第八章 晶体结构及变化
原理第8章贝氏体转变
实验结论与讨论
实验结论
通过对比实验结果和理论分析,得出 贝氏体转变的规律和特点,以及其对 材料性能的影响。
实验讨论
探讨实验中存在的误差和不足之处, 提出改进措施和建议,为进一步研究 贝氏体转变提供参考和借鉴。
05 贝氏体转变的应用前景
新材料开发
高强度材料
利用贝氏体转变过程中材料的强化机制,开发高强度、高韧性、 高耐磨性的新材料。
贝氏体呈现薄膜状或针状形态。
温度对贝氏体性能的影响
03
随着温度的升高,贝氏体的强度和韧性有所下降,但塑性和韧
性有所提高。
应力的影响
01
应力诱导贝氏体转变
在应力作用下,材料内部的位错密度增加,促进了贝氏体转变的进行。
02
应力对贝氏体组织形态的影响
在应力作用下,贝氏体的形态变得更加细小、均匀,有利于提高材料的
贝氏体转变(第八章)
目录
• 贝氏体转变概述 • 贝氏体转变的机理 • 贝氏体转变的影响因素 • 贝氏体转变的实验研究 • 贝氏体转变的应用前景 • 总结与展望
01 贝氏体转变概述
贝氏体的定义
贝氏体是钢在奥氏体化后,在特定的 温度范围内(通常是低于马氏体转变 温度)进行等温或连续冷却转变时形 成的一种相变产物。
合金元素对贝氏体性能的影响
合金元素可以通过改变贝氏体的微观结构和相组成来影响其性能,如提高强度、韧性和耐 腐蚀性等。
04 贝氏体转变的实验研究
实验方法与设备
实验材料
选择具有代表性的钢铁材料作为 实验材料,如碳钢、合金钢等。
实验设备
包括加热炉、显微镜、硬度计、热 分析仪等。
实验方法
采用不同的加热和冷却速率对实验 材料进行加热和冷却处理,观察并 记录贝氏体转变过程中的组织变化 和性能变化。
《结晶学》第8章结晶化学
D
C
C D
B
A
A
B
可以求得
r r
0.732
结论 r 为 0.414 —— 0.732,6 配位 NaCl 式晶体结构。
r
当 r + 继续增加,达到并超过
r
围可容纳更多阴离子时,为 8 配位。r
0.732 Biblioteka ,即阳离子周离子半径比与配位数、晶体类型的关系
若 r + 变小,当
r r
0.414 , 则出现
2、离子化合物晶体(阳离子配位数)
离子晶体中,存在半径不同的阴阳离子。半径较大的阴离子 作最紧密堆积,而阳离子填充其空隙。实际晶体中,阳离子必 须与阴离子相接触晶体才稳定。
+-+ -+- +-+
+-+ -+- +-+
+
+
+
+
+
a 稳定
b介稳状态
c 不稳定
故阳离子是否能稳定填充该空隙,取决于两者的半径比值。 或者说,阳离子的配位数取决于阴阳离子的半径比值。
离子半径比与配位数的关系
从六配位的介稳状态出发, 探讨半径比与配位数之间的关系。
+
A
+
B
D
+
C
+
A
B
D
C
离子半径比与配位数关系
+
A+
+-+
D
C
-+-
+
B
+
+-+
如果r+ 再大些, 则阴离子同号相离, 异号相切的稳定状态.
第八章 多晶法测定聚合物晶体结构
第八章 多晶法测定聚合物晶体结构§8.1 聚合物晶体衍射特点1957年Keller 等人发现许多聚合物可从溶液中生长出高聚物单晶体(0.1微米~数微米).直到今天, 由合成聚合物获取单晶体仍在这个数量级范围. 但这个尺寸及其形态, 结构, 只能用电子显微镜和电子衍射法研究, 不适于X 射线衍射用. 聚合物晶体X —射线衍射, 至少有下列几个特点:(1) 至今尚未能培养出0.1mm 以上聚合物单晶(蛋白质高分子情况例外), 一般采用多晶或单轴、双轴取向聚合物材料.(2) 衍射角)2(θ增加, 衍射斑点增宽, 强度下降. 聚合物晶体共存有晶区及非晶区, 微晶尺寸(Crystallite size)一般(<30nm). (3) 取向后衍射点(环)成为分立的弧.(4) 独立反射点少(十~几十个), 无低分子解晶体结构的成熟方法可循. 一般只能使用尝试法 (trial and error method).§8.2 聚合物晶体结构分析方法目前获得有关聚合物链堆砌,链排列, 分子间相互作用本质, 以及晶体结构测定等, 都是使用聚合物多晶材料(纤维, 薄板等), 基本是使用尝试法, 测定步骤如图8.1所示. 对于低分子单晶体的结构测定, 由于重原子法, 直接法, 以及其它统计方法的应用, 这种尝试法已大有不必要趋势. 图8.1中箭头向上、下数目,暗示了过程的复杂情况.结晶聚合物样品↓X-射线衍射图↓I(obs)实验衍射强度↑↑↑I(calc)|计算强度↑↑↑ 晶体结构模型 ↑↑↑ 分子结构模型图 8.1 聚合物晶体结构分析步骤.目前, 聚合物晶体结构分析基本理论及实验方法, 虽不能遵循使用低分子单晶体结构分析成熟理论及方法, 但大有可借鉴之处, 从下面简介, 便可见一斑.X 射线单晶体结构分析的理论是以晶体的衍射结构因子hkl F 和晶体电子云密度分布的如下函数关系为基础的)(2exp )()(clz bky ahx i f z y x F j j j j nj j j j hkl ++∑==πφρ (8.1))](2exp[1)()()(1clz b ky a hx i F V F xyz j j j hkl l k h hkl ++-⋅∑∑∑==∞+-∞=∞+-∞=∞+-∞=-πφρ (8.2) 这里 n 为晶胞中原子数目;hkl F 代表衍射指标为hkl 的结构因子;)(xyz ρ代表衍射晶体电子云密度;j j j z y x ,,代表第j 个原子在晶胞中的坐标;φ及1-φ,分别代表傅里叶的正和逆变换. 从上式可知,结构因子是由晶体结构决定的. 即 由晶胞中原子的种类和原子的位置决定. 原子的种类由原子散射因子j f 表示; 衍射hkl 的衍射强度)(hkl I 正比于)(hkl F 和它的共轭复数*)(hkl F 的乘积 *)()()(hkl hkl hkl F F K I ⋅⋅= 式中K 为常数,它和所用晶体及具体实验条件有关.由于从实验求得的衍射强度中一般只能引出结构振幅数据,位相角数据一般不易直接从强度数据中获得,这就是结构测定工作的主要困难. 详细过程,可参照有关专著. 在实际工作中,尤其是对测定单晶体结构以外的内容而言, 在大多数情况下, 只测定X 射线衍射强度即可. 衍射强度的测定方法, 分成照相法和计数器两种. 照相法有利于了解衍射图的全貌, 计数器有利于定量测定衍射强度.聚合物晶体结构测定工作一般分为三个步骤: (1)单胞常数及空间群的确定;(2)单胞内原子或分子数的确定;(3)单胞内原子坐标的确定. 这些步骤与测定低分子情况无本质差别. 