倒装芯片技术课件

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倒装芯片(FC,Flip-Chip)装配技术

倒装芯片(FC,Flip-Chip)装配技术

摘要:倒装芯片在产品成本,性能及满足高密度封装等方面体现出优势,它的应用也渐渐成为主流。

由于倒装芯片的尺寸小,要保证高精度高产量高重复性,这给我们传统的设备及工艺带来了挑战。

器件的小型化高密度封装形式越来越多,如多模块封装(MCM )、系统封装(SiP )、倒装芯片(FC ,Flip-Chip )等应用得越来越多。

这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线。

毋庸置疑,随着小型化高密度封装的出现,对高速与高精度装配的要求变得更加关键,相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。

由于倒装芯片比BGA 或CSP 具有更小的外形尺寸、更小的球径和球间距、它对植球工艺、基板技术、材料的兼容性、制造工艺,以及检查设备和方法提出了前所未有的挑战。

倒装芯片的发展历史倒装芯片的定义什么器件被称为倒装芯片?一般来说,这类器件具备以下特点:1. 基材是硅;2. 电气面及焊凸在器件下表面;3. 球间距一般为4-14mil 、球径为2.5-8mil 、外形尺寸为1 -27mm ;4. 组装在基板上后需要做底部填充。

其实,倒装芯片之所以被称为“倒装”,是相对于传统的金属线键合连接方式(Wire Bonding)与植球后的工艺而言的。

传统的通过金属线键合与基板连接的芯片电气面朝上(图1),而倒装芯片的电气面朝下(图2),相当于将前者翻转过来,故称其为“倒装芯片”。

在圆片(Wafer)上芯片植完球后(图3),需要将其翻转,送入贴片机,便于贴装,也由于这一翻转过程,而被称为“倒装芯片”。

图1图2图3倒装芯片的历史及其应用倒装芯片在1964年开始出现,1969年由IBM发明了倒装芯片的C4工艺(Controlled Collap se Chip Connection,可控坍塌芯片联接)。

过去只是比较少量的特殊应用,近几年倒装芯片已经成为高性能封装的互连方法,它的应用得到比较广泛快速的发展。

目前倒装芯片主要应用在Wi- Fi、SiP、M CM、图像传感器、微处理器、硬盘驱动器、医用传感器,以及RFID等方面(图5)。

led倒装芯片封装技术

led倒装芯片封装技术

led倒装芯片封装技术英文回答:## Flip Chip LED Packaging Technology.Flip chip LED packaging technology is a method of mounting LED chips on a printed circuit board (PCB) with the active side of the chip facing down. This technology offers several advantages over traditional surface mount technology (SMT), including:Reduced package height: Flip chip LEDs are much thinner than SMT LEDs, allowing for the creation of thinner and more compact lighting fixtures.Improved thermal performance: The direct thermal contact between the LED chip and the PCB dissipates heat more efficiently, resulting in longer LED life and improved performance.Higher power density: Flip chip LEDs can be packed more densely than SMT LEDs, enabling the creation of high-power lighting fixtures with a smaller footprint.Lower cost: Flip chip LEDs are less expensive to manufacture than SMT LEDs, making them a more cost-effective option for large-scale lighting applications.Flip chip LED packaging technology is typically used in applications where high power density and thermal performance are critical, such as automotive lighting, street lighting, and commercial lighting.### Flip Chip LED Packaging Process.The flip chip LED packaging process involves the following steps:1. Die preparation: The LED chip is prepared by thinning the substrate and applying a solder mask to the active surface.2. Solder ball attachment: Solder balls are attached to the bottom surface of the LED chip using a solder paste.3. Chip placement: The LED chip is placed on the PCB with the solder balls facing down.4. Reflow soldering: The PCB is heated to melt the solder balls and form a permanent connection between the LED chip and the PCB.5. Encapsulation: The LED chip is encapsulated with a protective epoxy to protect it from the environment.### Advantages of Flip Chip LED Packaging Technology.The advantages of flip chip LED packaging technology include:Reduced package height: Flip chip LEDs are muchthinner than SMT LEDs, allowing for the creation of thinner and more compact lighting fixtures.Improved thermal performance: The direct thermal contact between the LED chip and the PCB dissipates heat more efficiently, resulting in longer LED life and improved performance.Higher power density: Flip chip LEDs can be packedmore densely than SMT LEDs, enabling the creation of high-power lighting fixtures with a smaller footprint.Lower cost: Flip chip LEDs are less expensive to manufacture than SMT LEDs, making them a more cost-effective option for large-scale lighting applications.### Disadvantages of Flip Chip LED Packaging Technology.The disadvantages of flip chip LED packaging technology include:Higher assembly cost: The flip chip LED packaging process is more complex than the SMT process, resulting in higher assembly costs.Limited design flexibility: The rigid nature of the flip chip LED package limits design flexibility, making it difficult to create custom lighting fixtures.Reliability concerns: The flip chip LED package is more susceptible to mechanical stress than the SMT package, raising reliability concerns for applications where vibration or shock is a factor.### Conclusion.Flip chip LED packaging technology offers several advantages over traditional SMT, including reduced package height, improved thermal performance, higher power density, and lower cost. However, this technology also has some disadvantages, including higher assembly cost, limited design flexibility, and reliability concerns. Overall, flip chip LED packaging technology is a valuable option for applications where high power density and thermal performance are critical.中文回答:## 倒装芯片LED封装技术。

