vasp 计算知识

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VASP原包的计算过程及原理

VASP原包的计算过程及原理
VASP原包及表面的 计算过程及原理
——by Tan Su
VASP计算流程概括:
首先在Materiale Studio(MS)里导入原包模型,即纯金属模型、氧化 物模型、原子模型等
把原包坐标转换成VASP坐标,用FTP转入所要计算的服务器(a)
然后在SecureCRT中进入服务器a,建立文件夹(mkdir 文件名,如 sut), 也可以直接用ftp键入好文件夹,在所建好的原包文件件,如 Au中键入四个指标(vi 名称,名称必需大写!) 四个指标分别是:INCAR,KPOINTS,POSCAR,POTCAR 复制VASP脚本,即:cp VASP脚本 交作业: qsub 目录(如所在即是要算的目录,可不加) VASP脚本 作业运行:qstat
ljy01 : 192.9.207.206 ljy03a:192.9.207.102 ljy07a:192.9.207.102 ljy01b-ljy04b:192.9.207.253 pdr06b: 192.9.207.253 ljy01c:192.9.207.204 ljy01e-ljy02e: 192.9.207.240 ljy01g:192.9.207.18 ljy01h-ljy02h:192.9.200.99 st01d: 192.9.207.206
存成*.cif和*.car文件
16
表面的计算
在VESTA软 件中打开所 要转化的*.cif 文件,如右 图所示,转 化为*.VASP 文件 另外一种方 式见过渡态 计算部分
17
表面的计算
பைடு நூலகம்
固定最上两层,即 最大数值的两个, 所以区域为7-9.5 之间即可
自动生成四个参数,需 要检查参数是否正确
18
一般会进入队列排队(R),也可能出错,请检查OUTCAR文件 多余作业取消:qdel 作业代号

VASP计算-力学常数1

VASP计算-力学常数1

VASP 计算----------力学常数摘要本文主要介绍了用VASP 对弹性模量、剪切模量、体积模量以及泊松比等力学常数计算,首先介绍了计算所需的相关基础知识,然后详细的阐述了理论的推导过程和对结果的处理方法,并介绍了VASP 所需文件和生成的文件,最后提供了计算的一个例子和其程序流程图。

目录一、 基础知识 .................................................................................................................... 1 二、 VASP 计算时解析推导 .............................................................................................. 3 三、 VASP 计算 .................................................................................................................. 9 四、 有待继续研究的地方 .............................................................................................. 10 五、 参考文献 .................................................................................................................. 10 六、 附录(一)程序流程图 .......................................................................................... 11 七、附录(二)------一个例子,TaN (12)一、 基础知识[1][2]这部分主要介绍了进行VASP 计算时所需要的概念的解释,其主要部分来自弹性力学,详细的介绍可阅读参考文献。

VASP使用总结

VASP使用总结

VASP计算的理论及实践总结一、赝势的选取二、收敛测试1、VASP测试截断能和K 点2、MS测试三、结构弛豫四、VASP的使用流程(计算性质)1、VASP的四个输入文件的设置2、输出文件的查看及指令3、计算单电能(1) 测试截断能(2) 测试K点4、进行结构优化5、计算弹性常数6、一些常用指令一、赝势的选取VASP赝势库中分为:PP和PAW两种势,PP又分为SP(标准)和USPP(超软)。

交换关联函数分为:LDA(局域密度近似)和GGA(广义梯度近似)。

GGA 又分为PW91和PBE。

在VASP中,其中pot ,pot-gga是属于超软势(使用较少)。

Paw, paw-pbe ,和paw-gga是属于PAW。

采用较多的是PAW-pbe 和PAW-gga。

此外vasp 中的赝势分为几种,包扩标准赝势(没有下标的)、还有硬(harder)赝势(_h)、软(softer)赝势(_s), 所谓的硬(难以赝化),就是指该元素原子的截断动能比较大,假想的势能与实际比较接近,计算得到的结果准确,但比较耗时,难以收敛。

软(容易赝化),表示该元素原子的截断动能比较小,赝势模型比较粗糙,但相对简单,可以使计算很快收敛(比如VASP开发的超软赝势)。

即硬的赝势精度高,但计算耗时。

软的精度低,容易收敛,但节省计算时间。

另一种情况:如Gd_3,这是把f电子放入核内处理,对于Gd来说,f电子恰好半满。

所以把f电子作为价电子处理的赝势还是蛮好的(类似还有Lu,全满)。

(相对其他的4f元素来说,至于把f电子作为芯内处理,是以前对4f元素的通用做法。

计算结果挺好)常用的做法是:用两种赝势测试一下对自己所关心的问题的影响情况。

在影响不大的情况下,选用不含4f电子的赝势(即后缀是3),一来减少计算量,二来避免DFT对4f电子的处理。

【1.赝势的选择:vasp的赝势文件放在目录~/vasp/potentials 下,可以看到该目录又包含五个子目录pot pot_GGA potpaw potpaw_GGA potpaw_PBE ,其中每一个子目录对应一种赝势形式。

