晶圆预对准精确定位算法
晶圆量测采样预测算法
晶圆量测采样预测算法晶圆量测采样预测算法是指根据已有的部分晶圆量测数据,通过分析和预测,得出没有进行量测的晶圆属性的一种算法。
该算法在半导体制造过程中非常重要,可以帮助生产商在减少测试时间和成本的同时,确保产品的质量和一致性。
晶圆量测是指对晶圆上的电气和物理属性进行测试和测量,以确定其质量和性能。
晶圆量测数据包含了各种关键参数的数值,如电阻、电流、电容等。
这些数据用于判断晶圆是否符合规范和要求,并为后续加工提供依据。
1.数据采集和预处理:首先,需要采集一定数量的晶圆量测数据,并进行预处理。
预处理的目的是去除异常值、噪声和无效数据,以保证数据的有效性和准确性。
2.特征提取和选择:在预处理后,需要对数据进行特征提取和选择。
特征是指用于描述晶圆属性的重要信息,可以通过统计、频域分析、小波变换等方式提取。
特征选择是从提取的特征中选取最具代表性和区分性的特征,避免冗余信息。
3.模型建立和训练:在特征提取和选择后,需要建立预测模型。
常用的模型包括回归模型、神经网络、决策树等。
模型的选择要根据具体情况和数据特点,保证预测的准确性和可靠性。
建立模型后,需要使用已有的晶圆数据进行训练,调整模型参数,提高预测的准确度。
4.模型评估和优化:训练完模型后,需要对模型进行评估和优化。
评估的方法包括交叉验证、均方误差、相关系数等。
通过评估,可以衡量模型的性能和准确度。
如果模型的预测效果不理想,可以通过调整模型参数、增加特征数量等方式进行优化。
5.预测和应用:模型评估合格后,可以用于预测未量测晶圆的属性。
预测结果可以帮助生产商根据预测值对生产工艺进行调整,减少测试时间和成本,提高生产效率和产品质量。
晶圆量测采样预测算法的优势在于能够减少实际量测的时间和成本,同时确保产品的质量和一致性。
通过分析已有的晶圆数据,预测未量测晶圆的属性,可以减少对晶圆的实际测试,并提前发现可能存在的问题和风险。
这对于半导体制造过程中的故障分析、质量控制和周期管理都具有重要意义。
晶圆高精度检测与预对准技术的研究
晶圆高精度检测与预对准技术的研究Before diving into the topic of high-precision wafer inspection and pre-alignment technology, let us first understand the importance of this field in the semiconductor industry.在深入讨论晶圆高精度检测与预对准技术这一主题之前,让我们先了解一下该领域在半导体行业中的重要性。
The semiconductor industry plays a vital role in our modern technological advancements. From smartphones to computers, semiconductors are the building blocks of these devices. As technology advances and demands for smaller, more powerful devices increase, there is a growing need for high-precision manufacturing processes.半导体行业在现代科技进步中扮演着至关重要的角色。
从智能手机到电脑,半导体是这些设备的基石。
随着技术的发展和对更小、更强大设备需求的增加,对高精度制造工艺的需求也日益增长。
One crucial step in semiconductor manufacturing is theproduction of wafers. Wafers are thin slices of semiconductor materials on which integrated circuits (ICs) are fabricated. The quality of these wafers greatly affects the performance and reliability of the final products.半导体制造中一个至关重要的步骤就是晶圆生产。
采用晶圆传送机器人的晶圆预对准方法
s i g n e d , a n d a n e ic f i e n t a n d h i h g i t i o n i n g a l g o i r t h m o f t h e w f a e r c e n t e r a n d n o t c h i s i n t r o d u c e d . T h e p r e -
f e r c e n t e r i s l e s s t h n a 5 0 m ,a nd t h e wh o l e p r e — a l i g n me n t p r o c e s s t i me i s 1 0 s . Ke y wo r d s wa f e r p r e - a l i g n me n t ;wa fe r t r a n s f e r r o b o t ;p o s i t i o n i n g a l g o it r h m ;e x c h a n g e a d s o pt r i o n
