《模拟电子技术》(第3版)课件与教案 第1章

第1章 半导体二极管及其应用
试确定图（a ）、（b ）所示电路中二极管D 是处于正偏还是反偏状态，并计算A 、B 、C 、D 各点的电位。

设二极管的正向导通压降V D(on) ＝。

解：如图E1.1所示，断开二极管，利用电位计算的方法，计算二极管开始工作前的外加电压，将电路中的二极管用恒压降模型等效，有
（a ）V D1＇＝（12－0）V ＝12V ＞0.7V ，D 1正偏导通，
)7.02.22
.28.17.012(A +⨯+-=V
V B ＝V A －V D(on)）V ＝6. 215V
（b ）V D2＇＝（0－12）V ＝－12V ＜0.7V ，D 2反偏截止，有
V C ＝12V ，V D ＝0V
二极管电路如图所示，设二极管的正向导通压降V D(on) ＝，试确定各电路中二极管D 的工作状态，并计算电路的输出电压V O 。

解：如图E1.2所示，将电路中连接的二极管开路，计算二极管的端电压，有 （a ）V D1＇＝[－9－（－12）]V ＝3V ＞0.7V ，D 1正偏导通
V O1
（b ）V D2＇＝[－3－（－2
9）]V ＝1.5V ＞0.7V ，D 2正偏导通
V O2
图E1.2
（c）V D3＇＝9V＞0.7V，V D4＇＝[9－（－6）]V＝15V＞0.7V，V D4＇＞V D3＇，D4首先导通。

D4导通后，V D3＇＇＝（0.7－6）V＝－5.3V＜，D3反偏截止，V O3。

二极管电路如图所示，设二极管是理想的，输入信号v i=10sinωt V，试画出输出信号v O的波形。

图E1.3
解：如图E1.3所示电路，二极管的工作状态取决于电路中的输入信号v i的变化。

（a）当v i＜0时，D1反偏截止，v O1＝0；当v i＞0时，D1正偏导通，v O1＝v i。

（b）当v i＜0时，D2反偏截止，v O2＝v i；当v i＞0时，D2正偏导通，v O2＝0。

（c）当v i＜0时，D3正偏导通，v O3＝v i；当v i＞0时，D3反偏截止，v O3＝0。

由此，可画出输入信号v i与输出信号v O1、v O2、v O3的波形，如图E所示。

图E1.3.1v i与v O1、v O2、v O3的波形
二极管电路如图（a）所示，输入信号v i（t）的波形如图（b）所示。

（1）设二极管是理想的，试画出v O（t）的波形。

（2）设二极管用恒压降模型等效（V D(on) ＝），试画出v O（t）的波形。

（3）设二极管用折线模型等效（V D(on) ＝，r D＝20Ω），试画出v O（t）的波形。

图E1.4
解：如图E1.4（a ）所示电路，二极管D 的工作状态取决于电路中直流电源与交流信号v i （t ）的幅值关系。

断开电路中连接的二极管，其端口外加电压为，v D ＇＝［v i （t ）－6］V 。

（1） 由二极管的理想模型，有v O （t ）的波形，如图E （b ）所示，其中， 当v i （t ）＜6V 时，二极管反偏截止，v O （t ）＝6V ； 当v i （t ）＞6V 时，二极管正偏导通，
O 66V 3V 22()()
()[][]i i v t v t v t -=+=+
当v i （t ）＝10V 时，v O （t ）＝8V 。

（2） 由二极管的恒压降模型，有v o （t ）的波形，如图E （c ）所示，其中， 当v i （t ）＜6.7V 时，二极管截止，v O （t ）＝6V ；当v i （t ）＞6.7V 时，二极管导通，
V ]65.22)
([V ]627.6)([)(O +=+-=t v t v t v i i
当v i （t ）＝10V 时，v O （t ）＝7.65V 。

（3）由二极管的折线模型，有v O （t ）的波形，如图E （d ）所示，其中，
当v i （t ）＜6.7V 时，二极管截止，v O （t ）＝6V ； 当v i （t ）＞6.7V 时，二极管导通，
O 6710
2006V 281V 2002020021
().()[][().]i i v t v t v t -=⨯+≈+++
当v i （t ）＝10V 时，v O （t ）≈ 。

1.5 二极管电路如图E1.5所示，取二极管正向导 通压降V D(on) ＝，i =102sin mV v t ω，C 对交流的容抗近似为零，试求二极管D 两端的交流电压v d 和流过二极管的交流电流i d 。