VASP计算DOS和能带

VASP计算DOS和能带

VASP计算DOS和能带个人总结一:VASP计算DOS和能带1.计算DOS①POSCAR②POTCAR③KPOINTS(建议以Gamma为中心取点,通常K×a≈45即可)④INCAR(越简洁越好)第一步:结构优化SYSTEM=**ISTART=0ENCUT=500(最好对其进行测试)EDIFF=1E-5EDIFFG=-0.01NSW=100ISIF=2IBRION=2【优化后计算DOS可以一步完成,也可以分为两步来完成,主要是计算量涉及到计算时间的差别】第二步:静态自洽(此时可稍微降低K点数,用第一步优化得到的CONTCAR作为POSCAR进行计算)SYSTEM=**ISTART=0PREC=AccurateEDIFF=1E-5EDIFFG=-0.01ENCUT=500ISMEAR=-5LCHARG=.TRUE.注意:此时得到的E-feimi是准确的,需要记下(grep ‘E-fermi’OUTCAR)第三步:非自洽计算(采用高密度K点)SYSTEM=**ISTART=1ICHARG=11LMAXMIX=2/4/6(VASP官网原话:If ICHARG is set to 11 or 12, it is strongly recommened to set LMAXMIX to twice the maximum l-quantum number in the pseudpotentials. Thus for s and p elements LMAXMIX should be set to 2, for d elements LMAXMIX should be set to 4, and for f elements LMAXMIX should be set to 6)PREC=AccurateEDIFF=1E-5EDIFFG=-0.01ENCUT=500(截断能最好与上一步保持一致)ISMEAR=-5LORBIT=10/11(推荐11,可以得到能级分裂的数据)优化后计算DOS一步完成:(采用高密度K点)SYSTEM=**ISTART=1PREC=AccurateEDIFF=1E-5EDIFFG=-0.01ENCUT=500ISMEAR=-5LORBIT=10/112.计算能带①POSCAR②POTCAR③KPOINTS:使用Line-mode格式,给出高对称性K点之间的分割点数,分割越密,路径积分就越准确。

VASP磁性计算总结篇

VASP磁性计算总结篇

在线说明书整理出来的非线性磁矩和自旋轨道耦以下是从VASP合的计算说明。

非线性磁矩计算:和CHGCAR文件。

1)计算非磁性基态产生WAVECAR)然后INCAR中加上2ISPIN=2文件和CHGCAR11 !读取WAVECAR ICHARG=1 或LNONCOLLINEAR=.TRUE. MAGMOM=注意:①对于非线性磁矩计算,要在x, y 和 z方向分别加上磁矩,如MAGMOM = 1 0 0 0 1 0 !表示第一个原子在x方向,第二个原子的y方向有磁矩②在任何时候,指定MAGMOM值的前提是ICHARG=2(没有WAVECAR和CHGCAR文件)或者ICHARG=1 或11(有WAVECAR和CHGCAR文件),但是前一步的计算是非磁性的(ISPIN=1)。

磁各向异性能(自旋轨道耦合)计算:注意: LSORBIT=.TRUE. 会自动打开LNONCOLLINEAR= .TRUE.选项,且自旋轨道计算只适用于PAW赝势,不适于超软赝势。

.自旋轨道耦合效应就意味着能量对磁矩的方向存在依赖,即存在磁各向异性能(MAE),所以要定义初始磁矩的方向。

如下:LSORBIT = .TRUE.SAXIS = s_x s_y s_z (quantisation axis for spin)默认值: SAXIS=(0+,0,1),即x方向有正的无限小的磁矩,Z方向有磁矩。

要使初始的磁矩方向平行于选定方向,有以下两种方法:MAGMOM = x y z ! local magnetic moment in x,y,zSAXIS = 0 0 1 ! quantisation axis parallel to zorMAGMOM = 0 0 total_magnetic_moment ! local magnetic moment parallel to SAXIS (注意每个原子分别指定)SAXIS = x y z ! quantisation axis parallel to vector (x,y,z),如 0 0 1两种方法原则上应该是等价的,但是实际上第二种方法更精确。

1-VASP计算教程第一课-认识VASP的输入和输出

1-VASP计算教程第一课-认识VASP的输入和输出

V ASP计算教程第一课认识V ASP的输入和输出课程目标:通过计算孤立氧原子的能量,初步认识V ASP的输入和输出。

课程正文:一、V ASP的输入文件(lecture1-01)V ASP的基本输入文件共有四个:POSCAR,INCAR,KPOINTS,POTCAR。

其中POSCAR是结构文件(计算的体系是什么);INCAR是参数文件(怎么计算);KPOINTS是K点文件,决定了在体系的哪些点进行计算;POTCAR是赝势文件,包含了相应体系的元素的基本信息。

1、POSCAR以孤立氧原子为例,创建相应的结构文件。

V ASP要求计算的结构必须是周期体系,因此我们的结构可以描述为“一个足够大的晶胞(盒子)中存在一个氧原子”,之所以强调“足够大”,是因为晶胞具有周期性,晶胞足够大,氧原子之间的相互作用才可以忽略不计。

POSCAR文件内容如下:----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------1 O atom2 1.03 8.00 0.00 0.004 0.00 8.00 0.005 0.00 0.00 8.006 O7 18 Cartesian9 0.00 0.00 0.00---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 在这里,灰色背景及其中的数字为行号,POSCAR文件中并不包含。

其中,第1行的“O atom”是体系的名称,可以根据个人的喜好进行命名(如可以替换为isolated O,single O atom,one Oxygen atom等),方便对计算任务的记忆与理解,不同的命名不会影响计算;第2行的“1.0”为晶格的缩放系数,第3到5行是晶格在xyz坐标系中三个方向的基矢长度,基矢长度乘以晶格的缩放系数即为晶胞的大小,因此通过这四行参数,我们构建了一个晶格长度为8.00 Å的正方形晶胞。