集成 电路 ( I C ) 是 制造 技术 ( 工艺 ) 的更新 和更
方式 : 电镀方 式 、 印刷锡 膏方 式和植 球方 式 _ 5 』 。预对 准
L I U J i n s o n g ,WANG S e n ,Z HU D a we i
晶圆预对准系统定位算法的研究与电路的实现
晶圆预对准系统定位算法的研究与电路的实现晶圆预对准系统定位算法的研究和电路的实现是半导体制造过程中的重要环节之一,它可以帮助控制和精确定位晶圆上的芯片,从而确保生产出的芯片质量良好。
晶圆预对准系统定位算法的研究主要包括以下几个方面:1. 特征提取: 通过对晶圆图像的分析和处理,提取出晶圆上的特征点,如图案、边缘、斑点等。
这些特征点可以用来确定晶圆的位置、旋转角度等信息。
2. 特征匹配: 将提取到的特征点与已知的模板进行匹配,通过计算特征点之间的相似性或距离,找到最佳的匹配结果。
常用的特征匹配算法有SIFT、SURF、ORB等。
3. 空间变换: 通过对匹配结果进行空间变换,将晶圆图像与模板对齐。
常用的空间变换算法有仿射变换、透视变换等。
4. 定位策略: 根据晶圆的几何特征和目标需求,确定最佳的定位策略。
例如,可以通过直接定位法、间接定位法或组合定位法来实现对晶圆的定位。
晶圆预对准的电路实现主要包括以下几个组成部分:1. 图像采集模块: 用于获取晶圆的图像,并将其转换成数字信号。
图像采集模块通常由CCD传感器、图像采集芯片和接口电路等组成。
2. 特征提取模块: 对采集到的图像进行处理,提取出其中的特征点。
特征提取模块通常由图像处理芯片和算法实现。
3. 特征匹配模块: 将提取到的特征点与模板进行匹配,找到最佳的匹配结果。
特征匹配模块通常由匹配算法和匹配电路构成。
4. 空间变换模块: 对匹配结果进行空间变换,将晶圆图像与模板对齐。
空间变换模块通常由变换算法和变换电路实现。
5. 定位控制模块: 根据定位策略控制晶圆的定位。
定位控制模块通常由定位算法和控制电路构成。
总之,晶圆预对准系统定位算法的研究和电路的实现是一个复杂而关键的技术领域,需要综合运用图像处理、匹配算法和控制技术等多学科知识来实现晶圆的精确定位。
一种晶圆圆心定位,晶圆缺口定位及晶圆定位校准方法
一种晶圆圆心定位,晶圆缺口定位及晶圆定位校准方法晶圆定位是半导体制造过程中非常重要的步骤之一。
准确的晶圆定位可以保证后续工艺步骤的精度和稳定性,对于芯片的性能和可靠性具有决定性的影响。
本文将介绍一种基于圆心定位和缺口定位的晶圆定位方法,并提出一种定位校准方法来提高定位的准确性。
一、晶圆圆心定位晶圆的圆心定位是指确定晶圆圆心的位置。
晶圆圆心的准确位置对于后续步骤的定位和处理非常重要。
通常,晶圆圆心的位置可以通过在晶圆表面绘制一组同心圆,并使用光学设备观察这些同心圆的位置来确定。
具体的步骤如下:1. 准备制作同心圆的掩膜。
制作同心圆需要使用掩膜技术,将同心圆的形状转移到晶圆表面。
2. 在晶圆表面上绘制同心圆。
使用掩膜技术,在晶圆表面上绘制一组同心圆。
3. 使用光学设备观察同心圆的位置。
使用显微镜或投影仪等光学设备观察同心圆的位置。
通过观察同心圆的变形,可以确定晶圆圆心的位置。
4. 根据观察结果确定晶圆圆心的位置。
根据观察到的同心圆位置,可以计算出晶圆圆心的位置并进行记录。
二、晶圆缺口定位晶圆缺口的定位是指确定晶圆上的缺口的位置。
晶圆上的缺口通常用于指示晶圆的方向、晶片的方向或标记晶体的结构等。
具体的步骤如下:1. 观察晶圆上的缺口。
使用光学设备观察晶圆表面上的缺口。
2. 根据观察结果确定缺口的位置。
根据观察到的缺口位置,可以计算出晶圆上缺口的位置,并进行记录。
三、晶圆定位校准方法为了提高晶圆定位的准确性,可以采用校准方法来纠正定位的误差。
一种常用的校准方法是使用一个已知准确位置的标记物来校正晶圆定位的误差。
具体的步骤如下:1. 在晶圆上添加标记物。
在晶圆表面上添加一个已知准确位置的标记物,可以是一个小孔、一个金属标记点等。
2. 使用光学设备观察标记物的位置。
使用显微镜或投影仪等光学设备观察标记物的位置。
3. 计算晶圆定位的误差。
通过观察到的标记物位置和已知准确位置的标记物位置的差异,可以计算出晶圆定位的误差。
基于高精度测微仪的晶圆预对准方法
第7卷 第3期2009年5月纳 米 技 术 与 精 密 工 程Nanotechnology and Prec isi on Eng i n eer i n g Vol .7 No .3May 2009 收稿日期:2008209208.基金项目:国家高技术研究发展计划(863)项目(2004AA420040);新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET 20820170).作者简介:曲东升(1973— ),男,博士,副教授.通讯作者:张世忠,zhangsz .hit@g mail .com.基于高精度测微仪的晶圆预对准方法曲东升,张世忠,荣伟彬,孙立宁(哈尔滨工业大学机器人技术与系统国家重点实验室,哈尔滨150080)摘 要:现有的基于高精度测微仪的预对准方法需交换晶圆才能够完成操作.