可控硅检测方法和经验
检测三极管的方法与经验之谈
检测三极管的方法与经验之谈作者：康与祥来源：《科学与技术》2015年第01期摘要：我们生活中的电子产品越来越多，无论简单的还是复杂的，基本上都是经过三极管对信号处理后来实现某项功能，从而达到设计者的初衷，因此三极管是构成电子产品的重要元件之一，其性能的好坏直接影响产品的质量，如何检测就成为正确应用的关键。
在总结经验和实践的基础上，针对职专生或初学者的特点，摸索出通俗易懂的检测三极管的方法，以及由此可延伸到相关三引脚元件的检测方法，为以后的学习奠定基础。
关键词：三极管、结构、测量生活中的电子产品越来越多，无论简单的还是复杂的，基本上都是经过三极管对信号处理后来实现某项功能，从而达到设计者的初衷，因此三极管是构成电子产品的重要元件，其性能的好坏直接影响产品的质量，如何检测就成为正确应用的关键。
一、先从结构入手确立测量的依据1、复习分析半导体的基础知识，由此到处P型和N型半导体，两种半导体有机的结合形成PN结，经试验得出PN结的特性——单向导电性，也即二极管的特性，其符合为（有关二极管的检测不再陈述）。
2、三极管的结构演变由P型和N型半导体合理交叉结合，即PNP或NPN排列，然后经过下图所示的逐步演变，就构成我们所需要的三极管的等效结构图（图1所示）。
由上图可知，三极管有三个电极即发射极e、基极b和集电极c，两个PN结即发射结和集电结，这两个PN结自然也具有单向导电性。
二、由外型确定引脚排列规律常用三极管的引脚排列顺序都有一定的规律可循，掌握了其排列规律，能够更好的检测出其性能、类型等相关知识，为准确应用奠定基础。
三、电阻分析法测三极管万用表（机械式）的电阻档测量性能好的三极管时，任意两个电极间的正反向电阻所得到的结果。
注意：1、硅管阻值大为接近无穷大，阻值小为几千欧；锗管阻值大为几千欧，阻值小为几百欧。
四、测量方法规律总结（三极管测量三字歌）前面几点是为更好地理解测量口诀，只要有所了解就可以。
注意：1、每个学生手中有尽可能多的三极管；2、要边讲解边示范测量方法；3、先测量性能好的三极管，基本熟悉后再测性能差的，或随机抽测。
局部阻力损失实验报告
局部阻力损失实验报告局部阻力损失实验报告局部阻力损失实验前言：工农业生产的迅速发展, 使石油管路、给排水管路、机械液压管路等, 得到了越来越广泛的应用。
为了使管路的设计比较合理, 能满足生产实际的要求, 管路设计参数的确定显得更为重要。
管路在工作过程中存在沿程损失和局部阻力损失，合理确定阻力系数是使设计达到实际应用要求的关键。
但是由于扩张、收缩段的流动十分复杂，根据伯努利方程和动量方程推导出的理论值往往与具体的管道情况有所偏差，一般需要实验测定的局部水头损失进行修正或者得出经验公式用于工业设计。
在管路中, 经常会出现弯头, 阀门, 管道截面突然扩大, 管道截面突然缩小等流动有急剧变化的管段, 由于这些管段的存在, 会使水流的边界发生急剧变化, 水流中各点的流速, 压强都要改变, 有时会引起回流, 旋涡等, 从而造成水流机械能的损失。
例如，流体从小直径的管道流往大直径的管道, 由于流体有惯性, 它不可能按照管道的形状突然扩大, 而是离开小直径的管道后逐渐地扩大。
因此便在管壁拐角与主流束之间形成漩涡, 漩涡靠主流束带动着旋转, 主流束把能量传递给漩涡、漩涡又把得到的能量消耗在旋转中( 变成热而消散) 。
此外, 由于管道截面忽然变化所产生的流体冲击、碰撞等都会带来流体机械能的损失。
摘要：本实验利用三点法测量扩张段的局部阻力系数，用四点法量测量收缩段的局部阻力系数，然后与圆管突扩局部阻力系数的包达公式和突缩局部阻力系数的经验公式中的经验值进行对比分析，从而掌握用理论分析法和经验法建立函数式的技能。
进而加深对局部阻力损失的理解。
三、实验原理写出局部阻力前后两断面的能量方程，根据推导条件，扣除沿程水头损失可得：1．突然扩大采用三点法计算，下式中实测hje?[(Z1?p1hf1?2由hf2?3按流长比例换算得出。
