电子技术基础课后答案 庄丽娟
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《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。
A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。
A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是（）。
电子技术基础及参考答案（自考）
电子技术基础及参考答案（自考）电子技术基础及参考答案（02234）一、选择题（共75小题，每题2分，共150分）1、在电路理论中叠加原理适用于【】A. 线性电路B. 非线性电路C. 积分电路D. 都可以2、铜线可以作为导线是因为它是【】A. 半导体B. 绝缘体C. 导体D. 稳定性好3、在线性电路中，每个节点电流的总和为【】A. 0B. -1C. 1D. 104、在纯阻性负载串联电路中，每个电阻两端的电压【】A. 大小方向均不相同B.大小方向均相同C. 大小不同、方向相同D.大小相同方向不同5、白炽灯的负载性质是【】A. 感性负载B. 容性负载C. 阻性负载D. 不确定6、日光灯的负载性质是【】A. 感性负载B. 容性负载C. 阻性负载D. 都不是7、本征半导体是指半导体中【】A. 自由电子和空穴数量相等B. 只有电子C. 只有空穴D. 电子数量大于空穴数量8、杂质半导体是指半导体中【】A. 自由电子和空穴数量相等B. 只有电子C. 只有空穴D. 电子数量和空穴数量不相等9、P型半导体是指半导体中【】A. 自由电子和空穴数量相等B. 自由电子数量大于空穴数量C. 空穴数量大于自由电子数量D. 自由电子数量和空穴数量不相等10、N型半导体是指半导体中【】A. 自由电子和空穴数量相等B. 自由电子数量大于空穴数量C. 空穴数量大于自由电子数量D. 自由电子数量和空穴数量不相等11、杂质半导体有【】A. P型半导体B. N型半导体C. P型和N型半导体D. S型半导体12、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于【】A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷13、二极管有多少个PN结？【】A. 3个B. 2个C. 1个D. 0个14、二极管的特性是【】A. 放大特性B. 单向导电特性C. 恒温特性D. 恒流特性15、三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是【】A. 放大B. 饱和C. 截止D. 倒置16、双极型三极管的输出电流大小是靠【】A. 输入电压控制B. 输入电流控制C. 功率控制D. 都可以控制17、三极管工作在放大区的条件是【】A. 发射结反偏，集电结正偏B. 反射结反偏，集电结反偏C. 发射结正偏，集电结反偏D. 发射结正偏，集电结正偏18、测得NPN三极管的U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在【】A. 击穿状态B. 截止状态C. 放大状态D. 饱和状态19、工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为【】A. 50B. 80C. 100D. 18020、放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V 和-9.3V，则该管为【】A. NPN硅管B. NPN锗管C. PNP硅管D. PNP锗管21、三极管两个PN结都反偏时，工作在【】A. 放大状态B. 饱和状态C. 截止状态D. 倒置状态22、以下电路中，可用作电压跟随器的是【】A. 差分放大电路B. 共基放大电路C. 共射放大电路D. 共集放大电路23、下列哪种失真不属于非线性失真？【】A. 饱和失真B. 截止失真C. 交越失真D. 频率失真24、共射极放大器的输出电压和输入电压在相位上相差【】A. 90°B. 180°C. 60°D. 30°25、理想集成运放的输入电流为【】A. 无穷大B. 零C. mA级D. μA级26、在集成运放电路中，各级放大电路之间采用了【】A. 直接耦合方式B. 变压器耦合方式C. 阻容耦合方式D.光电耦合方式27、在比例运算电路中，比例系数大于1的电路是【】A. 反相比例电路B. 同相比例电路C. A和B都可以D. A和B都不行28、为了增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用【】A. 共射放大电路B. 共集放大电路C. 共基放大电路D.共漏极放大电路29、在负反馈放大电路中，电压串联负反馈使输入电阻【】A. 增大C. 不变D. 近似不变30、构成反馈网络的元件【】A. 只能是电阻元件B. 只能是有源元件C. 只能是无源元件D. 可以是有源元件也可以是无源元件31、交流负反馈在电路中主要作用是【】A. 稳定静态工作点B. 防止电路产生自激振荡C. 降低电路增益D. 改善电路的动态性能32、直流负反馈在电路中的主要作用是【】A. 稳定静态工作点B. 降低输出电阻C. 提高输入电阻D. 增大电路增益33、RC正弦波振荡电路可以产生【】A. 方波B. 锯齿波C. 高频正弦波D. 低频正弦波34、在共射放大电路中，若输出电压出现了顶部失真，则该失真为【】A. 饱和失真B. 截止失真C. 交越失真D. 频率失真35、乙类功放电路中三极管的导通角为【】B. 270度C. 180度D. 90度36、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是【】A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差D. 输出电压37、典型的串联型线性稳压电路正常工作时，调整管处于【】A. 饱和状态B. 放大状态C. 截止状态D. 倒置状态38、集成稳压器7805的输出电压是【】A. +10VB. -10VC. +5VD. -5V39、十进制数6在8421BCD 码中表示为【】A. 0101B. 0110C. 0111D. 100040、当逻辑函数有n 个变量时，共有多少个变量取值组合？【】A ．nB ．2nC ．2nD ．n 241、逻辑表达式F = A + BD + CDE + D = 【】A ．AB ．A+DC ．D D ．A+BD42、逻辑表达式A + BC = 【】A ．A+B B ．A+C C ．B+CD ．(A+B )(A+C )43、逻辑函数F = A ⊕(A ⊕B ) = 【】A ．B B ．AC ．A ⊕BD ．A B ⊕44、逻辑函数()Y AC ABD BCD E F =+++的最简与或式为【】A ．AC BD +B ．AC ABD + C ．AC B + D ．A BD +45、逻辑函数Y AB AB BC =++的标准与或式为【】A ．()2,3,4,5,7m ∑B ．()12346m ∑，，，， C ．()01235m ∑，，，， D ．()34567m ∑，，，， 46、逻辑表达式L =AB+C 的对偶式为【】A ．A+BCB ．(A+B )C C ．A+B+CD ．ABC47、逻辑函数F AB BC =+的反函数F = 【】A ．()()AB BC ++ B. ()()A B B C ++C. A B C ++D. AB BC +48、在四变量卡诺图中，逻辑上不相邻的一组最小项为【】A ．m 1与m 3B ．m 4与m 6C ．m 5与m 13D ．m 2与m 849、和TTL 电路相比，CMOS 电路最突出的优点在于【】A ．可靠性高B ．抗干扰能力强C ．速度快D ．功耗低50、下列几种TTL 电路中，输出端可实现线与功能的电路是【】A. 或非门B. 与非门C. OC 门D. 异或门51、OC 门是【】A. 集电极开路门B. 三态门C. 与非门D. 非门52、某逻辑函数的卡诺图如图1所示，则该逻辑函数最简与或表达式为【】A ．Y = ABC B. Y = AB+AC C ．Y = BC+AB D ．无答案图153、逻辑函数F 1、F 2、F 3的卡诺图如图2所示，它们之间的逻辑关系是【】A ．F 3= F 1? F 2B ．F 3= F 1+ F 2C ．F 2= F 1? F 3D ．F 2= F 1+ F3F 1 F 2 F 3图254、已知某电路的真值表如表1所示，该电路的逻辑表达式为【】A ．Y C = B. Y ABC = C ．Y ABC =+D ．Y BC C =+表155、逻辑电路如图3所示，逻辑函数表达式为【】A ．