计算机组成原理第3章习题参考答案
计算机组成原理第3章习题参考答案
第3章习题参考答案1、设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问 (1) 该存储器能存储多少字节的信息？(2) 如果存储器由512K ×8位SRAM 芯片组成，需要多少片？ (3) 需要多少位地址作芯片选择？ 解：(1) 该存储器能存储：字节4M 832220=⨯ (2) 需要片8823228512322192020=⨯⨯=⨯⨯K (3) 用512K ⨯8位的芯片构成字长为32位的存储器，则需要每4片为一组进行字长的位数扩展，然后再由2组进行存储器容量的扩展。
所以只需一位最高位地址进行芯片选择。
2、已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M ×8位的DRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用内存条结构形式，问； (1) 若每个内存条为16M ×64位，共需几个内存条? (2) 每个内存条内共有多少DRAM 芯片?(3) 主存共需多少DRAM 芯片? CPU 如何选择各内存条? 解：(1) 共需条4641664226=⨯⨯M 内存条 (2) 每个内存条内共有32846416=⨯⨯M M 个芯片(3) 主存共需多少1288464648464226=⨯⨯=⨯⨯M M M 个RAM 芯片， 共有4个内存条，故CPU 选择内存条用最高两位地址A 24和A 25通过2：4译码器实现；其余的24根地址线用于内存条内部单元的选择。
3、用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，要求： (1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
(2) 设存储器读/写周期为0.5μS ，CPU 在1μS 内至少要访问一次。
试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少? 解：(1) 用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，需要用16448163264=⨯=⨯⨯K K 个芯片，其中每4片为一组构成16K ×32位——进行字长位数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D 0~D 7、D 8~D 15、D 16~D 23和D 24~D 31，其余同名引脚互连)，需要低14位地址(A 0~A 13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——分成行、列地址两次由A 0~A 6引脚输入；然后再由4组进行存储器容量扩展，用高两位地址A 14、A 15通过2：4译码器实现4组中选择一组。
计算机组成原理第三章课后习题参考答案
第三章（P101）1．(1)M 4832*220= 字节 (2)片84*28*51232*1024==K K(3)1位地址作芯片选择2. (1)个内存条4264*264*222426==(2)328*264*22242=每个内存条内共有32个DRAM 芯片 (3)4*32 = 128个主存共需要128个DRAM 芯片，CPU 通过由高位地址选择各内存条。
3. (1)首先计算所需芯片数目：168*232*21416=片 芯片容量为16K ，所以芯片内部寻址需14位；四个芯片组成一组形成32个位线，共需4组，需2位地址进行组间寻址； 其中使用一片2：4译码器；所以所以采用位并联与地址串联相结合的方法来组成整个存储器，其组成逻辑图如图所示，(2)根据已知条件，CPU 在1us 内至少访存一次，而整个存储器的平均读/写周期为0.5us ，如果采用集中刷新，有64us 的死时间，肯定不行 如果采用分散刷新，则每1us 只能访存一次，也不行 所以采用异步式刷新方式。
假定16K*8位的DRAM 芯片用128*128矩阵存储元构成，刷新时只对128行进行异步方式刷新，则刷新间隔为2ms/128 = 15.5us ，可取刷新信号周期15us 。
刷新一遍所用时间＝15us ×128＝1.92ms4. (1)片328*12832*1024 K K ，共分8组，每组4片；地址线共20位，其中组间寻址需3位，组内17位； (2)(3)如果选择一个行地址进行刷新，刷新地址为A 0-A 8，因此这一行上的2048个存储元同时进行刷新，即在8ms 内进行512个周期（即512行）。
采用异步刷新方式，刷新信号周期为：8ms/512 = 15.5us 。
注：存储器由128K*8位的芯片构成，分8组，每组4片，组内芯片并行工作，需17条地址线进行寻址，其中X 行线为9根，Y 位线为8根，29=512行。
5. 用256K*16位的SRAM 芯片设计1024K*32的存储器，需进行字位同时扩展方式继续拧设计，所需芯片数目:片816*25632*1024 K K ，设计的存储器容量为1M ，字长为32，故需20位地址（A0~A19）；所用芯片存储容量为256K ，字长为16位，故片内寻址需18位（A0~A17）。
2020年计算机组成原理第3章习题参考答案
作者：旧在几作品编号：2254487796631145587263GF24000022 时间：2020.12.13第3章习题参考答案1、设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问 (1) 该存储器能存储多少字节的信息？(2) 如果存储器由512K ×8位SRAM 芯片组成，需要多少片？ (3) 需要多少位地址作芯片选择？ 解：(1) 该存储器能存储：字节4M 832220=⨯(2) 需要片8823228512322192020=⨯⨯=⨯⨯K (3) 用512K ⨯8位的芯片构成字长为32位的存储器，则需要每4片为一组进行字长的位数扩展，然后再由2组进行存储器容量的扩展。
所以只需一位最高位地址进行芯片选择。
2、已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M ×8位的DRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用内存条结构形式，问； (1) 若每个内存条为16M ×64位，共需几个内存条? (2) 每个内存条内共有多少DRAM 芯片?(3) 主存共需多少DRAM 芯片? CPU 如何选择各内存条? 解：(1) 共需条4641664226=⨯⨯M 内存条 (2) 每个内存条内共有32846416=⨯⨯M M 个芯片(3) 主存共需多少1288464648464226=⨯⨯=⨯⨯M M M 个RAM 芯片， 共有4个内存条，故CPU 选择内存条用最高两位地址A 24和A 25通过2：4译码器实现；其余的24根地址线用于内存条内部单元的选择。
3、用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，要求： (1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
(2) 设存储器读/写周期为0.5μS ，CPU 在1μS 内至少要访问一次。
试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少? 解：(1) 用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，需要用16448163264=⨯=⨯⨯K K 个芯片，其中每4片为一组构成16K ×32位——进行字长位数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D 0~D 7、D 8~D 15、D 16~D 23和D 24~D 31，其余同名引脚互连)，需要低14位地址(A 0~A 13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——分成行、列地址两次由A 0~A 6引脚输入；然后再由4组进行存储器容量扩展，用高两位地址A 14、A 15通过2：4译码器实现4组中选择一组。
计算机组成原理第3章习题参考答案
第3章习题参考谜底欧阳歌谷（2021.02.01）1、设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问(1) 该存储器能存储几多字节的信息？(2) 如果存储器由512K×8位SRAM 芯片组成，需要几多片？(3) 需要几多位地址作芯片选择？解：(1) 该存储器能存储：字节4M 832220=⨯ (2) 需要片8823228512322192020=⨯⨯=⨯⨯K (3) 用512K 8位的芯片构成字长为32位的存储器，则需要每4片为一组进行字长的位数扩展，然后再由2组进行存储器容量的扩展。