p2)?)?12g2]?[(Z2?22g2hf12]ehje/12g2理论?e?(1A1A22)hjee,12g22．突然缩小采用四点法计算，下式中B点为突缩点，换算得出。
匝间绝缘测试项目的释义及正确使用
正确使用电机检测中匝间绝缘测试项目1 概述近年来，在国内电机生产和检测中，匝间绝缘测试项目越来越受到广泛重视。
在80年代和90年代初，各厂家和试验室所用匝间绝缘测试仪均用目测波形差异测试法，且匝间绝缘项目测试仅用于交流电机定子绕组的测试。
随着计算机应用的提高和普及，匝间绝缘测试方法也从目测发展为用计算机进行分析和判断。
脉冲冲击电路从闸流管发展到高压可控硅电路，电路稳定、可靠，不需预热，寿命长。
在90年代中期以后，国内匝间绝缘测试技术已发展到一个新水平。
2 匝间绝缘检测机理匝间绝缘测试机理为用一个高压窄脉冲（根据现有标准脉冲上升沿为1.2μs、0.5μs两种）加于被测绕组两端，此脉冲能量在绕组与匹配电容之间产生一个并联自激振荡，由于绕组直流电阻的存在，此谐振为一衰减波并较快趋近于零，分析被测绕组振荡波形与标准绕组振荡波形之差异，即可判断被测绕组的优劣，判断其是否存在匝间短路或匝间绝缘不良问题。
传统的匝间绝缘判断方法是将标准绕组和被测绕组两振荡波加于双线示波器上，用肉眼观察两波形的幅值和频率的差异，并根据经验判断被测绕组是否合格，这种方法的根本缺点是判断主观随意性，没有量化指标考核，这种方法也经常引起制造者与检验人之间的分歧与矛盾。
随着计算机技术的发展与普及，匝间绝缘测试方法已大有改进，用一个高速A/D系统将绕组的脉冲电压冲击的衰减自激振荡波模拟信号进行数字化处理，然后由计算机对波形数据进行分析比较和计算，并由计算机对各参量的变化进行判断。
波形判断的参量，目前国内和国际上有很多形式，如利用被测绕组振荡波与X轴的面积和标准绕组振荡波与X轴的面积之差的百分数法、两个波的频率差的百分数法、用两个波面积差的百分数法、电晕放电法、电桥不平衡法等。
目前国内使用较普遍的是面积差百分数法和频率差百分数法。
正确选择各检测参数，才能保证检测准确性，现以目前国内某公司的定子综合测试台中匝间绝缘项目测试为例进一步阐述检测机理与方法。
1 恒温控制实验
实验一恒温控制实验一、实验目的1．了解恒温槽的构造和控制作用，利用恒温槽获得常温恒温并考察恒温控制精确度。
2．了解中高温电炉恒温控制设备及其控制作用。
热悉可控硅温度控制仪的操作并考察电炉恒温控制精确度。
二、实验原理1．恒温槽在物理化学实验中，许多待测数据，如蒸气压、电导、分解压、化学反应速率常数、表面张力、折射率等随温度变化而变化，因此必须在恒定温度的条件下进行测定。
恒温条件是这些数据测定可靠的基本保障。
常温恒温一般通过二位控制来实现，如恒温槽、干燥箱等。
恒温槽由内盛恒温介质(常用水)的浴槽、电热器、搅拌器、电接点温度计(或其它感温元件)、温度计和温度控制器等组成，如图II-1-1所示。
电接点温度计相当于一个自动开关，即所谓二位控制。
由于它允许通过的电流很小(1mA)，因此必须通过过渡性的功率继电器来控制加热器的电流。
给定温度(例如高于室温5℃)通过电接点温度计调节。
它的上下两端各有一根铂丝通过导线连入温度控制器，当其中的水银柱与上端铂丝尚有一段距离而未能相互接触时，则不能与始终和水银连接的下端铂丝形成通路。
于是，温度控制器的控制电路会控制继电器，使电热器通电加热，浴槽温度因此而上升。
当温度升高到给定温度时，电接点温度计中的水银柱随着上升到恰好与上端的铂丝接触，导至温度控制器通过控制电路使继电器控制电热器断电，停止加热，由于浴槽的散热作用，温度下降，电接点温度计中的水银柱也随之下降而与上端的铂丝脱开，因此温度控制器又控制电热器通电加热。
如此反复，实现自动间歇供电，使电热器或通电加热或断电停止加热，实施二位控制，使恒温槽控制在给定温度。
