从对技术领域的把握看专利检索

美光 美 １１．４％
Ｅｌｐｉｄａ 南亚 力晶 茂德 钰创 华邦 日 中国台湾 中国台湾 中国台湾 中国台湾 中国台湾
１０．１％ ６．７％ ５．７％ ４．９％
０．９
０．７％
从表三可以看出，前十大 ＤＲＡＭ 厂商占据 了 ９８．８％ 的市场份额，其中前五大厂商分属欧 美日韩，它们的总市场份额高达 ７９．８％，显示 出这些传统公司强大的技术优势和市场占有率。 台湾地区厂商个体实力与欧美日韩传统公司相 比还处于下风，但近年来发展势头迅猛，已占
从表四可得出，在 ＤＲＡＭ 领域，欧美日韩 公司的专利申请量优势明显，在前十大 ＤＲＡＭ 厂商中的专利申请量中，前五大厂商占 ９５．１５％， 而台湾地区五大厂商只占到总申请量的 ４．８５％， 远远小于其 １７．８％ 的市场占有率，这在一定程 度上反映了台湾地区厂商在技术上还处于劣势， 因为它们的部分业务是低技术含量的代工，以加 工规模优势获得较高的市场占有率。另外，结 合表三和表四可知，市场份额与专利申请量近 似成正比，这与半导体行业是技术密集型行业
1．DRAM 根据权威内存市场研究机构集邦科技
（ＤＲＡＭｅｘｃｈａｎｇｅ） 对 ２００６ 年 ＤＲＡＭ 厂商的调查 结果，分别列出全球各区域 ＤＲＡＭ 市场份额排 名，如下 ：
表二 全球各区域 ＤＲＡＭ 市场份额排名 （２００６ 年 ）
地区 市场份额
韩国 ４１．９％
中国台湾 １７．８％
德国 １５．９％
40 PATENT EXAMINATION REVIEW/2008.11
审查实务 14卷11期
表五 ＮＯＲ 型闪存市场份额排名 （２００６）
厂商 Ｓｐａｎｓｉｏｎ Ｉｎｔｅｌ
意法 三星
ＳＳＴ
夏普 东芝 旺宏 美光 Ａｔｍｅｌ
国家 ／
美 ／日
美 意、法 韩
美
地区
市场
２７．９％ ２６．７％ １６．２％ ６．２％
半导体行业具有垄断性，而半导体存储器 领域作为半导体行业的主要分支，其垄断特点 更为突出。半导体存储器是半导体技术更新最 快、最活跃的领域，最新的半导体工艺通常先 用于半导体存储器的制造。因此，下文以半导 体存储器领域为例浅析如何在检索过程中把握 技术领域。
二、横向分析
横向分析是指，在特定技术领域内，对同 一时期不同国家或地区的技术水平及主要厂商 的发展现状进行比较分析。这样可以从根本上 了解现有技术的布局情况以及各个区域或公司
公司 三星 奇梦达 海力士 美光 申请量 ２９１７ １５７７ ３６７７ ２３１５ 比例 （％） ２５．６３ １３．８６ ３２．３１ ２０．３４
Ｅｌｐｉｄａ ３４４ ３．０２
南亚 １７３ １．５２
力晶 ４０ ０．３５
茂德 ２２６ １．９９
钰创 １０ ０．０９
华邦 １０２ ０．９０
注 ：奇梦达的申请量是奇梦达、西门子和 英飞凌 （Ｉｎｆｉｎｅｏｎ） 半导体的申请量之和。海力士 的申请量是海力士和现代半导体的申请量之和。 另外，茂德是茂矽半导体的子公司，上表包含 茂矽半导体的申请量。
４％
份额
日
日 中国台湾 美
美
４％
３．５％ ２．３％ ２．１％ １．９％
注 ：Ｓｐａｎｓｉｏｎ 是超微 （ＡＭＤ） 与富士通的合 资公司，２００３ 年成立。
从表五可看出，表中十大厂商占有 ９４．９％
的市场份额，其中欧美厂商占据绝对优势，中 国仅台湾地区旺宏拥有少量市场份额。
2) NAND 型闪存
表六 ＮＡＮＤ 型闪存市场份额排名 （２００６）
同样，以表五和表六的排名为基准，分别研 究这些公司在闪存领域专利申请的分布情况。这 里结合 ＩＰＣ 分类号以及关键词在 ＷＰＩ 数据库中统 计，其中难免会有遗漏，但此统计结果已经可以 反映闪存领域的专利申请分布情况。结果见表七：
表七 闪存领域专利申请量分布（截至 ２００７．１２）
厂商 国家 ／ 地区 申请量
获得有用的技术信息，例如领域内主要公司分 布、技术热点和产业发展动态等等。下文中根据 半导体行业的特点，以半导体存储器领域为例， 阐述如何在把握技术领域的基础上优化检索。
一、半导体行业特点