F ABC =+ B ．F AB C =+ C ．F AB C =+D ．F A BC =+ABCF图356、已知AB A C BC AB A C ++=+，左式和右式的两个逻辑函数分别是X 和Y ，产生竞争冒险的是【】A ．XB ．YC ．X 和YD ．都不会57、在下列逻辑电路中，不是组合逻辑电路的有【】A ．译码器B ．编码器C ．全加器D ．寄存器58、若在编码其中有50个编码对象，则要求输出二进制代码位数为【】A ．5B ．6C ．10D ．5059、一个16选一的数据选择器，其地址输入端个数为【】A ．1B ．2C ．4D ．1660、用四选一数据选择器实现1010Y A A A A =+，应使【】A ．03120,1D D D D ====B ．03121,0D D D D ====C ．01230,1D D D D ==== D ．01231,0D D D D ====61、半加器的两个加数为A 和B ，进位输出端的表达式为【】A ．AB B ．+A BC ．ABD ．AB62、已知74LS138译码器的三个使能端（11E =，23=0E E =）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出7Y ~0Y 是【】A ．11111101B ．10111111C ．11110111D ．1111111163、逻辑状态功能表如表2所示，则实现该功能的逻辑部件是【】A ．比较器 B. 二进制译码器C ．二进制编码器 D. 十进制编码器表264、设计一个同步模8计数器需要的触发器数目为【】A ．1B ．3C ．5D ．865、一个触发器可记录一位二进制代码，它有多少个稳态？【】A ．0B ．1C ．2D ．366、为将D 触发器转换为T 触发器，图4所示电路的虚线框内应是【】A．或非门B．与非门C．异或门D．同或门图467、N个触发器可以构成能寄存多少位二进制数码的寄存器？【】A. NB. N-1C. N+1D. 2N68、在下列触发器中，有约束条件的是【】A．RS B．JK C．D D．T69、存储8位二进制信息要多少个触发器？【】A．2 B．3 C．4 D．870、可用来暂时存放数据的器件是【】A. 译码器B. 寄存器C. 全加器D. 编码器71、要使JK触发器在时钟脉冲作用下的次态与现态相反，输入端JK应该为【】A．00 B．01 C．10 D．1172、某计数器的状态转换图如图5所示，其计数容量为【】A．八 B. 五 C. 四 D. 三图5+=逻辑功能的电路是【】73、如图所示电路中，能完成1n nQ QA．B．C．D．74、指出下列电路中能够把串行数据变成并行数据的电路应该是【】A. JK触发器B. 3/8线译码器C. 移位寄存器D. 十进制计数器75、输入100Hz脉冲信号，要获得10Hz的输出脉冲信号需要用多少进制计数器实现？【】A ．100进制 B. 10进制 C ．50进制 D ．5进制二、判断题（共25小题，每题2分，共50分）1、目前国家民用电交流电的频率时100HZ 。
数字电子技术基础课后习题及参考答案
《数字电子技术基础》课后习题及参考答案(总90页)-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面，使用请直接删除第1章习题与参考答案【题1-1】将下列十进制数转换为二进制数、八进制数、十六进制数。
（1）25；（2）43；（3）56；（4）78解：（1）25=（11001）2=（31）8=（19）16（2）43=（101011）2=（53）8=（2B）16（3）56=（111000）2=（70）8=（38）16（4）（1001110）2、（116）8、（4E）16【题1-2】将下列二进制数转换为十进制数。
（1）；（2）；（3）；（4）解：（1）=177（2）=170（3）=241（4）=136【题1-3】将下列十六进制数转换为十进制数。
（1）FF；（2）3FF；（3）AB；（4）13FF解：（1）（FF）16=255（2）（3FF）16=1023（3）（AB）16=171（4）（13FF）16=5119【题1-4】将下列十六进制数转换为二进制数。
（1）11；（2）9C；（3）B1；（4）AF解：（1）（11）16=（00010001）21（2）（9C）16=（）2（3）（B1）16=（1011 0001）2（4）（AF）16=（）2【题1-5】将下列二进制数转换为十进制数。
（1）；（2）；（3）；（4）解：（1）（）2=（2）（）2=（3）（）2=【题1-6】将下列十进制数转换为二进制数。
（1）；（2）；（3）；（4）解：（1）=（）2（2）=（）2（3）=（）2（4）=（）2【题1-7】写出下列二进制数的反码与补码（最高位为符号位）。
（1）01101100；（2）；（3）；（4）解：（1）01101100是正数，所以其反码、补码与原码相同，为01101100（2）反码为，补码为（3）反码为，补码为（4）反码为，补码为【题1-8】将下列自然二进制码转换成格雷码。
电子技术基础课后答案2_庄丽娟
I1
U CC
R B1
I R C 1
CQ1
R B3
ICQ 2
V T1
R B2
I BQ 1
R E1
I EQ 1
IBQ 2
R E2
V T2
IEQ 2
I2
R B 2I2U B E+ R E 1IE Q 10
IBQ119.56A
IC Q 1IBQ 10.98m A
R B 1 I1 U B E+ R E 1 IE Q 1 U C C IE Q 11 IB Q 11m A
C2 u0
O
t
a)
b)
解：饱和失真，为了消除失真，得让静态工作点
从饱和区移到放大区，则要减小IBCQ、ICQ。于是根
据分析直流通路，需要提高RB。
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2-8 电路如图所示，调节电位器可以调节放大器的静态工作点。
已知RC=3kΩ，电源Ucc=12V，晶体管为3DG100，β=50。 1）如果要求ICQ=2mA，RB值应为多大？ 2）如果要求UCEQ=4.5V，RB值又应为多大？
C1+
R B1 R B2
R B1 R B2
R
E
+
CR2 C
R +C
C3
U CC
+
+ u0 u0
微变等效电路 ib
+
ui
R B1
R B2rbeic+ib R C
u0
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b) 直流通路
交流通路
RB
+
C
RB
1+
ui
RE
《电子技术基础》第五版(数字部分)高教版课后答案
__________________________________________________ 1．1 数字电路与数字信号第一章数字逻辑习题1.1.2 图形代表的二进制数010110100MSBLSB0121112（ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制−41.2.2 将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于 2（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=27-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1 将下列十进制数转换为 8421BCD 码：（1）43 （3）254.25解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3 试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28（1）+ （2）@ （3）yo u (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
（1）“+”的ASCⅡ码为0101011，则（00101011）B=（2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you 的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43 的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法解: (a)为与非，(b)为同或非，即异或第二章逻辑代数习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式1 1 011111= A(1+ BC ) + ACD+C