第3章 多级放大电路 习题解答
《电工电子学》第3章习题答案
第3章习题答案3.2.1 选择题1．晶体管能够放大的外部条件是___C______。
(a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏(c) 发射结正偏，集电结反偏2．当晶体管工作于饱和状态时，其__A_______。
(a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏(c) 发射结正偏，集电结反偏3. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。
则该管的为___C______。
(a) 40 (b) 50 (c) 604．反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能___A______。
(a) 越好 (b) 越差 (c) 无变化5．温度升高，晶体管的电流放大系数b___A______。
(a) 增大 (b) 减小 (c) 不变6．温度升高，晶体管的管压降|UBE|__B_______。
(a) 升高 (b) 降低 (c) 不变7．对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，__C______极的电位最低。
(a) 发射极 (b) 基极 (c) 集电极8．温度升高，晶体管输入特性曲线____B____。
(a) 右移 (b) 左移 (c) 不变9．温度升高，晶体管输出特性曲线___A_____。
(a) 上移 (b) 下移 (c) 不变10．温度升高，晶体管输出特性曲线间隔___C_____。
(a) 不变 (b) 减小 (c) 增大11．晶体管共射极电流放大系数b随集电极电流iC___B_____。
(a) 不变化 (b) 有一定变化 (c) 无法判断12.当晶体管的集电极电流时，下列说法正确的是__C_____。
(a) 晶体管一定被烧毁 (b) 晶体管的 (c) 晶体管的一定减小13．对于电压放大器来说，___B____越小，电路的带负载能力越强。
(a) 输入电阻 (b) 输出电阻 (c) 电压放大倍数14．在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位___B____。
第3章 场效应管及其基本放大电路 参考答案
第 3章 场效应管及其基本放大电路3.1填空题（1）按照结构，场效应管可分为 。
它属于 型器件，其最大的优点是 。
（2）在使用场效应管时，由于结型场效应管结构是对称的，所以 极和 极可互换。
MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起，则 极和 极也可互换。
（3）当场效应管工作于恒流区时，其漏极电流D i 只受电压 的控制，而与电压 几乎无关。
耗尽型D i 的表达式为 ，增强型D i 的表达式为 。
（4）一个结型场效应管的电流方程为2GS D 161mA 4U I=×− ，则该管的DSS I = ，p U = 。
（5）某耗尽型MOS 管的转移曲线如习题3.1.5图所示，由图可知该管的DSS I = ，p U = 。
（6）N 沟道结型场效应管工作于放大状态时，要求GS 0u ≥≥ ，DS u > ；而N 沟道增强型MOS 管工作于放大状态时，要求GS u > ，DS u > 。
（7）耗尽型场效应管可采用 偏压电路，增强型场效应管只能采用 偏置电路。
（8）在共源放大电路中，若源极电阻s R 增大，则该电路的漏极电流D I ，跨导m g ，电压放大倍数 。
（9）源极跟随器的输出电阻与 和 有关。
答案：（1）结型和绝缘栅型，电压控制，输入电阻高。
（2）漏，源，源，漏，源。
（3）GS u ，DS u ，2GS D DSS P 1u i I U =− ，2GS D DO T 1u i I U=−。
（4）16mA ，4V 。
（5）习题3.1.5图4mA ，−3V 。
（6）p U ，GS p u U −，T U ，GS T u U −。
（7）自给，分压式。
（8）减小，减小，减小。
（9）m g ，s R 。
3.2试分别画出习题3.2图所示各输出特性曲线在恒流区所对应的转移特性曲线。
解：3.3在带有源极旁路电容s C 的场效应管放大电路如图3.5.6（a ）所示。
若图中的场效应管为N 沟道结型结构，且p 4V U =−，DSS 1mA I =。
第3章 多级放大电路典型例题
AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF【例1】（共射+共射）计算如图多级放大电路的A u 、R i 和R o 。
分析：（1）中频等效电路（微变等效电路或交流等效电路）（2）计算A u ])1([72be25i2be1i231u1R r //R R r R //R A ββ++=-=其中：be172be2531u1]})1([{r R r //R //R A ββ++-=或者：72be2L62u2)(1R r R //R A ββ++-=u2u1u A A A ⋅=AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF（3）计算R i ：be121i r //R //R R =（4）计算R o ：6o R R =AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF【例2】（共射+共集）计算如图多级放大电路的A u 、R i 和R o 。
