模拟电子课件第三章3
模拟电路讲课+说课
均加反偏。
重点讨论BJT的放大模式,以NPN型为例,讨论结果对PNP型 同样适用,只是所需电压极性相反,产生的电流方向相反。
(2)内部条件:
①发射结为不对称结:e区掺杂浓度远大于b区;
②基区宽度很小;
③集电结面积大于发射结面积(约3~5倍)。
目的: 使E区多子自由电子通过发射结注入、基区扩散(复合)和集电区 收集(通过C结漂移)三个环节将IEN 转化为ICN ,大小仅受E结电压控 制。
许猛华电信1302教学对象主导教材高等教育出版社出版康华光主编电子技术基础模拟部分辅助教材电子线路线性部分第四版高教出版社模拟电子技术基础教学章节第三章三极管及其放大电路放大电路的频率响应二教学对象电气信息类专业大学二年级学生教法教什么直观教学法模像直观三极管实物三教法学法学法学什么实践与理论相结合四教学过程课后学生学习的反馈学生的课堂反应备课
BJT是由两个PN结背对背排列组成的。
实物图像
半导体三极管的型号
3DG110B
用字母表示同一型号中的不同规格 用数字表示同种器件型号的序号
用字母表示器件的种类
用字母表示材料
第二位:A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位:X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管
ENIM
( 2) 共射极
(3共集电极
四、BJT的主要参数
(1)
(2)
(3)
电流 放大系数
极间 反向电流
极限参数
成功需要有一颗探索科学的心
THANK YOU
一、BJT内部的载流子传输过程
1. 因为发射结正偏,所以发射区 向基区注入电子 ,形成了扩散电 流IEN 。同时从基区向发射区也有 空穴的扩散运动,形成的电流为 IEP。但其数量小,可忽略。 所以 发射极电流I E ≈ I EN 。 2. 发射区的电子注入基区后,变成 了少数载流子。少部分遇到的空 穴复合掉,形成 IBN 。所以基极电 流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区 的边缘。
模拟电子技术电子书课件
• 画出放大电路的微变等效电路如图2.3.19所示。
I i
I b
I c
Rs V V s
i
Rb
I b Rc
RL VO
Ri
图2.3.19 微变等效电路 Ro
Ri
V i I i
R b // r be
AV
VO Vi
Ic
(Rc // Ib rbe
RL )
Ib (Rc Ib rbe
//
RL )
RL'
直流量 Q 电量{
交流量 性能
ui≠0:
PPT学习交流
15
2.2.2 设置静态工作点的必要性
一.静态工作点
ui=0 IB,UBE,IC,UCE 记为 IBQ,UBEQ,ICQ,UCEQ
输入特性曲线上的点(UBEQ,IBQ) 和输出特性曲线上的点
(UCEQ,ICQ),称之为静态工作点Q。
IBQ
VBBUBEQ Rb
61
方法二:
VBBRb1Rb1Rb2 VCC
PPT学习交流
≈rbe
-2 <10
≈1/rce
50
3) 简化的h参数等效模型
忽略h12e,h22e
得:
U I
be c
h 11 e I b h 21 e I b
U be I c
r be I b I b
PPT学习交流
51
4)rbe的近似表达式 U be IbrbbIerbe
rb e
UT I EQ
输入回路的直流负载线
IBQ 、UBEQ
31
图解法 静态工作点的分析
输出回路的直流负载线
输出特性曲线
输 出 回 路 方 程 : uCE=VCC- PPT学习交流
模拟电子技术基础
模拟电子技术基础1、半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2、特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3、本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4、两种载流子--带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5、杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6、杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7、 PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0、6~0、8V,锗材料约为0、2~0、3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8、 PN结的伏安特性二、半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0、6~0、7V,锗管0、2~0、3V。
