(整理)半导体二极管的主要参数.
二极管的分类及参数(精)
二极管的分类及参数一．半导体二极管的分类半导体二极管按其用途可分为：普通二极管和特殊二极管。
普通二极管包括整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、快速二极管等；特殊二极管包括变容二极管、发光二极管、隧道二极管、触发二极管等。
二.半导体二极管的主要参数1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
在常温下，硅管的IR 为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3. 最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4. 最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的VRM值可达几千伏。
6. 最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM 值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上，一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。
也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。
二极管三极管主要参数
二极管三极管主要参数二极管和三极管是半导体器件中常见的两种元件，它们在电子电路中具有重要的作用。
下面将详细介绍二极管和三极管的主要参数。
一、二极管的主要参数：1.电压额定值：也称为反向工作电压（VR）或正向导通电压（VF），表示二极管在正向和反向工作时能够承受的最大电压。
对于正向工作，一般为0.7V左右，而对于反向工作，一般为数十V至几百V。
2.最大定向电流：指二极管在正向工作时能够承受的最大电流，也称为连续电流（IF），一般为几毫安到几十安。
3.反向漏电流：指二极管在反向工作时的漏电流，也称为反向电流（IR），一般为几微安到几毫安。
4.开启时间和关断时间：也称为导通时间和截止时间，指二极管从关断到开启、从开启到关断的时间，一般为纳秒或微秒级。
5.反向恢复时间：指二极管在从正向工作状态转为反向工作状态时，恢复正常的导通特性所需的时间，一般为纳秒或微秒级。
6.动态电阻：指二极管在正向工作时的电压变化与电流变化的比值，一般在工作点附近呈线性关系。
7.耐压能力：指二极管在正向和反向工作时能够承受的最大电压，一般为几十伏到几百伏。
二、三极管的主要参数：1.当前放大倍数：也称为直流电流放大倍数（hFE）或β值，指输入电流和输出电流之间的比值，一般为几十至几千。
2.基极电流：也称为输入电流（IB），指输入信号经过基极向集电极注入的电流。
3.饱和电流：也称为最大电流（IC），指当三极管的基极电流达到一定值时，集电极电流不能再继续增大的电流值。
4.最大功耗：指三极管能够承受的最大功率，一般为几十毫瓦到几瓦。
5.最大频率：指三极管能够工作的最高频率，一般为几十MHz到几GHz。
6.最小输入电压：指三极管能够正常工作的最小输入电压。
7.最大输入电压：指三极管能够承受的最大输入电压。
三、总结：二极管主要参数包括电压额定值、最大定向电流、反向漏电流、开启时间和关断时间、反向恢复时间、动态电阻和耐压能力。
这些参数主要描述了二极管在正向和反向工作时的性能。
二极管的两个主要参数
二极管的两个主要参数二极管是一种电子元件，由P型半导体和N型半导体组成，具有两个主要参数：导通电压和截止电压。
1. 导通电压（Forward voltage）：导通电压是指在二极管的正向工作条件下，从P区到N区施加足够的正电压，使得二极管开始导电的最小电压。
一般以VF表示。
当外加的正向电压大于导通电压时，二极管进入导通状态，电流开始流动；当外加的正向电压小于导通电压时，二极管处于截止状态，不导电。
导通电压的大小取决于二极管的材料性质和制造工艺。
