【2016年武汉纺织大学考研真题】816电子技术基础
2016年湖北师范大学光电子技术基础考研真题考研试题硕士研究生入学考试试题
湖北师范学院2016年招收硕士研究生入学考试试题考试科目：光电子技术基础科目代码：819适用专业：光学工程注意：所有答案一律写在专用答题纸上，否则无效。
（考试时间：180分钟，满分150分）一、单项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）1、激光产生主要利用下面哪种机制（）A、自发辐射B、受激辐射C、受激吸收D、激发2、波长λ的光经过孔径D的小孔在焦距f处的衍射艾里斑半径为（）A、r=1.22λf/dB、r= 1.32λf/dC、r=1.4λf/dD、r=1.5λf/d3、光纤的主要特性包括损耗与（）A、噪声B、光功率C、色散D、脉冲展宽4、在光纤系统中能够把光路损耗很小地连接起来的器件是（）A、光纤连接器B、光放大器C、激光器D、光隔离器5、利用光伏效应工作的光电探测器是（）A、光敏电阻B、光电池C、光电管D、热电偶6、声光调制器是利用（）制成的A、电光效应B、旋光效应C、光电效应D、弹光效应7、等离子体显示主要利用（）实现的A、阴极射线发光B、化学发光C、光致发光D、气体辉光放电8、下面不属于光无源器件的是（）A、光开关B、光隔离器C、半导体激光器D、光耦合器9、激光器基本结构主要包括激光工作物质、泵浦源与（）等A、谐振腔B、冷却系统C、聚光镜D、输出镜10、光在晶体中传播时常常会产生（）现象A、衍射B、双折射C、偏振D、发光二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）本科目共3页，此为第1页。
武汉纺织大学_816电子技术基础2007--2017年_考研真题
武汉纺织大学
2017年招收硕士学位研究生试卷科目代码816科目名称电子技术基础
考试时间2016年12月25日下午报考专业
1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。
2、试题之间不留空格。
3、答案请写在答题纸上，在此试卷上答题无效。
题号一二三四五六七八九十十一得分
得分
本试卷总分150分，考试时间3小时。
一、将下列逻辑式化简成最简与或表达式。
（15分）
1、F=A+A’BC+B’C+BC’
2、Y=AC+AC’D+AB’E’F+B(D○+E)+BC’DE’+BC’D’E+ABE’F
3、Z(A,B,C,D)=Σm(3,5,6,7,10)+d(0,1,2,4,8)
二、判断题（20分）
1、判断图2-1所示电路能否作为直流稳压电源中的滤波电路，简述理由。
2、判断图2-2所示电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
3、判断图2-3所示正弦波振荡电路能否振荡？
4、判断图2-4构成的是几进制计数器？图中芯片为74LS161集成四位二进制加法计数器（异步清零，同步预置）。
图2-1图2-2
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【2016年武汉纺织大学考研真题】848数据结构
科目名称 数据结构 报考专业
1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。 2、试题之间不留空格。 3、答案请写在答题纸上，在此试卷上答题无效。
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 十一 得分 得分
(10 分) 5、有如下所示的连通网，要求：
①采用普里姆(Prim)算法，从顶点 C 开始，给出构造最小生成树的过程 (10 分) ②采用克鲁斯卡尔(Kruskal)算法，给出构造最小生成树的过程 (10 分)
A
1
3
B
2
D
9
10
C
4
7
5
6
E
8
F
6、已知待排序的关键字序列为{10，30，50，20，40，60} ①采用“直接插入排序”方法，给出按从小到大的顺序排序的过程 (10 分) ②采用“简单选择排序”方法，给出按从小到大的顺序排序的过程 (10 分)
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三、算法设计题（每题 20 分，共 40 分） 1、输入 100 个互不相同的分数，去掉最高分和最低分后求平均分。要求写出完整 的程序。 2、输入 100 个整数到一维数组 t 中，再输入 1 个整数到变量 x 中。如果没有与 x 相等的数组元素，输出-1；否则，输出与 x 相等的所有数组元素的下标。要求写 出完整的程序。
本试卷总分 150 分，考试时间 3 小时。
