STM32F103RET6中文资料_数据手册_参数
stm32f103中文手册[9]
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stm32f103中文手册一、概述stm32f103是一款基于ARM Cortex-M3内核的32位微控制器，具有高性能、低功耗和高集成度等特点。
它适用于各种工业控制、消费电子、医疗设备、通信和汽车应用等领域。
stm32f103的主要特性有：主频可达72MHz的ARM Cortex-M3内核，支持Thumb-2指令集和嵌套向量中断控制器（NVIC）64KB至128KB的闪存（Flash）和20KB的静态随机存储器（SRAM）7个定时器，包括3个16位通用定时器、1个16位高级定时器、2个基本定时器和1个系统滴答定时器2个12位模数转换器（ADC），每个ADC有16个通道，可达1Msps的采样率2个数字模拟转换器（DAC），每个DAC有1个通道，可达1Msps的转换率3个通用同步异步收发器（USART），支持同步和异步模式，以及智能卡、IrDA和调制解调器接口2个串行外设接口（SPI），支持全双工和单向模式，以及多主机和多从机模式2个I2C总线接口，支持标准模式（100Kbps）、快速模式（400Kbp s）和快速模式+（1Mbps）1个USB 2.0全速设备接口，支持12Mbps的数据传输率1个CAN总线接口，支持标准帧和扩展帧格式，以及时间触发通信模式37到51个通用输入输出端口（GPIO），可配置为推挽或开漏输出，上拉或下拉输入，或者复用为其他外设功能7到12个外部中断线，可配置为上升沿、下降沿或双边沿触发3个电源管理模式，包括运行模式、睡眠模式和停止模式内部8MHz的高速内部振荡器（HSI），可作为系统时钟或PLL时钟的输入源外部4至16MHz的高速外部振荡器（HSE），可作为系统时钟或PLL 时钟的输入源内部40kHz的低速内部振荡器（LSI），可作为看门狗定时器或自动唤醒单元的时钟源外部32.768kHz的低速外部振荡器（LSE），可作为实时时钟或校准HSI的时钟源可编程电压检测器（PVD），可监测电源电压是否低于设定阈值，并产生中断或复位信号可选的温度传感器，可测量芯片内部温度，并通过ADC读取可选的备份域，包括4KB的备份SRAM和20个备份寄存器，可在断电后保持数据调试功能，包括串行线调试（SWD）接口和串行线观察（SWO）输出stm32f103有多种封装形式和引脚数目，如LQFP48、LQFP64、LQFP 100等。
STM32F103中文手册
2007年10月 第三版 第1页STM32F103x6STM32F103x8 STM32F103xB增强型，32位基于ARM 核心的带闪存、USB 、CAN 的微控制器7个定时器、2个ADC 、9个通信接口功能■ 核心− ARM 32位的Cortex™-M3CPU− 72MHz ，高达90DMips ，1.25DMips/MHz − 单周期硬件乘法和除法——加快计算 ■存储器− 从32K 字节至128K 字节闪存程序存储器 − 从6K 字节至20K 字节SRAM − 多重自举功能■时钟、复位和供电管理− 2.0至3.6伏供电和I/O 管脚− 上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD)、掉电监测器− 内嵌4至16MHz 高速晶体振荡器− 内嵌经出厂调校的8MHz 的RC 振荡器 − 内嵌40kHz 的RC 振荡器 − 内嵌PLL 供应CPU 时钟− 内嵌使用外部32kHz 晶体的RTC 振荡器 ■低功耗− 3种省电模式：睡眠、停机和待机模式 − VBAT 为RTC 和后备寄存器供电■2个12位模数转换器，1us 转换时间(16通道) − 转换范围是0至3.6V − 双采样和保持功能 − 温度传感器 ■ 调试模式− 串行线调试(SWD)和JTAG 接口 ■DMA− 7通道DMA 控制器− 支持的外设：定时器、ADC 、SPI 、I2C 和USART■多达80个快速I/O 口− 26/36/51/80个多功能双向5V 兼容的I/O 口 − 所有I/O 口可以映像到16个外部中断■ 多达7个定时器− 多达3个同步的16位定时器，每个定时器有多达4个用于输入捕获/输出比较/PWM 或脉冲计数的通道− 16位6通道高级控制定时器− 多达6路PWM 输出 − 死区控制、边缘/中间对齐波形和紧急制动− 2个看门狗定时器(独立的和窗口型的) − 系统时间定时器：24位的、带自动加载功能的■ 多达9个通信接口− 多达2个I2C 接口(SMBus/PMBus)− 多达3个USART 接口，支持ISO7816，LIN ，IrDA 接口和调制解调控制− 多达2个SPI 同步串行接口(18兆位/秒) − CAN 接口(2.0B 主动) − USB 2.0全速接口 ■ ECOPACK ®封装（兼容RoHS ）表一 器件列表 参 考基本型号STM32F103x6 STM32F103C6, STM32F103R6,STM32F103T6STM32F103x8 STM32F103C8, STM32F103R8,STM32F103V8, STM32F103T8STM32F103xB STM32F103RB, STM32F103VB,STM32F103C8初步信息1介绍本文给出了STM32F103xx增强型的订购信息和器件的机械特性。
stm32f103中文手册[2]
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stm32f103中文手册概述72 MHz的最大主频，1.25 DMIPS/MHz的性能64 KB到512 KB的闪存，20 KB到64 KB的SRAM7个通道的DMA控制器2个12位模数转换器（ADC），每一个ADC最多16个通道2个数字摹拟转换器（DAC）3个高级控制定时器，4个通用定时器，2个基本定时器，1个系统定时器1个USB全速设备接口2个CAN总线接口3个I2C总线接口5个USART接口，其中3个支持同步通信2个SPI总线接口1个SDIO接口51到112个GPIO引脚，支持中断和唤醒功能7到12位的LCD驱动器（仅STM32F103x8和STM32F103xB）多种低功耗模式，包括停机、待机、睡眠和住手模式多种时钟源和时钟安全系统多种复位源和复位管理系统多种保护机制，包括闪存写保护、调试访问保护、电源电压检测等引脚分配stm32f103有多种封装形式，包括LQFP64、LQFP100、LQFP144、BG A100、BGA144等。
不同封装形式的引脚分配如下图所示：![引脚分配图]存储器映射stm32f103的存储器空间为4GB，分为两部份：代码区和系统区。
代码区占用前2GB，用于存放程序代码和数据。
系统区占用后2GB，用于存放外设寄存器和系统服务。
存储器映射如下表所示：---地址范围 ---描述 ---------------0x0000 0000 0x1FFF FFFF ---代码区 -------0x2000 0000 0x2000 FFFF ---SRAM -------0x4000 0000 0x4002 3FFF ---外设寄存器 -------0x4200 0000 0x43FF FFFF ---外设位带区 -------0xE000 0000 0xE00F FFFF ---Cortex-M3系统服务 ----外设介绍ADCstm32f103有两个12位ADC，每一个ADC最多可以配置16个输入通道。
MEMORY存储芯片STM32F103RCT6中文规格书
Features•Core: Arm® 32-bit Cortex®-M3 CPU–72 MHz maximum frequency, 1.25DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) performance at 0 wait statememory access–Single-cycle multiplication and hardwaredivision•Memories–256 to 512 Kbytes of Flash memory–up to 64 Kbytes of SRAM–Flexible static memory controller with 4 Chip Select. Supports Compact Flash, SRAM,PSRAM, NOR and NAND memories–LCD parallel interface, 8080/6800 modes •Clock, reset and supply management – 2.0 to 3.6V application supply and I/Os–POR, PDR, and programmable voltage detector (PVD)–4-to-16 MHz crystal oscillator–Internal 8 MHz factory-trimmed RC–Internal 40 kHz RC with calibration–32 kHz oscillator for RTC with calibration •Low power–Sleep, Stop and Standby modes–V BAT supply for