对于硅（Silicon）材料的二极管，导通电压一般为0.6V到0.7V；对于砷化镓（Gallium Arsenide）材料的二极管，导通电压一般为0.2V到0.3V。
导通电压的具体数值指导了二极管在电路中的应用范围，过小或过大的导通电压都可能会导致电路的不稳定性或无法正常工作。
2. 截止电压（Reverse voltage）：截止电压是指在二极管的反向工作条件下，施加的反向电压达到一定程度时，二极管开始截止导电的最大电压。
一般以VR表示。
当反向电压小于截止电压时，二极管处于正向偏置条件，开始导通；当反向电压大于等于截止电压时，二极管进入截止状态，不导电。
截止电压的大小取决于二极管的材料性质，是通过制造工艺和外部保护结构来确定的。
对于硅材料的二极管，截止电压一般为50V到100V；对于砷化镓材料的二极管，截止电压一般为5V到10V。
截止电压的高低决定了二极管在反向电压下能承受的最大值，过高或过低的截止电压都可能会导致二极管烧毁或不稳定。
总结：二极管的导通电压和截止电压是两个重要的电性能参数。
导通电压决定了二极管在正向电压下能否导通，截止电压决定了二极管在反向电压下能否截止导电。
这两个参数的合理选择和设计，对于保证二极管在电路中的正常工作和保护二极管不被损坏起着至关重要的作用。
二极管的主要参数
二极管的主要参数二极管是一种主要由两个电极（即正极和负极）组成的电子器件。
它是半导体器件的一种，具有一些重要的参数，下面将详细介绍这些参数。
1.额定峰值反向电压（VR）：指二极管所能承受的最大反向电压。
当反向电压高于额定峰值时，会导致二极管击穿，失去正常功能。
2.额定直流正向电流（IF）：指在正向电压下，二极管所能承受的最大电流。
当超过额定直流正向电流时，二极管可能会过载损坏。
3.最大导通电流（IFM）：指二极管在导通状态下所能承受的最大电流。
超过该电流，二极管可能会由于过热而损坏。
4.静态电阻（RS）：指二极管正向导通时的电阻。
该参数影响二极管的电压降和功耗。
5.正向压降（VF）：指二极管正向导通时的电压降。
不同类型的二极管具有不同的正向压降，这个参数会影响电路的设计和功耗。
6. 动态电阻（rd）：指在二极管正向导通时，电压变化与电流变化之比。
动态电阻决定了二极管的响应速度和频率特性。
7.反向漏电流（IR）：指二极管在反向电压下的漏电流。
该参数影响二极管的反向恢复速度和反向漏电功耗。
8. 反向恢复时间（trr）：指二极管由正向导通到反向截止状态的时间。
这个时间决定了二极管在高频应用中的性能。
9. 反向恢复电荷（Qrr）：指正向导通状态下，当二极管截止时，由于载流子的复合和电荷移动而产生的额外电荷。
这个参数决定了二极管的反向恢复能力。
10. 热阻（Rth）：指二极管在正常工作温度下的散热能力。
较低的热阻可以帮助降低二极管的温度，提高其可靠性和寿命。
除了以上提到的参数，还有一些其他参数也很重要，例如温度系数、漂移电流、噪声系数等。
这些参数在不同应用场合下扮演着不同的角色，并且通过适当的选择和优化可以使二极管在电路中发挥出最佳的性能。
总结起来，二极管的主要参数可以分为电流参数、电压参数、速度参数和热参数等几个方面。
在实际应用中，选择合适的二极管必须综合考虑这些参数，并与具体的电路需求相匹配，以确保电路的稳定和可靠性。
半导体二极管参数的测量
2．二极管的主要参数 （1）最大整流电流 I FM
指管子长期工作时，允许通过的最大正向 平均电流。 （2）反向电流
指在一定温度条件下，二极管承受了反向 工作电压、又没有反向击穿时，其反向电 流值。 （3）反向最大工作电压 VRM 指管子运行时允许承受的最大反向电压。 应小于反向击穿电压。
（4）直流电阻
如果有且只有两个脚间的电阻无论正反向都无穷大那么这两个脚一定是集电极和发射极剩下的那个脚就是基极判别发射极和集电极的依据是
4.2.4
半导体二极管参数的测量
二极管是整流、检波、限幅、钳位 等电路中的主要器件。
一、半导体二极管的特性和主要参数
1．二极管的主要特性
二极管最主要的特性是单向导电特性，即二极 管正向偏置时导通；反向偏置时截止。