所以只需一位最高位地址进行芯片选择。
2、已知某64位机主存采取半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M×8位的DRAM 芯片组成该机所允许的最年夜主存空间，并选用内存条结构形式，问；(1) 若每个内存条为16M×64位，共需几个内存条?(2) 每个内存条内共有几多DRAM 芯片?(3) 主存共需几多DRAM 芯片? CPU 如何选择各内存条?解：(1) 共需条4641664226=⨯⨯M 内存条(2) 每个内存条内共有32846416=⨯⨯M M 个芯片 (3) 主存共需几多1288464648464226=⨯⨯=⨯⨯M M M 个RAM 芯片，共有4个内存条，故CPU 选择内存条用最高两位地址A24和A25通过2：4译码器实现；其余的24根地址线用于内存条内部单位的选择。
3、用16K×8位的DRAM 芯片构成64K×32位存储器，要求：(1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
(2) 设存储器读/写周期为0.5μS ，CPU 在1μS 内至少要拜访一次。
试问采取哪种刷新方法比较合理?两次刷新的最年夜时间间隔是几多?对全部存储单位刷新一遍所需的实际刷新时间是几多? 解：(1) 用16K×8位的DRAM 芯片构成64K×32位存储器，需要用16448163264=⨯=⨯⨯K K 个芯片，其中每4片为一组构成16K×32位——进行字长位数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——辨别接D0D7、D8D15、D16D23和D24D31，其余同名引脚互连)，需要低14位地址(A0A13)作为模块内各个芯片的内部单位地址——分红行、列地址两次由A0A6引脚输入；然后再由4组进行存储器容量扩展，用高两位地址A14、A15通过2：4译码器实现4组中选择一组。
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第3章习题参考答案1、设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问(1) 该存储器能存储多少字节的信息？(2) 如果存储器由512K ×8位SRAM 芯片组成，需要多少片？(3) 需要多少位地址作芯片选择？解：(1) 该存储器能存储：字节4M 832220=⨯(2) 需要片8823228512322192020=⨯⨯=⨯⨯K (3) 用512K ⨯8位的芯片构成字长为32位的存储器，则需要每4片为一组进行字长的位数扩展，然后再由2组进行存储器容量的扩展。
所以只需一位最高位地址进行芯片选择。
2、已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M ×8位的DRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用内存条结构形式，问；(1) 若每个内存条为16M ×64位，共需几个内存条?(2) 每个内存条内共有多少DRAM 芯片?(3) 主存共需多少DRAM 芯片? CPU 如何选择各内存条?解：(1) 共需内存条条4641664226=⨯⨯M (2) 每个内存条内共有个芯片32846416=⨯⨯M M (3) 主存共需多少个RAM 芯片， 共有4个内存条，1288464648464226=⨯⨯=⨯⨯M M M 故CPU 选择内存条用最高两位地址A 24和A 25通过2：4译码器实现；其余的24根地址线用于内存条内部单元的选择。
3、用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，要求：(1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
(2) 设存储器读/写周期为0.5μS ，CPU 在1μS 内至少要访问一次。
试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?解：(1) 用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，需要用个芯片，其中每4片为一组构成16K ×32位——进行字长位16448163264=⨯=⨯⨯K K数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D0~D 7、D 8~D 15、D 16~D 23和D 24~D 31，其余同名引脚互连)，需要低14位地址(A 0~A 13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——分成行、列地址两次由A 0~A 6引脚输入；然后再由4组进行存储器容量扩展，用高两位地址A 14、A 15通过2：4译码器实现4组中选择一组。
计算机组成原理第3章习题参考答案
第3章习题参考答案1、设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问 (1) 该存储器能存储多少字节的信息？(2) 如果存储器由512KX8位SRAM 芯片组成，需要多少片？ (3) 需要多少位地址作芯片选择？ 解：(1) 该存储器能存储：220 x —= 4M 字节8(3)用512Kx8位的芯片构成字长为32位的存储器，则需要每4片为一组进行字 长的位数扩展，然后再由2组进行存储器容量的扩展。
所以只需一位最高位地址 进行芯片选择。
2、已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4MX8位 的DRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用存条结构形式，问； (1) 若每个存条为16MX64位，共需几个存条？ (2) 每个存条共有多少DRAM 芯片？(3) 主存共需多少DRAM 芯片？ CPU 如何选择各存条？ 解：226x64(1) 共需4条存条16M x64(2) 每个存条共有16；V/- 64 =32个芯片4Mx8⑶ 主存共需多少=128个RAM 芯片，共有4个存条，故CPU 4M x 8 4M x 8 选择存条用最高两位地址临和他5通过2： 4译码器实现；其余的24根地址线用 于存条部单元的选择。
3、用16KX8位的DRAM 芯片构成64KX32位存储器，要求： (1)画出该存储器的组成逻辑框图。
⑵ 设存储器读/写周期为0.5uS, CPL •在luS 至少要访问一次。
试问采用哪种 刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍 所需的实际刷新时间是多少？ 解：(1)用16KX8位的DRAM 芯片构成64KX32位存储器，需要用64/Cx32 = 4x4 = 16 16K x8 个芯片，其中每4片为一组构成16KX32位一一进行字长位数扩展(一组的4个芯片 只有数据信号线不互连——分别接D 。
〜DM 叭D®〜仏和加〜皿其余同名引脚220 x 32 需要冷22O X 322I9X 8=8片互连)，需要低14位地址(A°〜AQ 作为模块各个芯片的部单元地址一一分成行、列 地址两次由A 。
计算机组成原理第3章习题参考答案
第3章习题参考答案1、设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问 (1) 该存储器能存储多少字节的信息？(2) 如果存储器由512K ×8位SRAM 芯片组成，需要多少片？ (3) 需要多少位地址作芯片选择？ 解：(1) 该存储器能存储：字节4M 832220=⨯(2) 需要片8823228512322192020=⨯⨯=⨯⨯K (3) 用512K ⨯8位的芯片构成字长为32位的存储器，则需要每4片为一组进行字长的位数扩展，然后再由2组进行存储器容量的扩展。
所以只需一位最高位地址进行芯片选择。
2、已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M ×8位的DRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用存条结构形式，问； (1) 若每个存条为16M ×64位，共需几个存条? (2) 每个存条共有多少DRAM 芯片?(3) 主存共需多少DRAM 芯片? CPU 如何选择各存条? 解：(1) 共需条4641664226=⨯⨯M 存条 (2) 每个存条共有32846416=⨯⨯M M 个芯片(3) 主存共需多少1288464648464226=⨯⨯=⨯⨯M M M 个RAM 芯片， 共有4个存条，故CPU选择存条用最高两位地址A 24和A 25通过2：4译码器实现；其余的24根地址线用于存条部单元的选择。