倒装芯片键合技术

倒装芯片键合技术

倒装芯片键合技术
嘿,朋友们!今天咱来聊聊这个倒装芯片键合技术呀!这玩意儿可神奇了,就像是给电子世界搭起了一座特别的桥梁。

你想想看,那些小小的芯片,就好像是一个个小精灵,它们有着巨大的能量和潜力。

而倒装芯片键合技术呢,就是让这些小精灵能够稳稳地待在它们该在的地方,发挥出它们的本领。

它就像是一个超级厉害的魔术师,能把芯片和基板紧紧地连在一起,让它们亲密无间地合作。

这可不是随随便便就能做到的呀!这需要非常精细的操作和高超的技艺。

比如说吧,就好像我们盖房子,得把每一块砖都放得稳稳当当的,这样房子才不会摇摇晃晃。

倒装芯片键合技术也是这样,要把芯片准确无误地键合到基板上,稍有偏差都不行呢!这可真是个技术活啊!
而且啊,这个技术还在不断发展和进步呢!就像我们人一样,要不断学习和成长。

它变得越来越厉害,能让我们的电子设备越来越小巧、越来越强大。

你再想想,要是没有这个倒装芯片键合技术,我们的手机能这么智能吗?我们的电脑能这么快速吗?那肯定不行呀!它就像是背后的无名英雄,默默地为我们的科技生活贡献着力量。

你说,这倒装芯片键合技术是不是很了不起?它让那些小小的芯片发挥出了大大的作用,让我们的生活变得更加丰富多彩。

我们真应该好好感谢这个神奇的技术呀!它就像是给我们的科技世界注入了一股强大的动力,推动着我们不断向前。

所以呀,可别小瞧了它哟!这就是倒装芯片键合技术,一个充满魅力和神奇的技术!。

倒装芯片技术

倒装芯片技术

4. Amelco——Au凸点 5. 目前全世界的倒装芯片消耗量超过年60万片,且以约50%的
速度增长,3%的圆片用于倒装芯片凸点。几年后可望超过
20%。
7
2019/11/17
Prof. Wu Fengshun, fengshunwu@
华中科技大学材料学院连接与电子封装中心
华中科技大学材料学院连接与电子封装中心
底部填充与否
有各种不同的倒装芯片互连工艺,但是其结构基本特点 都是芯片面朝下,而连接则使用金属凸点。而最终差别就是使 用底部填充与否。
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2019/11/17
Prof. Wu Fengshun, fengshunwu@
华中科技大学材料学院连接与电子封装中心
Gold wire
华中科技大学材料学院连接与电子封装中心
钉头金凸点制作
Gold ball
Ball bonding
Wire breaking
Gold stud bump
Coining (level)
Gold stud
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2019/11/17
Prof. Wu Fengshun, fengshunwu@
不同的倒装芯片连接方法
1. 焊料焊接 2. 热压焊接 3. 热声焊接 4. 粘胶连接
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2019/11/17
Prof. Wu Fengshun, fengshunwu@
华中科技大学材料学院连接与电子封装中心
Coffin-Manson 低周疲劳模型
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2019/11/17
华中科技大学材料学院连接与电子封装中心
优点-01
小尺寸: 小的IC引脚图形 (只有扁平封装的5%)减小了高 度和重量。 功能增强: 使用倒装芯片能增加I/O 的数量。I/O 不像导线 键合中出于四周而收到数量的限制。面阵列使得在更小的空 间里进行更多信号、功率以及电源等地互连。一般的倒装芯 片焊盘可达400个。