但实际上是在一定范围内波动，为使波动范围较小，可通过调压器(或几组电热器由相应开关接通或断开)调节电热器通电加热的功率。
恒温控制精确度与电热器功率、电热器和恒温介质的热容；感温元件和继电器的灵敏度、搅拌强度、环境温度等诸多因素有关。
理想的控制是使恒温槽在单位时间内的得失热量达到平衡。
万用表原理
万用表的基本原理是利用一只灵敏的磁电式直流电流表（微安表）做表头。
当微小电流通过表头，就会有电流指示。
但表头不能通过大电流，所以，必须在表头上并联与串联一些电阻进行分流或降压，从而测出电路中的电流、电压和电阻。
下面分别介绍。
●测直流电流原理。
如图1a所示，在表头上并联一个适当的电阻（叫分流电阻）进行分流，就可以扩展电流量程。
改变分流电阻的阻值，就能改变电流测量范围。
●测直流电压原理。
如图1b所示，在表头上串联一个适当的电阻（叫倍增电阻）进行降压，就可以扩展电压量程。
改变倍增电阻的阻值，就能改变电压的测量范围。
●测交流电压原理。
如图1c所示，因为表头是直流表，所以测量交流时，需加装一个并、串式半波整流电路，将交流进行整流变成直流后再通过表头，这样就可以根据直流电的大小来测量交流电压。
扩展交流电压量程的方法与直流电压量程相似。
●测电阻原理。
如图1d所示，在表头上并联和串联适当的电阻，同时串接一节电池，使电流通过被测电阻，根据电流的大小，就可测量出电阻值。
改变分流电阻的阻值，就能改变电阻的量程。
用万用表测且电区和测试电子元件（一）用万用表测量电阻万用表欧姆档可以测量导体的电阻。
欧姆档用“Ω”表示，分为R×1、R×10、R×100和R×1K四档。
有些万用表还有R×10k档。
使用万用表欧姆档测电阻，除前面讲的使用前应做到的要求外，还应遵循以下步骤。
1．将选择开关置于R×100档，将两表笔短接调整欧姆档零位调整旋钮，使表针指向电阻刻度线右端的零位。
若指针无法调到零点，说明表内电池电压不足，应更换电池。
2．用两表笔分别接触被测电阻两引脚进行测量。
正确读出指针所指电阻的数值，再乘以倍率（R×100档应乘100，R×1k档应乘1000……）。
就是被测电阻的阻值。
3．为使测量较为准确，测量时应使指针指在刻度线中心位置附近。
若指针偏角较小，应换用R×1k档，若指针偏角较大，应换用R×1O档或R×1档。
空调常见故障案例
案例一、可控硅坏、室内机噪音故障现象：关机后，室内风机慢慢转动，开机后发出剌耳噪声。
原因分析：根据用户反映及现象分析，初步判断为室内电机供电故障，检查室内风机供电电压，关机状态下电机上有100V电压，关机后室内电机仍缓慢连续运行，室内电机发热使塑料的电机架遇热变形，塑封电机位置偏移，这样则导致贯流风叶要与底盘相碰，发出难听的噪音，而且有一股烧焦的味道。
由此判定为风机控制可控硅损坏。
解决措施：换主控板。
经验总结：分体挂机室内机风机转速是由可控硅来控制的，当电源电压较低或波动较大时，会造成可控硅单相击穿，停机时室内风机仍有电压，电机仍会慢转，由于可控硅为单相击穿，电机供电电源非正弦波形，电机运转不平稳，噪音较大。
案例二、室内风机关机后不停及未开机风机就运行故障现象：关机后，室内风机不停、未开机风机就运行。
原因分析：根据用户反映故障现象，通电即发现室内风机运行，用遥控开机后关机，室内风机仍在运行，初步判断为室内电机供电故障，检查室内风机供电电压，通电状态或关机装态下电机上有 158V电压输出，因此通电后室内电机就运行，由此判定为风机控制可控硅损坏。
解决措施：更换同型号控制器后试机正常。
经验总结：分体挂机室内机风机转速是由可控硅来控制的，当电源电压较低或波动较大时，会造成可控硅单相击穿，停机或关机时室内风机仍有电压，室内风机不能关闭。
案例三、遥控器接收器坏故障现象：遥控不开机原因分析：检查遥控器，用遥控器对准普通收音机，按遥控器上的任何键，收音机均有反映，说明遥控器属正常，故障在室内机主控板或者遥控接收器。
