常见mos管的型号参数

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常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资料.

场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFI744400V4A32W**NMOS场效应MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应DISCRETE IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应DISCRETE IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应DISCRETE IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9610200V1A20W**PMOS场效应MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE IRF954160V19A125W**PMOS场效应MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9530100V12A75W**PMOS场效应MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应DISCRETE IRF640200V18A125W**NMOS场效应MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应DISCRETE IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应DISCRETE IRF540100V28A150W**NMOS场效应MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE IRF440500V8A125W**NMOS场效应MOS FET IRF9610 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE IRF230200V9A79W**NMOS场效应MOS FET IRF9620 TO-220IRF130100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE BUZ20100V12A75W**NMOS场效应MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P BUZ11A50V25A75W**NMOS场效应DISCRETE BS17060V0.3A0.63W**NMOS场效应MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P2SC4582600V15A75W**NPNDISCRETE2SC4517550V3A30W**NPNMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P2SC44291100V8A60W**NPNDISCRETE2SC4297500V12A75W**NPNMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK2SC42881400V12A200W**NPNDISCRETE2SC4242450V7A40W**NPNMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK2SC4231800V2A30W**NPNDISCRETE2SC41191500V15A250W**NPNMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK2SC41111500V10A250W**NPNDISCRETE2SC4106500V7A50W*20MHZNPNMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC4059600V15A130W**NPNMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK2SC403850V0.1A0.3W*180MHZNPN DISCRETE2SC4024100V10A35W**NPNMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK2SC39981500V25A250W**NPNDISCRETE2SC39971500V15A250W**NPNMOS FET IRFR9020TF D-PAK2SC398750V3A20W1000*NPN(达林顿DISCRETE2SC3953120V0.2A1.3W*400MHZNPNMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F2SC3907180V12A130W*30MHZNPN DISCRETE2SC38931400V8A50W*8MHZNPNMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F2SC38861400V8A50W*8MHZNPN DISCRETE2SC3873500V12A75W*30MHZNPNMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F2SC3866900V3A40W**NPNDISCRETE2SC3858200V17A200W*20MHZNPNMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F2SC380730V2A1.2W*260MHZNPN DISCRETE2SC3783900V5A100W**NPNMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC37201200V10A200W**NPNMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F2SC3680900V7A120W**NPNDISCRETE2SC3679900V5A100W**NPNMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F2SC359530V0.5A1.2W90*NPNDISCRETE2SC3527500V15A100W13*NPNMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F2SC3505900V6A80W12*NPNDISCRETE2SC34601100V6A100W12*NPNMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F2SC34571100V3A50W12*NPNDISCRETE2SC335820V0.15A**7000MHZNPNMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F2SC335520V0.15A**6500MHZNPN DISCRETE2SC3320500V15A80W**NPNMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F2SC3310500V5A40W20*NPNDISCRETE2SC3300100V15A100W**NPNMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F2SC185520V0.02A0.25W*550MHZNPNDISCRETE2SC1507300V0.2A15W**NPNMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC149436V6A40W*175MHZNPNMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK2SC122260V0.1A0.25W*100MHZNPN DISCRETE2SC116235V1.5A10W**NPNMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK2SC100880V0.7A0.8W*50MHZNPN DISCRETE2SC90030V0.03A0.25W*100MHZNPNMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK2SC82845V0.05A0.25W**NPNDISCRETE2SC81560V0.2A0.25W**NPNMOS FET IRFU410A 500V I-PAK2SC38035V0.03A0.25W**NPNDISCRETE2SC10660V1.5A15W**NPNMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK2SB1494120V25A120W**PNP(达林顿DISCRETE2SB1429180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ20A TO-2202SB1400120V6A25W1000-20000*PNP(达林顿DISCRETE2SB137560V3A2W**PNPMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-2202SB133580V4A30W**PNPDISCRETE2SB1317180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ30 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SB1316100V2A10W15000*PNP(达林顿MOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-2202SB124340V3A1W*70MHZPNPDISCRETE2SB124040V2A1W*100MHZPNPMOS FET IRFZ40 TO-2202SB123880V0.7A1W*100MHZPNPDISCRETE2SB118560V3A25W*75MHZPNPMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-2202SB1079100V20A100W5000*PNP(达林顿DISCRETE2SB1020100V7A40W6000*PNP(达林顿MOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F2SB83460V3A30W**PNPDISCRETE2SB817160V12A100W**PNPMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F2SB77240V3A10W**PNPDISCRETE2SB74470V3A10W**PNPMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-2202SB73460V1A1W**PNPDISCRETE2SB688120V8A80W**PNPMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-2202SB67560V7A40W**PNP(达林顿DISCRETE2SB66970V4A40W**PNP(达林顿MOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SB649180V1.5A1W**PNPMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-2202SB647120V1A0.9W*140MHZPNPDISCRETE2SB44950V3.5A22W**PNPMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-2202SA1943230V15A150W**PNPDISCRETE2SA1785400V1A1W*140MHZPNPMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-2202SA1668200V2A25W*20MHZPNPDISCRETE2SA1516180V12A130W*25MHZPNPMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-2202SA1494200V17A200W*20MHZPNP DISCRETE2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNPMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-2202SA1358120V1A10W*120MHZPNPDISCRETE2SA1302200V15A150W**PNPMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK2SA1301200V10A100W**PNPDISCRETE2SA1295230V17A200W**PNP MOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK2SA1265140V10A30W**PNP DISCRETE2SA1216180V17A200W**PNP MOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK2SB649180V1.5A1W**PNPDISCRETE2SB647120V1A0.9W*140MHZPNP MOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F2SB44950V3.5A22W**PNP DISCRETE2SA1943230V15A150W**PNP MOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F2SA1785400V1A1W*140MHZPNPDISCRETE2SA1668200V2A25W*20MHZPNP MOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK2SA1516180V12A130W*25MHZPNPDISCRETE2SA1494200V17A200W*20MHZPNP MOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNPDISCRETE2SA1358120V1A10W*120MHZPNP MOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP2SA1302200V15A150W**PNP DISCRETE2SA1301200V10A100W**PNP MOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP2SA1295230V17A200W**PNPDISCRETE2SA1265140V10A30W**PNP MOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P2SA1216180V17A200W**PNP DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETE MOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P如有出入请明示,争取完善、正确!功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型 *PNP(达林顿）功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型。