分析：（1）中频等效电路（微变等效电路或交流等效电路）（2）计算A u 32be2i2be11i2211u 1R )(r R r R )R //R (A ββ++=+-=其中：be11322211u })1([{r R R r //R A be +++-=ββ或者： 1)1()1(u2322322u ≈+++=A R r R A be 或者：ββ u2u1u A A A ⋅=（3）计算R i ：be11i r R R +=AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF（4）计算R o ：22be23o 1β++=R r //R RAHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF【例3】（共集+共射）计算如图多级放大电路的A u 、R i 和R o 。
分析：（1）中频等效电路（微变等效电路或交流等效电路）（2）计算A u21u A A A ⋅= （3）计算R i123be211be1123be2(1)()1(1)()R R r A A r R R r ββ+==++∥∥ 或者 ∥∥242be2R A r β=-i 1be1123be2[(1)()]R R r R R r β=++∥∥∥AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF （4）计算R o静态工作点的计算同单管放大电路的方法，此处略。
模电(第四版)习题解答
自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电路 多级放大电路题解
第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）× （2）√ √ （3）√ × （4）× （5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B（5）C，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是。
模电第四版习题解答
模电第四版习题解答 YUKI was compiled on the morning of December 16, 2020模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
多级放大电路答案
科目:模拟电子技术题型:填空题章节:第三章多级放大电路难度:全部-----------------------------------------------------------------------1. 某放大器由三级组成，已知各级电压增益分别为16dB，20dB，24dB，放大器的总增益为60dB 。
2. 某放大器由三级组成，已知各级电压增益分别为16dB，20dB，24dB，放大器的总电压放大倍数为 103。
3. 在差动式直流放大电路中，发射极电阻Re的作用是通过电流负反馈来抑制管子的零漂，对共模信号呈现很强的负反馈作用。
4. 在双端输入、输出的理想差动放大电路中，若两输入电压U i1=U i2，则输出电压U o= 0 。
5. 在双端输入、输出的理想差动放大电路中，若U i1=+1500μV，U i2=+500μV，则可知差动放大电路的差模输入电压U id= 1000uV 。
6. 多级放大电路常用的耦合方式有三种，它们是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。
7. 多级放大电路常用的耦合方式有三种，它们是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。
8. 多级放大电路常用的耦合方式有三种，它们是阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
9. 多级放大电路常用的耦合方式有三种，其中直接耦合方式易于集成，但存在零点漂移现象。
10. 多级放大电路常用的耦合方式有三种，其中直接耦合方式易于集成，但存在零点漂移现象。
11. 若三级放大电路的A u1=A u2=30dB，A u3=20 dB，则其总电压增益为 80 dB。
12. 若三级放大电路的A u1=A u2=30dB，A u3=20 dB，则其总电压放大倍数折合为 104倍。
13. 在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级负载电阻的，而前级的输出电阻则也可视为后级的信号源内阻。
14. 在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载电阻，而前级的输出电阻则也可视为后级的信号源。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术课程习题 第三章 多级放大电路
