3D封装技术 - 360文档中心

3d封装的格式

3D封装（3D Packaging）是一种用于电子产品的技术，它可以将多个芯片或组件封装在一个小型的封装体内，以提高电路板的集成度和可靠性。

常见的3D封装格式有以下几种：
1. 2.5D封装：这种封装是在传统的2D封装的基础上，增加了垂直方向的电路连接，以实现更高的集成度。

它可以容纳更多的芯片或组件，同时保持电路板的尺寸较小。

2. 3D堆叠封装：这种封装技术是将多个独立的芯片或组件垂直堆叠在一起，通过电镀金属连接，形成一个完整的电路板。

它可以实现更高的性能和更高的集成度，但同时也需要更高的制造成本和技术要求。

3. 芯片内封装（Chip-level Packaging）：这种封装技术是将芯片直接封装在一个小型的封装体内，以实现更高的集成度和更好的性能。

它可以容纳更多的芯片在一个电路板上，同时保持电路板的尺寸较小。

在封装过程中，需要考虑到封装体的结构、散热性能、电气性能、机械性能等因素。

此外，封装体还需要能够适应不同的制造工艺和技术要求，以确保封装的可靠性。

封装格式的选择应根据具体的应用场景和需求来决定。

在一些高密度、高性能的电子设备中，如手机、平板电脑、物联网设备等，采用3D封装可以大大提高电路板的集成度和性能。

但是，对于一些对成本和技术要求较低的应用场景，传统的2D封装可能更合适。

综上所述，以上几种3D封装格式都有其独特的优点和适用场景。

在实际应用中，应根据具体需求和条件来选择合适的封装格式。

同时，随着技术的不断发展和进步，未来可能会出现更多新型的3D封装格式，以满足不同领域和场景的需求。

以上回答仅供参考，希望对您有所帮助。

三维芯粒堆叠封装技术

三维芯粒堆叠封装技术
三维芯粒堆叠封装技术，也称为3D封装，是一种在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术。

相较于传统的2D封装，3D封装具有更小的封装面积、更低的功耗以及超大的带宽。

这种封装技术通过在垂直方向上堆叠芯片，可以大大提高芯片的性能和集成度。

三维芯粒堆叠封装技术主要通过以下两种方式实现：
1.封装内的裸片堆叠：这种方式主要是将多个芯片直接堆叠在一起，通过金丝键合或者其
他连接方式实现芯片之间的互连。

这种方式可以实现较高的集成度，但连接复杂度和成本也相对较高。

2.封装堆叠：这种方式是将已经封装好的芯片再次进行堆叠，通过外部连接实现芯片之间
的互连。

这种方式相对简单，成本较低，但集成度可能受到一定限制。

在三维芯粒堆叠封装技术中，TSV（Through Silicon Via）技术是一项重要的技术。

TSV技术可以穿过硅基板实现硅片内部垂直电互联，这项技术是目前唯一的垂直电互联技术，是实现3D先进封装的关键技术之一。

TSV技术通过垂直互连减小了芯片间互联长度和信号延迟，降低了电容，实现了芯片间的低功耗和高速通讯，大幅提升了提升芯片性能，是解决摩尔定律失效的重要技术之一。

此外，三维芯粒堆叠封装技术还需要解决一些可靠性问题，如不同芯片之间的热匹配、应力匹配等问题。

同时，由于需要在垂直方向上进行堆叠，因此还需要考虑散热、测试以及维修等问题。

总的来说，三维芯粒堆叠封装技术是一种具有很高潜力的封装技术，可以大大提高芯片的性能和集成度。

然而，它也需要解决一些技术难题，并在实际应用中进行验证和优化。

三维集成电路封装技术的研究进展

三维集成电路封装技术的研究进展三维集成电路（3D-IC）封装技术的研究进展概述：三维集成电路（3D-IC）作为一种新型的封装技术，已经引起了广泛的关注。

它通过将多个晶片垂直堆叠以及互连，提供了更高的集成度和性能，同时减少了电路尺寸和功耗。

本文将介绍三维集成电路封装技术的研究进展，包括其原理、优势、挑战以及最新的发展。

一、三维集成电路封装技术的原理：三维集成电路封装技术通过将多个晶片以垂直的方式堆叠在一起，实现了不同功能单元的紧密集成。

这种封装方式在垂直方向上提供了更多的连线资源，并且可以大幅度缩短信号传输路径，从而提高系统的性能和速度。

在三维封装中，上下层之间的互连通过穿插在晶片周围的TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）实现。

