件受到电磁感应而产生感应电动势e。

感应电动势e = dΦ/dt如果磁通Φ是呈正弦变化的,即Φ = -Φm sinwt则 e = -dΦ/dt=-Φm sinwtE的有效值 E=4.44fΦM (伏)感应电动势E在工件中产生电流I, i使工件内部开始加热,其焦耳热为;Q=0.24I2RtI--工件中感应电流的有效值(安)R--工件电阻(欧);t—时间(秒)中频电源从最初的发展到今天应用于铸造行业,电源种类从原理上可以分为两类,一传统的可控硅中频电源,可控硅又分为并联和串联型(因串联可控硅的在现实实践中应用技术不成熟在这就不做分析),二是带有igbt(绝缘栅极型晶体管)串连谐振电源。

IGBT中频炉为什么节能?

IGBT中频炉为什么节能?

IGBT中频炉节能介绍IGBT中频炉电源控制部分原理及优势:(1)IGBT中频电源是一种采用串联谐振式的中频感应加热炉,它的逆变器件为一种新型IGBT模块(绝缘栅双极型晶体管,德国生产),它主要用于熔炼普通碳素钢、合金钢、铸钢、有色金属。

它具有熔化速度快、节能、高次谐波污染低等优点。

(2)IGBT中频电源为一种恒功率输出电源,加少量料即可达到满功率输出,并且始终保持不变,所以熔化速度快;因逆变部分采用串联谐振,且逆变电压高,所有IGBT 中频比普通可控硅中频节能;IGBT中频采用调频调功,整流部分采用全桥整流,电感和电容滤波,且一直工作在500V,所以IGBT中频产生高次谐波小,对电网产生污染工低。

(3)节能型IGBT晶体管中频电源比传统可控硅中频电源可节能15%-25%,节能的主要原因有以下几下方面:A、逆变电压高,电流小,线路损耗小,此部分可节能15%左右,节能型IGBT晶体管中频电源逆变电压为2800V,而传统可控硅中频电源逆变电压仅为750V,电流小了近4倍,线路损耗大大降低。

B、功率因数高,功率因数始终大于0.98,无功损耗小,此部分比可控硅中频电源节能3%-5%。

由于节能型IGBT晶体管中频电源采用了半可控整流方式,整流部分不调可控硅导通角,所以整个工作过程功率因数始终大于0.98,无功率损耗小。

C、炉品热损失小,由于节能型IGBT晶体管中频电源比同等功率可控硅中频电源一炉可快15分钟左右,15分钟的时间内炉口损失的热量可占整个过程的3%,所以此部分比可控硅中频可节能3%左右。

(4)高次谐波干扰:高次谐波主要来自整流部分调压时可控硅产生的毛刺电压,会严重污染电网,导致其他设备无法正常工作,而节能型IGBT晶体管中频电源的整流部分采用半可控整流方式,直流电压始终工作在最高,不调导通角,所以它不会产生高次谐波,不会污染电网、变压器,开关不发热,不会干扰工厂内其他电子设备运行。

(5)恒功率输出:可控硅中频电源采用调压调功,而节能型IGBT晶体管中频电源采用调频调功,它不受炉料多少和炉衬厚薄的影响,在整个熔炼过程中保持恒功率输出,尤其是生产不锈钢、铜、铝等不导磁物质时,更显示它的优越性,熔化速度快,炉料元素烧损少,降低铸造成本。

中频电源_精品文档

中频电源_精品文档

中频电源中频电源是一种电力转换设备,主要用于将交流电转换为中频电力供应给各种电子设备。

它广泛应用于通信设备、工业过程控制、医疗设备等领域。

本文将从工作原理、分类、应用以及发展趋势等方面介绍中频电源。

一、工作原理中频电源是通过变压器和变频器相结合的方式实现交流电到中频电的转换。

变压器将输入的交流电压降低并隔离,然后通过变频器将降压后的交流电转换为中频电。

中频电源通常采用高频开关电源技术,它能够提高能效和稳定性,同时还具有较小的体积和重量。

二、分类中频电源主要可以分为两类:固态中频电源和管式中频电源。

固态中频电源采用固态器件(如功率MOS管)作为电源输出端的功率开关元件,具有体积小、效率高等优点。

而管式中频电源则采用真空电子管作为功率开关元件,具有更高的功率输出和更好的电源控制性能。

三、应用领域中频电源在各种领域都有广泛应用。

在通信设备方面,中频电源常用于射频通信设备和基带处理模块的供电,确保信号的稳定传输和设备的可靠运行。

在工业过程控制方面,中频电源可以为各种工业设备提供稳定的电力,广泛应用于电机驱动、温度控制、流量控制等。

在医疗设备方面,中频电源常用于医疗成像设备、手术设备等,保障医疗设备的正常工作和患者的安全。

四、发展趋势随着科技的进步和市场需求的不断增长,中频电源也在不断发展和创新。

目前,中频电源主要发展趋势有以下几个方面:1. 节能环保:随着对能源消耗和环境保护要求的提高,中频电源需要增加能效和减少能耗。

研发更高效的电源转换技术和控制算法,可以降低功耗,实现节能和环保。

2. 高频化:采用高频开关电源技术可以提高电源的转换频率,提高能量传输的效率。

高频化不仅可以减小电源的体积和重量,还可以提高设备的性能和可靠性。

3. 智能化:利用控制算法和传感器技术,中频电源可以实现自动化控制和智能管理。

通过实时监测和调节电源的输出,可以提高设备的稳定性和使用寿命。

4. 封装集成化:中频电源的封装和集成化可以进一步提高设备的可靠性和可维护性。

最新-采用IGBT的正弦波中频逆变电源 精品

最新-采用IGBT的正弦波中频逆变电源 精品

采用IGBT的正弦波中频逆变电源摘要介绍了用作功率器件的中频逆变电源,对电路的工作原理进行了详尽的分析。

关键词绝缘栅双极晶体管;中频逆变电源;驱动;正弦波脉宽调制引言400中频电源在工业、国防、航海、航空等领域中应用非常广泛。

目前在我国,400中频供电系统大多为中频机组,体积大,噪音高,效率低,管理不便。

我们研制了一台用绝缘栅双极晶体管做为主功率开关器件的400正弦波中频逆变电源,它具有体积小,重量轻,噪音低,转换效率高,工作可靠,使用方便等优点,是中频机组的理想替代新产品。