第三章多级放大电路3.1 放大电路产生零点漂移的主要原因是[ ]A.放大倍数太大B.采用了直接耦合方式C.晶体管的噪声太大D.环境温度变化引起参数变化3.2 差动放大电路的设置是为了[ ]A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂D.扩展频带3.3 差动放大电路用恒流源代替Re是为了[ ]A.提高差模电压放大倍数B.提高共模电压放大倍数C.提高共模抑制比D.提高差模输出电阻3.4 在长尾式差动放大电路中, Re的主要作用是[ ]A.提高差模电压放大倍数B.抑制零点漂移C.增大差动放大电路的输入电阻D.减小差动放大电路的输出电阻3.4 差动放大电路的主要特点是[ ]A.有效地放大差模信号，强有力地抑制共模信号B.既可放大差模信号，也可放大共模信号C.只能放大共模信号，不能放大差模信号D.既抑制共模信号，又抑制差模信号3.5 若三级放大电路的AV1=AV2=20dB,AV3=30 dB，则其总电压增益为[ ]A. 50dBB. 60dBC. 70dBD. 12000dB3.6 设计一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选两个功率管的功率至少为[ ]A. 1WB. 2WC. 4WD. 5W3.7 与甲类功率放大方式比较，乙类推挽方式的主要优点是[ ]A.不用输出变压器B.不用输出端大电容C.无交越失真D.效率高3.8 乙类放大电路是指放大管的道通角等于[ ]A.360oB.180oC.90oD.小于 90o3.9 集成功率放大器的特点是[ ]A.温度稳定性好，电源利用率高，功耗较低，非线性失真较小。
B.温度稳定性好，电源利用率高，功耗较低，但非线性失真较大。
C.温度稳定性好，功耗较低，非线性失真较小，但电源利用率低。
D.温度稳定性好，非线性失真较小，电源利用率高，功耗也高。
3.10 填空。
1、在三级放大电路中，已知|Au1|=50，|Au2|=80，|Au3|=25，则其总电压放大倍数|Au|= ，折合为 dB。
电子技术学习指导与习题解答：第3章 多级放大电路
第3章 多级放大电路3.1 如图 3.7所示为两级阻容耦合放大电路，已知12CC =U V ，20B1B1='=R R k Ω，10B2B2='=R R k Ω，2C2C1==R R k Ω，2E2E1==R R k Ω，2L =R k Ω，5021==ββ，6.0BE2BE1==U U V 。
（1）求前、后级放大电路的静态值。
（2）画出微变等效电路。
（3）求各级电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。
u s+u o -CC图3.7 习题3.1的图分析 两级放大电路都是共发射极的分压式偏置放大电路，各级电路的静态值可分别计算，动态分析时需注意第一级的负载电阻就是第二级的输入电阻，即i2L1r R =。
解 （1）各级电路静态值的计算采用估算法。
第一级：412102010CC B2B1B2B1=⨯+=+=U R R R U （V ）7.126.04E1BE1B1E1C1=-=-=≈R U U I I （mA ）0.034507.11C1B1===βI I （mA ）2.5)22(7.112)(E1C1C1CC CE1=+⨯-=+-=R R I U U （V ） 第二级：412102010CC B2B1B2B2=⨯+='+''=U R R R U （V ）7.126.04E2BE2B2E2C2=-=-=≈R U U I I （mA ）电子技术学习指导与习题解答46 0.034507.12C2B2===βI I （mA ） 2.5)22(7.112)(E2C2C2CC CE2=+⨯-=+-=R R I U U （V ）（2）微变等效电路如图3.8所示。
R U +-图3.8 习题3.1解答用图（3）求各级电路的电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。
三极管V 1的动态输入电阻为：10807.126)501(30026)1(300E11be1=⨯++=++=I r β(Ω) 三极管V 2的动态输入电阻为：10807.126)501(30026)1(300E22be2=⨯++=++=I r β(Ω) 第二级输入电阻为：93.008.1//10//20////be2B2B1i2==''=r R R r （k Ω） 第一级等效负载电阻为：63.093.0//2//i2C1L1==='r R R （k Ω） 第二级等效负载电阻为：12//2//L C2L2==='R R R （k Ω） 第一级电压放大倍数为：3008.163.050be1L11u1-=⨯-='-=r R A β 第二级电压放大倍数为：5008.1150be2L22u2-=⨯-='-=r R A β 两级总电压放大倍数为：1500)50()30(u2u1u =-⨯-==A A A3.2 在 如图 3.9所示的两级阻容耦合放大电路中，已知12CC =U V ，30B1=R k Ω，20B2=R k Ω，4E1C1==R R k Ω，130B3=R k Ω，3E2=R k Ω，5.1L =R k Ω，5021==ββ，8.0BE2BE1==U U V 。
第3章习题解答
第3章习题解答习题来源：严国萍，龙占超，通信电子线路，科学出版社，2006年第一版，2009年第五次印刷，P89～P913-1. 解答晶体管低频放大器主要采用混合参数（H参数）等效模型分析方法；而晶体管高频小信号放大器主要采用形式等效电路（Y参数）以及物理模拟等效电路（混合π参数）分析方法。
分析方法的不同，本质原因在于晶体管在高频运用时，它的等效电路不仅包含着一些和频率基本没有关系的电阻，而且还包含着一些与频率有关的电容，这些电容在频率较高时的作用是不能忽略的。