倒装cob封装工艺

倒装cob封装工艺

倒装cob封装工艺
倒装COB封装工艺是一种先进的集成电路封装技术,COB是
Chip on Board的缩写,意为芯片直接封装在基板上。

倒装COB封
装工艺相比传统封装技术具有一些优势。

首先,倒装COB封装工艺可以有效减小封装尺寸,提高集成度。

由于芯片直接封装在基板上,不需要额外的封装材料和封装空间,
因此可以实现更小型化的封装,适用于轻薄化、小型化的电子产品
设计。

其次,倒装COB封装工艺可以提高散热性能。

由于芯片直接与
基板接触,热量可以更快更有效地传导到基板上,利于散热,有利
于提高芯片的工作稳定性和可靠性。

此外,倒装COB封装工艺可以降低封装成本。

相比传统封装技术,倒装COB封装省去了一些封装材料和工序,可以降低生产成本,提高生产效率。

然而,倒装COB封装工艺也存在一些挑战和局限性。

例如,对
基板的要求较高,需要优质的基板材料和制造工艺;另外,倒装
COB封装需要特殊的焊接工艺,对生产工艺要求较高。

总的来说,倒装COB封装工艺在一定的应用场景下具有明显的优势,但也需要克服一些技术难题。

随着技术的不断进步和应用需求的不断变化,倒装COB封装工艺有望在未来得到更广泛的应用和发展。

LED倒装制程介绍ppt课件

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2 倒装焊固晶工艺
共晶焊的影响因素
固晶温度
选择Tg较固晶温度高10℃以上
E.g. Au-Sn(280 ℃ ),塑胶Tg>330 ℃
回流焊最高加热温度315 ℃ -320 ℃
E.g. Ag-Sn/Sn(232 ℃ ),塑胶Tg>290 ℃
回流焊最高加热温度270℃
23
2 倒装焊固晶工艺 共晶焊的影响因素
15
加热夹头
2 倒装焊固晶工艺
用吸头从晶圆上拾取晶片并放置在平台上 用加热的夹头从平台上拾取晶片 将晶片放置在预热的焊盘上 焊好的晶片置于在较低的温度下减小偏移
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2 倒装焊固晶工艺
加热夹头可以显著减少孔洞 焊剂共晶在芯片中间有大的孔洞 加热夹头孔洞变得细小均匀
直接共晶 (加热焊盘)
LED倒装芯片与 倒装焊工艺
主讲人:
1
Contents
1
倒装结构LED芯片
2
倒装固晶工艺
3 Au-Sn共晶的制备方法
2
1 倒装结构LED芯片
• 正装/倒装芯片结构对比
器件功率 出光效率 热性能
3
1 倒装结构LED芯片
• 高可靠性 -机械强度
-散热性能
电性连接点 接触,瞬间 大电流冲击 易烧断
`
7
1 倒装结构LED芯片 Thin Film Flip Chip
8
1 倒装结构LED芯片
倒装芯片的制备方法
以蓝宝石基底制 作GaN外延片
ICP蚀刻/ RIE蚀刻
制作 透明导电层
制作 P-N电极
衬底上制备 反射散热层
芯片/衬底的划 片分割
Die bond 倒装焊接

倒装芯片资料

倒装芯片资料

应用领域不断拓展
技术创新驱动发展
• 随着电子产品对高性能、高集成度
• 倒装芯片技术在物联网、人工智能、
• 倒装芯片技术将不断创新,提高性
的要求不断提高,倒装芯片市场需求
大数据等领域具有广泛的应用前景
能,降低成本,推动电子产业发展
持续增长
02
倒装芯片的工艺流程
芯片设计与制程
芯片设计
芯片制程
• 采用EDA工具进行芯片电路设计和布局优化
高频特性