DE = A+ ACD+C DE= A+CD+CD E= A+C D+ E2.1.4 用代数法化简下列各式(3) ABC B+C)= A⊕B+ A⊕B+(A+ B)(A+ B)__________________________________________________1__________________________________________________= B + AB + AB= AB + B= A + B= AB(9) ABC D + ABD + BC D + ABCBD + BC解： ABC D + ABD + BC D + ABCBD + BC=+ +++= = =B ( A +C +D )L = D ( A +C )__________________________________________________2__________________________________________________(3)( L= A+ B)(C+ D)2.2.2 已知函数 L（A，B，C，D）的卡诺图如图所示，试写出函数 L 的最简与或表达式解：L( A, B, C, D) = BC D+ BCD+B C D+ ABD2.2.3 用卡诺图化简下列个式（1）ABCD+ ABCD+ AB+ AD+ ABC3__________________________________________________解：ABCD+ ABCD+ AB+ AD+ ABC= ABCD+ ABCD+ AB C+C D+D+ AD B+ B C+C+ ABC D+ D)( )( ) ( )( ) ( = ABCD+ ABCD+ ABC D+ ABCD+ ABC D+ ABC D+ ABC D（6）L( A, B, C, D) = m解：(0, 2, 4, 6, 9,13) +d(1, 3, 5, 7,11,15)L= A+D（7）L( A, B, C, D) = m解: (0,13,14,15) +d(1, 2, 3, 9,10,11)__________________________________________________L= AD+ AC+ AB4__________________________________________________2.2.4 已知逻辑函数L= AB+ BC+C A，试用真值表,卡诺图和逻辑图（限用非门和与非112>由真值表画出卡诺图11113>由卡诺图,得逻辑表达式L= AB+ BC+ AC 用摩根定理将与或化为与非表达式L= AB+ BC+ AC= AB⊕B C⊕A C4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图__________________________________________________5__________________________________________________第三章习题3.1 MOS 逻辑门电路逻辑门 B 逻辑门 C3.54.20.2 0.22.53.20.6 0.8P D /mW逻辑门 A 1 1.2 16逻辑门 B 逻辑门 C 5 106 10 8 1解:延时-功耗积为传输延长时间与功耗的乘积,即DP = t pd P D根据上式可以计算出各逻辑门的延时-功耗分别为DP A =t PLH +t PHLP D =+ ns (1 1.2)*16mw=17.6* 10 12 J=17.6PJ__________________________________________________-16802-16802同理得出: DP B=44PJ DP C=10PJ,逻辑门的DP 值愈小,表明它的特性愈好,所以逻辑门C 的性能最好.3.1.5 为什么说74H C 系列CMOS 与非门在+5V电源工作时,输入端在以下四种接法下都属于逻辑0: (1)输入端接地; (2)输入端接低于1.5V 的电源; (3)输入端接同类与非门的输出低电压0.1V; (4)输入端接10kΩ的电阻到地.解:对于74HC 系列CMOS 门电路来说,输出和输入低电平的标准电压值为:V OL=0.1V, V IL=1.5V,因此有:(1) Vi=0< V IL=1.5V,属于逻辑门0(2) Vi<1.5V=V IL,属于逻辑门0(3) Vi<0.1<V IL=1.5V,属于逻辑门0__________________________________________________3.1Vi<0.01V< IL3.1.7 求图题3.1.7 所示电路的输出逻辑表达式.解:图解 3.1.7 所示电路中L1= AB,L2= BC,L3= D,L4 实现与功能,即L4=L1 L2 L3,而L= L4 E,所以输出逻辑表达式为L= AB BC D E3.1.9 图题3.1.9 表示三态门作总线传输的示意图，图中n 个三态门的输出接到数据传输总线，D1，D2，……Dn为数据输入端，CS1，CS2……CSn为片选信号输入端.试问:(1) CS 信号如何进行控制,以便数据D1,D2, ……Dn通过该总线进行正常传输; (2)CS 信号能否有两个或两个以上同时有效?如果出现两个或两个以上有效,可能发生什么情况? (3)如果所有CS 信号均无效,总线处在什么状态?__________________________________________________-724解: (1)根据图解3.1.9 可知,片选信号CS1，CS2……CSn为高电平有效,当CSi=1时第i 个三态门被选中,其输入数据被送到数据传输总线上,根据数据传输的速度,分时地给CS1，CS2……CSn 端以正脉冲信号,使其相应的三态门的输出数据能分时地到达总线上.(2)CS 信号不能有两个或两个以上同时有效,否则两个不同的信号将在总线上发生冲突,即总线不能同时既为0 又为1.(3)如果所有CS 信号均无效,总线处于高阻状态.3.1.12 试分析3.1.12 所示的CMOS 电路，说明它们的逻辑功能（A ）（C ）（B ）（D ）解：对于图题 3.1.12（a ）所示的 CMOS 电路，当 EN =0 时， T P 2 和 T N 2 均导通，T P 1 和T N 1构成的反相器正常工作，L=A ，当 EN =1 时， 和 T N 2 均截止，无论 A 为高电平还是T P 211 113.1.12（d）高阻高阻高阻将处于截止状态，由（ 1 ）这时相当于输入端输入高电平。
《电子技术基础》第五版高教康华光版部分课后答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制2 1.2.2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28（1）+ （2）@ （3）you (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
（1）“+”的ASCⅡ码为0101011，则（00101011）B=（2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法1.6.1在图题1. 6.1中，已知输入信号A，B`的波形，画出各门电路输出L的波形。
解: (a)为与非， (b)为同或非，即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 (3)A B AB AB ⊕=+（A ⊕B ）=AB+AB 解：真值表如下A B A B ⊕ABAB A B ⊕AB +AB0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
《电子技术基础》第五版课后答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制2 1.2.2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28（1）+ （2）@ （3）you (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
（1）“+”的ASCⅡ码为0101011，则（00101011）B=（2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法1.6.1在图题1. 6.1中，已知输入信号A，B`的波形，画出各门电路输出L的波形。