*死区电压------硅管0、5V,锗管0、1V。
3、分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法3、稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电路第三章 多级放大电路
1. 双端输入单端输出:共模信号作用下的分析
Ad
1(Rc∥RL)
2 Rbrbe
AcRbrb(R ec2 ∥ (1R L))Re
KCMRA Ad c Rb2 rb(R eb2(1rbe))Re
整理ppt
2. 单端输入双端输出
共模输入电压 差模输入电压 输入差模信号的同时总是伴随着共模信号输入:
3.3.2 差分放大电路
一、电路的组成
零点 漂移
参数理想对称: Rb1= Rb2,Rc1= Rc2, Re1= Re2;T1、T2在任何温度下特性均相同。 uI1与uI2所加信号大小相等、极性相同——共模信号
整理ppt
二、长尾式差分放大电路
典型电路
信号特点? uI1与uI2所加信号大小相等、极性相反——差模信号
在实际应用时,信号源需要有“ 接地”点,以避免干扰; 或负载需要有“ 接地”点,以安全工作。
根据信号源和负载的接地情况,差分放大电路有四种接法: 双端输入双端输出、双端输入单端输出、单端输入双端输出、 单端输入单端输出。
整理ppt
三、差分放大电路的四种接法 1. 双端输入单端输出:Q点分析
由于输入回路没有变化,所以
共模放大倍数 Ac
uO c uIc
参数理想对称A时 c 0
Re的共模负反馈作用:温度变化所引起的变化等效为共模信号
如 T(℃)↑→IC1↑ IC2 ↑→UE↑→ IB1 ↓IB2 ↓→ IC1 ↓ IC2 ↓
Re负反馈作用抑制了每只差分管集电极电流、电位的变化。
整理ppt
3. 放大差模信号 差模信号:数值相等,极性相反的输入信号,即
uI1uI2uId/2
i B 1 i B2 i C 1 i C2 u C 1 u C2 u O 2 u C1
模拟电子技术第三章
2. 输入电阻 3. 输出电阻
Ri = Ri1
Ro = Ron
对电压放大电路的要求: 对电压放大电路的要求:Ri大, Ro小,Au的数值 最大不失真输出电压大。 大,最大不失真输出电压大。
第三章 多级放大电路
分析举例
= β ( R3 ∥ Ri2 ) Au1 rbe1 (1+β 2 ) ( R6 ∥ RL ) Au 2 = rbe2 + (1+β 2 ) ( R6 ∥ RL ) A = A A
第三章 多级放大电路
3.1 多级放大电路的耦合方式
将多个单级基本放大电路合理联接, 将多个单级基本放大电路合理联接,构成多级放大电路
组成多级放大电路的每一个基本电路称为一级 一级, 组成多级放大电路的每一个基本电路称为一级, 级间耦合。 级与级之间的连接称为级间耦合 级与级之间的连接称为级间耦合。 四种常见的耦合方式:
R1 R + uI
iC1 T1 Re
Rc
+VCC + uO
uB1 T2 R2
利用热敏三极管补偿零漂
(3) 采用差分放大电路。 ) 采用差分放大电路。
第三章 多级放大电路
3.3.2
差分放大电路
差分放大电路是构成多级直接耦合放大电路的基本单元电路 一、电路的组成
uO T
Re Re
T
V
差分放大电路的组成(a) 图 3.3.2差分放大电路的组成 差分放大电路的组成
选择恰当的变比,可在负载上得到尽可能大的输出功率。 选择恰当的变比,可在负载上得到尽可能大的输出功率。
第三章 多级放大电路
四
光电耦合
光电耦合是以光信号为媒介来实现电信号的耦合和 传递的,因而其抗干扰能力强而得到越来越广泛的应用。 传递的,因而其抗干扰能力强而得到越来越广泛的应用。
【同步课堂】北师大版高中数学必修三第三章3.3模拟方法---概率的应用教学课件(共27张PPT)
解 记“灯与两端距离都大于3m”为事件A,
由于绳长8m, 当挂灯位置介于中间2m时, 事件A发生, 于是
事件A发生的概率
P( A)
2 8
1 .