但在(2)中所谓分子数, 对高聚物而言, 就是化学结构或晶体结构重复单元数(见表1.1).§8.2.1 圆筒底片法先考虑采用由纤维照片确定单胞的方法, 根据纤维照片层线间距, 可确定沿纤维轴方向的纤维周期 I —沿分子链方向的结晶主轴长,习惯上称为等同周期(I d e n t i c a l Period). 由下图8.2及式(8.3)可以计算I 值.图8.2(a)回旋晶体法和等同周期的测定 图8.2(b)回旋晶体法和等同周期的测定λφm I m =sin , 3,2,1,0=m R S tg m m /1-=φ (8.3)m φ—m 层线的仰角, m S —底片中从赤道线至m 层线距离, R —圆筒照相机半径.其余5个常数可用尝试法决定. 从照片各衍射点的位置可求得θ角(布拉格角), θsin 2或hkl d 值可由布拉格公式算得, 由这些数值可以确定单胞的大小和形状, 例如正交晶系(由表4.2知:︒=γ=β=α≠≠90,c b a ) 2222212)cl()b k ()a h ()d ()sin (hkl ++==λθ(8.4) 由式(8.4)求出所有满足实验测得的d 值的米勒指数的晶胞常数. 若c 为纤维轴, c 或I 为已知. 得到各衍射点的米勒指数的时候,某种米勒指数表现出系统不出现, 这种现象称为消光规律,是由晶胞内原子排列对称性所引起. 由晶体对称性及消光规律可确定空间群. 消光规律与空间群的对应关系, 可查阅"T.Hahn Edited,International Tables for X —ray Crystallography Vol. A 1983".§8.2.2 单胞内化学结构重复单元的确定单胞内化学结构单元数目Z 和密度c ρ的关系如下:VN MZA c =ρ, M N V Z A c ⋅⋅=ρ (8.5)M —化学结构重复单元分子量A N —Avogadro 常数, 6.023×1023/克分子 V —单胞体积c ρ—完全结晶聚合物密度(由晶胞参数计算得到)但由于完全结晶高聚物c ρ, 往往比由实验测得的密度ρ值大, 故由实验求得的c ρ(实际是ρ)代入(8.5)式后, 所求得的Z 值, 往往略为偏低.§8.2.3 单胞内原子位置的确定为了确定单胞内原子位置, 衍射强度数据的收集是非常必要的. 衍射强度)(hkl I 是由)(hkl F 所决定. 或者说是正比于2)(||hkl F 值. 由(8.1)式可知)(hkl F 值为:)(2exp )(cz lby kax hi f F j j j j jhkl ++∑=π而 *)hkl ()hkl (2)hkl ()hkl (F F K |F |I ⋅⋅=∝j f 系单胞内第j 个原子的散射因子(或称原子结构因子). 它与原子内电子数目分布及散射角有关. 因此原子越重, f 就越大. 所谓原子坐标, 即电子云的重心位置. 电子云密度分布)(xyz ρ, 用傅里叶级数表示为)](2exp[1)()(czl b y k a x h i F V xyz hkl ++-∑∑∑=+∞∞-πρ)]()(2cos[||1)(hkl clzb ky a hx F V hkl απ-++∑∑∑=+∞∞- (8.6) V —单胞体积)(hkl α—位相角前面已经谈过衍射强度的测定有照相法和计数器法. 前者系根据底片上衍射点黑度求得. 由式(8.6)可知, 如果)(hkl 值已知, 电子云密度分布即原子坐标可以求得. 实验强度经若干修正后的平方根值, 则等于||)(hkl F 值. 由此可见, 从实验求得的仅仅是)(hkl F 的绝对值, 而相位角的问题还不能得知. 故从实验测得的强度不能直接求得)(xyz ρ. 解决相角的方法可用重原子法或直接法等多种方法, 可以先解决部分(例如10%)强度较大的衍射的相角, 通过电子云密度函数的计算, 求出其他衍射的相角. 由式(8.1)可知, F(hkl)与原子坐标有关. 假定求得的原子坐标值合理, 则由此计算出的|)(|hkl F cal , 应与实验值|)(|hkl F obs 相一致. 尝试法所求得的结构正确与否, 可用偏离因子(R 因子)作大致判别的标准 %100|)(||)(||)(|%⨯∑-∑=hkl F hkl F hkl F R obs cal obs (8.7)这是结构分析的最后精度, 对复杂的低分子化合物, R 为10%左右;简单组成的化合物, 为4~6%;高聚物为15%左右. 一般即可认为求得的结构是正确的. 表8.1列出了R 因子的例子.若实测值)(hkl F obs 与计算值)(hkl F cal 完全符合时, 则计算出的位相角)(hkl α,可看作是正确的位相角.得知位相角后, 由式(8.6)可计算出电子云密度, 从而原子坐标亦可求得. 再根据化学知识, 晶体对称性及一切可利用的线索, 可以假设出初步的试探模型.表8.1 几个偏离因子(R 因子)例子图8.3是用圆筒照相机摄取的取向聚乙烯试样的纤维图. 可以看到上下为第一层线衍射. 根据这个层线和赤道线之间的距离, 使用公式(8.3), 就可求出纤维的周期: 2534.0=c nm图8.3 取向聚乙烯试样的纤维图(圆筒照相机, 纤维轴上下方向, X 射线垂直纤维轴)无取向聚乙烯X 射线衍射图和饱和碳氢化合物非常相似, 二者的结晶结构也相雷同, Bunn 参考了饱和碳氢化合物后, 根据尝试法, 可对赤道线及各层线进行指标化(结果列在表8.2中),由此得到聚乙烯晶胞常数(正交晶系):a=0.740nm , b=0.493nm , α=β=γ=90°表中面间距的计算值, 是由上述晶胞常数以式(8.4)计算求得. 从表中可以看到测定值和计算值很相一致. 至于每个单胞中含有多少个化学结构单元—CH2—CH 2—可从其与密度的关系式(8.5)求得, 若结晶的密度为c ρ, 则 MN V Z Ac ⋅⋅=ρZ 为单胞内所含化学重复结构单元数目;M 为化学结构单元所含原子量之和;A N 为Avogadro 常数, V 为单胞体积. 将聚乙烯由实验测得的3/970.0厘米克=ρ, 代入上式得: 292.102.2810023.61053.293.440.7970.02324≈=⨯⨯⨯⨯⨯⨯=-ZZ 必须是整数. 对聚乙烯, 若取2=Z 计算, 则3/01.1厘米克=c ρ. 此值之所以大于实验值, 因为在实际聚乙烯结晶中, 不仅包含着分子链有序折叠晶区, 还包含着分子链无序非晶区. 根据消光规律, 可以确定空间群. 此后进一步求算原子坐标: 再由原子坐标值, 可计算出聚乙烯各峰的衍射强度. 实验使用尝试法可使实验值与计算值尽可能一致(表8.2). 