TSV是一种垂直连接技术，通过在晶片上进行空穴或金属填充，使位于不同晶片之间的电路能够相互连接。

二、三维集成电路封装技术的优势：1. 更高的集成度：通过垂直堆叠多个晶片，三维集成电路封装技术可以在相同尺寸的封装中提供更多的功能单元，从而大幅度提高芯片的集成度。

2. 较低的功耗和延迟：由于信号传输路径更短，三维集成电路封装技术可以降低功耗并减少传输延迟，提高系统的整体性能。

3. 更高的带宽和频率：三维封装中的TSV互连提供了更多的连线资源，可以支持更高的数据传输速率和工作频率。

4. 优化系统面积：三维集成电路封装技术可以减小整个系统的面积，因为堆叠的晶片可以大幅度减小芯片的尺寸。

三、三维集成电路封装技术的挑战：尽管三维集成电路封装技术有诸多优势，但也面临着一些挑战。

以下是一些主要的挑战：1. 温度管理：在三维封装中，不同层之间的热量可能无法有效传导，导致局部热点的形成。

因此，温度管理成为了一个重要的问题，需要采取合适的散热措施。

2. 可靠性和一致性：由于封装中存在多个晶片，在制造过程中需要保证层与层之间的一致性和连接可靠性。

这对于生产商来说是一个挑战，需要严格的工艺控制和质量检测。

3d封装原理

3d封装原理3D封装原理3D封装是一种将电子元件和电路连接技术应用于三维空间的封装技术。

它是二维封装技术的升级版，可以将更多的功能集成到更小的封装体积中，提高电路的性能和可靠性。

本文将介绍3D封装的基本原理和应用。

一、背景介绍随着电子设备的迅速发展，对于电路的集成度和性能要求越来越高。

传统的二维封装技术已经难以满足这些需求，因此3D封装技术应运而生。

3D封装技术通过将电子元件和电路堆叠在三维空间中，实现更高的集成度和更小的封装体积，从而实现更高的性能和更低的功耗。

二、3D封装的基本原理1. 堆叠封装：3D封装技术的核心是将多个封装层通过堆叠的方式进行连接。

在每个封装层中，可以集成不同的电子元件和电路，例如处理器、存储器、传感器等。

通过堆叠封装，可以将多个封装层之间的连接长度缩短，减少信号传输的延迟和功耗。

2. 互联技术：3D封装中，需要通过互联技术将不同封装层中的电子元件和电路连接起来。

目前常用的互联技术包括焊接、金线连接、微球连接等。

这些互联技术需要高精度的加工和组装技术，以确保连接的可靠性和稳定性。

3. 散热技术：由于3D封装中电子元件和电路的集成度非常高，会产生大量的热量。

为了保证电子元件的正常工作，需要采用散热技术来有效地降低温度。

常用的散热技术包括热传导材料、散热片、风扇等。

三、3D封装的应用1. 移动设备：随着移动设备的普及，对于电池续航时间和性能要求越来越高。

3D封装技术可以将处理器、存储器和其他电路集成在一起，实现更高的性能和更低的功耗，从而延长电池续航时间。

2. 人工智能：人工智能技术的发展对电子设备的性能提出了更高的要求。

3D封装技术可以将处理器、神经网络和其他电路集成在一起，实现更高的计算性能和更低的功耗，从而提高人工智能设备的性能和效率。

3. 无线通信：无线通信设备对于尺寸和功耗有较高的要求。

3D封装技术可以将射频芯片和其他电路集成在一起，实现更小的尺寸和更低的功耗，从而提高无线通信设备的性能和可靠性。

三维封装的现在和未来..