高频小信号放大器不能用特性曲线来分析，这是因为特性曲线是晶体管低频运用时的工作曲线，是不随工作频率变化的；但晶体管在高频运用时，其结电容不可忽略，从而使得晶体管的特性随频率变化而变化。
因此在分析高频小信号时，不可用特性曲线来分析。
3-2. 解答r bb’含义：从晶体管内部结构可知，从基极外部引线b到内部扩散区中某一抽象点b’之间，是一段较长而又薄的N型（或P型）半导体，因掺入杂质很少，因而电导率不高，所以存在一定体积电阻，故在b-b’之间，用集总电阻r bb’表示。
r b’c含义：晶体管内部扩散区某一抽象点b’到集电极c之间的集电结电阻。
r bb’的影响：r bb’的存在，使得输入交流信号产生损失，所以r bb’的值应尽量减小，一般r bb’为15～50Ω。
r b’c的影响：因为集电结为反偏，所以r b’c较大，r b’c一般为10k～10MΩ，特别是硅管，r b’c很大，和放大器负载相比，它的作用往往可以忽略。
3-3. 解答g m是晶体管的跨导，反映晶体管的放大能力，即输入对输出的控制能力。
它和晶体管集电极静态电流（I E ）大小有关。
3-4. 解答因为高频小信号放大器的负载是一个谐振回路，如果阻抗不匹配，会使输出信号幅度减小，而且会失真，为此，必须考虑阻抗匹配的问题。
3-5. 解答小信号放大器主要质量指标有：增益，通频带，选择性，工作稳定性，噪声系数这5个指标。
《模拟电子技术基础》课后习题答案(童诗白,华成英版,高教版)3章 多级放大电路题解
基础课程教学资料第三章多级放大电路自测题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( )（5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）×（2）√√（3）√×（4）×（5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用，第二级应采用。
（2）要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用，第二级应采用。
（3）要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用，第二级应采用。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B （5）C ，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 （2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。
多级放大电路与反馈电路习题解答
任务4.4 多级放大电路与反馈电路习题解答一、测试（一）判断题1. 放大电路输出电阻的大小影响着负载或后级放大电路各种状态，因此它与外接负载电阻有关。
答案：F解题：放大电路输出电阻的大小影响着负载或后级放大电路各种状态，但它与外接负载电阻无关。
2. 阻容耦合放大电路，其耦合电容的选择应使信号频率在高频段时容抗为零。
答案：F解题：阻容耦合放大电路，其耦合电容的选择应使信号频率在低频段时容抗为零。
3. 只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
答案：F解题：各类耦合方式都存在。
4. 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
答案：F解题：放大倍数不能说明情况，如发射极放大电路，不存在反馈与为负。
5. 负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。
答案：T解题：负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。
6. 阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。
答案：T解题：阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。
7. 负反馈能改善放大电路的性能指标。
答案：T解题：负反馈能改善放大电路的性能指标。
8. 采用电流并联负反馈能使放大器的输出电阻变大，输入电阻变小。
答案：T解题：并联可使输入电阻减小。
9. 负反馈使放大器的电压放大倍数减小，以换取放大器性能的改善。
答案：T解题：负反馈使放大器的电压放大倍数减小，以换取放大器性能的改善。
10. 了减轻信号源的负担并保证输出电压稳定，放大器应采用的反馈类型是电压并联负反馈。
（）答案：F解题：电压串联负反馈，串联提升输入电阻。
（二）选择题1.电路图所示，该电路反馈类型为（）A.正反馈，直流反馈B.负反馈，交流反馈C.正反馈，交流反馈D.负反馈，直流反馈答案：B解题：电容隔直流，为交流反馈；1管基极输入增加，1管集电极减小，2管集电极增加，1管发射极增加，输入信号和反馈信号在1管不同输入，为负反馈。
模电第四习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变GS小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
第3章 多级放大电路 习题解答
第3章自测题、习题解答自测题3一、选择：选择：（请选出最合适的一项答案）1、在三种常见的耦合方式中，静态工作点独立，体积较小是（ ）的优点。