图8.4为聚乙烯结晶结构模型. 使用图8.5, 可计算出原子坐标值, 因X 射线的衍射, 仅仅是原子中的电子作用. 从X 射线衍射强度的测定结果, 根据傅立叶级数变换可求得电子云密度状态分布图(图8.5). 由图8.4可知, 聚乙烯为平面锯齿型分子, 分子链分别通过单位格子棱角及格子中央. 聚乙烯平面锯齿型与 bc 面成41°角倾斜, C —C 键长0.153nm, C —C —C 键角为112°, 锯齿的等同周期 I =0.253nm.表8.2*括号内数据系目测强度,其它数据用光度计测定.图8.4 聚乙烯结晶结构图8.5 聚乙烯电子云密度分布综上所述, 聚合物晶体结构的解析, 与结晶的低分子物质相比, 反射点数目较少, 测定 空间群及计算电子云密度分布困难较多. 但是由于结构单元重复性、沿着链方向以共价键结合的链状高聚物, 当测得纤维等同周期后, 再来推测分子晶体结构是完全可能的.图8.6 聚α—羟基乙酸电子云密度图 图8.7 聚α—羟基乙酸的纤维周期图8.6系聚α—羟基乙酸电子云密度分布图. 图8.7系聚α—羟基乙酸等同周期, 实验测得纤维周期为0.702nm. 如果分子链以平面锯齿状结构伸展图8.7以两个化学结构单元为立体重复单元, 那么计算得到的纤维周期为0.716nm, 这与实验结果几乎一致.尼龙-1010是我国独创的一种工程塑料品种,它的重复单元结构为:[ C (CH 2)8 C N ( CH 2 ) N ]OO Hn它在精密机械零件、仪表制造、家用电器、航空等方面,作为代替金属制品使用已日渐增多,使用W AXD 方法测定尼龙-1010的结晶结构及聚集态结构,结果如下:图8.8 Nylon-1010晶体结构Nylon-1010晶体结构[Mo Zhishen et al., Polym.Int.30,53(1993)]表8.3 Nylon-1010 观察和计算的衍射强度与面间距表8.4 Nylon-1010的原子坐标表8.5 键长(nm)表8.6 键角(°)习题1. 简述用粉末法(或多晶法)测定一个聚合物晶体结构的步骤.。
第八章 材料的变形和断裂
名词解释(1)加工硬化(变形强化):当金属外加应力超过屈服强度后,随着变形程度的增加,变形的抗力也增加,要继续变形,必须增加外力,这种现象就叫加工硬化。
(2)颈缩:当应力达到抗拉强度时,试样不在均匀伸长,而是试样局部地方截面开始变细。
(3)位错宽度:(4)孪晶变形:晶体在切应力作用下沿着一定的晶面和晶向,在一个区域内发生连续顺序的切变,变形导致这部分的晶体取向改变了。
(5)多滑移:在多个滑移系上同时或交替进行的滑移。
(6)交滑移:晶体在两个或者多个滑移面上沿同一滑移方向进行的滑移。
(7)发生多系滑移时,在两个相交滑移面上运动的位错必然会互相交截,原来一直线位错经过交截后就会出现弯折部分,如果弯折部分仍在滑移面上,就叫扭折,若弯折部分不再滑移面上,就叫割阶。
(8)派纳力:在理想晶体中位错在点阵周期场中运动时所需克服的阻力(9)纤维组织:金属经过冷变形后,等轴状晶粒沿受力方向拉长,其中的夹杂物或者第二相也随之拉长。
(10)形变织构:金属在形变时,晶体的滑移面会移动,使滑移层逐渐转向与拉力轴平行。
原来的各个晶粒是任意取向的,现在由于晶粒的转动使各个晶粒的取向趋于一致,这就形成了晶体的择优取向。
(11)回复:在加热温度较低时,由于金属中的点缺陷及位错近距离迁移而引起的晶体某些变化。
(12)再结晶:冷变形金属由拉长的变形晶粒生成无畸变的新的等轴晶粒的过程。
(13)二次再结晶:(14)热变形:金属在再结晶温度以上的加工变形。
(15)蠕变:材料在高温下的变形不仅与应力有关,而且和应力作用的时间有关。
(16)应变时效:低碳钢经过少量预变形后,如果去载后立即再行加载则不会出现明显的屈服平台;若在室温下放置一较长的时间或在低温下经过短时加热后在进行拉伸试验,则屈服点又复出现,且屈服应力提高。
(17)第二相强化:当第二相以细小弥散的微粒均匀分布于基体相中时,将会产生显著的强化作用。
(18)固溶强化:合金在形成单向固溶体后,变形时的临界切应力都高于纯金属,这叫做固溶强化。
大学化学《结构化学-晶体结构》课件
3、各种晶体生长中会自发形成确定的多面体外形。 晶体在生长过程中自发形成晶面,晶面相交成
为晶棱,晶棱聚成顶点,使晶体具有某种多面体外 形的特点。
熔融的玻璃体冷却时,随着温度降低,粘度变 大,流动性变小,逐渐固化成表面光滑的无定形物, 工匠因此可将玻璃体制成各种形状的物品,它与晶 体有棱、有角、有晶面的情况完全不同。 4、晶体有确定的熔点而非晶态没有。
1.平移—点阵:
平移是晶体结构中最基本的对称操作, 可用T来表示
Tmnp=ma+nb+pc
m,n,p为任意整数 即一个平移矢量Tmnp作用在晶体三维点 阵上,使点阵点在a方向平移m单位,b方向 平移n单位,c方向平移p单位后,点阵结构 仍能复原。
⑵ 晶体的对称操作和对称元素受到点阵的制约: 其中旋转轴、螺旋轴和反轴的轴次只能为1、2、3、 4、6等几种;螺旋轴和滑移面中的滑移量也只能符 合点阵结构中平移量的几种数值。
晶体结构中可能存在的对称元素有:对称中心 ();镜面(m);轴次为1、2、3、4、6的旋转轴(1,2, 3,4,6)、螺旋轴(21,31,32,41,42,43,61,62,63,64,65)、反轴
学习要点
⑴晶体结构周期性与点阵。 ⑵ 7 个 晶 系 和 14 种 Bravias 空 间 格 子 。 ⑶晶胞、晶面间距。 ⑷ 晶体(X射线)衍射方向―Laue方程和Bragg方程。 ⑸ 晶体衍射强度与立方晶系的系统消光。
学时安排 学时----- 6学时
第八章.晶体的点阵结构和晶体的性质
晶体
远古时期,人类从宝石开始认识晶体。红 宝石、蓝宝石、祖母绿等晶体以其晶莹剔透 的外观,棱角分明的形状和艳丽的色彩,震 憾人们的感官。名贵的宝石镶嵌在帝王的王 冠上,成为权力与财富的象征,而现代人类 合成出来晶体,如超导晶体YBaCuO、光学 晶体BaB2O4、LiNbO3、磁学晶体NdFeB等 高科技产品,则推动着人类的现代化进程。
第八章 晶体结构(一)点阵结构
现代科技中的晶体:飞秒激光器与飞秒化学
1981年发展的碰撞锁模染料激光器产生飞秒(1 fs=10-15 s) 级激光脉冲. 90年代, 更稳定的全固体超快掺钛蓝宝石飞秒激 光器出现, 使飞秒化学成为物理化学界的重要研究领域. 1999 年诺贝尔化学奖授予Ahmed H Zewail教授,以表彰他利用飞秒 激光脉冲技术研究超快化学反应过程和过渡态的开拓性工作.