RTC and backup registers • 3 × 12-bit, 1 µs A/D converters (up to 21channels)–Conversion range: 0 to 3.6 V–Triple-sample and hold capability–Temperature sensor• 2 × 12-bit D/A converters•DMA: 12-channel DMA controller–Supported peripherals: timers, ADCs, DAC, SDIO, I2Ss, SPIs, I2Cs and USARTs •Debug mode–Serial wire debug (SWD) & JTAG interfaces–Cortex®-M3 Embedded Trace Macrocell™•Up to 112 fast I/O ports–51/80/112 I/Os, all mappable on 16 external interrupt vectors and almost all 5V-tolerant •Up to 11 timers–Up to four 16-bit timers, each with up to 4IC/OC/PWM or pulse counter and quadrature(incremental) encoder input– 2 × 16-bit motor control PWM timers with dead-time generation and emergency stop– 2 × watchdog timers (Independent and Window)–SysTick timer: a 24-bit downcounter– 2 × 16-bit basic timers to drive the DAC•Up to 13 communication interfaces–Up to 2 × I2C interfaces (SMBus/PMBus)–Up to 5 USARTs (ISO 7816 interface, LIN, IrDA capability, modem control)–Up to 3 SPIs (18 Mbit/s), 2 with I2S interface multiplexed–CAN interface (2.0B Active)–USB 2.0 full speed interface–SDIO interface•CRC calculation unit, 96-bit unique ID •ECOPACK® packagesTable 1.Device summary Reference Part numberSTM32F103xCSTM32F103RC STM32F103VCSTM32F103ZCSTM32F103xDSTM32F103RD STM32F103VDSTM32F103ZDSTM32F103xESTM32F103RE STM32F103ZESTM32F103VE找Memory、FPGA、二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感器、滤波器，上深圳市美光存储技术有限公司July 2018DS5792 Rev 13STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE Electrical characteristicsElectrical characteristics STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xEDS5792 Rev 135.3 Operating conditions5.3.1General operating conditionsTable 9. Thermal characteristicsSymbol RatingsValue Unit T STG Storage temperature range –65 to +150°C T JMaximum junction temperature150°CTable 10. General operating conditionsSymbol ParameterConditionsMin Max Unitf HCLK Internal AHB clock frequency -0 72MHz f PCLK1Internal APB1 clock frequency -0 36f PCLK2Internal APB2 clock frequency -0 72V DDStandard operating voltage -2 3.6V V DDA (1)1.When the ADC is used, refer to Table 59: ADC characteristics .Analog operating voltage(ADC not used)Must be the same potential as V DD (2)2.It is recommended to power V DD and V DDA from the same source. A maximum difference of 300mVbetween V DD and V DDA can be tolerated during power-up and operation.2 3.6VAnalog operating voltage (ADC used)2.43.6V BATBackup operating voltage- 1.8 3.6V P DPower dissipation at T A = 85°C for suffix 6 or T A = 105°C for suffix 7(3)3.If T A is lower, higher P D values are allowed as long as T J does not exceed T J max (see Table 6.7: Thermalcharacteristics on page 132).LQFP144-666mW LQFP100-434LQFP64-444LFBGA100-500LFBGA144-500WLCSP64-400T AAmbient temperature for 6 suffix versionMaximum power dissipation -4085°C Low-power dissipation (4)4.In low-power dissipation state, T A can be extended to this range as long as T J does not exceed T J max (seeTable 6.7: Thermal characteristics on page 132).-40105Ambient temperature for 7 suffix versionMaximum power dissipation -40105°CLow-power dissipation (4)-40125T JJunction temperature range6 suffix version -40105°C7 suffix version-40125STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE Electrical characteristics5.3.2 Operating conditions at power-up / power-downThe parameters given in Table 11 are derived from tests performed under the ambienttemperature condition summarized in Table 10.Table 11. Operating conditions at power-up / power-downSymbol ParameterConditionsMin Max Unit t VDDV DD rise time rate -0∞µs/VV DD fall time rate20∞Electrical characteristics STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE5.3.4 Embedded reference voltageThe parameters given in Table 13 are derived from tests performed under ambienttemperature and V DD supply voltage conditions summarized in Table 10.Table 13. Embedded internal reference voltageSymbol ParameterConditions Min Typ Max Unit V REFINTInternal reference voltage –40 °C < T A < +105 °C 1.16 1.20 1.26V–40 °C < T A < +85 °C1.16 1.20 1.24T S_vrefint(1)1.Shortest sampling time can be determined in the application by multiple iterations.ADC sampling time when reading the internal reference voltage-- 5.117.1(2)2.Guaranteed by design.µsV RERINT(2)Internal reference voltage spread over the temperature rangeV DD = 3 V ±10 mV--10mV T Coeff (2)Temperature coefficient---100ppm/°C。
