半导体电子元器件的有哪些以及命名方式
半导体型号命名方法
半导体器件型号命名方法一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc >1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN 型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
半导体芯片命名
一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管,如 2SJ----K-N沟道场效应管,如 2SK----M-双向可控硅。
电子元器件型号命名规则-范本模板
电子元器件型号命名规则2,电容器5,半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目.2—二极管、3—三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时:A—N型锗材料、B—P型锗材料、C—N型硅材料、D—P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C—PNP型硅材料、D—NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型.P—普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L—整流堆、S-隧道管、N—阻尼管、U-光电器件、K—开关管、X—低频小功率管(f〈3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f〉3MHz,Pc〈1W)、D-低频大功率管(f〈3MHz,Pc〉1W)、A-高频大功率管(f〉3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B—雪崩管、J—阶跃恢复管、CS-场效应管、BT—半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG—激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。
常见电子元器件讲解及其命名
常见电子元器件讲解及其命名电子元器件是指用于电子设备中的各种电子零部件、器件、部件或元素。
常见的电子元器件有电阻器、电容器、电感器、二极管、三极管、场效应管、晶体管等。
这些元器件都有其特点和功能,下面对这些电子元器件进行讲解及其命名。
一、电阻器电阻器是最基本的电子元器件之一。
它的作用是将电路中的电流限制在一定的范围内,以避免电路中的电流过大而损坏周围的元器件。
通常的电阻器分为固定电阻器和变阻器两种。
固定电阻器指其阻值不可调节的电阻器,如碳膜电阻器、金属膜电阻器、电线绕制电阻器等。
变阻器则是可以通过旋转或滑动调节阻值大小的电阻器,其使用较为广泛。
电阻器的命名方式通常是以Ω(欧姆)为单位表示,阻值越大,数字表示的就越大。
例如,电路中需要一个10Ω的电阻器,通常称为10欧电阻器。
二、电容器电容器是能够存储电荷的元件,它的作用是在电路中起到蓄电的作用。
电容器分为固定电容器和可变电容器两种。
固定电容器常用于过滤电路、隔直电路、调节时序等。
可变电容器通常用于调谐电路、震荡电路、滤波电路等。
电容器的命名通常是以法拉(F)为单位。
常见的电容器有微型电容器、多层陶瓷电容器、电解电容器、有机电容器等。
三、电感器电感器是储存电能的元器件,它是电路中的电磁元件之一。
电感器的作用通常是用于隔直、滤波等领域。
常见的电感器有铁氧体电感、磁珠电感、线圈电感等。
电感器的命名通常是以亨利(H)为单位。
例如,1H的电感器表示其可以储存1秒钟内1安培电流所产生的1伏特电势能。
四、二极管二极管是半导体元件,是电子元器件中最基本的元素之一。
其作用是充当电路中的单向导体,可将电流限制在一个方向,从而可以对电路进行整流、检波、调制等操作。
二极管通常有硅二极管和锗二极管之分。
二极管的命名方式通常是以其直流电压(信号电压)值为主,后面跟着一个标志性的字母(如1N4001)。
常见的二极管有硅二极管、Zener二极管、光电二极管等。
五、三极管三极管是一种半导体放大器元件,是现代电子设备中最常用的放大器之一。
半导体型号命名方法(精)
半导体器件型号命名方法一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc >1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN 型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
电子元器件基础知识
电子元器件基础知识——半导体器件一.中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件.半导体特殊器件.复合管.PIN型管.激光器件的型号命名只有第三.四.五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管.3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时:A-N型锗材料.B-P型锗材料.C-N型硅材料.D-P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP型锗材料.B-NPN型锗材料.C-PNP型硅材料.D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管.V-微波管.W-稳压管.C-参量管.Z-整流管.L-整流堆.S-隧道管.N-阻尼管.U-光电器件.K-开关管.X-低频小功率管(F 3MHz,Pc 1W).A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W).T-半导体晶闸管(可控整流器).Y-体效应器件.B-雪崩管.J-阶跃恢复管.CS-场效应管.BT-半导体特殊器件.FH-复合管.PIN-PIN型管.JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法二.日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管.1-二极管.2三极或具有两个pn结的其他器件.3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件.┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管.B-PNP型低频管.C-NPN型高频管.D-NPN型低频管.F-P控制极可控硅.G-N控制极可控硅.H-N基极单结晶体管.J-P沟道场效应管.K-N沟道场效应管.M-双向可控硅。
元器件的完整型号说明和各国命名方法