三维封装的现在和未来微电子学一班随着便携式电子系统复杂性的增加, 对VLSI集成电路用的低功率、轻型及小型封装的生产技术提出了越来越高的要求。

同样, 许多航空和军事应用也正在朝该方向发展。

为满足这些要求, 现在产生了许多新的3- D 封装技术, 或是将裸芯片, 或是将MCM 沿z 轴叠层在一起, 这样, 在小型化方面就取得了极大的改进同时, 由于z 平面技术总互连长度更短, 会产生寄生电容, 因而系统功耗可降低约30%。

三维(3D)封装技术的分类三维封装的结构类型有3种: 一是埋置型3D封装,即在多层基板底层埋置IC 芯片,顶层组装IC芯片,其间高密度互连; 二是有源基板型3D封装,即在Si或GaAs 衬底上制造多层布线和多种集成电路,顶层组装模拟IC芯片和其它元器件; 三是叠层型3D封装,即把多个裸芯片或封装好芯片或多芯片模块( MCM)沿Z轴叠装、互连,组装成3D封装结构。

由于叠层型3D封装适用范围广,并且工艺相对简单,成本相对较低,已引起国外多家公司的注意,如Actel , IBM, Harris, Mo to rola 等著名公司都在积极开展叠层型3D封装的研究工作。

下面将重点介绍叠层型3D封装。

1.埋置型3D 结构这是一种实施最早( 八十年代) , 也是最为灵活方便的3D, 同时又可作为后布线的芯片互连技术, 能大大减少焊点, 提高电子产品可靠性的电子封装技术。

埋置型3D 结构又可分为基板开槽埋置型和多层布线介质埋置型, 如图1所示。

在混合集成电路( H IC) 多层布线中埋置R、C 元件已经普遍, 而埋置IC芯片和R、C 后的布线顶层仍可贴装各类IC 芯片, 就可构成更高组装密度的3D-MCM 结构。

由于布线密度及功率密度都很高, 所以这种3D-MCM 所使用的基板多为高导热的Si 基板、AIN 基板或金属基板。

上图是AIN 基板多层布线介质埋置IC 的3D-MCM 结构, 制作方法与常规多层布线技术相同。

三维封装的现在和未来

三维封装的现在和未来微电子学一班随着便携式电子系统复杂性的增加, 对VLSI集成电路用的低功率、轻型及小型封装的生产技术提出了越来越高的要求。

同样, 许多航空和军事应用也正在朝该方向发展。

为满足这些要求, 现在产生了许多新的3- D 封装技术, 或是将裸芯片, 或是将MCM 沿z 轴叠层在一起, 这样, 在小型化方面就取得了极大的改进同时, 由于z 平面技术总互连长度更短, 会产生寄生电容, 因而系统功耗可降低约30%。

三维(3D)封装技术的分类三维封装的结构类型有3种: 一是埋置型3D封装,即在多层基板底层埋置IC 芯片,顶层组装IC芯片,其间高密度互连; 二是有源基板型3D封装,即在Si或GaAs 衬底上制造多层布线和多种集成电路,顶层组装模拟IC芯片和其它元器件; 三是叠层型3D封装,即把多个裸芯片或封装好芯片或多芯片模块( MCM)沿Z轴叠装、互连,组装成3D封装结构。

由于叠层型3D封装适用范围广,并且工艺相对简单,成本相对较低,已引起国外多家公司的注意,如Actel , IBM, Harris, Mo to rola 等著名公司都在积极开展叠层型3D封装的研究工作。

下面将重点介绍叠层型3D封装。

1.埋置型3D 结构这是一种实施最早( 八十年代) , 也是最为灵活方便的3D, 同时又可作为后布线的芯片互连技术, 能大大减少焊点, 提高电子产品可靠性的电子封装技术。