4
3m
3m
8m
答:灯与两端距离都大于3m的概率是0.25.
点评:采用模拟方法的思想,利用线段的长度比例得到所求 概率。将概率问题转化为几何问题来计算是几何概型的精华之 所在。
横、纵两轴产生公共区域,结合面积得到问题的结论,我们称
此类问题为“约会型”概率问题。 晚报时间(y)
y=x
“约会型”概率问题的求解关键
在于合理、恰当地引入变量, 6:30
再将具体问题“数学化”,通过 6:00
5:30
数学模型,得出结论。
深入分析本题会发现
o
6:00 6:30 7:00 晚餐时间(x)
对于第二个转盘,编号为2的部分的面积与编号为1的部分 的面积之比为165:15=11:1.可以在随机数表中考虑相邻的两个数 字,这样产生的随机数为00,01,02,... ,99.在产生的两位随机数 中去掉12,13,14,... ,99,用00代表转动转盘指针指向转盘的编号为 1的部分,用01,02,... ,11这11个数代表转动转盘指针指向转盘的编 号为2的部分.在随机数表中随机选择一个开始点,顺次往后, 每次产生一个两位随机数就完成一次模拟。
刚才的引例是利用模拟方法求图形的面积,下面我们利用模 拟方法的思想来研究有关概率的求法。
一、几何概型及计算公式
向平面上有限区域(集合)G内随机地投掷点M, 若点M落在
子 关区, 即域PG(1点MG落的在概G率1 )与GGG11的的的面面面积积积成,则正称比这, 而种与模G型的为形几状何、概位型置. 无
模电课件:第三章三极管
动态:输入信号不为零时,放大电路的工作
状态,也称交流工作状态。
电路处于静态时,三极管个电极的电压、电
流在特性曲线上确定为一点,称为静态工作点,
常称为Q点。一般用IB、 IC、和VCE (或IBQ、ICQ、 和VCEQ )表示。
# 放大电路为什么要建立正确的静态?
3.2 共 射极放 大电路
5. 直流通路和交流通路 (思考题)
Rc CCbb22
TTT Cb2
VVCCCC
Rb
VBB
(d) ((bf))
3.3 图解分析法
3.3.1 静态工作情况分析
用近似估算法求静态工作点 用图解分析法确定静态工作点
3.3.2 动态工作情况分析
交流通路及交流负载线 输入交流信号时的图解分析 BJT的三个工作区 输出功率和功率三角形
BJT的三种组态
共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示; 共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示。 共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示;
4. 共射放大
若 vI = 20mV 使 iB = 20 uA 设 = 0.98
则 iC iB
1 iB
1. 输入特性曲线
(以共射极放大电路为例)
iB=f(vBE) vCE=const
(1) 当vCE=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCE≥1V时, vCB= vCE - vBE>0,集电结已进入反偏状态,开始收
集电子,基区复合减少,同样的vBE下 IB减小,特性曲线右移。
vCE = 0V vCE 1V
得到
且
IE= (1+ ) IB
IC
IB
新北师大高中数学必修3第三章 §3 模拟方法——概率的应用
率为
()
1
1
A.2
B.3
1
1
C.4
D.6
解析:选D P=1158- -1142=16.
2.在500 mL的水中有一个草履虫,现从中随机取出2 mL水样
放到显微镜下观察,则发现草履虫的概率为 ( )
A.0
B.0.002
C.0.004
D.1
解析:选C 由几何概型公式得P=5200=0.004.
3.如图所示,一半径为2的扇形(其中扇形圆心角为 90°),在其内部随机地撒一粒黄豆,则它落在 阴影部分的概率为________. 解析:S扇形=14×π×22=π, S阴影=S扇形-S△OAB=π-12×2×2=π-2, ∴P=π-π 2=1-π2. 答案:1-π2
(2)设MP=x,则NP=16-x,由S=x(16-x)>60⇒x2-16x +60<0,(x-6)(x-10)<0⇒6<x<10,所以P=146=14.