VASP经典学习教程有用

VASP经典学习教程有用

VASP经典学习教程有用VASP(Vienna Ab initio Simulation Package)是一种用于固体材料计算的第一性原理计算软件包。

它使用密度泛函理论和平面波基组进行计算,可以预测材料的结构、能带、力学性质等基本属性。

本文将介绍VASP的经典学习教程,帮助初学者快速入门。

1.VASP的安装与基本操作-输入文件和输出文件:介绍VASP的常用输入文件和输出文件,以及它们的格式和含义。

-运行VASP计算:教授如何编写VASP运行脚本,以及如何使用命令行界面运行VASP计算。

2.VASP的输入参数和设置-INCAR文件:介绍VASP的主要输入文件INCAR的各种参数和选项,如体系的外部压力、电子迭代的收敛准则等。

-POTCAR文件:讲解VASP的赝势文件POTCAR的作用和用法,以及如何选择合适的赝势。

-KPOINTS文件:讲解KPOINTS文件对计算结果的影响,以及如何选择合适的K点网格。

3.VASP的基本计算-结构优化计算:教授如何进行结构优化计算,寻找稳定的材料晶格参数和原子位置。

-能带计算:讲解如何计算材料的能带结构,以及如何分析能带图和带隙。

-DOS计算:介绍如何计算材料的态密度,以及如何分析态密度图和能带图。

4.VASP的高级计算-弛豫计算:讲解如何进行离子和电子的同时弛豫计算,得到材料的稳定结构和力学性质。

-嵌入原子计算:介绍如何在材料中嵌入原子,并计算嵌入原子的相互作用能。

-软件接口和后处理:讲解VASP与其他软件(如VASPKIT、VESTA等)的接口,以及如何进行后处理分析。

5.VASP的实际应用-表面计算:介绍如何计算材料的表面能和表面形貌。

-催化剂计算:讲解如何通过VASP计算催化剂的吸附能和反应能垒,以预测其催化活性。

-界面计算:讲解如何计算材料的界面能和界面结构。

通过以上内容,初学者可以掌握VASP的基本原理和使用方法,并能在实际应用中进行一些基本的材料计算。

VASP初学者必读

VASP初学者必读

VASP初学者必读初学VASP(一)what's it?VASP=Vienna Ab-initio Simulation PackageVASP is a complex package for performing ab-initio quantum-mechanical molecular dynamics(MD)simulations using pseudopotentials(如超软赝势US-PP)or the projector-augmented wave(PAW)method and a plane wave basis set.The approach implemented in VASP is based on the(finite-temperature)local-density approximation with the free energy as variational quantity and an exact evaluation of the instantaneous electronic ground state at each MD time step.它的好处主要包括基组小适于第一行元素和过渡金属,大体系计算快(<4000价电子),适于平行计算(Unix/Linux)其他特性还包括自动对称性分析、加速收敛算法另文涉及。

一个简单的VASP作业主要涉及四个输入文件:INCAR(作业细节)POSCAR(体系坐标)POTCAR(赝势)KPONITS(k空间描述)初学VASP(二)布里赫定理本文简单介绍点能带理论的基础知识以利于后文讨论布里赫(F.Bloch)参考书:《固体能带理论》谢希德陆栋主编Bloch定理周期性势场的单电子薛定谔方程的非简并解和适当选择组合系数的简并解同时是平移算符T(Rl)的属于本征值exp(ik?Rl)的本征函数数学表示:T(Rl)ψn(k,r)=ψn(k,r+Rl)=exp(ik?Rl)?ψn(k,r)ψn(k,r)称为Bloch函数,用它描写的电子也称为布里赫电子推论一:晶格电子可用通过晶格周期性调幅的平面波表示。

VASP计算方法

VASP计算方法

VASP计算方法VASP是维也纳第一原理模拟计算软件的缩写。

它是一种基于密度泛函理论的材料模拟计算方法,广泛应用于化学、物理、材料科学等领域。

VASP使用基于平面波展开(plane wave basis)的赝势(pseudopotentials)方法来描述材料中的电子结构。

其核心思想是将电子波函数以平面波的形式展开,并采用赝势来模拟电子的相互作用。

这种方法能够高效地计算含有数百个原子的系统的电子结构和相关性质。

在VASP中,首先需要确定材料的晶体结构。

用户可以通过输入晶体结构的空间群信息和原子坐标来定义体系的几何信息,还可以指定晶胞的尺寸和形状。

然后,通过选择适当的波函数和赝势,可以定义计算模型并进行模拟计算。

VASP计算可以分为一系列的步骤,包括结构优化、静态能量计算、力学性质计算等。

首先,通过结构优化,可以找到体系的最稳定结构和原子位置。

随后,通过静态能量计算,可以计算材料的能带结构和密度态。

在静态计算的基础上,还可以计算材料的力学性质,如弹性常数、声子谱等。

此外,VASP还可以进行分子动力学模拟和绝对零度的自由能计算。

在VASP计算中,还需要设置一些计算参数来优化计算性能和结果的准确性。

例如,可以通过设置波函数的能量截断来控制展开平面波的数目,提高计算效率。

还可以选择适当的赝势来模拟材料中的电子相互作用。

此外,还可以通过设置自旋极化和计算参数等,扩展VASP的应用范围和处理领域。

除了常规计算方法外,VASP还提供了一些高级计算功能,如HSE06方法和GW近似方法等。

这些方法可以进一步提高计算结果的准确性和可靠性。

总之,VASP是一种强大而灵活的第一原理模拟计算方法,可用于研究和预测各种材料的性质和行为。

通过调整计算参数和采用适当的计算模型,可以在各种材料科学领域中开展深入的研究,并帮助解决实际问题。

VASP使用总结

VASP使用总结

VASP计算的理论及实践总结一、赝势的选取二、收敛测试1、VASP测试截断能和K 点2、MS测试三、结构弛豫四、VASP的使用流程(计算性质)1、VASP的四个输入文件的设置2、输出文件的查看及指令3、计算单电能(1) 测试截断能(2) 测试K点4、进行结构优化5、计算弹性常数6、一些常用指令一、赝势的选取VASP赝势库中分为:PP和PAW两种势,PP又分为SP(标准)和USPP(超软)。

交换关联函数分为:LDA(局域密度近似)和GGA(广义梯度近似)。

GGA 又分为PW91和PBE。

在VASP中,其中pot ,pot-gga是属于超软势(使用较少)。

Paw, paw-pbe ,和paw-gga是属于PAW。

采用较多的是PAW-pbe 和PAW-gga。

此外vasp 中的赝势分为几种,包扩标准赝势(没有下标的)、还有硬(harder)赝势(_h)、软(softer)赝势(_s), 所谓的硬(难以赝化),就是指该元素原子的截断动能比较大,假想的势能与实际比较接近,计算得到的结果准确,但比较耗时,难以收敛。