解：如图E1.5所示，分别用二极管的恒压降模型和交流微变小信号模型做等效变换，可将非线性的二极管视为线性参件，由叠加定理，有
I D ＝I Q ＝
5
.27
.05- 图E1.4.1 v i （t ）与v O （t ）的波形
图E1.5
d Q 26mV 26
151mA 172
.().r I =
Ω≈Ω≈Ω
dm 102500
[]mA 0.40mA 102500//15.1250015.1
=⨯≈++I
d 0.402sin mA ω≈i t
d d d ·0.4015.12sin t mV 62sin t mV ωω=≈⨯≈v i r
1.6 二极管电路如图E1.6所示，设二极管的正向导通压降V D(on) ＝，二极管的最大功耗P DM 为10mW ，要求电路在电源电压为5V ≤V DD ≤10V 的范围内变化时，二极管均正向导通，且流过二极管电流的最小值I D(min)＝2mA 。

试确定电阻R 1和R 2的取值。

（提示：P DM ＝I D(max)·V D(on) ）
解：如图E1.7所示，将电路中的二极管用恒压降模型等效，有
D(min)1250707
mA=2mA ..()I R R -=- D(max)1210070710
mA=mA 07
..(
).I R R -=-
解得
R 1≈407Ω，R 2≈82Ω
1.7 二极管半波整流电路如图E1.7所示。

变压器T r 、熔断器FU 、负载电阻R L ，设计取值合理。

试定性地分析，当二极管D ：（1）开路；（2）短路；（3）接反时，电路的工作情况。

分析、解答：如图E1.7所示，
（1）当二极管D 开路时，输出电压为零；
（2）当二极管D 正常工作时，V O V 2；当二极管D 短路时，输出电压为v 2，负载电流约增加一倍多，熔断器熔断，输出电压为零；
（3）当二极管D 反接时，电路可以工作，但输出电压极性相反。

1.8 在图E1.8所示的单相桥式整流电路中，若V 2＝400V ，R L ＝500Ω，试求：
图E1.7
图E1.6
（1）输出电压平均值，输出电流平均值，流经每个二极管的平均电流和每个二极管所承受的最大反向电压；
（2）若二极管D 1电极引线与电路连接处焊接不良，形成接触电阻R 1＝100Ω，如图E 所示，则输出电流的平均值为多少？
解答：如图E1.8所示单相桥式整流电路，有 （1）V O(A V)＝V 2＝9×400V ＝360V
I O(A V)＝V O(A V) /R L ＝（360 /500）A ＝
A 36.0A 72.021
21O(AV)D =⨯==I I ；
V DRM ＝2V 2≈2×400V ≈565.7 V
（2）如图E 所示，有
22O(AV)L 1L 0.450.450.454000.45400
()A 0.66A 500500100
⨯⨯=+=+=++V V I R R R
在图E1.9所示的单相桥式整流电路中若有一个二极管被断路、短路、反接，电路会出现什么情况？
解答：在图E1.9所示单相桥式整流电路中：
V 2；
若电路中有一个二极管（例如D 1）被短路，在电路工作的另一半时间（例如负半周）内，二极管（D 2）及（或）变压器的二次绕组（变压器）会被短路、烧毁；
若电路中一个二极管（例如D 1）被反接，在电路工作的一半时间（负半周）内，变压器二次绕组经对应的二极管（D 1、D 2）被短路，变压器的二次绕组及（或）对应的二极管（D 1、D 2）会因电流过大而被烧毁。

有一电阻性负载R L ，需直流电压24V ，直流电流1A ，若用单相桥式整流电路供电，求出电源变压器副边电压的有效值，并选择整流二极管。

解答：工程上一般取：
图E1.8.1
图E1.8
图E 1.9 单相桥式整流电路 （a ）原理电路 （b ）简化电路
(a)
(b)
V 2＝V O / ＝24V / ≈26.7V ；
A 5.0A 121
21O D =⨯==I I ；
V DRM ＝2V 2≈2×≈37.8 V
电容滤波电路有什么特点？对负载有什么要求？电容应怎样选择？ 解答：以图所示的桥式整流、电容滤波电路为例说明如下：
（1）电路是一种并联滤波电路，滤波电容与负载电阻直接并联，因此，负载两端的电压等于电容器C 两端电压。