非线性光学晶体: KTP
KTP是高效激光倍频材料,广泛用于非线性光学领 域,在蓝绿激光器中有重要应用. 蓝绿激光器可用于引发 核聚变、海底导弹潜艇通信等.
非线性光学晶体:LiNbO3
LiNbO3是新型电光 晶体材料,电光效应大, 折射率高. 用于激光技术、 全息存储等领域 .
晶体中NbO6八面体中的Nb沿C3 轴相对于配位原子O作不对称位移.
如果这样做, 得到的所谓 “点阵”违反点阵定义.
一个晶胞
晶胞俯视图
正确做法: 按统一取法把每一对原子Mg-Mg作为 一个结构基元,抽象出六方简单点阵:
Mg金属晶体的点阵——六方简单
垂直于石墨层观察(蓝、黄球均为C). 注意第1、3
石 层(蓝)对正而与第2层(黄)错开. 沿紫色菱形框, 墨 垂直于石墨层,从第1层切到第3层,就得到一个晶胞:
现代科技中的晶体:红外热成象
夜视技术已成为军队现代化装备的重要标志之一.热象仪 的核心用热释电材料制作,但有实用价值的热释电材料不多. 碲镉汞晶体的出现促进了夜视技术的快速发展.
现代科技中的晶体——高能粒子探测器
锗酸铋(BGO)晶体是一种新型闪烁 晶体,在基本粒子、空间物理和高能物理 等研究领域有广泛应用. 丁肇中教授在西 欧核研究中心领导的L3实验使用大量BGO. 上海硅酸盐研究所生产的长25 cm、重5 kg 的BGO晶体以分辨率最高、光衰量最低、 均匀性最好等优点在国际市场竞争中取胜, 被国际科技界公认为佼佼者.
材料科学基础 8 晶体的塑性变形【北京科技大学】
•临界分切应力与温度间的关系
长程交互作用引起的阻力随温度的变化是很小的。对于如位错 和林位错相截形成割阶或带着割阶滑动等短程交互作用引起的 阻力,因为这些过程只涉及几个原子间距,热激活对这些过程 会有很大作用。温度上升使这些过程易于进行,所以临界分切 应力随温度上升而降低。当温度高时,热激活提供足够的能量, 使得临界分切应力不再随温度变化。
原因:溶质气团;
27
对性能的影响: 工件表面质量; 吕德斯带;
防止方法: 去除C,N(IF钢);预变形使位错摆脱钉扎2;8
8.3.2 加工硬化理论
•多种机制: (1)位错滑动和林位错交割,增加阻力。 (2)林位错使F-R源产Th割阶,带割阶的位错运动阻力加大。 (3)形成的L-C不动位错增大了形变的抗力。 (4)由局部应力场(短程交互作用)引起硬化。
sin 0
1 si0n2 (1 ) 2
1 ( sin 0
(1 ) 2 sin2 0 cos 0 )
0和0分别是滑移平面和滑移方向与 力轴的初始夹角。若知道拉伸转动后
的最终取向1和1,则也可以把切应 变表达为:
cos 1 cos 0 sin 1 sin 0
19
• 单晶应力-应变曲线 它是定量描述加工硬化性质的依据。 前提:初始取向下只有1个滑移系开动。
孪Th
滑移
33
锌形变组织 (a)抛光后变形;滑移、孪Th都可看到; (b)再抛光并浸蚀;滑移看不见,孪晶仍存在;
34
8.4.1 孪晶几何
和切变平面垂直并和K1的夹角小于的面(OA面),在孪Th切动 后变短;和切变平面垂直并和K1的夹角大于的面(OB面)在孪
Th切动后变长。
孪晶要素 第一、二不畸变面K1、 K2
第八章材料的变形与断裂
质原子切变模量较大,对位错有斥力,反之切变模量较小时则有 吸力。
第八章材料的变形与断裂
间隙式的溶质原子 对于间隙式的溶质原子,当其溶于体心立方中,会造成
不对称畸变。这时,溶质原子不仅和刃型位错,也和螺型位 错有强烈的交互作用,因而产生了很强的固溶强化效果。
第八章材料的变形与断裂
2)双交滑移机制 高层错能的面心立方和体心立方,变形时的 位错增殖主要是靠双交滑移。 见书上P342
第八章材料的变形与断裂
合金的变形与强化
固溶强化: 合金在形成单相固溶体后,变形时的临界切应力都高于
纯金属。
置换式的溶质原子,考虑溶质原子与溶剂原子尺寸的差别。 尺寸相差越大,溶解度越小,强化效果越大。 原子尺寸差别(或称错配)所引起的晶格畸变,会产生一
第八章材料的变形与断裂
三. 位错的增殖
1)F-R源(弗兰克-瑞德源) 塑性变形的过程中,尽管位错移出晶体产生滑移
台阶,但位错的数量(位错密度)却在不断的增加,这 是因为在外应力作用下发生塑性变形时位错会发生增 殖。
例如
第八章材料的变形与断裂
位错的增殖
利用Fnak-Read源说明增殖的过程。若滑移面上 有一段位错,CD两点钉住不可滑移,在外力作用下位 错应向右移动,这段位错将弯曲、扩张,相遇为异号 位错相消,产生一位错环,内部CD段还存在。反复可 生成一系列的位错环,扩展到晶体外的产生滑移台阶 可为柏氏矢量的整数倍。
3 消除:去应力退火。
第八章材料的变形与断裂
金属的断裂
一. 理论断裂强度 利用原子间结合力的模型可以求出金属的理论断裂强度。
第八章材料的变形与断裂
光学第八章-光在晶体中的传播
光在晶体中的量子效应和应用
量子效应
在晶体中,由于晶格结构的周期性和原子间的相互作用,光在传播时会表现出一些特殊的量子效应, 如光子带隙、光子局域化和非线性光学效应等。
应用
利用光在晶体中的量子效应,可以开发出一系列新型的光学器件和光子技术,如量子点、量子阱、光 子晶体和量子通信等。这些技术在信息传输、能源转换和生物医学等领域具有广泛的应用前景。
考虑晶体的各向异性,波动方程需要 采用张量形式表示,以描述光在晶体 中的传播特性。
边界条件
光在晶体中传播时,需要满足一定的 边界条件,如切向分量连续、法向分 量连续等,以确保光在晶体界面处的 连续性和稳定性。
光在晶体中的传播方向和波矢
传播方向
光在晶体中的传播方向由波矢决定,波矢方向与光的传播方向一致。对于各向 异性晶体,光的传播方向可能不沿着晶体的主轴方向。
反射定律
光在晶体表面发生反射时,遵循反射定律,即反射光线、入射光线和法线位于同一平面内 ,且反射角等于入射角。
全反射现象
当光从光密介质进入光疏介质时,如果入射角大于或等于临界角,光线将全部反射回光密 介质中,这种现象称为全反射。
光在晶体中的双折射现象
双折射现象
当一束光波射入各向异性的晶体时,会分成两束光波沿不 同方向传播,这种现象称为双折射现象。
滤光器件
滤光片
利用晶体对不同波长光的吸收特 性,实现特定波长光的滤除或透
过。
滤色片
利用晶体对不同颜色光的吸收特性, 实现特定颜色光的滤除或透过。某一特定波长光的强烈反射或透射。