打开室内机外盖，检查220伏输入电源及12伏与5伏电压均正常，用手动启动空调，空调能正常启动运转，说明主控板无问题，故障部位在遥控接收器元器件上，经检查，发现原因在于控制器接收回路上瓷片电容(103Z/50v)绝缘电阻偏小，只有几kΩ，质量好的瓷片电容应该在10000MΩ以上,漏电电流偏大而引起的遥控不接收。
常见仪表故障分析报告处理及方法
目录第一章自动化仪表故障综合分析1.1 工业仪表故障分析判断方法1.2 仪表故障的一般规律1.3 应用万用表分析和解决仪表故障1.4 电动、气动仪表的故障判断及维修第二章流量监测仪表故障处理2.1 电磁流量计2.2 超声波流量计2.3 涡轮流量计2.4 强力巴流量计第三章物位检测仪表故障处理3.1 雷达物位计3.2 超声波物位计3.3 液位计第四章压力检测仪表故障处理4.1 智能压力变送器或智能差压变送器4.2 压力开关4.3 压力表第五章温度检测仪表故障处理5.1 热电阻温度变送器5.2 热电偶温度变送器第六章气动薄膜调节阀故障处理6.1 气动薄膜调节阀第七章电动执行机构故障处理7.1 电动执行机构第八章电子秤故障处理8.1 电子料斗秤8.2 电子皮带秤8.3 电子转子秤8.4 电子地磅/汽车衡第九章分析仪故障处理9.1 HLA-M105C(O2 CO)在线气体分析系统9.2 SCS-900C烟气连续监测系统(烟气分析仪) 9.3 GXH-904D型气体分析系统9.4 CEMS-2000型烟气分析系统常见仪表故障分析处理及方法第一章自动化仪表故障综合分析1.1 工业仪表故障分析判断方法仪表故障分析是一线维护人员经常遇到的工作，根据多年仪表维修经验，整理了工业仪表故障分析判断的十种方法，比较原则地介绍如下：1.1.1调查法通过对故障现象和它产生发展过程的调查了解，分析判断故障原因的方法。
一般有以下几个方面：⑴故障发生前的使用情况和有无什么先兆；⑵故障发生时有无打火、冒烟、异常气味等现象；⑶供电电压变化情况；⑷过热、雷电、潮湿、碰撞等外界情况；⑸有无受到外界强电场、磁场的干扰；⑹是否有使用不当或误操作情况；⑺在正常使用中出现的故障，还是在修理更换元器件后出现的故障；⑻以前发生过哪些故障及修理情况等。
采用调查法检修故障，调查了解要深入仔细，特别对现场使用人员的反映要核实，不要急于拆开检修。
维修经验表明，使用人员的反映有许多是不正确或不完整的，通过核实可以发现许多不需要维修的问题。
双向可控硅调光灯电路的安装与调试实训心得
双向可控硅调光灯电路的安装与调试实训心得
电子电路应用实训是应用电子技术专业的必修课，通过调光灯电路双路的设计制作，进一步提高电子元器件的识别、检测和组装焊接技能，培养电子线路识图与实物制作规划能力，以及电子线路测试与功能调试能力。
经过了本次的实训课程，让我们知道调光灯电路的原理与作用。
在这次的实训中，所经历实验的失败与成功，我们在一次次的失败中不断的总结教训与经验，到最后我们成功的完成调光灯电路，明白了做实验时一定要细心、沉着、稳重，切不可粗心大意。
通过这次课程设计,学会灵活运用multisim10仿真软件, 学会
从读方面思考问题。
仿真过程与实验过程中出现误差,能在合理范围的则证明实验成功。
这一次课程设计,不仅培养了我的动手能力,同时也培养了我的动脑能力；遇到问题,多翻查资料,多问问别人,问题便会迎刃而解。
IGBT与可控硅区别
请问，在整流器中，应用IGBT整流与用可控硅整流有什么差别？另外，功率器件IGBT与可控硅的整流有什么区别？谢谢努力工作，多多挣钱2008-3-2 13:23:48 IP: 保密8355335等级:光明使者权限:普通用户积分:753金钱:4819声望:16经验:2193发帖数:2135注册时间:2006-5-8编辑删除引用第2楼可控硅整流器能够均匀调节输出电压，绝对珍藏：《深入浅出西门子S7-200PLC第二版》电子版变频器与PLC资料下载，天天更新2008-3-2 21:31:25 IP:保密99618等级:权限:普通用户积分:3445金钱:2946声望:-22经验:1901编辑删除引用第3楼看看这个摘要：本文对历年来得到广泛应用的可控硅全桥并联逆变固体电源以及近几年得到快速发展的IGBT半桥串联逆变固体电源的各项性能及它们的适用配套对象(电炉)进行了详细的比较分析。