软(容易赝化),表示该元素原子的截断动能比较小,赝势模型比较粗糙,但相对简单,可以使计算很快收敛(比如VASP开发的超软赝势)。

即硬的赝势精度高,但计算耗时。

软的精度低,容易收敛,但节省计算时间。

另一种情况:如Gd_3,这是把f电子放入核内处理,对于Gd来说,f电子恰好半满。

所以把f电子作为价电子处理的赝势还是蛮好的(类似还有Lu,全满)。

(相对其他的4f元素来说,至于把f电子作为芯内处理,是以前对4f元素的通用做法。

计算结果挺好)常用的做法是:用两种赝势测试一下对自己所关心的问题的影响情况。

在影响不大的情况下,选用不含4f电子的赝势(即后缀是3),一来减少计算量,二来避免DFT对4f电子的处理。

【1.赝势的选择:vasp的赝势文件放在目录~/vasp/potentials 下,可以看到该目录又包含五个子目录pot pot_GGA potpaw potpaw_GGA potpaw_PBE ,其中每一个子目录对应一种赝势形式。

Vasp入门+实例

Vasp入门+实例

0.6 0.5
DOS
0.4 0.3 0.2 0.1 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10
Energy
(4). 做非自洽计算, 求电子结构
• 修改INCAR文件: 将参数ICHARG设为 11 • 修改KPOINTS输入文件
• 运行VASP程序,从输出文件EIGENVAL中提出电子结构
� 1� a1 � a ( i � 2 � 1� a2 � a ( i � 2 � � a3 � ck
第一原理电子结构计算程序:VASP
• 程序原理
• 输入文件
• 输出文件 • 应用
输入文件
POTCAR KPOINTS POSCAR INCAR
Choosing POTCAR file LDA GGA PAW_LDA PAW_GGA PAW_PBE(VASP4.5)
pseudopotentail file Brillouin zone sampling structural data steering parameters
POSCAR输入文件: 原胞中的原子位置
Diamond Si 3.9 0.0 0.5 0.5 0.5 0.0 0.5 0.5 0.5 0.0 1 Direct 0.0 0.0 0.0
基矢的公因子
基矢a1 基矢a2
基矢a3 原胞中的原子个数 坐标系选为基矢构成的坐标系
基矢坐标系下原子的位置
� 1 � � a1 � a( j � k ) 2 � 1 � � a2 � a(i � k ) 2 � 1 � � a3 � a(i � j ) 2
1
0
-1
0 0.07 0.14 0.21 0.28 0.34 0.41 0.48 0.55

vasp基本原理(入门必看)

vasp基本原理(入门必看)

A
2
2。地位和作用
• 近几年来,DFT同分子动力学方法相结合, 有许多新发展;
• 在材料设计、合成、模拟计算和评价诸多方 面有明显的进展;
• 已成为计算凝聚态物理、计算材料科学和计 算量子化学的重要基础和核心技术;
• 在工业技术领域的应用开始令人关注。
A
3
4.2 DFT的优点
• 它提供了第一性原理或从头算的计算框架。 在这个框架下可以发展各式各样的能带计 算方法。
(4.10)
EE [v(r)v(r)n ](r)dr
或者 E E[v(r)v(r)n ](r)dr
(4.11)
可见(4.10)与(4.11)相互矛盾。表明v’(r) 不可能产生同样的n(r) . 所以v(r) 是n(r) 的唯一泛函。由于v(r) 决定整个H, 即系统的基态 能量是n(r) 的唯一泛函。
同理,T和U也是n(r) 的唯一泛函。可定义:
F [n (r) ]( ,(T U ) )
(4.12)
式(4.12)是一个普适函数,适于任何粒子系和任何外部势。于是 整个系统的基态能量泛函可写为:
E [n (r) ] v(r)n (r)d A rF [n (r)] (4.13) 11
Hohenberg-Kohn定理-II
一种用电子密度分布n( r)作为基本变量,研究多粒子 体系基态性质的新理论。
W. Kohn 荣获1998年Nobel 化学奖
• 自从20世纪60年代(1964)密度泛函理论(DFT) 建立并在局域密度近似(LDA)下导出著名的Kohn -Sham (沈呂九)(KS)方程以来,DFT一直是凝聚态 物理领域计算电子结构及其特性最有力的工具。
实际计算是利用能量变分原理,使系统能量达到最低(有一定精 度要求)。由此求出体系的真正电荷密度n(r) ,进而计算体系 的所有其它基态性质。如,能带结构,晶格参数,体模量等等。

VASP 初学者必读

VASP 初学者必读

初学VASP(一)what's it?VASP=Vienna Ab-initio Simulation PackageVASP is a complex package for performing ab-initio quantum-mechanical molecular dynamics(MD)simulations using pseudopotentials(如超软赝势US-PP)or the projector-augmented wave(PAW)method and a plane wave basis set.The approach implemented in VASP is based on the(finite-temperature)local-density approximation with the free energy as variational quantity and an exact evaluation of the instantaneous electronic ground state at each MD time step.它的好处主要包括基组小适于第一行元素和过渡金属,大体系计算快(<4000价电子),适于平行计算(Unix/Linux)其他特性还包括自动对称性分析、加速收敛算法另文涉及。