[答案] (1)B (2)A
[类题通法]
如果试验的结果所构成的区域的几何度量能转化为实际意 义上的线段长度,这种概率称为长度型的几何概型.可按下列 公式来计算其概率:
[答案] (1)C (2)1π6
[类题通法] 在研究射击、射箭、投中、射门等实际问题时,常借 助于区域的面积来计算概率的值.此时,只需分清各自区 域特征,分别计算其面积,以公式P(A)= 试验的构全成部事结件果A的构区成域的面区积域面积计算事件的概率即可.
[针对训练]
1.在一球内有一棱长为 1 的内接正方体,一点在球内运动,
半球的体积V半球=12×43π×13=23π.则点P到点O的距离小于1或等于1
2 的概率为:32ππ=13,故点P到点O的距离大于1的概率为:1-13=23.
模拟电子技术基础及实验 第3章 多级放大
达林顿管
复合管,有些管子在基极上串连了一个电阻,在等效BE结上并 有两个电阻和一个阻尼二极管,以使达林顿管具有更好的应用 特性,达林顿管体积缩小、增益高、功率大、寿命长,在电路 中得到较为广泛的应用
型号:TIP122 (NPN型)、TIP127( PNP), 典型参数:集电极耗散功率为65W, VCEO为100V,VCBO为100V,VEBO为5V, 集电极最大允许电流为5A, 直流电流增益为1000左右。 用途:功率放大,高速开关, 电机、LED点阵驱动,逆变电源等。
1. 差动放大电路一般有两个输入端: 双端输入——从两输入端同时加信号。 单端输入——仅从一个输入端对地加信号。
T2
+
+
Rc2 4 .3 k uo
+
2020/5/17
+
ib1 b1
c1
ic1 ib2
ic2
b2 c2
+
+
u
rbe1
i
-
Rb1 Rb2
e1
+
Ri
βib1 Rc1 rbe2
e2
+
βib2
Rc2
u o
-
+
Ro
电压增益:
A u 1= (R c r b /1R e /i1 2 ) 1 0 (5 3 .1 0 /2 /.7 ) 5.3 ,8式 R i2 中 r be2
Re2
+ VCC
+u o T2
- VEE
uV的漂移电压
等效 100 uV
漂移
4、减小零漂的措施: 第一级是关键
1V
用非线性元件进行温度补偿
模拟电子技术第三章 场效应三极管
d g s
源 极
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栅 极
N沟道结型场效应管的结构和符号
3
s
2. 工作原理
⑴ 当uDS = 0 时, uGS 对耗尽层和导电沟道的影响。
ID=0 ID=0
d
P+
d
N 型 沟 道
P+ P+
d
P+ P+ P+
g
g
N 型 沟 道
g
s uGS = 0
s uGS < 0
4
预夹断轨迹
恒流区
IDO O
UGS(th) 2UGS(th) uGS/V
O
截止区
uDS/V
转移特性曲线可近似用以下公式表示:
iD I DO ( uGS U GS(th) )
2
当uGS ≥ UGS(th)时
12
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首页
2. N沟道耗尽型MOS场效应管 预先在二氧化硅中掺入大 量的正离子,
使uGS = 0 时,
形成一个N型导电沟道。
又称之为反型层 开启电压,用uGS(th)表示
导电沟道随uGS 增大而增宽。
10
B uGS > UGS(th)时 形成导电沟道
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uDS对导电沟道的影响
uGS为某一个大于UGS(th)的固定值, 在漏极和源极之间加正电压,且 s uDS < uGS - UGS(th) 即uGD = uGS - uDS > UGS(th) 则有电流iD 产生,
在制造时就具有 原始导电沟道
31
3. 场效应管的主要参数
(1) 开启电压 UGS(th):是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off): 是结型和耗尽型 (3) 饱和漏电流 IDSS: MOS管的参数
模电第三章之 放大电路的频率响应
C1 + +
+
+
3.3.1 混合 型等效电路
一、混合 型等效电路cBiblioteka brbcrbb
+
b
Ib U be rb b
b
C bc
Ic c
+
gmU be
b
rbe
U be
rbe
C be
e
U ce
(a)三极管结构示意图
e
(b)等效电路
特点:(1)体现了三极管的电容效应 . .