3、用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，要求： (1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
(2) 设存储器读/写周期为0.5μS ，CPU 在1μS 至少要访问一次。
试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少? 解：(1) 用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，需要用16448163264=⨯=⨯⨯K K 个芯片，其中每4片为一组构成16K ×32位——进行字长位数扩展(一组的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D 0~D 7、D 8~D 15、D 16~D 23和D 24~D 31，其余同名引脚互连)，需要低14位地址(A 0~A 13)作为模块各个芯片的部单元地址——分成行、列地址两次由A 0~A 6引脚输入；然后再由4组进行存储器容量扩展，用高两位地址A 14、A 15通过2：4译码器实现4组中选择一组。
《计算机组成原理》第3章习题答案
第3章习题解答1 1．．指令长度和机器字长有什么关系指令长度和机器字长有什么关系??半字长指令、单字长指令、双字长指令分别表示什么意思么意思? ?解：解：指令长度与机器字长没有固定的关系，指令长度与机器字长没有固定的关系，指令长度可以等于机器字长，指令长度可以等于机器字长，指令长度可以等于机器字长，也可以大于或也可以大于或小于机器字长。
通常，把指令长度等于机器字长的指令称为单字长指令；把指令长度等于机器字长的指令称为单字长指令；指令长度等于半个指令长度等于半个机器字长的指令称为半字长指令；指令长度等于两个机器字长的指令称为双字长指令。
机器字长的指令称为半字长指令；指令长度等于两个机器字长的指令称为双字长指令。
2 2．．零地址指令的操作数来自哪里零地址指令的操作数来自哪里??一地址指令中，另一个操作数的地址通常可采用什么寻址方式获得寻址方式获得??各举一例说明。
各举一例说明。
解：解：双操作数的零地址指令的操作数来自堆栈的栈顶和次栈顶。
双操作数的一地址指令的另一个操作数通常可采用隐含寻址方式获得，即将另一操作数预先存放在累加器中。
例如，前述零地址和一地址的加法指令。
前述零地址和一地址的加法指令。
3 3．某机为定长指令字结构，．某机为定长指令字结构，．某机为定长指令字结构，指令长度指令长度16位；每个操作数的地址码长6位，指令分为无操作数、单操作数和双操作数三类。
操作数、单操作数和双操作数三类。
若双操作数指令已有若双操作数指令已有K 种，无操作数指令已有L 种，问单操作数指令最多可能有多少种单操作数指令最多可能有多少种??上述三类指令各自允许的最大指令条数是多少上述三类指令各自允许的最大指令条数是多少? ? 解：解：解：X= (2X= (24一K)×26一[L/26]双操作数指令的最大指令数：双操作数指令的最大指令数：双操作数指令的最大指令数：224一1。
单操作数指令的最大指令数：15×2单操作数指令的最大指令数：15×26一l(l(假设双操作数指令仅假设双操作数指令仅1条，为无操作数指令留出1个扩展窗口个扩展窗口))。
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第三章课后习题参考答案1．有一个具有 20 位地址和 32 位字长的存储器，问：（1）该存储器能存储多少个字节的信息（2）如果存储器由 512K×8位 SRAM芯片组成，需要多少芯片（3）需要多少位地址作芯片选择解：（ 1）∵ 2 20= 1M，∴该存储器能存储的信息为：1M×32/8=4MB （2）（ 1024K/512K）×（ 32/8 ）= 8 （片）（3）需要 1 位地址作为芯片选择。
3．用 16K×8位的 DRAM芯片组成 64K×32 位存储器，要求：(1)画出该存储器的组成逻辑框图。
(2)设 DRAM芯片存储体结构为 128 行，每行为 128×8 个存储元。
如单元刷新间隔不超过 2ms，存储器读 / 写周期为μS, CPU 在 1μS内至少要访问一次。
试问采用哪种刷新方式比较合理两次刷新的最大时间间隔是多少对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少解：（ 1）组成 64K×32 位存储器需存储芯片数为N=（64K/16K）×（ 32 位/8 位） =16（片）每 4 片组成 16K×32 位的存储区，有 A13-A0作为片内地址，用 A15 A14经 2：4 译码器产生片选信号，逻辑框图如下所示：（ 2）根据已知条件， CPU 在期为，如果采用集中刷新，有1us 内至少访存一次，而整个存储器的平均读64us 的死时间，肯定不行；/ 写周所以采用分散式刷新方式：设 16K×8位存储芯片的阵列结构为 128 行× 128 列，按行刷新，刷新周期T=2ms，则分散式刷新的间隔时间为：t=2ms/128=(?s) 取存储周期的整数倍 ?s 的整数倍 )则两次刷新的最大时间间隔发生的示意图如下可见，两次刷新的最大时间间隔为 t MAXt MAX＝× 2－＝ ( μ S)对全部存储单元刷新一遍所需时间为t Rt R＝× 128=64 ( μS)4．有一个 1024K× 32 位的存储器，由128K× 8 位 DRAM芯片构成。
《计算机组成原理》第3章习题答案
第3章习题解答1．指令长度和机器字长有什么关系?半字长指令、单字长指令、双字长指令分别表示什么意思?解：指令长度与机器字长没有固定的关系，指令长度可以等于机器字长，也可以大于或小于机器字长。
通常，把指令长度等于机器字长的指令称为单字长指令；指令长度等于半个机器字长的指令称为半字长指令；指令长度等于两个机器字长的指令称为双字长指令。
2．零地址指令的操作数来自哪里?一地址指令中，另一个操作数的地址通常可采用什么寻址方式获得?各举一例说明。
解：双操作数的零地址指令的操作数来自堆栈的栈顶和次栈顶。
双操作数的一地址指令的另一个操作数通常可采用隐含寻址方式获得，即将另一操作数预先存放在累加器中。
例如，前述零地址和一地址的加法指令。
3．某机为定长指令字结构，指令长度16位；每个操作数的地址码长6位，指令分为无操作数、单操作数和双操作数三类。
若双操作数指令已有K种，无操作数指令已有L种，问单操作数指令最多可能有多少种?上述三类指令各自允许的最大指令条数是多少?解：X= (24一K)×26一[L/26]双操作数指令的最大指令数：24一1。
单操作数指令的最大指令数：15×26一l(假设双操作数指令仅1条，为无操作数指令留出1个扩展窗口)。
无操作数指令的最大指令数：216一212一26。
其中212为表示某条二地址指令占用的编码数，26为表示某条单地址指令占用的编码数。
此时双操作数和单操作数指令各仅有1条。
4．设某机为定长指令字结构，指令长度12位，每个地址码占3位，试提出一种分配方案，使该指令系统包含：4条三地址指令，8条二地址指令，180条单地址指令。
解：4条三地址指令000 XXX YYY ZZZ．．011 XXX YYY ZZZ8条二地址指令100 000 XXX YYY．．100 111 XXX YYY180条单地址指令101 000 000 XXX．．111 110 011 XXX5．指令格式同上题，能否构成：三地址指令4条，单地址指令255条，零地址指令64条?为什么?解：三地址指令4条000 XXX YYY ZZZ．．011 XXX YYY ZZZ单地址指令255条100 000 000 XXX．．111 111 110 YYY只能再扩展出零地址指令8条，所以不能构成这样的指令系统。
计算机组成原理习题答案3
第3章习题参考答案1、设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问 (1) 该存储器能存储多少字节的信息？(2) 如果存储器由512K ×8位SRAM 芯片组成，需要多少片？ (3) 需要多少位地址作芯片选择？ 解：(1) 该存储器能存储：字节4M 832220=⨯(2) 需要片8823228512322192020=⨯⨯=⨯⨯K (3) 用512K ⨯8位的芯片构成字长为32位的存储器，则需要每4片为一组进行字长的位数扩展，然后再由2组进行存储器容量的扩展。
所以只需一位最高位地址进行芯片选择。
