场效应晶体管结构工作原理和输出特性
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动虽然被加强，但由于数量极小，反向电流 IR一般情况下可忽略不
计，此时称PN结处于截止状态。
13
场效应晶体管简介
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效 应管。主要有两种类型: 1.（Junction FET—JFET)结型场效应管； 2.金属-氧化物-半导体场效应管（Metal-Oxide Semiconductor FET，简称MOSFET）绝缘栅型场效应管或者MOS场效应管 结型场效应管和MOS场效应管都有N沟道和P沟道之分，MOS场效应 管还有增强型和耗尽型之分，结型场效应管只有耗尽型，所以场 效应管共有六种类型的管子。场效应管由多数载流子参与导电， 也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入 电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集 成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极 型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
目录：
1. 半导体材料简介 2. 场效应管简介 3. 场效应管分类 4. N沟道增强型MOS场效应管工作原理 5. N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理 6. 各种场效应的特性曲线 7. 场效应管与双极型晶体管比较 8. 场效应管的各项参数 9. 场效应管的命名规范
半导体材料简介
本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 本征半导体的原子结构及共价键
区的宽度基本稳定下来，PN结就处于相对稳定的状态。
PN结的形成演示
空空间间电电荷荷区区
－－－ －－
+
+
+
++
P区 － － － － －
－－－ －－
+ +
+ +
+N区+ +
+ ++
－－－ －－
+
+
+
++
根据扩散原理，空穴要从浓度高的P区向N区扩散，自由电子要从浓度 高的N区向P区扩散，并在交界面发生复合(耗尽），形成载流子极少的正
本征激发产生电子空穴对
3
杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显著改变。
根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型） 半导体和空穴型（P型）半导体。
4
N 型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价元素，如磷 （P）、砷（As）等，则构成N 型半导体。
五价的元素具有五个价电子，它们进入由硅（或锗）组成 的半导体晶体中，五价的原子取代四价的硅（或锗）原子，在 与相邻的硅（或锗）原子组成共价键时，因为多一个价电子不 受共价键的束缚，很容易成为自由电子，于是半导体中自由电 子的数目大量增加。自由电子参与导电移动后，在原来的位置 留下一个不能移动的正离子，半导体仍然呈现电中性，但与此 同时没有相应的空穴产生，如图所示。
P型半导体中，空穴为多数
载流子（多子），自由电 子为少数载流子（少子）。
P型半导体主要靠空穴导电。
P型半导体共价键结构
7
PN结的形成 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动，如图所示。
由于空穴和自由电子均是带电的粒子，所以扩散的结果使P区和N区原
来的电中性被破坏，在交界面的两侧形成一个不能移动的带异性电荷的离
子层，称此离子层为空间电荷区，这就是所谓的PN结，如图所示。在空
间电荷区，多数载流子已经扩散到对方并复合掉了，或者说消耗尽了，因
此又称空间电荷区为耗尽层。
8
空间电荷区出现后，因为正负电荷的作用，将产生一个从N区指 向P区的内电场。内电场的方向，会对多数载流子的扩散运动起阻碍 作用。同时，内电场则可推动少数载流子（P区的自由电子和N区的
PN结P端接高电位，N端接低电位，称PN结外加正向电压，又称PN
结正向偏置，简称为正偏，如图1.8所示。 PN结外加正向电压（也叫正向偏置）时，如左下图所示： 正向偏置时外加电场与内电场方向相反，内电场被削弱，多子的扩 散运动大大超过少子的漂移运动，N区的电子不断扩散到P区，P区 的空穴也不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于 导通状态。
5
N型半导体的共价键结构
N型半导体中，自由电子为多数载流子（多子），空穴为少数载流子 （少子）。N型半导体主要靠自由电子导电。
6
P型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的三价元素，如硼（B）、 铟（In）等，则构成P型半导体。