是新一代复合型电力电子器件,它的控制级为绝缘栅控场效应晶体管,输出级为双极功率晶体管,因而它兼有两者的优点而克服了两者的缺点,如高的输入阻抗;高的开关频率;很小的驱动功率;通态压降小;电流密度大等。

图11系统组成及工作原理11逆变电源主电路正弦波中频逆变电源的主电路构成如图1中的上半部分所示,图中1为空气开关。

为滤波器,用以滤掉电网中的干扰和消除逆变电源对电网的干扰。

2,3,4为接触器,2的作用是在系统启动时接通电源,在故障时切断主电源,其辅助触点2′用来在停机或保护电路动作时使滤波电容1及2上贮存的能量通过电阻2快速放掉,以便检修或避免掉电时电容1及2中聚积的能量还未放完,逆变桥中同桥臂上下主功率因驱动脉冲电平不确定发生同时导通而损坏。

接触器3和电阻1构成软起动电路,其作用是在系统启动时,通过电阻1缓慢地对电容1及2充电,防止直接启动时由于电容器1及2上初始电压为零,导致整流桥模块承受过大的电流冲击而损坏,当电容1及2上的电压充到一定值时,接触器3动作,其触点将电阻1短接。

4用于将电源输出与负载隔开,等系统启动成功后再将负载接通,以保证电源系统顺利启动及保护用电设备。

滤波电容1及2用来对整流后的电压进行滤波,以保证提供给逆变桥的电压为平直的直流电压。

3及4分别并于1及2两端,以保证1及2各承受主电路中直流电压的一半。

IGBT中频电源原理

IGBT中频电源原理

IGBT 中频电源的原理工频加热技术与其它各种物理加热技术相比,确实具有较高的效率,但存在一些明显的不足。

在现代工业的金属熔炼、热处理、焊接等过程中,感应加热被广泛应用。

感应加热是根据电磁感应原理,利用工件中涡流产生的热量进行加热的,它加热效率高、速度快、可控性好,易于实现高温和局部加热[1]。

随着电力电子技术的不断 成熟,感应加热技术得到了迅速发展。

本文设计的70KW /500HZ 中频感应加热电源采用IGBT 串联谐振式逆变电路,能够实现频率自动,电路结构简单,高效节能。

2.1 整流电路的设计中频电源采用三相全控桥式整流电路,它的输出电压调节范围大而移相控制角的变化范围小,有利于系统的自动调节,输出电压的脉动频率较高可以减轻直流滤波环节的负担[2]。

根据设计要求:额定输出功率P =70KW ,输出频率f =500HZ ,进线电压U IN =380V ,取逆变器的变换效率η=0.9。

1) 确定电压额定值U RRM考虑到其峰值、波动、雷击等因I T(AV)=0.368×I d额定电压1600V ,额定电流200A 的整流模块。

2.2 逆变电路的设计逆变电路是由全控器件IGBT 构 成的串联谐振式逆变器,两组全控器件V 1、V 4和V 2、V 3交替导通,输出所需要的交流电压。

IGBT 的主要参数有最高集射极电压(额定电压)、集射极电流等[3]。

1) 确定电压额定值U CEPIGBT 的输入端与电容相并联,起到了缓冲波动和干扰的作用,因此安全系数不必取得很大,一般取安全系数α=1.1平波后的直流电压:E d =380V ×2×α=590V关断时的峰值电压:U CESP =(590×1.15+150)×α=912V式中1.15为电压保护系数, 150为L t i d d 引起的尖峰电压。

令U CEP ≥U CESP ,并向上靠拢IGBT 等级,取U CEP =1200V 。

IGBT:电力电子行业的“心脏”

IGBT:电力电子行业的“心脏”

IGBT:电力电子行业的“心脏”一、IGBT技术1.IGBTIGBT是在电器设备中实现电能转换、传输和控制的核心器件,可以说是电力电子装备的“心脏”,高效节能减排的主力军。

作为电力电子技术最具代表性的产品,IGBT是工业控制及自动化领域的核心元器件,能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的,应用场景包括变频器、逆变焊机、电磁感应加热、工业电源等。

2.IGBT下游应用IGBT广泛应用于工业、汽车、通信及消费电子领域,其主要电压应用范围在600V及以上。

由于经济的飞速发展,我国能源需求量大幅上升,在节能减排政策的背景下,新能源发电、新能源汽车等节能效果明显的产品近年来市场规模不断扩大。

各电压等级IGBT应用领域各不相同,其中:(1)低压领域:IGBT主要应用于变频白色家电、新能源汽车、新能源充电桩等领域,随着变频家电和新能源汽车渗透率的逐步提升,带动相关IGBT 需求持续上升。

(2)中压领域:随着信息产业与高端制造业的快速发展,新能源并网和电网工程建设工程逐步加强,我国工业逆变焊机、逆变频器市场持续升温,USB 电源与新能源发电市场稳步增长。