A ）阻容耦合 B) 变压器耦合 C ）直接耦合2、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的漂移电压就越（ ）。
A) 大 B) 小 C) 和放大倍数无关3、在集成电路中，采用差动放大电路的主要目的是为了（ ）A) 提高输入电阻 B) 减小输出电阻 C) 消除温度漂移 D) 提高放大倍数 4、两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（ ）A) 等于60 B) 等于900 C) 小于900 D) 大于9005、将单端输入——双端输出的差动放大电路改接成双端输入——双端输出时，其差模电压放大倍数将（ ）；改接成单端输入——单端输出时，其差模电压放大倍数将（ ）。
A) 不变 B ）增大一倍 C) 减小一半 D) 不确定 解：1、A 2、A 3、C 4、C 5、A C二、填空：6、若差动放大电路两输入端电压分别为110i u mV =，24i u mV =，则等值差模输入信号为id u = mV ，等值共模输入信号为ic u = mV 。
若双端输出电压放大倍数10ud A =，则输出电压o u = mV 。
7、三级放大电路中，已知1230u u A A dB ==，320u A dB =，则总的电压增益为 dB ，折合为 倍。
8、在集成电路中，由于制造大容量的 较困难，所以大多采用 的耦合方式。
9、长尾式差动放大电路的发射极电阻e R 越大，对 越有利。
10、多级放大器的总放大倍数为 ，总相移为 ，输入电阻为 ，输出电阻为 。
解：6、3mV 7mV 30mV7、80 4108、电容 直接耦合 9、提高共模抑制比 10、各单级放大倍数的乘积 各单级相移之和 从输入级看进出的等效电阻 从末级看进出的等效电阻三、计算：11、如图T 3－11，设12C E V =，晶体管50β=，300bb r Ω'=，11100b R k Ω=，2139b R k Ω=，16c R k Ω=，1 3.9e R k Ω=，1239b R k Ω=，2224b R k Ω=，23c R k Ω=，2 2.2e R k Ω=，3L R k Ω=，请计算u A 、i r 和o r 。
第三章多级放大电路答案
科目：模拟电子技术题型:填空题章节:第三章多级放大电路难度:全部1.某放大器由三级组成，已知各级电压增益分别为16dB, 20dB, 24dB,放人器的总增益为60dB _____ o2.某放大器由三级组成，已知各级电压增益分别为16dB. 20dB, 24dB.放人器的总电压放大倍数为1（/ o3.在差动式直流放人电路中，发射极电阻Re的作用是通过电流负反馈来抑制管了的零漂，对卫模信号呈现很强的负反馈作用。
4.在双端输入、输出的理想差动放人电路中，若两输入电压U1S=U S；,则输出电压0=+500U V,则可知差动放大5.在双端输入.输出的理想差动放大电路中,若U U=+1500P V,UW电路的差模输入电压U沪lOOOuV ________ o6.多级放人电路常用的耦合方式有三种，它们是宜接耦合、阻容耦合和变压器耦合_______ O7.多级放大电路常用的耦合方式有三种，它们是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。
8.多级放大电路常用的耦合方式有三种，它们是 ___________ 、直接耦合和变压器耦合。
9.多级放大电路常用的耦合方式有三种，其中直接耦合方式易于集成，但存在零点漂移现象。
10.多级放大电路常用的耦合方式有三种，其中直接耦合方式易于集成，但存在零点漂移现象。
11.若三级放人电路的A ul=Au.=30dB, Au尸20 dB.则其总电压增益为80 dBo12.若三级放人电路的A ui=A^=30dB, A^O dB.则其总电压放人倍数折合为10。
倍。
13.在多级放人电路中，后级的输入电阻是前级负载电阻的,而前级的输出电阻则也可视为后级的信号源内阻。
14.在多级放人电路中，后级的输入电阻是前级的负载电阻，而前级的输出电阻则也可视为后级的__________ o15.在实际应用的差动式直流放大电路中，为了提高共模抑制比，通常用恒流源代替发射极电阻Re,这种电路采用双电源供电方式。
16.在实际应用的差动式直流放人电路中，为了提高共模抑制比，通常用恒流源代替发射极电阻Re,这种电路采用双电源供电方式。
多级放大电路习题解答
自测题3一、选择：选择：（请选出最合适的一项答案）1、在三种常见的耦合方式中，静态工作点独立，体积较小是（ ）的优点。
A ）阻容耦合 B) 变压器耦合 C ）直接耦合2、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的漂移电压就越（ ）。
A) 大 B) 小 C) 和放大倍数无关3、在集成电路中，采用差动放大电路的主要目的是为了（ ）A) 提高输入电阻 B) 减小输出电阻 C) 消除温度漂移 D) 提高放大倍数4、两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（ ）A) 等于60 B) 等于900 C) 小于900 D) 大于9005、将单端输入——双端输出的差动放大电路改接成双端输入——双端输出时，其差模电压放大倍数将（ ）；改接成单端输入——单端输出时，其差模电压放大倍数将（ ）。