2．用数字万用表测量三极管
3．用晶体管特性图示仪测量三极管
二、测量原理和常规测试方法
1．模拟万用表测量三极管 可判断b、c、e，并估测电流放大倍数。
（1）基极的判定 利用PN结的单向导电性进行判别。 假设一个基极，分别测两个PN结的正向电阻和 反向电阻。基极判断出来后，还可以判断管型。
具体步骤
用模拟万用表红黑表 笔分别测量三极管任 意两个脚，每两个脚 正反都测量一次。如 果有且只有两个脚间 的电阻无论正反向都 无穷大，那么这两个 脚一定是集电极和发 射极，剩下的那个脚 就是基极b。
黑
100kΩ 万 用 表 E
R0
红
(a)判断c、e的测量接线图
（3）电流放大倍数的估测
测量集电极和发射极间的电阻（对NPN， 黑笔接集电极，红笔接发射极；PNP的相 反），用手捏着基极和集电极，观察表针 摆动幅度的大小，表针摆动越大，β值越大。 一般数字万用表都有测量三极管的功能， 将晶体管插入测试孔就可以读出β值。
二极管特性及参数
二极管特性及参数一、二极管的特性：二极管是一种最简单的半导体器件，它具有单向导电性。
二极管由P 型半导体和N型半导体组成，P型半导体区域被称为P区，N型半导体区域被称为N区，P区和N区之间形成的结被称为PN结。
在PN结两侧形成的电场称为势垒，势垒会阻碍电流的流动，只有当正向电压施加在二极管上时，电流才能流过。
二极管的工作特性如下：1.正向工作特性：当二极管的正端连接到正电压源，负端连接到负电压源时，二极管处于正向偏置状态。
此时，PN结的势垒被削弱，电流可以流动。
二极管的正向电压(Vf)越大，通过二极管的电流(If)越大。
正向工作特性遵循指数规律，即电流与电压之间存在指数关系。
2.反向工作特性：当二极管的正端连接到负电压源，负端连接到正电压源时，二极管处于反向偏置状态。
此时，PN结的势垒会增加，电流几乎不能流动。
只有当反向电压(Vr)超过二极管的反向击穿电压时，才会发生逆向击穿，电流急剧增加。
二、二极管的参数：1.极限值参数：-峰值反向电压(VRM)：反向电压的最大值，一般用来表示二极管的耐压能力。
-峰值反向电流(IFM)：反向电流的最大值，一般用来表示二极管的耐流能力。
-正向电压降(VF)：正向工作时，PN结两侧产生的电压降。
-正向电流(IF)：通过二极管的最大电流。
2.定常态参数：- 正向阻抗(Forward resistance)：在正向工作状态下，二极管的阻抗大小。
正向阻抗与正向电流大小有关，一般用欧姆表示。
- 反向电流(Reverse current)：在反向工作状态下，二极管的电流大小。
- 反向传导电导(Reverse conductance)：在反向工作状态下，PN结的反向传导电导值，与反向电流大小有关。
3.动态参数：- 正向导通压降(Forward voltage drop)：当二极管处于正向工作状态时，二极管两端的电压降。
- 动态电电渡特性(Forward dynamic electrical characteristics)：反映在零偏电流条件下，PN结在正向电压下的电流特性关系。
半导体二极管的主要参数
半导体二极管的主要参数描述二极管特性的物理量称为二极管的参数，它是反映二极管电性能的质量指标，是合理选择和使用二极管的主要依据。
在半导体器件手册或生产厂家的产品目录中，对各种型号的二极管均用表格列出其参数。
二极管的主要参数有以下几种：1．最大平均整流电流I F（A V）I F（A V）是指二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。
它与PN结的面积、材料及散热条件有关。
实际应用时，工作电流应小于I F（A V），否则，可能导致结温过高而烧毁PN结。
2．最高反向工作电压V RMV RM是指二极管反向运用时，所允许加的最大反向电压。
实际应用时，当反向电压增加到击穿电压V BR时，二极管可能被击穿损坏，因而，V RM通常取为（1/2 ～2/3）V BR。
3．反向电流I RI R是指二极管未被反向击穿时的反向电流。
理论上I R=I R（sat），但考虑表面漏电等因素，实际上I R稍大一些。
