光电子器件笔记

光电子器件

第一章

1、 光电探测器输出信号电压或电流与单位入射光功率之比，即单位入射光功率作用下探测器输出信号电压或电流称为响应率.

光谱响应率（R λ）：光电器件在单色 (在波长λ附近一个很小的波长范围里) 辐射功率作用下产生的信号电压或信号电流。

——其中Rm 为光谱响应率的最大值

R λ（单位：A/W ）

光谱响应率及量子效率仅由器件的响应特性所决定，而与光源无关。

2. 器件的光谱响应与光源辐射功率谱密度紧密相关，它们之间的匹配系统 α—称为器件与光源的光谱匹配系数，它反映了器件响应的波长范围同光源光谱的吻合程度。

在光源固定的情况下,面积A1是不变的,如果与曲线重合得愈多,面积A2愈大, α愈大，也就是光谱匹配愈好;反之,

如果两曲线没有重合之处,α=0,即二者完全失配,则该光电器件对光源辐射没有探测能力。光谱匹配是选择光电子器件,如像管、光电倍增管、红外成像器件的材料的重要依据。

3.光电探测器输出的电流或电压在其平均值上下无规则的、随机的起伏，称为噪声。噪声是物理过程所固有的，人为不可能消除。它的计算是在足够长时间内求其平方平均或均方根。 dP du R s u λλ=dP di R s i λλ=m

R R R λλ=)( λR m R 1.24λ

λη

)(λ R λ 1

2A A =α

光电探测器的噪声来源主要有热噪声、散粒噪声、温度噪声、放大器噪声、频率噪声、复合噪声等。

当输出信号电压等于输出噪声电压均方根值时的探测器的入射辐射功率叫做最小可探测辐射功率，也叫做噪声等效功率NEP 。 Pmin 越小，器件的探测能力越强。

对Pmin 取倒数可作为衡量探测器探测能力的参数，称为探测率。研究指出:探测率与器件的面积和工作带宽成反比。

4.光吸收厚度：设入射光的强度为 I0，入射到样品厚度为x 处的光强度为 I ，则：

α为线吸收系数，单位为（1/cm ）

α大时，光吸收主要发生在材料的表层；α小时，光入射得深。当厚度d=1/α时，称为吸收厚度，有64%的光被吸收。

5.本征吸收：价带中的电子吸收了能量足够大的光子后，受到激发，越过禁带，跃入导带，并在价带中留下一个空穴，形成了电子空穴对，这种跃迁过程所形成的光吸收称为本征吸收。

本征吸收条件：光子的能量必须大于或等于禁带的宽度Eg 。

6. 内光电效应: 材料在吸收光子能量后，出现光生电子－空穴，由此引起电导率变化或电压、电流的现象，称之为内光电效应。

光电导效应：当半导体材料受光照时，吸收光子引起载流子浓度增大，产生附加电导率使电导率增加，这个现象称为光电导效应。在外电场作用下就能得到电流的变化。 光电导效应分为本征型和非本征型。

7.设本征半导体在没有光照时，电导率为 (称为暗电导率)

当有光注入时，半导体电导率：

电导率的增量称为光电导率：

8. 增加载流子寿命：

好处：增益提高，灵敏度提高，响应率提高。

缺点：惰性增加，频率响应特性变差。

所以增益和惰性不可兼得。

9. 影响光谱响应的两个主要因素：光电导材料对各波长辐射的吸收系数和截流子表面复合率。

光电导光谱响应特点：都有一峰值，峰值一般靠近长波限（长波限约为峰值一半处所对应的波长）。

u

n

n s R

u u u P P ==min x e I I α-=00σP n e p e n μ

μσ000+=P n p p e n n e μμσ)()(00∆++∆+=0()

n P e n p σσσμμ∆=-=∆+∆

10. 光敏电阻是利用光电导效应制成的最典型的光电导器件。光敏电阻器均制作在陶瓷基体上，光敏面均做成蛇形，目的是要保证有较大的受光表面。上面带有光窗的金属管帽或直接进行塑封，其目的是尽可能减少外界（主要是湿气等有害气体）对光敏面及电极所造成的不良影响，使光敏电阻器性能保持稳定，工作可靠。

光敏电阻光谱响应特性主要由所用的半导体材料所决定，主要是由材料禁带宽度所决定，禁带宽度越窄，则对长波越敏感。但禁带很窄时，半导体中热激发也会使自由载流子浓度增加，使复合运动加快，灵敏度降低，因此采用冷却光敏面的办法来提高灵敏度是很有效的。光敏电阻一般用于与人眼有关的仪器，在使用时，必须加滤光片修正光谱。

第一章作业

1、什么是光谱响应率？根据器件与光源的光谱曲线说明光谱匹配系数α的意义。

2、某光电二极管，受波长为1.55um 的6x1012 个光子的照射，其间输出端产生2x1012个光子。试计算该光电子器件的量子效率和响应度。

3、什么是器件的最小可探测辐射功率和探测率？探测率表达式的意义如何？

4、半导体发生本征光吸收的条件是什么？

第二章

1. 光生伏特效应：两种半导体材料或金属/半导体相接触形成势垒，当外界光照射时，激发光生载流子，注入到势垒附近形成光生电压的现象。

结型光电探测器与光电导探测器的区别:

（1）产生光电变换的部位不同。

（2）光电导型探测器没有极性，且工作时必须有外加电压，而结型探测器有确定的正负极，不需外加电压也可把光信号变为电信号。

（3）光电导探测器为均质型探测器，载流子驰豫时间长，频率响应特性差。而结型探测器频率特性好，灵敏度高。雪崩式光电二极管、光电三极管还有内增益作用，可以通过较大的电流。

2. 外接电路开路（断路）时，光生载流子积累在PN结两侧，光生电压最大，此时的光生电动势Uoc称为开路电压。外接电路短路时，流过电路的电流Isc称为短路电流，就是光生电流。

3. 光电池在受光表面上涂保护膜，如镀SiO2、MgF2。目的是减小反射损失，增加对入射光的吸收，同时又可以防潮防腐蚀。上电极一般多做成栅指状，其目的是便于透光和减小串联电阻。

通常在用单片光电池组装成电池组时，可以采用增加串联片数的方法来提高输出电压，用增加并联片数的方法来增大输出电流。

4. 光电二极管与光电池的主要区别：

（1）结面积大小不同，光电二极管的要小很多。结电容很小，频率特性好；

（2）PN结工作状态不同，光电池PN结工作在零偏置状态下。而光电二极管工作于反偏工作状态下，光电流小。

光电二极管分类：