它将有助于用户根据各自的工艺要求正确、合理、经济地选用合适的供电电源。
关键词：可控硅;IGBT;中频固体电源，感应电炉The performance comparison between MF power supply with SCR and IGBTYan Wenfei Yin Jingxing ( Xi’an Mechanical and Electric Research Institute 710075)Abstract: The performan ce and it’s application for the SCR solid state MF power当电炉的功率在1500 kW以下时，如果需要高性能，能耗低，可以选择IGBT中频感应电炉。
如果要求低价格，则可选择SCR全桥中频感应电炉。
当电炉的功率在1500 kW以上时，通常应该选择SCR全桥中频感应电炉，它具有更高的稳定性和可靠性。
对于熔化电炉而言，因为电炉经常工作在满功率状态，所以功率因数已不是主要问题。
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可控硅作为中频炉设备的重要系统组成部分，一旦出现故障，往往会导致系统效率下降或停止运行，严重的甚至会造成设备本身的损坏。
那幺，中频炉可控硅在平时使用过程中都经常会出现哪些问题？出现这些故障的原因有哪些？今天小编为大家总结了一些比较常见的可控硅损坏原因和诊断经验，在这里与大家一起分享。
首先我们来看第一种比较经常遇到的故障问题，那就是中频炉逆变可控硅水冷套内断水或散热效果下降。
在出现这一问题时，我们应该做的第一步检修步骤就是及时更换水冷套。
有时观察水冷套的出水量和压力是足够的，但是经常由于水质的问题，在水冷套的壁上会附着一层水垢，由于水垢是一种导热性极差的物体，虽然有足够的水流量流过，但因为水垢的隔离使其散热效果大大降低。
其判断方法是将功率运行在较低于该过流值的功率下约十分钟，迅速停机，停机后迅速用手触摸可控硅元件的芯部，若感觉到烫手，则该故障是由此原因引起的。
第二种经常遇到的中频炉可控硅故障现象，相信很多工程师都曾经遇到过，那就是槽路连接导线有接触不良和断线情况。
遇到这种问题时，工程技术人员需要全面检查槽路连接导线，根据实际情况酌情处理。
当槽路连接导线有接触不良或断线情况时，功率升到一定值后会产生打火现象，影响了设备的正常工作，从而导致设备保护动作。
有时因打火时会在可控硅两端产生瞬时过电压，如果过压保护动作来不及，会烧坏可控硅元件。
该现象经常会出现过电压、过电流同时动作。
还有一种可控硅故障是在平时的工作过程中比较常见的，那就是脉冲触发回路故障。
在设备运行时如果突然丢失触发脉冲，将造成逆变开路，中频电。
仪表实验报告
实验一温度控制系统（一）一、实验目的1、了解温度控制系统的组成环节和各环节的作用。
2、观察比例、积分、微分控制规律的作用，并比较其余差及稳定性。
3、观察放大倍数P、积分时间I、微分时间dt对控制系统（闭环特性）控制品质的影响。
二、温度控制系统的组成电动温度控制系统是过程控制系统中常见的一种，其作用是通过一套自动控制装置，见图1，使炉温自动维持在给定值。
图1 温度控制系统炉温的变化由热电偶测量，并通过电动温度变送器转化为标准信号4～20mA直流电流信号，传送到电子电位差计进行记录，同时传送给电动控制器，控制器按偏差的大小、方向，通过预定控制规律的运算后，输出4～20mA直流电流信号给可控硅电压调整器，通过控制可控硅的导通角，以调节加到电炉（电烙铁）电热元件上的交流电压，消除由于干扰产生的炉温变化，稳定炉温，实现自动控制。
