模拟电子电路总复习
模拟电子技术综合复习
4.放大电路的输入电压 Ui=10mV,输出电压 UO=1V,该放大电路的电压放大倍数为 -100 , 电压增益为 40 dB。
5.集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端,前者的极性与输
出端 相同 ,后者的极性与输出端 相反 。 6.理想运算放大电器工作在线性状态时,两输入端电压近似相等,称为
2. 在单相桥式整流电路中,若将 4 只二极管全部反接,试分析对输出有何影响?若将其中的 1 只二极管反接,对输出有何影响?
VT1 VT2
V1
VT4
V2
VT3
+
R uo
-
六、计算题
= 100,RS= 1 k,RB1= 62 k,RB2= 20 k, RC= 3 k,RE = 1.5 k,RL= 5.6 k,VCC = 15 V。 求:“Q”,Au,Ri,Ro。
(√ )
10.乙类互补对称功率放大电路产生的失真是交越失真。
( √)
四、判断三极管工作状态(每小题 4 分,共 12 分)
-5V
-1.7 V
3.3V 3.7V
6V 2V
-2V
3V
a.(截止
) b.( 饱和 )
3V
c.( 截止
)
五、分析题(每小题 9 分,共 18 分)
1. 试分析图示电路中,级间交流反馈 是正反馈还是负反馈,是电压反馈还是电 流反馈,是串联反馈还是并联反馈?
( ×)
2.二极管在工作电流大于最大整流电流 IF 时会损坏。 3.三极管基极为高于发射极电位,三极管一定处于放大状态。
(√ ) ( ×)
4.放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关,而与输入信号源内阻无关。( × )
模拟电子技术总复习
IE= Ic + IB =(+1)IB IC
12
电容短路,直流电源短路,画出交流通道
ui
RB
RC
RL
uo
13
用晶体管的微变等效电路代替晶体管,画出该电路的 微变等效电路,并计算电压放大倍数、输入电阻、输 出电阻
ii
ib
ic ib
R A u L rbe
ui
RB
rbe
RC
RL
uo
10 F
ui
R E1 RB 2 3.3k 15 RE 2 10 F 1.5k
RB 4 1.8k
5.1k RL
10 F
uo
RE 3 1k
PNP管的 微变等 效电路 与NPN管 完全一 样!
27
例3:
如图所示的两级电压放大电路, 已知β 1= β 2 =50, T1和T2均为硅管。
(1)计算前、后级放大电路的静态值(UBE=0.6V); (2)求放大电路的输入电阻和输出电阻; (3)求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数。
ib
RC RL uo
+
ui
C1
RB 2
RE
-
-
20
3.动态分析 ——电压增益
ib rbe ui RB1 RB 2 RE
ib
RC RL uo
输出回路:uo 输入回路: ui
β ib (Rc || RL )
ib rbe ie Re ib rbe ib (1 β) RE
+24V
RB1 1M C1 + T1
82k
C2 +
RB1
RC2 10k T2
C3 + +
模拟电子技术总复习
vi>VT+时,vo=VOL,vo在VT-处由VOL翻转为VOH。
第8章 直流稳压电源
考核知识点: 直流稳压电源组成;整流、滤波和稳压的概
念;桥式整流电容滤波电路结构及其分析 计算;串联稳压电路组成及输出电压的调 节范围计算;集成稳压器的使用。
串联负反馈 —— 增大输入电阻 并联负反馈 —— 减小输入电阻 电压负反馈 —— 减小输出电阻,稳定输出电压 电流负反馈 —— 增大输出电阻,稳定输出电流
特别注意表4.2.1的内容 负反馈对放大电路性能的改善,是以牺牲增
益为代价的,且仅对环内的性能产生影响。
end
4.3.1 放大电路引入负反馈的一般原则
由此可以得出结论:PN结具有单 向导电性。
判断二极管工作状态的方法:断开 二极管,利用戴维宁定理求出其阳 极至阴极间的电压,若该电压大于 正向导通电压,则导通;反之,则 截止。
晶体管的三个工作状态 1.放大状态: 特点:iC=βiB,即iC受iB控制,与v CE无关,呈近似恒流源性质。 外部条件:发射结正偏,集电结反偏。
N型半导体或 P型半导体整体呈中性。 杂质半导体的导电性能主要取决于多数载流子浓度, 多数载流子浓度取决于掺杂浓度,其值较大且稳定; 少数载流子浓度与本征激发有关,对温度敏感。
end
PN结加正向电压时,呈现低电阻, 具有较大的正向扩散电流,称为正向 导通。
PN结加反向电压时,呈现高电阻, 具有很小的反向漂移电流,称为反向 截止。
晶体管进入 iB/? A 截止区工作,
原因iB:/?静A 态工作点太低造;成截止失真。
波形:输出电压正半波平顶适(当对增N加PN基);
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是(空隙), 而少数载流子是(自由电子)。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是(电子), 而少数载流子是(空隙)。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接( N )区, 电源的负极应接( P )区。
4.当PN结正向偏置时, 电源的正极应接( P )区, 电源的负极应接( N )区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结(正向)偏置, 集电结(反向)偏置。
