最新清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

1.9（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。
当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。
（2） 29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10（1）S闭合。
（2）
1.11波形如图所示。
2.6（1）6.4V（2）12V（3）0.5V（4）12V（5）12V
2.7
2.8（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc。（b）截止失真，减小Rb。
（c）同时出现饱和失真和截止失真，增大VCC。
2.9（a）截止失真（b）饱和失真（c）同时出现饱和失真和截止失真
2.10（1）
（2）
2.11空载时，
2.12②①②①③
1.20根据方程
逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。
1.21
1.22过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。
1.5uo的波形如图所示。
1.6ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。
1.7（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。
第一章
自测题
一、（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×
二、（1）A（2）C（3）C（4）B（5）A C
三、UO1≈1.3VUO2＝0UO3≈－1.3VUO4≈2VUO5≈2.3VUO6≈－2V
四、UO1＝6VUO2＝5V
五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。
1.1260℃时ICBO≈32μA。
1.13选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。
1.14
1.15晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表
管号
T1
T2
T3
T4
T5
T6
上
e
c
e
b
c
b
中
b
b
b
e
e
e
下
c
e
c
c
b
c
管型
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
1.16当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。
（d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。因为输入信号被C2短路。
（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。
（g）可能。（h）不合理。因为G-S间电压将大于零。
（i）不能。因为T截止。
三、（1）
（2）
四、（1）A（2）C（3）B（4）B
五、（1）C，D E（2）B（3）A C D（4）A B D E（5）C（6）B C E，A D
2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V。
带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V。
2.5（1）×（2）×（3）×（4）√（5）×（6）×（7）×（8）√
（9）√（10）×（11）×（12）√
当VBB＝1V时，T处于放大状态。因为
当VBB＝3V时，T处于饱和状态。因为
1.17取UCES＝UBE，若管子饱和，则
1.18当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。
当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为
1.19（a）可能（b）可能（c）不能（d）不能，T会损坏。（e）可能
1.23uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区。
1.24（a）可能（b）不能（c）不Байду номын сангаас（d）可能
2章
第二章
自测题
一、（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×（7）×
二、（a）不能。因为输入信号被VBB短路。（b）可能
（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
③②①③①
③③①③③
2.13（1）静态及动态分析：
(2)Ri增大，Ri≈4.1kΩ； 减小， ≈－1.92。
2.14
2.15Q点：
动态：
2.16
2.17 图略。
2.18（1）求解Q点：
（2）求解电压放大倍数和输入电阻：
（3）求解输出电阻：
2.19(1)
(2)
2.20（a）源极加电阻RS。（b）输入端加耦合电容，漏极加电阻RD。
（c）输入端加耦合电容（d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD
2.21（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。
在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。
六、1、
UO＝UCE＝2V。
2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以
七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。
1.1（1）A C（2）A（3）C（4）A
1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3ui和uo的波形如图所示。
1.4ui和uo的波形如图所示。
六、
习题
2.1e b c大大中大
c b c小大大小
b e c大小小大
2.2（a）将－VCC改为＋VCC。（b）在＋VCC与基极之间加Rb。
（c）将VBB反接，且加输入耦合电容。
（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。
2.3图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。
（2）
2.22（1）求Q点：UGSQ＝VGG＝3V
从转移特性查得，当UGSQ＝3V时，IDQ＝1mA，UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V
（2）求电压放大倍数：
2.23
2.24（a）×（b）×（c）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。
（d）×（e）×（f）PNP型管，上-发射极，中-基极，下-集电极。
（g）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。