A) 不变 B ）增大一倍 C) 减小一半 D) 不确定解：1、A 2、A 3、C 4、C 5、A C二、填空：6、若差动放大电路两输入端电压分别为110i u mV =，24i u mV =，则等值差模输入信号为id u = mV ，等值共模输入信号为ic u = mV 。
若双端输出电压放大倍数10ud A =，则输出电压o u = mV 。
7、三级放大电路中，已知1230u u A A dB ==，320u A dB =，则总的电压增益为 dB ，折合为 倍。
8、在集成电路中，由于制造大容量的 较困难，所以大多采用 的耦合方式。
9、长尾式差动放大电路的发射极电阻e R 越大，对 越有利。
10、多级放大器的总放大倍数为 ，总相移为 ， 输入电阻为 ，输出电阻为 。
解：6、3mV 7mV 30mV7、80 4108、电容 直接耦合9、提高共模抑制比10、各单级放大倍数的乘积 各单级相移之和 从输入级看进出的等效电阻 从末级看进出的等效电阻三、计算： 11、如图T3－11，设12C E V =，晶体管50β=，300bb r Ω'=，11100b R k Ω=，2139b R k Ω=，16c R k Ω=，1 3.9e R k Ω=，1239b R k Ω=，2224b R k Ω=，23c R k Ω=，2 2.2e R k Ω=，3L R k Ω=，请计算u A &、ir 和o r 。
模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技能技术总结基础第四版(童诗白)课后答案第三章
精心整理第3章多级放大电路自测题一、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用(A)，第二级应采用(A)。
(2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用(D)，第二级应采用(A)。
(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100,第一级应采用(B)，第二级应采用(A)。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用(D)，第二级应采用(B)。
(5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000oui iU A I =>，输出电阻R o ＜100，第一级应采用采用(C)，第二级应(B)。
二、选择合适答案填入空内。
(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是(C 、D)。
A ．电阻阻值有误差B ．晶体管参数的分散性C ．晶体管参数受温度影响D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是(C)。
A ．便于设计B ．放大交流信号C ．不易制作大容量电容(3)选用差动放大电路的原因是(A)。
A ．克服温漂B ．提高输入电阻C ．稳定放大倍数(4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的(A)，共模信号是两个输入端信号的(C)。
A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的(B)。
A ．差模放大倍数数值增大B ．抑制共模信号能力增强C ．差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使(C)。
A.放大倍数的数值大B.最大不失真输出电压大C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时0.7BEQ U V ≈。
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第3章自测题、习题解答自测题3一、选择：选择：（请选出最合适的一项答案）1、在三种常见的耦合方式中，静态工作点独立，体积较小是（ ）的优点。
A ）阻容耦合 B) 变压器耦合 C ）直接耦合2、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的漂移电压就越（ ）。
A) 大 B) 小 C) 和放大倍数无关3、在集成电路中，采用差动放大电路的主要目的是为了（ ）A) 提高输入电阻 B) 减小输出电阻 C) 消除温度漂移 D) 提高放大倍数 4、两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为30，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（ ）A) 等于60 B) 等于900 C) 小于900 D) 大于9005、将单端输入——双端输出的差动放大电路改接成双端输入——双端输出时，其差模电压放大倍数将（ ）；改接成单端输入——单端输出时，其差模电压放大倍数将（ ）。
A) 不变 B ）增大一倍 C) 减小一半 D) 不确定 解：1、A 2、A 3、C 4、C 5、A C二、填空：6、若差动放大电路两输入端电压分别为110i u mV =，24i u mV =，则等值差模输入信号为id u = mV ，等值共模输入信号为ic u = mV 。
若双端输出电压放大倍数10ud A =，则输出电压o u = mV 。