为提高其效率,介绍了一种无需晶圆交换的预对准方法.该方法采用缺口定向先于圆心定位的预对准顺序,通过一维旋转和二维直线平移完成晶圆的定位.另外,还给出了该方法重复定位晶圆圆心和缺口的误差表达式.针对线性最小二乘圆拟合算法进行晶圆缺口拟合时计算精度不易保证的问题,提出了一种非线性晶圆缺口拟合算法,即利用Levenberg 2Marquardt 算法直接求解缺口边缘拟合问题.精度测试结果表明,该算法的计算误差近似为现有缺口拟合算法误差的1/2.关键词:晶圆预对准;Levenberg 2M arquardt 算法;最小二乘圆拟合中图分类号:TP24212 文献标志码:A 文章编号:167226030(2009)0320249205Wafer Pre 2Ali gn i n g M ethod Based onHi gh 2Precisi on D i git alM i cro meterQU Dong 2sheng,ZHANG Shi 2zhong,RONG W ei 2bin,S UN L i 2ning(State Key Laborat ory of Robotics and Syste m,Harbin I nstitute of Technol ogy,Harbin 150080,China )Abstract:The p resent wafer p re 2aligning method based on high 2p recisi on digital m icr ometer needs t o ex 2change wafer t o accomp lish the p re 2align ment .I n order t o i m p r ove its efficiency,a method without ex 2changing wafer was p resented .The method adop ts a p re 2aligning sequence in which notch 2orientati on is p ri or t o center 2positi oning t o accomp lish the wafer align ment by one 2di m ensi onal r otati on and t w o 2di m en 2si onal translati on .I n additi on,the exp ressi ons of repetitive positi on err ors of notch and center positi oning of this method were given .A s it is difficult t o guarantee the high calculati on accuracy of linear least square fitting of notch,a nonlinear algorithm for notch fitting was p r oposed .The algorithm utilizes Leven 2berg 2Marquardt algorithm t o s olve the notch fitting p r oble m and is validated app r oxi m ately t o half of the calculati on err or of notch fitting by experi m ent .Keywords:wafer p re 2align ment;Levenberg 2Marquardt algorith m;least squares fitting of circle 半导体加工过程涉及多种工艺,每种工艺需要用到不同的工具和设备,操作精度在纳米至微米级之间.加工晶圆前,很多工艺都需要预先获得晶圆准确的定位和姿态.从表面上看,晶圆预对准系统并非集成电路(integrated circuit,I C )制造设备的核心系统,但随着半导体工艺从微米级发展到深亚微米级、纳米级别,I C 制造设备对各个分系统的要求达到了非常苛刻的地步.作为I C 制造设备关键部件之一的晶圆预对准装置,其工作性能直接影响整个I C 制造工艺的精度和效率[1].晶圆预对准方法经历了机械预对准和光学预对准两个阶段.由于机械预对准的定位精度完全受机械结构精度的影响,测量精度较低,目前普遍应用的晶圆预对准方法为光学预对准.光学预对准是利用光学测量 ·250 ·纳 米 技 术 与 精 密 工 程第7卷 第3期 元件对晶圆的边缘进行检测,通过一定的算法获得晶圆的圆心位置.光学测量元件有点阵型和线阵型,也可以是相机或摄像头.韩国成均馆大学在2003年设计了一个利用摄像头作为检测元件的晶圆预对准装置,采用图像识别的方法实现定位.目前较成熟且投入工业应用的预对准方法使用的是线阵型光学传感器,它不接触晶圆,具有较高的测量精度[224].笔者从预对准装置效率的重要性出发,介绍了一种基于高精度测微仪(简称测微仪)、无需晶圆交换的预对准方法,并给出了该方法的圆心和缺口定位误差.