6.根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为(反向饱和)电流, 在室温下约等于( 26mV )。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极(漏极)、(栅极)和(源极)与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用(电压取样)负反馈, 为稳定输出电流, 应采用(电流取样)负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用(串联-电压求和)负反馈, 为减少输出电阻, 应采用(电压取样)负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. )。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, (共集电极)组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
(共射)组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中,.共集电. )组态的电压放大倍数小于1,.共.)组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR=(), 通常希望差分放大电路的共模克制比越(大)越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区(高掺杂), 二是基区很(薄)并掺杂浓度(最低)。
15.在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将(不变), 而共模放大倍数将(减小), 共模克制比将(增大)。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有(阻容), (变压器)和(直接)耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是(零点漂移)。
模拟电子电路复习题及答案
模拟电子电路--2022年第二学期期末考试复习题1、放大电路的直流负载线和交流负载线的概念有何不同?什么情况下两条负载线重合?答案:答:直流负载线:由直流通路确定,其斜率等于-1/Rc的一条直线。
交流负载线:由交流通路确定,其斜率等于的一条直线。
由于,故交流负载线的斜率大于直流负载线的斜率。
当负载RL断路时,交流负载线与直流负载线重合。
2、能否用两个二极管背靠背地连接构成一个BJT?答案:答:不能,因为BJT除了由两个背靠背PN结构成外,还需满足三个内部条件。
3、P型半导体空穴是多数载流子,故带正电。
答案:正确4、硅晶体二极管的导通电压为0.7V。
答案:正确5、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
答案:正确6、因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
答案:错误7、PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
答案:正确8、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
答案:错误9、由于三极管包含2个PN结,可采用2只二极管背靠背连接构成1只三极管。
答案:错误10、三极管在电路中有3种接法,分别为:共发射极、共集电极、共基极接法答案:正确11、放大电路中接有一个三极管,不知其型号,测出它的三个管脚的电位分别是10.5V、6V、6.7V,则三极管是NPN锗管。
答案:错误12、射极输出器也就是共发射极放大电路,电压放大倍数通常可以达到几十到几百。
答案:错误13、组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态。
答案:正确14、无关项对最终的逻辑结果无影响,因此可任意视为0或1。
答案:正确15、已知逻辑功能,求解逻辑表达式的过程称为逻辑电路的设计。
答案:错误16、若集成运放在使用时不接负反馈,则电路中的电压增益称为开环电压增益。
答案:错误17、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
18、可以说任何放大电路都有功率放大作用。
答案:正确19、放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外,uN
R R Rf
uo,uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示,各引入那种组态的负反馈?设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V,填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为:-R2/R1。
(3)交流负反馈是指 。 A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B.只有放大交流信号时才有的负反馈 C.在交流通路中存在的负反馈
解:(1)D (2)B (3)C
4、选择合适答案填入空内。
A.电压 B.电流 C.串联 D.并联
(1)为了稳定放大电路的输出电压,应引入 负反馈;
(2)为了稳定放大电路的输出电流,应引入 负反馈;
解:将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路,图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中,已知晶体管β,rbe,RB,RC=RL,VCC。