(3)高压领域:主要应用于轨道交通和电网传输领域,二者发展规模与投资规模持续增长。

3.IGBT市场规模全球IGBT市场规模2017-2021年从46.8亿美元增长至70.9亿美元,年复合增长率为11%。

预计2022年,全球IGBT市场规模将达到80.8亿美元。

IGBT发展不断超预期,国内厂商迎来快速发展的黄金时期。

目前,全球IGBT领域,不管是芯片、单管还是模块,英飞凌、三菱、富士电机都占据了50%以上的市场份额。

同时,在3300V以上的高端IGBT领域,海外厂商的IGBT产品的市场优势地位仍十分明显。

中国已经成为全球最大的IGBT市场,但国产化率低,国产替代空间大。

2021年我国IGBT行业产量将达到0.26亿只,需求量约为1.32亿只。

igbt中频电源节能优势完整

igbt中频电源节能优势完整

IGBT中频电源的节能优势我国是铸造大国,铸铁件年产量几年来均居世界各国之首位,而其能耗在成本中所占比例却比工业发达国家高出2—3倍,冲天炉的能耗占了其中的大部分。

主要原因是小容量冲天炉所占比例太大,而其中采用烟尘净化和余热回收装置的微乎其微,实现高水平熔炼和计算机控制的更少了。

我国铸铁生产车间一万多个,每个车间年平均产量不足1000t,冲天炉开炉时间短。

在冲天炉结构方面,由于我国铸造厂点过多,限制了大容量冲天炉的使用。

由于产量低,效益差,限制了性能优越的现代化冲天炉及其配套设备的采用。

操作不当不但对冲天炉性能造成不良影响,也是增加冲天炉能耗和环境污染的重要原因,在我国为数众多的小容量冲天炉上,更是普遍存在的现象。

中频技术应用于铸造行业给铸造推广高质量、高效率、节能环保、低碳的中、高频科技技术应用与中国的铸造行业,是保持中国铸造业可持续发展的一项重大举措。

与传统的冲天炉熔炼相比,中频技术应用于熔炼、精铸诠释了科技的力量。

中频感应电炉经历了两次根本的变革,第一次变革源于20世纪60年代后期开发的晶闸管静态变频电源,第二次源于20世纪70年代中期开发的逆变变频及其控制技术。

这样使中频感应电炉的优越性得以充分的发挥。

随着大功率晶闸管变频电源的开发和可靠性的提高,中频感应电炉正在逐步替代工频感应电炉而在铸造业获得愈来愈广泛的应用。

中频电源的基本工作原理,就是通过一个三相桥式整流电路,把50 Hz的工频交流电流整流成直流,再经过一个滤波器(直流电抗器)进行滤波,最后经逆变器将直流变为单相中频交流以供给负载,所以这种逆变器实际上是一只交流—直流—交流变换器,其基本线路如图:中频炉的感应加热原理,它是利用电磁感应原理将电能转变为热能,当交变电流i感应线圈时,感应线圈便产生交变磁通Φ,使感应中的工件受到电磁感应而产生感应电动势e。

感应电动势 e = dΦ/dt如果磁通Φ是呈正弦变化的,即Φ = -Φmsinwt则 e = -dΦ/dt=-ΦmsinwtE的有效值 E=4.44fΦM (伏)感应电动势E在工件中产生电流I, i使工件内部开始加热,其焦耳热为;Q=0.24I2RtI--工件中感应电流的有效值(安)R--工件电阻(欧);t—时间(秒)中频电源从最初的发展到今天应用于铸造行业,电源种类从原理上可以分为两类,一传统的可控硅中频电源,可控硅又分为并联和串联型(因串联可控硅的在现实实践中应用技术不成熟在这就不做分析),二是带有igbt(绝缘栅极型晶体管)串连谐振电源。

igbt感应加热电源的原理和优势

igbt感应加热电源的原理和优势

IGBT感应加热电源的原理和优势IGBT中频电源控制部分的原理和优势:解释:当总功率是2500KW的时候,每个炉体为2200KW,并且可以在300KW到2200KW 范围内随意调整,但是总功率不能超过2500KW.双变频器电气图纸1.串联谐振中频感应炉采用IGBT中频电源。