由于线性化最小二乘圆拟合算法不能很好地保证缺口拟合的计算精度,笔者对其在应用中的不足进行了分析,提出了一种精度更高的缺口拟合算法.1 无需晶圆交换的晶圆预对准方法预对准装置效率的高低直接影响半导体加工的生产率,由于一条生产线上多个节点都需要预对准操作,即使缩短少量操作时间,其意义也很大.目前研制出的预对准装置均需要交换晶圆完成预对准操作,交换晶圆一般要2s 以上的时间,且会对晶圆底面造成损伤[4].为此,笔者提出了一种无需晶圆交换的预对准方法(简称无交换方法),避免了晶圆两次的吸附交换,减少了操作步骤,缩短了预对准时间.采用无交换方法的预对准装置主要由测微仪、旋转单元θ、直线平移单元X 和Y ,以及控制单元4部分组成,其结构如图1所示.图1 采用无交换方法的预对准装置结构示意旋转单元θ的旋转可将晶圆缺口定位于任意方向.旋转单元θ与平移单元Y 、平移单元X 与平移单元Y 之间相互固定,平移单元Y 固定于底板.平移单元X与平移单元Y 的运动可使晶圆圆心定位于平面内任意一点.测微仪通过测定晶圆遮挡带型光束后透光部分的宽度获得晶圆边缘信息.目前KE NYE NCE 公司生产的LS 27010型高精度测微仪的测量精度可达±015μm.测微仪沿旋转中心径向放置,距旋转单元中心约1个晶圆半径的距离.该预对准装置的工作原理简单描述如下:首先,旋转单元θ带动晶圆随之旋转,测微仪采集晶圆边缘信息;旋转结束后,控制单元通过圆心定位算法计算晶圆的圆心位置和缺口的大致位置;晶圆再次旋转,测微仪检测缺口边缘信息,控制单元通过缺口定位算法计算缺口的准确方位和缺口定向后圆心的新位置;小角度旋转晶圆,缺口定向;根据圆心的新位置,两平移单元带动晶圆沿x 和y 两水平方向移动,将晶圆圆心平移至指定位置,圆心定位.工作流程如图2所示.图2 预对准方法的工作流程该方法需要3次旋转、2次直线移动(可联动)、2次计算.文献[2]中的预对准方法需要4次旋转、3次直线移动、2次计算,另外,晶圆吸附交换还需一定的梯度真空等待时间,所以本文所介绍的预对准方法可以较明显地缩短现有的预对准操作时间.这种预对准方法在其他方面也优于文献[2]中的方法:首先,该方法无需晶圆交换吸附,避免了交换吸附对晶圆下表面的损伤;其次,在结构方面,旋转单元与平移单元可以整合为一个模块,使结构更加紧凑,尺寸更小,维护与替换更加方便.晶圆预对准方法的误差主要由执行单元的运动误差、预对准算法的计算误差和机械结构安装误差组成.由于预对准装置性能指标中仅要求重复定位精度,故执行单元的重复定位误差和预对准算法的计算误差是影响预对准结果的最重要的两个因素.2 执行单元的重复定位误差分析执行单元的重复定位误差分析由晶圆缺口定位开始.晶圆缺口定位操作如图3所示.此过程结束后,晶圆圆心由C 1旋转到C 2.C 1的极坐标为Δ∠α1,C 2极坐标为Δ∠α2,其中α2=α1+φ.Δ为设计时允许的最大圆心偏移量,φ为旋转定向前缺口方向与预定方向间的夹角,由缺口定位算法计算得到. 2009年5月曲东升等:基于高精度测微仪的晶圆预对准方法·251 · 晶圆缺口定位的理论轨迹为N 1→N 2,如图4所示.由于旋转误差Δφ和旋转轴径向摆动λR 的存在,实际的轨迹为N 1→N ″2(本文中提到的实际轨迹均是误差值最大时的轨迹).晶圆缺口定位误差为缺口实际位置N ″2与理论位置N 2的距离,记为λQ .当ON 2达到最大,即ON 2=R +Δ时,λQ 最大.通过几何计算可得缺口定位误差 λQ ={[(R +Δ)sin Δφ]2+[(R +Δ)(1-cos Δφ)+λR ]2}1/2(1)由于实际应用中Δφ为角秒级,故缺口定位误差可简化为 λQ =[(R +Δ)sin Δφ]2+λ2R (2)圆心定位时,理论起始位置为C ′2,目标位置为O,理论轨迹为C ′2→T →O,如图5所示.由于平移单元的运动存在重复定位误差和平行度误差,实际的轨迹为C ′2→T ′→O ′.设X 、Y 平移单元的重复定位误差和平行度误差分别为λX H 、λY H 和λX V 、λY V ,如图5所示.晶圆圆心最后实际位置为O ′,故圆心定位误差为终点O ′到目标点O 的距离,记为λC ,通过几何计算可得圆心定位误差λC =(λX H +λY V )2+(λX V +λY H )2(3)晶圆缺口定位后,缺口位置因圆心定位误差再次改变,故总误差为缺口定位误差与圆心定位误差的叠加,其大小为 λ=λC +λQ(4)旋转单元和平移单元选取为文献[2]中的压电马达DT10524LM 和MT10522L M.DT10524L M 的旋转误差Δφ=010005°,旋转径向摆动λR =3μm.MT10522L M 重复定位误差为013μm ,直线度误差为015μm.设圆心最大偏移距离Δ=6mm ,晶圆半径R =153mm ,则无交换方法的总误差为 λ=λC +λQ =(1113+3130)μm =4143μm(5)若采用相同圆心最大偏移距离和晶圆半径,则文献[2]中方法的误差为4126μm ,可见两方法的误差相差很小.图5 晶圆圆心定位误差3 晶圆缺口拟合算法研究及精度测试晶圆的缺口近似为一个半径为3mm 的圆弧,缺口边界点与晶圆圆心连线的夹角为115°.目前定位缺口采用拟合缺口圆边界曲线获得拟合圆心C q 的方法,拟合算法为线性化最小二乘圆拟合算法.311 线性化最小二乘圆拟合算法应用于缺口定位的不足线性化最小二乘圆拟合算法具有计算效率高、计算精度正比于采样点数量(采样点的精度满足要求的情况下)的特点.