三、实验内容1、在相同扰动作用下，作出两条不同比例度的纯比例温度控制动态曲线，综合分析比例度对控制系统的影响。
2、在相同扰动作用下，作出两条相同比例度不同积分时间的比例积分温度控制动态曲线，分析积分时间对控制系统的影响3、作出比例积分微分温度控制动态曲线，综合分析微分时间对控制系统的影响。
4、观察小比例度时的温度两只动态曲线，综合分析原因。
四、实验步骤1、观察系统各环节的结构、型号、电路的连接，熟悉可控硅电压调整器和电动控制器上各开关、旋钮的作用。
2、控制系统闭环特性的测定：在以下实验中使用的P1 ，P2 ，I1，I2 ，dt1，Cr1的具体数值由各套实验装置具体提供。
（1）考察比例作用将δ置于某值P1 ，积分时间置最大（I=999），微分时间dt置于提供值不变，Cr1置于7，将干扰开关从“短”切向“干扰”，产生一个阶跃干扰（此时为反向干扰），同时在记录仪的记录线上作一记号，以记录阶跃干扰加入的时刻，观察并记录在纯比例作用下达到稳定的时间及余差大小。
（2）考察积分作用保持P=P1不变，置I=I1，同时在记录仪的记录线上作一记号，以记录积分作用加入的时刻，注意观察积分作用如何消除余差，直到过程基本稳定。
电子元件的检测方法
1、电阻的检测方法：A 将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。
为了提高测量的精度，应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。
由于欧姆挡刻度的非线性关系，它的中间一段分度较为精细，因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置，即全刻度起始的20%～80%弧度范围内，以使测量更准确。
根据电阻误差等级不同。
读数与标称阻值之间分别允许有±5%、±10%或±20%的误差。
如不相符，超出误差范围，则说明该电阻值变值了。
B 注意：测试时，特别是在测几十kΩ以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电部分；被检测的电阻从电路中焊下来，至少要焊开一个头，以免电路中的其他元件对测试产生影响，造成测量误差；色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时最好还是用万用表测试一下其实际阻值。
2、熔断电阻器的检测：在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可根据经验作出判断：若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦，可断定是其负荷过重，通过它的电流超过额定值很多倍所致；如果其表面无任何痕迹而开路，则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。
对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断，可借助万用表R×1挡来测量，为保证测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。
若测得的阻值为无穷大，则说明此熔断电阻器已失效开路，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不宜再使用。
在维修实践中发现，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以注意。