7、三级放大电路中，已知1230u u A A dB ==，320u A dB =，则总的电压增益为 dB ，折合为 倍。
8、在集成电路中，由于制造大容量的 较困难，所以大多采用 的耦合方式。
9、长尾式差动放大电路的发射极电阻e R 越大，对 越有利。
10、多级放大器的总放大倍数为 ，总相移为 ， 输入电阻为 ，输出电阻为 。
解：6、3mV 7mV 30mV7、80 4108、电容 直接耦合 9、提高共模抑制比 10、各单级放大倍数的乘积 各单级相移之和 从输入级看进出的等效电阻 从末级看进出的等效电阻三、计算：11、如图T3－11，设12C E V =，晶体管50β=，300bb r Ω'=，11100b R k Ω=，2139b R k Ω=，16c R k Ω=，1 3.9e R k Ω=，1239b R k Ω=，2224b R k Ω=，23c R k Ω=，2 2.2e R k Ω=，3L R k Ω=，请计算u A 、i r 和o r 。
（15分）（提示：先求静态工作点EQ I ，再求be r ）图T3－11解：V 1管的直流通路如图11-1所示：2111211139120.70.7100390.6843.9b Cb b EQ e R E R R I mAR ⨯--++===be1bb'EQ126mV(1) 2.24r r k I β=++≈Ω同理可得：2212222224120.70.72439 1.762.2b Cb b EQ e R E R R I mA R ⨯--++===be2bb'EQ226mV(1) 1.05r r k I β=++≈Ω交流等效电路如图11-2所示：2211(//)o b c L u i b be U I R R A U I r β-==又有：1112222112222(////)(////)b c b b b c b b be I R R R I R R R r β-=+故：1122221122221(////)(//)1344(////)c b b c L u c b b be be R R R R R A R R R r r ββ--=⨯≈+11211//// 2.07i b b be r R R r k =≈Ω 23o c r R k ==Ω12、如图T3－12所示，12100e e R R Ω==，BJT 的100β=，0.6BE U V =。
求：（1）当V 0o2o1==u u 时，Q 点（1B I 、1C I 、）；（2）当V 01.0i1=u 、V 01.0i2-=u 时，求输出电压o2o1o u u u ==的值； （3）当1c 、2c 间接入负载电阻 5.6L R k Ω=时，求u o 的值；（4）求电路的差模输入电阻r id 、共模输入电阻r ic 和输出电阻r o 。
（图中r o 为电流源的等效电阻）图T3－12解：（1）120112C C I I I mA === 11210C B B I I I A μβ===11110 5.61(0.6)5CE CC c C E U U R I U V =--=-⨯--=（2）be bb'EQ26mV(1) 2.7r r k I β=++≈Ω半边差动电路的交流等效电路如图12所示：1111111[(1)]o b c u i b be e U I R A U I r R ββ-==++ 故11110.44(1)c o i be e R U U V r R ββ-=≈-++ 1c R 121e R 1b I β1b I 1be r 1i U 1o U同理得：20.44o U V故：120.88o o o U U U V =-=-（3）此时11111(//)214.6(1)Lc o u i be e R R U A U r R ββ-==≈-++ 11(14.6)0.146o i U U V =⨯-≈-故：120.292o o o U U U V =-=- （4）12[(1)]25.6id be e r r R k β=++=Ω10()(1)10.1ic be e r r R r M β=+++≈Ω 1211.2o c r R k ==Ω13如图T3－13，直流零输入时，直流零输出。
已知80321===βββ,V 7.0U BE =,计算1C R 的值和电压放大倍数u A 。
V图T3－13解：330(12)1.2C C I mA R --==33(1)1.215C E I I mA ββ+==200.7(12)0.12247E I mA ---=≈⨯220.12800.119181E C I I mA ββ⨯===+3312 1.2150.220.78.130.119E E BE C C I R U R k I +⨯+===Ω画出第二级的交流等效电路如图13所示：be2bb'E226mV(1)17.7 r r k I β=++≈Ωbe3bb'E326mV(1) 1.83r r k I β=++≈Ω第二级的输入电阻为：233(1) 1.83810.2219.7i be E R r R k β=++=+⨯=Ω第二级的放大倍数为：33233340.7(1)b C u b be E I R A I r R ββ==---+第一级的放大倍数为：1212(//)132C i u be R R A r β-==-⨯故：1213(40.7)529u u u A A A ==⨯-=-习题33.1 多级直接耦合放大电路中，（ ）的零点漂移占主要地位。