大电流mos管型号

大电流mos管型号
大电流mos管是一种晶体管，能够处理高电流和高电压。

它广泛应用于高功率的电子设备、汽车电子、工业自动化等领域。

以下是几种常见的大电流mos管型号：
1. IRFP460：这是国际整流器公司生产的一款大功率mos管，最大漏极电流可达20安培，最大漏极电压可达500伏特。

2. IXFN44N50Q2：这是英飞凌公司生产的一种大电流mos管，最大漏极电流可达44安培，最大漏极电压可达500伏特。

3. FGH40N60SFD：这是富士电机公司生产的一种大电流mos管，最大漏极电流可达40安培，最大漏极电压可达600伏特。

4. STW45NM50FD：这是意法半导体公司生产的一种大电流mos管，最大漏极电流可达45安培，最大漏极电压可达500伏特。

以上是几种常见的大电流mos管型号，它们在高功率电子设备、汽车电子、工业自动化等应用领域中有着广泛的应用。

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常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料常用的全系列场效应管MOS管型号参数封装资料有很多，以下是一些常见的型号和参数封装资料：1.IRF3205IRF3205是一种常见的N沟道MOSFET管，栅极电压为20V，漏极电流为110A，最大功耗为200W，电阻为8mΩ。

2.IRF4905IRF4905是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为55V，漏极电流为74A，最大功耗为200W，电阻为0.02Ω。

3.IRF540NIRF540N是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为33A，最大功耗为150W，电阻为0.077Ω。

4.IRF520IRF520是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为9.2A，最大功耗为75W，电阻为0.27Ω。

5.IRLB3034PBFIRLB3034PBF是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为40V，漏极电流为195A，最大功耗为200W，电阻为1.4mΩ。

6.IRL540IRL540是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为28A，最大功耗为150W，电阻为0.05Ω。

这些型号的MOSFET管通常都具有三个主要的参数，即栅极电压（Vgs），漏极电流（Id），以及最大功耗（Pd）或电阻（Rds(on)）。

栅极电压指的是在正常操作时栅极和源极之间的电压，超过这个电压可能会损坏器件。

漏极电流指的是从漏极流出的最大电流，超过这个电流可能会损坏器件。

最大功耗或电阻指的是在正常操作时器件能够承受的最大功耗或电阻。

此外，还有一些其他的参数可以帮助选择合适的MOSFET管，例如电流增益（hfe）和恢复时间（tr、tf）。

电流增益是指当栅极电压变化时，漏极电流的变化率。

恢复时间指的是从开关状态到非开关状态的时间。

这些型号的封装通常包括TO-220、TO-262、D2PAK、TO-247等。

每种封装都有其自身的特点和适用范围，需要根据具体的应用来选择合适的封装。

mos管参数解读

mos管参数解读MOS管（MOSFET）是一种基础电子元器件，广泛应用于电子线路中。

在使用MOS管时，需要了解它的一些参数，以便正确选择和使用。

第一步：了解MOS管的型号。

MOS管根据其工作方式和内部结构的不同，可以分为N沟道型和P沟道型两种。

常见的MOS管型号有IRF150N、IRFZ44N、IRF540N等。

其中IRF表示国际整流器厂商（International Rectifier），150N是该型号的电流和电压额定值。

第二步：了解MOS管的参数。

1. 额定电流（Continuous Drain Current）：表示MOSFET稳态下最大允许通过电流的值，一般以DC电流为准，单位是安培（A）。

2. 额定电压（Drain-Source Voltage）：表示MOSFET稳态下最大允许的电压值，一般以DC电压为准，单位是伏特（V）。

3. Threshold Voltage：表示MOSFET导通的起始电压，一般以DC电压为准，单位是伏特（V）。

4. 动态电阻（On-Resistance）：表示MOSFET通电时的电路电阻值，单位是欧姆（Ω），这个值越小表示MOSFET的导通能力越好。

5. 最大功率（Maximum Power Dissipation）：表示MOSFET可以承受的最大功率，一般以热阻为参考单位（单位是摄氏度/W）。

6. 端子电容（Input Capacitance）：表示MOSFET内部的电容值，一般以PF为单位，这个参数越小表示MOSFET对高频信号的响应能力越好。

第三步：正确选择MOS管。

根据实际需求来选择适合的MOS管，一般需要考虑电压、电流、功率等参数的匹配，以及MOS管的配置、散热等因素。

总结以上就是关于MOS管参数的解读，通过对MOS管的型号和参数有了更深的了解后，我们可以更加准确地选择和使用MOS管，提高电路的稳定性和可靠性。

常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资

场效应管分类型号简介封装DISCRETEMOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF740A 400V,10A TO-220MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9520 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9540 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9610 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9620 TO-220IRF610 200V 3.3A 43WIRF820 500V 2.5A 50WIRF830 500V 4.5A 45WIRF840 500V 8A 125WIRF9620 200V 2A 40WIRFBC40R 600V 6.2A 125WIRFBC30 600V 3.6A 74WIRFPF50 900V 6.8A 150WIRFP450 500V 14A 180WDISCRETEMOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAKMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR9020TF D-PAK DISCRETEMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220FMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU410A 500V I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFZ20A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ30 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ40 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220 DISCRETEMOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220MOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK DISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP DISCRETEMOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3PMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220MOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P) DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P) DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P) 2SK105 50V 0.01A 0.25W2SK161 18V 0.1A 0.2W2SK192 18V 0.1A 0.2W2SK413 140V 8A 100W2SK418 140V 8A 100W2SK544 20V 0.02A 0.03W2SK659 60V 12A 35W2SK701 60V 2A 15W2SK940 60V 0.8A 0.9W2SK1117 600V 6A 100W2SK1198 700V 2A 35W2SK1270 60V 2A 10WBUK453. 100A 100V 22A 75WBUK455. 60A 60V 38A 83WIRFBG20，IRFBG30，IRFPG50 IRFPG40 1000V。