2、已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M ×8位的DRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用内存条结构形式，问； (1) 若每个内存条为16M ×64位，共需几个内存条? (2) 每个内存条内共有多少DRAM 芯片?(3) 主存共需多少DRAM 芯片? CPU 如何选择各内存条? 解：(1) 共需条4641664226=⨯⨯M 内存条 (2) 每个内存条内共有32846416=⨯⨯M M 个芯片(3) 主存共需多少1288464648464226=⨯⨯=⨯⨯M M M 个RAM 芯片， 共有4个内存条，故CPU 选择内存条用最高两位地址A 24和A 25通过2：4译码器实现；其余的24根地址线用于内存条内部单元的选择。
3、用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，要求： (1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
(2) 设存储器读/写周期为0.5μS ，CPU 在1μS 内至少要访问一次。
试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少? 解：(1) 用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，需要用16448163264=⨯=⨯⨯K K 个芯片，其中每4片为一组构成16K ×32位——进行字长位数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D 0~D 7、D 8~D 15、D 16~D 23和D 24~D 31，其余同名引脚互连)，需要低14位地址(A 0~A 13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——分成行、列地址两次由A 0~A 6引脚输入；然后再由4组进行存储器容量扩展，用高两位地址A 14、A 15通过2：4译码器实现4组中选择一组。
计算机组成原理3-7章作业答案
计算机组成原理3-7章作业答案(总6页)-本页仅作为预览文档封面，使用时请删除本页-第3章习题参考答案2.已知某64位机主存采用半导体存储器, 其地址码为26位, 若使用4M ×8位的DRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间, 并选用内存条结构形式, 问；(1) 若每个内存条为16M ×64位, 共需几个内存条 (2) 每个内存条内共有多少DRAM 芯片(3) 主存共需多少DRAM 芯片 CPU 如何选择各内存条 解：(1) 共需条4641664226=⨯⨯M 内存条 (2) 每个内存条内共有32846416=⨯⨯M M 个芯片(3) 主存共需多少 个RAM 芯片, 共有4个内存条, 故CPU 选择内存条用最高两位地址A24和A25通过2: 4译码器实现；其余的24根地址线用于内存条内部单元的选择。
3.用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器, 要求: (1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
(2) 设存储器读/写周期为μS, CPU 在1μS 内至少要访问一次。
试问采用哪种刷新方式比较合理两次刷新的最大时间间隔是多少对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少 解：(1) 用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器, 需要用 个芯片, 其中每4片为一组构成16K ×32位——进行字长位数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D0(D7、D8(D15.D16(D23和D24(D31, 其余同名引脚互连), 需要低14位地址(A0(A13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——分成行、列地址两次由A0(A6引脚输入；然后再由4组进行存储器容量扩展, 用高两位地址A14.A15通过2: 4译码器实现4组中选择一组。
画出逻辑框图如下。
(1) (2) (3) (4)(5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) CPUD 0~D 31RAS 0RAS 1RAS 2RAS 3A 0~A 13A 14 A 15A 0~A 6A 0~A 6 A 0~A 6 A 0~A 6 WE WE2-4 译码RASD 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31D 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31D 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31D 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31WEWEWERASRASRAS(2) 设刷新周期为2ms, 并设16K(8位的DRAM 结构是128(128(8存储阵列, 则对所有单元全部刷新一遍需要128次(每次刷新一行, 共128行)若采用集中式刷新, 则每2ms 中的最后128((s=64(s 为集中刷新时间, 不能进行正常读写, 即存在64(s 的死时间若采用分散式刷新, 则每1(s 只能访问一次主存, 而题目要求CPU 在1μS 内至少要访问一次, 也就是说访问主存的时间间隔越短越好, 故此方法也不是最适合的比较适合采用异步式刷新:采用异步刷新方式, 则两次刷新操作的最大时间间隔为 , 可取(s ；对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间为：(s(128=；采用这种方式, 每(s 中有(s 用于刷新, 其余的时间用于访存(大部分时间中1(s 可以访问两次内存)。
计算机组成原理第3章习题参考答案
第3章习题参考答案1、设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问 (1) 该存储器能存储多少字节的信息？(2) 如果存储器由512K ×8位SRAM 芯片组成，需要多少片？ (3) 需要多少位地址作芯片选择？ 解：(1) 该存储器能存储：字节4M 832220=⨯(2) 需要片8823228512322192020=⨯⨯=⨯⨯K (3) 用512K ⨯8位的芯片构成字长为32位的存储器，则需要每4片为一组进行字长的位数扩展，然后再由2组进行存储器容量的扩展。
所以只需一位最高位地址进行芯片选择。
2、已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M ×8位的DRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用内存条结构形式，问； (1) 若每个内存条为16M ×64位，共需几个内存条? (2) 每个内存条内共有多少DRAM 芯片?(3) 主存共需多少DRAM 芯片? CPU 如何选择各内存条? 解：(1) 共需条4641664226=⨯⨯M 内存条 (2) 每个内存条内共有32846416=⨯⨯M M 个芯片(3) 主存共需多少1288464648464226=⨯⨯=⨯⨯M M M 个RAM 芯片， 共有4个内存条，故CPU 选择内存条用最高两位地址A 24和A 25通过2：4译码器实现；其余的24根地址线用于内存条内部单元的选择。
3、用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，要求： (1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
(2) 设存储器读/写周期为0.5μS ，CPU 在1μS 内至少要访问一次。