(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
(2)当考虑信号源内阻为RS时,Aus的数值。
6. 电路如图所示,晶体管的=100,=100Ω。
模拟电子技术综合复习题(有答案)
《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章)一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素,变成为P 型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中,自由电子浓度 B 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后, C 。
A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 C 。
UT U U I e C. )1e (S -T U U I D. I S 。
C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将 A 。
A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的方法是测量 D 。
A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
大学期末模电复习总结
模拟电子技术基础复习要点一、常用半导体器件1. 半导体二极管(1)掌握二极管具有单向导电的特性。
用电位的方法来判断二极管是否导通,即,极管的阳极电位最高,或哪个二极管的阴极电位最低,哪个二极管就优先导通。
(2)注意:理想二极管导通之后相当短路,截止后相当开路。
(3)掌握二极管的动态电阻小,静态电阻大的概念(直流通路恒压源,交流通路小电阻)交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻,用静态工作点和公式求二极管的电阻值(4)熟悉二极管的应用(开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅)作业: 1.3 2. 半导体稳压管(1)掌握稳压管工作在反向击穿区的特点2)掌握稳压管与一电阻串联时,在电路中起的稳压作用。
哪个二只要不超过稳压管的最大功率,电流越大越好(3)掌握稳压管的动态电阻小,静态电阻大的概念。
(3)熟悉稳压管的应用(稳压、限幅)作业:1.5 , 1.6 3. 晶体三极管(1)熟悉晶体管的电流放大原理(重点掌握 Ic=βIb )(2)掌握 NPN 型三极管的输出特性曲线。
晶体管有三个级,必然就有 BE 间的输入, CE 间的输出,所以有两组特性曲线关于 NPN 型管子:管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。
区之间的区别3)掌握三极管的放大、饱和与截止条件。
4)理解 I CBO 和I CEO 的定义及其对晶体管集电极电流的影响。
作业:主要是饱和区和截止 1.9, 1.12 , Uce 是一个恒定值Ib 是一个恒定值共射交流放大倍数β,共基交流放大倍数α≈ 14. 场效应管(1)能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。
2)掌握结型场效应管 (N 沟道 )的转移特性和输出特性的意义。
3)掌握绝缘栅 N 沟道增强型 MOS 的转移特性和输出特性的意义。
二、基本放大电路1. 掌握典型的共发射极接法 (静态工作点稳定电路) 、共集电极接法的射极输出器的工作原 理。
(1)熟悉各元件的作用、各元件参数的数量级。
完整版模电总结复习资料模拟电子技术基础
G )二极管屯路 5)图解分析I 第一章I 半导体二极管一.半导体的基础知识1. 半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 (如硅Si 、错Ge )。
2. 特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3. 本征半导体----4. 两种载流子-5. 杂质半导体---- *P 型半导体:*N 型半导体: 纯净的具有单晶体结构的半导体。
-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子) 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴) 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN 结 结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V ,错材料约为0.2~0.3V 。
结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
结的伏安特性 * PN1L jp/mA 1 玩1 M 0 沪向特性赵亦V ft 反向特性 匸th «Fry JflZuA 二.半导体二极管* PN8. PN*单向导电性---- *二极管伏安特性 *正向导通压降-* 死区电压—— 正向导通,反向截止。
----同PN 结。
--- 硅管 0.6~0.7V ,错管 0.2~0.3V 。