常用全系列场效应管_MOS管型号参数封装资料

场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1)DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFI744400V4A32W**NMOS场效应MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应DISCRETE IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应DISCRETE IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应DISCRETE IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9610200V1A20W**PMOS场效应MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRF954160V19A125W**PMOS场效应MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9530100V12A75W**PMOS场效应MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应DISCRETE IRF640200V18A125W**NMOS场效应MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应DISCRETE IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应DISCRETE IRF540100V28A150W**NMOS场效应MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE IRF440500V8A125W**NMOS场效应MOS FET IRF9610 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRF230200V9A79W**NMOS场效应MOS FET IRF9620 TO-220IRF130100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE BUZ20100V12A75W**NMOS场效应MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P BUZ11A50V25A75W**NMOS场效应DISCRETE BS17060V0.3A0.63W**NMOS场效应MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P2SC4582600V15A75W**NPNDISCRETE2SC4517550V3A30W**NPNMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P2SC44291100V8A60W**NPNDISCRETE2SC4297500V12A75W**NPNMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK2SC42881400V12A200W**NPNDISCRETE2SC4242450V7A40W**NPNMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK2SC4231800V2A30W**NPNDISCRETE2SC41191500V15A250W**NPNMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK2SC41111500V10A250W**NPNDISCRETE2SC4106500V7A50W*20MHZNPNMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE2SC4059600V15A130W**NPNMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK2SC403850V0.1A0.3W*180MHZNPN DISCRETE2SC4024100V10A35W**NPNMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK2SC39981500V25A250W**NPNDISCRETE2SC39971500V15A250W**NPNMOS FET IRFR9020TF D-PAK2SC398750V3A20W1000*NPN(达林顿) DISCRETE2SC3953120V0.2A1.3W*400MHZNPNMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F2SC3907180V12A130W*30MHZNPN DISCRETE2SC38931400V8A50W*8MHZNPNMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F2SC38861400V8A50W*8MHZNPNDISCRETE2SC3873500V12A75W*30MHZNPNMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F2SC3866900V3A40W**NPNDISCRETE2SC3858200V17A200W*20MHZNPNMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F2SC380730V2A1.2W*260MHZNPNDISCRETE2SC3783900V5A100W**NPNMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE2SC37201200V10A200W**NPNMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F2SC3680900V7A120W**NPNDISCRETE2SC3679900V5A100W**NPNMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F2SC359530V0.5A1.2W90*NPNDISCRETE2SC3527500V15A100W13*NPNMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F2SC3505900V6A80W12*NPNDISCRETE2SC34601100V6A100W12*NPNMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F2SC34571100V3A50W12*NPNDISCRETE2SC335820V0.15A**7000MHZNPNMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F2SC335520V0.15A**6500MHZNPN DISCRETE2SC3320500V15A80W**NPNMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F2SC3310500V5A40W20*NPNDISCRETE2SC3300100V15A100W**NPNMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F2SC185520V0.02A0.25W*550MHZNPN DISCRETE2SC1507300V0.2A15W**NPNMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE2SC149436V6A40W*175MHZNPNMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK2SC122260V0.1A0.25W*100MHZNPN DISCRETE2SC116235V1.5A10W**NPNMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK2SC100880V0.7A0.8W*50MHZNPNDISCRETE2SC90030V0.03A0.25W*100MHZNPNMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK2SC82845V0.05A0.25W**NPNDISCRETE2SC81560V0.2A0.25W**NPNMOS FET IRFU410A 500V I-PAK2SC38035V0.03A0.25W**NPNDISCRETE2SC10660V1.5A15W**NPNMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK2SB1494120V25A120W**PNP(达林顿）DISCRETE2SB1429180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ20A TO-2202SB1400120V6A25W1000-20000*PNP(达林顿）DISCRETE2SB137560V3A2W**PNPMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-2202SB133580V4A30W**PNPDISCRETE2SB1317180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ30 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE2SB1316100V2A10W15000*PNP(达林顿）MOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-2202SB124340V3A1W*70MHZPNPDISCRETE2SB124040V2A1W*100MHZPNPMOS FET IRFZ40 TO-2202SB123880V0.7A1W*100MHZPNPDISCRETE2SB118560V3A25W*75MHZPNPMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-2202SB1079100V20A100W5000*PNP(达林顿）DISCRETE2SB1020100V7A40W6000*PNP(达林顿）MOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F2SB83460V3A30W**PNPDISCRETE2SB817160V12A100W**PNPMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F2SB77240V3A10W**PNPDISCRETE2SB74470V3A10W**PNPMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-2202SB73460V1A1W**PNPDISCRETE2SB688120V8A80W**PNPMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-2202SB67560V7A40W**PNP(达林顿）DISCRETE2SB66970V4A40W**PNP(达林顿）MOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE2SB649180V1.5A1W**PNPMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-2202SB647120V1A0.9W*140MHZPNPDISCRETE2SB44950V3.5A22W**PNPMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-2202SA1943230V15A150W**PNPDISCRETE2SA1785400V1A1W*140MHZPNPMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-2202SA1668200V2A25W*20MHZPNPDISCRETE2SA1516180V12A130W*25MHZPNPMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-2202SA1494200V17A200W*20MHZPNPDISCRETE2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNPMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-2202SA1358120V1A10W*120MHZPNPDISCRETE2SA1302200V15A150W**PNPMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK2SA1301200V10A100W**PNPDISCRETE2SA1295230V17A200W**PNP MOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK2SA1265140V10A30W**PNP DISCRETE2SA1216180V17A200W**PNP MOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK2SB649180V1.5A1W**PNP DISCRETE2SB647120V1A0.9W*140MHZPNP MOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F2SB44950V3.5A22W**PNP DISCRETE2SA1943230V15A150W**PNP MOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F2SA1785400V1A1W*140MHZPNP DISCRETE2SA1668200V2A25W*20MHZPNP MOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK2SA1516180V12A130W*25MHZPNP DISCRETE2SA1494200V17A200W*20MHZPNP MOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNP DISCRETE2SA1358120V1A10W*120MHZPNP MOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP2SA1302200V15A150W**PNP DISCRETE2SA1301200V10A100W**PNP MOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP2SA1295230V17A200W**PNP DISCRETE2SA1265140V10A30W**PNP MOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P2SA1216180V17A200W**PNP DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3PDISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3PDISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P) DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P) DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P)如有出入请明示，争取完善、正确！放大系数特征频率管子类型放大系数特征频率管子类型放大系数特征频率管子类型放大系数特征频率管子类型放大系数特征频率管子类型放大系数特征频率管子类型放大系数特征频率管子类型林顿）放大系数特征频率管子类型放大系数特征频率管子类型。

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资1.IRF系列：IRF540N、IRF840、IRF3205等IRF系列是一种N沟道MOS管，具有低电源电流和高开关速度特点，可以工作在高频率下。

常用的封装有TO-220、TO-247、D2-Pak等。

-IRF540N参数：导通电阻：0.077Ω最大耗散功率：150W最大漏电流：50μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：49nC-IRF840参数：导通电阻：0.85Ω最大耗散功率：125W最大漏电流：10μA最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：90nC-IRF3205参数：导通电阻：8mΩ最大耗散功率：110W最大漏电流：250μA最大栅源电压：20V最大漏源电压：55V最大栅极电荷：75nC2.IRFP系列：IRFP250N、IRFP460等IRFP系列是一种P沟道MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合高频率下的应用。

常用的封装有TO-247、TO-3P等。

-IRFP250N参数：导通电阻：0.095Ω最大耗散功率：200W最大漏电流：250μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：200V最大栅极电荷：73nC-IRFP460参数：导通电阻：0.27Ω最大耗散功率：180W最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：123nC3.IRL系列：IRL540N、IRL3713等IRL系列是一种低电平驱动的MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合低电平驱动电路。

常用的封装有TO-220、D2-Pak等。

-IRL540N参数：导通电阻：0.054Ω最大耗散功率：120W最大漏电流：50μA最大栅源电压：55V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：32nC-IRL3713参数：导通电阻：7.5mΩ最大耗散功率：60W最大漏电流：50μA最大栅源电压：20V最大栅极电荷：20nC以上是常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资的介绍，不同型号的MOS管具有不同的特点和适用场景，用户可以根据实际需求选择适合的型号和封装方式。

