薄膜制备技术基础(原著第4版)

薄膜制备技术基础（原著第4版）作者：[日]麻蒔立男出版社：化学工业出版出版日期：2009年5月开本：16开册数：1册光盘数：0定价：39.8元优惠价：36元进入20世纪，书籍已成为传播知识、科学技术和保存文化的主要工具。

随着科学技术日新月异地发展，传播知识信息手段，除了书籍、报刊外，其他工具也逐渐产生和发展起来。

但书籍的作用，是其他传播工具或手段所不能代替的。

在当代, 无论是中国，还是其他国家，书籍仍然是促进社会政治、经济、文化发展必不可少的重要传播工具。

详细介绍：第1章薄膜技术1 1生物计算(bio computing)和薄膜技术1 2医用微型机械1 3人工脑的实现（μ Electronics）1 4大型显示的实现1 5原子操控1 6薄膜技术概略参考文献第2章真空的基础2 1真空的定义2 2真空的单位2 3气体的性质2 3 1平均速率 Va2 3 2分子直径δ2 3 3平均自由程 L2 3 4碰撞频率 Z2 4气体的流动和流导2 4 1孔的流导2 4 2长管的流导（L/a≥100）2 4 3短管的流导2 4 4流导的合成2 5蒸发速率参考文献第3章真空泵和真空测量3 1真空泵3 1 1油封式旋片机械泵3 1 2油扩散泵3 1 3吸附泵3 1 4溅射离子泵3 1 5升华泵3 1 6冷凝泵3 1 7涡轮泵（分子泵）和复合涡轮泵3 1 8干式机械泵3 2真空测量仪器——全压计3 2 1热导型真空计3 2 2电离真空计——电离规3 2 3磁控管真空计3 2 4盖斯勒（Geissler）规管3 2 5隔膜真空计3 2 6石英晶振真空计3 2 7组合式真空规3 2 8真空计的安装方法3 3真空测量仪器——分压计3 3 1磁偏转型质谱仪3 3 2四极质谱仪3 3 3有机物质质量分析IAMS法参考文献第4章真空系统4 1抽气的原理4 2材料的放气4 3抽气时间的推算4 4用于制备薄膜的真空系统4 4 1残留气体4 4 2用于制备薄膜的真空系统4 5真空检漏4 5 1检漏方法4 5 2检漏应用实例参考文献第5章薄膜基础5 1气体与固体5 1 1化学吸附和物理吸附5 1 2吸附几率和吸附（弛豫）时间5 2薄膜的生长5 2 1核生长5 2 2单层生长5 3外延 基板晶体和生长晶体之间的晶向关系5 3 1外延生长的温度5 3 2基板晶体的解理5 3 3真空度的影响5 3 4残留气体的影响5 3 5蒸发速率的影响5 3 6基板表面的缺陷——电子束照射的影响5 3 7电场的影响5 3 8离子的影响5 3 9膜厚的影响5 3 10晶格失配5 4非晶膜层5 4 1一般材料的非晶化（非薄膜）5 4 2非晶的定义5 4 3非晶薄膜5 4 4非晶Si膜的多晶化5 5薄膜的基本性质5 5 1电导5 5 2电阻率的温度系数（TCR）5 5 3薄膜的密度5 5 4时效变化5 5 5电解质膜5 6薄膜的内部应力5 7电致徙动本章小结参考文献第6章薄膜的制备方法6 1绪论6 2源和膜的组分——如何获得希望的膜的组分6 2 1蒸发和离子镀6 2 2溅射法6 3附着强度6 3 1前处理6 3 2蒸发时的条件6 3 3蒸发法和溅射法的比较(基板不加热情况）6 3 4蒸发、离子淀积、溅射的比较（加热、离子轰击等都进行情况）6 4台阶覆盖率、绕进率、底部覆盖率——具有陡峭台阶的凹凸表面的薄膜制备6 5高速热处理装置（Rapid Thermal Annealing，RTA）6 6等离子体及其在膜质的改善、新技术的开发方面的应用6 6 1等离子体6 6 2等离子体的产生方法6 6 3基本形式和主要用途6 7基板传送机构6 8针孔和净化房参考文献第7章基板7 1玻璃基板及其制造方法7 2日常生活中的单晶制造及溶液中的晶体生长7 3单晶提拉法——熔融液体中的晶体生长7 3 1坩埚中冷却法7 3 2区熔法（Zone Melting，Flot Zone,FZ法）7 3 3旋转提拉法（切克劳斯基Czochralski, CZ法）7 4气相生长法7 4 1闭管中的气相生长法7 4 2其他气相生长法7 5石英玻璃基板7 