• 降低信号传输损耗,提
优良的热性能
高信号完整性
• 提高通信速率和效率

• 降低热阻,提高散热效

• 提高芯片稳定性和寿命
倒装芯片的生产成本分析
成本优势
• 减少芯片和基板间的连接部件,降低生产成本
• 提高生产效率,降低生产成本
投资成本
• 倒装芯片技术对生产设备要求较高,初期投资成本较高
• 技术研发和生产过程中需要投入大量人力和物力
基站设备
• 倒装芯片技术提高基站设备的集成度和性能
• 降低设备成本和体积,提高设备部署效率
传输设备
• 倒装芯片技术提高传输设备的信号传输速率和稳定性
• 降低设备功耗,提高设备寿命
倒装芯片在汽车电子领域的应用
发动机控制单元
传感器系统
• 倒装芯片技术提高发动机控制单元的集成度和性能
• 倒装芯片技术提高传感器系统的灵敏度和稳定性
• 采用光刻、刻蚀等工艺制作芯片电路
• 设计焊盘和连接孔,实现芯片与基板的连接
• 制备氧化铝等绝缘层,保护芯片电路
芯片倒装与焊接技术
芯片倒装
• 将芯片活性面朝下,与基板进行精确对位

倒装芯片

倒装芯片

倒装芯片
CHIP
Market
Period III
F L I P
行业情况
●璨圆2013年也积极推广其芯片级封装产 品,同样以flip chip为基础,在制程中省略导线 架与打线等步骤。 ●隆达将其芯片级封装CSP(Chip Scale Package)产品在上游晶粒也采用覆晶技术,也 同样省略导线架,幵简化封装流程。 ●Philips Lumileds推出的CSP产品 LUXEON Q就采用flip chip技术,不需在后段制 程中移除蓝宝石基板。 ●CREE的XQ-E LED产品也同样采CSP技 术,将芯片面积大幅缩小,其微型化设计可以 提升光调色品质与光学控制,扩大照明应用范 围。 综合各企业产品,共同的特点是采用倒装芯 片,使体积更小,光学、热学性能更好,同时 因省略了导线架与打线的步骤,使其后道工序 更加便捷。
部分企业的芯片级封装产品: ●晶电的芯片级封装产品称为ELC(Embedded LED Chip),制程中完成芯片生产后,仅 需要涂布荧光粉与采用封装胶,省略导线架与打线的步骤,可以直接贴片(SMT)使用,ELC 产品在没有导线架的情况下,发光角度较大,未来可能省略二次光学透镜的使用。 ●台积固态照明则的芯片级封装产品名为PoD(Phosphor on die),直接将flip chip(覆晶)芯 片打在散热基板上,省略导线架与打线等步骤,同样主打小体积,拥有更高的光通量和更大 的发光角度,幵且可以更容易混色与调控色温特性,适用于非指向性光源应用。
随着上游芯片产能不断扩产,封装行业已经步入微利时代,许多企 业为了抢夺客户大打价格牌,激烈的价格竞争和无序的业内生态链促使行 业开始需求新的封装工艺。而具有提升发光效率以及提高散热能力等优势 的倒装LED芯片技术的革新与应用正是当今封装企业专注研发的重点。