小参数常用MOS管选型

小参数常用MOS管选型1.N沟道MOS管选型：N沟道MOS管在电子设备中广泛应用。

常见的N沟道MOS管有IRF1010、IRF520、IRF540等，其工作电压范围一般在20V至100V之间，适用于低功率电子设备。

2.P沟道MOS管选型：P沟道MOS管通常应用于负载开关和功率放大器等电路中。

常见的P沟道MOS管有IRLR3103、IRLR7843等，其工作电压范围一般在20V至100V之间，适用于低功耗设备。

3.逻辑开关MOS管选型：逻辑开关MOS管通常应用于数字逻辑电路中，用于开关控制。

常见的逻辑开关MOS管有IRLZ44N、IRF630等，其工作电压范围一般在50V至100V之间，适用于低功耗数字电路。

4.功率MOS管选型：功率MOS管通常应用于功率放大器和开关电路中，需要承受较大的电流和功率。

常见的功率MOS管有IRF3205、IRF2807等，其工作电压范围一般在100V至250V之间，适用于高功率设备。

5.MOS场效应管选型：除了常见的N沟道和P沟道MOS管外，还有一种特殊的MOS场效应管，如深亚微米CMOS器件。

这些器件具有更低的功耗、更快的开关速度和更高的集成度，适用于高性能和低功耗应用。

选择合适的MOS管型号还需要考虑其他因素，如漏极电流、导通电阻、击穿电压和导通损耗等。

在实际选型过程中，可以通过参考厂家提供的数据手册和相关应用笔记，进行详细的参数对比和分析。

总之，小参数常用MOS管的选型需要综合考虑工作电压、电流和功耗等参数，同时还要考虑具体的电路设计需求。

对于不同类型的电子设备和电路，选择合适的MOS管型号可以提高工作效率和性能。

低压大电流mos管型号

低压大电流mos管型号摘要：1.MOS 管的概述2.低压大电流MOS 管的定义和特点3.常见低压大电流MOS 管型号及其应用4.选择低压大电流MOS 管的注意事项正文：一、MOS 管的概述MOS 管，全称金属- 氧化物- 半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor），是一种常见的半导体器件。

它具有高输入阻抗、低噪声和低功耗等特点，广泛应用于放大、开关和调制等电路。

根据电压的大小，MOS 管可以分为低压、中压和高压等类型。

二、低压大电流MOS 管的定义和特点低压大电流MOS 管是指在低电压条件下，具有较大电流承载能力的MOS 管。

其主要特点包括：1.额定电压低：低压大电流MOS 管的额定电压一般在30V 以内，适用于低电压系统的应用。

2.较大电流承载能力：低压大电流MOS 管具有较高的电流放大系数，可承载较大的电流。

3.良好的开关性能：低压大电流MOS 管的开关速度较快，可实现高频率的开关操作。

4.低导通电阻：低压大电流MOS 管具有较低的导通电阻，可降低能耗。

三、常见低压大电流MOS 管型号及其应用在市场上，有许多知名品牌的低压大电流MOS 管，如德州仪器（TI）、安森美半导体（ON Semiconductor）、英飞凌（Infineon）等。

常见的低压大电流MOS 管型号有：1.TI 的LM5017：该型号适用于低电压、高电流应用，如电源开关、电动汽车等领域。

2.ON Semiconductor 的MC34064：该型号具有高效率、低失真和低噪声等特点，适用于音频放大器、通信设备等应用。

3.Infineon 的ICE5AR4780AG：该型号具有高速开关、低导通电阻等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车等领域。

四、选择低压大电流MOS 管的注意事项在选择低压大电流MOS 管时，需要注意以下几点：1.确定电压和电流参数：根据应用电路的电压和电流需求，选择合适的MOS 管型号。

常用MOS管型号参数

场效应管分‎类型号‎简介封装‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T 2N‎7000 ‎60V,0‎.115A‎TO-9‎2 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET 2‎N7002‎60V,‎0.2A ‎S OT-2‎3 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F510‎A 100‎V,5.6‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRF5‎20A 1‎00V,9‎.2A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F530A‎100V‎,14A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F540‎A 100‎V,28A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RF61‎0A 20‎0V,3.‎3A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎620A ‎200V,‎5A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎630A ‎200V,‎9A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎634A ‎250V,‎8.1A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F640‎A 200‎V,18A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RF64‎4A 25‎0V,14‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRF6‎50A 2‎00V,2‎8A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎654A ‎250V,‎21A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F720A‎400V‎,3.3A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RF73‎0A 40‎0V,5.‎5A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎740A ‎400V,‎10A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F750A‎400V‎,15A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F820‎A 500‎V,2.5‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRF8‎30A 5‎00V,4‎.5A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F840A‎500V‎,8A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F9520‎-100‎V,-6A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EDISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F9610‎-200‎V,-1.‎8A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎9620 ‎-200V‎,-3.5‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFP‎150A ‎100V,‎43A T‎O-3P‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎P250A‎200V‎,32A ‎T O-3P‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F P450‎A 500‎V,14A‎TO-3‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FR02‎4A 60‎V,15A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FR12‎0A 10‎0V,8.‎4A D-‎P AK D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFR‎214A ‎250V,‎2.2A ‎D-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F R220‎A 200‎V,4.6‎A D-P‎A K DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFR2‎24A 2‎50V,3‎.8A D‎-PAK ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎R310A‎400V‎,1.7A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FR90‎20 -5‎0V,-9‎.9A D‎-PAK ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎S540A‎100V‎,17A ‎T O-22‎0F DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFS6‎30A 2‎00V,6‎.5A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FS63‎4A 25‎0V,5.‎8A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F S640‎A 200‎V,9.8‎A TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎S644A‎250V‎,7.9A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFS‎730A ‎400V,‎3.9A ‎T O-22‎0F DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFS7‎40A 4‎00V,5‎.7A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FS83‎0A 50‎0V,3.‎1A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F S840‎A 500‎V,4.6‎A TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎S9Z34‎-60V‎,-12A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EDISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F SZ34‎A 60V‎,20A ‎T O-22‎0FDI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFU1‎10A 1‎00V,4‎.7A I‎-PAK‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎U120A‎100V‎,8.4A‎I-PA‎KDIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FU22‎0A 20‎0V,4.‎6A I-‎P AKD‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFU‎230A ‎200V,‎7.5A ‎I-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F U410‎A 500‎V ,1.‎2A I-‎P AKD‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFU‎420A ‎500V,‎2.3A ‎I-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F Z20A‎50V,‎15A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F Z24A‎60V,‎17A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F Z30 ‎50V,3‎0A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎Z34A ‎60V,3‎0A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎Z40 5‎0V,50‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFZ‎44A 6‎0V,50‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRLS‎530A ‎100V,‎10.7A‎,Logi‎c TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRL‎S Z14A‎60V,‎8A,Lo‎g ic T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R LZ24‎A 60V‎,17A,‎L ogic‎TO-2‎20DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RLZ4‎4A 60‎V,50A‎,Logi‎c TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SFP3‎6N03 ‎30V,3‎6A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SFP‎65N06‎60V,‎65A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SF‎P9540‎-100‎V,-17‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SFP9‎634 -‎250V,‎-5A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SF‎P9644‎-250‎V,-8.‎6A TO‎-220‎D ISCR‎E TEDIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F R921‎4 -25‎0V,-1‎.53A ‎D-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SF‎R9224‎-250‎V,-2.‎5A D-‎P AK D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SFR9‎310 -‎400V,‎-1.5A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F S963‎0 -20‎0V,-4‎.4A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F S963‎4 -25‎0V,-3‎.4A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F U922‎0 -20‎0V,-3‎.1A I‎-PAK‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSD‎2002 ‎25V N‎/P Du‎a l 8S‎O P DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SD20‎19 20‎V P-c‎h Dua‎l 8SO‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S D210‎1 30V‎N-ch‎Sing‎l e 8S‎O P DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SH10‎N80A ‎800V,‎10A T‎O-3P ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSH‎10N90‎A 900‎V,10A‎TO-3‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S H5N9‎0A 90‎0V,5A‎TO-3‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S H60N‎10 10‎0V,60‎A TO-‎3PDI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SH6N‎80A 8‎00V,6‎A TO-‎3PDI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SH70‎N10A ‎100V,‎70A T‎O-3P ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSH‎7N90A‎900V‎,7A T‎O-3P‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSH‎9N80A‎800V‎,9A T‎O-3P‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎10N60‎A 600‎V,9A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S P1N6‎0A 60‎0V,1A‎TO-2‎20DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SP2N‎90A 9‎00V,2‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP3‎5N03 ‎30V,3‎5A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎3N90A‎900V‎,3A T‎O-220‎DISC‎R ETEDIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S P4N6‎0AS 6‎00V,4‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP4‎N90AS‎900V‎,4.5A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SP5N‎90A 9‎00V,5‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP6‎0N06 ‎60V,6‎0A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎6N60A‎600V‎,6A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎P70N1‎0A 10‎0V,55‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP7‎N60A ‎600V,‎7A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎7N80A‎800V‎,7A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎P80N0‎6A 60‎V,80A‎TO-2‎20DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SR1N‎60A 6‎00V,0‎.9A D‎-PAK‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSR‎2N60A‎600V‎,1.8A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S R305‎5A 60‎V,8A ‎D-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎S10N6‎0A 60‎0V,5.‎1A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎S2N60‎A 600‎V,1.3‎A TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSS‎3N80A‎800V‎,2A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S S3N9‎0A 90‎0V,2A‎TO-2‎20FD‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSS4‎N60AS‎600V‎,2.3A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSS4‎N90AS‎900V‎,2.8A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSS5‎N80A ‎800V,‎3A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎S6N60‎600V‎, 3.2‎A TO-‎220(F‎/P) ‎。