试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少? 解：(1) 用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，需要用16448163264=⨯=⨯⨯K K 个芯片，其中每4片为一组构成16K ×32位——进行字长位数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D 0~D 7、D 8~D 15、D 16~D 23和D 24~D 31，其余同名引脚互连)，需要低14位地址(A 0~A 13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——分成行、列地址两次由A 0~A 6引脚输入；然后再由4组进行存储器容量扩展，用高两位地址A 14、A 15通过2：4译码器实现4组中选择一组。
计算机组成原理习题参考答案
第3章习题参考答案1、设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问 (1) 该存储器能存储多少字节的信息？(2) 如果存储器由512K ×8位SRAM 芯片组成，需要多少片？ (3) 需要多少位地址作芯片选择？ 解：(1) 该存储器能存储：字节4M 832220=⨯(2) 需要片8823228512322192020=⨯⨯=⨯⨯K (3) 用512K ⨯8位的芯片构成字长为32位的存储器，则需要每4片为一组进行字长的位数扩展，然后再由2组进行存储器容量的扩展。
所以只需一位最高位地址进行芯片选择。
2、已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M ×8位的DRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用内存条结构形式，问； (1) 若每个内存条为16M ×64位，共需几个内存条? (2) 每个内存条内共有多少DRAM 芯片?(3) 主存共需多少DRAM 芯片? CPU 如何选择各内存条? 解：(1) 共需条4641664226=⨯⨯M 内存条 (2) 每个内存条内共有32846416=⨯⨯M M 个芯片(3) 主存共需多少1288464648464226=⨯⨯=⨯⨯M M M 个RAM 芯片， 共有4个内存条，故CPU 选择内存条用最高两位地址A 24和A 25通过2：4译码器实现；其余的24根地址线用于内存条内部单元的选择。
3、用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，要求： (1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
(2) 设存储器读/写周期为0.5μS ，CPU 在1μS 内至少要访问一次。
试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少? 解：(1) 用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，需要用16448163264=⨯=⨯⨯K K 个芯片，其中每4片为一组构成16K ×32位——进行字长位数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D 0~D 7、D 8~D 15、D 16~D 23和D 24~D 31，其余同名引脚互连)，需要低14位地址(A 0~A 13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——分成行、列地址两次由A 0~A 6引脚输入；然后再由4组进行存储器容量扩展，用高两位地址A 14、A 15通过2：4译码器实现4组中选择一组。
计算机组成原理第3章习题参考答案
第3章习题参考答案 【2 】1.设有一个具有20位地址和32位字长的存储器,问 (1) 该存储器能存储若干字节的信息？(2) 假如存储器由512K×8位SRAM 芯片构成,须要若干片？ (3) 须要若干位地址作芯片选择？ 解：(1) 该存储器能存储：字节4M 832220=⨯(2) 须要片8823228512322192020=⨯⨯=⨯⨯K (3) 用512K 8位的芯片构成字长为32位的存储器,则须要每4片为一组进行字长的位数扩大,然后再由2组进行存储器容量的扩大.所以只需一位最高位地址进行芯片选择. 2.已知某64位机主存采用半导体存储器,其地址码为26位,若应用4M×8位的DRAM 芯片构成该机所许可的最大主存空间,并选用内存条构造情势,问; (1) 若每个内存条为16M×64位,共需几个内存条? (2) 每个内存条内共有若干DRAM 芯片?(3) 主存共需若干DRAM 芯片? CPU 若何选择各内存条? 解：(1) 共需条4641664226=⨯⨯M 内存条 (2) 每个内存条内共有32846416=⨯⨯M M 个芯片(3) 主存共需若干1288464648464226=⨯⨯=⨯⨯M M M 个RAM 芯片,共有4个内存条,故CPU 选择内存条用最高两位地址A24和A25经由过程2：4译码器实现;其余的24根地址线用于内存条内部单元的选择.3.用16K×8位的DRAM 芯片构成64K×32位存储器,请求：(1) 画出该存储器的构成逻辑框图.(2) 设存储器读/写周期为0.5μS,CPU 在1μS 内至少要拜访一次.试问采用哪种刷新方法比较合理?两次刷新的最大时光距离是若干?对全体存储单元刷新一遍所需的现实刷新时光是若干? 解：(1) 用16K×8位的DRAM 芯片构成64K×32位存储器,须要用16448163264=⨯=⨯⨯K K 个芯片,个中每4片为一组构成16K×32位——进行字长位数扩大(一组内的4个芯片只稀有据旌旗灯号线不互连——分离接D0D7.D8D15.D16D23和D24D31,其余同名引脚互连),须要低14位地址(A0A13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——分成行.列地址两次由A0A6引脚输入;然后再由4组进行存储器容量扩大,用高两位地址A14.A15经由过程2：4译码器实现4组中选择一组.画出逻辑框图如下.(1) (2) (3) (4)(5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) CPUD 0~D 31RAS 0RAS 1RAS 2RAS 3A 0~A 13A 14 A 15A 0~A 6A 0~A 6 A 0~A 6 A 0~A 6 WE WE2-4译码RASD 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31D 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31D 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31D 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31WEWEWERASRASRAS(2) 设刷新周期为2ms,并设16K 8位的DRAM 构造是1281288存储阵列,则对所有单元全体刷新一遍须要128次(每次刷新一行,共128行)若采用分散式刷新,则每2ms 中的最后1280.5s=64s 为分散刷新时光,不能进行正常读写,即消失64s 的逝世时光若采用疏散式刷新,则每1s 只能拜访一次主存,而标题请求CPU 在1μS 内至少要拜访一次,也就是说拜访主存的时光距离越短越好,故此办法也不是最合适的比较合适采用异步式刷新：采用异步刷新方法,则两次刷新操作的最大时光距离为s msμ625.151282=,可取15.5s;对全体存储单元刷新一遍所需的现实刷新时光为：15.5s 128=1.984ms;采用这种方法,每15.5s 中有0.5s 用于刷新,其余的时光用于访存(大部分时光中1s 可以拜访两次内存).4.有一个1024K×32位的存储器,由128K×8位的DRAM 芯片构成.问： (1) 总共须要若干DRAM 芯片? (2) 设计此存储体构成框图.(3) 采用异步刷新方法,如单元刷新距离不超过8ms,则刷新旌旗灯号周期是若干? 解： (1) 须要32488128321024=⨯=⨯⨯K K 片,每4片为一组,共需8组(2) 设计此存储体构成框图如下所示.