一个简单的VASP作业主要涉及四个输入文件:INCAR(作业细节)POSCAR(体系坐标)POTCAR(赝势)KPONITS(k空间描述)初学VASP(二)布里赫定理本文简单介绍点能带理论的基础知识以利于后文讨论布里赫(F.Bloch)参考书:《固体能带理论》谢希德陆栋主编Bloch定理周期性势场的单电子薛定谔方程的非简并解和适当选择组合系数的简并解同时是平移算符T(Rl)的属于本征值exp(ik•Rl)的本征函数数学表示:T(Rl)ψn(k,r)=ψn(k,r+Rl)=exp(ik•Rl)•ψn(k,r)ψn(k,r)称为Bloch函数,用它描写的电子也称为布里赫电子推论一:晶格电子可用通过晶格周期性调幅的平面波表示。

VASP计算DOS和能带

VASP计算DOS和能带

个人总结一:VASP计算DOS和能带1.计算DOS①POSCAR②POTCAR③KPOINTS(建议以Gamma为中心取点,通常K×a≈45即可)④INCAR(越简洁越好)第一步:结构优化SYSTEM=**ISTART=0ENCUT=500(最好对其进行测试)EDIFF=1E-5EDIFFG=-0.01NSW=100ISIF=2IBRION=2【优化后计算DOS可以一步完成,也可以分为两步来完成,主要是计算量涉及到计算时间的差别】第二步:静态自洽(此时可稍微降低K点数,用第一步优化得到的CONTCAR作为POSCAR进行计算)SYSTEM=**ISTART=0PREC=AccurateEDIFF=1E-5EDIFFG=-0.01ENCUT=500ISMEAR=-5LCHARG=.TRUE.注意:此时得到的E-feimi是准确的,需要记下(grep ‘E-fermi’OUTCAR)第三步:非自洽计算(采用高密度K点)SYSTEM=**ISTART=1ICHARG=11LMAXMIX=2/4/6(VASP官网原话:If ICHARG is set to 11 or 12, it is strongly recommened to set LMAXMIX to twice the maximum l-quantum number in the pseudpotentials. Thus for s and p elements LMAXMIX should be set to 2, for d elements LMAXMIX should be set to 4, and for f elements LMAXMIX should be set to 6)PREC=AccurateEDIFF=1E-5EDIFFG=-0.01ENCUT=500(截断能最好与上一步保持一致)ISMEAR=-5LORBIT=10/11(推荐11,可以得到能级分裂的数据)优化后计算DOS一步完成:(采用高密度K点)SYSTEM=**ISTART=1PREC=AccurateEDIFF=1E-5EDIFFG=-0.01ENCUT=500ISMEAR=-5LORBIT=10/112.计算能带①POSCAR②POTCAR③KPOINTS:使用Line-mode格式,给出高对称性K点之间的分割点数,分割越密,路径积分就越准确。

1-VASP计算教程第一课-认识VASP的输入和输出

1-VASP计算教程第一课-认识VASP的输入和输出

1-VASP计算教程第一课-认识VASP的输入和输出V ASP计算教程第一课认识V ASP的输入和输出课程目标:通过计算孤立氧原子的能量,初步认识V ASP的输入和输出。

课程正文:一、V ASP的输入文件(lecture1-01)V ASP的基本输入文件共有四个:POSCAR,INCAR,KPOINTS,POTCAR。

其中POSCAR是结构文件(计算的体系是什么);INCAR 是参数文件(怎么计算);KPOINTS是K点文件,决定了在体系的哪些点进行计算;POTCAR是赝势文件,包含了相应体系的元素的基本信息。

1、POSCAR以孤立氧原子为例,创建相应的结构文件。

V ASP要求计算的结构必须是周期体系,因此我们的结构可以描述为“一个足够大的晶胞(盒子)中存在一个氧原子”,之所以强调“足够大”,是因为晶胞具有周期性,晶胞足够大,氧原子之间的相互作用才可以忽略不计。

POSCAR文件内容如下:----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------1 O atom2 1.03 8.00 0.00 0.004 0.00 8.00 0.005 0.00 0.00 8.006 O7 18 Cartesian9 0.00 0.00 0.00---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 在这里,灰色背景及其中的数字为行号,POSCAR文件中并不包含。

其中,第1行的“O atom”是体系的名称,可以根据个人的喜好进行命名(如可以替换为isolated O,single O atom,one Oxygen atom等),方便对计算任务的记忆与理解,不同的命名不会影响计算;第2行的“1.0”为晶格的缩放系数,第3到5行是晶格在xyz坐标系中三个方向的基矢长度,基矢长度乘以晶格的缩放系数即为晶胞的大小,因此通过这四行参数,我们构建了一个晶格长度为8.00 ?的正方形晶胞。

VASP计算-力学常数1

VASP计算-力学常数1

VASP 计算----------力学常数摘要本文主要介绍了用VASP 对弹性模量、剪切模量、体积模量以及泊松比等力学常数计算,首先介绍了计算所需的相关基础知识,然后详细的阐述了理论的推导过程和对结果的处理方法,并介绍了VASP 所需文件和生成的文件,最后提供了计算的一个例子和其程序流程图。

目录一、 基础知识 .................................................................................................................... 1 二、 VASP 计算时解析推导 .............................................................................................. 3 三、 VASP 计算 .................................................................................................................. 9 四、 有待继续研究的地方 .............................................................................................. 10 五、 参考文献 .................................................................................................................. 10 六、 附录(一)程序流程图 .......................................................................................... 11 七、附录(二)------一个例子,TaN (12)一、 基础知识[1][2]这部分主要介绍了进行VASP 计算时所需要的概念的解释,其主要部分来自弹性力学,详细的介绍可阅读参考文献。