电容的充放电过程在电源电压的每半个周期重复一次，因此，输出的直流电压波形更为平滑。

（2）适用于负载电流较小或基本不变的场合。

输出电压的平均值与R L C 值相关，R L C 值越大，则输出电压波动越小，输出电压平均值越大。

当负载R L 开路时，输出电压平均值最大，V O(A V)＝2V 2；当滤波电容C 开路时，输出电压平均值最小，V O(A V)＝V 2。

（3）为了获得较好的滤波效果，滤波电容器的电容要选得较大，通常取：
τ＝R L C ≥（3~5）T/2
若电源频率为50H Z ，输出电压周期T ＝0.02s ，则
R L C ≥）s
C ≥L
L
001s 3535F 2.(~)(~)T R R =Ω（）
（） ；
电容耐压≥2V 2
1.12由理想二极管组成的电路如图E1.12所示，设v i ＝10sin ωt V ，试画出输出信号v O
的波形。

解：如图E1.12所示，二极管D 的工作状态取决于电路中直流电源与交流信号v i 的幅值关系。

由二极管的理想模型可知
当v i ＜5V 时，二极管反偏截止，v O ＝5V 当v i ＞5V 时，二极管正偏导通，v O ＝v i
由此，可画出输出信号v O 的波形，如图E1.12.1所示
图E 1.11 单相桥式整流、电容电路
3 在图3所示的二极管限幅电路中，已知输入信号为v i ＝10sin ωt V ，二极管的正向导通压降V D(on) ＝，试画出输出信号v O 的波形。

解：3所示，当v i 大于上限幅值（4＋0.7）V 时，v O ＝4.7V ；当v i 小于下限幅值－(2＋0.7)V 时，v O ＝－2.7V 。

由此，可画出输出信号v O 的波形，如图E3.1所示。

4 稳压管稳压电路如图4所示，电路设计合理，其中D Z1的稳定电压为6V ，D Z2的稳定电压为10V ，它们的正向导通压降为，试求各电路的输出电压值。

解：如图所示稳压管稳压电路，由稳压管的参数，有
（a ）v O1＝（6＋10）V ＝16V ； （b ）v O2＝（6＋0.7）V ＝6.7V ； （c ）v O3
5 二极管电路如图5所示，电路设计合理，设v i ＝10sin ωt V ，稳压管D Z 的稳定电压为8V ，正向导通压降为，R 为限流、调整电阻，试近似地画出v O 的波形。

解：5所示的二极管电路，由输入信号和稳压二极管的参数可画出输出信号v O 的波形，如图E5.1所示。

6 发光二极管驱动电路如图6所示，已知发光二极管的正向导通压降V F ＝，工作电流
图E1.13
图E3.1 v i 的和v O 的波形
图E1.14
图E5.1 v i 的和v O 的波形 图E1.15
I F ≥5mA 即可发光，最大工作电流I FM ＝20mA 。

为使发光二极管正常工作，试确定限流电阻R 的取值范围。

解：6所示电路，依电路设计要求，有
CC F Fmax 5 1.6
k 170 20min V V R I --==Ω=Ω CC F Fmin 5 1.6
k 680 5
max V V R I --=
=Ω=Ω R 的取值范围为170～680Ω。

若考虑D 长期工作，取I F ＝2
1I FM ＝10mA ，则
34
K 34010
.R =
Ω=Ω，取E24系列标称值330Ω。

7 二极管电路如图所示，取二极管D 1、D 2为理想的恒压降模型，其正向导通压降V D(on)
＝，试用Multisim 仿真软件求取其输出电压V O 的大小。

解：7所示电路，在电路实验窗口中搭建实验电路。

为使二极管的正向导通压降V D(on)＝0.7V ，二极管选用了虚拟器件的二极管DIODE_VIRTUAL 。

启动仿真按钮后，测量仪表显示V O ＝－ 。

结果与理论计算一致。

8 二极管限幅电路如图8所示，取二极管D 1、D 2为理想的恒压降模型。

其正向导通压降V D(on) ＝，设v i ＝102sin1000πt V ，试用Multisim 仿真软件求取其对应的输出电压的v o 的对应波形和上、下幅值。

图E1.17
图E1.16
图E1.18
Vi 10 Vrms 1kHz 0Deg
V13 V
V2
3 V
R13.0kΩD11N916
D21N916
XSC1
A B
Ext Trig
+
+
_
_
+_
+
-
Vo
解：8所示，搭建实验电路进行仿真。

