半导体物理复习试题

半导体复习试题
1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ）
A. 平衡载流子浓度成正比
B. 非平衡载流子浓度成正比
C. 平衡载流子浓度成反比
D. 非平衡载流子浓度成反比
2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是：
含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3
室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ）
A. 甲乙丙
B. 甲丙乙
C. 乙甲丙
D. 丙甲乙3．有效复合中心的能级必靠近( A )
禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级
4．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ）
A.1/n0
B.1/△n
C.1/p0
D.1/△p 5．以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（D ）
A. Si
B. Ge
C. GaAs
D. GaN
6. 半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于金刚石结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成闪锌矿和纤锌矿等两种晶格结构。

7. 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为直接禁带半导体，否则称为间接禁带半导体，那么按这种原则分类，GaAs属于直接禁带半导体。

8. 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有晶格振动散射、电离杂质散射、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。

9. 半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：带间电子-空穴直接复合和通过禁带内的复合中心进行复合。

10. 反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：雪崩击穿和隧道击穿。

11. 受主能级：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级。

正常情况下，此能级为空穴所占据，这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。

12. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。

13. 空穴：当满带顶附近产生P 0个空态时，其余大量电子在外电场作用下所产生的电流，可等效为P 0个具有正电荷q 和正有效质量m p ，速度为v (k )的准经典粒子所产生的电流，这样的准经典粒子称为空穴。

14. 过剩载流子：在光注入、电注入、高能辐射注入等条件下，半导体材料中会产生高于热平衡时浓度的电子和空穴，超过热平衡浓度的电子△n=n-n 0和空穴△p=p-p 0称为过剩载流子。

15. 费米能级、化学势：费米能级与化学势：费米能级表示等系统处于热平衡状态，也不对外做功的情况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势。

处于热平衡的系统有统一的化学势。

这时的化学势等于系统的费米能级。

费米能级和温度、材料的导电类型杂质含量、能级零点选取有关。

费米能级标志了电子填充能级水平。

费米能级位置越高，说明较多的能量较高的量子态上有电子。

随之温度升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的几率下降，而电子占据能量大于费米能级的量子态的几率增大。

16. 当电子和空穴的浓度是空间和时间的函数时，它们随时间的变化率将由载流子的扩散、漂移及其产生和复合所决定，由电子数、空穴数的守恒原则，试写出载流子随时间的净变化率（p t
∂∂）和（n t ∂∂），并加以说明。

解：载流子随时间的净变化率（p t
∂∂）和（n t ∂∂）为 22()() ()()p p G p n n G n
p p p D p p t t n n n D n n t t μεδτμεδτ∂∂∆∆⎫==∇-∇+-⎪∂∂⎪⎬∂∂∆∆⎪==∇+∇+-⎪∂∂⎭
右边第一项为扩散项，第二项为漂移项，第三项为产生，第四项为复合。

注意ε为电场，是几何空间坐标的函数，该式为连续性方程.
17. 请描述小注入条件正向偏置和反向偏置下的pn 结中载流子的运动情况，写出其电流密度方程，请解释为什么pn 结具有单向导电性？
解：在p-n 结两端加正向偏压V F , V F 基本全落在势垒区上，由于正向偏压产生的电场与内建电场方向相反，势垒区的电场强度减弱，势垒高度由平衡时的qV D 下降到q(V D -V F )，耗尽区变窄，因而扩散电流大于漂移电流，产生正向注入。

过剩电子在p 区边界的结累，使－x Tp 处的电子浓度由热平衡值n 0p 上升并向p 区内部扩散，经过一个扩散长度L n 后，又基本恢复到n 0p 。

在-x Tp 处电子浓度为n(-x Tp )，同理，空穴向n 区注入时，在n 区一侧x Tn 处的空穴浓度上升到p(x Tn )，经Lp 后，恢复到p 0n 。

反向电压V R 在势垒区产生的电场与内建电场方向一致，因而势垒区的电场增强，空间电荷数量增加，势垒区变宽，势垒高度由qV D 增高到q(V D +V R ).势垒区电场增强增强，破坏了原来载流子扩散运动和漂移运动的平衡，漂移运动大于扩散运动。

这时，在区边界处的空穴被势垒区电场逐向p 区，p 区边界的电子被逐向n 区。

当这些少数载流子被电场驱走后，内部少子就来补充，形成了反向偏压下的空穴扩散电流和电子扩散电流。

电流密度方程：exp 1 D s B qV j j k T ⎡⎤⎛⎫=-⎢⎥ ⎪⎝⎭⎣⎦
正向偏置时随偏置电压指数上升，反向偏压时，反向扩散电流与V 无关，它正比于少子浓度，数值是很小的，因此可以认为是单向导电。

18. 已知室温时锗的本征载流子浓度，均匀掺杂百万分之一的硼
原子后，又均匀掺入1.442×1017cm -3的砷，计算掺杂锗室温时的多子浓度和少子浓度以及E F 的位置。

（10分）
解：硼的浓度：N A ＝4.42×1016 cm -3。

有效施主杂质浓度为：N D =(14.42-4.42) ⨯1016 cm -3=1017 cm -3
室温时下杂质全部电离，由于有效杂质浓度远大于本征载流子浓度2.4×1013cm -3，锗半导体处于饱和电离区。

多子浓度n 0＝N D ＝1017cm -3
少子浓度p 0=n i 2/n 0==(2.4⨯1013)2 /1017=5.76⨯109(cm -3)
费米能级：E F =E C +k 0Tln(N D /N C )=E C +0.026ln[1017/(1.1⨯1019)]=E C - 0.122(eV)
313101.2-⨯=cm n i
19. 掺有1.1×1015 cm -3硼原子和9×1014 cm -3磷原子的Si 样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。

解：对于Si ：N D =9 ×1014cm -3；N A ＝1.1×1015cm -3；T ＝300K 时 n i =2.4×1013cm -3.
多子浓度:；
少子浓度:
3. 由电阻率为4cm .Ω的p 型Ge 和0.4cm .Ω的n 型Ge 半导体组成一个p-n 结，计算在室温（300K ）时内建电势V D 和势垒宽度x D 。

已知在上述电阻率下，p 区
的空穴迁移率,./16502S V cm p =μ n 区的电子迁移率S V cm n ./3000
2=μ，Ge 的本征载流子浓度313/105.2cm n i ⨯=，真空介电常数.16,/1085.8120=⨯=-s m F εε 解：15319111 4.34100.4 1.6103600n n n n n nq n cm q σμρρμ--=
=⇒===⨯⨯⨯⨯ 143p 191119.19104 1.6101700
p p p p pq p cm q σμρρμ--==⇒===⨯⨯⨯⨯ ()
231514
2219131.3810300 4.34109.1910ln ln 0.22671.610 2.510D i KT np V V q n --⨯⨯⨯⨯⨯===⨯⨯ 1/114151242
1910514528.8510160.2267 4.34109.19101.610 4.34109.1910 72.2710s D A D D D A cm N N x V q N N εε---⎡⎤⎛⎫⨯⨯⨯⨯⨯+⨯⎢⎥ ⎪⨯⨯⨯⨯⎝⎡⎤⎛⎫+=⎭⎣⎦=⨯=⎢⎥ ⎪⎝⎭⎣
⎦
3140102-⨯=-=cm N N n A D 3123142
130201088.2cm 102)104.2(--⨯=⨯⨯==cm n n p i cm q n pq nq n p n .01.83900106.110211119140Ω=⨯⨯⨯⨯=≅+=-μμμρ。