调制器件和开关器件
光调制器
利用晶体的电光效应、声 光效应等,实现对光信号 的幅度、频率、相位等参 数的调制。
术
第八章 结晶
加入晶核后,溶质在晶核周围聚集、排 列,溶质浓度降低,并降至SS线。
不稳定区
在TT曲线的上半部的区域称为不稳定区,在 该区域任意一点溶液均能自发形成结晶,溶 液中溶质浓度迅速降低至SS线(饱和)。
影响晶体生长速度的因素
杂质:改变晶体和溶液之间界面的滞留层特 性,影响溶质长入晶体、改变晶体外形、因 杂质吸附导致的晶体生长缓慢。
搅拌:适当的搅拌可增加晶体与母液的接触 机会,加速晶体生长;但过快,会增加溶质 的溶解。一般5-15r/min为宜。
温度:通常采用较高温度使溶质溶解,而后 缓慢冷却获得结晶。
晶体生长速度快,晶体尚未长大,溶质浓度 便降至饱和溶解度,此时已形成大量的细小 结晶,晶体质量差。
因此,工业生产中通常采用加入晶种,并将 溶质浓度控制在养晶区(饱和区),以利于 大而整齐的晶体形成。
晶体纯度的影响因素
溶液性质、杂质、溶剂和操作条件等 (1)母液在晶体表面的吸藏
指母液中杂质吸附于晶体表面,如果晶体生 长过快,杂质甚至会机械地陷入晶体。 (2)形成晶簇,包藏(Lnclusion)母液 细小晶体易形成晶簇,而晶簇中常机械地包 含母液的情况。 (3)影响晶习(晶体的外形)
晶体生长过快产生晶体缺陷和位错时,晶格 不同也可能产生吸藏现象,杂质质点陷入产 品晶体中。
常用的结晶方法
热饱和溶液冷却(等溶剂结晶) 适用于溶解度随温度升高而增加的体系; 同时,溶解度随温度变化的幅度要适中。 自然冷却、间壁冷却(冷却剂与溶液隔 开)、直接接触冷却(在溶液中通入冷 却剂)
常用的结晶方法
无定形固体:析出速度快,粒子排列无规 则。
结构化学习题解答(第八章)
rC C (1 a / 4) 2 (1 b / 4) 2 (1 c / 4) 2 a 3 4 3 356.7 pm 4 154.4 pm 密度D ZM / NV (8 12.0 g / 6.02 1023 ) /(356.7 1010 cm) 3 3.51g cm
[8.31] 已知NaCl晶体立方晶胞参数a=563.94pm实验测得衍射 111的衍射角θ=5.100,求实验所用X射线的波长。 [解 ]: 2 2 2 1/ 2 hkl
d
a /(h k l )
563.94 pm / 3 325.59 pm d 2 sin 325.59 pm 2 sin 5.10 57.9 pm
[8.26] 用Cu Kα射线测得某晶体的衍射图,从中量得 以下数据。试查PDF卡片,鉴定此晶体可能是什么。 2θ/(0) 27.3 31.8 45.5 53.9 56.6 66.3 75.5 I/I0 18 100 80 5 21 20 20
[解]:利用PDF卡片鉴定晶体时,需先把衍射角2θ数据 换算成d值(d=λ/2Sinθ)如下:(λ=154.2pm) 2θ/(0) 27.3 31.8 45.5 53.9 56.6 66.3 75.5 d/pm 326.7 281.4 199.4 170.1 162.6 141.0 125.9 I/I0 18 100 80 5 21 20 20 按这组d-I/I0值查表,得知它为NaCl晶体。
rTi O (0.31a) 2 (0.31a) 2 0.438a 0.438 458pm 201pm
[8.19] 金属镍的立方晶胞参数a=352.4pm,试求d200,d111,d220。 [解]:立方晶系的衍射指标hkl和衍射面间距dhkl的关系为:
结晶矿物学晶体结构
1
第八章. 晶体结构
8-1. 平行六面体和晶胞
空间点阵
2
第八章. 晶体结构
8-1. 平行六面体和晶胞
选择平行六面体的规则: (1) 应符合整个空间点阵
的对称性; (2) 应选择棱与棱之间直角
关系为最多的平行六 面体; (3) 所选择平行六面体之体 积应为最小
3
第八章. 晶体结构
立方格子, 四方格子, 斜方格子, 单斜格子, 三斜格子, 三六方格 子和菱面体格子(R)
4 种结点类型
原始格子 (primitive, P) 底心格子 (end-centered, C, A, B) 体心格子 (body-centered, I) 面心格子 (face-centered, F)
10
15
第八章. 晶体结构
8-3. 晶体的微观对称要素
晶体微观对称要素的种类 平移轴(translation axis):为一直线方向,相应的 对称变换为沿此直线方向平移一定的距离。对于 具有平移轴的图形,当施行上述对称变换后,必 可使图形相同部分重复,亦即整个图形复原。在 平移这一对称变换中,能够使图形复原的最小平 移距离,称为平移轴的移距。
21
第八章. 晶体结构
8-3. 晶体的微观对称要素
晶体结构的螺旋轴
22
第八章. 晶体结构
8-3. 晶体的微观对称要素 晶体结构的螺旋轴
23
第八章. 晶体结构
8-3. 晶体的微观对称要素
晶体微观对称要素的种类 滑移面(glide plane): 亦称象移面, 是一种复合的 对称要素。其辅助几何要素有两个:一个假想的 平面和平行此平面的某一直线方向。相应的对称 变换为:对于此平面的反映和沿此直线方向移动 一定距离后,结构中每一点和与其相同的点重合, 整个结构自相重合。 分为a, b, c, n, d 等5种
第八章晶体缺陷与色心产生的颜色
色心也会有不同的组合方式.
正是这些看似不完美的缺陷,给我们带来神秘的 色彩!
8.2.2色心产生颜色的机理
1.色心产生的颜色
高能辐照把电子从满带激发到空带,带隙 5~20eV(不产生颜色),进入空带的电子容易被 空穴俘获,能量为Ea ,这个过程有光的吸收,产生 相应的颜色.
的X射线照射,会出现深棕灰甚至发黑色的颜 色变化,形成的材料称为烟晶。
加热到4000C,颜色消失,再辐照,颜色恢复。 用钴60放射的1.17MeV与1.33MeV的射线
照射无色水晶,不到20分钟即可变成深色烟晶.
Al3+的作用:
纯水晶在高能射线辐射下,O2-释放一个电子, 形成瞬间空位,为维持电中性,离位的电子返回, 晶体没有实质性变化;
电子热运动增加了能量,引起被俘获电子的释放, 电子回到空带并立即返回原来的满带,即被“漂 白”.