A) 第一级 B) 中间级 C) 输出级3.2 一个三级放大电路，测得第一级的电压增益为0dB ，第二级的电压增益为40dB ，第三级的电压增益为20dB ，则总的电压增益为（ ）A) 0dB B) 60dB C) 80dB D) 800dB3.3 在相同条件下，多级阻容耦合放大电路在输出端的零点漂移（ ）。
A ）比直接耦合电路大 B ）比直接耦合电路小 C ）与直接耦合电路基本相同 3.4 要求流过负载的变化电流比流过集电极或发射极的变化电流大，应选( )耦合方式。
A）阻容B）直接C）变压器D）阻容或变压器3.5 要求静态时负载两端不含直流成分，应选( )耦合方式。
A）阻容B）直接C）变压器D）阻容或变压器3.6一个多级放大器一般由多级电路组成，分析时可化为求的问题，但要考虑之间的影响。
3.7 直接耦合放大电路存在的主要问题是。
3.8 在阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种耦合方式中，既能放大直流信号，又能放大交流信号的是，只能放大交流信号的是，各级工作点之间相互无牵连的是，温漂影响最大的是，信号源与放大器之间有较好阻抗配合的是，易于集成的是，下限频率趋于零的是。
3.9 某直接耦合放大器的增益为100，已知其温漂参数为1C/mV ，则当温度从20C o升高到30C o时，输出电压将漂移。
3.10 由通频带相同的两个单级放大器组成两级阻容耦合放大器，总的通频带就要变窄，这是为什么？3.11 一个三级放大电路，测得第一级的电压放大倍数为1，第二级的电压放大倍数为100，第三级的电压放大倍数为10，则总的电压放大倍数为（）A) 110 B) 111 C) 1000 D) 不能确定3.12 一个两级阻容耦合放大电路的前级和后级的静态工作点均偏低，当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将（）A) 首先产生饱和失真B) 首先产生截止失真C) 双向同时失真3.13 多级放大电路的输入电阻就是的输入电阻，但在计算时要考虑可能产生的影响。
3.14 多级放大电路的输出电阻就是的输出电阻，但在计算时要考虑可能产生的影响。
3.15 阻容耦合方式的优点是；缺点是。
3.16 多级放大器通常可以分为、和。
3.17 在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的，而前级的输出电阻也可看作后级的。
解： 3.1 A 3.2 B 3.3 B 3.4 C 3.5 D3.6 单级放大器 前后级3.7 静态工作点互相影响，零点漂移严重3.8 直接耦合 阻容耦合和变压器耦合 阻容耦合和变压器耦合 直接耦合 变压器耦合 直接耦合 直接耦合 3.9 1V 3. 10 解：多级放大电路的上限、下限截止频率可计算如下： 2H Hn f f ≈++L f ≈放大电路级数越多，则H f 越低，L f 越高，通频带越窄。
3.11 C 3.12 C3.13 第一级放大电路 后级输入电阻对前级输入电阻 3.14 最后一级 前级输出电阻对最后一级输出电阻3.15 静态工作点独立，体积较小 低频响应差，不便于集成化 3.16 输入级 中间级 输出级 3.17 负载电阻 信号源内阻3.18如图P3－18，已知Ωk 39R 11B =，Ωk 13R 21B =，Ωk 120R 12B =，Ωk 3R C =，Ω150R 1E =，Ωk 1R 2E =，Ωk 4.2R E =，Ωk 4.2R L =，两管50=β，V 6.0U BE =，V 12U CC =，各电容在中频区的容抗可以忽略不计。
1）试求静态工作点（111,,CE C B U I I ）及（222,,CE E B U I I ）；2）画出全电路微变等效电路，计算1be r 及2be r ；3）试求各级电压放大倍数1u A ，2u A 及总电压放大倍数uA图P3－184）试求输入电阻i r 及输出电阻o r ；5）请问后级是什么电路？其作用是什么？若L R 减小为原值的101（即240Ω），则u A 变化多少？ 解：（1）2111211120.62.09B CCB B E E E R U R R I mA R R -+==+11411E B I I A μβ==+ 11 2.05C B I I mA β==1112() 3.45CE CC C C E E E U U I R I R R V =--+=21247(1)CC BEB B EU U I A R R μβ-==++22(1) 2.4E B I I mA β=+= 22 6.24CE CC E E U U I R V =-=（2）be1bb'E126mV(1)0.734r r k I β=++≈Ωbe2bb'E226mV(1)0.652r r k I β=++≈Ω（3）第二级的输入电阻为：2122//[(1)(//)]40.8i B be E L R R r R R k β=++≈Ω 故，第一级的放大倍数为：2111(//)16.6(1)C i u be E R R A r R ββ-=≈-++第二级的放大倍数为：22222(//)(1)0.989(//)(1)E L b u be b E L b R R I A r I R R I ββ+=≈++故：1216.60.98916.4u u u A A A ==-⨯=- （4）112111////[(1)] 4.51i B B be E r R R r R k β=++≈Ω 122////()681C B be o E R R r r R β+=≈Ω+（5）后级是射级输出器，其作用是具有很小的输出电阻，增强带负载的能力。