I R愈小，表明二极管的单向导电性能愈好。
另外，I R与温度密切相关，使用时应注意。
4．最高工作频率f Mf M是指二极管正常工作时，允许通过交流信号的最高频率。
实际应用时，不要超过此值，否则二极管的单向导电性将显著退化。
f M的大小主要由二极管的电容效应来决定。
5．二极管的电阻就二极管在电路中电流与电压的关系而言，可以把它看成一个等效电阻，且有直流电阻与交流电阻之别。
（1）直流等效电阻R D直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D与流过二极管的直流电流I D 之比，即R D的大小与二极管的工作点有关。
通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。
不过应注意的是，使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。
其原因是二极管工作点的位置不同。
一般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间，反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆之间。
正反向直流电阻差距越大，二极管的单向导电性能越好。
（2）交流等效电阻r dr d亦随工作点而变化，是非线性电阻。
最新半导体二极管的主要参数
半导体二极管的主要参数1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
在常温下，硅管的IR 为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3.最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4.最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的VRM值可达几千伏。
6.最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上，一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。
也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。
大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。
9.最大功率P二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。
最大功率P为功率的最大值。
具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。
二极管的两个主要参数
二极管的两个主要参数二极管是一种最简单的电子元件，也是最基本的半导体元件之一、它由半导体材料构成，具有两个端口，即端口p（正极）和端口n（负极）。
二极管有很多种类，其中最常见的是硅二极管和锗二极管。
在研究和应用中，人们通常关注二极管的两个主要参数：电压特性和电流特性。
一、电压特性电压特性是指二极管在不同电压下的能量传递特性。
具体包括以下两个主要参数：1.正向电压（VF）：正向电压是指在二极管的正向偏置情况下，二极管的两个端口之间的电压。
在正向偏置下，p端的电压高于n端的电压。
当正向电压超过二极管的正向开启电压时，电流可以流过二极管，二极管处于导通状态。
2.反向电压（VR）：反向电压是指在二极管的反向偏置情况下，n端的电压高于p端的电压。
在反向偏置下，二极管处于截止状态，没有电流流过。
当反向电压超出二极管的反向击穿电压时，电流会突然增加，二极管会发生击穿状态，可能造成破坏。
二、电流特性电流特性是指二极管在不同电流下的能量传递特性。
具体包括以下两个主要参数：1.正向电流（IF）：正向电流是指在正向偏置下通过二极管的电流。
正向电流主要由二极管的载流子（电子或空穴）在p-n结中的电荷迁移引起。