解: (a)为与非， (b)为同或非，即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 (3)A B AB AB ⊕=+（A ⊕B ）=AB+AB A B A B ⊕ABAB A B ⊕AB +AB0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
电子技术基础习题答案
三、选择题：每小题2分,共20分1、单极型半导体器件是C ;A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管;2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的A元素构成的;A、三价；B、四价；C、五价；D、六价;3、稳压二极管的正常工作状态是 C ;A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态;4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管C ;A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断;5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是A而成;A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移;6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝,V B＝,V C＝,说明此三极管处在A ;A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区;7、绝缘栅型场效应管的输入电流C ;A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断;8、正弦电流经过二极管整流后的波形为C ;A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波;9、三极管超过C所示极限参数时,必定被损坏;A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U BRCEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数 ;10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是CA、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏;三、选择题：每小题2分,共20分1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有C;A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有;2、基本放大电路中的主要放大对象是B;A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有;3、分压式偏置的共发射极放大电路中,若V B点电位过高,电路易出现B;A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损;4、共发射极放大电路的反馈元件是B;A、电阻R B；B、电阻R E；C、电阻R C;5、功放首先考虑的问题是A;A、管子的工作效率；B、不失真问题；C、管子的极限参数;6、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是A;A、放大电路的电压增益；B、不失真问题；C、管子的工作效率;7、射极输出器的输出电阻小,说明该电路的AA、带负载能力强；B、带负载能力差；C、减轻前级或信号源负荷;8、功放电路易出现的失真现象是C;A、饱和失真；B、截止失真；C、交越失真;9、基极电流i B的数值较大时,易引起静态工作点Q接近B;A、截止区；B、饱和区；C、死区;10、射极输出器是典型的C;A、电流串联负反馈；B、电压并联负反馈；C、电压串联负反馈;三、选择题：每小题2分,共20分1、理想运放的开环放大倍数A u0为A,输入电阻为A,输出电阻为B;A、∞；B、0；C、不定;2、国产集成运放有三种封闭形式,目前国内应用最多的是C;A、扁平式；B、圆壳式；C、双列直插式;3、由运放组成的电路中,工作在非线性状态的电路是C;A、反相放大器；B、差分放大器；C、电压比较器;4、理想运放的两个重要结论是B;A、虚短与虚地；B、虚断与虚短；C、断路与短路;5、集成运放一般分为两个工作区,它们分别是B;A、正反馈与负反馈；B、线性与非线性；C、虚断和虚短;6、B输入比例运算电路的反相输入端为虚地点;A、同相；B、反相；C、双端;7、集成运放的线性应用存在C现象,非线性应用存在B现象;A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短;8、各种电压比较器的输出状态只有B;A、一种；B、两种；C、三种;9、基本积分电路中的电容器接在电路的C;A、反相输入端；B、同相输入端；C、反相端与输出端之间;10、分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是B;A、虚地；B、虚短；C、虚断;三、选择题每小题2分,共12分1、逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为 B ;A、逻辑加B、逻辑乘C、逻辑非2．、十进制数100对应的二进制数为C ;A、1011110B、1100010C、1100100D、3、和逻辑式AB表示不同逻辑关系的逻辑式是B ;A 、B A + B 、B A •C 、B B A +•D 、A B A +4、数字电路中机器识别和常用的数制是 A ;A 、二进制B 、八进制C 、十进制D 、十六进制5、＋56的补码是 D ;A 、00111000B B 、C 、01000111BD 、01001000B6、所谓机器码是指 B ;A 、计算机内采用的十六进制码B 、符号位数码化了的二进制数码C 、带有正负号的二进制数码D 、八进制数三、选择题每小题2分,共20分1、具有“有1出0、全0出1”功能的逻辑门是 B ;A 、与非门B 、或非门C 、异或门D 、同或门2、下列各型号中属于优先编译码器是 C ;A 、74LS85B 、74LS138C 、74LS148D 、74LS483、七段数码显示管TS547是 B ;A 、共阳极LED 管B 、共阴极LED 管C 、极阳极LCD 管 D 、共阴极LCD 管4、八输入端的编码器按二进制数编码时,输出端的个数是 B ;A 、2个B 、3个C 、4个D 、8个5、四输入的译码器,其输出端最多为 D ;A 、4个B 、8个C 、10个D 、16个6、当74LS148的输入端70~I I 按顺序输入时,输出02~Y Y 为 B ;A 、101B 、010C 、001D 、1107、一个两输入端的门电路,当输入为1和0时,输出不是1的门是 D ;A 、与非门B 、或门C 、或非门D 、异或门8、多余输入端可以悬空使用的门是 B ;A 、与门B 、TTL 与非门C 、CMOS 与非门D 、或非门9、译码器的输出量是 A ;A 、二进制B 、八进制C 、十进制D 、十六进制10、编码器的输入量是 C ;A 、二进制B 、八进制C 、十进制D 、十六进制三、选择题每小题2分,共20分1、仅具有置“0”和置“1”功能的触发器是 C ;A 、基本RS 触发器B 、钟控RS 触发器C 、D 触发器 D 、JK 触发器2、由与非门组成的基本RS 触发器不允许输入的变量组合R S 为 A ;A 、00B 、01C 、10D 、113、钟控RS 触发器的特征方程是 D ;A 、n 1n Q R Q +=+B 、n 1n Q S Q +=+C 、n 1n Q S R Q +=+D 、n n Q R S Q +=+14、仅具有保持和翻转功能的触发器是 B ;A 、JK 触发器B 、T 触发器C 、D 触发器 D 、T ˊ触发器5、触发器由门电路构成,但它不同门电路功能,主要特点是 CA 、具有翻转功能B 、具有保持功能C 、具有记忆功能6、TTL 集成触发器直接置0端D R 和直接置1端D S 在触发器正常工作时应 CA 、D R =1,D S =0B 、D R =0,D S =1C 、保持高电平“1”D 、保持低电平“0”7、按触发器触发方式的不同,双稳态触发器可分为 CA 、高电平触发和低电平触发B 、上升沿触发和下降沿触发C 、电平触发或边沿触发D 