stm32f103中文手册[1]
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STM32F103中文手册概述32位ARM® Cortex®-M3内核，最高运行频率72 MHz从16 KB到1 MB的闪存，从6 KB到96 KB的SRAM从36到144个引脚的不同封装，支持LQFP、BGA、TFBGA、UFBGA和V FQFPN等从1.65 V到3.6 V的宽电源电压范围，支持低功耗模式和电池供电从-40°C到+105°C的工作温度范围多达11个通信接口，包括3个USART、2个UART、2个I2C、2个SPI、1个CAN和1个USB 2.0全速多达15个定时器，包括7个16位通用定时器、2个16位基本定时器、2个16位高级定时器、2个32位定时器和2个看门狗定时器多达3个12位模数转换器（ADC），每秒可采样1.2 M次两路12位数模转换器（DAC）多达80个外部中断/事件源多达112个GPIO端口，支持5 V耐压CRC计算单元，用于检测数据传输错误实时时钟（RTC），支持日历功能和闹钟功能嵌入式内存保护单元（MPU），用于增强应用程序安全性嵌入式调试支持，包括串行线调试（SWD）和JTAG接口7层DMA控制器，支持所有外设数据传输可选的双银行闪存模式，支持实时软件更新存储器映射STM32F103系列单片机的存储器映射如下图所示：![存储器映射]代码区：包括闪存和系统存储器。
闪存用于存储用户程序代码和数据。
系统存储器用于存储引导加载程序（bootloader）和设备标识符。
SRAM区：包括SRAM1和SRAM2。
SRAM1用于存储用户程序数据和堆栈。
SRAM2用于存储备份寄存器和备份域。
外设区：包括APB1外设、APB2外设和AHB外设。
APB1外设和APB2外设是通过两个高速总线矩阵连接到内核的低速外设。
AHB外设是通过一个高速总线矩阵连接到内核的高速外设。
外部设备区：包括FSMC区域、NOR/PSRAM区域和NAND/CF区域。
STM32F103中文教程及参考手册
参照 STM32F10xxx 参考手册英文第二版 /stonline/products/literature/rm/13902.pdf
目录
STM32F10xxx 参考手册
目录
1 文中的缩写
14
1.1寄存器描述表中使用的缩写表 ------------------------------------------------------ 14
目录
STM32F10xxx 参考手册
4.2.3 4.2.4 4.2.5 4.2.6 4.2.7 4.2.8 4.2.9 4.2.10
PLL --------------------------------------------------------------------------------------39 LSE时钟 --------------------------------------------------------------------------------39 LSI时钟 ---------------------------------------------------------------------------------40 系统时钟(SYSCLK)选择 ------------------------------------------------------------40 时钟安全系统(CSS) ------------------------------------------------------------------40 RTC时钟 --------------------------------------------------------------------------------41 看门狗时钟 ----------------------------------------------------------------------------41 时钟输出 -------------------------------------------------------------------------------41
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描述 STM32F103x8，STM32F103xB一百〇五分之一十八 DocID13587 Rev 16高级控制定时器（TIM1）高级控制定时器（TIM1） 可以看作是6路三相PWM复用通道.它具有互补的PWM输出，具有可编程的插入死区.它也可以看作是一个完整的通用定时器. 4个独立通道可以用于 ?输入捕捉 ?输出比较 ? PWM生成（边沿或中心对齐模式） ?单脉冲模式输出如果配置为通用16位定时 器，它具有与TIMx定时器相同的功能.如果配置为16位PWM发生器，具有完全调制能力（0-100％）.在调试模式下，高级控制 定时器计数器可以被冻结，PWM输出禁用这些输出驱动的任何电源开关.许多功能与具有该功能的通用TIM定时器共享相同的 建筑.因此，高级控制定时器可以与TIM一起工作定时器通过定时器链接功能进行同步或事件链接.通用计时器（TIMx）多可以 嵌入三个可同步的通用定时器 STM32F103xx性能线设备.这些定时器基于16位自动重新加载一个16位预分频器，具有4个独立的 通道，用于输入捕捉/输出比较，PWM或单脉冲模式输出.多可输入12个输入捕获/输出比较/大封装上的PWM.通用定时器可以 通过定时器与高级控制定时器一起工作用于同步或事件链接的链接功能.他们的计数器可以在调试中冻结模式.任何通用定时器 都可用于产生PWM输出.他们都具有独立的DMA请求生成.这些定时器能够处理正交（增量）编码器信号 1到3个霍尔效应传感 器的数字输出.独立看门狗独立看门狗基于12位向下计数器和8位预分频器.它是来自独立的40 kHz内部RC，并且它独立于运行 主时钟，它可以在停止和待机模式下工作.它可以用作看门狗在发生问题时重置设备，或者作为应用程序超时的自由运行定时 器管理.它可以通过选项字节进行硬件或软件配置.柜台可以在调试模式下冻结.窗口看门狗窗口看门狗基于可以设置为自由运 行的7位下行计数器.它可以用作看门狗在出现. DocID13587 Rev 16 2.3概观 2.3.1 具有嵌入式闪存和SRAM的ARM?Cortex?-M3内核 ARM Cortex?-M3处理器是嵌入式的新一代 ARM处理器系统.它已经开发出来提供一个满足MCU需求的低成本平台实现，减少引脚数和低功耗，同时交付出色的计算性 能和对中断的高级系统响应. ARM Cortex?-M3 32位RISC处理器具有卓越的代码效率，通过ARM内核提供高性能预期的内存大 小与8位和16位器件相关联.因此，具有嵌入式ARM内核的STM32F103xx性能系列产品系列兼容所有ARM工具和软件.图1显示了 器件系列的一般框图. 2.3.2嵌入式闪存 64或128 KB的嵌入式闪存可用于存储程序和数据. 2.3.3 CRC（循环冗余校验）计算单元 CRC（循环冗余校验）计算单元用于从32位获取CRC码数据字和固定的生成多项式.在其他应用中，基于CRC的技术用于验证 数据传输存储完整性.在EN / IEC 60335-1标准的范围内，它们提供了一种方法验证闪存完整性. CRC计算单元有助于计算签名 在运行期间的软件，与链接时生成的参考签名进行比较，时间并存储在给定的存储位置. 2.3.4嵌入式SRAM以0等待的CPU时钟 速度访问（读/写）二十KB的嵌入式SRAM状态. 2.3.5嵌套矢量中断控制器（NVIC） STM32F103xx性能线嵌入一个嵌套向量中 断控制器处理多达43个可屏蔽中断通道（不包括16个中断线 Cortex?-M3）和16个优先级. ?紧密耦合的NVIC提供低延迟中断处 理 ?中断条目向量表地址直接传递给核心 ?紧密耦合的NVIC核心接口 ?允许早期处理中断 ?处理晚到高优先级中断 ?支持尾链 ? 处理器状态自动保存 ?中断条目在中断退出时恢复. DMA灵活的7通道通用DMA能够管理内存到内存，外设到内存和内存到外设的传输. DMA控制器支持循环缓冲管理避免了当 控制器产生中断到达缓冲区的末尾.每个通道都连接到专用硬件DMA请求，并支持软件触发每个通道.