10 f
f
图 3.2.1 的波特图
3.2.1 共射截止频率 f
值下降到 0.707 (即 1 0 )时的频率。 0 2
当 f = f 时,
1 0 0.707 0 2
20 lg 20 lg 0 - 20 lg 2 20 lg 0 - 3(dB )
对数幅频特性:
20 lg Au / dB
实际幅频特性曲线:
0.1 fL fL 10 fL f
0 3dB -20
高通特性:
-20dB/十倍频
-40
当 f ≥ fL(高频),
幅频特性
Au 1
图 3.1.4(a)
当 f < fL (低频), Au 1
且频率愈低,Au 的值愈小,
最大误差为 3 dB, 发生在 f = fL处
2
-20 lg 1 f L 20 lg Au f
2
则有:
当 f f L 时, Au 0 dB 20lg
f f 当 f f L 时, lg Au -20 lg L 20 lg 20 f fL
模电课件第三章场效应管及其基本电路
iD
I
D
0
(1
uGS U GSoff
)2
ID0表示uGS=0时所对应的漏极电流。
式中:
ID0
unCox 2
W L
(U
2 GSoff
)
2024年9月17日星期二
模拟电子线路
37
iD
ID0
UGSoff
0
uGS
(a) 图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号 (a)转移特性;(b)输出特性;(c)表示符号
2024年9月17日星期二
模拟电子线路
13
3―1―2 结型场效应管的特性曲线
一、转移特性曲线
uGS≤0, iD≥0
iD f (uGS ) uDS C
恒流区中:
iD
IDSS (1
uGS UGSoff
)2
式中: IDSS——饱和电流,表示uGS=0时的iD值;
UGSoff——夹断电压,表示uGS=UGSoff时iD为
2024年9月17日星期二
模拟电子线路
9
D
P
P
UGS
横向电场作用: ︱UGS︱↑→ PN结耗尽层宽度↑ →沟道宽度↓
S
(b) UGS负压增大, 沟道变窄 图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图
2024年9月17日星期二
模拟电子线路
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D
P
P
UGSoff——夹断电压
UGS
S
(c) UGS负压进一步增大, 沟道夹断 图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图
(2) uGS固定, uDS增大, iD增大极小。
2024年9月17日星期二
模拟电子线路
21
3第三章负反馈.ppt [兼容模式]
(3-19)
电压反馈与电流反馈判别方法: 电压反馈一般从后级放大器的集电极采样。 电流反馈一般从后级放大器的发射极采样。 注意:直流反馈中,输出电压指UCE,输 出电流指IE或IC。 并联反馈与串联反馈判别方法: 并联反馈的反馈信号接于晶体管基极。 串联反馈的反馈信号接于晶体管发射极。
(3-20)
uo uo
if
ib=i+if
此电路是电压并联负反馈,对直流也起作用。
(3-25)
RC if C1 i ib Rf C2
+UCC
Rf 的作用: 1. 提供静态工作点。 2. 直流负反馈,稳定 静态工作点。 uo 3. 交流负反馈,稳定 放大倍数。
ui
问题:三极管的静态工作点如何提供?能否在 反馈回路加隔直电容? 不能!Rf为三极管提供静态电流!