将最小二乘问题线性化是通过将代数距离代替几何距离实现的,具体推导见参考文献[5],本文不再赘述.这种优化虽然可获得解析解,但放大了距离较远的采样点的重要性,即令它们的权重相对放大.晶圆边缘各数据的重要性是等同的,且国际标准组织对圆的度量采用的也是几何距离,因此人为将某些点的权重放大是不恰当的[627].缺口定位时,可采样的旋转范围为115°,以现有的旋转精度,可获得的采样点数量较少,而且采样点只能反映缺口圆的一段圆弧而非整个圆,采用代数距离简化问题来求解,其 ·252 ·纳 米 技 术 与 精 密 工 程第7卷 第3期 计算精度很难保证[829].数学领域中求解非线性最小二乘问题的算法有很多,诸如Steepest 2descent 法、Ne wt on 法、Hybrid 法和L ine 2search 法等,但最有效、应用最多的是Levenberg 2Marquardt 算法(L 2M 算法)[10].因此,笔者提出用L 2M 算法来实现晶圆缺口的定位,即用迭代的方法直接求解非线性最小二乘圆弧拟合问题.312 基于L 2M 算法的圆缺口拟合算法L 2M 算法的核心是迭代,目标是在可信域内找到局部最小值,即在给定x 的情况下,从x i 周围找到一个点x i +1,使得f (x i +1)的值比f (x i )小.x i +1与x i 的关系为 x i +1=x i +h LM(6)迭代变化量为 h LM =-[▽2f (x )+λLM ]-1·▽f (x )(7)式中:▽f (x )和▽2f (x )为目标函数的一阶导数和二阶导数[10].圆缺口定位的目标函数为 f (x )=12∑m j =1d 2j (x )=12d T (x )·d (x )(8) d j (x )=(x i -a )2+(y i -b )2-R(9)式中:d (x )={d j (x )};(x i ,y i )为缺口圆边缘上的一点;(a,b )为缺口圆圆心;R 为缺口圆半径.故 ▽f (x )=∑mj =1d j(x )·▽d j (x )=J (x )T·d (x )(10) ▽2f (x )=▽∑mj =1d j (x )·▽d j (x )=J (x )T·J (x )+∑mj =1d j(x )·▽2d j (x )(11)采样点的误差为微米级,晶圆半径为毫米级,故d j (x )的值很小,可近似为零,所以可得 ▽2f (x )≈J (x )T·J (x )=H (x )(12)式中:J (x )为d (x )的雅格比矩阵;H (x )为d (x )的海赛矩阵.则基于L 2M 算法的圆缺口定位算法表达式为 x i +1=x i -(H (x )+λLM )-1·J (x )(13)阻尼系数 λLM =λdiag[H (x )] λ>0当0<‖d (x i )‖22-‖d (x i +1)‖22<[ε]时,x i +1≈x i ,迭代结束,[ε]为判断阈值.目标参数仅有a 、b 两个,故[H (x )+λLM ]为二维方阵.二维方阵求逆的运算量非常小,所以整个算法的计算量主要集中于J (x )的计算.应用这种圆缺口定位算法时,起始点x 0的选取很重要,它直接影响算法运行的时间和计算结果的精度.实际应用时,可以将等分缺口圆的3个点提取出来,通过3点确定一个圆的方法找到缺口圆圆心的大致位置,作为起始点x 0.这样做能够保证最后的结果始终位于可信域内,且不超过7次迭代就可以满足计算精度要求,缩短了算法运行时间.313 晶圆缺口拟合算法精度测试与比较缺口拟合算法精度测试是在数字信号处理器(digital signal p r ocess or,DSP )中完成的.首先建立一个标准的缺口边缘点库,该库中所有点的数据为理论值,圆心与坐标系的偏距为定值.向标准点库内各点数据引入随机干扰误差,建立实际点库.随机干扰误差对应实际应用中旋转单元的径向跳动和测微仪测量精度对数据采集的影响,设定其范围为-2~2μm.以实际点库为对象进行运算,建立一个点库运算一次并保存计算结果,每一次运算相当于一次缺口拟合计算,共执行500次,结果如图6所示.图6中,计算精度代表算法的计算精度,即引入随机误差前后缺口位置间的距离;计算次数代表算法执行次数;LLS 代表线性化最小二乘圆拟合算法;L M 代表基于L 2M 算法的缺口拟合算法;M LLS 为LLS 算法的精度平均值;M LM 为LM 算法的精度平均值.图6中,M LLS =0126μm ,M LM =0114μm ,LLS 算法精度分布于0~018μm ,LM 算法精度分布于0~014μm ,L M 算法的误差约是LLS 算法的1/2.结果表明,基于L 2M 算法的缺口拟合算法可以将现有缺口拟合精度提高近1倍.图6 LL S 与LM 算法的精度分布 2009年5月曲东升等:基于高精度测微仪的晶圆预对准方法·253 · 由于算法是在DSP微控制器中运行的,算法执行时间可通过DSP内部时钟计时获得.DSP微控制器使用的是TI公司出品的T MS320F2812,时钟主频设置为150MHz.设置DSP内部时钟每间隔10μs中断一次,算法执行结束后总中断次数乘以间隔时间,再加上时钟内部剩余小于间隔时间的部分,可以准确地获得算法运行的时间.