配置由软件和传输大小 之间进行源和目的地是独立的. DMA可用于主要外设：SPI，I 2 C，USART，通用和高级控制定时器TIMx和ADC. 2.3.14 RTC（实时时钟）和备份寄存器 RTC和备用寄存器是通过开启电源的开关提供的 V DD 电源存在或通过V BAT 引脚. 备份寄存 器是十个16位 当V DD 电源不存在 时，寄存器用于存储20个字节的用户应用数据 .实时时钟提供了一套连续运行的计数器，可 与之配合使用适合软件提供时钟日历功能，并提供报警中断和周期性中断.它采用32.768 kHz外部晶振，谐振器或振荡器内部 低功耗RC振荡器或高速外部时钟除以128内部低功耗RC的典型频率为40 kHz.可以使用RTC进行校准外部512 Hz输出，以补偿 任何天然晶体偏差. RTC具有32位可编程计数器，可使用Compare进行长期测量注册以产生报警.一个20位的预分频器用于时基 时钟默认配置为从32.768 kHz的时钟生成1秒的时基. 2.3.15计时器和看门狗中密度STM32F103xx性能线设备包括高级控制定时 器，三个通用定时器，两个看门狗定时器和一个SysTick定时器.表4比较了高级控制和通用定时器的功能.表4.定时器功能比较 计时器计数器解析度计数器类型预分频器因子 DMA请求代捕获/比较渠道补充输出 TIM1 16位向上，下，向上/向下任何整数 介于1之间和65536是 4是 TIM2， TIM3， TIM4 16位向上，下，向上/向下任何整数介于1之间
stm32f103ret6中文资料
程序存储ห้องสมุดไป่ตู้类型：闪存
EEPROM尺寸：-
内存容量：64K x 8
电源电压（VCC/VDD）：2V~3.6V
数据转换器：A/D 16x12b；D/A 2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C~85°C
包装/箱：64 lqfp
包装：托盘
配套项目：497-10030-nd-10030-nd-10030-nd-Star kit STM32 cortexm3497-6289-nd-stm32mcbstm32ume-nd用于stm32ksdkstm32 pl nd kit IAR启动套件性能Bear Eval mcbstm32+ulnk-memcbstm32u-nd-d-board Eval mcbstm32+ulnkk2cbstm32-nd-STMSM32X板评估SER497-6289-6289-nd-STM32MCBSTM32U-nd-nd-nd kit性能棒-Evalmcbstm32-nd-stmsm32x板套件ser497-6053-6053-nd-stm32497-6052-nd-kit stm32497-6050-nd-kit stm3297-6049-nd-kit起动器评估低成本STM32More
EEPROM容量
内存容量：64kx8
电压供应（VCC/VDD）：2V~3.6V
数据转换器：A/d16x12b；D/a2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C~85°C
包装：64 lqfp
核心处理器：arm？皮革伽马-M3
核心尺寸：32位
速度：72MHz
连接：坦克、I2C、IrDA、Lin、SPI、UART/USART、USB
STM32F103_数据手册(中文)-stm32数据手册
数据手册STM32F103xC STM32F103xDSTM32F103xE 增强型，32位基于ARM核心的带512K字节闪存的微控制器USB、CAN、11个定时器、3个ADC 、13个通信接口初步信息功能■内核：ARM 32位的Cortex™-M3 CPU −最高72MHz工作频率，1.25DMips/MHz(Dhrystone2.1)，在存储器的0等待周期访问时−单周期乘法和硬件除法■存储器−从256K至512K字节的闪存程序存储器−高达64K字节的SRAM−带4个片选的灵活的静态存储器控制器。
支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器−并行LCD接口，兼容8080/6800模式■时钟、复位和电源管理− 2.0～3.6伏供电和I/O管脚−上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD)−内嵌4～16MHz晶体振荡器−内嵌经出厂调校的8MHz的RC振荡器−内嵌带校准的40kHz的RC振荡器−带校准功能的32kHz RTC振荡器■低功耗−睡眠、停机和待机模式−V BAT为RTC和后备寄存器供电■3个12位模数转换器，1μs转换时间(多达21个输入通道)−转换范围：0至3.6V−三倍采样和保持功能−温度传感器■2通道12位D/A转换器■DMA− 12通道DMA控制器−支持的外设：定时器、ADC、DAC、SDIO、I2S、SPI、I2C和USART■多达112个快速I/O口− 51/80/112个多功能双向的I/O口−所有I/O口可以映像到16个外部中断−除了模拟输入口以外的IO口可容忍5V信号输入■调试模式−串行单线调试(SWD)和JTAG接口− Cortex-M3内嵌跟踪模块(ETM)■多达11个定时器−多达4个16位定时器，每个定时器有多达4个用于输入捕获/输出比较/PWM或脉冲计数的通道−2个16位6通道高级控制定时器，多达6路PWM输出，带死区控制−2个看门狗定时器(独立的和窗口型的)−系统时间定时器：24位自减型计数−2个16位基本定时器用于驱动DAC■多达13个通信接口−多达2个I2C接口(支持SMBus/PMBus)−多达5个USART接口(支持ISO7816，LIN，IrDA接口和调制解调控制)−多达3个SPI接口(18M位/秒)，2个可复用为I2S接口− CAN接口(2.0B 默认)− USB 2.0全速接口− SDIO接口■CRC计算单元■ECOPACK®封装表1器件列表参考基本型号STM32F103xC STM32F103RC、STM32F103VC、STM32F103ZCSTM32F103xD STM32F103RD、STM32F103VD、STM32F103ZDSTM32F103xE STM32F103RE、STM32F103ZE、STM32F103VE1介绍本文给出了STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE增强型的订购信息和器件的机械特性。
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stm32f103中文手册第一章综述1.1 STM32F103系列微控制器概述1.2 STM32F103系列微控制器特性1.3 STM32F103系列微控制器产品线第二章存储器2.1 存储器映射2.2 Flash存储器2.3 系统存储器2.4 备份寄存器2.5 静态随机存取存储器（SRAM）第三章外设3.1 复位和时钟控制（RCC）3.2 独立看门狗（IWDG）3.3 窗口看门狗（WWDG）3.4 嵌套向量中断控制器（NVIC）3.5 系统定时器（SysTick）...第一章综述1.1 STM32F103系列微控制器概述STM32F103系列微控制器是基于ARM® Cortex®-M3内核的高性能、低功耗、增强型单片机。
它们提供了从64KB到512KB Flash存储器和从20KB到64KBSRAM存储器的不同容量选择。
它们还集成了丰富的外设资源，包括USB 、CAN、11个定时器、3个ADC、13个通讯接口等。
STM32F103系列微控制器采用了先进的90nmNVM工艺技术，具有出色的电源效率。
它们支持多种低功耗模式，包括停机模式、待机模式、睡眠模式和停止模式。
它们还支持动态电压调节和动态频率调节，以进一步降低功耗。
STM32F103系列微控制器具有高度灵活性和可扩展性。
它们支持多种封装类型，从36引脚到144引脚不等。
它们还支持多种内部和外部时钟源，包括高速内部振荡器（HSI）、低速内部振荡器（LSI）、高速外部振荡器（HSE）、低速外部振荡器（LSE）和相位锁定环（PLL）。
它们还支持多种外部存储器接口，包括NOR Flash、SRAM、NAND Flash、SDIO等。
1.2 STM32F103系列微控制器特性---特性 ---描述 -------:-----:---------内核 ---ARM® 32位 Cortex®-M3CPU，最高72MHz运行频率，单周期乘法和硬件除法，嵌套向量中断控制器（NVIC）和系统定时器（SysTick） -------存储器 ---64KB到512KB Flash存储器，20KB到64KBSRAM存储器，512字节备份寄存器，可选的2KB系统存储器 -------电源管理 ---1.65V到3.6V电源电压范围，7uA待机模式，36uA停机模式，动态电压调节和动态频率调节 -------外设 ---USB 2.0全速设备接口，CAN2.0B接口，11个通用定时器，3个高级定时器，3个12位ADC，2个DAC，13个通讯接口（3个USART、4个UART、2个I2C、3个SPI、1个I2S），CR C计算单元，96位唯一ID -------调试和编程 ---SWD和JTAG接口，支持串行线调试（SWD）和串行线跟踪（SWO），支持Flash编程和调试 -------封装 ---36引脚到144引脚不同封装类型 ----1.3 STM32F103系列微控制器产品线STM32F103x8/xB：中等容量增强型单片机，具有64KB或128KB Flash存储器和20KBSRAM存储器。