、输入触发或时钟触发8、按逻辑功能的不同,双稳态触发器可分为 A ;A 、RS 、JK 、D 、T 等B 、主从型和维持阻塞型C 、TTL 型和MOS 型D 、上述均包括9、为避免“空翻”现象,应采用 B 方式的触发器;A 、主从触发B 、边沿触发C 、电平触发10、为防止“空翻”,应采用 C 结构的触发器;A、TTLB、MOSC、主从或维持阻塞三、选择题每小题2分,共20分1、描述时序逻辑电路功能的两个必不可少的重要方程式是B ;A、次态方程和输出方程B、次态方程和驱动方程C、驱动方程和时钟方程D、驱动方程和输出方程2、用8421BCD码作为代码的十进制计数器,至少需要的触发器触发器个数是C ;A、2B、3C、4D、53、按各触发器的状态转换与时钟输入CP的关系分类,计数器可分A计数器;A、同步和异步B、加计数和减计数C、二进制和十进制4、能用于脉冲整形的电路是C ;A、双稳态触发器B、单稳态触发器C、施密特触发器5、四位移位寄存器构成的扭环形计数器是B计数器;A、模4B、模8C、模166、下列叙述正确的是DA、译码器属于时序逻辑电路B、寄存器属于组合逻辑电路C、555定时器属于时序逻辑电路D、计数器属于时序逻辑电路7、利用中规模集成计数器构成任意进制计数器的方法是BA、复位法B、预置数法C、级联复位法8、不产生多余状态的计数器是A ;A、同步预置数计数器B、异步预置数计数器C、复位法构成的计数器9、数码可以并行输入、并行输出的寄存器有CA、移位寄存器B、数码寄存器C、二者皆有10、改变555定时电路的电压控制端CO的电压值,可改变CA、555定时电路的高、低输出电平B、开关放电管的开关电平C、比较器的阈值电压D、置“0”端R的电平值三、选择题每小题2分,共20分1、图8-15输出端表示的逻辑关系为A;A、ACDB、ACDC、BD、B2、利用电容的充电来存储数据,由于电路本身总有漏电,因此需定期不断补充充电刷新才能保持其存储的数据的是BA、静态RAM的存储单元B、动态RAM的存储单元3、关于存储器的叙述,正确的是AA、存储器是随机存储器和只读存储器的总称B、存储器是计算机上的一种输入输出设备C、计算机停电时随机存储器中的数据不会丢失4、一片容量为1024字节×4位的存储器,表示有C个存储单元;A 、1024B 、4C 、4096D 、85、一片容量为1024字节×4位的存储器,表示有A 个地址;A 、1024B 、4C 、4096D 、86、只能读出不能写入,但信息可永久保存的存储器是AA 、ROMB 、RAMC 、PRAM7、ROM 中译码矩阵固定,且可将所有输入代码全部译出的是C ;A 、ROMB 、RAMC 、完全译码器8、动态存储单元是靠B 的功能来保存和记忆信息的;A 、自保持B 、栅极存储电荷9、利用双稳态触发器存储信息的RAM 叫B RAM;A 、动态B 、静态10、在读写的同时还需要不断进行数据刷新的是A 存储单元;A 、动态B 、静态三、选择题每小题2分,共20分1、ADC 的转换精度取决于A ;A 、分辩率B 、转换速度C 、分辨率和转换速度2、对于n 位DAC 的分辨率来说,可表示为C ;A 、n 21B 、1-n 21C 、121n3、R-2R梯形电阻网络DAC中,基准电压源U R和输出电压u0的极性关系为B;A、同相B、反相C、无关4、采样保持电路中,采样信号的频率f S和原信号中最高频率成分f imax之间的关系是必须满足A;A、f S≥2f imaxB、f S<f imaxC、f S＝f imax5、如果u i＝0～10V,U imax=1V,若用ADC电路将它转换成n＝3的二进制数,采用四舍五入量化法,其量化当量为B;A、1/8VB、2/15VC、1/4V6、DAC0832是属于A网络的DAC;A、R-2R倒T型电阻B、T型电阻C、权电阻7、和其它ADC相比,双积分型ADC转换速度A;A、较慢B、很快C、极慢8、如果u i＝0～10V,U imax=1V,若用ADC电路将它转换成n＝3的二进制数,采用四舍五入量化法的最大量化误差为A;A、1/15VB、1/8VC、1/4V9、ADC0809输出的是AA、8位二进制数码B、10位二进制数码C、4位二进制数码10、ADC0809是属于B的ADC;A、双积分型B、逐次比较型。
电子技术基础习题答案解析
电子技术基础习题答案解析第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N 沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
电子技术基础课后答案_第四版_数字部分(康华光编)
1.1.1 一数字信号的波形如图1.1.1所示，试问该波形所代表的二进制数是什么？解：0101 10101.2.1 试按表1.2.1所列的数字集成电路的分类依据，指出下列器件属于何种集成度器件：(1) 微处理器；(2) IC 计算器；(3) IC 加法器；(4) 逻辑门；(5) 4兆位存储器IC 。
解：(1) 微处理器属于超大规模；(2) IC 计算器属于大规模；(3) IC 加法器属于中规模；(4) 逻辑门属于小规模；(5) 4兆位存储器IC 属于甚大规模。
1.3.1 将下列十进制数转换为二进制数、八进制数、十六进制数和8421BCD 码（要求转换误差不大于2-4）：(1) 43 (2) 127 (3) 254.25 (4) 2.718 解：(1) 43D=101011B=53O=2BH ； 43的BCD 编码为0100 0011BCD 。
(2) 127D=1111111B=177O=7FH ； 127的BCD 编码为0001 0010 0111BCD 。
(3) 254.25D=11111110.01B=376.2O=FE.4H ； 0010 0101 0100.0010 0101BCD 。
(4) 2.718D=10.1011 0111B=2.56O=2.B7H ； 0010.0111 0001 1000BCD 。
1.3.3 将下列每一二进制数转换为十六进制码：(1) 101001B (2) 11.01101B解：(1) 101001B=29H (2) 11.01101B=3.68H1.3.4 将下列十进制转换为十六进制数：(1) 500D (2) 59D (3) 0.34D (4) 1002.45D解：(1) 500D=1F4H (2) 59D=3BH (3) 0.34D=0.570AH(4) 1002.45D=3EA.7333H1.3.5 将下列十六进制数转换为二进制数：(1) 23F.45H (2) A040.51H解：(1) 23F.45H=10 0011 1111.0100 0101B(2) A040.51H=1010 0000 0100 0000.0101 0001B1.3.6 将下列十六进制数转换为十进制数：(1) 103.2H (2) A45D.0BCH解：(1) 103.2H=259.125D (2) A45D.0BCH=41024.046D2.4.3 解：(1) LSTTL 驱动同类门mA I O L 8(max)= mA I IL 4.0(max)= 204.08==mA mA N OLmAI O H 4.0(max)= mA I IH 02.0(max)= 2002.04.0==mA mAN OHN=20 (2) LSTTL 驱动基本TTL 门mA I O L 8(max)= mA I IL 6.1(max)= 56.18==mA mAN OLmAI O H 4.0(max)= mA I IH 04.0(max)= 1004.04.0==mA mA N OHN=5 2.4.5 解：ED BC ABE D BC AB L +++=⋅⋅⋅=__________________________ 2.6.3 解：B=0时，传输门开通，L=A ；B=1时，传输门关闭，A 相当于经过3个反相器到达输出L ，L=AA B L0 0 00 1 11 0 11 1 0 所以，B A B A B A L ⊕=+=2.7.1 解：C ，__________BC C B =D ，__________DE D E =__________DE BC ⋅，______________________________________________________)(DE BC A DE BC A +=⋅__________GF AF ⋅，_______________________________________________________________________)()(G A EF GF AF E GF AF E +=+=⋅____________________________________________________________________)()()()(G A EF DE BC A G A EF DE BC A L +++=+⋅+= 2.7.2 解：B A B A B A B A AB A B B A ⊕=+=+⋅=⋅⋅)(__________________________B A L ⊕==A ⊙B 2.9.11 解：当没有车辆行驶时，道路的状态设为0，有车辆行驶时，道路的状态为1；通道允许行驶时的状态设为1，不允许行驶时的状态设为0。