(3-26)
例3:判断Rf是否负反馈,若是,判断反馈的组态。
+UCC
并联反馈
RC1
RC2
i
iB
uC1 uB2 iE2
Rf RE2
电流反馈
ui
uo
iF
RE1
uF
iE2 iE2
uF iB2
iF
iB
uB2 uC1
(3-27)
例4:判断Rf是否负反馈,若是,判断反馈的组态。
+UCC RC1 RC2
i
iB
ue ib
ube=ui-ue
ie
RE1:电流串联负反馈。
(3-29)
2. 对直流信号:
RB 2 UB = U CC RB1 + RB 2 恒定
+UCC RB1 C1 UB UBE UE IE RE1 RE2 CE RC C2 RE1、RE2对 直流均起作 用,通过反 馈稳定静态 工作点。
03模拟电子技术第三章_双极结型晶体管
14
3 厄利电压
VCE VCE VBE / Vt I C I C 0 I C I C 0 1 V ISe 1 V A A
2010年10月12日星期二
15
I C 0 I C VCE VA
ICBO:发射结开 路时的集电极 反向电流.
定义到达集电极的那部分IE与IE之比, 叫共基极直流电流增益,以 表示。
2010年10月12日星期二
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共发射极组态
I C I C I B I CBO
或 式中
I C I B 1 I CBO
1
I CEO 1 I CBO
2010年10月12日星期二
26mV 得 rb 'e (1 ) I E (mA)
34
2、晶体管的高频特性 β或hfe是在输出短路时定义的。 将π型等效电路输出短路,即
I c I b
0 V ce
g m vb 'e jC vb 'e ib
图 的等效电路
vb ' e
2010年10月12日星期二
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另外还有 支流 ICBO: 发射极开路的集 电极反向电流。
穿透电流ICEO: 基极开路的集电 极电流。
7
2010年10月12日星期二
三、组态 共基极组态
I C I E I CBO I B 1 - I E I CBO
I E IC I B
rb ' e 1 ib ib rb ' e j Cb ' e C 1 j Cb ' e C rb ' e
模拟电子技术基础简明教程(第三版)第三章
0.707A 0.707Aum BW fH
f
A = Au ( f )∠( f ) u
A (f) u
f
幅频特性 相频特性
( f )
二, 下限频率,上限频率和通频带
|Au |
Aum :称为中频电压放大倍数 fL :称为下限频率
第三章 放大电路的频率响应
第一节 频率响应的一般概念
幅频特性和相频特性 下限频率, 下限频率,上限频率和通频带 频率失真 波特图 高通电路和低通电路
1
下页 总目录
一, 幅频特性和相频特性
由于电抗性元件的作用, 由于电抗性元件的作用, 使正弦波信号通过放大电路时, 使正弦波信号通过放大电路时, 不仅信号的幅度得到放大, 不仅信号的幅度得到放大, 而且还将产生一个相位移. 而且还将产生一个相位移. 此时,电压放大倍数可表示如下: 此时,电压放大倍数可表示如下:
A = u
1 1 = 1+ jωτH 1+ j f
fH
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= 20lg 1+ ( f f )2 20lg Au H
= arctg( f fH )
20lg|A 20lg|Au |/dB
最大误差 3 dB φ 0.1fH 0.1f fH 10fH 10f f 0 -450 20dB/十倍频 20dB/十倍频
EQ
β
β
IEQ
Cbc可查到
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应用密勒定理将电路简化 将Cbc分别等效到输入回路和输出回路. 分别等效到输入回路和输出回路.