最后得到的L2M算法运行时间约为134m s.4 结 语本文中介绍了一种基于高精度测微仪、无需晶圆交换的预对准方法,该方法具有操作数少、效率高、较小损伤晶圆、便于结构小型化等优点.通过误差分析与比较,该方法可以替换现有基于高精度测微仪的预对准方法.针对现有缺口拟合算法在实际应用中的不足,笔者提出采用非线性方法求解缺口圆弧边界拟合问题.基于L2M算法的缺口拟合算法经精度测试与比较,其计算误差近似为现有缺口拟合算法的1/2.参考文献:[1] 丛 明,杜 宇,沈宝宏,等.面向I C制造的硅片机器人传输系统综述[J].机器人,2007,29(3):2612266.Cong M ing,Du Yu,Shen Baohong,et al.Robotic waferhandling syste m s for integrated circuit manufacturing:A re2vie w[J].Robot,2007,29(3):2612266(in Chinese). 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基于高精度测微仪的晶圆预对准方法
基于高精度测微仪的晶圆预对准方法曲东升;张世忠;荣伟彬;孙立宁【期刊名称】《纳米技术与精密工程》【年(卷),期】2009(007)003【摘要】现有的基于高精度测微仪的预对准方法需交换晶圆才能够完成操作.为提高其效率,介绍了一种无需晶圆交换的预对准方法.该方法采用缺口定向先于圆心定位的预对准顺序,通过一维旋转和二维直线平移完成晶圆的定位.另外,还给出了该方法重复定位晶圆圆心和缺口的误差表达式.针对线性最小二乘圆拟合算法进行晶圆缺口拟合时计算精度不易保证的问题,提出了一种非线性晶圆缺口拟合算法,即利用Levenberg-Marquardt算法直接求解缺口边缘拟合问题.精度测试结果表明,该算法的计算误差近似为现有缺口拟合算法误差的1/2.【总页数】5页(P249-253)【作者】曲东升;张世忠;荣伟彬;孙立宁【作者单位】哈尔滨工业大学机器人技术与系统国家重点实验室,哈尔滨150080;哈尔滨工业大学机器人技术与系统国家重点实验室,哈尔滨150080;哈尔滨工业大学机器人技术与系统国家重点实验室,哈尔滨150080;哈尔滨工业大学机器人技术与系统国家重点实验室,哈尔滨150080【正文语种】中文【中图分类】TP242.2【相关文献】1.高精度电容测微仪的自校正方法 [J], 李建文;付敬业;张洪刚;赵玉春;郑义忠;叶声华2.静态平衡仪-基于高精度圆测偏移研究 [J], 郑仲深;伍嘉华;陈汉森;陈奕方;张家钦3.一种基于二次模板匹配的晶圆对准方法 [J], 刘红军;杨刚;孟宪圆;郑金宝;刘宵婵;李强4.采用晶圆传送机器人的晶圆预对准方法 [J], 刘劲松;王森;褚大伟5.采用线阵型光学传感器的晶圆预对准方法 [J], 周杰;韩龙因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
采用晶圆传送机器人的晶圆预对准方法
采用晶圆传送机器人的晶圆预对准方法刘劲松;王森;褚大伟【摘要】针对传统的晶圆预对准控制系统成本高和体积大的不足,设计了基于晶圆传送机器人的晶圆预对准装置,并提出了高效、高精度的晶圆圆心和缺口定位算法.采用交换吸附的方式通过预对准装置一维旋转和晶圆传送机器人空间平移实现晶圆预对准.误差分析及预对准实验研究结果表明,晶圆圆心的定位精度<50,预对准时间为10 s,满足设计要求.【期刊名称】《电子科技》【年(卷),期】2016(029)011【总页数】4页(P9-12)【关键词】晶圆预对准;晶圆传送机器人;定位算法;交换吸附【作者】刘劲松;王森;褚大伟【作者单位】上海理工大学机械工程学院,上海200093;上海微松工业自动化有限公司,上海201114;上海理工大学机械工程学院,上海200093;上海理工大学机械工程学院,上海200093【正文语种】中文【中图分类】TN405集成电路 (IC) [1]是制造技术(工艺)的更新和更高性能IC制造装备的研制,是半导体产业发展的两个重要因素,而制造装备又是实现工艺技术的载体[2]。
光刻机是微电子器件制造业中不可或缺的工具[3]。
而这一过程中,晶圆预对准装置是不可或缺的工具,其是以机械方式或光学方式对晶圆进行预对准。
晶圆预对准装置对定位精度要求高。
本文在保证精度的前提下从降低成本角度设计了一种晶圆预对准方法,在晶圆传送机器人辅助下完成晶圆定位。
晶圆植球机是高端IC封装的核心设备,其晶圆级封装以Ball Grid Array技术为基础,将百微米级的焊锡球放置到刻好电路的晶圆上[4],采用凸点技术 (Bumping) 作为其I/O 电极,晶圆上形成凸点有3种方式:电镀方式、印刷锡膏方式和植球方式[5]。
预对准装置对晶圆定位,晶圆传送机器人将定位后的晶圆放置于植球平台,等待晶圆后续的印刷与植球,此过程传送机器人等待时间较长。
本文创新点是放宽预对准装置对晶圆定位的时间要求,晶圆在印刷和植球的同时,预对准装置执行对下一片晶圆的定位动作,关键点在于预对准装置对晶圆定位的精度要求上。
改进型晶圆预对准算法
改进型晶圆预对准算法
王石磊;李朋;陈胜华
【期刊名称】《科学与信息化》
【年(卷),期】2024()3