《电子技术基础》第五版(数字部分)高教版课后答案
1．1 数字电路与数字信号第一章 数字逻辑习题1.1.2 图形代表的二进制数MSBLSB 0 1 211 12（ms ）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10% 数制1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于 2 （2）127 （4）解：（2）（127）D=27-1=（）B-1=（1111111）B =（177）O=（7F ）H （4）（）D=B=O=H 二进制代码1.4.1 将下列十进制数转换为 8421BCD 码： （1）43 （3） 解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3 试用十六进制写书下列字符繁荣 ASC Ⅱ码的表示：P28 （1）+ （2）@ （3）yo u (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的 ASC Ⅱ码，然后将二进制码转换为十六进制 数表示。
（1）“+”的 ASC Ⅱ码为 0101011，则（00101011）B=（2B ）H （2）@的 ASC Ⅱ码为 1000000,(01000000)B=(40)H(3)you 的 ASC Ⅱ码为本 1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75 (4)43 的 ASC Ⅱ码为 0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为 34,33 逻辑函数及其表示方法解: (a)为与非， (b)为同或非，即异或第二章逻辑代数习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式(3) A⊕B AB AB（A⊕B）=AB+AB解：真值表如下A B A⊕BAB AB A⊕BAB+AB0 0 1 11111111111A (1BC ) ACDCDEA ACDCDEACD CDEACD E2.1.4 用代数法化简下列各式(3) ABC B C)A⋅B A⋅B(A B)(A B)1BAB ABABBABAB(9) ABC DABD BC D ABCBD BC解： ABC DABDBC DABCBD BCB ( ACD )L D ( AC)2(3)(L AB)(C D)2.2.2 已知函数 L（A，B，C，D）的卡诺图如图所示，试写出函数 L 的最简与或表达式解：L( A, B, C, D) BC D BCD B C D ABD2.2.3 用卡诺图化简下列个式（1）ABCD ABCD AB AD ABC3解：ABCD ABCD AB AD ABCABCD ABCD AB CC DDAD B B CCABC D D)()()()()(ABCD ABCD ABC D ABCD ABC D ABC D ABC D（6）L( A, B, C, D ) ∑m解：(0, 2, 4, 6,9,13)∑d(1, 3, 5, 7,11,15)L AD（7）L( A, B, C , D )∑m 解: (0,13,14,15)∑d(1, 2, 3, 9,10,11)L AD AC AB42.2.4 已知逻辑函数L AB BC C A，试用真值表,卡诺图和逻辑图（限用非门和与非门）表示解:1>由逻辑函数写出真值表A11112>由真值表画出卡诺图B1111C1111L1111113>由卡诺图,得逻辑表达式L AB BC AC 用摩根定理将与或化为与非表达式L AB BC AC AB⋅B C⋅AC4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图5第三章习题MOS逻辑门电路3.1.1 根据表题所列的三种逻辑门电路的技术参数，试选择一种最合适工作在高噪声环境下的门电路。
电子技术基础(数字部分)第五版答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：〔1〕周期；〔2〕频率；〔3〕占空比例MSBLSB0 1 2 11 12 〔ms〕解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制1.2.2将以下十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数〔要求转换误差不大于 42. 〔2〕127 〔4〕2.718解：〔2〕〔127〕D=-1=〔10000000〕B-1=〔1111111〕B=〔177〕O=〔7F〕H 72〔4〕〔2.718〕D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1将以下十进制数转换为8421BCD码：〔1〕43 〔3〕254.25解：〔43〕D=〔01000011〕BCD1.4.3试用十六进制写书以下字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28〔1〕+ 〔2〕@ 〔3〕you (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
〔1〕“+〞的ASCⅡ码为0101011，那么〔00101011〕B=〔2B〕H〔2〕@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法1.6.1在图题1. 6.1中，输入信号A，B`的波形，画出各门电路输出L的波形。
解: (a)为与非， (b)为同或非，即异或第二章逻辑代数习题解答2.1.1 用真值表证明以下恒等式(3)ABABAB⊕=+〔A⊕B〕=AB+AB 解：真值表如下ABAB⊕ABABAB⊕AB+AB111111111111由最右边2栏可知，与AB+AB的真值表完全相同。
电子技术基础习题答案
中等职业教育电类专业规划教材电子技术基础练习册习题答案丛书主编程周主编范国伟副主编袁洪刚关越主审任小平Publishing House of Electronics Industry北京 BEIJING《电子技术基础练习册》习题答案范国伟袁洪刚关越编写第一篇模拟电子技术基础第1章半导体二极管和三极管1.1 半导体的基本知识一、填空题1、（自由电子、空穴、N型半导体、P型半导体）；（掺杂半导体导电粒子）2、（电子、空穴）3、（电子型半导体、五价元素、电子、空穴）4、（三价元素、空穴、自由电子）5、（单向导电性、正极、负极、反向电压、反向偏置）6、（较大、导通、很小、截止）二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×三、选择题1、C、2、B、3、C四、问答题1、答：PN结的主要特性是单向导电性，即PN结在加上正向电压时，通过PN结的正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态；PN结在加上反向电压时，通过PN结的反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。
1.2 半导体二极管一、填空题1、（单向导电性、正极或阳极、负极或阴极、V、）2、（硅管、锗管、点接触型、面接触型、检波二极管、开关二极管）3、（单向导电性、0.5、0.2、0.7、0.3）4、（最大正向电流I FM、最大反向工作电压U RM、最大反向电流I RM、一半或三分之一）5、（硅、稳压、锗、开关、硅、整流、锗、普通；）6、（过热烧毁、反向击穿）二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×6、×三、选择题1、C2、B3、C4、B5、C6、A7、C四、问答题1、 答：（1）N 型锗材料普通二极管；（2）N 型锗材料开关二极管；（3）N 型硅材料整流二极管； （4）N 型硅材料稳压二极管；2、 答：不能，因为1.5伏的的干电池会使流过二极管的电流很大，可能烧坏二极管。
电子技术基(第二版)础答案