b + Ube e 简化的混合П型等效电路 rb e C gmUbe rb b U b e b c + K-1 C b c K Uce -
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阳极电位高于阴极电位,D接入时正向导通。 导通后,D的压降等于零,即A点的电位就是D阳极的电位。
所以, VAO=-6V。
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⑸小信号工作情况分析
直流通路、交流通路、静态、动态等 概念,在放大电路的分析中非常重要。
例5 图示电路中,VDD = 5V,R = 5k,恒压降模型,vs = 0.1sint V。(1) 求输出电压vO的交流量和总量;(2)绘出vO的波形。
(a)符号
(b)电路模型
(c)特性曲线
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2. 发光二极管
发光二极管是一种光发射器件,英文缩写是LED。 此类管子通常由镓(Ga)、砷(As)、磷(P)等元素 的化合物制成,管子正向导通,当导通电流足够大时, 能把电能直接转换为光能,发出光来。目前发光二极管 的颜色有红、黄、橙、绿、白和蓝6种,所发光的颜色主 要取决于制作管子的材料,例如用砷化镓发出红光,而 用磷化镓则发出绿光。其中白色发光二极管是新型产品, 主要应用在手机背光灯、液晶显示器背光灯、照明等领 域。
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3.5 特殊二极管
一、齐纳二极管(稳压二极管) 二、变容二极管 三、肖特基二极管 四、光电子器件
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一、齐纳二极管
1.符号及稳压特性
齐纳二极管又称稳压二极管,它是利用二极管反向击穿特性实现稳 压。稳压时工作在反向电击穿状态。
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2. 稳压二极管主要参数 (1) 稳定电压VZ
在规定的稳压管反向工作 电流IZ下,所对应的反向工作 电压。 (2) 动态电阻rZ rZ =VZ /IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin
VD Vth I D rD 0.69 V
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Vth 0.5 V(硅二极管典型值)
⑵静态工作情况分析
2.当VDD=1V 时, 理想模型
VD 0 V I V / R 0.1 mA
D DD
恒压模型
(a)简单二极管电路 (b)习惯画法
VD 0.7 V
I (V V ) / R 0.03 mA
得Q点处的微变电导
diD gd dvD iD VT
Q
I S vD /VT e VT
I D VT
Q
(a)V-I特性
(b)电路模型
Q
1 VT 则 rd gd I D
常温下(T=300K)
VT 26(mV ) rd I D I D (mA )
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⑷小信号模型
(a)V-I特性
(b)电路模型
特别注意:
⑴小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 ⑵该模型用于二极管处于正向偏置条件下,且vD>>VT 。
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2.模型分析法应用举例 ⑴整流电路
(a)电路图
(b)vs和vO的波形
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vi
vi
R
vR
RL
vR
t
t
vo
vo
t
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⑵静态工作情况分析
例2 设硅二极管基本电路如图所示,已 知R=10kΩ,分别求出VDD=10V和 VDD=1V电路的ID和VD的值。 解:1. 当VDD=10V 时, 理想模型
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3. 稳压电路
⑴当电源电压波动(负载不变) VI ↑→VO↑→VZ↑→ IZ↑↑
不加R可以吗?
正常稳压时,VO =VZ
VO↓←VR ↑ ← IR ↑
↓
⑵当电源电压波动(负载不变) 留作自学
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例6 稳压二极管的应用
已知VZ=3V
DZ
解: vo1和vo2的波形如图所示 vO1
vi
R
(a) R DZ (b) vO2
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3. 激光二极管
激光二极管是在发光二极管的PN结间安置一层具有光 活性的半导体,构成一个光谐振腔。工作时接正向电压, 可发射出激光。 激光二极管 的应用非常广泛, 在计算机的光盘 驱动器,激光打 印机中的打印头, 激光唱机,激光 影碟机中都有激 光二极管。 (a)物理结构 (b)符号
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3.4 二极管的基本电路及其分析方法
一、简单二极管电路的图解分析方法 二、二极管电路的简化模型分析方法
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一、简单二极管电路的图解分析方法
二极管是一种非线性器件,因而其电路一般要 采用非线性电路的分析方法,相对来说比较复杂,而