倒装芯片技术-PPT

倒装芯片技术-PPT
➢ 和焊区金属要有很好的欧姆接触:所以在沉积UBM之前要 通过溅射或者化学刻蚀的方法去除焊区表面的Al氧化物。
对 UBM的要求-02
➢ 要有焊料扩散阻挡层:必须在焊料与焊盘焊区金属之 间提供一个扩散阻挡层
➢ 要有一个可以润湿焊料的表面:最后一层要直接与凸 点接触,必须润湿凸点焊料。
对 UBM的要求-03
可靠性
与一般的焊点连接一样,热压倒装芯片连接的可靠性也要 受到基板与芯片的热膨胀系数(CTE)失配的影响,此外焊点的高度 、焊点之间的最大间距亦会对可靠性造成影响。连接区的裂纹多 是在从连接温度冷却下来的过程中产生的。
由于金的熔点温度高,因此它对疲劳损伤的敏感程度远小于 焊料。因此,如果在热循环中应力没有超过凸点与焊盘之间的连 接强度,那么可靠性不会存在太大问题。
芯片与基底之间的底部填充材料使连接抵抗热疲劳的 性能显著提高,如果没有底部填充,则热疲劳将是倒装芯 片主要的可靠性问题。
生产问题
倒装芯片的连接头应该能够产生300°C 的连接温 度, 要有较高的平行对准精度,为了防止半导体材料 发生损伤,施加压力时应该保持一定的梯度。在热压倒 装芯片连接中,凸点发生变形是不可避免的,这也是形 成良好连接所必需的。另外,连接压力和温度应该尽可 能低,以免芯片和基板损坏。
点是:
• 简单,无需使用焊剂 • 工艺温度低
• 可以实现细间距连接
若干问题
对于直径为80mm的凸点, 热压压力可以达到1N。由 于压力较大,温度也较高,这种工艺仅适用于刚性基底, 如氧化铝或硅。另外,基板必须保证较高的平整度,热压 头也要有较高的平行对准精度。为了避免半导体材料受到 不必要的损害,施加压力时应该有一定的梯度。
由此模型可知:
要提高可靠性必须要求:

倒装芯片介绍

倒装芯片介绍
driven by the LED revolution with rapid adoption of LED based lighting solutions
Source: Philips
一、倒装芯片技术
定义:
倒装芯片组装就是通过芯片上的凸点直接将元器件朝下 互连到基板、载体或者电路板上,芯片直接通过凸点直 接连接基板和载体上,整个芯片称为倒装芯片(Flip Chip)。
普通激光切割后wafer侧面
劈裂后wafer侧面
隐形激光切割后wafer侧面
三、工艺流程简介
Wafer 扩张:
Wafer扩张是将已经分离开的晶粒之间的距离变大,利于后面测试和分级设备 工作。
三、工艺流程简介
自动外观检测:
自动外观检测是通过AOI设备 对芯片的外观缺陷判定,尽可能 避免分级过程中外观坏品混入好 品当中。 常见的外观不良有:电极污染、 电极缺损、电极划伤、ITO区域 污染、切割不良等
曝光(MPA & STEPPER)
图1:Coating设备
显影(Developer)
图3:显微镜
检查(Inspection) 图2:Develop设备
黄光工艺流程及常见缺陷
Epi Partical
Photo defect
Scratch
Mask defect
Under develop
三、工艺流程简介
蓝宝石特性
在低于熔点温度范围内, 仍具有良好的化学稳定性和机械、物理等性能; 光学透过范围宽, 特别在1 500~7500 nm, 透过率达85%; 有与纤锌矿III 族氮化物相同的对称性, 故用于GaN 的外延衬底材料。
三、工艺流程简介
图形化蓝宝石衬底技术:

芯片互连 - 倒装键合

芯片互连 - 倒装键合
FCB可自对准,可控制焊料塌陷程度,对凸点高度一致性及 用基板平整度要求较低。适于使用SMT对焊料凸点芯片 FCB
利用树脂的收缩应力,FCB为机械接触,不加热应力小。 适于微小凸点芯片FCB
避免横向导电短路 UV光固化
导电粒子压缩在凸点与基板金属焊区间,只上下导电。 适于各类要求低温度的显示器COC的FCB。
倒装键合的特点
12
(6) 借助于凸点与基板焊区直接焊接。这样就省略了互连线,由互连线产生 的杂散电容和电感要比WB和TAB小得多,因此适合于高频、高速电路和高密 度组装的应用。 缺点: (1) 需要精选芯片 (2) 安装互连工艺有难度,芯片朝下,焊点检查困难 (3) 凸点制作工艺复杂,成本高 (4) 散热能力有待提高
感谢聆听!
凸点制作工艺很多,如蒸发/溅射法、焊膏印刷一回流法、化镀法、电镀法、钉 头法、置球凸点法(SB2- Jet)等。
各种凸点制作工艺各有其特点,关键是要保证凸点的一致性。特别是随着芯片 引脚数的增多以及对芯片尺寸缩小要求的提高,凸点尺寸及其间距越来越小,制 作凸点时又不能损伤脆弱的芯片。
现在主流应用的凸点制作方法是印刷/转写—搭载—回流法。该方法是通过网 板印刷或针转写的方式把助焊剂涂到芯片表面后,通过搭载头把锡球放置到涂有 助焊剂的焊点上,再进入回转炉固化。
凸点制作方法对比
8
倒装键合关键技术
9
倒装焊
倒装焊技术主要有熔焊、热压焊、超声焊、胶粘连接等。现在应用较 多的有热压焊和超声焊。常用方法有:热压FCB法;再流FCB法(C4);环氧 树脂光固化FCB法;各向异性导电胶粘接FCB法。
热压焊接工艺要求在把芯片贴放到基板上时,同时加压加热。该方法 的优点是工艺简单,工艺温度低,无需使用焊剂,可以实现细间距连接; 缺点是热压压力较大,仅适用于刚性基底(如氧化铝或硅),基板必须保证高 的平整度,热压头也要有高的平行度。为避免半导体材料受到不必要的损 害,设备施加压力要有精确的梯度控制能力ontents