IGBT中频电源是一种新型的IGBT逆变器模块(绝缘栅双极型晶体管,德国生产)主要用来熔炼碳钢,合金钢,铸钢,有色金属。

IGBT中频电源具有加热速度快,节能环保的特点。

2.IGBT中频电源作为恒功率电源,即使添加少量的金属也可达到全功率输出,并且保持恒定不变,因此加热速度快。

采用串联谐振变压器,变压器电压高,所有的IGBT中频电源比可控硅电源节能。

IGBT采用频率调控系统调整频率,整流部分包括全桥整流器,感应器和电容滤波器,它在500v的条件下工作,因此IGBT中频电源产生极少的低次谐波,低网格污染。

3.IGBT中频电源比可控硅中频电源节约电能15%-25%,原因有以下几个方面:A.逆变器电压高,电流,电路损失低,这部分可以节约电能15%。

IGBT中频电源变压器的功率是2800v,传统的可控硅中频电源变压器的功率是750v,电流减小了四倍,线路损失降低了。

B.高功率因素,功率因素大于0.98,无功损耗小,这部分比可控硅中频电源节约电能3% -5%。

IGBT 采用全桥式整流,整流部分不调整可控硅传导角,所以整个过程的功率因素大于0.98,无功损耗小。

C.炉体热损耗小,同功率条件下,IGBT比可控硅每批次快15分钟。

在路出口的热损失占整个过程的3%。

因此这部分比可控硅中频电源节约3%的能量。

4.高次谐波干扰:当可控硅产生电压峰值的时候整流器的高次谐波调整电压。

电压电网会被严重污染导致其他的设备不能工作,IGBT中频电源整流器部分采用全桥整流器。

直流电压总是在最高程度工作,不需要调整传导角,因此不会产生高次谐波,不会污染电网,变压器,交换器不会被加热,不会干扰其他电子器件的工作。

关于中频电源有几大优质特性

关于中频电源有几大优质特性

关于中频电源有几大优质特性
你知道中频电源有哪些特性么?虽然中频能源自从被研发出来之后,常被用于在中频炉以及其他的地方中广泛的使用!因为它有很多的优点,比如说它能够节约能量,而且可靠性非常高,另外比较容易启动等等的优点!那么它又有什么样的特性呢?有些特性如果我们知道后,在使用当中注意一些也许就能很好的保证它的寿命噢!
那么在这边就跟大家分享一下中频电源的几大特性:
第一点,中频电源的可靠性是非常的高的,因为它是采用了逆变的技术,所以能够在非常大的功率下面进行全天的工作!
第二点:中频电源能够自动的进行控制,比如说对于加热、冷却以及保温需要多长时间这些都是可以自行进行控制的!所以也是减轻了工作人员的操作压力!
第三点:中频电源整体的体积比较小,所以它的重量也是非常的轻便,安装起来很方便!一般几分钟就可以解决,非常的好用!
第四点:由于中频电源的体积小,占地面积也就相应来说非常的小,而且操作简单,一般人在几分钟也是能够学会的。

第五点:它的安全性能比较高,能够保证工作人员很多的安全,
不会有高压触电的一些危险存在!第六点:它的加热效率是比较的高的!然而它的能量消耗却并不大!所以在待机的情况下一般是不会有耗电的情况,所以它能够在全天进行工作!第七点:感应器可以非常快速的进行拆装并且更换,非常的方便!第八点:它能够代替现在很多的一些比如说燃煤这些的加热产品,所以用起来是非常的方便的!
总的来说,在面对一些特殊情况,比如说超压了,或者是缺水了的情况下,它也能够自动进行保护,所以跟机器人一样,中频炉是比较灵活的!最后一点就是它最大的优点那就是它的工作是非常的高效并且快速的加热!
本文摘自:益飞电炉。

KGPS可控硅中频电源与IGBT晶体管中频电源的比较

KGPS可控硅中频电源与IGBT晶体管中频电源的比较

KGPS可控硅中频电源与IGBT晶体管中频电源的比较一、新型IGBT中频电源的特点IGBT(绝缘栅双极晶体管)是MOSFET(双极型晶体管)与GTR(大功率晶体管)的复合器件。

因此,它既具有MOSFET的工作速度快、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点,又包含了GTR的载流量大,阻断电压高等多项优点,是取代GTR和SCR( 可控硅)的理想开关器件。

从1996年至今,尤其是最近几年来IGBT发展很快,目前已被广泛地应用于各种逆变器中。

(1)IGBT控制是采用导通宽度及频率来实现对输出功率进行无级调节的中频电源,且采用串联谐振,无需加启动电路及前级调压装置,因此启动相当方便,启动成功率百分之百,调节输出功率极为方便。

(2)整流部分采用二极管三相全桥整流,使得控制电路极为简单,维修技术量降低。

(3)目前大部分厂家采用德国西门子公司产品作逆变器,中频电源寿命在3万次以上,采用了限压过流过压保护电路,使得故障率极低,并且过流过压保护动作时报警器马上报警显示且保护停机。

综上所述,IGBT中频电源作为铸造熔炼中频感应加热电源,是电力电子技术发展的必然趋势,它将成为二十一世纪铸造行业现代化的重要标志。

二、一拖二感应电炉系统一拖二感应电炉系统即功率共享电源系统的感应电炉,。

即一台中频电源能同时向二台电炉供电,并能在额定功率范围内自由分配向各台电炉的输入功率。

它从上世纪90年代初在国外问世,恰好遇到我国经济改革开放的大发展年代,因此这种电炉系统几乎同步进入我国的铸造业,并且得到铸造界的青睐和认同。

但碍于当时国内电炉制造商尚未开发出该项技术,而进口设备的昂贵价格又使许多铸造厂望而怯步,限制了它在我国铸造业的广泛应用。

据相关资料介绍,从我国1993年引进第一台一拖二电炉系统起到目前为止,全国现有一拖二电炉系统大约共计有近100套左右,其中功率最大的一套为6000kW功率共享电源配置二台8吨电炉。

一拖二电炉的优点采用中频感应电炉可以配置比工频感应电炉更大的功率密度(例如可以配置比工频电炉的极限配置功率密度300kW/t大3倍左右的功率密度,即达到900kW/t 以上),并可实现批料熔化法。

KGPS可控硅中频电源与IGBT晶体管中频电源的比较

KGPS可控硅中频电源与IGBT晶体管中频电源的比较

KGPS可控硅中频电源与IGBT晶体管中频电源的比较一、新型IGBT中频电源的特点IGBT(绝缘栅双极晶体管)是MOSFET(双极型晶体管)与GTR(大功率晶体管)的复合器件。

因此,它既具有MOSFET的工作速度快、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点,又包含了GTR的载流量大,阻断电压高等多项优点,是取代GTR和SCR( 可控硅)的理想开关器件。

从1996年至今,尤其是最近几年来IGBT发展很快,目前已被广泛地应用于各种逆变器中。

(1)IGBT控制是采用导通宽度及频率来实现对输出功率进行无级调节的中频电源,且采用串联谐振,无需加启动电路及前级调压装置,因此启动相当方便,启动成功率百分之百,调节输出功率极为方便。

(2)整流部分采用二极管三相全桥整流,使得控制电路极为简单,维修技术量降低。

(3)目前大部分厂家采用德国西门子公司产品作逆变器,中频电源寿命在3万次以上,采用了限压过流过压保护电路,使得故障率极低,并且过流过压保护动作时报警器马上报警显示且保护停机。