测得，上限幅值为3.687V，下限幅值为－3.687V。

结果与理论计算基本相符。

二极管电路如图（a ）所示，二极管D 的伏安特性曲线如图（b ）所示，试用图解法求取I D 、V D 。

解：如图E1.5所示，二极管D 的直流负载线与纵轴和横轴的交点分别为
mA 4mA 5
.02
DD ==R V ，V DD ＝2V 由此，作直流负载线，如图E 所示。

由直流负载线与二极管D 的伏安特性曲线的交点（直流工作点）Q 可得，I D ≈2mA ；V D ≈0.7V 。

1.18 在路测量，测得小功率硅三极管各引脚的电位如图E1.18所示，试判断其工作状
态，并判断有哪几只已损坏。

解：如图E1.18所示
（a ） V C ＞V B ＞V E ，V BE ＝V BE(on)＝0.7V ，发射结正偏，集电结反偏，三极管（硅NPN 型小功率管）工作在放大状态。

（b ）V B ＜V E ，V C ＞V B ，发射结，集电结均反偏，三极管工作在截止状态。

（c ）V C ＞V B ＞V E ，V BE ＞V BE(on)＝0.7V ，三极管已损坏（发射结开路）。

（d ）V E ＞V B ＞V C ，V BE ＝V BE(on)＝－0.7V ，发射结正偏，集电结反偏，三极管（硅PNP 型小功率管）工作在放大状态。

（e ）V B ＞V E ，V BE ＝V BE(on)＝0.7V ，V B ＞V C ，发射结、集电结均正偏，三极管工作在饱和
图E1.18 图E
图E1.5
状态。

1.19 在路测量，测得放大电路中的四个三极管各引脚的电位如图E1.19所示，试判断这四个三极管的引脚（e 、b 、c ），它们是NPN 型还是PNP 型，是硅管还是锗管。

解：放大电路中三极管的各电极在路电位，如图E1.19所示
（a ） V 3＞V 1＞V 2，V 12＝（3.5－2.8）V ＝0.7V ，③脚为c ，①脚为b ，②脚为e ；是NPN 型小功率硅管。

（b ）V 3＞V 2＞V 1，V 21＝（3－2.8）V ＝0.2V ；③脚为c ，②脚为b ，①脚为e ；是NPN 型小功率锗管。

（c ）V 1＜V 2＜V 3，V 23＝（11.3－12）V ＝－0.7V ；①脚为c ，②脚为b ，③脚为e ；是PNP 型小功率硅管。

（d ）V 1＞V 2＞V 3，V 21＝（11.8－12）V ＝－0.2V ；①脚为e ，②脚为b ，③脚为c ；是PNP 型的小功率锗管。

1.20 测得放大电路中的三极管各引脚的电流如图E1.20所示，试判断三极管的引脚（e 、b 、c ），它们是NPN 型还是PNP 型，电流放大系数β为多少？
解：放大电路中的三极管的各电极在路电流，如图E1.20所示
（a ） I 1＝I 2＋I 3，I 2＞I 3，I 2、I 3流入三极管，I 1流出三极管，①脚为e ，②脚为c ，③脚为b ；是NPN 型小功率管；
5004
.02
B C ===
I I β （b ）I 3＝I 1＋I 2，I 2＞I 1，I 1、I 2流出三极管，I 3流入三极管；①脚为b ，②脚为c ，③脚为e ；是PNP 型小功率管；
10001
.01B C ===
I I β 1.21 三极管放大电路如图E1.21所示，设T 的V BE(on)＝0.7V ，V CES ＝0.3V ，试分析采用
图E1.19
图E1.20
哪些方法可判断T 是否工作正常。

解：如图E1.21所示电路，用万用表检测三极管T 的三个电极的电位V C 、V B 、V E 即可判断T 是否正常工作。

若V C ＞V B ＞V E ，且V BE ＝V BE(on)＝0.7V ，则T 正常工作在放大状态；
若V BE ＝V BE(on) ＝0.7V ，V CE ＝V CES ＝0.3V ，则T 工作在饱和状态；
若V B ≈0V ，V C ≈V CC ，则T 已损坏，发射结可能短路； 若V B ≈V CC ，V C ≈V CC ，则T 已损坏，发射结可能开路。