硅管0.5V ,错管0.1V 。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低 若V 阳>V 阴(正偏),二极管导通(短路); 若V 阳<V 阴(反偏) 1)图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点 ,二极管截止(开路)。
Q 。
At2)等效电路法? 直流等效电路法*总的解题手段----若V阳>V阴(若V阳<阴(*三种模型Cd)小信吋模型三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性…正常工作时处在PN结的反向击穿区,第一.三极管的结构、类型及特点1.类型… 分为NPN和PNP两种。
模拟电子复习题
模拟电⼦复习题模拟电路复习题第⼀章⼀:填空题1.半导体三极管处在饱和状态时,e 结和c 结的偏置情况是___________2.将PN 结的N 区接电源的正极,P 区接电源的负极,则为PN 结的_______偏置。
3.按照⼆极管的材料分,可分为________⼆极管和锗⼆极管两种。
4.PN 结加正偏导通,加反偏截⽌,称为PN 结的________________性能。
5.某放⼤状态的晶体管,知β=50,测得其I E =2.04mA ,忽略穿透电流,则其I B 为________________mA 。
6.PN 结正向偏置时,应该是P 区的电位⽐N 区的电位________________。
7.N 型半导体是在本征半导体中掺⼊_______价元素构成的,其多数载流⼦是_______。
8.某放⼤状态晶体管,知I B =0.02mA,β=50,忽略其穿透电流,则I E =_________mA 。
9.图⽰电路中,⼆极管导通时压降为0.7V ,若U A =0V,U B =3V,则U O 为________。
10.PN 结反向偏置时,应该是N 区的电位⽐P 区的电位__________11.某放⼤状态的晶体三极管,当I B =20µA 时,I C =1mA ,当I B =60µA 时,I C =3mA 。
则该管的电流放⼤系数β值为__________。
12.图⽰电路,⼆极管VD 1,VD 2为理想元件出,则U AB 为_________伏。
⼆:选择题1.PN 结加反向偏置时,其PN 结的厚度将() A .变宽B .变窄C .不变D .不能确定2.理想⼆极管构成的电路如题2图,其输出电压u 0为()A .-10VB .-6VC .-4VD .0V3.NPN 型三级管,处在饱和状态时是() A .U BE <0,U BC <0 B .U BE >0,U BC >0 C .U BE >0,U BC <0 D .U BE <0,U BC >04.某放⼤状态的三极管,测得各管脚电位为:①脚电位U 1=2.3V ,②脚电位U 2=3V ,③脚电位U 3=-9V ,则可判定() A .Ge 管①为e B .Si 管③为e C .Si 管①为eD .Si 管②为e5、在N 型半导体中,多数载流⼦为电⼦,N 型半导体是() A )带正电 B )带负电 C )不带电 D )不能确定6、如果在NPN 型三极管放⼤电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的⼯作状态为()A )放⼤状态B )截⽌状态C )饱和状态D )不能确定7.加在⼆极管上的正向电压从0.65V 增⼤10%,流过的电流增⼤量为() A )⼤于10% B )⼩于10% C )等于10% D )不变 8.半导体三极管的特点是( )A.输⼊电流控制输出电流B.输⼊电压控制输出电压C.输⼊电流控制输出电压D.输⼊电压控制输出电流 9.实验测得放⼤电路中半导体三极管的三个电极位分别为U 1=3.2V,U 2=2.5V,U 3=12V,则( )A.该管为硅管B.1为基极,2为发射极,3为集电极C.该管为NPN型D.该管为PNP型E.1为集电极,2为基极,3为发射极10.理想⼆极管构成的电路如题2图,该图是( )A.V截⽌U=-4V=+4VB.V导通U=+8VC.V截⽌U=+12V11.某锗三极管测得其管脚电位如题3图所⽰,则可判定该管处在()A.放⼤状态B.饱和状态C.截⽌状态D.⽆法确定伏态12. 对半导体三极管,测得其发射结正偏,集电结反偏,此时该三极管处于( )。
模拟电子技术综合复习(二)
9处于放大状态的NPN型晶体管,各电极的电 位关系是_______。
A. VB>VC>VE C. VC>VB>VE B. VE>VB>VC D. VC>VE>VB
10.处于放大状态的PNP型晶体管,各电极的 电位关系是_______。
A. VB>VC>VE C. VC>VB>VE B. VE>VB>VC D. VC>VE>VB
V1 4V ,V2 1.2V ,V3 1.5V
二、选择题 1. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和-6V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
2.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、 2.3V和2V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 3. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和12V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 4.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.7V和-6V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