综上所述,IGBT中频电源作为铸造熔炼中频感应加热电源,是电力电子技术发展的必然趋势,它将成为二十一世纪铸造行业现代化的重要标志。

二、一拖二感应电炉系统一拖二感应电炉系统即功率共享电源系统的感应电炉,。

即一台中频电源能同时向二台电炉供电,并能在额定功率范围内自由分配向各台电炉的输入功率。

它从上世纪90年代初在国外问世,恰好遇到我国经济改革开放的大发展年代,因此这种电炉系统几乎同步进入我国的铸造业,并且得到铸造界的青睐和认同。

但碍于当时国内电炉制造商尚未开发出该项技术,而进口设备的昂贵价格又使许多铸造厂望而怯步,限制了它在我国铸造业的广泛应用。

据相关资料介绍,从我国1993年引进第一台一拖二电炉系统起到目前为止,全国现有一拖二电炉系统大约共计有近100套左右,其中功率最大的一套为6000kW功率共享电源配置二台8吨电炉。

一拖二电炉的优点采用中频感应电炉可以配置比工频感应电炉更大的功率密度(例如可以配置比工频电炉的极限配置功率密度300kW/t大3倍左右的功率密度,即达到900kW/t以上),并可实现批料熔化法。

IGBT高频设备

IGBT高频设备
原则:工件直径越大频率应越低
中频(10-20KHZ),Φ20以上
高频(20-100KHZ)Φ5-20
超高频(100-500KHZ) Φ5以下
根据生产效率选择合适的功率,功率越大,速度越快,具体可咨询公司技术人员
热处理
轴类、齿轮、链轮、机床导轨配件金属线材退火、汽车配件、刀剪钳、不锈钢锅淬火、退火等
概述与用途
固态变频电源又称晶体或IGBT电源,是一种采用现代电力电子器件IGBT(绝缘栅门极双极晶体管)模块作为逆变器的关键器件的电源装置。它将50HZ的工频电流转换成不同的频率段的电流。该电流在感应器里形成强大的电磁场,使金属在很短的时间内达到加热的目的。
性能特点
1、节能、工作效率高:采用集成化电路,效率高、节电十分明显,比传统的电子管高频节能30%以上,能给用户带来明显的经济效益。性价
原则:工件要求淬硬层越浅,
频率应越高:
超高频100-500KHZ/ 1mm以下,
高频20-100KHZ/ 1-2.5mm.,
中频1-20KHZ/ 2.5mm以上
结合工件形状、淬火方式、淬火硬度、淬硬层要求及材料等综合考虑,具本可咨询公司技术人员
钎焊
钎头、车刀、铰刀、铣刀、钻头等不锈钢锅底不同材料的复合焊接
4、安装和操作简单、启动快、加热迅速:边接电源,感应圈和进水管即可使用,几分钟即可学会操作要领;通水通电后即可启动;加热非常
均匀,且升温迅速(几秒钟),使得产品氧化层极小。
5、可靠安全性高:多功能无级调节、自动保护功能齐全(具有过压、过流、缺水、缺相、过热等自动保护功能); 可防止误操作,保护人员
和设备安全;且摒弃了万伏高压,安全性大大提高。

IGBT在中频感应加热电源中的应用

IGBT在中频感应加热电源中的应用

IGBT在中频感应加热电源中的应用
1 引言
根据目前国内的供电模式,空心抽油杆感应加热系统采用的是工频感应加热方式。

为了三相用电平衡,工频加热电源将工频三相交流电中的一相分别经电抗器、电容器列相移相叠加到其它二相,再经变压器直接变成适于各种加热要求的单相工频交流电后连接加热导体。

因而工频加热电源成本高、体积大、笨重、效率低。

石油中频感应加热电源采用IGBT 作为逆变开关器件,与常用的工频加
热电源相比,体积缩小40%、重量减轻50%。

2 中频感应加热电源
中频感应加热电源的电路结构参见图1。

三相整流器将工频三相交流电
整流成直流电,经滤波后,由全桥逆变器变换成频率和占空比在一定范围内均连续可调的单相中频交流电,再经隔离变压器输出给加热负载。

全桥逆变器采用脉宽调制(PWM)零电压开关电路,具有开关损耗低、电磁干扰小等优点[2]。

控制电路采用SG3524 集成块,调节⑨脚电压以保证输出信号的死区时闻。

输出信号的脉宽受石油温度探测器调制.石油的温度控制在45~7O℃。

温度过高易改变石油的化学特性.温度过低会降低石油的流动性。

3 IGBT 栅极驱动电路
3.1 IGBT 栅极驱动模块的选用
IGBT 栅极驱动模块EXB841、M57962L 均可用于驱动1200V 系列400A 以内的IGBT 模块,且具有过流检颡j 及保护功能。

这两种驱动模块短路保护情况下的输出波形如图2 所示。

EXB841 内部产生一5v 负偏压且不可调;。

200KW-IGBT中频感应加热设备应用说明

200KW-IGBT中频感应加热设备应用说明
(1)根据产量及生产节拍选功率
JZ-200/4:每小时加热产量:500kg;
JZ-300/3:每小时加热产量:750kg;
JZ-500/2:每小时加热产量:1250kg;
生产节拍(每小时加热件数)=每小时产量/工件单重。
(2)根据工件大小选频率
直径Φ20~Φ40mm 工件一般推荐频率为 4KHz;直径Φ40~Φ60mm 的工件推荐频率为
比亚特自动化焊接工艺
(3)电路特征:主器件采用 IGBT 模块,电路采用不控全桥整流,电容滤波,桥式逆
变,串联谐振输出。和老式中频采用可控硅并联谐振有根本的不同。
(4)节电原理:不可控整流,整流电路全导通。高功率因数,电压型串联谐振等,决
定了本设备大幅度省电。
二、比亚特自动化设备选型和参数确定
选型依据
各种因素综合起来,决定了本设备比可控硅中频节电 20%左右,节电效果好。
-5比亚特自动化焊接工艺
以上图片显示的是比亚特自动化焊接工艺以及设备
根据客户工件尺寸,可以做长形炉体,方形炉体,扁形炉体。 根据客户工件尺寸,产量高低,来匹配功率大小。
备注:以上说明仅供参考,具体结合实际生产情况来确定工艺
-6比亚特自动化焊接工艺
型号
进水温度
水压
出水温度
水流量
BS-N3
5-35℃
0.2-0.3MPa
≤55℃
16-28 m3/h
第三部分 比亚特自动化节能原理及实际效果 一、节电原理 首先是采用新型 IGBT 器件,不采用可控硅;IGBT 为自关断器件,本身比可控硅损耗小。再 一个就是采用串联谐振,串联谐振为电压型谐振,比并联谐振节电。采用前级不可控全桥整 流,省去了庞大的电抗器,不会在整流段引起波形的变形,没有关断角的削波现象,并且用 大电容滤波,因此谐波数小,降低了对电网的干扰,提高了功率因数。本设备功率因数很高, 高达 95%以上,无功很小。 1、IGBT 比可控硅节能 10%。 2、串联比并联节能 10%。 3、无变压器比有变压器节能, 4、全整流比半整流节能, 5、感应圈设计好更节能