6柔性基板（Flexible）参考文献第8章蒸镀法8 1蒸发源8 1 1电阻加热蒸发源8 1 2热阴极电子束蒸镀源8 1 3中空阴极放电（HCD）的电子束蒸发源8 2蒸发源的物质蒸气分布特性和基板的安置8 3实际装置8 4蒸镀时的真空度8 5蒸镀实例8 5 1透明导电膜In2O3 SnO2系列8 5 2分子束外延（MBE）8 5 3合金的蒸镀——闪蒸8 6离子镀8 6 1离子镀的方式8 6 2对薄膜的影响8 7离子束辅助蒸镀8 8离子渗，离子束表面改性法8 9激光烧蚀法（PLA）8 10有机电致发光，有机(粉体)材料的蒸镀参考文献第9章溅射9 1溅射现象9 1 1离子的能量和溅射率，出射角分布9 1 2溅射率9 1 3溅射原子的能量9 2溅射方式9 2 1磁控溅射9 2 2ECR溅射9 2 3射频溅射9 3大电极磁控溅射9 4“0”气压溅射的期待——超微细深孔的嵌埋9 4 1准直溅射9 4 2长距离溅射9 4 3高真空溅射9 4 4自溅射9 4 5离子化溅射9 5 溅射的实例9 5 1钽（Ta）的溅射9 5 2Al及其合金的溅射（超高真空溅射）9 5 3氧化物的溅射：超导电薄膜和ITO透明导电薄膜9 5 4磁性膜的溅射9 5 5光学膜的溅射（RAS法）参考文献第10章气相沉积CVD和热氧化氮化10 1热氧化10 1 1处理方式10 1 2热氧化装置10 1 3其他氧化装置10 2热CVD10 2 1主要的生成反应10 2 2热CVD的特征10 2 3热CVD装置10 2 4反应炉10 2 5常压CVD（Normal Pressure CVD, NPCVD）10 2 6减压CVD（Low Pressure CVD, LPCVD）10 3等离子体增强CVD （Plasma Enhanced CVD, PCVD）10 3 1等离子体和生成反应10 3 2装置的基本结构和反应室的电极构造10 4光CVD（Photo CVD）10 5 MOCVD（Metalorganic CVD）10 6金属CVD10 6 1钨CVD10 6 2Al CVD10 6 3Cu CVD10 6 4金属阻挡层（TiN CVD）10 7半球状颗粒多晶硅CVD（HSG CVD）10 8高介电常数薄膜的CVD10 9低介电常数薄膜10 10高清晰电视机的难关，低温多晶硅膜（Cat CVD）10 11游离基喷淋 CVD（Radical Shower CVD，RS CVD）参考文献第11章刻蚀11 1湿法刻蚀11 2等离子体刻蚀，激发气体刻蚀（圆筒型刻蚀）11 2 1原理11 2 2装置11 2 3配套工艺11 3反应离子刻蚀、溅射刻蚀（平行平板型，ECR型，磁控型刻蚀）11 3 1原理和特征11 3 2装置11 3 3配套工艺11 3 4Cu和低介电材料（low K）的刻蚀11 4大型基板的刻蚀11 5反应离子束刻蚀，溅射离子束刻蚀（离子束型刻蚀）11 5 1极细离子束设备（聚焦离子束：Focused Ion Beam, FIB）11 6微机械加工11 7刻蚀用等离子体源的开发11 7 1等离子体源11 7 2高密度等离子体（HDP）刻蚀参考文献第12章精密电镀12 1电镀12 2电镀膜的生长12 3用于制作电子元器件方面的若干方法12 4用于高技术的铜电镀12 5实用的电镀装置示例参考文献第13章平坦化技术13 1平坦化技术的必要性13 2平坦化技术概要13 3平坦薄膜生长13 3 1选择性生长13 3 2利用回填技术的孔内嵌埋（溅射）13 3 3利用氧化物嵌埋技术的平坦化13 4薄膜生长过程中凹凸发生的防止13 4 1偏压溅射法13 4 2剥离法13 5薄膜生长后的平坦化加工13 5 1涂覆13 5 2激光平坦化13 5 3回填法13 5 4回蚀法13 5 5阳极氧化和离子注入13 6嵌埋技术示例13 7化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）技术13 8嵌刻法13 9平坦化新技术展望13 9 1使用超临界流体的超微细孔的嵌埋技术13 9 2用STP（Spin Coating