一、填空题（每空 3 分，共 30 分） 1、_____是数据的基本单位，在计算机程序中通常作为一个整体进行考虑处理。 2、数据结构在计算机中的表示(又称映像)称为数据的_____。 3、算法具有五个重要特性：有穷性、_____、可行性、输入和输出。 4、以下程序段的时间复杂度为_____。 for (i = 1; i <= n; i++) for (j = 1; j <= n; j++) s += i * j; 5、如果入栈序列为 ABCDE，出栈序列为 CBADE，则栈的深度最少为_____。 6、树中度为 0 的结点称为_____。 7、深度为 10 的二叉树至多有_____个结点。 8、对一棵完全二叉树的结点按层序编号，根结点的编号为 1，如果编号为 n 的结 点有左孩子，则该左孩子的编号为_____。 9、有向完全图中共有 100 个顶点，该图中有_____条弧。 10、按排序方法的稳定性而言，归并排序是_____的排序方法。
武汉纺织大学电工与电子技术试卷
√√一二 三 四 五 六 七 八计算机09电工技术A2010 7 1（10分） 得 分所示的电路中,a 、b 两点间的电压Uab 值为( )。
(A) 2V (B) 4V (C) 3V1A2V+—Ω2abI+-U+-U=20/0ºv图1 图22、在图2电路中，U ，I 均为正值，其工作状态是( )。
(A)电压源发出功率 (B)电流源发出功率(C)电压源和电流源都不发出功率 3、某电阻元件的电阻值R ＝1000Ω,额定功率P N = 0.1 W ，正常使用时允许加在该电阻两端的最大电压为（ ）。
（A ）1V 、 （B ）10V 、 （C ）100V 、4、在RLC 串联正弦交流电路中，R=50欧，X L =30欧，X C =70欧。
则复阻抗Z 为（ ）。
（A ）Z=50+j40欧, （B ）Z=50+j100欧 （C ）Z=50-j40欧5、某感性器件的电阻和感抗均为10Ω,则其复阻抗Z = ( )。
（A ）14.1∠90o Ω （B ）10∠45o Ω （C ）14.1∠45o Ω6、在三相四线制电路中，三相负载R U =10Ω， R V =20Ω，R W =10Ω，则三相负载一定是 ( )。
(A)不对称负载 (B)对称负载 (C) 无法判断7、换路定则是（ ）(A) )0()0(-+=c c i i )0()0(-+=L L u u (B) )0()0(-+=c c u u )0()0(-+=L L i i8、无功功率的定义是：（）（A）没有用的功率；（B）表示电感或电容与电源之间的能量互换规模。
9、电动机的额定功率是指（）。
(A) 定子输入的电功率(B) 转子输出的机械功率(C) 定子输出的机械功率(15分)I =（）A。
1AI=Ω图1 图2 图32、在图2所示电路中，E=10V、R0=1Ω，当I=2A是、写出U的数值。
U=（）V。
3、在图3所示电路中，I=（）A。
4、在RLC串联电路中，Z=30+j40欧，则R=（）欧，X=（）欧，功率因数cos=( )。
新版武汉纺织大学电子信息考研经验考研参考书考研真题
考研是我一直都有的想法，从上大学第一天开始就更加坚定了我的这个决定。
我是从大三寒假学习开始备考的。
当时也在网上看了很多经验贴，可是也许是学习方法的问题，自己的学习效率一直不高，后来学姐告诉我要给自己制定完善的复习计划，并且按照计划复习。
于是回到学校以后，制定了第一轮复习计划，那个时候已经是5月了。
开始基础复习的时候，是在网上找了一下教程视频，然后跟着教材进行学习，先是对基础知识进行了了解，在5月-7月的时候在基础上加深了理解，对于第二轮的复习，自己还根据课本讲义画了知识构架图，是自己更能一目了然的掌握知识点。
8月一直到临近考试的时候，开始认真的刷真题，并且对那些自己不熟悉的知识点反复的加深印象，这也是一个自我提升的过程。
其实很庆幸自己坚持了下来，身边还是有一些朋友没有走到最后，做了自己的逃兵，所以希望每个人都坚持自己的梦想。
本文字数有点长，希望大家耐心看完。
文章结尾有我当时整理的详细资料，可自行下载，大家请看到最后。
武汉纺织大学电子信息的初试科目为：（101）思想政治理论(204)英语二(302)数学二(952)软件综合参考书目为：阎石《数字电子技术基础》童诗白《模拟电子技术基础先介绍一下英语现在就可以开始背单词了，识记为主（看着单词能想到其中文章即可，不需要能拼写）从前期复习到考试前每天坚持两到四篇阅读（至少也得一篇）11月到考试前一天背20篇英语范文（能默写的程度）。
那些我不熟悉的单词就整理到单词卡上，这个方法也是我跟网上经验贴学的，共整理了两本，每本50页左右，正面写英语单词，背面写汉语意思。
然后这两本单词卡就陪我度过了接下来的厕所时光，说实话整理完后除了上厕所拿着看看外还真的没专门抽出空来继续专门学单词。
按理说，单词应该一直背到最后，如果到了阅读里的单词都认识，写作基本的词都会写的地步后期可以不用看单词了，当然基础太差的还是自动归档到按理说的类别里吧。
阅读就一个技巧，做真题、做真题、做真题，重要的事情说三遍！常规阅读就40分，加之新题型、完型填空、翻译都算是阅读的一种，总之除了作文基本都是阅读，所以得阅读者得天下啊。