常用部分场效应管型号用途参数

常用部分场效应管型号用途参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种利用电子场的作用控制电流的半导体元件。

常用的场效应管型号有MOSFET和JFET，它们在电子电路中广泛应用。

下面将介绍几种常用的场效应管型号及其用途和参数。

1.N沟道MOS场效应管（NMOS）NMOS是最早出现的一种场效应管，通过在P型衬底上形成N型沟道来控制电流。

NMOS在低电压和低功率电子电路中广泛应用。

它具有低开关损耗、高通道导电度等特点。

常用的NMOS型号有2N7000、IRF540等。

这些型号的参数一般包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。

2.P沟道MOS场效应管（PMOS）PMOS是通过在N型衬底上形成P型沟道来控制电流的。

PMOS比NMOS具有更高的开关损耗和较低的通道导电度。

它主要应用于部分数值逻辑电路和模拟信号放大电路。

常用的PMOS型号有IRF9520、IRF630等。

这些型号的参数包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。

3.绝缘栅双极MOS场效应管（IGBT）IGBT是一种高压、大功率开关器件，适用于需要控制高电流和高电压的电路。

它结合了MOS场效应管和双极晶体管的优点，具有低漏电流、低导通压降等特点。

常用的IGBT型号有IRFP4668、IRFP460等。

这些型号的参数包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。

4.JFET场效应管JFET是一种通过调节源漏电流，改变沟道导电性的场效应管。

它具有低噪声、高输入电阻等特点，适用于放大和开关电路。

常用的N型JFET型号有2N3819、J113等，P型JFET型号有J310、BF245等。

这些型号的参数包括最大漏极电流（IDSS）、截止电压（VGS(off)）等。

常见mos管的型号参数

电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。

注意，焊接ＭＯＳ止静电。

TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。

上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558TO-220N型06N60 5.5600750MOS管应用电路设计本文来自:原文网址：/sch/jcdl/0084942.htmlMOS管应用电路设计MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电也有照明调光。

几种常用的MOS管参数、应用电路及区别：IRF540N、IRF9540N、IRF9540

⼏种常⽤的MOS管参数、应⽤电路及区别：IRF540N、IRF9540N、IRF95401. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V栅极（Gate—G，也叫做门极），源极(Source—S)，漏极（Drain—D）漏源电压（Vdss）100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）33A栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻44mΩ @ 16A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）130W类型N沟道IRF540N（NMOS管）应⽤电路MOS管由电压控制，与三极管不同（三极管是电流控制）。

说⽩了，给箭头⽅向相反的压降就是导通，⽅向相同就是截⽌可以在单⽚机和栅极之间加⼀个1k的电阻，起到限流作⽤；此外，可以栅极和源极之间加⼀个10k的电阻，⼀是为提供；⼆是起到泻放电阻的作⽤：保护栅极G-源极S2. IRF9540N,P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V漏源电压（Vdss）-100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）23A栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻117mΩ @ 11A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）140W类型P沟道IRF9540N（PMOS管）应⽤电路3. IRF9540,P沟道,-100V,-19A跟IRF9540N的区别是引脚封装不同，从原理图可以看出来，两个正好是上下颠倒的。

漏源电压（Vdss）-100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）19A(Tc)栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻200mΩ @ 11A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）150W(Tc)类型P沟道。

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料场效应管（MOS管）是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子电路中。

在设计和选择MOS管时，我们通常需要考虑一些参数，如型号、封装形式、工作电压、电流、功率、频率特性等。

下面是一些常用的全系列MOS管型号参数封装资料：1.型号：MOS管有许多不同的型号，每个型号都有不同的特性和应用场景。

常见的MOS管型号有IRF44N、IRFP22N、IRF520N等。

2.封装形式：MOS管的封装形式有多种，常见的封装形式有TO-220、TO-247、DPAK、SOT-23等。

不同的封装形式适用于不同的应用场景，如TO-220适用于高功率应用，SOT-23适用于小功率应用等。

3.工作电压：MOS管的工作电压范围是选择MOS管时需要注意的一个重要参数。

常见的工作电压范围有10V、30V、60V、100V等。

4.电流：MOS管的电流处理能力也是一个重要的参数。

通常以最大电流（ID）来表示，最大电流是指在特定的工作条件下，MOS管能够承受的最大电流。

常见的最大电流有1A、5A、10A、20A等。

5.功率：MOS管的功率参数也需要考虑，在一定的工作电压和电流下，MOS管能够承受的最大功率是通过最大电流和额定工作电压计算得出的。

常见的功率参数有10W、50W、100W等。

6.频率特性：MOS管的频率特性也是一个重要的参数，表示MOS管在特定频率下的响应能力。

常见的频率特性有数十kHz、数百kHz、MHz等。

综上所述，常用全系列MOS管型号参数封装资料包括型号、封装形式、工作电压、电流、功率、频率特性等。

在选择MOS管时，我们需要根据具体的应用场景和需求，综合考虑这些参数，并选择最适合的型号和封装形式。

通过合理选择和使用MOS管，可以有效地满足电路设计和应用需求。

常用MOS管型号参数(精)