Film Transfer and Pressing）法的嵌埋技术13 10高密度微细连接参考文献薄膜制备技术基础（原著第4版）薄膜制备技术基础（原著第4版）薄膜制备技术基础（原著第4版）第1章薄膜技术1 1生物计算(bio computing)和薄膜技术1 2医用微型机械1 3人工脑的实现（μ Electronics）1 4大型显示的实现1 5原子操控1 6薄膜技术概略参考文献第2章真空的基础2 1真空的定义2 2真空的单位2 3气体的性质2 3 1平均速率 Va2 3 2分子直径δ2 3 3平均自由程 L2 3 4碰撞频率 Z2 4气体的流动和流导2 4 1孔的流导2 4 2长管的流导（L/a≥100）2 4 3短管的流导2 4 4流导的合成2 5蒸发速率参考文献第3章真空泵和真空测量3 1真空泵3 1 1油封式旋片机械泵3 1 2油扩散泵3 1 3吸附泵3 1 4溅射离子泵3 1 5升华泵3 1 6冷凝泵3 1 7涡轮泵（分子泵）和复合涡轮泵3 1 8干式机械泵3 2真空测量仪器——全压计3 2 1热导型真空计3 2 2电离真空计——电离规3 2 3磁控管真空计3 2 4盖斯勒（Geissler）规管3 2 5隔膜真空计3 2 6石英晶振真空计3 2 7组合式真空规3 2 8真空计的安装方法3 3真空测量仪器——分压计3 3 1磁偏转型质谱仪3 3 2四极质谱仪3 3 3有机物质质量分析IAMS法参考文献第4章真空系统4 1抽气的原理4 2材料的放气4 3抽气时间的推算4 4用于制备薄膜的真空系统4 4 1残留气体4 4 2用于制备薄膜的真空系统4 5真空检漏4 5 1检漏方法4 5 2检漏应用实例参考文献第5章薄膜基础5 1气体与固体5 1 1化学吸附和物理吸附5 1 2吸附几率和吸附（弛豫）时间5 2薄膜的生长5 2 1核生长5 2 2单层生长5 3外延 基板晶体和生长晶体之间的晶向关系5 3 1外延生长的温度5 3 2基板晶体的解理5 3 3真空度的影响5 3 4残留气体的影响5 3 5蒸发速率的影响5 3 6基板表面的缺陷——电子束照射的影响5 3 7电场的影响5 3 8离子的影响5 3 9膜厚的影响5 3 10晶格失配5 4非晶膜层5 4 1一般材料的非晶化（非薄膜）5 4 2非晶的定义5 4 3非晶薄膜5 4 4非晶Si膜的多晶化5 5薄膜的基本性质5 5 1电导5 5 2电阻率的温度系数（TCR）5 5 3薄膜的密度5 5 4时效变化5 5 5电解质膜5 6薄膜的内部应力5 7电致徙动本章小结参考文献第6章薄膜的制备方法6 1绪论6 2源和膜的组分——如何获得希望的膜的组分6 2 1蒸发和离子镀6 2 2溅射法6 3附着强度6 3 1前处理6 3 2蒸发时的条件6 3 3蒸发法和溅射法的比较(基板不加热情况）6 3 4蒸发、离子淀积、溅射的比较（加热、离子轰击等都进行情况）6 4台阶覆盖率、绕进率、底部覆盖率——具有陡峭台阶的凹凸表面的薄膜制备6 5高速热处理装置（Rapid Thermal Annealing，RTA）6 6等离子体及其在膜质的改善、新技术的开发方面的应用6 6 1等离子体6 6 2等离子体的产生方法6 6 3基本形式和主要用途6 7基板传送机构6 8针孔和净化房参考文献第7章基板7 1玻璃基板及其制造方法7 2日常生活中的单晶制造及溶液中的晶体生长7 3单晶提拉法——熔融液体中的晶体生长7 3 1坩埚中冷却法7 3 2区熔法（Zone Melting，Flot Zone,FZ法）7 3 3旋转提拉法（切克劳斯基Czochralski, CZ法）7 4气相生长法7 4 1闭管中的气相生长法7 4 2其他气相生长法7 5石英玻璃基板7 6柔性基板（Flexible）参考文献第8章蒸镀法8 1蒸发源8 1 1电阻加热蒸发源8 1 2热阴极电子束蒸镀源8 1 3中空阴极放电（HCD）的电子束蒸发源8 2蒸发源的物质蒸气分布特性和基板的安置8 3实际装置8 4蒸镀时的真空度8 5蒸镀实例8 5 1透明导电膜In2O3 SnO2系列8 5 2分子束外延（MBE）8 5 