VASP计算方法

VASP计算方法

VASP计算⽅法V ASP计算⽅法总结1 静态计算计算⽅法:IBRION = -1NSW = 02 结构优化计算⽅法:①只进⾏离⼦弛豫IBRION = 2ISIF = 2②块体晶格参数优化IBRION = 2ISIF = 3③⼆维材料晶格参数优化3 表⾯能计算⽅法:1) 块体晶体晶格参数优化;静态计算;得能量Eb 2) 优化的块体切slab ;静态计算;得Es1 3) 将slab 模型离⼦弛豫;静态计算;得Es24) γ = (Es1 – N *(Eb / n ))/ 2A + (Es2 – Es1)/ A 计算步骤:4 功函数计算⽅法:1) 块体晶格参数优化;切slab 模型;离⼦弛豫 2) 修改INCAR (LVHAR = .TRUE.);静态计算 3) W = Ve - EF表⾯能1strustatic2slab 3optislabstatic计算步骤:5 吸附能计算⽅法:1) 块体和⼆维材料(D)晶格参数优化 2) 块体切slab ;构建slab 吸附模型3) slab 吸附模型去slab ;⼆维材料离⼦弛豫;静态计算 4) slab 吸附模型去⼆维材料;slab 离⼦弛豫;静态计算 5) slab 吸附模型离⼦弛豫;静态计算 6) E abs = E metal-D – E metal – E D 计算步骤:表⾯能1strustatic2slab3optislabstaticworkfunction吸附能1strustatic 2slab static 3slabDstatic6 差分电荷密度计算⽅法: 1) 完成吸附能计算2) Slab 吸附模型静态计算时得ρab3) Slab 吸附模型CONTCAR 去slab ;⼆维材料静态计算得ρa 4) Slab 吸附模型CONTCAR 去⼆维材料;slab 静态计算得ρb 5) △ρ = ρab – ρa – ρb 计算步骤:7 DOS计算⽅法: 1) 模型优化完成2) ⾃洽计算得到CHGCAR (DOS ⽂件夹下) ISMEAR = -5 LCHARG = .TRUE.吸附能1strustatic 2slabstatic3slabD staticDchargeslabcharge⼩密度k点(总k点>4)3)⾮⾃洽计算得到vasprun.xml(PDOS⽂件夹下)ISMEAR = -5ISTART = 1ICHARG = 11LORBIT = 11NEDOS = 1000⼤密度k点计算步骤:DOS PDOS8 能带计算计算⽅法:1)模型优化完成2)⾃洽计算得到CHGCAR(同上)ISMEAR = -5LCHARG = .TRUE.⼩密度k点(总k点>4)3)⾮⾃洽计算得到vasprun.xml(BAND⽂件下)a)INCARISMEAR ≠-5ISTART = 1ICHARG = 11LORBIT = 11NEDOS = 1000⼤密度k点NBANDS可适当增⼤b)KPOINTS写syml⽂件(⽤pand.x时,E-fermi得重写);gk.x⼀下计算步骤:DOS PDOS BAND。

vasp计算

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vasp计算3, Xming用gnuplot是gnu文件里面要加pause -14,INCAR 字符太长,vasp_lib里面要改drdatab.F文件,255改大,重新编译5 声子谱:phononp –d –dim=”3 3 1”6 vasp编译gama版本的:在第二个CPP加上-DwNGZhalf就行。

7 ISMEAR=-5,电荷密度和DOS之类的电子结构和总能准,但是算力不准,所以对于算声子谱,最好不用-5。

对于金属,声子谱一般用DFPT会更准。

对于半导体和绝缘体,不能用ISEMAR>0的,只能是-5或者0.对于金属,ISMEAR=1,sigma=0.28 DFPT不能用NPAR phonopy -d --dim="2 2 2" -c POSCAR-unitcellmv SPOSCAR POSCAR静态计算:IBRION=8,IALGO=38对于金属ISMEAR=1,sigma=0.2phonopy --fc vasprun.xmlband.conf里面要添加:FORCE_CONSTANTS = READphonopy -p -c POSCAR-unitcell band.conf一般来说,对于金属,或者窄能隙半导体,如果用位移法,则需要很大的胞才能算准,但是用DFPT则可以小包算准。

对于金属,PBE 可能更好点。

9, 如果体系较大,EDIFF达到停止计算,很可能是K点取太多,内存不够。

10, bandplot --gnuplot band.yaml >> phon.dat,用origin做声子谱11,画CBM和VBM的partial charge,读入静态的WA VECAR,进行处理,此时要设置INCAR,LPARD = .TRUE. 开关IBAND = 480 481 VBM CBMNBMOD = 1 默认KPUSE = 1 第几个K点LSEPB = .TRUE. vasp查LSEPK = .TRUE.12,算极化:铁电相和顺电相都要算,每一个相算三次。

VASP磁性计算总结篇

VASP磁性计算总结篇

以下是从VASP在线说明书整理出来的非线性磁矩和自旋轨道耦合的计算说明。

非线性磁矩计算:1)计算非磁性基态产生WAVECAR和CHGCAR文件。

2)然后INCAR中加上ISPIN=2ICHARG=1 或11 !读取WAVECAR和CHGCAR文件LNONCOLLINEAR=.TRUE.MAGMOM=注意:①对于非线性磁矩计算,要在x, y 和z方向分别加上磁矩,如MAGMOM = 1 0 0 0 1 0 !表示第一个原子在x方向,第二个原子的y 方向有磁矩②在任何时候,指定MAGMOM值的前提是ICHARG=2(没有WAVECAR和CHGCAR文件)或者ICHARG=1 或11(有WAVECAR和CHGCAR文件),但是前一步的计算是非磁性的(ISPIN=1)。

磁各向异性能(自旋轨道耦合)计算:注意:LSORBIT=.TRUE. 会自动打开LNONCOLLINEAR= .TRUE.选项,且自旋轨道计算只适用于PAW赝势,不适于超软赝势。

自旋轨道耦合效应就意味着能量对磁矩的方向存在依赖,即存在磁各向异性能(MAE),所以要定义初始磁矩的方向。

如下:LSORBIT = .TRUE.SAXIS = s_x s_y s_z(quantisation axis for spin)默认值:SAXIS=(0+,0,1),即x方向有正的无限小的磁矩,Z方向有磁矩。