场效应管分类型号简介封装 DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FETIRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FETIRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 -100V,-6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9540 -100V,-19A TO-220 DISCRETE MOS FETIRF9610 -200V,-1.8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9620 -200V,-3.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR9020 -50V,-9.9A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS634A250V,5.8A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F DISCRETE MOS FETIRFS730A 400V,3.9A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DISCRETE MOS FETIRFS840A 500V,4.6A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFS9Z34 -60V,-12A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F DISCRETE MOS FETIRFSZ34A 60V,20A TO-220F DISCRETE MOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFU410A 500V ,1.2A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK DISCRETE MOS FET IRFZ20A 50V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220 DISCRETE MOS FET IRFZ30 50V,30A TO-220 DISCRETE MOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220 DISCRETE MOS FET IRFZ4050V,50A TO-220 DISCRETE MOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220 DISCRETE MOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F DISCRETE MOS FET IRLSZ14A60V,8A,Logic TO-220F DISCRETE MOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220 DISCRETE MOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220 DISCRETE MOS FETSFP36N03 30V,36A TO-220 DISCRETE MOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220 DISCRETE MOS FET SFP9540 -100V,-17A TO-220 DISCRETE MOS FET SFP9634 -250V,-5A TO-220DISCRETE MOS FET SFP9644 -250V,-8.6A TO-220 DISCRETE MOS FET SFP9Z34 -60V,-18A TO-220 DISCRETE MOS FET SFR9214 -250V,-1.53A D-PAK DISCRETE MOS FET SFR9224 -250V,-2.5A D-PAK DISCRETE MOS FET SFR9310 -400V,-1.5A D-PAK DISCRETE MOS FET SFS9630 -200V,-4.4A TO-220F DISCRETE MOS FET SFS9634 -250V,-3.4A TO-220F DISCRETE MOS FETSFU9220 -200V,-3.1A I-PAK DISCRETE MOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP DISCRETE MOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISCRETE MOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP DISCRETE MOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCRETE MOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCRETE MOS FETSSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETE MOS FET SSH60N10 100V,60A TO-3P DISCRETE MOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETE MOS FETSSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETE MOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3PDISCRETE MOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETE MOS FETSSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETE MOS FETSSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETE MOS FETSSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETE MOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETE MOS FETSSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETE MOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETE MOS FETSSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETE MOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETE MOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETE MOS FETSSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETE MOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETE MOS FET SSS6N60 600V, 3.2A TO-220(F/P。

常用MOS管型号大全

IRF450(铁)
NMOS
GD S
功放开关
500V13A125W66/60nS0.4
IRF460(铁)
NMOS
GDቤተ መጻሕፍቲ ባይዱS
功放开关
500V A W66/60nS0.4
2404 (铁)
NMOS
GD S
功放开关
400V30A200W
IRF530
NMOS
GDS
功放开关
100V14A79W51/36nS0.18
高频放大
-20V0.03A0.2W100MHz1.7dB
2SK304
NJ
GSD
音频功放
30V0.6-12mA0.15W
2SK385
NMOS
GDS
高速开关
400V10A120W100/140nS0.6
2SK386
NMOS
GDS
高速开关
450V10A120W100/140nS0.7
2SK413
NMOS
GDS
NMOS
GDS
低噪放大
120V3A20W25/195nS0.4
2SK1271
NMOS
GDS
功放开关
1400V5A240W55/260nS4.0
2SK1329
NMOS
GDS
电源开关
500V12A60W90/180nS0.6
2SK1335
NMOS
GDS
功放开关变频
200V3A20W37/50nS0.8
2SK1358
2SJ172
PMOS
GDS
激励
-60V10A40W73/275nS0.18
2SJ175
PMOS

常见mos管的型号参数

电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。

注意，焊接ＭＯＳ止静电。

TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。

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电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。

注意，焊接ＭＯＳ止静电。

TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。

现在的MOS驱动，有几个特别的需求，1，低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致gate上的电压只有4.3V。

这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。

同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合本文来自:原文网址：/sch/jcdl/0084942.html2，宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。

这个变动导致PWM电路提供动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。

在提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。

3，双电压应用在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高电压采用共地方式连接。

这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压同样会面对1和2中提到的问题。

在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含图1用于NMOS的驱动电路图2用于PMOS的驱动电路这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析：压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。

R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。

这个数值可以通过R5和R6来调节。

最后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是的限制。

必要的时候可以在R4上面并联加速电容。

这个电路提供了如下的特性：1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。

2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。

3，gate电压的峰值限制4，输入和输出的电流限制5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。

6，PWM信号反相。

NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。

在设计便携式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个转换器具有效率高、输出电流大、静态电流小等优点，非常适用于为便携式设备供电。

目前DC-DC转换展主要趋势有：（1）高频化技术：随着开关频率的提高，开关变换器的体积也随之减小，功率密度也得动态响应得到改善。

小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级。

（2）低输出电压技术：随着半导不断发展，微处理器和便携式电子设备的工作电压越来越低，这就要求未来的DC-DC变换器能够提供低应微处理器和便携式电子设备的要求。

这些技术的发展对电源芯片电路的设计提出了更高的要求。

首先，随着开关频率的不断提高，对性能提出了很高的要求，同时必须具有相应的开关元件驱动电路以保证开关元件在高达兆赫级的开关频其次，对于电池供电的便携式电子设备来说，电路的工作电压低（以锂电池为例，工作电压2.5～3.6V 芯片的工作电压较低。

MOS管具有很低的导通电阻，消耗能量较低，在目前流行的高效DC－DC芯片中多采用MOS管但是由于MOS管的寄生电容大，一般情况下NMOS开关管的栅极电容高达几十皮法。

这对于设计高工DC转换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求。

在低电压ULSI设计中有多种CMOS、BiCMOS采用自举升压结构的逻辑电路和作为大容性负载这些电路能够在低于1V电压供电条件下正常工作，并且能够在负载电容1～2pF的条件下工作频率能够至上百兆赫兹。

本文正是采用了自举升压电路，设计了一种具有大负载电容驱动能力的，适合于低电压升压型DC－DC转换器的驱动电路。

电路基于Samsung AHP615BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验压1.5V，负载电容为60pF时，工作频率能够达到5MHz以上。