(完整word版)IGBT工作原理及应用

(完整word版)IGBT工作原理及应用

IGBT工作原理及应用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的保护引言绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。

它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。

在中大功率的开关电源装置中,IGBT由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点,已逐步取代晶闸管或GTO。

但是在开关电源装置中,由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下,使得它容易损坏,另外,电源作为系统的前级,由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大,故IGBT的可靠性直接关系到电源的可靠性。

因而,在选择IGBT时除了要作降额考虑外,对IGBT的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。

1 IGBT的工作原理IGBT的等效电路如图1所示。

由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定:——IGBT栅极与发射极之间的电压;——IGBT集电极与发射极之间的电压;——流过IGBT集电极-发射极的电流;——IGBT的结温。

如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压,流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏。

开关电源IGBT的可靠性能解析

开关电源IGBT的可靠性能解析

开关电源IGBT的可靠性能解析一、IGBT的简洁介绍绝缘栅双极型晶体管(简称“IGBT”)是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

若在IGBT的栅极和放射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和放射极之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP 晶体管基极电流的供应,使得晶体管截止。

IGBT与MOSFET一样也是电压掌握型器件,在它的栅极-放射极间施加十几V的直流电压,只有在uA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。

二、IGBT的牢靠性要素IGBT的平安牢靠与否主要由以下因素打算:1.IGBT栅极与放射极之间的电压;2.IGBT集电极与放射极之间的电压;3.流过IGBT集电极-放射极的电流;4.GBT的结温。

假如IGBT栅极与放射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT 不能稳定正常地工作,假如过超群过栅极-放射极之间的耐压则IGBT 可能永久性损坏;同样,假如加在IGBT集电极与放射极允许的电压超过集电极-放射极之间的耐压,流过IGBT集电极-放射极的电流超过集电极-放射极允许的最大电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏。

三、IGBT的检测方法1.推断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则推断此极为栅极(G )其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。

各种IGBT式感应加热电源性能比较-节能篇

各种IGBT式感应加热电源性能比较-节能篇

各种IGBT式感应加热电源性能比较上海巴玛克电气技术有限公司李南坤主要内容:本文通过分析现行感应加热产品普遍存在的效率低、可靠性差等问题的原因,对比介绍引进技术的Atec系列高效率数字式全空冷感应加热电源,并介绍其关键技术和节能情况。

关键词:感应加热电源、数字式、效率、节能、可靠性一. 前言感应加热电源广泛应用于金属热处理、淬火、退火、透热、熔炼、焊接、热套、半导体材料炼制、塑料热合、烘烤和提纯等场合;利用在高频磁场作用下产生的感应电流引起导体自身发热而进行加热。

感应加热与炉式加热、燃烧加热或者电热丝加热相比,具有显著节能、非接触、速度快、工序简单、容易实现自动化等优点。

感应加热电源主要由整流单元、逆变单元、谐振输出单元、和感应器四部分组成。

其中整流单元将工频三相交流电压转换成直流电压;逆变单元电能变换成为几千至上百千赫兹的高频电能;谐振输出单元一端连接逆变器,另一端连接感应器,经隔离和阻抗匹配,通过谐振的方法在感应器中产生强大的高频电流。

加热时,感应器在工件中感生高频电流,因此导体迅速被加热。

早期的感应加热设备中,逆变单元所需的高频逆变器件决定了装置的形式,它经历了从电子管、晶闸管到目前普遍采用IGBT的发展历程。

早期设备以大功率真空电子管为核心构成单级自激振荡器,把高压直流电能转换成高频交流电能,由于电压变换环节较多、电子管转换效率低,设备的总体效率一般在50%以下,电能和水的消耗非常大,目前已趋淘汰。

与电子管设备相比,晶闸管式感应加热设备的效率大为提高,达到90%左右,但其谐振频率较低、逆变换流部分相当复杂、损耗仍然较大,且功率因数低,目前仅适用于超大功率场合应用。

而采用IGBT或MOSFET的感应加热设备总体效率在90%以上,谐振频率可达数百千赫兹,且结构大为简化,设备可靠性、功率因数等其它品质均得以提高。

在目前主流的IGBT式感应加热产品中,仍有较多的电路和结构方式差异。

从整流单元看有可控整流方式和不可控整流方式;从逆变单元看有脉宽调制逆变方式和斩波调压逆变方式;从谐振输出单元看有并联谐振方式和串联谐振方式。

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IGBT中频电源的节能优势我国是铸造大国,铸铁件年产量几年来均居世界各国之首位,而其能耗在成本中所占比例却比工业发达国家高出2—3倍,冲天炉的能耗占了其中的大部分。