[专升本类试卷]2016年武汉纺织大学专升本（计算机基础）真题试卷.doc
![[专升本类试卷]2016年武汉纺织大学专升本（计算机基础）真题试卷.doc](https://img.taocdn.com/s3/m/3bb8fb1eef06eff9aef8941ea76e58fafab045f6.png)
[专升本类试卷]2016年武汉纺织大学专升本（计算机基础）真题试卷.doc[专升本类试卷]2016年武汉纺织大学专升本（计算机基础）真题试卷一、填空题每空2分，共20分。
请将每一个空的正确答案写在答题卡上。
1 打开Word文档之前最好能进行___________，以确保取得满意的打印效果。
2 Windows提供的邮件管理程序是___________。
3 信息安全指的是在信息传递的过程中，___________被破坏、偷窃或丢失的风险性。
4 一个幻灯片内包含的文字、图形、图片等称为___________。
5 在Windows环境下的文件具有四种属性，分别是只读、存档、系统和___________。
6 冯．诺依曼计算机工作原理的设计思想就是把程序输入到计算机存储起来，然后依次执行，简称为___________。
7 启动浏览器上网后自动访问的网页被称作___________。
8 在Word编辑状态下，可以使插入点快速移动到文档末尾的组合键是___________。
9 在区域C3：F3中有一组数据，选取该区域，然后按“自动求和”按钮，则在G3单元格中自动填入的公式是___________。
10 为了实现局域网和广域网能够正常的进行数据交换，应该用___________将局域网和广域网连接。
11 在微型计算机中，英文字符通常采甩___________编码存储。
12 在Word中，当按下Enter键时，会插入一个___________。
13 目前安卓系统主要应用于___________、智能电视和平板电脑等。
14 云计算的核心技术是___________。
15 域名实际上是与计算机___________对应的、便于记忆和识别的名字。
16 微型计算机系统结构由___________、控制器、存储器、输入设备、输出设备五大部分组成。
17 当Word工作窗口被最小化时，在屏幕底端的___________上可以看到最小化了的Word工作窗口。
武汉纺织大学2016年《620设计基础》考研专业课真题试卷
科目代码 考试时间 620 2015 年 12 月 27 日上午 科目名称 报考专业 设计基础
1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。 2、试题之间不留空格。 3、答案请写在答题纸上，在此试卷上答题无效。 题号 得分 本试卷总分 150 分，考试时间 3 小时。 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 十一 得分
一、试题：以《初春》为题，创作一幅色彩装饰画（满分： 150 分） 二、答题要求： 1、尺寸：20×20cm 2、画面元素需包含：山、水、建筑、人物,其余自由运用 3、色彩装饰画，不限色、不限表现手法 4、时间：180 分钟
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【2015年武汉纺织大学考研真题】816电子技术基础
武汉纺织大学2015年招收硕士学位研究生试卷科目代码816科目名称电子技术基础考试时间2014年12月28日下午报考专业1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。
2、试题之间不留空格。
3、答案请写在答题纸上，在此试卷上答题无效。
题号一二三四五六七八九十十一得分得分本试卷总分150分，考试时间3小时。
一、选择题（每题1分，共计15分）1、共射极放大电路的交流输出电压波形有上半周失真和下半周失真。
其中共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A饱和B截止C交越D频率2、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大D.电压放大倍数大3、555定时器不可以组成()。
A.多谐振荡器B.单稳态触发器C.施密特触发器D.JK触发器4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移5、速度最快的A/D转换器是()电路A、并行比较型B、串行比较型C、并－串行比较型D、逐次比较型6、稳压管的稳压区是其工作在（）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿7、在某些情况下，使组合逻辑电路产生了竞争与冒险，这是由于信号的（）A.延迟B.超前C.突变D.放大8、若1101是2421BCD 码的一组代码，则它对应的十进制数是()A.9B.8C.7D.69、接通电源电压就能输出矩形脉冲的电路是()A.单稳态触发器B.施密特触发器C.D 触发器D.多谐振荡器10、微型计算机和数字电子设备中最常采用的数制是()A.二进制B.八进制C.十进制D.十六进制11、RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（）。