2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。

常用于多级放大器的输入级作阻抗变换3、场效应管可以用作可变电阻。

4、场效应管可以方便地用作恒流源。

5、场效应管可以用作电子开关。

2常用场效应管的脚位图1使用注意事项对于P沟道mos管，VDS=-6V,VGS=-4.5V，ID=- 2.8A也就是栅极低于源极电压时开始导通。

相反对于N沟道mos管，VDS=6V,VGS= 4.5V，ID=2.8A也就是栅极高于源极电压时开始导通。

容易出现的错误大家注意到无论是N还是P mos管在D--->S之间都有二极管，此二极管起保护作用。

———————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————型号材料管脚用途参数3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.362SJ117PMOS GDS音频功放开关400V2A40W2SJ118PMOS GDS高速功放开关140V8A100W50/70nS0.52SJ122PMOS GDS高速功放开关60V10A50W60/100nS0.152SJ136PMOS GDS高速功放开关60V12A40W70/165nS0.32SJ143PMOS GDS功放开关60V16A35W90/180nS0.0352SJ172PMOS GDS激励60V10A40W73/275nS0.182SK30A NJ SDG低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB2SK108NJ SGD音频激励开关50V1-12mA0.3W701DB2SK118NJ SGD音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB2SK168NJ GSD高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB2SK192NJ DSG高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193NJ GSD高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214NMOS GSD高频高速开关160V0.5A30W2SK241NMOS DSG高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB2SK304NJ GSD音频功放30V0.6-12mA0.15W2SK385NMOS GDS高速开关400V10A120W100/140nS0.62SK386NMOS GDS高速开关450V10A120W100/140nS0.72SK413NMOS GDS高速功放开关140V8A100W0.5(2SJ118) 2SK423NMOS SDG高速开关100V0.5A0.9W4.52SK428NMOS GDS高速开关60V10A50W45/65NS0.152SK447NMOS SDG高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511NMOS SDG高速功放开关250V0.3A8W5.02SK534NMOS GDS高速开关800V5A100W4.02SK539NMOS GDS开关900V5A150W2.52SK560NMOS GDS高速开关500V15A100W0.42SK623NMOS GDS高速开关250V20A120W0.152SK727NMOS GDS电源开关900V5A125W110/420nS2.52SK734NMOS GDS电源开关450V15A150W160/250nS0.522SK785NMOS GDS电源开关500V20A150W105/240nS0.42SK787NMOS GDS高速开关900V8A150W95/240nS1.62SK790NMOS GDS高速功放开关500V15A150W0.4可驱电机2SK791NMOS GDS电源功放开关850V3A100W4.5可驱电机2SK794NMOS GDS电源开关900V5A150W2.5可驱电机2SK817NMOS GDS电源开关60V26A35W40/230nS0.0552SK832NMOS GDS高速开关900V4A85W55/100nS4.02SK899NMOS GDS功放开关500V18A125W130/440nS0.332SK962NMOS GDS电源开关900V8A150W280/460nS2.02SK940NMOS SDG激励.驱动60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动2SK1007NMOS GDS功放开关450V5A60W60/130nS1.62SK1010NMOS GDS高速开关500V6A80W70/130nS1.62SK1011NMOS GDS高速开关450V10A100W110/240nS0.652SK1012NMOS GDS高速开关500V10A100W110/240nS0.92SK1060NMOS GDS功放开关100V5A20W50/140nS0.272SK1081NMOS GDS激励,驱动800V7A125W145/250nS2.22SK1082NMOS GDS激励,驱动900V8A125W145/250nS2.82SK1094NMOS GDS激励,驱动60V15A25W80/300nS0.0652SK1101NMOS GDS功放开关450V10A50W165/360nS0.652SK1117NMOS GDS电源开关600V6A100W1.252SK1118NMOS GDS电源开关600V6A45W65/105nSD1.252SK1119NMOS GDS电源开关1000V4A100W3.82SK1120NMOS GDS电源开关1000V8A150W1.82SK1161NMOS GDS电源开关450V10A100W75/135nS0.82SK1170NMOS GDS电源开关500V20A120W147/290nS0.272SK1180NMOS GDS投影机用500V10A85W60/40nS0.62SK1195NMOS GDS电梯用230V1.5A10W37/100nS2SK1198NMOS GDS高速开关700V2A35W20/80nS3.22SK1217NMOS GDS电源开关90V8A100W280/460nS2.02SK1221NMOS GDS电源开关250V10A80W60/150nS0.42SK1247NMOS GDS电源开关500V5A30W50/90nS1.42SK1250NMOS GDS开关-感性500V20A150W130/260nS0.352SK1254NMOS GDS低噪放大120V3A20W25/195nS0.42SK1271NMOS GDS功放开关1400V5A240W55/260nS4.02SK1272NMOS GDS高速开关60V1A0.75W50/500nS0.652SK1329NMOS GDS电源开关500V12A60W90/180nS0.62SK1358NMOS GDS电源开关900V9A150W65/120nS1.42SK1374NMOS贴片50V50mA0.15W0.2US/0.2US502SK1379NMOS GDS激励,开关60V50A150W78/640nS0.0172SK1387NMOS GDS激励,开关60V35A40W66/500nS0.0352SK1388NMOS GDS激励,开关30V35A60W125/480nS0.0222SK1419NMOS GDS高速开关60V15A25W55/150nS0.082SK1445NMOS GDS高速开关450V5A30W45/175nS1.42SK1459NMOS GDS高速开关900V2.5A30W40/160nS6.02SK1460NMOS GDS高速开关900V3.5A40W50/265nS3.62SK1463NMOS GDS高速开关900V4.5A60W50/265nS3.62SK1482NMOS GDS开关功放低噪30V1.5A0.75W65/660nS4.5 2SK1507NMOS GDS高速开关600V9A50W110/240nS1.02SK1535NMOS GDS通用900V3A30W45/110nS5.02SK1537NMOS GDS通用900V5A100W65/145nS3.02SK1681NMOS GDS电源开关500V30A300W180/320nS0.352SK1745NMOS GDS激励,开关500V18A150W120/210nS0.362SK1794NMOS GDS电源激励开关900V6A100W50/105nS2.82SK1796NMOS GDS功放开关900V10A150W90/230nS1.22SK1850NMOS GDS开关电机驱动60V10A1.8W110/360nS0.07 2SK1916NMOS GDS开关电源用450V18A80W170/33nS0.452SK1937NMOS GDS开关UPS用500V15A125W100/230nS0.482SK1985NMOS GDS开关UPS用900V5A50W35/105nS2.82SK2039NMOS GDS电源开关900V5A150W70/210nS2.52SK2040NMOS GDS电源开关600V2A20W11/45nS52SK2082NMOS GDS开关UPS用900V9A150W85/210nS1.402SK2101NMOS GDS电源开关800V6A50W50/130nS2.12SK2141NMOS GDS传动驱动600V6A35W30/880nS1.12SK2147NMOS