半 导 体 技 术 是 现 代 信 息 技 术 的 基 础。 由 于半导体行业属于资金密集型和技术密集型行 业，企业门槛非常高，因此通常由少数跨国公 司主导，具有鲜明的行业垄断特点。这些巨头 不仅在市场份额中占据绝对优势，而且，由于 多年的技术积累以及在技术创新方面巨大的投 入， 它 们 拥 有 数 量 同 样 占 绝 对 优 势 的 专 利 申 请，并且技术含量比较高。权威 ＩＴ 市场研究公 司 ｉＳｕｐｐｌｉ 的研究报告列出了 ２００７ 年市场占有率 排名前十的半导体厂商，对这些厂商统计分析。 其中采用 ＣＰＹ 代码在 ＷＰＩ 数据库中分别统计各 自的专利申请量。
三星 韩 ２５８８
比例 ２４．３６％
东芝 日 １５６５ １４．７３％
瑞萨 日 １４６６
１３．８０％
海力士 韩 １３２１
１２．４３％
Ｓｐａｎｓｉｏｎ 美 ／日 １０９３ １０．２９％
美光 美 ８６７ ８．１６％
旺宏 中国台湾
５００ ４．７１％
（ 续表七 ） 夏普 日 ４４２ ４．１６％
意法 意、法
２９２ ２．７５％
审查实务 14卷11期
从对技术领域的把握看检索
电学发明审查部半导体一处 陶应磊
摘要 ：本文根据半导体存储器领域的技术特点， 从横向和纵向两个角度分析技术现状，浅析如 何把握技术领域，及在此基础上优化检索，并 通过案例予以说明。
关键词 ：技术领域 分析 检索
关于检索，往往强调检索方法，比如检索 要素的确定、表达和组合、简单检索、块检索、 渐进式检索和追踪检索以及其它技巧等。熟悉 这些技巧固然重要，但同时也不能忽视对于具 体技术领域的整体把握。否则，假如对于特定 技术领域不甚了解，不知道所属领域内技术发 展历史、现状、主导公司等，那么对检索的运 用很可能就是纸上谈兵、浅尝辄止，难以做到 高效精准甚至造成漏检。反之，当检索员对相 关技术领域比较熟悉，能从宏观上把握技术发 展脉络、分支时，就能将申请文件的技术方案 在技术领域中给予准确定位，对其新颖性或创 造性进行预估，那么再结合常规检索方法就会 达到理想的效果。
闪 存 是 八 十 年 代 在 ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、 ＥＥＰＲＯＭ 存储器基础上逐渐发展起来的一种新型 非易失性存储器。１９８４ 年，东芝公司的发明人 Ｆｕｊｉｏ Ｍａｓｕｏｋａ 提出闪存概念，按位编程、按块擦 除。它结合了已往 ＥＰＲＯＭ 结构简单、密度高和 ＥＥＰＲＯＭ 可电擦除的优点。与传统 ＥＥＰＲＯＭ 存 储器相比，最大区别在于按块擦除，按位编程， 从而实现高速擦除操作。此后，由于与生俱来的 高密度、低成本和高可靠性优点，闪存技术得以 迅速发展，出现了很多新型闪存技术。
ＮＡＮＤ（与非）型与 ＮＯＲ（或非）型。闪存厂 商也相应分成两大阵营。以英特尔 （Ｉｎｔｅｌ） 与超微 （ＡＭＤ）为首的厂商主导 ＮＯＲ 型闪存市场，而 东芝和三星则在 ＮＡＮＤ 型闪存领域处于领先水 平。根据 ｉＳｕｐｐｌｉ 的调查报告，２００６ 年这两种闪 存的全球前十大厂商市场份额如下。
1) NOR 型闪存
意法 ＳＧＳＡ ２９１５
海力士 （现代 ）
瑞萨
ＨＹＮＩ－Ｎ ＲＥＮＥ－Ｎ ＨＹＵＮ－Ｎ
１８２４５ ４６７５
１５９２５
索尼
ＮＸＰ （飞利浦 ）
英飞凌 （西门子 ／ 奇梦达 ）
ＳＯＮＹ
ＮＸＰＮ－Ｎ
ＩＮＦＮ ＳＩＥＩ
ＰＨＩＧ ＱＩＭＯ－Ｎ
１０２ ２８１２０
６０７０ １２３４８
５７８７
６８４
根据表一的统计结果，仅仅这十家半导体 厂商的专利申请量就占半导体领域总申请量的 五分之一，并且拥有相当多的核心专利。跨国 公司对技术的垄断由表一数据可见一斑。
这里借用创造性评价标准中的“所属技术 领域的技术人员”概念，检索者同样需要是“所 属技术领域的技术人员”，“他”能够知晓申请 日或者优先权日之前发明所属技术领域所有的 普通技术知识，能够获知该领域中所有的现有 技术。为了成为这样的“技术人员”，不仅需要 具备基本专业知识，还需要在平常工作中注意 总结，包括从专利文献、非专利文献、互联网
的特点相呼应。因为根据著名的摩尔定律，单 位存储密度每 １８ 个月翻一番，只有保持技术优 势，才能占领市场，在快速发展的半导体行业 立于不败之地。这一点也对本文从市场份额的 角度入手研究专利申请分布的方法提供了佐证。