(1) (2) (3) (4)(5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) CPUD 0~D 31RAS 0 A 0~A 16A 17 A 18 A 0~A 8WE WE3-8 译码RASD 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31D 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31D 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31D 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31WEWEWE(17)(18) (19) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) CPUA 0~A 16WED 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31D 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31D 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31D 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31A 19RAS 0RAS 1RAS 2RAS 3RAS 4RAS 5RAS 6RAS 7RAS 1 RAS 2 RAS 3 RAS 4 RAS 5 RAS 6 RAS 7WE(3) 设该128K 8位的DRAM 芯片的存储阵列为5122568构造,则假如选择一个行地址进行刷新,刷新地址为A0A8,那么该行上的2048个存储元同时进行刷新,请求单元刷新距离不超过8ms,即要在8ms 内进行512次刷新操作.采用异步刷新方法时须要每隔s msμ625.155128=进行一次,可取刷新旌旗灯号周期为15.5s. 5.请求用256K×l6位SRAM 芯片设计1024K×32位的存储器.SRAM 芯片有两个掌握端：当CS 有用时,该片选中.当W/R ＝1时履行读操作,当W/R=0时履行写操作. 解：片82416256321024=⨯=⨯⨯K K ,共需8片,分为4组,每组2片即所设计的存储器单元数为1M,字长为32,故地址长度为20位（A19~A0）,所用芯片存储单元数为256K,字长为16位,故占用的地址长度为18位（A17~A0）.由此可用字长位数扩大与字单元数扩大相联合的办法构成构成全部存储器字长位数扩大：同一组中2个芯片的数据线,一个与数据总线的D15~D0相连,一个与D31~D16相连;其余旌旗灯号线公用(地址线.片选旌旗灯号.读写旌旗灯号同名引脚互连)字单元数扩大：4组RAM芯片,应用一片2:4译码器,各组除片选旌旗灯号外,其余旌旗灯号线公用.其存储器构造如图所示6.用32K×8位的E2PROM芯片构成128K×16位的只读存储器,试问：(1) 数据存放器若干位?(2) 地址存放器若干位?(3) 共需若干个E2PROM芯片?(4) 画出此存储器构成框图.解：(1) 体系16位数据,所以数据存放器16位(2) 体系地址128K＝217,所以地址存放器17位(3)共需片82483216128=⨯=⨯⨯K K ,分为4组,每组2片(4) 构成框图如下32K ⨯8 CPUA 0~A 14D 0~7A 15 W/R2-4 译码A 1632K ⨯832K ⨯832K ⨯832K ⨯8 32K ⨯8 32K ⨯8 32K ⨯8D 0~7CSY 0CSCSCSY 1Y 2Y 3A 0~A 14D 0~D 7D 8~15 数据 寄存器 地址 寄存器D 8~15W/RW/R 7．某机械中,已知配有一个地址空间为0000H 3FFFH 的ROM 区域.如今再用一个RAM 芯片(8K×8)形成40K×l6位的RAM 区域,肇端地为6000H.假设RAM 芯片有CS 和WE 旌旗灯号掌握端.CPU 的地址总线为A15A0,数据总线为D15D0,掌握旌旗灯号为W R /(读/写),MREQ (访存),请求： (1) 画出地址译码计划. (2) 将ROM 与RAM 同CPU 衔接. 解：(1) 因为RAM 芯片的容量是8K×8,要构成40K×16的RAM 区域,共须要片1025881640=⨯=⨯⨯K K ,分为5组,每组2片;8K=213,故低位地址为13位：A12~A0每组的2片位并联,进行字长的位扩大有5组RAM 芯片,故用于组间选择的译码器应用3:8译码器,用高3位地址A15~A13作译码器的选择输入旌旗灯号地址分派情形：0000H3FFFH6000H7FFFH8000H9FFFHA000H BFFFHC000H DFFFHE000H FFFFH注：RAM1RAM5各由2片8K8芯片构成,进行字长位扩大各芯片组内部的单元地址是A12~A0由全0到全1(2) ROM.RAM与CPU的衔接如图：8K ⨯8 CPU A 0~A 12D 8~15 A 15 R/ W 3-8 译码A 14 8K ⨯8 8K ⨯8 8K ⨯8 8K ⨯8 8K ⨯8 8K ⨯8 8K ⨯8 CS Y 0CS CS CS Y 2Y 4Y 6A 0~A 12D 0~D 7D 0~7D 0~7WEA 0~A 12WE A 13MREQ E 8K ⨯8 8K ⨯8 D 8~15CSCSCSCSCSCSROM 16K ⨯8OEY 1 Y 3Y 5Y 78.设存储器容量为64M,字长为64位,模块数m=8,分离用次序和交叉方法进行组织.存储周期T ＝100ns,数据总线宽度为64位,总线传送周期,=50ns.求：次序存储器和交叉存储器的带宽各是若干? 解：次序存储器和交叉存储器持续读出m = 8个字的信息总量都是：q = 64位×8 = 512位次序存储器和交叉存储器持续读出8个字所需的时光分离是：t1 = mT = 8×100ns = 8×10-7s t2 = T+(m-1)τ = 100ns+7×50ns = 450 ns = 4.5×10-7 s次序存储器和交叉存储器的带宽分离是： W1=q/t1=512/(8×10-7)=64×107[位/s] W2=q/t2=512/(4.5×10-7)=113.8×107 [位/s]9.CPU 履行一段程序时,cache 完成存取的次数为2420次,主存完成存取的次数为80次,已知cache 存储周期为40ns,主存存储周期为240ns,求cache ／主存体系的效力和平均拜访时光. 解：cache 的射中率：%8.968024202420=+=+=m c c N N N h主存慢于Cache 的倍率：640240===c m t t r Cache/主存体系的效力：%2.86968.0561)1(1=⨯-=-+=h r r e平均拜访时光：ns e t t c a 4.46862.040===10.已知cache 存储周期40ns,主存存储周期200ns,cache/主存体系平均拜访时光为50ns,求cache 的射中率是若干?解：已知cache ／主存体系平均拜访时光ta=50ns 因为m c a t h t h t )1(-+*= 所以有%75.934020050200=--=--=c m a m t t t t h 11.某盘算机采用四体交叉存储器,今履行一段小轮回程序,此程序放在存储器的持续地址单元中,假设每条指令的履行时光相等,并且不须要到存储器存取数据,请问鄙人面两种情形中（履行的指令数相等）,程序运行的时光是否相等. (1) 轮回程序由6条指令构成,反复履行80次. (2) 轮回程序由8条指令构成,反复履行60次.解：设取指周期为T,总线传送周期为τ,每条指令的履行时光相等,并设为t0,存储器采用四体交叉存储器,且程序存放在持续的存储单元中,故取指令操作采用流水线存取方法,两种情形程序运行的总的时光分离为： (1)t = (T+5τ+6t0)*80 = 80T+400τ+480 t0 (2) t = (T+7τ+8t0)*60 = 60T+420τ+480 t0 所以不相等12.一个由主存和Cache 构成的二级存储体系,参数界说如下：Ta 为体系平均存取时光,T1为Cache 的存取时光,T2为主存的存取时光,H 为Cache 射中率,请写出Ta 与T1.T2.H 参数之间的函数关系式. 解：21)1(T H T H T a *-+*=13.一个组相联cache 由64个行构成,每组4行.主存储器包含4K 个块,每块128个字.请表示内存地址的格局. 解：主存4K 个块,每块128个字,共有4K 128=219个字,故主存的地址共19位; 共4K 个块,故块地址为12位;每块128个字,故块内的字地址为7位 Cache 有64行,每组4行,共16组,故组号4位,组内页号2位 组相联方法是组间直接映射,组内全相联映射方法;所以主存的块地址被分为两部分：低4位为在cache 中的组号,高8位为标记字段,即19位内存地址的格局如下：tag 组号 字地址 14.有一个处理机,内存容量1MB,字长1B,块大小16B,cache 容量64KB,若cache 采用直接映射式,请给出2个不同标记的内存地址,它们映射到同一个cache 行. 解： Cache 共有个行1221664=BKB,行号为12位 采用直接映射方法,所以cache 的行号i 与主存的块号j 之间的关系为：第11页，－共11页 m j i mod =,m 为cache 的总行数20位的内存地址格局如下：tag行号 字地址 4位 12位 4位两个映射到同一个cache 行的内存地址知足的前提是：12位的行号雷同,而4位的标记不同即可,例如下面的两个内存地址就知足请求：0000 000000000000 0000=00000H 与0001 000000000000 0000=10000H15.假设主存容量16M 32位,cache 容量64K 32位,主存与cache 之间以每块432位大小传送数据,请肯定直接映射方法的有关参数,并画出主存地址格局.解：由已知前提可知Cache 共有个行位位1423243264=⨯⨯K ,行号为14位 主存共有个块位位2223243216=⨯⨯M ,块地址为22位,由行号和标记构成cache 的行号i 与主存的块号j 之间的关系为：m j i mod =,m 为cache 的总行数设32位为一个字,且按字进行编址,则24位的内存地址格局如下：tag 行号 字地址补充：从下列有关存储器的描写中,选择出准确的答案：A ．多体交叉存储重要解决扩充容量问题.B ．拜访存储器的请求是由CPU 发出的.C ．cache 与主存同一编址,即主存空间的某一部分属于cache.D ．cache 的功效全由硬件实现.答： D。