要使初始的磁矩方向平行于选定方向,有以下两种方法:MAGMOM = x y z ! local magnetic moment in x,y,zSAXIS = 0 0 1 ! quantisation axis parallel to zorMAGMOM = 0 0 total_magnetic_moment ! local magnetic moment parallel to SAXIS (注意每个原子分别指定)SAXIS = x y z !quantisation axis parallel to vector (x,y,z),如 0 0 1两种方法原则上应该是等价的,但是实际上第二种方法更精确。

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vasp 输入文件中的ISMEAR参数指的是波函数占据数目,但是这个到底是什么意思?可以浅显一点讲吗
就是说电子在费米面附近占据数从0突变到1,这是个deta函数,为了计算方便,用一个平滑点的函数在费米面附近代替这个deta函数,这样计算就不容易振荡,易于收敛。ismear就是可以采用这种方法:将SIGMA在不同大小的kmesh下进行静态计算测试,对每一个SIGMA值求“entropy T*S”值,可以得出一系列(一般取两条)不同kmesh下SIGMA与“entropy T*S”对应的曲线,将这些曲线比较,取不同kmesh曲线的“entropy T*S”差值最小的点对应的SIGMA值即可。具体参数设置可以参看侯柱峰编写的《VASP软件包使用入门指南》中“§5.7节ISMEAR和SIGMA”。
SIGMA的值是展宽,决定了电子的占有数,当它取不同值时,对金属体系的费米能处的电子占有数变化很大。一般地对于半导体和绝缘体来说SIGMA=0.05就够小了,金属的默认取值0.2。如果计算的体系是金属,在静态计算物理量时,则用ISMEAR=-5,这时不必设置SIGMA(此时SIGMA的取值对结果没有影响)。如果对体系进行驰豫,先用ISMAR=1或2(金属体系)或0(半导体或绝缘体)优化出SIGMA,得到优化的结构后,再进行静态计算(ISMEAER=0用的比较多,手册上的说法不管什么计算取ISMEAR=0然后找一个合适的SIGMA就可以)。另外,SIGMA的值依赖于kmesh的大小,当kmesh发生改变时SIGMA的值也需要重新优化取值。
最好是每做一个计算,都要先做一个SIGMA的检测以选取合适的SIGMA值,不过在有了可靠的经验以后就不用每次都做了。绝缘体SIGMA可以取得小一点,金属的不要取的太小否则不容易收敛。在收敛速度可以接受的情况下可以适当减小SIGMA。
VASP计算前的验证 一、检验赝势的好坏: (一)方法:对单个原子进行计算; (二)要求: 1、对称性和自旋极化均采用默认值; 2、ENCUT要足够大; 3、原胞的大小要足够大,一般设置为15 ?足矣,对某些元素还可以取得更小一些。 (三)以计算单个Fe原子为例: 1、INCAR文件: SYSTEM = Fe atom ENCUT = 450.00 eV NELMDL = 5 ! make five delays till charge mixing,详细意义见注释一 ISMEAR = 0 SIGMA=0.1 2、POSCAR文件: atom 15.00 1.00 0.00 0.00 0.00 1.00 0.00 0.00 0.00 1.00 1 Direct 0 0 0 3、KPOINTS文件: Automatic 0 Gamma 1 1 1 0 0 0 4、POTCAR文件:(略) 注释一:关键词“NELMDL”: A)此关键词的用途:指定计算开始时电子非自洽迭代的步数(即NELMDL gives the number of non-selfconsistent steps at the beginning),目的是make calculations faster。“非自洽”指的是保持charge density不变,由于Charge density is used to set up the Hamiltonian, 所以“非自洽”也指保持初始的哈密顿量不变。 B)默认值(default value): NELMDL = -5 (当ISTART=0, INIWAV=1, and IALGO=8时) NELMDL = -12 (当 ISTART=0, INIWAV=1, and IALGO=48时) NELMDL = 0 (其他情况下) NELMDL might be positive or negative. A positive number means that a delay is applied after each ionic movement -- in general not a convenient option. (在每次核运动之后) A negative value results in a delay only for the start-configuration. (只在第一步核运动之前) C)关键词“NELMDL”为什么可以减少计算所需的时间? Charge density is used to set up the Hamiltonian, then the wavefunctions are optimized iteratively so that they get closer to the exact wavefunctions of this Hamiltonian. From the optimized wavefunctions a new charge density is calculated, which is then mixed with the old input-charge density. A brief flowchart is given below.(参自Manual P105页) 一般情况下,the initial guessed wavefunctions是比较离谱的,在前NELMDL次非自洽迭代过程中保持charge density不变、保持初始的哈密顿量不变,只对wavefunctions进行优化,在得到一个与the exact wavefunctions of initial Hamiltonian较为接近的wavefunctions后,再开始同时优化charge density。这样一来,计算时间要比一开始就同时优化charge density 和wavefunctions短得多。 注释二:为什么这里只需要一个k点? For atoms and molecules, the Bloch theorem does not apply, hence there is no need to use more than one single k-point. When more k-points are used, only the interaction between the atoms (which should be zero) is described more accurately. (三)计算任务执行方法:输入:vasp (四)赝势好的判断标准:计算得到的OUTCAR文件中的“energy without entropy”能量值在 ?0.001~?0.01 eV之间。 