三价的元素只有三个价电子，在与相邻的硅（或锗）原子组成共价键时， 由于缺少一个价电子，在晶体中便产生一个空位，邻近的束缚电子如果获 取足够的能量，有可能填补这个空位，使原子成为一个不能移动的负离子， 半导体仍然呈现电中性，但与此同时没有相应的自由电子产生，如图所示。
负空间电荷区（如上图所示），也就是PN结，又叫耗尽层。
10
扩散与漂移达到动态平衡 形成一定宽度的PN结
多子 扩散
阻止
形成空间电荷区 产生内电场
促使 少子
漂移
P区
N区
＋ ＋＋
＋ ＋＋
＋ ＋＋
载流子的扩散运动
P 区 空间电荷区
N区
＋＋ ＋
＋＋ ＋
＋＋ ＋ຫໍສະໝຸດ Baidu
内电场方向 PN 结及其内电场
11
（1）PN结外加正向电压
12
（2）PN结外加反向电压
PN结P端接低电位，N端接高电位，称PN结外加反向电压，又称PN
结反向偏置，简称为反偏，如图所示。
P端引出极接电源负极，N端引出极电源正极的接法称为反向偏置； 反向偏置时内、外电场方向相同，因此内电场增强，致使多子的扩 散难以进行，即PN结对反向电压呈高阻特性；反偏时少子的漂移运
共价键内的两个电子由相邻的原子各用一个价电子 组成，称为束缚电子。图所示为硅和锗的原子结构和共 价键结构。
硅和锗的原子结构和共价键结构 2
两种载流子——自由电子和空穴
温度越高，半导体材料中产生的自由电子便越多。束缚电 子脱离共价键成为自由电子后，在原来的位置留有一个空 位，称此空位为空穴。本征半导体中，自由电子和空穴成 对出现，数目相同。图所示为本征激发所产生的电子空穴 对。
空穴）越过空间电荷区，进入对方。少数载流子在内电场作用下有 规则的运动称为漂移运动。漂移运动和扩散运动的方向相反。无外
加电场时，通过PN结的扩散电流等于漂移电流，PN结中无电流流过， PN结的宽度保持一定而处于稳定状态。
9
PN结中的扩散和漂移是相互联系，又是相互矛盾的。在一定条 件（例如温度一定）下，多数载流子的扩散运动逐渐减弱，而少数 载流子的漂移运动则逐渐增强，最后两者达到动态平衡，空间电荷
计，此时称PN结处于截止状态。
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场效应晶体管简介
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效 应管。主要有两种类型: 1.（Junction FET—JFET)结型场效应管； 2.金属-氧化物-半导体场效应管（Metal-Oxide Semiconductor FET，简称MOSFET）绝缘栅型场效应管或者MOS场效应管 结型场效应管和MOS场效应管都有N沟道和P沟道之分，MOS场效应 管还有增强型和耗尽型之分，结型场效应管只有耗尽型，所以场 效应管共有六种类型的管子。场效应管由多数载流子参与导电， 也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入 电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集 成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极 型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
目录：
1. 半导体材料简介 2. 场效应管简介 3. 场效应管分类 4. N沟道增强型MOS场效应管工作原理 5. N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理 6. 各种场效应的特性曲线 7. 场效应管与双极型晶体管比较 8. 场效应管的各项参数 9. 场效应管的命名规范
半导体材料简介
本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 本征半导体的原子结构及共价键
区的宽度基本稳定下来，PN结就处于相对稳定的状态。
PN结的形成演示
空空间间电电荷荷区区
－－－ －－
+
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P区 － － － － －
－－－ －－
+ +
+ +
+N区+ +
+ ++
－－－ －－
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根据扩散原理，空穴要从浓度高的P区向N区扩散，自由电子要从浓度 高的N区向P区扩散，并在交界面发生复合(耗尽），形成载流子极少的正
本征激发产生电子空穴对
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杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显著改变。
根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型） 半导体和空穴型（P型）半导体。