1.22 三极管电路如图E1.22所示，设T 的V BE(on)＝0.7V ，V CES ＝0.3V ，β＝50，D 的V D(on)＝0.7V ，试分析、判断T 的工作区域。

解：三极管电路如图E1.22所示 （a ）若T 工作在放大或饱和区，则：
V B ＝［V BE(on)＋V D(on)≠1V ，
V C ≥［V CES ＋V D(on)
所以，T 不可能工作在放大或饱和区；
若T 工作在截止区，则
V B ＜［V BE(on)＋V D(on)
所以，T 可能工作在截止区。

但，也不排除T 已损坏的可能：
（1）若三极管T 的发射结开路，V B 由外电路设置为＋1V ，V C ≈＋5V ； （2）若三极管T 的发射结短路、集电结开路（此种情况较少），则 V B ＝［V D(on)＋ 0.3］V ＝（0.7＋0.3）V ＝＋1V ，V C ≈＋5V 。

（b ）三极管T 开始工作前，V BE ′＝6V ＞V BE(on)＝0.7V ，V CB ′＝（12－6）V ＝6V ＞0， 即，V C ′＞V B ′＞V E ′，所以T 可能工作在放大或饱和区
若工作在放大区，则I B ＜I BS ＝βCS I ；若工作在饱和区，则I B ＞I BS ＝β
CS I。

图示电路中
mA 265.0mA 20
7
.06mA 20
6BE(on)
B =-=
-=
V I 图E1.21
图E1.22
mA 078.0mA 50
33
.012mA 312CES BS =⨯-=-=
βV I 显然，I B ＞I BS ，所以，三极管T 工作在饱和区。

1.23 三极管电路如图E1.23所示，设T 的V BE(on)＝0.7V ，V CES ＝0.3V ，β＝100，试求出各电路的I B 、I C 、V CE ，并分析、判断T 的工作状态。

解：如图E1.23所示电路 （a ） mA 104.0mA 51
7
.06b
BE(on)
BB B ≈-=
-=
R V V I mA 117.0mA 100
13
.012c CES CC BS =⨯-=-=
βR V V I
因为I B ＜I BS ，所以T 工作于放大状态
I C ＝βI B ≈
V CE ＝V CC －I C R c ≈
（b ） mA 202.0mA 56
7
.012V 12b
BE(on)
B ≈-=
-=
R V I mA 039.0mA 100
33
.012V 12c CES BS =⨯-=-=
βR V I
因为I B ＞I BS ，所以T 工作于饱和状态
V C ＝V CE ＝V CES
mA 9.3mA 3
3
.012V 12c CES CS C =-=-=
=R V I I
（c ） 三极管T 开始工作前，V BE ′＝0，所以，三极管T 工作于截止状态，有
I B ＝I C ＝0 V C ＝V CE ≈5V
1.24 某三极管的P CM ＝100mW ，I CM ＝20mA ，V (BR)CEO ＝15V ，试问若设置其在下列几种情况下，哪种设置是正确的，哪种是不正确的，为什么？（1）V CE ＝3V ，I C ＝100mA ；（2）V CE ＝2V ，I C ＝40mA ；（3）V CE ＝20V ，I C ＝4mA 。

解：依三极管极限参数定义，有所谓三极管工作安全区：
图E1.23
P CM＝i C v CE，I CM ，V(BR)CEO
（1）P CM′＝i C v CE＝（100×3）mW＝300mW＞P CM＝100mW，在安全区外，故设置不正确；
（2）I C＝40mA＞I CM＝20mA，在安全区外，故设置不正确；
（3）P CM′＝i C v CE＝（4×20）mW＝80mW＜P CM＝100mW，但V CE＞V(BR)CEO＝15V，在安全区外，故设置不正确。

1.25四个场效应管的转移特性曲线如图E1.25所示，试分析、判断它们分别属于哪种类型的场效应管；对于耗尽型的，试指出其夹断电压V GS(off)及漏极饱和电流I DSS的大小；对于增强型的，试指出其开启电压V GS(th)的大小。

解：如图E1.25所示场效应管的转移特性曲线。

（a）N沟道结型场放效应管，V GS(off)＝－4V，I DSS＝4mA；
（b）N沟道耗尽型MOS场效应管，V GS(off)＝－4V，I DSS＝2mA；
（c）P沟道增强型MOS场效应管，V GS(th)＝－2V；
（d）P沟道耗尽型MOS场效应管，V GS(off)＝2V，I DSS＝2mA。