埋置型3D 结构又可分为基板开槽埋置型和多层布线介质埋置型, 如图1所示。

在混合集成电路( H IC) 多层布线中埋置R、C 元件已经普遍, 而埋置IC芯片和R、C 后的布线顶层仍可贴装各类IC 芯片, 就可构成更高组装密度的3D-MCM 结构。

由于布线密度及功率密度都很高, 所以这种3D-MCM 所使用的基板多为高导热的Si 基板、AIN 基板或金属基板。

上图是AIN 基板多层布线介质埋置IC 的3D-MCM 结构, 制作方法与常规多层布线技术相同。

3d封装原理

3d封装原理3D封装原理是指将电子元器件包装成三维结构，以保护电子元器件并提供连接和封装功能的过程。

3D封装技术主要涉及芯片封装、芯片堆叠和系统封装等方面。

1. 芯片封装：将芯片进行封装，通常采用的封装方式有裸芯封装、裸颗粒封装和球栅阵列（GA）等。

裸芯封装是将裸片直接封装在封装材料中，并通过焊接或者金线连接来实现电气连接；裸颗粒封装是将芯片颗粒和其他连接材料封装到封装材料中；球栅阵列封装是通过在芯片的输入和输出端部加上金属球，使电子元器件可以与封装基板进行连接。

芯片封装技术主要用于提供电气连接功能和保护芯片。

2. 芯片堆叠：芯片堆叠是指将多个芯片堆叠在一起并进行连接的技术。

通过芯片堆叠，可以在有限的面积内集成更多的功能单元，提高芯片的性能密度和功能性。

芯片堆叠技术主要包括晶圆堆叠和片上堆叠两种方式。

晶圆堆叠是将多个芯片直接从晶圆上剥离并堆叠在一起；片上堆叠是在同一晶圆上先制作多个芯片，再进行堆叠和连接。

芯片堆叠技术主要用于提高芯片的性能和功能集成。

3. 系统封装：通过将多个封装芯片堆叠在一起，并与其他电子元件进行连接，形成完整的系统封装。

系统封装一般包括多个层次，从芯片级封装到模组级、系统级封装。

系统封装技术通过优化封装结构和信号传输路径，提高系统的性能和可靠性，并能够满足不同应用需求。

常用的系统封装方式有多芯片模块(MCM)封装、系统级封装(SIP)和三维系统封装等。

系统封装技术主要用于提供连接、保护和减小尺寸等功能。

总的来说，3D封装原理使用封装材料、连接材料和技术手段将电子元器件进行封装，并通过堆叠和连接方式实现功能集成和性能提升。

微电子3D封装技术发展

微电子3D封装技术发展摘要：芯片等电子元器件随着工艺制程的不断改进而飞速发展，呈现出能耗比降低、集成度提高、可靠性上升和趋势，3D封装技术便在其实起到了非常重要的作用。

3D封装目前凭借着集成度高、质量轻、封装体积小、工艺成本低等优势已成为电子元器件封装的新方向。

本文通过简述3D封装技术，在此基础上对我国3D封装技术应用与发展状态进行了分析，以期能够指导我国微电子封装产业进一步发展完善。

关键词：微电子；3D封装技术；发展电子信息产业作为工业信息化的产业基石，其应用范围已渗透到人们生产生活的各个领域，并且发挥着不可替代的关键作用。

因此，我国为了大力推动电子信息产业发展，开始着力于电子元器件的封装技术。

由于产业应用广泛、市场广阔，3D封装技术也在国内逐渐进入应用与发展相互循环的状态，目前主要的3D封装工艺为堆叠式3D封装。

为使的产业发展更加高效，有必要对3D封装技术的发展进行分析探讨。

1堆叠式3D封装主要分类和性能特点堆叠式3D封装广泛应用于高度集成集成的微电子元器件，通过将不同的芯片或者模块通在垂直方向上集成的系统级封装技术，主要用于对对芯片的封装和对封装进行组合后的再次封装。