电子技术基础1.1 检验学习结果1、什么是本征激发？什么是复合？少数载流子和多数载流子是如何产生的？答：由于光照、辐射、温度的影响而产生电子—空穴对的现象称为本征激发；同时进行的价电子定向连续填补空穴的的现象称为复合。
掺入三价杂质元素后，由于空穴数量大大增加而称为多子，自由电子就是少子；掺入五价元素后，由于自由电子数量大大增加而称为多子，空穴就是少子。
即多数载流子和少数载流子的概念是因掺杂而形成的。
2、半导体的导电机理和金属导体的导电机理有何区别？答：金属导体中存在大量的自由电子载流子，因此金属导体导电时只有自由电子一种载流子；而半导体内部既有自由电子载流子又有空穴载流子，在外电场作用下，两种载流子总是同时参与导电，这一点是它与金属导体导电机理的区别。
3、什么是本征半导体？什么是N型半导体？什么是P型半导体？答：原子排列得非常整齐、结构完全对称的晶体称为本征半导体．．．．．。
本征半导体掺入五价元素后形成N型半导体；掺入三价元素后形成P形半导体。
4、由于Ｎ型半导体中多数载流子是电子，因此说这种半导体是带负电的。
这种说法正确吗？为什么？答：这种说法不正确。
因为，虽然N型半导体中有多子和少子之分，造成定城的离子带正电，但是整个晶体上的正、负电荷总数在掺杂过程中并没有失去或增加，所以晶体不带电。
5、试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。
这两种击穿能否造成PN结的永久损坏？答：电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿，前者是一种碰撞的击穿，后者属于场效应的击穿，这两种电击穿一般可逆，不会造成PN结的永久损坏。
6、何谓扩散电流？何谓漂移电流？何谓PN结的正向偏置和反向偏置？说说PＮ结有什么特性？答：由多子形成的导通电流称扩散电流，由少子形成的电流称为漂移电流；当PN 结的阳极P接电源正极，阴极N接电源负极时称为正向偏置，反之为反向偏置；PN结具有“正向导通、反向阻断”的单向导电性。
1.2 检验学习结果1、何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？答：二极管虽然具有单向导电性，但是当正向电压较小时，由于外加正向电压的电场还不足以克服PN结的内电场对扩散运动的阻挡作用，二极管仍呈现高阻态，所以通过二极管的正向电流几乎为零，即基本上仍处于截止状态，这段区域通常称为死区．．。
电子技术基础(第五版)习题册参考答案
(２) 硅管ꎬ ＰＮＰ 型ꎬ １、 ２、 ３ 管脚依次为发射极、 集电极、
基极ꎮ
(３) 锗管ꎬ ＰＮＰ 型ꎬ １、 ２、 ３ 管脚依次为集电极、 基极、 发
射极ꎮ
(４) 锗管ꎬ ＮＰＮ 型ꎬ １、 ２、 ３ 管脚依次为基极、 发射极、 集
电极ꎮ
６. 答: 第 (１) 种情况能正常工作ꎬ 因为 Ｉ Ｃ < Ｉ ＣＭ 、 Ｕ ＣＥ <
８. Ｃꎻ ９. Ｃꎻ １０. Ｂꎻ １１. Ｃꎻ １２. Ｃꎻ １３. Ｂꎻ １４. Ａꎻ
１５. Ｂꎻ １６. Ｃꎻ １７. Ｃꎻ １８. Ｄꎻ １９. Ａꎻ ２０. Ａꎻ ２１. Ａꎻ
２２. Ｂꎻ ２３. Ａꎻ ２４. Ｂꎻ ２５. Ｂꎻ ２６. Ａꎻ ２７. Ｃꎻ ２８. Ｄꎻ
２９. Ｃꎻ ３０. ＡＣꎻ ３１. Ｂꎻ ３２. Ｂꎻ ３３. Ａꎻ ３４. Ｄꎻ ３５. Ｃꎻ
附录 习题册参考答案
第一章 半导体二极管
§ １—１ 半导体的基本知识
一、 填空题
１. 导体ꎻ 绝缘体ꎻ 半导体
２. 半导体
３. 热敏ꎻ 光敏ꎻ 掺杂
４. 正ꎻ 负ꎻ 负ꎻ 正
５. 单向导电ꎻ 导通ꎻ 截止
６. 高
二、 判断题
１.
× ꎻ ２.
× ꎻ ３. √
三、 选择题
１. Ｃꎻ ２. Ａꎻ ３. ＢＤꎻ ４. Ｃꎻ ５. Ａꎻ ６. Ｂ
＝
＝ ０ ０５ ( ｍＡ) ＝ ５０ ( μＡ)
Ｒ Ｂ ３００
Ｉ ＣＱ ≈β Ｉ ＢＱ ＝ ５０ × ０ ０５ ＝ ２ ５ ( ｍＡ)
Ｕ ＣＥＱ ＝ Ｖ ＣＣ － Ｉ ＣＱ Ｒ Ｃ ＝ １５ － ２ ５ × ３ ＝ ７ ５ ( Ｖ)
电子技术基础习题答案
电子技术基础习题答案
《电子技术基础习题答案》
电子技术是当今社会中不可或缺的一部分，它广泛应用于通讯、医疗、娱乐等各个领域。
而要掌握电子技术，就需要对其基础知识有所了解和掌握。
下面我们将就一些电子技术基础习题的答案进行讨论。
1. 电阻是电子技术中常见的元件，它的单位是什么？
答：电阻的单位是欧姆（Ω）。
2. 如果一个电阻的阻值为100欧姆，通过它的电流为2安培，那么它的电压是多少？
答：根据欧姆定律，电压等于电流乘以电阻，所以电压等于100欧姆乘以2安培，即200伏特。
3. 什么是电容？
答：电容是指电子元件存储电荷的能力，它的单位是法拉（F）。
4. 一个电容器的电容为10微法，通过它的电压为5伏特，那么它存储的电荷量是多少？
答：电容器存储的电荷量等于电容乘以电压，即10微法乘以5伏特，即50微库仑。
5. 什么是电感？
答：电感是指电子元件对电流变化的反应能力，它的单位是亨利（H）。
6. 一个电感的电感值为1亨利，通过它的电流变化率为2安培每秒，那么它的感应电压是多少？
答：根据电感的定义，感应电压等于电感乘以电流变化率，即1亨利乘以2安
培每秒，即2伏特。
以上就是一些电子技术基础习题的答案，通过对这些基础知识的了解和掌握，我们可以更好地理解和应用电子技术，为我们的生活和工作带来更多的便利和效益。
希望大家能够认真学习和掌握这些知识，为自己的电子技术之路打下坚实的基础。
电子技术基础(含答案)
《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为 08001）共有单项选择题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 剖析题 , 化简题等多种试题种类，此中，本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题种类未进入。
一、单项选择题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在（）B E C状态。
A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特征是（）。
A. 放大特征B.恒温特征C.单导游电特征D.恒流特征3.在 N 型半导体中（）。
A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，IC=1.8mA，则该三极管的沟通电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A. 正导游通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多半载流子的浓度主要取决于（）。
A.温度B.混杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺点9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V ， U E=2.1V ， U C＝ 3.6V ，则该管处于（）状态。
A. 饱和B.截止C.放大D.击穿10.P 型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
(完整word版)《电子技术基础》第五版课后答案
解:图解3.1.7所示电路中L1= ,L2= ,L3= ,L4实现与功能,即L4=L1 L2 L3,而L= ,所以输出逻辑表达式为L=
3.1.9图题3.1.9表示三态门作总线传输的示意图，图中n个三态门的输出接到数据传输总线，D1，D2，……Dn为数据输入端，CS1，CS2……CSn为片选信号输入端.试问:
= — =0.8V—0.4V=0.4V
同理分别求出逻辑门B和C的噪声容限分别为:
=1V
=0.4V
=1V
=0.6V
电路的噪声容限愈大,其抗干扰能力愈强,综合考虑选择逻辑门C
3.1.3根据表题3.1.3所列的三种门电路的技术参数,计算出它们的延时-功耗积,并确定哪一种逻辑门性能最好
表题3.1.3逻辑门电路的技术参数表
逻辑门A
1
1.216Biblioteka 逻辑门B56
8
逻辑门C
10
10
1
解:延时-功耗积为传输延长时间与功耗的乘积,即
DP=tpdPD
根据上式可以计算出各逻辑门的延时-功耗分别为
= = *16mw=17.6* J=17.6PJ
同理得出: =44PJ =10PJ,逻辑门的DP值愈小,表明它的特性愈好,所以逻辑门C的性能最好.