图E1.25
1.26场效应管的输出特性曲线如图E1.26所示（图中漏极电流的参考方向与实际方向一致），试指出场效应管的类型；对耗尽型的试求出V GS(off) 和I DSS；对于增强型的，试求出V GS(th)。

图E1.26
解：如图E1.26所示场效应管的输出特性曲线
（a ）N 沟道耗尽型MOS 场效应管，V GS(off) ＝－4V ，I DSS ＝2mA ； （b ）P 沟道结型场效应管，V GS(off)＝4V ，I DSS ＝4mA ； （c ）P 沟道增强型MOS 场效应管，V GS(th)＝－2V ； （d ） N 沟道增强型MOS 场效应管，V GS(th)＝2V 。

1.27 三极管电路如图E1.27所示，试用Multisim 仿真软件按表E1.27的要求求取当V I 、R C 为不同数值时的V BE 、I B 、I C 、I E 、V CE 和β的数值，并将测量数据填入表E1.27中。

分析测量的结果，验证I B 、I C 、I E 间的关系；验证三极管处于截止、放大、饱和状态时的偏置条件；验证三极管处于截止、放大、饱和状态时的外电路特点。

表E1.27
R C ＝1k Ω
R C Ω
V BB /V
V BB /V
1 2 3 1 2 3 V BE （mV ） 500 688 730 735 500 688 690 691 I B （mA ） 0 0 I C （mA ） 10 12 I E （mA ） 10 12 V CE （V ）
β
/
160
156
/
/
142
35
/
研究、分析：如图E1.27和表E1.27所示，比较、分析表E1.27的仿真测量数据可知： （1）不论V I 和R C 如何变化，始终有I E ＝I B ＋I C 。

（2）当V BE ≤0.5V ，V C ＞V B 、I B ≈0，三极管T 工作在截止区时，I C ≠0，有穿透电流I CEO
存在，但数值较小；当V BE ＞0.69V ，V C ＜V B 、V CE ≤0.17V ，三极管T 工作在饱和区时，I C 不受I B 的控制，I C ≠βI B ；当V C ＞V B ＞V E 、V BE ≥0.688V 、V CE ＞0.39V ，三极管T 工作在放大区
条
件
参
数 图E1.27
时，I C受I B的控制，I C＝βI B，但β不是常量，只不过在小信号时，数值的变化不大。

（3）三极管T工作在放大状态时，发射结压降V BE不是一个常量，有一个I B，就有一个对应的V BE，或者说，有一个V BE，就有一个对应的I B，只不过V BE数值的变化范围不大；有一个I B就有一个对应的I C、一个对应的V CE，或者说，在放大电路中，I C、V CE受到I B的控制。

（4）当输入回路外电压V I数值小于0.5V时，不论R C为何值，三极管T都工作在截止状态；R C取值较大，三极管T更容易进入饱和区。

（5）线性的三极管估算法，仅适用于输入信号较小的小信号放大状态。

*由理想二极管组成的钳位电路分别如图（a）、（b）所示，设输入信号v i＝10sinωt V，电容器C的初始电压为零。

试分别画出输出信号v O的对应波形，并说明输出信号被钳位的数值。

图E1.11
解：如图E1.11所示，当电路工作稳定时，图（a）所示的钳位电路将输入信号v i的波形向上平移了10V，输出信号的底部被钳位在0V、顶部被钳位在20V，由此可画出输出信号v O 的波形，如图E（b）所示；
图E1.11.1v i的和v O的波形
图（b）所示的电路将输入信号向下平移了8V，输出信号的底部被钳位在－18V、顶部被钳位在2V，由此可画出输出信号v O的波形，如图E（c）所示。

共阴极LED七段数码管BS201的示意图如图所示，它每一字符段的正向导通压降为，工作电流I F约为5~10mA。

设电路的驱动电压V DD约为5V，试求每一字符段串接限流电阻R 的取值范围；试问若要显示字符6，应点亮哪几个字符段。

解：依式（）有
CC F Fmax 5 1.8
k320 10
min V V
R
I --
==Ω=Ω
CC F
Fmin 5 1.8
k640 5
max V V
R
I --
==Ω=Ω
R＝320～640Ω
如图E1.15所示，若要显示字符6，应点亮a、c、d、e、f、g字
符段。

图E1.15。