元器件的完整型号说明和各国命名方法
不少公司的采购会发现,拿到工程师提供的BOM中的器件去采购物料时,经常供应商还会问得更仔细,否则就不知道供给你哪种物料,严重时,采购回来的物料用不了。
为什么会有这种情况呢?问题就在于,很多经验不够的工程师,没有把器件型号写完整。
下面举例来说明,完整的器件型号是怎么样的。
完整的器件型号,一般都是包括主体型号、前缀、后缀等组成。
一般工程师只关心前缀和主体型号,而会忽略后缀,甚至少数工程师连前缀都会忽略。
当然,并不是所有器件一定有前缀和后缀,但是,只要这个器件有前缀和后缀,就不可以忽略。
器件前缀一般是代表器件比较大的系列,比如逻辑IC中的74LS系列代表低功耗肖特基逻辑IC,74ASL系列代表先进的低功耗肖特基逻辑IC,74ASL系列比74LS系列的性能更好。
又比如,2N5551三极管和MMBT5551三极管两者封装不同,一个是插件的(TO-92),一个是贴片的(SOT-23)。
如果BOM上只写5551三极管,那肯定不知道是哪个。
忽略前缀的现象一般稍少一点,但是忽略后缀的情况就比较多了。
一般来说,后缀有以下这些用处:
1、区分细节性能
比如,拿MAXIM公司的复位芯片MAX706来说,同样是706,但是有几种阀值电压,比如MAX706S的阀值电压为2.93V,MAX706T的阀值电压为3.08V,这里的后缀“S”和“T”就代表不同的阀值电压。
2、区分器件等级和工作温度
比如TI公司的基准电压芯片TL431,TL431C代表器件的工作温度是0度至70度(民用级),TL431I代表器件的工作温度是-40度至85度(工业级),其中后缀“C”和“I”就代表不同。
(整理)半导体元件认识于
电子元器件基础知识(4)——半导体器件一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时:A-N 型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP 型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法二、日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JE IA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。
半导体器件型号的命名方法
第三部分
用汉语拼音字母表示器件类型
符
符
号
意义
号Leabharlann 意义P 普通管D 低频率大功率管
V 微波管
fα <3MHz,Pc>
W 稳压管
1W
C 参量管
A 高频率大功率
Z 整流管
fα <3MHz,Pc>
L 整流堆
1W
S 隧道管
T 半导体闸流管
N 阻尼管
(可控整流管)
U 光点管
Y 体效应器件
K 开关管
B 雪崩管
X 低频小功率管 J 阶跃恢复管
别
日2
S
A.PNP 高频 两位以 A.B.C
本
B.PNP 低频 上 表示对原
C.NPN 高频 数字表 型号的改
D.NPN 低频 示
进
登记序
号
美2 国
N
多位数字表
示
登记序号
欧 A C-低频小功 三 位 数 字 表 B 参 数
洲锗
率
示
分
B D-低频大功 登记序号 档标志
硅
率
F-高频小功 率
L-高频大功 率
S-小功率开
关
U-大功率开 关
备注 不表示硅锗材料及功率
大小
不表示硅锗材料 NPN 或 PNP 及功率的大小及功 率大小
型号 9011 9012 9013 9014 9015 9016 9018 8050 8550
极性 NPN PNP NPN NPN PNP NPN NPN NPN PNP
表 3 韩国三星电子三极管特性
fα <3MHz,Pc CS 场效应器件
<1W
BT 半导体特殊器件
G 高频率小功率 FH 复合管
(整理)半导体命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则2,电容器5,半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。
半导体器件命名规则
半导体器件命名规则半导体器件命名规则一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。
半导体型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时:A-N型锗材料、B-P 型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN 型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
半导体元件认识于
电子元器件基础知识(4)——半导体器件一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时:A-N 型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP 型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法二、日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JE IA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。
半导体器件的型号命名方法汇总
半导体器件的型号命名方法汇总晶体管的命名方法很多,美国编号方法以PN接合面的数量为主线,不易看出其它特性。
而欧洲与日本的编号,就比较系统化。
国产晶体管的命名则也有自己的个性。
下面做个简要叙述。
一、美国半导体器件的型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:1、前缀部分:用字母符号表示器件用途的类型、级别。
JAN - 军级JANTX - 特军级JANTXV - 超特军级JANS - 宇航级(无)- 非军用品。
2、第一部分:用数字表示PN结数目。
1 - 二极管2 - 三极管3 - 三个PN结器件n -依次类推3、第二部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。
用字母“N”表示该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。
4、第三部分:美国电子工业协会登记顺序号。
多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
5、第四部分:用字母表示器件分档。
A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。
如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。