3合金的蒸镀——闪蒸8 6离子镀8 6 1离子镀的方式8 6 2对薄膜的影响8 7离子束辅助蒸镀8 8离子渗，离子束表面改性法8 9激光烧蚀法（PLA）8 10有机电致发光，有机(粉体)材料的蒸镀参考文献第9章溅射9 1溅射现象9 1 1离子的能量和溅射率，出射角分布9 1 2溅射率9 1 3溅射原子的能量9 2溅射方式9 2 1磁控溅射9 2 2ECR溅射9 2 3射频溅射9 3大电极磁控溅射9 4“0”气压溅射的期待——超微细深孔的嵌埋9 4 1准直溅射9 4 2长距离溅射9 4 3高真空溅射9 4 4自溅射9 4 5离子化溅射9 5 溅射的实例9 5 1钽（Ta）的溅射9 5 2Al及其合金的溅射（超高真空溅射）9 5 3氧化物的溅射：超导电薄膜和ITO透明导电薄膜9 5 4磁性膜的溅射9 5 5光学膜的溅射（RAS法）参考文献第10章气相沉积CVD和热氧化氮化10 1热氧化10 1 1处理方式10 1 2热氧化装置10 1 3其他氧化装置10 2热CVD10 2 1主要的生成反应10 2 2热CVD的特征10 2 3热CVD装置10 2 4反应炉10 2 5常压CVD（Normal Pressure CVD, NPCVD）10 2 6减压CVD（Low Pressure CVD, LPCVD）10 3等离子体增强CVD （Plasma Enhanced CVD, PCVD）10 3 1等离子体和生成反应10 3 2装置的基本结构和反应室的电极构造10 4光CVD（Photo CVD）10 5 MOCVD（Metalorganic CVD）10 6金属CVD10 6 1钨CVD10 6 2Al CVD10 6 3Cu CVD10 6 4金属阻挡层（TiN CVD）10 7半球状颗粒多晶硅CVD（HSG CVD）10 8高介电常数薄膜的CVD10 9低介电常数薄膜10 10高清晰电视机的难关，低温多晶硅膜（Cat CVD）10 11游离基喷淋 CVD（Radical Shower CVD，RS CVD）参考文献第11章刻蚀11 1湿法刻蚀11 2等离子体刻蚀，激发气体刻蚀（圆筒型刻蚀）11 2 1原理11 2 2装置11 2 3配套工艺11 3反应离子刻蚀、溅射刻蚀（平行平板型，ECR型，磁控型刻蚀）11 3 1原理和特征11 3 2装置11 3 3配套工艺11 3 4Cu和低介电材料（low K）的刻蚀11 4大型基板的刻蚀11 5反应离子束刻蚀，溅射离子束刻蚀（离子束型刻蚀）11 5 1极细离子束设备（聚焦离子束：Focused Ion Beam, FIB）11 6微机械加工11 7刻蚀用等离子体源的开发11 7 1等离子体源11 7 2高密度等离子体（HDP）刻蚀参考文献第12章精密电镀12 1电镀12 2电镀膜的生长12 3用于制作电子元器件方面的若干方法12 4用于高技术的铜电镀12 5实用的电镀装置示例参考文献第13章平坦化技术13 1平坦化技术的必要性13 2平坦化技术概要13 3平坦薄膜生长13 3 1选择性生长13 3 2利用回填技术的孔内嵌埋（溅射）13 3 3利用氧化物嵌埋技术的平坦化13 4薄膜生长过程中凹凸发生的防止13 4 1偏压溅射法13 4 2剥离法13 5薄膜生长后的平坦化加工13 5 1涂覆13 5 2激光平坦化13 5 3回填法13 5 4回蚀法13 5 5阳极氧化和离子注入13 6嵌埋技术示例13 7化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）技术13 8嵌刻法13 9平坦化新技术展望13 9 1使用超临界流体的超微细孔的嵌埋技术13 9 2用STP（Spin Coating Film Transfer and Pressing）法的嵌埋技术13 10高密度微细连接参考文献作者：[日]麻蒔立男出版社：化学工业出版出版日期：2009年5月开本：16开册数：1册光盘数：0定价：39.8元优惠价：36元本店订购简单方便，可以选择货到付款、汇款发货、当地自取等方式全国货到付款，满200元免运费,更多请登陆文成图书。