2．闪存 (Flash) 根 据 阵 列 结 构 的 不 同， 闪 存 主 要 分 为
奇梦达 德 ２１９
２．０６％
ＳＳＴ 美 １１３ １．０６％
Ｉｎｔｅｌ 美 １０１ ０．９５％
Ａｔｍｅｌ 美 ５８
０．５５％
PATENT EXAMINATION REVIEW/2008.11 41
审查实务 14卷11期
注 ：Ｓｐａｎｓｉｏｎ 申 请 量 还 包 括 超 微（ＡＭＤ） 和富士通的申请 ；瑞萨申请量还包括三菱和日 立的申请。
另外，集邦科技列出的 ２００６ 年十大 ＤＲＡＭ 厂商的市场份额排名如下 ：
PATENT EXAMINATION REVIEW/2008.11 39
审查实务 14卷11期
表三 主要 ＤＲＡＭ 厂商市场份额排名 （２００６）
公司
国家 ／ 地区 市场 份额
三星 韩 ２５．８％
奇梦达 海力士
德
韩
１６．７Biblioteka Baidu １５．８％
有一席之地，其整体实力不可小觑。 根 据 以 上 排 名， 分 别 研 究 这 些 公 司 在
ＤＲＡＭ 领域专利申请的分布情况。这里结合 ＩＰＣ 分类号以及关键词在 ＷＰＩ 数据库中统计，其 中难免会有遗漏，但此统计结果已经可以反映 ＤＲＡＭ 领域的专利申请分布情况。结果见表四 ：
表四 ＤＲＡＭ 领域专利申请量分布（截至 ２００７．１２）
美国 １４．３％
日本 １０．１％
从表二可看出，韩系厂商市场占有率高达 ４１．６％，这得益于三星和海力士（原现代半导体） 强大的内存颗粒研发生产加工能力 ；德国占有 ＤＲＡＭ 将近六分之一的市场 ；美国和日本厂商 的占有率为十分之一多 ；而中国台湾地区包括
南亚、力晶、茂德、钰创和华邦在内的多家厂 商发力 ＤＲＡＭ 领域，产能迅速扩张，占据了六 分之一强的份额，成为市场亮点。
厂商
国家 ／ 地区 市场 份额
三星 韩 ４３．１％
东芝 日 ２７．８％
海力士 韩
１８．５％
瑞萨 日 ４．４％
美光 美 ３．０％
Ｉｎｔｅｌ 美 １．３％
意法 意、法 １．３％
奇梦达 德
０．６％
从表六可知，ＮＡＮＤ 型闪存领域主要由日 韩厂商主导，它们占有 ９３．８％ 的市场份额，传 统欧美公司如 Ｉｎｔｅｌ、ＡＭＤ 由于策略失误，将研 发重点放在 ＮＯＲ 型闪存领域，因此在 ＮＡＮＤ 领 域的发展被日韩厂商远远抛在后面。
从表七可看出，美日韩系厂商在闪存领域 的专利申请量占据绝对优势，此外，德国的奇 梦达、意大利法国合资的意法半导体和中国台 湾地区的旺宏相当。同样，申请量的分布也与 它们各自占有的市场份额相一致。
三、纵向分析
技术发展虽然看起来纷繁复杂，但它是有 清晰轨迹可循的，在每一时期都有重要的发明， 并在其基础上衍变出各种改进和变形方式，引 领特定技术领域走向新的时代。因此对于特定 技术领域，以时间为轴考查其在不同时期的发 展状况，可以抓住具有开创性的重要发明，从 而在纵向寻找到另一条清晰的主线。以下以闪 存为例简述对技术领域的纵向分析。
实力对比，从而沿着一条清晰的主线掌握现有 技术的脉络。如对于半导体存储器领域，可以 从以下的思路入手。
半导体存储器分为易失性存储器和非易失 性存储器，易失性存储器主要包括静态存储器 （ＳＲＡＭ） 和动态存储器 （ＤＲＡＭ），非易失性存储 器有只读存储器 （ＲＯＭ）、可擦除可编程存储器 （ＥＥＰＲＯＭ） 和闪存 （Ｆｌａｓｈ） 等。随着半导体技术的 发展，早期的存储器几乎被淘汰，目前 ＤＲＡＭ 和 闪 存 占 据 存 储 器 的 绝 大 部 分 市 场。 相 应 地， 其专利申请量也在半导体存储器领域占主要地 位。因此，针对 ＤＲＡＭ 和闪存进行横向分析。
38 PATENT EXAMINATION REVIEW/2008.11
审查实务 14卷11期
厂商
ＣＰＹ
半导 体领 域申 请量
表一 排名前十的半导体厂商申请量统计 （ 截至 ２００７．１２）
Ｉｎｔｅｌ
三星
东芝
ＴＩ
ＩＴＬＣ ＳＭＳＵ
ＴＯＫＥ ＴＯＳＨ－Ｎ
ＴＥＸＩ
３８００ ３８８９５ ５１６２１ ６６２７