当正向偏压增加时，正向电流也会增加，但是二极管也有一个最大的正向电流容限，超过容限将会造成二极管受损。
2.反向饱和电流（IR）：反向饱和电流是指在反向偏置下通过二极管的非常小的电流。
这个电流主要是由少量的载流子在p-n结中的热激发引起的。
反向饱和电流是非常小的，可以忽略不计。
但是当反向电压超过二极管的反向击穿电压时，反向电流会急剧增加，可能导致二极管受损。
总结起来，二极管的两个主要参数是电压特性和电流特性。
电压特性包括正向电压（VF）和反向电压（VR）；电流特性包括正向电流（IF）和反向饱和电流（IR）。
这些参数的理解和应用对于正确选择和使用二极管至关重要。
二级管参数
二级管参数
3. 最大正向电流（Forward Current, Ifmax）：最大正向电流是指二极管能够承受的最 大正向电流。当正向电流超过这个值时，二极管可能会过热并损坏。
二级管参数
6. 功耗（Power Dissipation）：功耗是指二极管在工作过程中消耗的功率。功耗与正向 电流和正向电压有关，通常以瓦特（W）为单位。
这些参数可以帮助工程师选择适合特定应用的二极管，并确保其正常工作和可靠性。请注 意，不同类型和型号的二极管可能具有不同的参数范围，因此在选择和使用二极管时，应仔 细阅读其数据手册或规格表。
二级管参数
二极管是一种最简单的半导体器件，它具有两个端口：正极（阳极）和负极（阴极）。以 下是一些常见的二极管参数：
1. 额定电压（Forward Voltage, Vf）：二极管的额定电压是指在正向工作时，二极管的 电压降。对于硅二极管，额定电压通常在0.6V到0.7V之间，而对于锗二极管，额定电压通常 在0.2V到0.3V之间。
4. 反向漏电流（Reverse Leakage Current, Ir）：反向漏电流是指在反向电压下，二极 管的漏电流。对于正常工作的二极管，反向漏电流应该很小。
5. 响应时间（Response Time）：响应时间是指二极管从关断状态到பைடு நூலகம்通状态的时间， 或者从导通状态到关断状态的时间。响应时间越短，二极管的开关速度越快。
二极管的主要参数
二极管的主要参数一、导言：二极管（Diode）是一种最简单的半导体器件，具有只允许电流在一个特定方向流动的特性。
由于其简单的结构和广泛的应用，掌握二极管的主要参数对于电子工程师和电子爱好者来说是非常重要的。
本文将对二极管的主要参数进行详细的介绍，包括正向导通压降、反向击穿电压、最大正向电流、最大反向电流、反向恢复时间以及温度特性等。
二、二极管的主要参数：1. 正向导通压降（Forward Voltage Drop）：二极管在正向导通时的电压降，一般用VF表示，单位为伏特（V）。
正向导通压降是由于电子和空穴在P-N结中的扩散和复合所引起的，正常情况下，硅二极管的正向导通压降约为0.6V，而锗二极管的正向导通压降约为0.2V。
正向导通压降的大小与电流的大小有关，一般来说，随着电流的增大，正向导通压降会略微下降。
2. 反向击穿电压（Reverse Breakdown Voltage）：二极管在反向电压超过一定值时，P-N结中的耐压能力不足，发生击穿现象。
反向击穿电压一般用VR表示，单位为伏特（V）。
击穿电压的大小与二极管的材料和结构有关，不同类型的二极管击穿电压有所不同。
例如，普通的硅二极管的击穿电压通常在50-100V左右。
当二极管的反向电压超过击穿电压时，电流会大幅度增加，这可能会损坏二极管。
3. 最大正向电流（Maximum Forward Current）：二极管允许通过的最大正向电流，一般用IFM表示，单位为安培（A）。
正常情况下，二极管的最大正向电流由材料和结构决定，一般在几十毫安到几安之间。
超过最大正向电流时，二极管可能会过热损坏。
4. 最大反向电流（Maximum Reverse Current）：二极管在反向电压下允许通过的最大反向电流，一般用IRM表示，单位为安培（A）。
反向电流是由于P-N结中存在少量的载流子而引起的，一般来说，反向电流很小，可以忽略不计。
超过最大反向电流时，二极管可能会损坏。
(整理)半导体二极管 (2).