LED倒装芯片与倒装焊工艺

LED倒装芯片与倒装焊工艺
支架表面的粗糙度要比共晶材料的厚度 还要少, 否
则共晶材料就不足够填满表 面不平的地方, 造成流
动性差的情况
如果固晶在比较平滑的支架表面上, 可提升推力
3 Au-Sn共晶的制备方法
Au-Sn二元相图
1. Au-20wt%Sn 2. Au-90wt%Sn
3 Au-Sn共晶的制备方法 预成型片
LED倒装芯片与 倒装焊工艺
Contents
1 2
倒装结构LED芯片 倒装固晶工艺
Au-Sn共晶的制备方法
3
1 倒装结构LED芯片
• 正装/倒装芯片结构对比
器件功率 出光效率 热性能
1 倒装结构LED芯片
• 高可靠性 -机械强度
-散热性能
电性连接点g
点胶 晶片 支架
固晶
2 倒装焊固晶工艺
绝缘胶固晶 以绝缘胶在加热的条件下固化的方式粘合晶 片与支架 特点:1.粘接强度大2.绝缘胶透光可提升亮度
绝缘胶点胶 晶片 支架
固晶
2 倒装焊固晶工艺
固晶工艺
直接 共晶
焊剂 共晶
钎料 固晶
热超声 固晶
2 倒装焊固晶工艺
固晶工艺
固晶工艺
绝缘胶固晶 成本低 工艺成熟 粘接强度高 效率高 工艺简单 粘接强度高 较好的导热性 优越的导热性 无焊剂 优越的导热性 工艺简单 粘接强度高
通过冶金法加工Au-Sn预成型片,相对便宜且易于实现,但很难 加工成焊接所需的很薄的焊片 蒸渡、溅射 采用溅射或蒸等真空沉积技术,可以提供更好的过程控制并能
减少氧化,但是成本高且加工周期长。
电镀
由于镀速缓慢且成分不能精确控制,在芯片上直接电镀制备
Au-20Sn 共晶凸点比较困难.目前采用的是连续电镀方式,即先镀 Au接着镀Sn,其外层的Sn易被氧化,共熔后Au-Sn的组分不好控制。

倒装芯片

倒装芯片

倒装芯片:向主流制造工艺推进时间:2009-12-08来源:责任编辑:对较小外形和较多功能的低成本电子设备的需求继续在增长。

这些快速调整的市场挑战着电子制造商,降低制造成本以保证可接受的利润率。

倒装芯片装配(flip chip assembly)被认为是推进低成本、高密度便携式电子设备的制造所必须的一项技术。

在低成本应用中,倒装芯片的成功是因为它可达到相对于传统表面贴装元件包装更大的成本效益。

例如,一款新的寻呼机利用了倒装芯片技术将微控制器装配于PCB,因为倒装芯片使用较少的电路板空间,比传统的塑料球栅阵列(PBGA, plastic ball grid array)成本较低。

材料集成电路(Integraded circuit)在这款寻呼机中的集成电路(IC, integrated circuit)是一个5 x 5.6 mm 的微控制器,要求100个输入/输出(I/O)连接于PCB。