6、工作在放大状态的双极型晶体管是 ( )。 A.电流控制元件 B.电压控制元件 C.不可控元件 7、用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=1V,V2=1.3V,V3=-5V,则三个电极为 ( )。 A.1为e;2为b;3为c B.1为e;2为c;3为b C.1为b;2为e;3为c D.1为b;2为c;3为e 8.用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,则三个电极为 ( )。 A.1为e;2为b;3为c B.1为e;2为c;3为b C.1为b;2为e;3为c D.1为b;2为c;3为e
模电复习总结
模电复习总结5⽉8⽇到14⽇,⽤了7天时间总结了模拟电⼦,其中⾃⼰⼿敲了⼤约8000字,到最后实在敲烦了,直接粘贴了部分内容。
另外还很⽆耻的粘下了好多图⽚。
希望对各位的复习能够起到点作⽤。
模拟电⼦——注电基础考试复习⽤⼀、元件基础1、半导体半导体器件中最常⽤的半导体材料有硅和锗两种,都是四价元素,其纯净物导电性很差,按照⼀定规律掺⼊三价、五价元素后,导电性能⼤幅上升,分别形成N型、P型半导体。
四价、五价元素混合后形成N型半导体,容易失去电⼦,形成较稳定的正价离⼦。
四价、三价元素混合后形成P型半导体,容易吸收电⼦,形成较稳定的负价离⼦。
P型半导体和N型半导体制造在同⼀块材料上,在两种半导体的交界⾯上形成PN结。
PN结是构成半导体器件的基础。
2、⼆极管⼀对PN结称为⼆极管,分别在P端和N端引出管脚。
P端易失去电⼦,作为⼆极管的正端。
N端易吸收电⼦,作为⼆极管的负端。
PN结由于两侧材料吸收电⼦能⼒不同的性质,成为⼀个耗尽层。
耗尽层到点能⼒较低,形成⼀个不稳定的内电场h0,此内电场从N端指向P端,即⼆极管的正端指向负端,内电场电压从P端指向N端。
其不稳定包括两个⽅⾯。
⼀个是受外界温度影响⽐较⾼,试验测得300K(25℃)时,温度电压当量U T≈26mV,在室温附近,温度每升⾼1℃,正向压降约减⼩2~2.5mV,温度每升⾼10℃,反向电流约增⼤⼀倍。
另⼀个是外部电压的影响。
当正向加⼀个电压时,由于内外电场⽅向相反,相当于内电场被削弱,耗尽层变薄,电压差很⼩,可以⼤量通过电⼦,容易导电。
当反向加⼀个电压时,由于内外电场⽅向相反,相当于内电场被加强,耗尽层变厚,电压差很⼤,很难通过电⼦,基本不导电。
这就是⼆极管的单向导电性。
⼆极管的伏安特性曲线中包括正向特性和反向特性。
实际使⽤的主要是较为直线部分,正向特性的线性部分为导通部分,线性部分延长线与电压轴的交点为导通电压U on。
导通电压根据不同材料和制作⼯艺,⼀般在0.1V~0.8V范围内(计算时,如不给出的话,硅管取0.7V,锗管取0.3V)。
模电各章重点内容及总复习
目录:《模电》第一章重点掌握内容: (1)《模电》第二章重点掌握内容: (4)《模电》第四章重点掌握内容: (10)《模电》第五章集成运算放大电路重点掌握内容: (10)《模电》第六章重点掌握内容: (10)《模电》第七章模拟信号运算电路重点掌握内容 (11)《模电》第九章波形发生电路重点掌握内容: (12)《模电》第十章重点掌握内容: (12)《模电》第一章重点掌握内容:一、概念1、半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体器件,主要是利用半导体材料制成,如硅和锗。
34、本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
5、本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴,电子带负电,空穴带正电。
67、P P型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,空穴为多数载流子(称多子)而自由电子为少子。
8、N型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素,便形成N型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,电子为多子、而空穴为少子。
9、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏),PN结正向导通,P接负、N接正时(称反偏),PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
10、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管),按功能分有普通管,开关管、整流管、稳压管等。
11、二极管由一个PN结组成,所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈小电阻,大电流,反偏时截止,呈大电阻,零电流。
P6,图1.2.5二极管的伏安特性。
其死区电压:S i 管约0.5V ,G e 管约为0.1 V 。
其导通压降:S iG e 管约为0.2 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10(压降为0.7V ,)②加反向电压时截止,相当断开。
③加反向电压并击穿(即满足U ﹥U Z )时便稳压为U Z 。
11、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等。
《模拟电子线路》开卷考试期末复习题
大连理工大学网络教育学院2016年春《模拟电子线路》期末考试复习题☆注意事项:本复习题满分共:400分。