【摘要】随着半导体生产工艺的升级,在晶圆处理过程中需要对晶圆圆心进行更加准确的定位。
传统的晶圆预对准系统采用的回转半径法、质心法以及圆最小二乘法无法有效避免测量误差引入的异常采样点问题。
因此,本文在圆最小二乘法基础上,提出一种增加权重的改进型晶圆预对准算法,即在剔除干扰点的同时增加权重函数,在确定晶圆圆心坐标的同时,尽可能减少异常采样点对拟合结果的影响。
【总页数】4页(P123-126)
【作者】王石磊;李朋;陈胜华
【作者单位】宁波润华全芯微电子设备有限公司
【正文语种】中文
【中图分类】G63
【相关文献】
1.晶圆预对准系统误差仿真分析
2.晶圆预对准精确定位算法
3.采用晶圆传送机器人的晶圆预对准方法
4.晶圆预对准系统定位算法研究
5.半导体制造领域的晶圆预对准系统综述
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的最小二乘圆拟合来找对准信息 。具体来说就是 , CCD 传感器采集晶圆旋转过程中的边缘数据 , 采用 最小二乘圆拟合求得晶圆的半径以及圆心坐标 。对 心执行机构移动晶圆使其圆心与旋转中心重合 , 以 完成晶圆圆心定位 。根据之前的圆周采样数据 , 采 用边缘变化率法找到缺口粗位置 , 将缺口旋转到 CCD 传感器扫描线附近对缺口进行小范围细采样 , 同样用最小二乘圆算法拟合缺口 , 得到缺口圆的圆 心坐标 。缺口圆心和旋转中心连线与晶圆边缘的交 点为缺口中心 ,将缺口中心旋转到指定的角度 ,以完 成晶圆缺口定位 [1 ] 。该算法用最小二乘圆拟合算法 求晶圆圆心和缺口圆心 ,然而晶圆含有缺口 ,并不是 一个标准圆 ,所以计算时不得不去除缺口部分数据 。 另外 ,这两种对准方法都采用线性 CCD 传感器检测 晶圆边缘 ,而该传感器采样频率较小 ,从而限制了晶 圆一周的采样点数 ,并且其占用空间较大 ,在主机框 架空间尺寸限定的情况下 ,CCD 传感器的空间尺寸 无法满足要求 。本文在研究分析上述预对准算法的 基础上 ,提出了一种基于高精度激光位移传感器和 低成本透射式激光传感器的新型晶圆预对准系统和 相应的预对准算法 ,提高了对准精度 ,减少了占用空 间。
全离开传感器后数据才恢复正常 。定义缺口的变化 率最大的斜边拐点处为缺口的起 、 终点 。根据缺口 对晶圆中心大约 1. 15° 的张角可以预先设置好光透 传感 器 下 限 值 。光 透 传 感 器 控 制 器 提 供 了 一 个 LOW 数字信号输出 ,当检测数据小于传感器定义好 的下限值时 ,LOW 端数字输出为 0 , 否则输出为 1 。 所以在缺口细采样时 , 我们除了采集光透传感器模 拟输出信号以外 , 还同步采集其 LOW 数字输出信 号 。然后对后者数据进行查找 , 从 1 到 0 变化的拐 点就是缺口的起点 , 从 0 到 1 变化的拐点就是缺口 的终点 ,从而找到实际缺口形心计算的数据段 。 本文中的缺口形心指的是以缺口为外轮廓的小 扇形的形心 , 如图 3 所示 。缺口形心计算原理同样 采用质点系重心法 , 与晶圆形心计算原理相同 。只 不过晶圆形心计算的是一个圆 , 而缺口形心计算的
1 晶圆预对准原理
概括地说 , 本文提出的系统的晶圆预对准原理 是 : 工控机获取传感器采集的数据 ,计算出晶圆形心
① 863 计划 (200XAA4C3000) 资助项目 。 ② 女 ,1981 年生 ,博士 ; 研究方向 : 硅片预对准 ; 联系人 ,E2mail :hcx81314 @sjtu. edu. cn ( 收稿日期 :2006212229)
2 预对准精确定位算法
2. 1 晶圆形心定位算法
在晶圆预对准过程中 , 晶圆形心需要调整到与 转台中心重合 ( 转台中心定义为系统原点) 。定位的 关键在于晶圆形心的计算 。只有形心坐标计算出来 之后才能指导定心执行机构实现晶圆形心定位 。由 于晶圆存在缺口 ,它并不是标准圆 ,因此放弃采用最 小二乘圆拟合求晶圆圆心的方法 。本文提出用质点 系重心法 [4 ] 求晶圆形心 。该算法精度高 , 适用于任 何形状的物体 。 力学质点系的重心坐标公式为 :
— 709
—
高技术通讯 2007 年 7 月 第 17 卷 第 7 期 和缺口方向 , 然后控制执行机构完成晶圆预对准 。 图 1 为激光位移传感器和光透传感器与晶圆相对位 置简图 。晶圆缺口深度约为 1mm ; 缺口边沿对应晶 圆形心的张角约为 1. 15° , 其形状并非一致 , 以 V 形 槽为主 ,半圆形槽为辅 。激光位移传感器光点打到 晶圆边缘 ,检测晶圆径向距离 。当其检测 V 形槽缺 口时 ,在 V 形槽两个斜边位置 , 激光反射光将无法 回到其接受透镜处 , 因此缺口数据会出现大量超量 程坏点 。为了统一起见 , 缺口精定位数据的重新采 集使用的是光透传感器 , 其检测头在晶圆边沿上下 表面安装 ,光带方向指向系统原点方向 ,由遮光量大 小决定径向距离 。
M = My =
i =1
∑m
n i =1
i
为该质点系的总质量 ;
n
∑
mixi , Mx =
i =1
∑m y
i i
分别为该质点系
对 y 轴和 x 轴的静矩 。 晶圆一周采集 N 个有效点 ,每个采集点与转台 编码一一对应 ,即极坐标 ( r θ ,θ i ) 已知 。晶圆将分 成 N 个扇形 , 如图 2 所示 。那么 , 晶圆质点系总质 量是 :