nicheal 2008-10-08 21:47 搞VASP常备味药!O,YE,沙发! wzhao 2008-10-08 21:48 二、筛选合适的ENCUT大小: (一)输入文件: 1、用脚本程序optencut.sh代替INCAR文件: rm WAVECAR for i in 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 do cat > INCAR <<! SYSTEM = bcc Fe ENCUT = $i ISTART = 0 ; ICHARG = 2 ISMEAR = -5 PREC = Accurate ! echo "ENCUT = $i eV"; time vasp E=$(grep "TOTEN" OUTCAR | tail -1| awk '{printf "%12.6f \n", $5}') echo $i $E >> comment done 2、POSCAR文件: bcc Fe 2.866 1.00 0.00 0.00 0.00 1.00 0.00 0.00 0.00 1.00 2 Direct 0 0 0 0.5 0.5 0.5 3、KPOINTS文件: Automatic generation 0 Monkhorst-Pack 9 9 9 0.0 0.0 0.0 4、POTCAR文件:(略) (二)计算任务执行方法: 输入:dos2unix optencut.sh bash optencut.sh (三)判别标准:计算完成后得到comment文件,它列出了在每个ENCUT时计算得到的相应的总能,只要总能变化在0.001 eV左右就足够了。 wzhao 2008-10-08 21:49 三、选择合适的k点数目: (一)输入文件: 1、INCAR文件: SYSTEM = bcc Fe ENCUT = 450.00 eV ISTART = 0 ; ICHARG = 2 ISMEAR = -5 PREC = Accurate 2、POSCAR文件: bcc Fe 2.866 1.00 0.00 0.00 0.00 1.00 0.00 0.00 0.00 1.00 2 Direct 0 0 0 0.5 0.5 0.5 3、用脚本程序optkpoints.sh代替KPOINTS文件: rm WAVECAR for i in 5 7 9 11 13 15 do cat > KPOINTS <<! Automatic generation 0 Monkhorst-pack $i $i $i 0.0 0.0 0.0 ! echo " k mesh = $i x $i x $i"; time vasp E=$(grep "TOTEN" OUTCAR | tail -1| awk '{printf "%12.6f \n", $5}') KP=$(grep "irreducible" OUTCAR | tail -1| awk '{printf "%5i \n", $2}') echo $i $KP $E >> comment done 4、POTCAR文件:(略) (二)计算任务执行方法: 输入:dos2unix optkpoints.sh bash optkpoints.sh (三)判别标准:计算完成后得到comment文件,它列出了在k点数目与总能的对应值,只要总能变化在0.001 eV左右就非常足够了。 wzhao 2008-10-08 21:51 四、优化选择合适的SIGMA值(展宽σ值): (一)为什么要优化SIGMA值? 若展宽σ太小,则计算难以收敛;若展宽σ太大,则会产生多余的熵(entropy),因此必须选择合适的σ值。(Too large smearing-parameters might result in a wrong total energy, small smearing parameters require a large k-point mesh.) (二)ISMEAR和SIGMA: 1、ISMEAR和SIGMA这两个关键词要联合起来使用,前者用来指定smearing的方法,后者用来指定smearing的展宽—— σ值。 2、ISMEAR和SIGMA的默认值分别为1和0.2。 3、ISMEAR可能的取值为-5,-4,-3,-2,-1,0,N (N表示正整数): ISMEAR=-5,表示采用Blochl修正的四面体方法; ISMEAR=-4,表示采用四面体方法,但是没有Blochl修正; ISMEAR=-1,表示采用Fermi-Dirac smearing方法; ISMEAR=0,表示采用Gaussian smearing方法; ISMEAR=N,表示采用Methfessel-Paxton smearing方法,其中N是表示此方法中的阶数,一般情况下N取1或2, 但是In most cases and leads to very similar results。 4、σ值一般在0.1~0.3 eV范围内。 5、ISMEAR取值的一些经验: (1)一般说来,无论是对何种体系,进行何种性质的计算,采用ISMEAR=0并选择一个合适的SIGMA值,都能得到合理的结果。(2)在进行静态计算(能量单点计算, no relaxation in metals)或态密度计算且k点数目大于4时,取ISMEAR=-5。(3)当原胞较大而k点数目较小(小于4个)时,取ISMEAR=0,并选择一个合适的SIGMA值。(if the cell is too large (or if you use only a single or two k-points) use ISMEAR=0 in combination with a small SIGMA=0.05) (4)对半导体或绝缘体,不论是静态还是结构优化计算,都取 ISMEAR=-5。(Mind: Avoid to use ISMEAR>0 for semiconductors and insulators, since it might cause problems. For insulators use ISMEAR=0 or ISMEAR=-5.) (5)对金属体系(for relaxations in metals),取ISMEAR=1或2,并选择一个合适的SIGMA值。 (三)当采用ISMEAR=0或N时,如何优化选择合适的SIGMA值?(以bcc Fe为例) 1、用脚本程序optsigma.sh代替INCAR文件: rm WAVECAR for i in 0.10 0.12 0.14 0.16 0.18 0.20 0.22 0.24 0.26 0.28 0.30 do cat > INCAR <<! SYSTEM = bcc Fe ENCUT = 450 GGA = 91 ISTART = 0 ; ICHARG = 2 ISMEAR = 0 ; SIGMA = $i PREC = Accurate ! echo " SIGMA = $i eV "; time vasp TS=$(grep "EENTRO" OUTCAR | tail -1 | awk '{printf "%12.6f \n", $5}') echo $i $TS >> comment done 2、POSCAR文件: bcc Fe 2.866 1.00 0.00 0.00 0.00 1.00 0.00 0.00 0.00 1.00 2 Direct 0 0 0 0.5 0.5 0.5 3、KPOINTS文件: Automatic generation 0 Monkhorst-Pack 9 9 9 0.0 0.0 0.0 4、POTCAR文件:(略) (四)计算任务执行方法: 输入:dos2unix optsigma.sh bash optsigma.sh (五)判断标准:熵(entropy)越小越好,选择entropy T*S EENTRO值中最小的那个所对应的SIGMA。( SIGMA should be as large as possible keeping the difference between the free energy and the total energy (i.e. the term 'entropy T*S') in the OUTCAR file negligible (1 meV/atom).) (五)注意: 1、当k点的数目发生变化后,要重新优化选择SIGMA值。
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