将四周I/O重新分配为2.5排减少点数(depopulated)的球栅阵列形式来接纳PCB的线/空格以及通路孔焊盘的限制。

锡球(bump)布局与间距如图一所示。

使用了电镀共晶锡/铅锡球,因为与其它的替代者比較,它的成本低得多。

锡球的直径大约为125 %26mu;m,球下金属(UBM, under bump metalization)为一个顾客要求的45%26mu;m的铜柱,如图二。

印刷电路板(PCB, printed circuit board)成本因素决定这款寻呼机的PCB的布局。

PCB是标准的FR-4,四个金属层和一个无电镀镍/金表面涂层。

因为增加材料成本和有限的可获得性,所以没有使用高密度互连(HDI, high-density interconnect)技术。

无电镀镍/金表面涂层满足所有作品的要求。

实录可靠性问题排除了选择有机可焊性保护层(OSP, organic solderability preservative),选择性镍-金的成本增加也没有吸引性。

倒装芯片封装工艺

倒装芯片封装工艺

倒装芯片封装工艺倒装芯片封装工艺,这可是个厉害的家伙!你知道吗,它就像是给芯片穿上了一层超级酷炫的“防护服”。

先来说说倒装芯片到底是啥。

这就好比是一个小巧玲珑但又超级重要的“大脑”,里面藏着无数的秘密和智慧。

而封装工艺呢,就是要把这个“大脑”好好保护起来,让它能稳定工作,不受外界的干扰和伤害。

倒装芯片封装的第一步,得先把芯片准备好,就像运动员要上场比赛,得先热身,调整到最佳状态。

这芯片也一样,得保证它没有任何瑕疵和毛病。

然后呢,在基板上涂上一层神奇的胶水,这胶水可厉害了,能把芯片牢牢粘住。

这就好像给芯片安了个舒服的“家”。

接下来,就是把芯片倒扣在基板上,这动作是不是有点像我们平时翻个跟头?可别小看这一倒,这可是整个工艺的关键步骤,得小心翼翼,不能有半点差错。

倒装完成后,就得进行连线了。

这连线就像是给芯片修了一条条高速公路,让信息能快速、畅通无阻地传递。

这线得多细多精密啊,简直比头发丝还细!要是稍微出点差错,那可就糟糕啦!再然后,就是封装材料的填充。

这就像是给芯片盖上了一层厚厚的被子,保暖又安全。

这材料得选好,不能让芯片觉得“冷”或者“闷”。

最后,还得进行各种测试,看看封装好的芯片是不是真的厉害。

这就像是考试,得检验一下之前的努力有没有成果。

你想想,如果没有这倒装芯片封装工艺,我们的手机能那么智能吗?电脑能运行得那么快吗?各种高科技设备能给我们带来那么多便利吗?所以说啊,这倒装芯片封装工艺虽然听起来复杂,但是它的作用可大了去啦!总之,倒装芯片封装工艺就是高科技领域里的一位超级英雄,默默地守护着芯片,让我们的生活变得更加美好!。

第四讲微系统封装技术倒装焊技术

第四讲微系统封装技术倒装焊技术
– Minimum pitch 40 µm
– Bump height 30 - 75 µm
• Difficulties:
– Bump height highly dependent in current density
– Variations in current density across the wafer gives non uniformity in bump height
散阻挡层。