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开发板：开发板（demo board）是用来进行嵌入式系统开发的电路板，包括中央处理器、存储器、输入设备、输出设备、数据通路/总线和外部资源接口等一系列硬件组件。
开发板一般由嵌入式系统开发者根据开发需求自己订制，也可由用户自行研究设计。
开发板是为初学者了解和学习系统的硬件和软件，同时部分开发板也提供的基础集成开发环境和软件源代码和硬件原理图等。
常见的开发板有51、ARM、FPGA、DSP开发板。
NHDev 开发板：开发板（demoboard）是用来进行嵌入式系统开发的电路板，包括中央处理器、存储器、输入设备、输出设备、数据通路/总线和外部资源接口等一系列硬件组件。
简介：NHDev开发板用于TFT、COG 图形和字符LCD 的显示器的理想工具。
基于STM32F自带预编程演示每个预装的图像和文本文件，SD 卡存储。
NHDev板是易于使用，并且能在一个显示器或多个显示器上运行，节省了资金和开发时间。
特点：·CPU：STM32F103RET6 ARM 32 bit Cortex-M3·2.54毫米（0.1“）输出引脚和通孔·PCB板尺寸：100x 95毫米·微处理器复位开关·NHD -C0216CZ - FSW - FBW显示器·3按钮用户接口·7VDC电源供应器，跳线选择+5 V，3.3V的LCD电源·跳线选择输入V0的电位器，VSS或VEE的（外部）·可变电阻调整对比·背光使用开关·预装的图像和文本文件的SD卡存储·2X10编程引脚布局与ARM的JTAG连接优点：高亮度、高对比度和快速响应时间，以及标准尺寸与接口。
在一个点的像素格式种类繁多，低功耗图形应用。
应用：显示器显示模块。
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2007年10月 第三版 第1页STM32F103x6STM32F103x8 STM32F103xB增强型，32位基于ARM 核心的带闪存、USB 、CAN 的微控制器7个定时器、2个ADC 、9个通信接口功能■ 核心− ARM 32位的Cortex™-M3CPU− 72MHz ，高达90DMips ，1.25DMips/MHz − 单周期硬件乘法和除法——加快计算 ■存储器− 从32K 字节至128K 字节闪存程序存储器 − 从6K 字节至20K 字节SRAM − 多重自举功能■时钟、复位和供电管理− 2.0至3.6伏供电和I/O 管脚− 上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD)、掉电监测器− 内嵌4至16MHz 高速晶体振荡器− 内嵌经出厂调校的8MHz 的RC 振荡器 − 内嵌40kHz 的RC 振荡器 − 内嵌PLL 供应CPU 时钟− 内嵌使用外部32kHz 晶体的RTC 振荡器 ■低功耗− 3种省电模式：睡眠、停机和待机模式 − VBAT 为RTC 和后备寄存器供电■2个12位模数转换器，1us 转换时间(16通道) − 转换范围是0至3.6V − 双采样和保持功能 − 温度传感器 ■ 调试模式− 串行线调试(SWD)和JTAG 接口 ■DMA− 7通道DMA 控制器− 支持的外设：定时器、ADC 、SPI 、I2C 和USART■多达80个快速I/O 口− 26/36/51/80个多功能双向5V 兼容的I/O 口 − 所有I/O 口可以映像到16个外部中断■ 多达7个定时器− 多达3个同步的16位定时器，每个定时器有多达4个用于输入捕获/输出比较/PWM 或脉冲计数的通道− 16位6通道高级控制定时器− 多达6路PWM 输出 − 死区控制、边缘/中间对齐波形和紧急制动− 2个看门狗定时器(独立的和窗口型的) − 系统时间定时器：24位的、带自动加载功能的■ 多达9个通信接口− 多达2个I2C 接口(SMBus/PMBus)− 多达3个USART 接口，支持ISO7816，LIN ，IrDA 接口和调制解调控制− 多达2个SPI 同步串行接口(18兆位/秒) − CAN 接口(2.0B 主动) − USB 2.0全速接口 ■ ECOPACK ®封装（兼容RoHS ）表一 器件列表 参 考基本型号STM32F103x6 STM32F103C6, STM32F103R6,STM32F103T6STM32F103x8 STM32F103C8, STM32F103R8,STM32F103V8, STM32F103T8STM32F103xB STM32F103RB, STM32F103VB,STM32F103C8初步信息1介绍本文给出了STM32F103xx增强型的订购信息和器件的机械特性。
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stm32f103中文手册一、概述stm32f103c8/cb：64KB或128KB闪存，20KBSRAM，48引脚或64引脚LQFP封装。
stm32f103r8/rb：64KB或128KB闪存，20KBSRAM，64引脚LQFP封装。
stm32f103v8/vb：64KB或128KB闪存，20KBSRAM，100引脚LQFP封装。
stm32f103rc/rd/re：256KB或384KB或512KB闪存，48KB或64KB SRAM，64引脚或100引脚LQFP封装。
stm32f103vc/vd/ve：256KB或384KB或512KB闪存，48KB或64KB SRAM，100引脚LQFP封装。
stm32f103zc/zd/ze：256KB或384KB或512KB闪存，48KB或64KB SRAM，144引脚LQFP封装。
stm32f103系列的主要特性如下：72MHz的主频，1.25 DMIPS/MHz的性能。
从2.0V到3.6V的工作电压范围。
从-40°C到+85°C的工作温度范围。
多种低功耗模式，包括停机模式、待机模式、睡眠模式和停止模式。
多达7个定时器，包括3个16位通用定时器、1个16位高级定时器、2个基本定时器和1个看门狗定时器。
多达3个同步串行接口（SPI），支持I2S协议。
多达3个通用异步收发器（USART），支持ISO7816协议、LIN协议、IrDA协议和调制解调器控制。
多达2个通用串行总线（USB），支持USB 2.0全速设备和CAN2.0B协议。
多达2个I2C总线接口，支持400KHz的快速模式和10KHz的低速模式。
多达3个12位模数转换器（ADC），支持1.2us的转换时间和多通道扫描模式。
多达2个12位数模转换器（DAC），支持8位和12位的数据格式和双缓冲区输出模式。
多达80个通用输入输出端口（GPIO），支持多种工作模式和中断功能。
多达15个可屏蔽中断源和一个非屏蔽中断源（NMI）。
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概要类别：集成电路（IC）主页：嵌入式微控制器，系列：stm32核心处理器：手臂？Cortex-M3伽玛核心大小：32位速度：72MHz连接性：可以吗？C，IrDA，Lin，SPI，UART / USART，USB外围设备：DMA，电机控制，PWM，PDR，por，PVD，PWM，温度传感器，WDT 输入/输出数：51程序存储容量：512KB（512k x 8）程序存储器类型：FlashEEPROM大小：-滑枕容量：64K x 8电源电压（VCC / VDD）：2 V〜3.6 V数据转换器：A / D 16x12b；D /一个2x12b振荡器类型：内部工作温度：-40°C〜85°C包装/箱体：64-lqfp包装：托盘匹配项：497-10030-nd-10030-nd-10030-nd-用于stm32ksdkstm32-pl-nd-kit IAR启动的星空套件STM32 cortexm3497-6289-nd-stm32mcbstm32ume-nd的套件性能-熊Eval mcbstm32 + ulnk-memcbstm32u- nd-d-板Eval mcbstm32 + ulnkk2cbstm32-nd-stmstm32x板Eval SER497-6289-6289-nd-stm32mcbstm32ume32u-nd-memcbstm32u-nd-nd的套件性能棒-Eval mcbstm32 + ulnk2cbstm32的kit性能棒stm32x stm32xser497-6053-6053-nd-stm32497-6052-nd的套件启动-stm32497-6050-nd的套件启动器-stm32497-6049-nd的套件启动器-套件评估低成本STM32更多其他名称：497-6444特性没有可用的stm32f103ret6特性信息参数没有stm32f103ret6的参数信息引脚图和功能没有stm32f103ret6的引脚图和功能信息工作原则无法获得stm32f103ret6的工作原理信息替代产品没有可用的stm32f103ret6替代产品信息STM32F103RET6嵌入式微控制器核心处理器：手臂？皮质Gamma -M3核心大小：32位速度：72MHz连接性：罐，I2C，IrDA，Lin，SPI，UART / USART，USB外围设备：DMA，电机控制，PWM，PDR，por，PVD，PWM，温度传感器，WDT 输入/输出：51程序存储容量：512KB（512Kx8）程序存储器类型：闪存EEPROM容量滑枕容量：64kx8电压电源（VCC / VDD）：2V〜3.6V数据转换器：A / d16x12b；D / a2x12b振荡器类型：内部工作温度：-40°C〜85°C 包装：64-lqfp。