一、单项选择题1、PN结加正向电压时,空间电荷区将()。
A.变窄B.不变C.变宽D.不确定2、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A.温度B.掺杂工艺的类型C.杂质浓度D.晶体中的缺陷3、在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷4、N型半导体()。
A.带正电B.带负电C.呈中性D.不确定5、半导体二极管的重要特性之一是()。
A.温度稳定性B.单向导电性C.放大作用D.滤波特性6、实际二极管与理想二极管的区别之一是反向特性中存在()。
A.死区电压B.击穿电压C.门槛电压D.正向电流7、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。
A.基本不变B.明显减小C.明显增加D.不确定变化8、二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将()。
A.右移B.左移C.上移D.下移9、关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A.基区很薄且掺杂浓度很低B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D.集电区面积大于发射区面积10、某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管工作在()。
3.2V8V2.5VTA.饱和状态B.截止状态C.放大状态D.击穿状态11、小信号模型分析法不适合用来求解()。
A.静态工作点B.电压增益C.输入电阻D.输出电阻12、利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的()。
A.直流参数C.静态工作点B.交流参数D.交流和直流参数13、某单管放大器的输入信号波形为,而输出信号的波形为,则该放大器出现了()失真。
A.交越B.截止C.饱和D.阻塞性14、交流信号从b、c极之间输入,从e、c极之间输出,c极为公共端的放大电路是()。
A.共基极放大器B.共模放大器C.共射极放大器D.共集电极放大器15、以下不是共集电极放大电路的是()。
模拟电子电路复习考试题
模拟电子电路试题一、选择题(单选)1.一个由两级共射放大电路组成的放大链路中,已知中频电压放大倍数为60dB,则上限频率处的电压放大倍数为()A. 57dBB. 60dBC. 54dBD. 42Db答案:A2.()电路可以将输入的方波,转换成三角波输出A. 积分电路B. 微分电路C. 电压比较器D. 加减法电路答案:A3.相同形式的滤波电路,阶数的增加主要是为了改善()A. 带外滤波特性B. 带宽C. 带内滤波特性D. 通带增益答案:A4.模拟电信号的特点是()A. 在时域上是连续的B. 在时域上是离散的C. 在频域上是连续的D. 只能是正弦或余弦函数形式答案:A5.集总假设下的模拟电路,对于拓扑约束(KCL、KVL)和元件约束(VCR),以下描述正确的是()A. 二者都满足B. 只满足拓扑约束C. 只满足元件约束D. 二者都不满足答案:A6.以下对放大器描述错误的是()A. 放大器中因输出比输入大,所以能量不守恒B. 放大的对象是电压、电流、功率等电信号C. 放大的本质是能量的控制D. 放大的基本要求是不失真的幅度增大答案:A7.对通带电压放大倍数描述错误的是()A. 若绝对值大于1,表示输出电压幅度较输入增加B. 若数值为实数且大于0,表示同相放大C. 若数值为实数且小于0,表示反相放大D. 若绝对值小于1,表示放大器自激答案:A8.放大电路中引入负反馈的原因是()A. 改善放大器性能B. 防止放大器自激C. 提升放大倍数D. 实现滤波效果答案:A9.二极管最典型的特性是()A. 单向导电性B. 可以发光C. 内部结构复杂D. 输出电流受控答案:A10.对于二极管的恒压模型,以下描述错误的是()A. 可用于分析小信号电路B. 可用于分析含二极管电路的直流通路C. 可用于分析大信号电路D. 考虑了二极管的开启电压和导通电压答案:A11.对于小信号电路而言,二极管上的结电容,会影响电路的()A. 高频特性B. 中频特性C. 低频特性D. 以上皆错答案:A12.BJT或MOS管,最典型的特点是()A. 输出电流受控B. 内部有PN结C. 单向导电性D. 输出电流与温度有关答案:A13.由MOS管构成的单管小信号放大器而言,能够实现反相电压放大的组态是()A. 共源B. 共漏C. 共栅D. 以上皆对答案:A14.对偏置电路的描述,以下说法错误的是()A. 对交流信号性能没有影响B. 让非线性元件工作在特定的工作区间C. 为电路提供能量D. 可以是偏置电压,也可以是偏置电流答案:A15.BJT的微变等效模型中,be之间用()代替A. rbe动态电阻B. 受控电压源C. 受控电流源D. 恒定电压源答案:A16.已知某BJT的增益带宽积为3GHz(3000MHz),用它构成共射放大电路的通带电压放大倍数约为-100,则该放大电路的3dB上限频率约为()A. 30MHzB. 3000MHzC. 300MHzD. 3MHz答案:A17.对于单管小信号放大器中的失真描述错误的是()A. 线性失真会产生了输入信号所没有的新的频率成分B. 截止失真和饱和失真属于非线性失真C. 单管共射放大电路输出电压出现顶部失真为截止失真D. 合理的Q点设置,可以获得最大的不失真电压答案:A18.系统中采用级联放大器的原因,最不可能的是()A. 扩展频带B. 提升电压放大倍数C. 提升输入电阻D. 降低输出电阻答案:A19.对于A类功放,描述正确的是()A. 波形好B. 效率高C. 导通角为180°D. 只能是共射或共源组态答案:A20.为了使集成运放工作在线性区,需()A. 引入负反馈B. 引入正反馈C. 增加平衡电阻D. 级联使用答案:A21.若要测量低频放大器的3dB工作带宽,最不可能用到的仪器设备是()A. 万用表B. 示波器C. 频谱分析仪D. 波特仪答案:A22.用仿真软件分析放大器输出电阻,最可行的方法是()A. 改变负载,分析电压变化量与电流变化量的比值B. 用虚拟万用表电阻档位,直接在输出端测量输出电阻C. 作扫频分析,找3dB带宽与中心频率D. 对输出信号作频域分析答案:A23.射极输出器()。