镍UBM的厚度一般为1~15 μ m , 而5 μ m厚的镍UBM就能使焊料凸点的可靠
性明显提高。

镀镍之后,还要在镍上镀一层厚度为0.05-0.1 μ m的金,它主要是防止镍
发生氧化,以保持它的可焊性。
铝焊盘上化学镀镍前处理
由于铝焊盘表面有一层氧化物,镀层金属无法粘附在这样的表面上,因此要对铝 表面进行适当的处理以清除氧化物层。
UBM 凸点形成
Pb/Sn bump Si Chip
Solder Wetting Layer Adhesion / Barrier Layer Al pad
Passivation Layer
对UBM的要求
必须与焊区金属以及圆片钝化层有牢固的结合力: Al是最常见的IC金属化金属,典型 的钝化材料为氮化物、氧化物以及聚酰亚胺 。 和焊区金属要有很好的欧姆接触:在沉积UBM之前要通过溅射或者化学刻蚀的方法去除 焊区表面的Al氧化物。 要有焊料扩散阻挡层:必须在焊料与焊盘焊区金属之间提供一个扩散阻挡层 要有一个可以润湿焊料的表面:最后一层要直接与凸点接触,必须润湿凸点焊料。 氧化阻挡层:为保证很好的可焊性,要防止UBM在凸点的形成过程中氧化。 对硅片产生较小的应力: UBM结构不能在底部与硅片产生很大的应力,否则会导致底 部的开裂以及硅片的凹陷等可靠性失效。
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3. Fairchield——Al凸点
4. Amelco——Au凸点
5. 目前全世界的倒装芯片消耗量超过年60万片,且以约50%的
速度增长,3%的圆片用于倒装芯片凸点。几年后可望超过
20%。
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第一部分
倒装芯片简介
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缺点-02
操作夹持裸晶片比较困难 要求很高的组装精度 目前使用底部填充要求一定的固化时间 有些基板可靠性较低 维修很困难或者不可能
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电子制造技术基础
吴丰顺 博士/教授 武汉光电国家实验室
光电材料与微纳制造部
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倒装芯片(Flip Chip)技术
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倒装芯片工艺概述
主要工艺步骤: 第一步: 凸点底部金属化 (UBM) 第二步:芯片凸点 第三步:将已经凸点的晶片组装到基板/板卡上 第四步:使用非导电材料填充芯片底部孔隙
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倒装芯片组装就是通过芯片上的凸点直接将元器件朝 下互连到基板、载体或者电路板上。而导线键合是将芯片的 面朝上。
倒装芯片元件是主要用于半导体设备;而有些元件, 如无源滤波器,探测天线,存储器装备也开始使用倒装芯片 技术,由于芯片直接通过凸点直接连接基板和载体上,因此 ,更确切的说,倒装芯片也叫DCA ( Direct Chip Attach )。
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为什么使用倒装芯片?
倒装芯片技术的兴起是由于与其他的技术相比 ,在尺寸、外观、柔性、可靠性、以及成本等方面有 很大的优势。今天倒装芯片广泛用于电子表,手机, 便携机 ,磁盘、耳机,LCD以及大型机等各种电子产 品上。
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优点-01
小尺寸: 小的IC引脚图形 (只有扁平封装的5%)减小了 高度和重量。 功能增强: 使用倒装芯片能增加I/O 的数量。I/O 不像 导线键合中出于四周而收到数量的限制。面阵列使得在更小 的空间里进行更多信号、功率以及电源等地互连。一般的倒 装芯片焊盘可达400个。
倒装芯片与扁平封装的引脚数比较
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信号效果比较
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芯片可减少三分之二的互连引脚数。
提高了散热热能力:倒装芯片没有塑封,芯片背面可进行有
效的冷却。
低成本:批量的凸点降低了成本。
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I/O 数比较
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优点-02
性能增加: 短的互连减小了电感、电阻以及电容,保证了信
号延迟减少、较好的高频率、以及从晶片背面较好的热通道。
提高了可靠性: 大芯片的环氧填充确保了高可靠性。 倒装
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三种晶片级互连方法
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倒装芯片示意图
在典型的倒装芯片封装中, 芯片通过3到5个密耳 (mil)厚的焊料凸点连接到芯片载体上,底部填 充材料用来保护焊料凸点.
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什么是倒装芯片?
倒装芯片历史
1. IBM1960年研制开发出在芯片上制作凸点的倒装芯片焊接工
艺技术。95Pb5Sn凸点包围着电镀NiAu的铜球。后来制作
PbSn凸点,使用可控塌焊连接(Controlled collapse
Component Connection, C4),无铜球包围。
2. Philoc-ford等公司制作出Ag-Sn凸点
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第一步:凸点下金属化
(UBM,under bump metallization)
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缺点-01
裸芯片很难测试
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凸点芯片适应性有限
随着间距地减小和引脚数的增多导致PCB技术
面临挑战
必须使用X射线检测设备检测不可见的焊点
Hale Waihona Puke 和SMT工艺相容性较差13 2019/9/15
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