漂白能Eb 比Ea大些,它确定了失去颜色的温 度.
天然色心:晶体形成的过程中有某种放射性元 素存在,来自环境的辐照产生的色心;
人工色心:人为操作的辐照,几分钟内即可产 生颜色.
2.色心的稳定性:
暴露在强烈阳光下,几年基本不改变颜色的是 稳定的色心;同样条件下若几周内褪色是不稳 定的色心.稳定的色心只能由加热漂白,不稳定 的色心光照或低温都可以漂白.
某些色心是可逆的,黑暗中形成,见光漂白.
8.2.3 色心产生颜色的实例
1.烟晶
水晶是SiO2矿物的单晶体。透明度高。 每一万个Si4+中有一个被Al3+取代,用几千eV
(2)离子晶体中的缺陷
Frenkel缺陷: 一个离子从正常位置跑出,造 成一个空位;再插入另一不正常位置,造成填 隙,出现一对缺陷.
8章-晶体结构
第一 当某离子型化合物中正、负 离子半径比(r+ / r -)接近极限值时 (0.414 或 0.732) , 则该化合物可能有 两种晶体构型 。 例如:GeO2 的 r+ /r - = 0.4 所以 GeO2 有两种晶型 4- ZnS型或 6-NaCl型 。 第二 离子晶体的构型除与正负离子 半径比有关,还与离子的电子层构型, 正负离子的极化作用等因素有关 。
第八章 晶体结构
第一节 晶体的特性
一 术语和概念 无定形体 —— 指内部质点排列不规 则,没有一定结晶外形,没有固定熔 点的固体物质 。 晶体 —— 指内部质点(原子、分子、 离子)在空间有规则地排列成具有整 齐外形,并以多面体出现的固体物质。 实验证明:在晶体中可找出一个个平 行六面体,据六面体几何数据不同, 可将晶体分为不同类型 。
四 离子晶体物质的化学式
离子型化合物 晶体中不存在单 个小分子,它们 的分子符号只表 示晶体中原子组 成的比例关系, 因此只能称为化 学式,根据化学 式求出的不叫分 子量叫化学式量。
第四节 原子晶体
—— 即组成晶格的质 点是原子,原子间以共价键结合 的晶体 。 特点:(1)这类晶体的熔点极 高,硬度极大,不导电 。 (2)无单独小分子存在, 整个晶体为巨型大分子 。 组成:
二 离子半径
离子半径 —— 指“离子晶体中正负 离子核间的距离就是正负离子半径之 和 。”用 d 表示 。 (1) X射线实验法:通常可通过晶体 的X射线分析实验求出d:d = r- + r+ 鲍林从有效核电荷和屏蔽常数推算 (2)鲍林方法:他认为离子的大小, 取决于最外层电子的分布,正负离子 有相同离子结构时,离子半径与作用 于最外 e 层上的 Z*成反比 。
第八章 固态相变
{111}∥{110}M ;<211>∥<011> M
Nishiyama
Greninger和Troiaon精确测量了Fe-0.8%C-22%Ni合金的奥 氏体单晶中的马氏体位向关系,发现K-S关系中的平行晶 面和平行晶向之间实际上略有偏差。得到G-T关系
{111}∥{110}M 差1° <110>∥<111> M差2 °
2.不连续脱熔 非连续脱溶也称为胞状脱溶。脱溶物中的α相和母相 α之间的浓度不连续而被称为非连续脱溶。 若α0表示原始相(母相),α1为脱溶区中的α相,β为脱
溶相。
非连续脱溶表示为:
01
相界面不但发生成分突变,且取向也发 生改变
第二十九页,编辑于星期五:十八点 十一分。
非连续脱溶与共析转变(以钢为例)的区别:
共析转变形成的(珠光体中)的两相与母相在结构和成分上 完全不同。 非连续脱溶得到的胞状组织中的两相其中必有一相的结构与 母相相同,只是溶质原子的浓度不同于母相。
非连续脱溶与连续脱溶的主要区别:
连续脱溶属于长程扩散,非连续脱溶属于短程扩散。 非连续脱溶的产物主要集中于晶界上,并形成胞状物;连 续脱溶的产物主要集中于晶粒内部,较为均匀。
第二十三页,编辑于星期五:十八点 十一分。
若形核率随时间增加,则取n〉4;若形核 率随时间而减少,则取3~4
第二十四页,编辑于星期五:十八点 十一分。
第四节 扩散型相变示例
扩散型相变种类:
脱熔转变、先共析转变、共析转变、块状转变、有序转 变和调幅分解等。 一、脱溶转变
脱溶:从过饱和固溶体中析出一个成分不同的新相火形成 溶质原子富集的亚稳区过渡相的过程称为脱溶或沉淀。 条件:凡是有固溶度变化的相图。 从单相区进入两相区时都会发生脱溶
chap8晶体生长简介
三、晶体生长实验方法
水热法—高温高压生长(高压釜):晶体原料溶在高温 水热法 高温高压生长(高压釜):晶体原料溶在高温 高温高压生长 ): 高压水溶液(溶剂) 高压水溶液(溶剂)中; 提拉法—高温常压生长 没有溶剂, 高温常压生长: 提拉法 高温常压生长:没有溶剂,也没有助熔剂 ; 低温溶液生长------低温常压水溶液生长:即常见的从溶 低温常压水溶液生长: 低温溶液生长 低温常压水溶液生长 液中结晶出来; 液中结晶出来; 高温熔液生长-------高温常压在助熔剂生长:没有溶剂, 高温熔液生长 高温常压在助熔剂生长:没有溶剂, 高温常压在助熔剂生长 晶体原料熔在另外一种成分的物质中, 但有助熔剂 (晶体原料熔在另外一种成分的物质中,但 无水)。 无水)。 总之,是设计出一些方法让晶体生长得完好。每个晶体所适 总之,是设计出一些方法让晶体生长得完好。 合的方法不同。 合的方法不同。
二、晶体生长模型
一旦晶核形成后,就形成了晶-液界面, 一旦晶核形成后,就形成了晶-液界面,在界面上就要进 行生长,即组成晶体的原子、 行生长,即组成晶体的原子、离子要按照晶体结构的排列方 式堆积起来形成晶体。 式堆积起来形成晶体。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
1.层生长理论模型(科塞尔理论模型) 层生长理论模型(科塞尔理论模型)
第八章 晶体生长简介
一、成核
成核是一个相变过程, 成核是一个相变过程 , 即在母液相中形成固相小晶 这一相变过程中体系自由能的变化为: 芽,这一相变过程中体系自由能的变化为: G=Gv+Gs 式中△ 为新相形成时体自由能的变化, 式中△Gv为新相形成时体自由能的变化,且△Gv< 0, △GS为新相形成时新相与旧相界面的表面能,且 为新相形成时新相与旧相界面的表面能, △GS>0。 。 也就是说,晶核的形成, 也就是说,晶核的形成,一方面由于体系从液相转 变为内能更小的晶体相而使体系自由能下降, 变为内能更小的晶体相而使体系自由能下降,另一 固界面而使体系自由能升高。 方面又由于增加了液 - 固界面而使体系自由能升高。