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3. 电源供给的功率PV
2 V PV = Po PT 2VCCVom 当 Vom VCC 时 , PVm CC πRL π RL Po π Vom = 4. 效率 PV 4 VCC
当
2
最大 Vom VCC 时 ,
π 78.5 % 4
5. 功率管BJT的选择
3.正反馈与负反馈
瞬时极性法。 4. 反馈的组态
和 输入量 X 并联:反馈量 X f i 接于同一输入端。 和 输入量 X 串联:反馈量 X f i 接于不同的输入端。
X i X f
X i X f
X i
X i
X f
X f
电压:将负载短路,反馈量为零。 电流:将负载短路,反馈量仍然存在。
二、负反馈放大电路的四种反馈组态
电压串联负反馈放大电路 电压并联负反馈放大电路 电流串联负反馈放大电路 电流并联负反馈放大电路
三、负反馈放大电路闭环增益一般表达式(填空)
闭环增益一般表达式:
F ) 为反馈深度; (1 A
A A f F 1 A
F 1 时,为深度负反馈 1 A A 1 深度负反馈条件下闭环增益的表达式: A AF F
1. R2、D1和D2的作用:为T1、T2提供静态偏置电压,使 电路工作在甲乙类,克服交越失真。
2、Pom=(VCC-VCES)2/2RL;
3
Vom
4 VCC
R4 Vi V f Vo 3、 R4 R5
Rf vo RL Avf (1 ) vi RS R
VCC
1.电压串联负反馈 2.深度负反馈时:
vO
vI
+
T
-
R2 R1
R3
R1 vi v f vo R1 R2 vo R2 Avf 1 vi R1
例题2
解: 1)电路引入了电压串联负反馈;
2)深度负反馈时:
根据“虚短”和“虚断”,
Rb1
Rc
vs
vi
Rb1 // Rb 2
Ri
Re1
ie
Rc
RL Ro
vo
T
Re1
RS vs
vO
RL
Rb 2
vo ib ( Rc // RL ) Av vi [rbe (1 ) Re1 ]ib
Re 2
Ce
Ri Rb1 // Rb 2 //[rbe (1 ) R e1]
C1 Rs
vs
RB1
RC C2
VCC
vi
RB 2
RL RE CE
vo
26mV 3、 rbe 200 (1 ) I EQ
rbe vo vo vi Ri ( Rc // RL ) Avs vs vi vs RS Ri rbe
Ri=RB1//RB2//rbe ; Ro=RC
iD IS (evD /VT 1)
最大反向工作电压VRM
(3) 反向电流IR (4) 正向压降VF (5) 极间电容CJ(CB、 CD )
硅二极管的V-I 特性
二极管电路的简化模型
(1)理想模型
(a)V-I特性
(b)代表符号
(c)正向偏置时的电路模型
(d)反向偏置时的电路模型
(2)恒压降模型
深度负反馈条件下: xid= xi - xf 0,存在虚短、虚断
四、负反馈的作用
降低增益、提高增益稳定性、降低噪声、减小 失真、扩展通频带、改变输入输出电阻。
串联负反馈 —— 增大输入电阻
并联负反馈 —— 减小输入电阻 电压负反馈 —— 减小输出电阻,稳定输出电压 电流负反馈 —— 增大输出电阻,稳定输出电流
V CC 2 RL
2
Pomax
Po = Vo I o
Vom
V om 2 2 RL 2 RL
Vom
2
2. 管耗PT 单个管子在半个周期内的管耗 两管管耗
PT1 1 (VCCVom Vom ) RL π 4
2
2
2 VCCVom Vom ( ) PT = PT1 PT2 RL π 4
1) PT1m ≈0.2Pom ≤PCM
2) VBRCEM=2VCC ≤VBRCEO 3) Icm=VCC /RL≤ICM
7.3 甲乙类互补对称功率放大电路——克服交越失真
乙类互补对称电路存在的问题:
甲乙类双电源互补对称电路:
1. 静态偏置
可克服交越失真
2. 动态工作情况 二极管等效为恒压模型
交流相当于短路
ii i f
vi 0 0 vo Rb1 Rf
Rf vo Avf vi Rb1
例题3
设集成运算放大器为理想运算放大器,判断下面电路中交流级 间反馈的类型;若为负反馈,估算深度负反馈条件下的Avf值。
解:1.电压并联负反馈; 2.根据“虚短”和“虚断”, 列出节点N的电流方程: +
例题4
求:1. 电路静态工作点;2. 画出小信号等效电路;3. 求AV、Ri、Ro;
Rb1 Rc VCC
ib
ic
T
Re
Rs
vO
rbe Re ie
ib
vo
RS vs
Rb2
vs
vi
Rb1 // Rb 2
Rc
4.射极跟随器的特点: 电压增益小于1而接近1,输出电压与输入电压同相位;输入 电阻高,对电压信号源衰减小;输出电阻低,带负载能力强。
3、计算Av、Ri、Ro
例题1 共发射极放大电路如图所示。已知β=60,VBEQ=0.7V,
电容容量足够大。试求: 1. 电路静态工作点:IBQ、ICQ和VCEQ; 2. 画出交流小信号等效电路; 3. 求AV、AVS、Ri、Ro的值; 4. 说明RE和CE的作用。
RB1
RC C2
VCC
解:1.