GDS开关UPS用900V6A80W145/250nS2.82SK2161NMOS SDG高速开关200V9A25W27/255nS0.452SK2189NMOS GDS高速开关500V10A70W70/400nS1.02SK2485NMOS GDS监视器用电源900V6A100W30/85nS 2.80 2SK2487NMOS GDS监视器用电源900V8A140W50/153nS1.12SK2611NMOS GDS监视器用电源900V9A150W2SK2645NMOS GDS监视器用电源500V15A125W2SK4847NMOS GDS电源开关100V36125W0.083SK103NMOS gGDS高频放大15V0.02A0.2W900MHz3SK122NMOS gGDS高频放大20V7-25mA0.2W200MHz1.2dBBS170NMOS60V0.3A0.63W12/12nS5.0BUZ11A NMOS GDS开关50V25A75W60/110nS0.055BUZ20NMOS GDS功放开关100V12A75W75/80nSFS3KM NMOS GDS高速开关500V3A30W23/60nS4.4FS5KM NMOS GDS高速开关900V3A53W50/190nS4.FS7KM NMOS GDS高速开关900V5A50W35/105nS2.8FS10KM NMOS GDS高速开关FS12KM NMOS GDS高速开关250V12A35W53/120nS0.40FS7SM-16NMOS GDS高速开关800V7A150W1.6H120N60NMOS GDS开关600V120AIRF130(铁)NMOS GDS功放开关100V14A79W75/45nS0.16IRF230(铁)NMOS GDS功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF250(铁)NMOS GDS功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF541NMOS GDS功放开关80V28A150W110/75nS0.077 IRF610NMOS GDS功放开关200V3.3A43W26/13nS1.5IRF630NMOS GDS功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF640NMOS GDS功放开关200V18A125W77/54nS0.18 IRF720NMOS GDS功放开关400V3.3A50W21/20nS1.8IRF730NMOS GDS功放开关400V5.5A75W29/24nS1.0IRF740NMOS GDS功放开关400V10A125W41/36nS0.55 IRF830NMOS GDS功放开关500V4.5A75W23/23nS1.5IRF840NMOS GDS功放开关500V8A125W35/33nS0.85IRF9530PMOS GDS功放开关100V12A75W140/140nS0.4 IRF9531PMOS GDS功放开关60V12A75W140/140S0.3IRF9541PMOS GDS功放开关60V19A125W140/141nS0.2 IRF9610PMOS GDS功放开关200V1A20W25/15nS2.3IRF9630PMOS GDS功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFS9630PMOS GDS功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFBC20NMOS GDS功放开关600V2.2A50W15/30nS4.4 IRFBC30NMOS GDS功放开关600V3.6A74W20/21nS2.2 IRFBC40NMOS GDS功放开关600V6.2A125W27/30nS1.2 IRFBE30NMOS GDS功放开关800V2.8A75W15/30nS3.5 IRFD120NMOS功放开关100V1.3A1W70/70nS0.3IRFD123NMOS功放开关80V1.1A1W70/70nS0.3IRFI730NMOS GDS功放开关400V4A32W1.0IRFI744NMOS GDS功放开关400V4A32W1.0IRFP054NMOS GDS功放开关60V65A180W0.022IRFP140NMOS GDS功放开关100V29150W0.85IRFP150NMOS GDS功放开关100V40A180W210/140nS0.55 IRFP240NMOS GDS功放开关200V19A150W0.18IRFP250NMOS GDS功放开关200V33A180W180/120nS0.08 IRFP340NMOS GDS功放开关400V10A150W0.55IRFP350NMOS GDS功放开关400V16A180W77/71nS0.3 IRFP353NMOS GDS功放开关350V14A180W77/71XnS0.4 IRFP360NMOS GDS功放开关400V23A250W140/99nS0.2 IRFP440NMOS GDS功放开关500V8.1A150W0.85IRFP450NMOS GDS功放开关500V14A180W66/60nS0.4 IRFP460NMOS GDS功放开关500V20A250W120/98nS0.27 IRFP9140PMOS GDS功放开关100V19A150W100/70nS0.2IRFU020NMOS GDS功放开关50V15A42W83/39nS0.1IXGH20N60ANMOS GDS600V20A150WIXGFH26N50NMOS GDS500V26A300W0.3IXGH30N60ANMOS GDS600V30A200WIXGH60N60ANMOS GDS600V60A250WIXTP2P50PMOS GDS功放开关500V2A75W5.5代J117J177PMOS SDG开关30V1.5mA0.35WM75N06NMOS GDS音频功放开关60V75A120WMTH8N100NMOS GDS功放开关1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80NMOS GDS功放开关800V10A150WMTM30N50NMOS功放开关(铁)500V30A250WMTM55N10NMOS GDS功放开关(铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10NMOS GDS功放开关100V27A125W0.05MTP2955PMOS GDS功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP3055NMOS GDS功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP40N06NMOS GDS功放开关(双)60V40A150W/70nS0.3MTW20N50NMOS GDS功放开关500V20A250W0.27RFP40N10NMOS GDS功放开关100V40A160W30/20nS0.04RFP50N05NMOS GDS功放开关50V50A132W55/15nS0.022RFP50N06NMOS GDS功放开关60V50A145W55/15nS0.022RFP6N60NMOS GDS功放开关600V6A75W80/100nS1.50RFP60N06NMOS GDS功放开关60V60A120W50/15nS0.03RFP70N06NMOS GDS功放开关60V70A150WSMP50N06NMOS GDS功放开关50V60A125W50nS0.026SMP60N06NMOS GDS功放开关60V60A125W50nS0.023SMW11N20NMOS GDS功放开关200V11A150WSMW11P20PMOS GDS功放开关200V11A150WSMW20N10NMOS GDS功放开关100V20A150WSMW20N10PMOS GDS功放开关100V20A150WSSH7N90NMOS GDS高速电源开关900V7A150WSSP6N60NMOS GDS高速电源开关600V6A150WSSP5N90NMOS GDS高速电源开关900V5A125WSSP7N80NMOS GDS高速电源开关800V7A75WSUP75N06NMOS GDS功放开关60V75A125W0.05W12NA50W NMOS GDS功放开关50V12A150W300/600nSGT15Q101NMOS GDS IGBT1400V15A150WIMBH60NMOS GDS-100IGBT1000V60A300WIMBH60D NMOS GDS-100IGBT1000V60A300W(带阻)SDT3055NMOS GDSTSD45N50V NMOS场效应模块500V45A400WTN2460L35N1201200V35A250WEXB841IGBT驱动——————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————————IRFP250200V33A180W**NMOS场应IRFP240200V19A150W**NMOS场应IRFP150100V40A180W**NMOS场应应IRF840500V8A125W**NMOS场应IRF830500V 4.5A75W**NMOS场应IRF740400V10A125W**NMOS场应IRF730400V 5.5A75W**NMOS场应IRF720400V 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