5.1.1 PN结导入：提问：物体按导电性能可分为哪几类？导体、绝缘体和半导体。
导电性能良好的物体叫导体，导电性性能很差的物体叫绝缘体。
导电性能处于导体和绝缘体之间的物体叫半导体。
新课：一、半导体基本特性及常用半导体半导体导电性能处天导体和绝缘体之间。
除此之外，半导体还有很多重要特性，热敏、光敏和掺杂特性。
热敏讲解：光敏讲解：掺杂讲解：掺杂后导电能力大大增强。
纯净的半导体称为本征半导体。
常用半导体有硅、锗。
硅介绍：石头的主要成份，原来叫矽，1952年后因与 硒 同音，改称硅。
台湾仍称矽，香港可称矽，也可称硅。
在地球上含量非常多。
锗含量较少，在半导体中用得也较少。
二、Ｐ型半导体和Ｎ型半导体纯净半导体经过掺后，有电子导电和空穴导电两种方式。
空穴导电讲解：以空穴导电为主的叫Ｐ型半导体。
电子导电讲解：以电子导电为主的叫Ｎ型半导体。
三、ＰＮ结的概念及单向导电性１、ＰＮ结概念将Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一结，在结合处形成ＰＮ结。
ＰＮ结是构成各种半导体器件的基础。
Ｐ是英语单词正极（Positive）的第一个字母，Ｎ是英语单词负极（Negative）的第一个字母。
ＰＮ结如果用中文来解释就是 正负结 。
２、ＰＮ结单向导电性演示实验（请同学们上台一起做）：2.1接通电源，小灯泡点亮。
提问：交换电源正负极，小灯泡是否还亮？2.2交换电源正负极，小灯泡还亮。
结论：小灯泡双向导通，不分正负极。
2.3在电路中间插入二极管（二极管内部结构主要是ＰＮ结）。
做同样实验，发现有一种情况下灯亮，还有一种情况下灯泡不亮了。
2.4简化实验，保持电源正负极不变，只改变二极管的方向，发现一个方向小灯泡亮，一个方向小灯泡不亮了。
2.5结论：ＰＮ结具有单向导电性，即只有一个方向导通，另一个方向不导通（专有名称：截止）。
2.6以自行车气嘴为例说明ＰＮ结单向导电的工作原理：2.7正向偏置：Ｐ接+，Ｎ接-；反向偏置：Ｐ接－，Ｎ接+。
简化理解：正接+，负接-，正向偏置；正按-，负椄+，反向偏置。
半导体二极管的参数及温度特性
△uD/ △T = –（2∽2.5）mV/℃。
T2 T1
iD
O
uD
即 温度每升高1°C，管压降
降低（2∽2.5）mV
T2 T1
T1＞T2
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
(2) 温度升高，反向饱和电流增大。
模拟电子技术
T2 T1
iD
即 平均温度每升高10°C，反向饱和电流 增大一倍
死区 电压
O
uD
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
（6）最高工作频率 fM 当工作频率过高时，其单向导 电性明显变差。
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
二极管电路仿真：
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
大幅提高信号频率，二极管失去单向导电性：
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
2. 半导体二极管的温度特性
U(BR)
流的平均值。
（2）反向击穿电压 U(BR）
击穿 电压
二极管能承受的最高反向电压。
O
uD
普通二极管的最高反向电压一般在几十伏以上。
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
（3）最高允许反向工作电压 UR
iD
为了确保管子安全工作，所允许的最高
反向电压。
IR
UR=（1/2~2/3）U(BR）
（4）反向电流 IR 室温下加上规定的反向电压 测得的电流。
U(BR)
击穿 电压
硅管为（nA）级，锗管为微安（μA）级
死区 电压
O
uD
模拟电子技术
1 半导体二极管及其应用
常用半导体的主要参数
常用半导体二极管的主要参数
3.常用整流桥的主要参数
表14几种单相桥式整流器的参数
4.常用稳压二极管的主要参数
表15部分稳压二极管的主要参数
5.常用半导体三极管的主要参数
(1) 3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管
（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管
表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数
（3）3BX31型NPN型锗低频小功率三极管
(1)3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管
表19 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
(5) 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管
(2)9011~9018塑封硅三极管
表21 9011~9018塑封硅三极管的参数
6．常用场效应管主要参数。
常用半导体的主要参数
常用半导体二极管的主要参数
表13部分半导体二极管的参数
3.常用整流桥的主要参数
4.常用稳压二极管的主要参数
5.常用半导体三极管的主要参数
(1) 3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管
（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管
表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数
（3）3BX31型NPN型锗低频小功率三极管
(1)3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管
表19 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
(5) 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管
表20 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
(2)9011~9018塑封硅三极管
表21 9011~9018塑封硅三极管的参数
6．常用场效应管主要参数
表22常用场效应三极管主要参数。
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1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
在常温下，硅管的IR为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3.最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4.最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的VRM值可达几千伏。
6.最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上，一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。
也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。
大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。
9.最大功率P二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。
最大功率P为功率的最大值。
具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。
这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。
二极管的主要参数2009年07月05日星期日 01:53 P.M.用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。
不同类型的二极管有不同的特性参数。
对初学者而言，必须了解以下几个主要参数：1、最大整流电流是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。
因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。