《计算机组成原理》第3章习题答案
第3章习题解答1．指令长度和机器字长有什么关系?半字长指令、单字长指令、双字长指令分别表示什么意思?解：指令长度与机器字长没有固定的关系，指令长度可以等于机器字长，也可以大于或小于机器字长。
通常，把指令长度等于机器字长的指令称为单字长指令；指令长度等于半个机器字长的指令称为半字长指令；指令长度等于两个机器字长的指令称为双字长指令。
2．零地址指令的操作数来自哪里?一地址指令中，另一个操作数的地址通常可采用什么寻址方式获得?各举一例说明。
解：双操作数的零地址指令的操作数来自堆栈的栈顶和次栈顶。
双操作数的一地址指令的另一个操作数通常可采用隐含寻址方式获得，即将另一操作数预先存放在累加器中。
例如，前述零地址和一地址的加法指令。
3．某机为定长指令字结构，指令长度16位；每个操作数的地址码长6位，指令分为无操作数、单操作数和双操作数三类。
若双操作数指令已有K种，无操作数指令已有L种，问单操作数指令最多可能有多少种?上述三类指令各自允许的最大指令条数是多少?解：X= (24一K)×26一[L/26]双操作数指令的最大指令数：24一1。
单操作数指令的最大指令数：15×26一l(假设双操作数指令仅1条，为无操作数指令留出1个扩展窗口)。
无操作数指令的最大指令数：216一212一26。
其中212为表示某条二地址指令占用的编码数，26为表示某条单地址指令占用的编码数。
此时双操作数和单操作数指令各仅有1条。
4．设某机为定长指令字结构，指令长度12位，每个地址码占3位，试提出一种分配方案，使该指令系统包含：4条三地址指令，8条二地址指令，180条单地址指令。
解：4条三地址指令000 XXX YYY ZZZ．．011 XXX YYY ZZZ8条二地址指令100 000 XXX YYY．．100 111 XXX YYY180条单地址指令101 000 000 XXX．．111 110 011 XXX5．指令格式同上题，能否构成：三地址指令4条，单地址指令255条，零地址指令64条?为什么?解：三地址指令4条000 XXX YYY ZZZ．．011 XXX YYY ZZZ单地址指令255条100 000 000 XXX．．111 111 110 YYY只能再扩展出零地址指令8条，所以不能构成这样的指令系统。
计算机组成原理第3章习题参考答案解析
第3章习题参考答案1、设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问 (1) 该存储器能存储多少字节的信息？(2) 如果存储器由512K ×8位SRAM 芯片组成，需要多少片？ (3) 需要多少位地址作芯片选择？ 解：(1) 该存储器能存储：字节4M 832220=⨯(2) 需要片8823228512322192020=⨯⨯=⨯⨯K (3) 用512K ⨯8位的芯片构成字长为32位的存储器，则需要每4片为一组进行字长的位数扩展，然后再由2组进行存储器容量的扩展。
所以只需一位最高位地址进行芯片选择。
2、已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M ×8位的DRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用内存条结构形式，问； (1) 若每个内存条为16M ×64位，共需几个内存条? (2) 每个内存条内共有多少DRAM 芯片?(3) 主存共需多少DRAM 芯片? CPU 如何选择各内存条? 解：(1) 共需条4641664226=⨯⨯M 内存条 (2) 每个内存条内共有32846416=⨯⨯M M 个芯片(3) 主存共需多少1288464648464226=⨯⨯=⨯⨯M M M 个RAM 芯片， 共有4个内存条，故CPU 选择内存条用最高两位地址A 24和A 25通过2：4译码器实现；其余的24根地址线用于内存条内部单元的选择。
3、用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，要求： (1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
(2) 设存储器读/写周期为0.5μS ，CPU 在1μS 内至少要访问一次。
试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少? 解：(1) 用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，需要用16448163264=⨯=⨯⨯K K 个芯片，其中每4片为一组构成16K ×32位——进行字长位数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D 0~D 7、D 8~D 15、D 16~D 23和D 24~D 31，其余同名引脚互连)，需要低14位地址(A 0~A 13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——分成行、列地址两次由A 0~A 6引脚输入；然后再由4组进行存储器容量扩展，用高两位地址A 14、A 15通过2：4译码器实现4组中选择一组。
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第3章习题参考答案1、设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问 (1) 该存储器能存储多少字节的信息？(2) 如果存储器由512K ×8位SRAM 芯片组成，需要多少片？ (3) 需要多少位地址作芯片选择？ 解：(1) 该存储器能存储：字节4M 832220=⨯(2) 需要片8823228512322192020=⨯⨯=⨯⨯K (3) 用512K ⨯8位的芯片构成字长为32位的存储器，则需要每4片为一组进行字长的位数扩展，然后再由2组进行存储器容量的扩展。
所以只需一位最高位地址进行芯片选择。
2、已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M ×8位的DRAM 芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用内存条结构形式，问； (1) 若每个内存条为16M ×64位，共需几个内存条? (2) 每个内存条内共有多少DRAM 芯片?(3) 主存共需多少DRAM 芯片? CPU 如何选择各内存条? 解：(1) 共需条4641664226=⨯⨯M 内存条 (2) 每个内存条内共有32846416=⨯⨯M M 个芯片(3) 主存共需多少1288464648464226=⨯⨯=⨯⨯M M M 个RAM 芯片， 共有4个内存条，故CPU 选择内存条用最高两位地址A 24和A 25通过2：4译码器实现；其余的24根地址线用于内存条内部单元的选择。
3、用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，要求： (1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
(2) 设存储器读/写周期为0.5μS ，CPU 在1μS 内至少要访问一次。