第8章 结晶
化工分离工程
第八章 结晶
晶种起晶法:将溶液蒸发后冷却至亚稳定区的较低 浓度,加入一定量和一定大小的晶种,使溶质在晶 种表面生长。 • 该方法容易控制、所得晶体形状大小均较理 想,是一种常用的工业起晶方法。
化工分离工程
第八章 结晶
晶种控制
晶种起晶法中采用的晶种直径通常小于0.1mm;
晶种加入量由实际的溶质附着量以及晶种和产品
化工分离工程
第八章 结晶
过饱和溶液的形成
热饱和溶液冷却(等溶剂结晶)
适用于溶解度随温度升高而增加的体系;同时 ,溶解度随温度变化的幅度要适中; 自然冷却、间壁冷却(冷却剂与溶液隔开)、 直接接触冷却(在溶液中通入冷却剂)。 部分溶剂蒸发法(等温结晶法) 适用于溶解度随温度降低变化不大的体系, 或随温度升高溶解度降低的体系; 加压、减压或常压蒸馏。
化学反应结晶
化工分离工程
第八章 结晶
2、结晶机理 结晶过程:晶核的形成,晶体的成长。
晶核的形成
晶核
质点 线晶
面晶
晶胚
化工分离工程
第八章 结晶
晶核形成模式:初级成核,二次成核 初级成核:无外加晶核或晶种。 均相成核:无外加晶核或晶种以及其他微粒; 非均相成核:无外加晶核或晶种,有其他微粒(灰 尘等)。 二次成核:已存在晶种或晶体的成核过程。
尺寸决定:
Ws Wp ( Ls / Lp )
3 3
Ws,Wp—晶种和产品的质量,kg
Ls,Lp—晶种和产品的尺寸,mm
化工分离工程
第八章 结晶
三、晶体生长的扩散学说及速度
1、晶体生长的扩散学说
溶质通过扩散作用穿过靠近晶体表面的一 个滞流层,从溶液中转移到晶体的表面;
第八章 晶体点阵结构
1/r:1/s:1/t = 1/3:1/3:1/5= 5:5:3=h:k:l
晶体外形的晶面的指标化
四面体4个面的指标:(111)(1,-1, 1) (-1, 1,1) (1,1-1) 八面体的8个面的指标:(111)(1,-1, 1) (-1, 1,1) (1,1-1) (-1,-1,-1)(1,-1,-1) (-1, -1,1) (-1,1-1)
4.平面间距d(hkl) 平面点阵族(hkl)中相邻2个平面的间距。 晶系 立方晶系 六方晶系 正交晶系 计算公式 d(hkl)=a (h2 + k2 + l2) -1/2 d(hkl)=[(4/3) (h2 + hk + k2) a-2 + l2c-2] -1/2 d(hkl)=[ (h2 / a2+ k2 / b2 + l2 / c2] -1/2
结晶学与矿物学 第8章
若沿螺旋轴方向的结点间距标记为T,则质点平移的距离t 应为(s/n)·T。
如21,2为轴次(2次螺旋轴),最小基转角α=180°,平
移距离t=1/2T
21 31 32 41 42 43 61 62 63 64 65
左旋31= 32 左旋41= 43
11
第八章 晶体结构
(3).滑移面(glice plane of symmetry)
1
第八章 晶体结构
第一节 十四布拉维空间格子
1. 空间格子的划分 (1)划分原则 a. 反映固有的对称性; b. 在上述前提下,棱与棱之间的直
角关系力求最多; c. 在以上二条件的基础上,体积力
求最小;
2
(2). 各晶系平行六面体的形状
晶族
晶系
格子类型
晶体常数
高级 中级
低级
等轴 立方格子
四方 四方格子
19
第八章 晶体结构
1.点缺陷(point defect) 是发生在一个或若干个质点范围内所形成的晶格缺
陷。最常见的点缺陷表现形式有下列几种。
(1)空位 晶格中应有质点占据 的位置因缺失质点而 造成空位。
20
1.点缺陷(point defect)
(2)填隙 在晶体结构中正常排列的质
点之间,存在多余的质点填充 晶格空隙 ——
晶体中的结构单位为中性分子,分子内部通常以较强的共价键联结,分子间以微弱的分 子键即范德华力(the Van Der Weals bond)相联结。如自然硫(S)
17
第八章 晶体结构
第二节 晶体结构类型与典型结构
2.典型结构
不同晶体的结构,若其对应质点的排列方式相同,则称它们的结构是等型 的。
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内因: 原子或离子的大小: 大小越接近, 越容易发生替代; 离子的类型和键型: 类型和键型应相同; 电价平衡:替代前后电价应平衡, 这是先决条件; 如果 发生异价替代, 则要求同时发生多个替代来达到总电价 平衡。 异价替代时电价平衡是主要条件, 半径大小退居次 要地位。 晶格能变小:替代后晶格能是变小的则容易发生。 外因: 温度:高温易发生,低温不易发生,而且还会发生固溶体 离溶; 压力: 高压不易发生; 组份浓度:周围环境的某离子浓度越高越容易替代进 入晶格。
1)矿物晶体成分变化的主要原因; 2)了解稀有元素的赋存状态; 3)反映矿物的形成条件。
8.3 晶体的相变
相变的分类 分类方法有很多,目前有以几种:
一、按热力学分类
二、按相变方式分类
三、按质点迁移方式分类
1 2 一级相变: (1 T ) P (2 T ) 选择3个不相平行的连结相邻 两个点阵点的单位矢量a,b,c,它们将点阵划 分成并置的平行六面体单位,称为点阵单位。相 应地,按照晶体结构的周期性划分所得的平行六 面体单位称为晶胞。矢量a,b,c的长度a,b, c及其相互间的夹角α,β,γ称为点阵参数或晶 胞参数。 晶胞是充分反映晶体对称性的基本结构单位。 晶胞在三维空间有规则地重复排列组成了晶体。
但是,在闪锌矿ZnS中,部分的Zn2+可 被Fe2+类质同象替代,其替代量最大只达 到原子数的40% ,如果代替量大于40% , 闪锌矿的结构将被破坏。 ZnS-------- - - - - - FeS 这种情况称不完全类质同像系列。
类质同像是一种置换型固溶体!