芯片封装包含两种形式，一种是将不同芯片引脚分层键合来实现多芯片堆叠，另一种则是采用硅通孔技术将芯片垂直堆叠。

而对封装进行堆叠封装则主要采用堆叠封装、堆叠组装以及二者混合应用的封装方式。

1.1芯片堆叠芯片的堆叠主要包括芯片间堆叠D2D、芯片圆片堆叠D2W以及圆片间堆叠W2W等几种方式，其原理和特点介绍如下：1.1.1 芯片间堆叠D2D堆叠方式是目前主要芯片封装连接方式之一，它通过将多个芯片线相互键合来实现芯片间交联，并将这些芯片在Z轴方向上叠放，从而实现高集成度封装，其主要流程如下：打磨晶圆→晶圆覆膜→分割晶圆→晶圆贴合→引线键合→芯片堆叠→引线键合→查验→塑封→镀膜→标签→后处理成形。

为了防止引线间发生寄生效应，在封装中需要确保更堆叠层之间具有足够的空间，只是D2D封装成功的关键，而可采取的处理方式主要有如图1～图4所示的4种。

3d封装技术的演进过程

3d封装技术的演进过程
3D封装技术的演进过程可以分为以下几个阶段：
1. 焊盘式封装（BGA、QFN）：这是最早期的3D封装技术，通过在封装底部增加焊盘，来提供更多的连接点，增加器件的密度和性能。

2. 堆叠封装（3D IC）：随着半导体技术的进步，可以在同一器件内部堆叠多个芯片，从而进一步提高器件的密度和性能。

这种封装技术可以使不同功能的芯片互相连接，实现更高级的集成。

3. 空间封装（3D Packaging）：与堆叠封装类似，空间封装是指在垂直方向上将多个硅片堆叠在一起，并使用硅薄片或者封装底部腔体连接它们。

这种封装技术可以提供更高的集成度和更小的尺寸。

4. 组合封装（Chiplet）：组合封装是指将不同功能的芯片（Chiplet）分别封装，然后通过高密度互连技术在芯片级别上互相连接。

这种封装技术可以实现芯片级别的定制化，同时还可以提供更灵活、可升级的解决方案。

5. 整体封装（Wafer-level packaging）：整体封装是指在芯片级别上进行封装，即将多个芯片分别封装在同一块硅片上，并通过互连技术进行连接。

这种封装技术可以在尺寸和性能方面提供更大的优势。

总的来说，3D封装技术的演进过程是从焊盘式封装开始，经过堆叠封装、空间封装、组合封装，最终发展到整体封装。

这些技术的发展使得半导体器件的集成度和性能得到了极大的提升，为电子行业的发展提供了更多的可能性。

三维封装的现在和未来综述

三维封装的现在和未来微电子学一班随着便携式电子系统复杂性的增加, 对VLSI集成电路用的低功率、轻型及小型封装的生产技术提出了越来越高的要求。

同样, 许多航空和军事应用也正在朝该方向发展。

为满足这些要求, 现在产生了许多新的3- D 封装技术, 或是将裸芯片, 或是将MCM 沿z 轴叠层在一起, 这样, 在小型化方面就取得了极大的改进同时, 由于z 平面技术总互连长度更短, 会产生寄生电容, 因而系统功耗可降低约30%。

三维(3D)封装技术的分类三维封装的结构类型有3种: 一是埋置型3D封装,即在多层基板底层埋置IC 芯片,顶层组装IC芯片,其间高密度互连; 二是有源基板型3D封装,即在Si或GaAs 衬底上制造多层布线和多种集成电路,顶层组装模拟IC芯片和其它元器件; 三是叠层型3D封装,即把多个裸芯片或封装好芯片或多芯片模块( MCM)沿Z轴叠装、互连,组装成3D封装结构。

由于叠层型3D封装适用范围广,并且工艺相对简单,成本相对较低,已引起国外多家公司的注意,如Actel , IBM, Harris, Mo to rola 等著名公司都在积极开展叠层型3D封装的研究工作。