3、电位器的检测：检查电位器时，首先要转动旋柄，看看旋柄转动是否平滑，开关是否灵活，开关通、断时“喀哒”声是否清脆，并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有“沙沙”声，说明质量不好。
用万用表测试时，先根据被测电位器阻值的大小，选择好万用表的合适电阻挡位，然后可按下述方法进行检测。
A 用万用表的欧姆挡测“1”、“2”两端，其读数应为电位器的标称阻值，比如万用表的指针不动或阻值相差很多，则表明该电位器已损坏。
三极管的简单检测方法(经验判断)
一、三极管的简单检测方法（经验判断）1.冒状的三极管：对于这种冒状三极管，一般都有个凸出的部分，则突出部分对应为E极，然后B 极应该为中间的引脚，另外一脚则为C极；2.普通的三极管：对于这种三极管，首先用数字万用表检测出B极（万用表打到导通挡，若测得某一引脚与其他两引脚的压降为无穷大，调换表笔，测得此引脚与其他两引脚都存在一定的压降，则可判定此引脚为B极），检测出B极后，将万用表打到导通挡（即二极管挡），分别测量另外两支引脚对B极的正向偏压，其中偏压较大的为E极，偏压较小的为C极；（注：一般三极管若检测出B极在一端，则另一端为E极，中间为C极）二、电容的串、并联：1.电容串联电路的基本特征：a):电容串联后总电容的倒数等于各电容容量的倒数之和，即1/C=1/C1+1/C2+…,这一点与电阻并联电路相同。
（记住一个特例：当两个容量相等电容串联后，其总的电容容量为原来单个电容容量的一半。
）b):在电容串联电路中，容量大的电容两端电压小，容量小的电容两端电压大（由Q=C*U，存储在串联电路中各个电容的电荷量Q相等，所以容量越大，电容两端电压越小。
），当某个电容的容量远大于其他电容时，该电容相当于通路，此时电路中起决定性作用的是容量小的电容。
c):两只有极性电解电容顺串联的结果仍然为一只有极性的电容，总电容的容量减小，总电容的耐压提高；逆串联后电容没有极性，两根引脚可以任意接入电路中。
2.电容并联电路的基本特征：a):电容并联电路中的总电容等于各电容的容量之和，即总容量C= C1+C2+…，这一点与电阻串联特性相似。
b)：电容并联电路中各电容上电压相等，各电容支路中，大容量电容支路中的电流大，小容量电容支路中的电流小。
（因为并联电路两端电压相等，容量大容抗小，电流大）说明：（平板电容公式为c=εs/4πkd.平行板电容器的电容c跟介电常数ε成正比，跟正对面积成s正比,跟极板间的距离d成反比，其中式中的k是静电力常量。
电子元器件的检测方法及识别
电位器选用与代换经验（一）根据使用规定选用电位器选用电位器时, 应根据应用电路的具体规定来选择电位器的电阻体材料、结构、类型、规格、调节方式。
例如, 大功率电路选用功率型线绕电位器；精密仪器等电路中应选用高精度线绕电位器、精密多圈电位器或金属玻璃釉电位器；中、高频电路可选用碳膜电位器；半导体收音机的音量调节兼电源开关可选用小型带旋转式开关的碳膜电位器；立体声音频放大器的音量控制可选用双连同轴电位器；音响系统的音调控制可选用直滑式电位器；电源电路的基准电压调节应选用微调电位器；通讯设备和计算机中使用的电位器可选用贴片式多圈电位器或单圈电位器。
（二）合理选择电位器的电参数根据设备和电路的规定选好电位器的类型和规格后, 还要根据电路的规定合理选择电位器的电参数, 涉及额定功率、标称阻值、允许偏差、分辨率、最高工作电压、动噪声等。
（三）根据阻值变化规律选用电位器各种电源电路中的电压调节、放大电路的工作点调节、副亮度调节及行、场扫描信号调节用电位器, 均应使用直线式电位器。
音响器材中的音调控制用电位器应选用反转对数式（旧称指数式）电位器, 音量控制用电位器可选用对数式电位器。
万用表各挡量程选择及测量误差分析用万用表进行测量时会带来一定的误差。
这些误差有些是仪表自身的准确度等级所允许的最大绝对误差。
有些是调整、使用不妥带来的人为误差。
