(整理)半导体二极管的主要参数.

1．反向饱和漏电流IR

指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。在常温下，硅管的IR为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。

2．额定整流电流IF

指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。

3.最大平均整流电流IO

在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。这是设计时非常重要的值。

4.最大浪涌电流IFSM

允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。

5．最大反向峰值电压VRM

即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。目前最高的VRM值可达几千伏。

6.最大直流反向电压VR

上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.

7．最高工作频率fM

由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。

8．反向恢复时间Trr

当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。

9.最大功率P

二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。最大功率P为功率的最大值。具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。

二极管的主要参数

2009年07月05日星期日 01:53 P.M.

用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数：

1、最大整流电流

是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。

2、最高反向工作电压

加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。

3、反向电流

反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

4、最高工作频率

稳压二极管主要参数

(1) 稳定电压UZ

在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。

(2) 动态电阻rZ

IZ∆UZ /∆rZ =

其概念与一般二极管的动态电阻相同，是从它的反向特性上求取的。rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。

UZ∆rZ= IZ∆/

(3)最大耗散功率

PZM＝UZ IZ

取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为PZ= UZ IZ，由PZM和UZ可以决定IZmax。

(4)最大稳定工作电流IZmax 和最小稳定工作电流IZmin

最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即PZmax =UZIZmax 。而Izmin对应UZmin。若IZ＜IZmin则不能稳压。

α(5)稳定电压温度系数——

＞7⎢UZ⎢温度的变化将使UZ改变，在稳压管中当V时，UZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。

＜4 V时，⎢UZ⎢当UZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。

＜7⎢UZ⎢当4 V＜V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。

半导体二极管的主要参数

2009年03月12日星期四 17:48

半导体二极管的参数包括最大整流电流I F反向击穿电压U BR最大反向工作电压U RM 反向电流I R 最高工作频率f M 和结电容C j等。几个主要的参数介绍如下：

（1）'最大整流电流I F （A V）---------二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。注：正偏值

（2）'反向击穿电压U BR和最大反向工作电压U RM注：反偏值

1。反向击穿电压U BR就是反向电压达到一定值的时候，二极管的反向电流急剧增加时对应的反向电压值；

2。最大反向工作电压U RM就是为了安全起见，二极管在实际工作时，最大反向工作电压U RM，一般只按反向击穿电压U BR的一半计算。

上面两项都是极限参数，一是正偏---电流不能超，二是反偏----电压不能超。

（3）'反向电流I R-------反向电压小于最大反向工作电压的时候，它的反向电流。

硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；

锗二极管的反向电流一般在微安（uA)级。

（4）'正向压降U f ------------在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6~0.8V；锗二极管约0.2~0.3V。

（5）'动态电阻r d-------反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，r d与工作电流的大小有关，即：r d=VF/IF（rd 等于电压的变化除以电流的变化）。

rD是二极管特性曲线工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比。