美国半导体器件型号命名及含义第一部分:类别第二部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志第三部分:美国电子工业协会(EIA)登记号第四部分:器件规格号数字含义字母含义用多位数字表示该器件在美国电子工业协会(EIA)的登记号用字母A、B、C、D……表示同一型号器件的不同档次1 二极管N 该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记2 晶体管3 三个PN结器件(如双栅场效应管晶体管)n n个PN结器件例如:lN 4007 2N 2907 Al--二极管2--晶体管N--ElA注册标志N--ElA注册标志4007--ElA登记号2907--ElA登记号A--规格号二、日本半导体器件的型号命名方法日本半导体分立器件的型号命名(JIS-C-7012工业标准) 由五至七部分组成,通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:1、第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
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半导体电子元器件的有哪些以及命名方式半导体器件(semiconductor device)通常,这些半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。
为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件。
绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。
利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构,已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极,可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。
晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。
三端器件一般是有源器件,典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。
晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。
根据用途的不同,晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。
除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外,还有一些特殊用途的晶体管,如光晶体管、磁敏晶体管,场效应传感器等。
这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号,又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。
此外,还有一些特殊器件,如单结晶体管可用于产生锯齿波,可控硅可用于各种大电流的控制电路,电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。
在通信和雷达等军事装备中,主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。
随着微波通信技术的迅速发展,微波半导件低噪声器件发展很快,工作频率不断提高,而噪声系数不断下降。
微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性,在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。
1、物质的分类按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。
导电能力用电阻率衡量。
导体:具有良好导电性能的物质,如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω•cm绝缘体:导电能力很差或不导电的物质,如玻璃、陶瓷、塑料。
电阻率在108Ω•cm以上半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,如锗、硅。
纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω•cm2、半导体的特性与导体、绝缘体相比,半导体具有三个显著特点:(1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大,如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼,硅的电阻率就会从241000Ω•cm下降到0.4Ω•cm,变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。
例如:温度每升高8℃时,纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时,电阻率只增加4%左右。
热敏电阻:正温度系数—随着温度的升高,电阻阻值增加。
负温度系数―随着温度的升高,电阻阻值减小。
(3)光线的照射也会明显地影响半导体地导电性能。
光敏电阻3、半导体的结构半导体材料锗和硅都是四价元素,它们原子核外层有四个价电子。
正常情况下电子受原子核的束缚,不能任意移动,所以导电性能差。
因为物体的导电是靠带电荷的粒子定向移动来实现的。
当向半导体内掺入杂质后,晶体内部原有的平衡被打破,当掺入硼原子时,它外层原有的三个价电子和周围的硅原子中的价电子形成“共价键”。
这时硅原子不再呈电中性,好像失去了一个带负电的价电子,留下空位,称它为“空穴”。
由于空穴有接收电子的性质,相当于一个正电荷。
当掺入磷原子,它外层有五个价电子,形成共价键时就多出了一个价电子。
此电子可以自由参加导电。
把半导体中载运电荷的粒子称为载流子,带负电的自由电子和带正电的空穴都是半导体中的载流子。
在掺杂的半导体中电子和空穴的数目是不相等的,这就有多数载流子和少数载流子之分。
载流子―在电场作用下,能作定向运动的粒子。
在半导体中,载流子有两种:自由电子和空穴。
4、本征半导体完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
(纯净度99.99999%)5、杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质,就会使半导体的导电性能发生显著变化。
这种半导体称为杂质半导体。
根据所掺杂质的不同,分为P型半导体和N型半导体。
(1)P型半导体:在本征半导体中掺入适量三价元素(硼、铝),形成空穴型(P型)半导体。