下面将重点介绍叠层型3D封装。

1.埋置型3D 结构这是一种实施最早( 八十年代) , 也是最为灵活方便的3D, 同时又可作为后布线的芯片互连技术, 能大大减少焊点, 提高电子产品可靠性的电子封装技术。

埋置型3D 结构又可分为基板开槽埋置型和多层布线介质埋置型, 如图1所示。

在混合集成电路( H IC) 多层布线中埋置R、C 元件已经普遍, 而埋置IC芯片和R、C 后的布线顶层仍可贴装各类IC 芯片, 就可构成更高组装密度的3D-MCM 结构。

由于布线密度及功率密度都很高, 所以这种3D-MCM 所使用的基板多为高导热的Si 基板、AIN 基板或金属基板。

上图是AIN 基板多层布线介质埋置IC 的3D-MCM 结构, 制作方法与常规多层布线技术相同。

三维3D叠层封装技术及关键工艺技术

三维3D叠层封装技术及关键工艺技术引言随着电子产品设计的不断发展和进步，对于芯片封装技术的要求也越来越高。

传统的二维封装技术已经无法满足日益复杂的电子器件和系统的需求，因此三维3D叠层封装技术应运而生。

本文将介绍三维3D叠层封装技术的概念、原理以及关键工艺技术。

三维3D叠层封装技术概述三维3D叠层封装技术是一种将不同功能的芯片垂直堆叠在一起的封装技术。

与传统的二维封装技术相比，三维3D叠层封装技术具有更高的集成度、更小的封装尺寸、更短的信号传输距离等优势。

它能够提高芯片的性能、降低功耗，并实现更多的功能集成。

三维3D叠层封装技术的原理三维3D叠层封装技术的基本原理是将不同功能的芯片通过微观连接器和封装材料进行垂直叠层。

垂直堆叠的芯片通过微观通道进行信号和功率的传输，从而实现不同芯片之间的互联和通信。

这种垂直堆叠的结构能够提高芯片的集成度，同时减小芯片之间的信号传输距离，提高信号传输速度和可靠性。

三维3D叠层封装技术的关键工艺技术1. 薄型芯片制备技术薄型芯片制备技术是三维3D叠层封装技术中的关键工艺技术之一。

传统的芯片厚度通常在几十微米到几百微米之间，而在三维3D叠层封装技术中，芯片的厚度需要控制在几个微米到几十微米之间，以便实现芯片的垂直堆叠。

薄型芯片制备技术包括薄化工艺、薄膜传输技术和焊接技术等。

2. 互连与封装材料技术互连与封装材料技术是三维3D叠层封装技术中的另一个关键工艺技术。

不同功能的芯片之间需要进行信号和功率的传输，而这需要使用高密度的互连和封装材料。

目前，常用的互连技术有铜柱连接和焊接连接等，而封装材料则主要包括金属封装材料和高分子封装材料等。

3. 散热与热管理技术在三维3D叠层封装技术中，芯片的集成度和功耗都很高，因此散热与热管理技术至关重要。

散热与热管理技术包括芯片与封装材料之间的散热接触技术、散热材料的选择和热管理回路的设计等。

只有有效地解决散热问题，才能保证芯片在高性能运行时的稳定性和可靠性。

3D封装材料技术及其优点

3D封装材料技术及其优点随着移动电话等电子器件的不断飞速增长，这些器件中安装在有限衬底面积上的半导体封装也逐渐变小变薄。