i =1
ρ・rd rdθ ∑ κ
d
N
( 3)
图2 质点系重心法求解晶圆形心示意图
晶圆质点系 y 轴静矩是 :
黄春霞等 : 晶圆预对准精确定位算法
i =1
ρ・r2cosθ d rdθ ∑ κ
d
N
( 4)
晶圆质点系 x 轴静矩是 :
i =1
ρ・r2 sinθ d rdθ ∑ κ
d
N
( 5)
图 5 CCD 晶圆标记拍摄图片
假设晶片密度均匀 , 那么根据式 ( 1) , ( 2) , 晶圆 形心坐标为 :
i =1
x =
ρ・r2cosθ d rdθ ∑ κ
i =1 N
N
ρ・rd rdθ ∑ κ
d
d N
=
i =1
2 r dr cosθ dθ ∑ ∫ ∫ θ 0
i
r θ
θ i +1
i =1
∑ ∫ 0
N
N
r θ
rd r
∫dθ
θ i
i =1
2 r dr sinθ dθ ∑ ∫ ∫ θ 0
i
r θ
θ i +1
图3 缺口形心的极坐标求解
i =1
∑ ∫ 0
N
N
r θ
rd r
∫dθ
θ i
θ i +1
3 晶圆预对准重复性精度检测和实验
=
1 3
i =1
∑r3
i
θ cosθ i +1 - cos i
( 7)
2
验证
为了验证本文所述预对准算法是否满足系统重 复性精度要求 ,下面进行晶圆预对准重复性精度检 测实 验 。实 验 所 需 装 置 是 硅 片 预 对 准 台 、 一片 200mm 上带标记的晶圆 、 CCD 摄像头 、 图像采集卡 。 晶圆预对准台如图 4 所示 ; CCD 摄像头方向垂直于
黄春霞等 : 晶圆预对准精确定位算法
晶圆预对准精确定位算法
黄春霞 ② 曹其新 刘仁强
①
( 上海交通大学机器人研究所 上海 200240)
摘 要 针对 IC 制造工艺中传统的晶圆预对准控制系统预对准精度不高和占用空间较 大的不足 ,提出了一种采用高精度激光位移传感器和低成本的透射式激光传感器的新型 晶圆预对准系统 ,并结合该系统的特点提出了相应的晶圆预对准精确对位算法 ,而且进行 了晶圆预对准重复性精度检测和实验验证 。该系统用两种传感器数据融合的方式来检测 晶圆的边缘 ,用质点系重心法确定晶圆形心和缺口位置 , 最终实现了微米级的晶圆预对 准 。该系统提高了对准算法的精度 ,减小了预对准台占用的实际空间 ,降低了成本 。实验 结果验证了该系统的有效性 。 关键词 晶圆预对准 ,质点系重心法 ,形心计算
θ i +1
=
1 3
i =1
∑r3
i
θ sinθ i +1 - sin i
( 6)
2
1 2
N i =1
N
是一个小扇形 ,即它们的计算公式类似 ,只是积分角 度范围不一致 。
பைடு நூலகம்i =1
∑r i θi +1 - θi
y =
ρ・r2 sinθ d rdθ ∑ κ
i =1 N
ρ・rd rdθ ∑ κ
d
d N
=
n
My x = = M
i =1 n
∑m x
i- 1 n
i i
( 1)
∑
mi
i i
y =
图1 传感器与晶圆相对位置简图
Mx = M
i =1 n
∑m y
i- 1
( 2)
∑m
i
其中 :
n
晶圆预对准的具体原理如下 。第一 , 转台高速 转动一周 ,数据采集卡以转台编码作为外部时钟 ,同 时采集激光位移和光透传感器获得的晶圆边缘一周 数据 。该方法的优点是保证每个采样点与转台编码 一一对应 ,从而得到每个采样点极坐标值数据 。第 二 ,利用激光位移传感器获取的数据 ,采用质点系重 心法计算晶圆形心和半径 ,然后再计算缺口粗位置 。 对 V 形槽缺口晶圆来说 , 利用激光位移传感器缺口 部分数据超量程的特殊性质找缺口起始和终止点 , 作为缺口粗定位标准 ; 对半圆形槽晶圆来说 ,利用光 透传感器数据在缺口起终点变化率绝对值最大的性 质找到缺口起始和终止点 , 作为缺口粗定位标准 。 第三 ,晶圆形心计算出来后 ,对心执行机构移动晶圆 将其形心与旋转中心重合 , 以完成晶圆形心定位 。 第四 ,根据之前找到的缺口粗位置 ,将缺口旋转到光 透传感器附近对缺口进行小范围细采样 ( 采样外部 时钟信号是转台编码 4 倍频信号 , 这样数据量是原 来的 4 倍) 。利用光透传感器事先定义好的域值 ,找 到缺口实际的数据段 , 该数据段数据同样采用质点 系重心法来计算缺口形心 。缺口形心和旋转中心连 线为缺口方向 ,将该方向旋转到指定的角度 ,以完成 晶圆缺口定位 。 — 710 —
图4 晶圆预对准台
— 711
—
高技术通讯 2007 年 7 月 第 17 卷 第 7 期 晶圆 ,抓取晶圆标记的放大图片 ,如图 5 所示 。检测 方法是 ,初始位置任意的同一块晶圆进行预对准操 作 ,当预对准完成后 ,CCD 抓取一张晶圆标记图片 , 该过程重复 25 次获得 25 张图片 。这组图片运用图 像分析软件进行分析 ,把其中任意一张作为模版 ,剩 余的都和它进行匹配 , 结果将获得 25 组像素坐标 , σ 值 。表 1 是一组晶圆预对 然后对 x , y 分别计算 3 σ值已经 准重复测量精度检测实验结果 ,可以看出 3 满足微米级重复性定位精度要求 。该过程重复多 次 ,都能得到理想的类似结果 。实验证明该预对准 算法精度高 ,运用该算法的预对准台满足微米级定 位精度要求 。