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数据手册参照2009年4月 STM32F103x8B 数据手册 英文第10版 （本译文仅供参考，如有翻译错误，请以英文原稿为准） 1/62STM32F103x8 STM32F103xB中等容量增强型，32位基于ARM 核心的带64或128K 字节闪存的微控制器USB 、CAN 、7个定时器、2个ADC 、9个通信接口功能■ 内核：ARM 32位的Cortex™-M3 CPU− 最高72MHz 工作频率，在存储器的0等待周期访问时可达1.25DMips/MHz(Dhrystone 2.1)− 单周期乘法和硬件除法 ■ 存储器− 从64K 或128K 字节的闪存程序存储器 − 高达20K 字节的SRAM ■ 时钟、复位和电源管理− 2.0～3.6伏供电和I/O 引脚 − 上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD)− 4～16MHz 晶体振荡器− 内嵌经出厂调校的8MHz 的RC 振荡器 − 内嵌带校准的40kHz 的RC 振荡器 − 产生CPU 时钟的PLL− 带校准功能的32kHz RTC 振荡器 ■ 低功耗− 睡眠、停机和待机模式− V BAT 为RTC 和后备寄存器供电■ 2个12位模数转换器，1μs 转换时间(多达16个输入通道)− 转换范围：0至3.6V − 双采样和保持功能 − 温度传感器 ■ DMA ：− 7通道DMA 控制器− 支持的外设：定时器、ADC 、SPI 、I 2C 和USART ■ 多达80个快速I/O 端口− 26/37/51/80个I/O 口，所有I/O 口可以映像到16个外部中断；几乎所有端口均可容忍5V 信号■ 调试模式− 串行单线调试(SWD)和JTAG 接口■ 多达7个定时器− 3个16位定时器，每个定时器有多达4个用于输入捕获/输出比较/PWM 或脉冲计数的通道和增量编码器输入− 1个16位带死区控制和紧急刹车，用于电机控制的PWM 高级控制定时器− 2个看门狗定时器(独立的和窗口型的) − 系统时间定时器：24位自减型计数器 ■ 多达9个通信接口− 多达2个I 2C 接口(支持SMBus/PMBus) − 多达3个USART 接口(支持ISO7816接口，LIN ，IrDA 接口和调制解调控制) − 多达2个SPI 接口(18M 位/秒) − CAN 接口(2.0B 主动) − USB 2.0全速接口 ■ CRC 计算单元，96位的芯片唯一代码 ■ ECOPACK ®封装 表1 器件列表参 考 基本型号STM32F103x8STM32F103C8、STM32F103R8、STM32F103V8、STM32F103T8 STM32F103xBSTM32F103RB 、STM32F103VB 、STM32F103TB本文档英文原文下载地址： /stonline/products/literature/ds/13587.pdf目录1介绍 (4)2规格说明 (5)2.1器件一览 (5)2.2系列之间的全兼容性 (6)2.3概述 (6)2.3.1ARM®的Cortex™-M3核心并内嵌闪存和SRAM (6)2.3.2内置闪存存储器 (6)2.3.3CRC(循环冗余校验)计算单元 (6)2.3.4内置SRAM (7)2.3.5嵌套的向量式中断控制器(NVIC) (7)2.3.6外部中断/事件控制器(EXTI) (7)2.3.7时钟和启动 (7)2.3.8自举模式 (7)2.3.9供电方案 (7)2.3.10供电监控器 (8)2.3.11电压调压器 (8)2.3.12低功耗模式 (8)2.3.13DMA (8)2.3.14RTC(实时时钟)和后备寄存器 (8)2.3.15定时器和看门狗 (9)2.3.16I2C总线 (10)2.3.17通用同步/异步收发器(USART) (10)2.3.18串行外设接口(SPI) (10)2.3.19控制器区域网络(CAN) (10)2.3.20通用串行总线(USB) (10)2.3.21通用输入输出接口(GPIO) (10)2.3.22ADC(模拟/数字转换器) (10)2.3.23温度传感器 (11)2.3.24串行单线JTAG调试口(SWJ-DP) (11)3引脚定义 (13)4存储器映像 (21)5电气特性 (22)5.1测试条件 (22)5.1.1最小和最大数值 (22)5.1.2典型数值 (22)5.1.3典型曲线 (22)5.1.4负载电容 (22)5.1.5引脚输入电压 (22)5.1.6供电方案 (23)5.1.7电流消耗测量 (23)参照2009年4月 STM32F103x8B数据手册英文第10版（本译文仅供参考，如有翻译错误，请以英文原稿为准） 2/625.2绝对最大额定值 (23)5.3工作条件 (25)5.3.1通用工作条件 (25)5.3.2上电和掉电时的工作条件 (25)5.3.3内嵌复位和电源控制模块特性 (25)5.3.4内置的参照电压 (26)5.3.5供电电流特性 (26)5.3.6外部时钟源特性 (33)5.3.7内部时钟源特性 (37)5.3.8PLL特性 (38)5.3.9存储器特性 (38)5.3.10EMC特性 (38)5.3.11绝对最大值(电气敏感性) (39)5.3.12I/O端口特性 (40)5.3.13NRST引脚特性 (42)5.3.14TIM定时器特性 (43)5.3.15通信接口 (43)5.3.16CAN(控制器局域网络)接口 (47)5.3.1712位ADC特性 (47)5.3.18温度传感器特性 (51)6封装特性 (52)6.1封装机械数据 (52)6.2热特性 (59)6.2.1参考文档 (59)6.2.2选择产品的温度范围 (59)7订货代码 (61)8版本历史 (62)参照2009年4月 STM32F103x8B数据手册英文第10版（本译文仅供参考，如有翻译错误，请以英文原稿为准） 3/621 介绍本文给出了STM32F103x8和STM32F103xB中等容量增强型产品的订购信息和器件的机械特性。
stm32f103中文手册[12]
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stm32f103中文手册1. 概述72 MHz的主频，可达90 DMIPS的性能64 KB至512 KB的闪存，20 KB至64 KB的SRAM7个定时器，包括3个高级定时器和4个通用定时器2个12位模数转换器，每秒1 MSPS2个I2C接口，3个USART接口，2个SPI接口1个USB 2.0全速接口1个CAN 2.0B接口37至80个GPIO引脚，支持中断和唤醒功能3个12位数字摹拟转换器实时时钟，支持日历和闹钟功能4至16 MHz的晶振振荡器，内部8 MHz的RC振荡器，内部40 kHz的RC振荡器7种低功耗模式，包括待机模式、住手模式和睡眠模式单电源3.0 V至3.6 V或者双电源1.8 V至3.6 V工作电压工作温度范围为-40°C至+85°C或者-40°C至+105°C2. 引脚定义stm32f103有多种封装形式，包括LQFP64、LQFP100、LQFP144、BG A100等²。
不同封装形式的引脚数量和罗列方式不同，但引脚功能基本相同。
下表列出了stm32f103的引脚功能和描述：---引脚名称 ---引脚功能 ---引脚描述 -------:------: ---:------: ---:------: -------VSS ---接地 ---连接到电源地 -------VDD ---电源 ---连接到正电源 -------VDDA ---摹拟电源 ---连接到正电源 -------VSSA ---摹拟接地 ---连接到电源地 -------NRST ---复位 ---复位输入，低电平有效 -------BOOT0 ---引导模式选择 ---引导模式选择输入，高电平或者低电平 -------BOOT1 ---引导模式选择 ---引导模式选择输入，高电平或者低电平 -------OSC_IN ---晶振输入 ---连接到外部晶振或者时钟信号的输入端-------OSC_OUT ---晶振输出 ---连接到外部晶振或者时钟信号的输出端 -------PA0~PA15 ---端口A引脚 ---可编程I/O引脚，具有多种功能和特性 -------PB0~PB15 ---端口B引脚 ---可编程I/O引脚，具有多种功能和特性 -------PC0~PC15 ---端口C引脚 ---可编程I/O引脚，具有多种功能和特性 -------PD0~PD15 ---端口D引脚 ---可编程I/O引脚，具有多种功能和特性 -------PE0~PE15 ---端口E引脚 ---可编程I/O引脚，具有多种功能和特性 -------JTAG_TMS ---JTAG测试模式选择 ---JTAG接口的测试模式选择信号 -------JTAG_TCK ---JTAG测试时钟 ---JTAG接口的测试时钟信号 -------JTAG_TDI ---JTAG测试数据输入 ---JTAG接口的测试数据输入信号 -------JTAG_TDO ---JTAG测试数据输出 ---JTAG接口的测试数据输出信号 -------JTAG_TRST ---JTAG测试复位 ---JTAG接口的测试复位信号 ----3. 系统架构stm32f103的系统架构如下图所示³：32位RISC架构，支持Thumb-2指令集3级流水线，支持分支预测和异常处理13个通用寄存器和1个程序计数器1个嵌套向量中断控制器（NVIC），支持多达60个中断源1个系统控制块（SCB），包含系统配置、控制和状态寄存器1个系统定时器（SysTick），提供一个24位递减计数器，可用于操作系统的节拍计时1个调试接入端口（DAP），支持JTAG和SWD两种调试协议闪存：是stm32f103的非易失性存储器，用于存储程序代码和数据。