3D封装对减少装配面积非常有效。

此外，系统级封装(SiP)技术(将二个或多个芯片安装在一个封装件中)对于提高处理速度和改善功耗的作用显着(图1)。

为满足这一要求，不仅是每一种封装材料的特性非常重要，而且这些材料的组合也变得很重要。

本文重点介绍了材料、材料设计技术以及二者的结合，例如多芯片叠层封装、用于堆叠封装的环氧模塑料和衬底以及用于先进倒装芯片封装的底充胶材料。

3D封装用的先进材料技术先进封装(包括3D封装)将用到各种不同的材料。

例如前道材料中的低K材料、缓冲涂层和CMP研磨料，后道材料中的芯片键合膜、浆料、环氧模塑料、液态模封材料、衬底、阻焊剂等等。

采用这些材料可以制作各种各样的先进封装。

用于多芯片叠层封装的芯片键合膜存储器件广泛关注多芯片叠层封装能否实现性能更高、体积更小且更薄。

图2(上)示出了多芯片叠层封装的典型结构和发展趋势。

此时，芯片键合膜(DAF)的性质对提高封装性能极为重要。

晶圆厚度与日俱减，堆叠芯片的数目则不断增加。

由此产生了下列问题(图2下)：DAF层压DAF后薄晶圆的翘曲;将芯片粘到衬底后封装的翘曲;热循环测试过程中的分层和芯片破裂。

为了解决这些问题，研发了用于DAF的新颖聚合物合金系统。

这一材料的弹性模量低，抗热性能好，能有效地减少叠层CSP的翘曲和热应力。

堆叠封装(PoP)用的环氧模塑料和衬底PoP是堆积一个或多个芯片封装的安装形式。

一般说来，PoP是将存储器封装堆叠在逻辑封装之上，以节省PCB空间。

由于在PoP中的总封装高度增加了，必须尽可能减薄衬底和模塑材料的厚度(图3)。

较薄封装的麻烦之处是PoP的连接问题，这一点在顶层封装和底层封装的翘曲程度不一样时尤为严重。

所以，控制或减少每一封装的翘曲很重要。

由于衬底、环氧模塑料(EMC)和底充胶材料(UF)的热膨胀性质直接影响封装的翘曲，因此，调整这些材料的性质比过去更为重要。

3D封装技术简介

3D封装技术简介3D晶圆级封装，英文简称(WLP)，包括CIS发射器、MEMS封装、标准器件封装。

是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。

主要特点包括：多功能、高效能;大容量高密度，单位体积上的功能及应用成倍提升以及低成本。

一：封装趋势是叠层封(PoP);低产率芯片似乎倾向于PoP。

二：多芯片封装(MCP)方法，而高密度和高性能的芯片则倾向于MCP。

三：以系统级封装(SiP)技术为主，其中逻辑器件和存储器件都以各自的工艺制造，然后在一个SiP封装内结合在一起。

大多数闪存都采用多芯片封装(MCP，Multichip Package)，这种封装，通常把ROM和RAM封装在一块儿。

多芯封装(MCP)技术是在高密度多层互连基板上，采用微焊接、封装工艺将构成电子电路的各种微型元器件(裸芯片及片式元器件)组装起来，形成高密度、高性能、高可靠性的微电子产品(包括组件、部件、子系统、系统)。