主要原因是小容量冲天炉所占比例太大,而其中采用烟尘净化和余热回收装置的微乎其微,实现高水平熔炼和计算机控制的更少了。

我国铸铁生产车间一万多个,每个车间年平均产量不足1000t,冲天炉开炉时间短。

在冲天炉结构方面,由于我国铸造厂点过多,限制了大容量冲天炉的使用。

由于产量低,效益差,限制了性能优越的现代化冲天炉及其配套设备的采用。

操作不当不但对冲天炉性能造成不良影响,也是增加冲天炉能耗和环境污染的重要原因,在我国为数众多的小容量冲天炉上,更是普遍存在的现象。

中频技术应用于铸造行业给铸造推广高质量、高效率、节能环保、低碳的中、高频科技技术应用与中国的铸造行业,是保持中国铸造业可持续发展的一项重大举措。

与传统的冲天炉熔炼相比,中频技术应用于熔炼、精铸诠释了科技的力量。

中频感应电炉经历了两次根本的变革,第一次变革源于20世纪60年代后期开发的晶闸管静态变频电源,第二次源于20世纪70年代中期开发的逆变变频及其控制技术。

这样使中频感应电炉的优越性得以充分的发挥。

随着大功率晶闸管变频电源的开发和可靠性的提高,中频感应电炉正在逐步替代工频感应电炉而在铸造业获得愈来愈广泛的应用。

中频电源的基本工作原理,就是通过一个三相桥式整流电路,把50 Hz的工频交流电流整流成直流,再经过一个滤波器(直流电抗器)进行滤波,最后经逆变器将直流变为单相中频交流以供给负载,所以这种逆变器实际上是一只交流—直流—交流变换器,其基本线路如图:中频炉的感应加热原理,它是利用电磁感应原理将电能转变为热能,当交变电流i感应线圈时,感应线圈便产生交变磁通Φ,使感应中的工件受到电磁感应而产生感应电动势e。

感应电动势e = dΦ/dt如果磁通Φ是呈正弦变化的,即Φ = -Φm sinwt则 e = -dΦ/dt=-Φm sinwtE的有效值 E=4.44fΦM (伏)感应电动势E在工件中产生电流I, i使工件内部开始加热,其焦耳热为;Q=0.24I2RtI--工件中感应电流的有效值(安)R--工件电阻(欧);t—时间(秒)中频电源从最初的发展到今天应用于铸造行业,电源种类从原理上可以分为两类,一传统的可控硅中频电源,可控硅又分为并联和串联型(因串联可控硅的在现实实践中应用技术不成熟在这就不做分析),二是带有igbt(绝缘栅极型晶体管)串连谐振电源。

铸造、淬火、热处理应用不同,需求的中频电源也有改变,通过原理和实践经验本文仅作对igbt中频电源与传统可控硅中频电源应用在熔炼这方面节能分析。

节能优势是通过以下几点原理分析:整流,逆变,功率因数与高次谐波以及恒功率输出。

整流Igbt中频电源整流是采用三相半桥可控整流电路,此种整流电路只要三只晶闸管、只需三套触发电路、不需要宽脉冲或双脉冲触发。

三相半控桥式整流电路比三相全控桥更简单、经济,而带电阻性负载时性能并不比全控桥差。

电路如图所示。

它是把全控桥中共阳极组的3个晶闸管换成整流二极管,因此它具有不可控和可控两者的特性。

其显著特点是共阴极组元件必须触发才能换流;共阳极元件总是在自然换流点换流。

一周期中仍然换流6次,3次为自然换流,其余3次为触发换流,这是与全控桥根本的区别。

改变共阴极组晶闸管的控制角α,仍可获得0~2.34U2Φ的直流可调电压。

由于igbt中频电源采用的是三相半桥可控整流方式,整流部分不调可控硅导通角,所以整个工作过程功率因数始终大于0.98,无功率损耗小。

传统型可控硅(kgps)中频电源在整流上采用的是三相桥式可控整流,其原理图和半桥控制差不多,就是将半桥可控整流中的二极管更换为晶闸管,其控制复杂,导通角一般在0度——120度之间,导通角相比板桥可控整流小,6脉冲间隔60度整流控制电路,三相桥式全控整流电路共有六个桥臂,在每一个时刻必须2个桥臂同时工作,才能够成通路,六个桥臂的工作顺序如图3。

现假定在时刻t1-t2(t1-t2的时间间隔为60o电角度,既相当于一个周波的1/6)此时SCR1和SCR6同时工作(图3(a)中涂黑的SCR),输出电压即为VAB。

到时刻t2-t3可控硅SCR2因受脉冲触发而导通,而SCR6则受BC反电压而关闭,将电流换给了SCR2, 这时SCR1和SCR2同时工作,输出电压即为VAC,到时刻t3-t4,SCR3因受脉冲触发而导通,SCR1受到VAB的反电压而关闭,将电流换给了SCR3,SCR2和SCR3同时工作,输出电压为VBC,据此到时刻t4-t5, t5-t6, t6-t1分别为 SCR3和SCR4, SCR4和SCR5, SCR5和SCR6 同时工作,加到负载上的输出电压分别为 VBA,VCA,VCB,这样既把一个三相交流进行了全波整流,从上述分析可以看出,在一个周期中,输出电压有六次脉冲。

这种整流电路由于在每一瞬间都有两个桥臂同时导通,而且每个桥臂导通时间间隔为60,故对触发脉冲有一定要求,即脉冲的时间间隔必须为60,而且如果采用单脉冲方式,脉冲宽度必须大于60,如果采用窄脉冲,则必须采用双脉冲的方法, 既在主脉冲的后面60o的地方再出现一次脉冲。

控制复杂,抗干扰能力差,同步信号要求高,在现实维护及维修繁琐复杂,经济适用型相比半控要高,整流利用率低,逆变IGBT是电力晶体管{GTR}和电力效应晶体管{MOSFET}的复合体,它综合了GTR和MOSFET的优点,因而具有良好的特性。