A 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路12、（）触发器可以构成移位寄存器。
A 、基本RS 触发器B 、主从RS 触发器C 、同步RS 触发器D 、边沿D 触发器13、3线—8线译码器处于译码状态时，当输入A2A1A0=001时，输出70~Y Y ''=（）。
2016年武汉纺织大学专升本(高等数学)真题试卷(题后含答案及解析)
2016年武汉纺织大学专升本（高等数学）真题试卷(题后含答案及解析)题型有：1. 选择题 2. 填空题 4. 解答题选择题在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合要求的。
1．函数f(x)=arctan(sinx)在xOy平面上的图形( )A．关于x轴对称B．关于y轴对称C．关于原点对称D．关于直线y=－x对称正确答案：C解析：f(x)=arctan(sinx)，f(－x)=arctan[sin(－x)]=arctan(－sinx)=－arctan(sinx)=－f(x)，f(x)为奇函数，所以它的图形关于原点对称．2．下列区间中，使方程x4－x－1=0至少有一个根的区间是( )A．B．C．(2，3)D．(1，2)正确答案：D解析：令f(x)=x4－x－1，则f(1)＜0，f(2)＞0．由连续函数介值定理，至少存在一点ξ∈(1，2)，使f(ξ)=0，即ξ为方程f(x)=0的根．3．设函数f(x)=(x≠0)，则f(ln3)=( )A．1B．2C．3D．4正确答案：C解析：f(x)==ex所以f(ln3)=eln3=3．4．设函数y=y(x)由参数方程所确定，则=( )A．B．C．D．正确答案：B解析：由已知得，参数方程为5．设y=，则dy=( )A．B．C．D．正确答案：B解析：填空题6．设函数f(x)=在x=0处连续，则a=________．正确答案：2解析：因为=a，又=2，由f(x)在x=0处连续知，=f(0)，故a=2．7．设y=，则dy｜x=2=________．正确答案：解析：该题若直接求较麻烦，可先利用对数性质展开．8．不定积分=________．正确答案：解析：9．微分方程y’’+3y’+2y=e2x的特解形式可设为y*=_________．正确答案：Ae2x(A为待定常数)．解析：因方程的特征方程为r2+3r+2=0，故有特征根r1=－2，r2=－1；又方程的自由项f(x)=e2x，λ=2不是特征根，故微分方程的特解可设为y*=Ae2x(A 为特定常数)．10．将函数y=展开为(x－5)的幂级数是________．正确答案：解析：解答题解答时应写出推理、演算步骤。
武汉纺织大学电子技术基础考研真题试题2009—2017(缺2013、2014)年
2、（6 分）.试分析判断以下电路中有无反馈? 是正反馈还是负反馈? 是交流反馈 还是直流反馈? 若是负反馈, 指明其反馈的组态类型。
3、（6 分）测得放大电路中某晶体管的两个电极上的电流如下图所示。求另一电极 的电流，标出其实际电流方向，在圆 圈 中 画 出 管 子 符 号 ， 并 标 明 三 个 引 脚 e,b,c,说 明 它 们 是 NPN 型还是 PNP 型，求 出 电 流 放 大 系 数 β 。
十一 得分
模拟部分（共 60 分） 一、选择题（单选）（只填字母，不写汉字。每空 1 分，共 10 分）
1、 当 PN 结由.截止变为导通时，其空间电荷区__ _，（A.变宽, B.变窄, C.不变）。
2、 当温度降低时,晶体管的 ICBO 将_______(A 不变 B.增大 C.减小 )
3、 用晶体管放大电路构成的电压跟随器是______ 放大电路。
来分析。
（A．晶体管的混合∏模型；B．晶体管的 h 参数模型 C． 晶体管的图 解 法 ）
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9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻 Re，将使电路的
_________。
(A． .差 模 放 大 倍 数 增 大 ； B． 差 模 放 大 倍 数 减 小 ； C． 共 模 放 大 倍 数
模拟部分（共 60 分）
一、选择填空（单选）（每空 1 分，共 10 分,只填字母,不写汉字）
1、当温度升高时,晶体管的输入特性曲线将_______。(A 不动 B.左移 C.右移 )
2、一个 PNP 型硅晶体管，测得发射结电压 UBE=－0. 7V,集电结电压 UCE=1V。则 该晶体管工作在_______区。(A. 截止 B. 放大 C. 饱和)