VBQ
思考:若要稳定输出电压并减小输入电阻,应引入何种负反馈组态?
例题1 判断电路反馈组态,并求出电路在深度反馈条
件下的闭环电压增益。
解:
1)电流并联负反馈; 2)深度负反馈时: 根据“虚短”和“虚断”, -
+
+
-
vn v p 0
Rf io Aif 1 if R
R ii i f io Rf R
4.理想运算放大器工作在线性区时,两个输入端的电位相等称 为虚短,两个输入端的输入电流为零称为虚断。
长尾式差分放大器: 共模抑制比;(反映抑
制零漂能力的指标)
K CMR
Avd = Avc
图5.3.5 双入、双出方式的 差分放大电路
第6章 负反馈放大电路 一、反馈类型的判别步骤
1. 有无反馈 是否存在把输出回路和输入回路连接起来的支路。 2.交流反馈与直流反馈 反馈存在于直流或交流或交直流通路中。
IC IB
IC IE
4.三极管放大电路的分析计算 共射极放大电路(基极分压式射极偏置电路) 共集电极放大电路(射极电压跟随器) 共基极放大电路
计算: 1、根据直流通路,估算静态工作点(Q点); 2、根据交流通路,画出交流小信号等效电路;
绘制原则:
画直流通路时:令交流信号源短路、耦合电容开路; 画交流通路时:令直流电源短路,耦合电容短路。
第4章 场效应管放大电路
1.掌握元器件 符号及伏安特 性。
增强型N沟道MOSFET符号 增强型P沟道MOSFET符号
N沟道耗尽型MOSFET符号
P沟道耗尽型MOSFET符号
N沟道结型JFET符号
P沟道结型JFET符号
2.掌握场效应管基本放大电路静态和动态分析计算。
场效应管的小信号模型及动态分析计算
Ro Rc
例题3 射极跟随器电路如图所示,β=100,VBEQ=0.7V ,
试求: 1. 电路静态工作点; 2. 画出小信号等效电路; 3. 求AV、Ri、Ro的值; 解:1、 ICQ I EQ
IBQ=ICQ/β
VCC VBEQ RB RE 1
VCEQ≈VCC-IEQRE
Pom (
om 2
2 Vom 4 VCC
) / RL
CC
CES
2RL
3.
vi vo R1 R1 R6
Vom 2VI 1) R1
R6 (
例题2
电路如图所示,已知T1、T2的饱和压降|VCES|=1V: 1.说明R2、D1和D2的作用; 2.负载上获得最大不失真输出功率Pom和此时电路的转换效率η; 3.为使电路最大不失真输出电压幅值达到14V,输入信号电压最大有 效值为多少伏?
Rb 2 VCC Rb1 Rb 2 VBQ VBEQ Re1 Re 2
Rs
vs
C1 VBQ
vi
RB 2
I CQ I EQ
RL RE CE
vo
I BQ I CQ / VCEQ VCC I CQ ( R c Re )
基极分压式射极偏置电路
2、电路小信号等效电路:
例题1 电路如图所示,已知RL和T1、T2的饱和压降|VCES|的值:
1.说明R3、R4和T3的作用; 2.求最大不失真输出功率Pom和电路效率η; 3.若输入电压有效值为VI,为使电路最大不失真输出电压的峰值 达到Vom,R6至少应取多少?
解: 1. 由VCE3=(R3+R4)VBE3/R4,R3、R4和T3为T1、T2 提供静态偏置电压,使电路工作在甲乙类,克 服交越失真。 2. V (V V )2