3.1.5为什么说74HC系列CMOS与非门在+5V电源工作时,输入端在以下四种接法下都属于逻辑0: (1)输入端接地; (2)输入端接低于1.5V的电源; (3)输入端接同类与非门的输出低电压0.1V; (4)输入端接10kΩ的电阻到地.
解:对于74HC系列CMOS门电路来说,输出和输入低电平的标准电压值为:
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1-6 电路如图所示，确定二极管是正偏还是反偏，并估算 UA~UD的值。（二极管为理想二极管）
图a:VD1 正向 偏置，UA= 6.67V ,UB= 6.67V ;
图b:VD2 反向 偏置，UC= 0V ,UD= 10V 。
10V
10V
第一章 半导体器件
习题解答
1-1 PN结单向导电性的具体含义是什么？正偏导通，反偏截止
1-2 稳压二极管与普通二极管有什么区别？
普通二极管具有单向导电性，正偏导通，反偏 截止，且反向电压过大后会击穿；
稳压二极管正偏时与普通二极管相同，反偏时 有一稳定的工作电压。 1-3 怎样用万用表判断二极管、晶体管的极性与好坏？
饱和：发射结、集电结均正偏； iC由外电路决定，与iB无关
截止：发射结反偏或零偏，集电结反偏； iB=0，iC≈0
1-5 填空题 1）在半导体中，参与导电的不仅有 自由电子 ，而且还 有 空穴 ，这是半导体区别导体导电的重要特征。N型半导 体主要靠 自由电子 导电，P型半导体主要靠 空穴 导电。
2）在常温下，硅二极管的死区电压约为 0.5 V，导通后在 较大电流下的正向压降约为 0.7 V；锗二极管的死区电压 约为0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.3 V。
将万用表的选择开关置于电阻档，选择适宜的阻值量程（如：R×1K） 二极管：将万用表的红、黑表头分别接二极管的两端。 若两次测量结果都大（断路）或者都很小（短路），则表 示二极管已经损坏。
若两次测量结果一大一小，则测量结果很小时，黑表笔所 接端为二极管的正极 晶体管：见书P11~12页
1-4 晶体管在放大、饱和和截止三种工作状态下的电压偏 置特征和电流关系是什么？ 放大：发射结正偏，集电结反偏； iC≈βiB
∴②端为c极 电流方向为流出晶体管，大小约为6mA。
1-9 试根据晶体管各电极的实测对地电压数据，判断图中
各ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ体管的工作区域。
+10.3V
1 2V
8V
+10.75V
11.3V
3DK2B
2.7V 3DG100A
3CX201
2V
a) NPN型
发射结正偏； 集电结反偏 放大区
0V
b) PNP型
发射结正偏； 集电结反偏
解：a） ∵ 基极电流非常小 ∴①端为b极 ∵ b极电流流入晶体管 ∴为NPN型 ∵ ③端电流流入晶体管 ∴③端为c极
∴②端为e极 电流方向为流出晶体管，大小约为4.1mA。
0 .1m A
6 .1m A
b
① ②c ③e
6mA
b)
解：b） ∵ 基极电流非常小 ∴①端为b极 ∵ b极电流流出晶体管 ∴为PNP型 ∵ ③端电流流入晶体管 ∴③端为e极
VS2处于反向工作状态 ∴ U0=VS2=10V
1-8 在两个放大电路中，测的晶体管各级电流分别如图所 示。求另一个电极的电流，并在图中标出其实际方向及各 电极e、b、c。试分别判断它们是NPN型管还是PNP型管。
0 .1m A
4mA
0 .1m A
6 .1m A
a)
b ①4.1m②Ae ③ c
①②③ b)
放大区
+10V
c) NPN型
发射结正偏； 集电结正偏 饱和区
1-10 填空题： 1）场效应晶体管是利用 电场效应 来控制输出 电流 ， 是 电压 控制型器件。
2）场效应晶体管的导电过程仅仅取决于 多数 载流子的 运动，故又称场效应晶体管为 单极性 晶体管。
3）欲使结型场效应晶体管正常工作，应在栅极与源极之间 加 反向 电压。绝缘栅型场效应晶体管根据其有无原始沟道， 可分为 增强型 和 耗尽型 。
3）用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，
当测得的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管
的
正极。
4）当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 击穿 。
5）晶体管的电流放大作用是指晶体管的 集电极 电流约 是 基极 电流的β倍，即利用 基极 电流，就可实现对 集电极电流的控制。
6）晶体管的输出特性曲线可分为三个区域。当晶体管工作 在 放大 区时，关系式ic≈βiB才成立；当晶体管工作在
R UB
VD1 UA
2R
R
UD
VD2 UC
2R
a)
b)
1-7 若稳压二极管VS1和VS2的稳压电压分别为6V和10V， 求图中所示电路的输出电压UO。
R 1k
V S1
2 0V
U0
VS2
R 1k
V S1
2 0V
U0
VS2
a)
b)
解：a）
b）∵ VS1处于正向工作状态 （导通且不考虑压降）
∵ VS1与VS2均处于反向工作状态 ∴ U0=VS1+VS2=6+10=16V