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武汉纺织大学
2016年招收硕士学位研究生试卷科目代码816科目名称电子技术基础
考试时间2015年12月27日下午报考专业
1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。
2、试题之间不留空格。
3、答案请写在答题纸上，在此试卷上答题无效。
题号一二三四五六七八九十十一得分
得分
本试卷总分150分，考试时间3小时。
一、选择题（每题2分，共计16分）
1、将交流电变换为脉动直流电的电路称为：（）
A.整流电路
B.滤波电路
C.稳压电路
D.放大电路
2、固定偏置共发射极放大电路中，三极管工作在放大区，如果将Rc增大，此时
三极管为放大状态，则集电极电流Ic将：（）
A.显著减小
B.不变
C.显著增加
D.无法确定
3、已知某差动放大电路的差模放大倍数为100，共模放大倍数为2，则共模抑制
比KCMR为（）
A.100
B.50
C.1/50
D.1/100
4、要表示十进制数的十七个数码需二进制数码的位数至少为（）
A.2位
B.3位
C.4位
D.5位
5、将JK触发器J K两端短接，就可以接成（）
A.RS触发器
B.D触发器
C.T触发器
D.T’触发器
6、函数F=AB+BC，使F=1的输入ABC组合为()
A．ABC=000B．ABC=010C．ABC=101D．ABC=110
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7、有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个
移位脉冲CP作用下，四位数据的移位过程是（）。
A.1011--0110--1100--1000--0000
B.1011--0101--0010--0001--0000
C.1011--1100--1101--1110--1111
D.1011--1010--1001--1000--0111
8、有一个4位的D/A转换器，设它的满刻度输出电压为10V，当输入数字量为1101
时，输出电压为（）。
A．8.125V B.4V C.6.25V D.9.375V
二、（每问5分，总计20分）如题图1所示的放大电路中，已知R b1=16kΩ,R b2=11k Ω,R c1=0.5kΩ,R c2=2.2kΩ,R E1=0.2kΩ,R E2=2.2kΩ,R L=2.2kΩ，β=80,u BE=0.7V, VCC=24V。
试求：
题图1
（1）静态工作点（2）画出微变等效电路
（3）电压放大倍数（4）输入电阻Ri
三、（每问5分，总计10分）如题图2所示的运算放大电路中，已知R1=R2=10k, R5=15k,R3=R4=R6=30k,R f3=30k,R f2=R f2=10k,E1=3V,E2=4V,E3=3V。
试求：（1）指出A1、A2、A3运算放大功能；
（2）计算输出电压u o1、u o2和u o。
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题图2
四、（每问5分，总计20分）画出题图3中各电路的电压传输特性，要求u I的变化幅度足够大，并在图中表明有关数值。
设所有集成运放具有理想的特性，所有电源电压为±12V。
题图3
五、（10分）由三端集成稳压器构成的直流稳压电路题图4所示。
已知W7805的输出电压为5V，IQ=8mA，晶体管的β=50，|UBE|=0.7V，电路的输入电压UI=16V，求输出电压Uo是多少伏？
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题图4
六、（10分）画出逻辑函数的卡诺图，并用卡诺图化简求出最简与或表达式和最
简或与表达式。
((0,1,2,3,4,5,)(8,9,12,13)
m d L A B C D =+∑∑、、、）七、（每问10分，总计20分）题图5是由555定时器组成的电路。
（1）画出电容两端电压C v 和输出电压O v 的波形；（2）计算O v 震荡周期T 和占空比q%；
题图5
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八、（每问5分，总计20分）题图6所示是倒T 形电阻网络D/A 转换器。
试求
（1）i ∑的表达式；（2）O v 的表达式；
（3）已知10k R =Ω，REF 12V V =-，电压O v 输出范围；（4）当32100111D D D D =时，?
O =v
题图6
九、（
24分）分析题图7时序电路的逻辑功能，写出电路的驱动方程、状态方
程和输出方程，画出电路的状态转换图，说明电路功能。
题图7
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