图解分析法则较简单,但前提条件是已知二极管的V
-I 特性曲线。
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例1 电路如图所示,已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电 阻R,求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。
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2. 发光二极管
符号 光电传输系统
工作条件:正向偏置 一般工作电流几十 毫安,导通电压 (1 2) V
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发光类型:
可见光:红、黄、绿
不可见光:红外光 点阵 LED
显示类型: 普通 LED , 七段 LED ,
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发光二极管工作时导通电压比普通二极管大,其工 作电压随材料的不同而不同,一般为1.7V~2.4V。普通 绿、黄、红、橙色发光二极管工作电压约为2V;白色发 光二极管的工作电压通常高于2.4V;蓝色发光二极管的 工作电压一般高于3.3V。发光二极管的工作电流一般在 2mA~25mA的范围。 发光二极管应用非常广泛,常用作各种电子设备如 仪器仪表、计算机、电视机等的电源指示灯和信号指示 等,还可以做成七段数码显示器等。发光二极管的另一 个重要用途是将电信号转为光信号。
+
D V1=6V S V2=12V _ R VO
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⑶限幅电路
电路如图,R = 1kΩ,VREF = 3V,二极管为硅二极管。分别用理想模型 和恒压降模型求解,当vI = 6sint V时,绘出相应的输出电压vO的波形。
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⑷开关电路 例4 电路如图所示,求VAO。
解:先断开D,设O点为参考点,
1 1 iD vD (VDD vs ) R R
交流负载线
直流负载线
vs =0 时, Q点称为静态工作点 ,反映直流时的工作状态。 vs =Vmsint 时(Vm<<VDD), 将Q点附近小范围内的V-I 特性线 性化,得到小信号模型,即以Q点为切点的一条直线。
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⑷小信号模型 过Q点切线可等效成一个微变电阻。 v D 即 rd i D 根据 iD I S (evD /VT 1)
(a)简单二极管电路 (b)习惯画法
VD 0 V I D VDD / R 1 mA
恒压模型
VD 0.7 V(硅二极管典型值) I D (VDD VD ) / R 0.93 mA
折线模型
VDD Vth ID 0.931mA R rD
其中 r 0.2 k D
(5)稳定电压温度系数——VZ
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3.应用稳压管应注意的问题
⑴稳压管稳压时,一定要外加反向电压,保证管子 工 作在反向击穿区。当外加的反向电压值大于或等于VZ 时,才能起到稳压作用;若外加的电压值小于VZ,稳压 二极管相当于普通的二极管使用。
⑵在稳压管稳压电路中,一定要配合限流电阻的使 用,保证稳压管中流过的电流在规定的范围之内。
vi
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二、变容二极管
变容二极管是利用PN结的电容效应进行工作的, 它工作在反向偏置状态,当外加的反偏电压变化时,其电 容量也随着改变。
(a)符号 (b)结电容与电压的关系(纵坐标为对数刻度)
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三、肖特基二极管
(a)符号
(b)正向V-I特性
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四、光电子器件
1. 光电二极管 光电二极管又称为光敏二极管,它是一种光接受 器件,其PN结工作在反偏状态,可以将光能转换为电 能,实现光电转换。
D DD D
折线模型
V V I r 0.51 V
D th D D
V V I 0.049 mA Rr
DD th D D
注:⑴当VDD>>VD时,理想模型结果较理想。 ⑵当VDD较小时,折线模型结果较理想。
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例3 电路如图所示,VD=0.7V,试分别估算开关断开和闭 合时的输出电压VO 。
VDD vD 解:由电路的KVL方程,可得 iD R 1 1 1 即 iD vD VDD 斜率为 ,该直线称为负载线。 R R R Q的坐标值(VD,ID)即为所求。Q点称为电路的工作点。
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二、二极管电路的简化模型分析方法
1.二极管V-I 特性的建模
将指数模型 iD I S (evD VT 1) 分段线性化,得到二极
管特性的等效模型。 ⑴理想模型
(a)V-I特性 (b)代表符号 (c)正向偏置时的电路模型 (d)反向偏置时的电路模型
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⑵恒压降模型 管压降
Hale Waihona Puke ⑶折线模型Vth=0.5V
为0.7V
v V i r
D D D
th
r 200
D
(a)V-I特性 (b)电路模型
(a)V-I特性 (b)电路模型
5
⑷小信号模型