2.影响类质同象的因素 (条件)
6.晶体结构的表达及应用
一般晶体结构需给出:
晶系;
晶胞参数;
晶胞中所包含的原子或分子数Z;
特征原子的坐标。
7. CIF文件
国际晶体学会1991年制定,作为国际晶体 学电子文件交换的标准格式. 包含了晶体结构的所有信息及作者、数 据来源等。 可以对这些数据直接读取进行相关的结 构图绘制和计算
3、类质同像混晶的分解(固溶体离溶或出溶)
原来均匀混在一起的两个或多个组分,当温度下降或 压力提高等条件下,会发生分离,形成不同组分的 多个物相。通常不同组分的多个物相会形成条带状 相间定向排列。如条纹长石,是由碱性长石(钾、 钠长石混晶)出溶成钾长石与钠长石条带定向排列 形成的。
4、研究类质同像的意义:
Zr与Ti的晶体结构
<863°C -相 hcp结构 a=0.32312nm c=0.51477nm >863°C β-相 bcc结构 a=0.3609
Zr
<882°C -相 hcp结构 a=0.295nm c=0.468nm >882°C β-相 bcc结构 a=0.332
Ti
修莫-罗杰里(Hume-Rothery)规则
(生成无限固溶体条件)
① 两种原子的大小相差小于15%
② 晶体结构相同
③ 原子价相同
④ 电负性相差不大
R溶质>R溶剂
R溶质<R溶剂
形成置换型固溶体的点阵畸变
五、类质同像
1.类质同像的概念
在晶体结构中某离子被其它类似的离子代替,但 不引起键性和晶体结构型式发生质变的现象。 例如镁橄榄石Mg2[SiO4]晶体,其晶格中Mg2+可 以被Fe2+所替代占据,由此形成的橄榄石 (Mg, Fe)2[SiO4]晶体。并且 Mg2+被Fe2+替代可以任意比 例,形成一个系列: Mg2[SiO4]---------------------------Fe2[SiO4] 镁橄榄石 橄榄石混晶或固溶体 铁橄榄石 这种情况称完全类质同像系列。
特点:
1 2
S1 S 2 V1 V2
C P1 C P 2 -热容
1 2 1 2
如图8-2 -等温压缩系数
- 等压膨胀系数
返回
晶体的相变
-方石英
一级相变 ~重建型相变 如 SiO2
-石英
-石英
晶体的相变
一级相变 ~重建型相变 如Al2SiO5 Kyanite - Al(6)Al(6)SiO5 Andalusite - Al(5)Al(6)SiO5 Sillimanite - Al(4)Al(6)SiO5
b
a
晶体结构参数及其表达
CaTiO3 (Pbnm)的晶体结构
[001] [100]
c
c
b a
Ca+2 Ti+4 O-2
[010]
a
c
[110]
b
Ca+2 Ti+4 O-2
Ca+2 Ti+4 O-2
Ca+2 Ti+4 O-2
8.2 固溶体、类质同像和型变
一、 固溶体:
当材料由液态结晶为固态时,组成元素间会象溶液那样 互相溶解,形成一种在某种元素的晶格结构中包含有其它元 素原子的新相,称为固溶体。与固溶体的晶格相同的组成元 素称为溶剂,在固溶体中一般都占有较大的含量;其它的组 成元素称为溶质,其含量与溶剂相比为较少。固溶体即一些 元素进入某一组元的晶格中,不改变其晶体结构,形成的均 匀相。 溶质原子溶入固溶体中的量称为固溶体的浓度。在一定的 条件下,溶质元素在固溶体中的极限浓度叫做溶质元素在固溶 体中的溶解度。浓度或溶解度一般用溶质元素所占的重量百分 比来表示(%Wt);有时也用溶质元素所占的原子数量百分比来 表示,这时也称为摩尔浓度(%Wa)。
配位数减小 比重降低 体积增加 对称性增高…
Pseudocubic sub-cell parameters for Ca0.6Sr0.4TiO3 as a function of temperature
晶体的相变 压力导致的相变
Generally, P对相变的影响与T的影响相反 对压力的认识远远不足
晶体 原子 原子的 结合
晶体结构 空间点阵
单位晶胞的选定原则?
Na+1 Cl-1
b
c
a
①所选的平行六面体反映阵点分 布固有的对称性 ②所选的平行六面体棱与棱之间 的夹角力求直角最多,没有直角 的话,夹角应该力求接近直角。 ③所选取的平行六面体的体积要 求最小。
3.单胞分子数(Z)
属 于 8 个 小 立 方 体
1.按溶质原子在固溶体(溶剂)晶格中的位置 不同可分为:
1) 置换固溶体 溶质原子取代了部分溶剂晶格中某些 节点上的溶剂原子而形成的固溶体。
2) 间隙固溶体 溶质原子嵌入溶剂晶格的空隙 中,不占据晶格结点位置。
2.按溶解度
溶质原子溶于固溶体中的量称为固溶体的浓度,一般用重量百 分比表示,即 也可以用原子百分比表示,即 1)无限溶解固溶体 溶质可以任意比例溶入溶剂晶格中。构 成无限固溶体。这是把含量较高的组元称为溶剂,含量较少的 组元称为溶质。 2)有限溶解固溶体 溶质原子在固溶体中的浓度有一定限度, 超过这个限度就会有其它相(另一种固溶体或化合物)的形成。 间隙固溶体都是有限溶解固溶体。在金属材料中,通常是过渡 族金属元素为溶剂,小尺寸的C、N、H、O、B等元素为溶质。
特点:
( T ) P S S1 S 2 ( P) T V V1 V2
如图8-1
1 2 二级相变: T ) ( T ) ; ( P) ( P) ( 1 P 2 P 1 T 2 T 2 2 2 2 2 2 2 ( 1 T ) P ( 2 T ) P ; ( 1 P ) T ( 2 P 2 ) T ( 2 1 TP) ( 2 2 TP)
a
b
Al+3 O-2 Si+4
b
a
b
a
Al+3 O-2 Si+4
Al+3 O-2 Si+4
晶体的相变
二级相变 ~位移型相 变 如CaTiO3 T > 1580 K T ~ 1500 K T ~ 1380 K T = RT
晶体的相变
温度导致的相变
原子的热运动是固有性质,热振幅是温度的函数 当温度足够高时,原子离开其平衡位置发生相变 When higher T? 温度对结构的影响显著
Graphite: Z = 4
4.原子坐标
R = xa + yb + zc
5.原子的热参数
度量原子(离子)随温度在平衡位置做振动的参 量,用以表征单胞内随原子随温度变化时偏离 原来位置的情况。 原子在振动时,由于各向异性使得原子变成椭 球体的形状,通常用6个各向异性的原子振动 振幅U11,U22,U33,U12,U13,U23来描 述。有时只考虑各向同性的热参数,此时热参 数可简化, 8 2 2 其中μ 为等效的热振动 B 振幅。
如 黄铜矿 CuFeS2
> 550 º C 闪锌矿型结构 F-43m, a0 = 5.29 Å
< 550 º C 黄铜矿结构 I-42d, a0 = 5.24 Å、c0 = 10.30 Å
8.4 多型和多体
多型:由同种化学成分所构成的晶体,当其 晶体结构中的结构单位层相同、但结构单位 层之间的堆垛顺序或重复方式不同时,而形 成的结构上不同的变体 多体:以两种(或两种以上)性质不同的结 晶学模块,按不同比例或堆垛顺序而构筑的 结构和化学组成上不相同晶体的特性。
硬玉结构随压力的改变
晶体的相变
壳源矿物
板片俯冲
地球深部
矿物的相变、分解 → 物相、物理性质… 矿物的脱水→ 与水有关的深部地质过程 (水的壳-幔循环,地幔的熔融、变质)
晶体的相变
有序-无序及其相变