stm32f103中文手册[10]
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stm32f103中文手册一、概述stm32f103c8/cb：64KB或128KB闪存，20KBSRAM，48引脚或64引脚LQFP封装。
stm32f103r8/rb：64KB或128KB闪存，20KBSRAM，64引脚LQFP封装。
stm32f103v8/vb：64KB或128KB闪存，20KBSRAM，100引脚LQFP封装。
stm32f103rc/rd/re：256KB或384KB或512KB闪存，48KB或64KB SRAM，64引脚或100引脚或144引脚LQFP封装。
stm32f103vc/vd/ve：256KB或384KB或512KB闪存，48KB或64KB SRAM，100引脚或144引脚LQFP封装。
stm32f103zc/zd/ze：256KB或384KB或512KB闪存，48KB或64KB SRAM，144引脚LQFP封装。
stm32f103的主要特性如下：基于ARM Cortex-M3内核，主频可达72MHz。
内置嵌套向量中断控制器（NVIC），支持多达60个中断源和4个优先级。
内置多种存储器资源，包括闪存、SRAM、备份寄存器和选项字节。
内置多种外设资源，包括GPIO、ADC、DAC、定时器、PWM、I2C、S PI、USART、CAN、USB等。
支持多种时钟源和时钟控制模式，包括内部RC振荡器、外部晶振、PLL等。
支持多种低功耗模式和唤醒机制，包括待机模式、停止模式、睡眠模式等。
支持多种调试和编程接口，包括JTAG/SWD、串口引导加载等。
支持多种电源管理功能，包括电压监测、温度传感器、复位控制等。
二、系统架构stm32f103的系统架构如图1所示¹。
其主要组成部分包括：ARM Cortex-M3内核：负责执行指令和处理数据。
NVIC：负责管理中断请求和中断服务程序。
存储器总线：负责连接内核和存储器资源。
AHB总线：负责连接内核和高速外设资源。
APB1总线：负责连接内核和低速外设资源1。
stm32f103rct6中文资料_数据手册_参数
家庭：嵌入式-微控制器 系列：STM32 芯体尺寸：32-位 速度：72MHz 连通性：CAN，I2C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART，USB 外围设备：DMA，电机控制PWM，PDR，POR，PVD，PWM，温度传感器，WDT 输入/输出数：51 程序存储器容量：256KB (256K x 8) RAM容量：48K x 8 电压-电源(Vcc/Vdd)：2 V ~ 3.6 V 振荡器型：内部 工作温度：-40°C ~ 85°C 封装/外壳：64-LQFP 包装：托盘 STM32F103RCT6是一种嵌入式-微控制器的集成电路（IC），是由ST公司开发的STM32F103RCT6系列的其中一种，芯体尺寸是32位，速度是72MHz，程序存储器容 量是256KB，程序存储器类型是FLASH，RAM容量是48K。 STM32F103F103通过I/O 接口与TFT液晶模块相连接，虽然很多的TFT液晶模块中内置的液晶屏控制器都支持SPI 接口通信（如ILI9325）但由于SPI传输速度较慢不利 于液晶数据的快速传输，因此很多液晶模块都选择采用并口通信。 其中PB0-PB15分别与D0-D15相连作为数据通信口，PA0、PA4、PA5、PA6、PA7 分别连接RESET、CS、RS、WR、RD，作为控制口，实现复位、片选、指令数 据切换、读写等控制功能。 软件部分的编程采用C语言，一方面主要完成STM32F103对I/O 管脚的配置，用来实现对四线电阻触摸屏端子状态的控制，通过中断方 式检测是否有触摸信息，配置A/D转换通道，读入电压根据公式计算出触点坐标。另一方面主要完成通过与TFT液晶模块的通信控制，实现触摸点坐标与液晶屏坐 标的对应并有效完成显示任务。软件的开发环境是MDK，MDK 将ARM 开发工具RealView DevelopmentSuite（简称为RVDS）的编译器RVCT与Keil的工程管理、调试 仿真工具集成在一起，支持ARM7、ARM9和最新的Cortex-M3核处理器，自动配置启动代码，集成Flash烧写模块，强大的Simulation设备模拟，性能分析等功能，与 ARM 之前的工具包ADS等相比，RealView编译器的最新版本可将性能改善超过20%.本文提出了基于STM32F103RCT6单片机的EMS液晶显示触摸屏的设计方 案。STM32F103F103的高速、低耗的优越性能完全可以达到触摸屏的主控制芯片要求，TFT液晶显示器可以满足更复杂、多彩、灵活的显示任务，符合显示屏性能 不断攀升的发展趋势。本设计充分利用了STM32F103芯片的优势，抛弃了传统触摸屏控制器控制触摸屏的方案，利用自身A/D完成了触摸屏功能，本方案大大简化 了硬件电路结构，通信更可靠，编程也更加简洁，最终既能达到EMS显示要求，出色地显示和设置了系统所需要的数据，又能降低系统的成本，通过实际使用达到 了良好的效果。鉴于当前电动车的快速发展，本方案可以拥有不错的应用前景。
MEMORY存储芯片STM32F103RCT6中文规格书
Features•Core: Arm® 32-bit Cortex®-M3 CPU–72 MHz maximum frequency, 1.25DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) performance at 0 wait statememory access–Single-cycle multiplication and hardwaredivision•Memories–256 to 512 Kbytes of Flash memory–up to 64 Kbytes of SRAM–Flexible static memory controller with 4 Chip Select. Supports Compact Flash, SRAM,PSRAM, NOR and NAND memories–LCD parallel interface, 8080/6800 modes •Clock, reset and supply management – 2.0 to 3.6V application supply and I/Os–POR, PDR, and programmable voltage detector (PVD)–4-to-16 MHz crystal oscillator–Internal 8 MHz factory-trimmed RC–Internal 40 kHz RC with calibration–32 kHz oscillator for RTC with calibration •Low power–Sleep, Stop and Standby modes–V BAT supply for RTC and backup registers • 3 × 12-bit, 1 µs A/D converters (up to 21channels)–Conversion range: 0 to 3.6 V–Triple-sample and hold capability–Temperature sensor• 2 × 12-bit D/A converters•DMA: 12-channel DMA controller–Supported peripherals: timers, ADCs, DAC, SDIO, I2Ss, SPIs, I2Cs and USARTs •Debug mode–Serial wire debug (SWD) & JTAG interfaces–Cortex®-M3 Embedded Trace Macrocell™•Up to 112 fast I/O ports–51/80/112 I/Os, all mappable on 16 external interrupt vectors and