技术上，MCP追求高速度、高性能、高可靠和多功能，而不像一般混合IC技术以缩小体积重量为主。

但随着Flash闪存以及DRAM闪存追求体积的最小化，该封装技术由于使用了金属丝焊接，在带宽和所占空间比例上都存在劣势，而WSP封装技术将会是一个更好解决方案。

离子注入 Ion Implantation晶圆衬底是纯硅材料的，不导电或导电性极弱。

为了在芯片内具有导电性，必须在晶圆里掺入微量的不纯物质，通常是砷、硼、磷。

掺杂可以在扩散炉中进行，也可以采用离子注入实现。

一些先进的应用都是采用离子注入掺杂的。

离子注入有中电流离子注入、大电流/低能量离子注入、高能量离子注入三种，适于不同的应用需求。

热处理 Thermal Processing利用热能将物体内产生内应力的一些缺陷加以消除。

所施加的能量将增加晶格原子及缺陷在物体内的振动及扩散，使得原子的排列得以重整。

3D封装技术详解

设计及可靠性控制都比2D芯片封装更具挑战性。研究3D封装的结构设计与散热设计具
有非常迫切的卵论意义和实际应用价值。
本节内容介绍
（1）3D封装结构形式；（2）封装堆叠3D封装结构；
（3）叠层式3D封装的结构；
（4）叠层3D封装方式的技术特点；
3D封装结构形式
3D封装结构可以通过两种方法实现：封装内的裸芯片堆叠 (图1)和封装内的封装堆叠(如图2、图3。电子制造及半导体封装
3D封装技术
教学目标：
（1）了解3D封装的结构形式；（重难点）
（2）了解叠层3D封装方式的技术特点；
引入课题
3D封装技术又称立体封装技术，是在X—Y平面的二维封装的基础上向空间发展的高
密度封装技术。终端类电子产品对更轻、更薄、更小的追求推动了微电子封装朝着高密度的维(3D)封装方向发展，3D封装提高了封装密度、降低了封装成本，减小芯片之间互连导线的长度从而提高器件的运行速度，通过芯片堆叠或封装堆叠的方式实现器件功能的增加。3D封装虽可有效的缩减封装面积与进行系统整合，但其结构复杂散热
3D封装结构形式
3D封装结构可以通过两种方法实现：封装内的裸芯片堆叠 (图1)和封装内的封装堆叠(如图2、图3)。
封装堆叠3D封装结构
封装体堆叠的3D封装一般是将大量同一类型的小规模存储器封装相重叠，构成大规模的存储器。一般是利用原有标准封装体的端子排布，将重叠在一起的小规模存储器封装体的相同端子钎焊在一起，实现封装体之间的电气连接。
封装堆叠3D封装结构
封装堆叠包括翻转一个已经检测过的封装，并堆叠到一个基底封装上面，后续的互连采用线焊工艺，封装堆叠在印制板装配的时候需要另外的表面安装堆叠T艺。
叠层式3D封装的结构

3D封装技术及其发展

电子知识3D封装(5)随着国际电子信息行业新的变革，3D封装蓬勃兴起。

为了在封装之内硬塞进更多功能，芯片制造商被推到了极限。

此外，我们不能忘记更加棘手的互连问题。

采用Z方向封装，或者说3D芯片封装是很好很合理的解决方式。

3D封装的出现，改变了以往先封装后组装的模式，使封装工艺与前道工艺紧密地结合在一起。

为了延续摩尔定律的增长趋势，芯片技术已进入“超越摩尔定律”的3D集成时代。

以模块化封装，晶圆级封装和硅通孔技术为标准的3D封装集成技术将加速CMOS晶圆厂的合并、以及向无晶圆厂模式转变的趋势，最终3D封装技术与SMT技术合二为一。

3D封装发展中的难题：1，减薄：减薄技术面临的首要挑战就是超薄化工艺所要求的<50μm的减薄能力。

2，3D-TSV面临通孔的刻蚀问题。

3，质量评价与检测技术相关设备。

4，实时工艺过程的实时检测问题：这一问题会导致出现高损耗。

3D技术遇到的这些问题现已经解决。

电子发烧友们已经研究出了相应的解决方法与仪器。

许多公司都在寻求密度更高的3D芯片封装。

Amkor、IBM、IMEC、Intel、Qimonda AG、Samsung, STATS ChipPAC、Tessera、德州仪器、Tezzaron、Xanoptix、Ziptronix以及ZyCube 都在研究3D芯片封装。

例如，先进半导体组装和测试服务提供商Amkor技术公司，以及位于比利时的非赢利性的纳米电子和纳米技术研究中IMEC，达成了一个为期两年的合作协议，开发成本效益高的3D集成技术，此技术将基于晶圆级处理技术。

另外IBM和3M公司计划联合开发粘合剂把半导体封装为密集地叠放的芯片塔—3D封装。

使用这种芯片将提高智能手机、平板电脑、计算机和游戏设备的速度。

估计将实现提速1000倍。

可见3D封装技术正一步步走向成熟，正慢慢的成为封装技术的首选。

小编相信3D封装会在检测仪器与接口器件等领域掀起一股革新的潮流，必将为封装技术的发展做出巨大的贡献。