它的导电能力大大高于本征半导体。
①多子(主要导电的载粒子):空穴。
②少子:自由电子(热激发形成)。
(2)N型半导体:在本征半导体中掺入适量五价元素(磷、锑),形成自由电子型(N 型)半导体。
①多子(主要导电的载粒子):自由电子。
②少子:空穴(热激发形成)。
在两种杂质半导体中,多子是主要导电媒介,数量取决于杂质含量;少子是本征激发产生的,数量取决于环境温度。
虽然杂质半导体含有数量不同的两种载流子,但整体上电量平衡,对外不显电性。
简单介绍了一下4种常见的电子元器件的基础知识与命名方法。
电子元器件基础知识(1)--电阻电阻器(Resistor)在日常生活中一般直接称为电阻。
是一个限流元件,将电阻接在电路中后,电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚,它可限制通过它所连支路的电流大小。
阻值不能改变的称为固定电阻器。
阻值可变的称为电位器或可变电阻器。
理想的电阻器是线性的,即通过电阻器的瞬时电流与外加瞬时电压成正比。
用于分压的可变电阻器。
在裸露的电阻体上,紧压着一至两个可移金属触点。
触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。
国产电阻器的型号由四部分组成(不适用敏感电阻)第一部分:主称,用字母表示,表示产品的名字。
如R表示电阻,W表示电位器。
第二部分:材料,用字母表示,表示电阻体用什么材料组成,T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
第三部分:分类,一般用数字表示,个别类型用字母表示,表示产品属于什么类型。
1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。
第四部分:序号,用数字表示,表示同类产品中不同品种,以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如:R T 1 1 型普通碳膜电阻电子元器件基础知识(2)--电容电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制电路等方面。
用C表示电容,电容单位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF),1F=10^6uF=10^12pF电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。
依次分别代表名称、材料、分类和序号。
第一部分:名称,用字母表示,电容器用C.第二部分:材料,用字母表示。
第三部分:分类,一般用数字表示,个别用字母表示。
第四部分:序号,用数字表示。
用字母表示产品的材料:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介电子元器件基础知识(3)--电感线圈电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上,导线彼此互相绝缘,而绝缘管可以是空心的,也可以包含铁芯或磁粉芯,简称电感。
用L表示,单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH),1H=10^3mH=10^6uH.电感的分类按电感形式分类:固定电感、可变电感。
按导磁体性质分类:空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。
按工作性质分类:天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。
按绕线结构分类:单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。
电感线圈的主要特性参数1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性,与电流大小无关。
除专门的电感线圈(色码电感)外,电感量一般不专门标注在线圈上,而以特定的名称标注。
2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL,单位是欧姆。
它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量,Q为感抗XL与其等效的电阻的比值,即:Q=XL/R 线圈的Q值愈高,回路的损耗愈小。
线圈的Q值与导线的直流电阻,骨架的介质损耗,屏蔽罩或铁芯引起的损耗,高频趋肤效应的影响等因素有关。
线圈的Q值通常为几十到几百。
4、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。
分布电容的存在使线圈的Q值减小,稳定性变差,因而线圈的分布电容越小越好。
电子元器件基础知识(4)--半导体器件中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时:A-N 型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP 型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管电流表PA电压表PV有功电度表PJ无功电度表PJR频率表PF相位表PPA最大需量表(负荷监控仪) PM功率因数表PPF有功功率表PW无功功率表PR无功电流表PAR声信号HA光信号HS指示灯HL红色灯HR绿色灯HG黄色灯HY蓝色灯HB白色灯HW连接片XB插头XP插座XS端子板XT电线,电缆,母线W 直流母线WB插接式(馈电)母线WIB 电力分支线WP照明分支线WL应急照明分支线WE电力干线WPM照明干线WLM应急照明干线WEM滑触线WT合闸小母线WCL控制小母线WC信号小母线WS闪光小母线WF事故音响小母线WFS 预告音响小母线WPS 电压小母线WV事故照明小母线WELM 避雷器F熔断器FU快速熔断器FTF跌落式熔断器FF限压保护器件FV电容器C电力电容器CE正转按钮SBF反转按钮SBR停止按钮SBS紧急按钮SBE试验按钮SBT复位按钮SR限位开关SQ接近开关SQP手动控制开关SH时间控制开关SK液位控制开关SL湿度控制开关SM压力控制开关SP速度控制开关SS温度控制开关,辅助开关ST 电压表切换开关SV电流表切换开关SA整流器U可控硅整流器UR控制电路有电源的整流器VC 变频器UF变流器UC逆变器UI电动机M异步电动机MA同步电动机MS直流电动机MD绕线转子感应电动机MW鼠笼型电动机MC电动阀YM电磁阀YV防火阀YF排烟阀YS电磁锁YL跳闸线圈YT合闸线圈YC气动执行器YPA,YA电动执行器YE发热器件(电加热) FH照明灯(发光器件) EL空气调节器EV电加热器加热元件EE感应线圈,电抗器L 励磁线圈LF 消弧线圈LA滤波电容器LL电阻器,变阻器R 电位器RP热敏电阻RT光敏电阻RL压敏电阻RPS接地电阻RG放电电阻RD。