almost all 5V-tolerant •Up to 11 timers–Up to four 16-bit timers, each with up to 4IC/OC/PWM or pulse counter and quadrature(incremental) encoder input– 2 × 16-bit motor control PWM timers with dead-time generation and emergency stop– 2 × watchdog timers (Independent and Window)–SysTick timer: a 24-bit downcounter– 2 × 16-bit basic timers to drive the DAC•Up to 13 communication interfaces–Up to 2 × I2C interfaces (SMBus/PMBus)–Up to 5 USARTs (ISO 7816 interface, LIN, IrDA capability, modem control)–Up to 3 SPIs (18 Mbit/s), 2 with I2S interface multiplexed–CAN interface (2.0B Active)–USB 2.0 full speed interface–SDIO interface•CRC calculation unit, 96-bit unique ID •ECOPACK® packagesTable 1.Device summary Reference Part numberSTM32F103xCSTM32F103RC STM32F103VCSTM32F103ZCSTM32F103xDSTM32F103RD STM32F103VDSTM32F103ZDSTM32F103xESTM32F103RE STM32F103ZESTM32F103VE找Memory、FPGA、二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感器、滤波器，上深圳市美光存储技术有限公司July 2018DS5792 Rev 13STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE Electrical characteristicsElectrical characteristics STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xEDS5792 Rev 135.3 Operating conditions5.3.1General operating conditionsTable 9. Thermal characteristicsSymbol RatingsValue Unit T STG Storage temperature range –65 to +150°C T JMaximum junction temperature150°CTable 10. General operating conditionsSymbol ParameterConditionsMin Max Unitf HCLK Internal AHB clock frequency -0 72MHz f PCLK1Internal APB1 clock frequency -0 36f PCLK2Internal APB2 clock frequency -0 72V DDStandard operating voltage -2 3.6V V DDA (1)1.When the ADC is used, refer to Table 59: ADC characteristics .Analog operating voltage(ADC not used)Must be the same potential as V DD (2)2.It is recommended to power V DD and V DDA from the same source. A maximum difference of 300mVbetween V DD and V DDA can be tolerated during power-up and operation.2 3.6VAnalog operating voltage (ADC used)2.43.6V BATBackup operating voltage- 1.8 3.6V P DPower dissipation at T A = 85°C for suffix 6 or T A = 105°C for suffix 7(3)3.If T A is lower, higher P D values are allowed as long as T J does not exceed T J max (see Table 6.7: Thermalcharacteristics on page 132).LQFP144-666mW LQFP100-434LQFP64-444LFBGA100-500LFBGA144-500WLCSP64-400T AAmbient temperature for 6 suffix versionMaximum power dissipation -4085°C Low-power dissipation (4)4.In low-power dissipation state, T A can be extended to this range as long as T J does not exceed T J max (seeTable 6.7: Thermal characteristics on page 132).-40105Ambient temperature for 7 suffix versionMaximum power dissipation -40105°CLow-power dissipation (4)-40125T JJunction temperature range6 suffix version -40105°C7 suffix version-40125STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE Electrical characteristics5.3.2 Operating conditions at power-up / power-downThe parameters given in Table 11 are derived from tests performed under the ambienttemperature condition summarized in Table 10.Table 11. Operating conditions at power-up / power-downSymbol ParameterConditionsMin Max Unit t VDDV DD rise time rate -0∞µs/VV DD fall time rate20∞Electrical characteristics STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE5.3.4 Embedded reference voltageThe parameters given in Table 13 are derived from tests performed under ambienttemperature and V DD supply voltage conditions summarized in Table 10.Table 13. Embedded internal reference voltageSymbol ParameterConditions Min Typ Max Unit V REFINTInternal reference voltage –40 °C < T A < +105 °C 1.16 1.20 1.26V–40 °C < T A < +85 °C1.16 1.20 1.24T S_vrefint(1)1.Shortest sampling time can be determined in the application by multiple iterations.ADC sampling time when reading the internal reference voltage-- 5.117.1(2)2.Guaranteed by design.µsV RERINT(2)Internal reference voltage spread over the temperature rangeV DD = 3 V ±10 mV--10mV T Coeff (2)Temperature coefficient---100ppm/°C。
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