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N 型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价元素，如磷 （P）、砷（As）等，则构成N 型半导体。
五价的元素具有五个价电子，它们进入由硅（或锗）组成 的半导体晶体中，五价的原子取代四价的硅（或锗）原子，在 与相邻的硅（或锗）原子组成共价键时，因为多一个价电子不 受共价键的束缚，很容易成为自由电子，于是半导体中自由电 子的数目大量增加。自由电子参与导电移动后，在原来的位置 留下一个不能移动的正离子，半导体仍然呈现电中性，但与此 同时没有相应的空穴产生，如图所示。
P型半导体中，空穴为多数
载流子（多子），自由电 子为少数载流子（少子）。
P型半导体主要靠空穴导电。
P型半导体共价键结构
7
PN结的形成 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动，如图所示。
由于空穴和自由电子均是带电的粒子，所以扩散的结果使P区和N区原
来的电中性被破坏，在交界面的两侧形成一个不能移动的带异性电荷的离
子层，称此离子层为空间电荷区，这就是所谓的PN结，如图所示。在空
间电荷区，多数载流子已经扩散到对方并复合掉了，或者说消耗尽了，因
此又称空间电荷区为耗尽层。
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空间电荷区出现后，因为正负电荷的作用，将产生一个从N区指 向P区的内电场。内电场的方向，会对多数载流子的扩散运动起阻碍 作用。同时，内电场则可推动少数载流子（P区的自由电子和N区的
PN结P端接高电位，N端接低电位，称PN结外加正向电压，又称PN
结正向偏置，简称为正偏，如图1.8所示。 PN结外加正向电压（也叫正向偏置）时，如左下图所示： 正向偏置时外加电场与内电场方向相反，内电场被削弱，多子的扩 散运动大大超过少子的漂移运动，N区的电子不断扩散到P区，P区 的空穴也不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于 导通状态。
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N型半导体的共价键结构
N型半导体中，自由电子为多数载流子（多子），空穴为少数载流子 （少子）。N型半导体主要靠自由电子导电。
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P型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的三价元素，如硼（B）、 铟（In）等，则构成P型半导体。
三价的元素只有三个价电子，在与相邻的硅（或锗）原子组成共价键时， 由于缺少一个价电子，在晶体中便产生一个空位，邻近的束缚电子如果获 取足够的能量，有可能填补这个空位，使原子成为一个不能移动的负离子， 半导体仍然呈现电中性，但与此同时没有相应的自由电子产生，如图所示。
负空间电荷区（如上图所示），也就是PN结，又叫耗尽层。
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扩散与漂移达到动态平衡 形成一定宽度的PN结
多子 扩散
阻止
形成空间电荷区 产生内电场
促使 少子
漂移
P区
N区
＋ ＋＋
＋ ＋＋
＋ ＋＋
载流子的扩散运动
P 区 空间电荷区
N区
＋＋ ＋
＋＋ ＋
＋＋ ＋ຫໍສະໝຸດ Baidu
内电场方向 PN 结及其内电场
11
（1）PN结外加正向电压
12
（2）PN结外加反向电压
PN结P端接低电位，N端接高电位，称PN结外加反向电压，又称PN
结反向偏置，简称为反偏，如图所示。
P端引出极接电源负极，N端引出极电源正极的接法称为反向偏置； 反向偏置时内、外电场方向相同，因此内电场增强，致使多子的扩 散难以进行，即PN结对反向电压呈高阻特性；反偏时少子的漂移运
共价键内的两个电子由相邻的原子各用一个价电子 组成，称为束缚电子。图所示为硅和锗的原子结构和共 价键结构。
硅和锗的原子结构和共价键结构 2
两种载流子——自由电子和空穴
温度越高，半导体材料中产生的自由电子便越多。束缚电 子脱离共价键成为自由电子后，在原来的位置留有一个空 位，称此空位为空穴。本征半导体中，自由电子和空穴成 对出现，数目相同。图所示为本征激发所产生的电子空穴 对。
空穴）越过空间电荷区，进入对方。少数载流子在内电场作用下有 规则的运动称为漂移运动。漂移运动和扩散运动的方向相反。无外
加电场时，通过PN结的扩散电流等于漂移电流，PN结中无电流流过， PN结的宽度保持一定而处于稳定状态。
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PN结中的扩散和漂移是相互联系，又是相互矛盾的。在一定条 件（例如温度一定）下，多数载流子的扩散运动逐渐减弱，而少数 载流子的漂移运动则逐渐增强，最后两者达到动态平衡，空间电荷