Igbt中频电源采用电容与igbt模块控制单元串联形式连接电路,因采用调频来调功,其特点,逆变电压高,igbt你变电压在2800V左右,传统可控硅的逆变电压仅为750V,最大800V,电压小了近四倍,线路损耗小此部分节能15%。

Igbt中频电源逆变控制原理图如下图所示。

IGBT中频电源模块工作是采用的是栅极驱动模式,逆变过程是通过主板控制将信号A和信号B传输给电源板,电源板通过独立电源供给栅极驱动独立电源及传输信号A、B来完成对模块的控制。

栅极板驱动为IGBT模块正常工作,在实现控制电路部分与被驱动的IGBT隔离设计,以及适合栅极驱动的脉冲外还设计了部分保护元器件,在栅极控制的G极和E极之间增加了使栅极积累电荷泄放的电阻Rg,其阻值在使用中取得是4.7欧姆的(Rg的选择是根据模块型号和栅源大小及负载选择的,因为当Rg增大时损耗发热控制,当Rg减小时,di/dt增高,可能产生误导通,损坏IGBT模块)。

防止栅源电压尖峰损坏IGBT模块,在栅极板栅源侧增加了瞬态拟制二极管(TVS)实际中的驱动电压约为15V,故而选型SMBJ15CA型,在实际使用的工业环境中,栅极驱动保护依然有较高的失效率,为防止模块受杂波的干扰,在IGBT模块工作时还增加了浪涌和漏电流吸收装置保护模块。

其控制模式瞬时速断性好,控制电源都是独立提供防干扰能力强。

由于这种电源是通过调节逆变器的工作频率来调节输出功率,整流器输出的直流电压是固定的,因此一台整流器可以同时带多个逆变器工作,在双向供电情况下,一台整流器同时向两台逆变器供电,可使二台电炉同时工作,而且二台电炉的功率可以自由分配。

一般情况下,一台用作熔炼,一台用作保温。

这是一种一拖二的中频熔炼设备是传统并联可控硅中频电源无法做到的,其优点在于熔炼保温能同时进行,减少了工作时间,增加了劳动效率降低劳动成本。

传统可控硅型中频电源并联逆变电路的负载是一个谐振回路,它的谐振频率基本上就是中频电源的工作品频率。

其工作过程分四个阶段。

1. 如果先触发晶闸管T1,T3,则电流Id从P端经T1到负载,在经T3流向N端,这个阶段为中频交流电的正半周,此时补偿电容Cn两端充上了左正右负的电压Ua。

2. 晶闸管T1、T3导电半个周期后,再发出触发脉冲,触发导通晶闸管T2、T4这时造成了四只晶闸管同时导通的“暂态短路”,但这并不会引起电源的故障,因为直流电路接有一个很大的滤波电感Ld,电流Id不能突变。

由于电容器Cn被四只元件短接,其第一阶段充上的电压Ua就要放电,其电压极性,将促使晶闸管T1、T3电流下降,使晶闸管T2、T4的电流上升,直至T1、T3中的电流下降为零,T2、T4电流上升为Id3. 换流结束后,电流经过T2、T4反向流过负载,电容器Cn两端的电压变为右正左负,此电压为第四阶段关断T2、T4做好准备,该阶段为中频电流的负半周。

4. 当晶闸管T2、T4导电半个周期后,再次触发T1、T3开始T1、T3与T2、T4的换流,其过程与第二阶段一样,所不同的是这次是将T2、T4中的电流换给T1、T3,不断的向负载供应中频电能,是震荡持续进行。

前面所述晶闸管的工作过程,是把元件看成理想化的,即元件有信号就导通,撤去信号就关断。

而实际上元件换流是需要时间的。

安全换流时间tr所对应的超前角α也不能太大,主要是考虑下面两个原因;(1)α角度增大,电容器两端电压Uc就要增高,这将受到电容器和可控硅所能承受电压的限制,在单相桥式逆变线路中,当直流输入电压为Ud,中频输出电压为Uc,则在Ud和Uc的有效值之间存在下述关系;Uc=1.1Ud/cosα。

从式中可以看出,在输入直流电压Ud相同的条件下,当α角度增大,则cosα值减小,Uc将增大,也既加于电容器和可控硅两端的电压将增高。

这一点受到所选用的电容器即可控硅的耐压限制。

(2)中频输入的有功功率与α的关系:中频输出的有功功率P=Uc.ILcosα。

式中可以看出在相同的中频电压电流条件下ɑ角愈大,有功功率输出愈小,如果要保持一定的输出功率,则ɑ角度愈大,则必须使输出中频电压,电流愈大,这样恶化了可控硅的工作条件。

IGBT中频电源稳定工作在直流500V电压状态,调频率控制功率,不存在启动问题,IGBT具有自关断能力,通过对基极G的控制,可在任何时候令其瞬间通断,不想晶闸管那样需要关断时间,因此电路结构简单、可靠、负载功率因数高。

传统可控硅中频电源是通过调压调功,调压控制在采取电压信号,再反馈的过程中,有一定的时间滞后性,导致可控硅工作过程中的滞后性,且导通角小和IGBT模块快速导通、断开相比,同时间内IGBT电源输出功率多。

高次谐波IGBT双向电源由两个IGBT半桥串联逆变器并联组成, IBGT双向供电电源采用12脉波二级管桥式整流电路,能够较好的抑制电网谐波的产生。

通常的6脉波桥式整流电路在工作时对电网产生5次、7次、11次、13次和更高的谐波干扰电流,这些谐波电流的大小分别是工频基波电流的1/5、1/7、1/11和1/13。

由于中频电源的输出功率较大,如果采用三相6脉波桥式整流电路,它们工作时产生的谐波干扰可能造成当地电网谐波超标{取决于当地电网的短路容量},或导致某些精密设备和仪器无法正常工作。

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