所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。
例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
2、最高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。
为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。
例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。
反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。
值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。
例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。
又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。
故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
4、最高工作频率稳压二极管主要参数(1) 稳定电压UZ在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。
(2) 动态电阻rZIZ∆UZ /∆rZ =其概念与一般二极管的动态电阻相同，是从它的反向特性上求取的。
rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。
UZ∆rZ= IZ∆/(3)最大耗散功率PZM＝UZ IZ取决于PN结的面积和散热等条件。
反向工作时PN结的功率损耗为PZ= UZ IZ，由PZM和UZ可以决定IZmax。
(4)最大稳定工作电流IZmax 和最小稳定工作电流IZmin最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即PZmax =UZIZmax 。
而Izmin对应UZmin。
若IZ＜IZmin则不能稳压。
α(5)稳定电压温度系数——＞7⎢UZ⎢温度的变化将使UZ改变，在稳压管中当V时，UZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。
＜4 V时，⎢UZ⎢当UZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。
＜7⎢UZ⎢当4 V＜V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。
这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。
半导体二极管的主要参数2009年03月12日星期四 17:48半导体二极管的参数包括最大整流电流I F反向击穿电压U BR最大反向工作电压U RM 反向电流I R 最高工作频率f M 和结电容C j等。
几个主要的参数介绍如下：（1）'最大整流电流I F （A V）---------二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。
注：正偏值（2）'反向击穿电压U BR和最大反向工作电压U RM注：反偏值1。
反向击穿电压U BR就是反向电压达到一定值的时候，二极管的反向电流急剧增加时对应的反向电压值；2。
最大反向工作电压U RM就是为了安全起见，二极管在实际工作时，最大反向工作电压U RM，一般只按反向击穿电压U BR的一半计算。
上面两项都是极限参数，一是正偏---电流不能超，二是反偏----电压不能超。
（3）'反向电流I R-------反向电压小于最大反向工作电压的时候，它的反向电流。
硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管的反向电流一般在微安（uA)级。
（4）'正向压降U f ------------在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。
小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6~0.8V；锗二极管约0.2~0.3V。
（5）'动态电阻r d-------反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。
显然，r d与工作电流的大小有关，即：r d=VF/IF（rd 等于电压的变化除以电流的变化）。
rD是二极管特性曲线工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比。
半导体二极管的主要参数二极管 2008-11-07 13:57 阅读182 评论0字号：大中小一.半导体二极管的分类半导体二极管按其用途可分为：普通二极管和特殊二极管。
普通二极管包括整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、快速二极管等；特殊二极管包括变容二极管、发光二极管、隧道二极管、触发二极管等。
二.半导体二极管的主要参数1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
在常温下，硅管的IR为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3. 最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4. 最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的VRM值可达几千伏。
6. 最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上，一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。
也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。
大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。
9. 最大功率P二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。
最大功率P为功率的最大值。
具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。
这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。
三.几种常用二极管的特点1．整流二极管整流二极管结构主要是平面接触型，其特点是允许通过的电流比较大，反向击穿电压比较高，但PN结电容比较大，一般广泛应用于处理频率不高的电路中。
例如整流电路、嵌位电路、保护电路等。
整流二极管在使用中主要考虑的问题是最大整流电流和最高反向工作电压应大于实际工作中的值。
2．快速二极管快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的，但由于普通二极管工作在开关状态下的反向恢复时间较长，约4～5 ms，不能适应高频开关电路的要求。
快速二极管主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等，其反向恢复时间可达10ns。
快速二极管主要包括快恢复二极管和肖特基二极管。
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
快恢复二极管在制造上采用掺金、单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。
快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。
因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中作整流元件，高频电路中的限幅、嵌位等。
肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管，其主要特点是正向导通压降小（约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图所示。