试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少? 解：(1) 用16K ×8位的DRAM 芯片构成64K ×32位存储器，需要用16448163264=⨯=⨯⨯K K 个芯片，其中每4片为一组构成16K ×32位——进行字长位数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D 0~D 7、D 8~D 15、D 16~D 23和D 24~D 31，其余同名引脚互连)，需要低14位地址(A 0~A 13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——分成行、列地址两次由A 0~A 6引脚输入；然后再由4组进行存储器容量扩展，用高两位地址A 14、A 15通过2：4译码器实现4组中选择一组。
画出逻辑框图如下。
(1) (2) (3) (4)(5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) CPUD 0~D 31RAS 0RAS 1RAS 2RAS 3A 0~A 13A 14 A 15A 0~A 6A 0~A 6 A 0~A 6 A 0~A 6 WE WE2-4 译码RASD 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31D 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31D 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31D 0~7 D 8~15 D 16~23 D 24~31WEWEWERASRASRAS(2) 设刷新周期为2ms ，并设16K ⨯8位的DRAM 结构是128⨯128⨯8存储阵列，则对所有单元全部刷新一遍需要128次(每次刷新一行，共128行)若采用集中式刷新，则每2ms 中的最后128⨯0.5μs=64μs 为集中刷新时间，不能进行正常读写，即存在64μs 的死时间若采用分散式刷新，则每1μs 只能访问一次主存，而题目要求CPU 在1μS 内至少要访问一次，也就是说访问主存的时间间隔越短越好，故此方法也不是最适合的比较适合采用异步式刷新：采用异步刷新方式，则两次刷新操作的最大时间间隔为s msμ625.151282=，可取15.5μs ；对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间为：15.5μs ⨯128=1.984ms ；采用这种方式，每15.5μs 中有0.5μs 用于刷新，其余的时间用于访存(大部分时间中1μs 可以访问两次内存)。
4、有一个1024K ×32位的存储器，由128K ×8位的DRAM 芯片构成。
问： (1) 总共需要多少DRAM 芯片? (2) 设计此存储体组成框图。
(3) 采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过8ms ，则刷新信号周期是多少? 解：(1) 需要32488128321024=⨯=⨯⨯K K 片，每4片为一组，共需8组(2) 设计此存储体组成框图如下所示。
(3) 设该128K ⨯8位的DRAM 芯片的存储阵列为512⨯256⨯8结构，则如果选择一个行地址进行刷新，刷新地址为A 0~A 8，那么该行上的2048个存储元同时进行刷新，要求单元刷新间隔不超过8ms ，即要在8ms 内进行512次刷新操作。
采用异步刷新方式时需要每隔s msμ625.155128=进行一次，可取刷新信号周期为15.5μs 。
5、要求用256K×l6位SRAM 芯片设计1024K×32位的存储器。
SRAM 芯片有两个控制端：当CS 有效时，该片选中。
当W/R ＝1时执行读操作，当W/R=0时执行写操作。
解：片82416256321024=⨯=⨯⨯K K ，共需8片，分为4组，每组2片即所设计的存储器单元数为1M ，字长为32，故地址长度为20位（A 19~A 0），所用芯片存储单元数为256K ，字长为16位，故占用的地址长度为18位（A 17~A 0）。
由此可用字长位数扩展与字单元数扩展相结合的方法组成组成整个存储器字长位数扩展：同一组中2个芯片的数据线，一个与数据总线的D 15~D 0相连，一个与D 31~D 16相连；其余信号线公用(地址线、片选信号、读写信号同名引脚互连)字单元数扩展：4组RAM 芯片，使用一片2:4译码器，各组除片选信号外，其余信号线公用。
其存储器结构如图所示6、用32K ×8位的E 2PROM 芯片组成128K ×16位的只读存储器，试问： (1) 数据寄存器多少位? (2) 地址寄存器多少位?(3) 共需多少个E 2PROM 芯片? (4) 画出此存储器组成框图。
解：(1) 系统16位数据，所以数据寄存器16位(2) 系统地址128K ＝217，所以地址寄存器17位(3)共需片82483216128=⨯=⨯⨯K K ，分为4组，每组2片 (4) 组成框图如下~A 147．某机器中，已知配有一个地址空间为0000H ~3FFFH 的ROM 区域。
现在再用一个RAM 芯片(8K ×8)形成40K ×l6位的RAM 区域，起始地为6000H 。
假设RAM 芯片有CS 和WE 信号控制端。
CPU 的地址总线为A 15~A 0，数据总线为D 15~D 0，控制信号为W R / (读/写)，MREQ (访存)，要求：(1) 画出地址译码方案。
(2) 将ROM 与RAM 同CPU 连接。
解：(1) 由于RAM 芯片的容量是8K ×8，要构成40K ×16的RAM 区域，共需要 片1025881640=⨯=⨯⨯K K ，分为5组，每组2片；8K=213，故低位地址为13位：A 12~A 0 每组的2片位并联，进行字长的位扩展有5组RAM 芯片，故用于组间选择的译码器使用3:8译码器，用高3位地址A 15~A 13作译码器的选择输入信号第3章习题参考答案(2) ROM、RAM与CPU的连接如图：8、设存储器容量为64M，字长为64位，模块数m=8，分别用顺序和交叉方式进行组织。
存储周期T＝100ns，数据总线宽度为64位，总线传送周期，τ=50ns。
求：顺序存储器和交叉存储器的带宽各是多少?解：顺序存储器和交叉存储器连续读出m = 8个字的信息总量都是：q = 64位×8 = 512位顺序存储器和交叉存储器连续读出8个字所需的时间分别是：t 1 = mT = 8×100ns = 8×10-7st 2 = T+(m-1)τ = 100ns+7×50ns = 450 ns = 4.5×10-7 s顺序存储器和交叉存储器的带宽分别是： W 1=q/t 1=512/(8×10-7)=64×107[位/s]W 2=q/t 2=512/(4.5×10-7)=113.8×107 [位/s]9、CPU 执行一段程序时，cache 完成存取的次数为2420次，主存完成存取的次数为80次，已知cache 存储周期为40ns ，主存存储周期为240ns ，求cache ／主存系统的效率和平均访问时间。
解：cache 的命中率：%8.968024202420=+=+=m c c N N N h主存慢于Cache 的倍率：640240===c m t t r Cache/主存系统的效率：%2.86968.0561)1(1=⨯-=-+=h r r e平均访问时间：ns e t t c a 4.46862.040===10、已知cache 存储周期40ns ，主存存储周期200ns ，cache/主存系统平均访问时间为50ns ，求cache 的命中率是多少?解：已知cache ／主存系统平均访问时间t a =50ns 由于m c a t h t h t )1(-+*= 所以有%75.934020050200=--=--=c m a m t t t t h11、某计算机采用四体交叉存储器，今执行一段小循环程序，此程序放在存储器的连续地址单元中，假设每条指令的执行时间相等，而且不需要到存储器存取数据，请问在下面两种情况中（执行的指令数相等），程序运行的时间是否相等。
(1) 循环程序由6条指令组成，重复执行80次。
(2) 循环程序由8条指令组成，重复执行60次。
解：设取指周期为T ，总线传送周期为τ，每条指令的执行时间相等，并设为t 0，存储器采用四体交叉存储器，且程序存放在连续的存储单元中，故取指令操作采用流水线存取方式，两种情况程序运行的总的时间分别为： (1) t = (T+5τ+6t 0)*80 = 80T+400τ+480 t 0 (2) t = (T+7τ+8t 0)*60 = 60T+420τ+480 t 0 所以不相等12、一个由主存和Cache 组成的二级存储系统，参数定义如下：T a 为系统平均存取时间，T 1为Cache 的存取时间，T 2为主存的存取时间，H 为Cache 命中率，请写出T a 与T 1、T 2、H 参数之间的函数关系式。