对的了解万用表的特点以及测量误差产生的因素, 掌握对的的测量技术和方法, 就可以减小测量误差。
人为读数误差是影响测量精度的因素之一。
它是不可避免的, 但可以尽量减小。
因此, 使用中要特别注意以下几点: 1测量前要把万用表水平放置, 进行机械调零；2读数时眼睛要与指针保持垂直；3测电阻时, 每换一次挡都要进行调零。
调不到零时要更换新电池；4测量电阻或高压时, 不能用手捏住表笔的金属部位, 以免人体电阻分流, 增大测量误差或触电；5在测量RC电路中的电阻时, 要切断电路中的电源, 并把电容器储存的电泄放完, 然后再进行测量。
可控硅测试指南范文
可控硅测试指南范文一、引言可控硅是一种常见的半导体器件，广泛应用于功率电子领域。
为了确保可控硅的正常工作，需要进行一系列的测试。
本文将介绍可控硅的测试方法和注意事项，帮助读者更好地了解和掌握可控硅的测试技能。
二、可控硅测试方法1.静态电特性测试静态电特性测试是可控硅测试的基础，主要包括开启电压（VAK），保持电流（IH）和关断电流（IL）的测试。
测试时需要使用恒流源和恒压源，通过改变源的输出电流或电压，记录对应的电流和电压值，得到开启电压、保持电流和关断电流的数值。
测试时应注意测试电路的安全，尽量避免可控硅因过流或过压而损坏。
2.动态电特性测试动态电特性测试是可控硅测试的重要部分，主要包括开启时间（TQ）和关断时间（TQ）的测试。
测试时需要使用特定的激励脉冲信号，通过改变激励脉冲的宽度和频率，记录对应的可控硅导通和截止时间，得到开启时间和关断时间的数值。
测试时应注意测试电路的稳定性和信号的准确性，确保测试结果的可靠性。
3.热稳定性测试热稳定性测试是为了评估可控硅在高温环境下的工作性能。
通常会使用恒定的温度腔体来进行测试，通过改变腔体内的温度，记录可控硅的电流和电压变化情况，评估其在高温环境下的稳定性。
测试时应注意测试环境的温度控制和稳定性，确保测试结果的准确性。
4.射频特性测试射频特性测试是为了评估可控硅在高频电路中的应用性能。
通常会使用特定的射频信号源和测试设备，通过改变射频信号的频率和功率，记录可控硅的射频参数，如扼流圈电抗、电流调制深度等。
测试时应注意测试设备的校准和信号源的稳定性，确保测试结果的可靠性。
三、可控硅测试注意事项1.安全性可控硅测试时需要使用高电压和高电流，测试电路中可能存在一定的安全风险。
在测试时应确认电路和设备的安全性，使用合适的保护措施，如使用防护手套、眼镜等。
同时，还需要遵守相关的电气安全操作规范，确保自身和设备的安全。
2.测试环境可控硅测试需要使用稳定的电源和测试设备，确保测试环境的稳定性和准确性。
电路图表示方法1
电路图的基础知识一、电子电路图的意义电路图是人们为了研究和工程的需要，用约定的符号绘制的一种表示电路结构的图形。
通过电路图可以知道实际电路的情况。
这样，我们在分析电路时，就不必把实物翻来覆去地琢磨，而只要拿着一张图纸就可以了；在设计电路时，也可以从容地在纸上或电脑上进行，确认完善后再进行实际安装，通过调试、改进，直至成功；而现在，我们更可以应用先进的计算机软件来进行电路的辅助设计，甚至进行虚拟的电路实验，大大提高了工作效率。
二、电子电路图的分类常遇到的电子电路图有原理图、方框图、装配图和印板图等(一)原理图原理图就是用来体现电子电路的工作原理的一种电路图，又被叫做“电原理图”。
这种图，由于它直接体现了电子电路的结构和工作原理，所以一般用在设计、分析电路中。
分析电路时，通过识别图纸上所画的各种电路元件符号，以及它们之间的连接方式，就可以了解电路的实际工作时情况。
(二)方框图(框图)方框图是一种用方框和连线来表示电路工作原理和构成概况的电路图。
从根本上说，这也是一种原理图，不过在这种图纸中，除了方框和连线，几乎就没有别的符号了。
它和上面的原理图主要的区别就在于原理图上详细地绘制了电路的全部的元器件和它们的连接方式，而方框图只是简单地将电路按照功能划分为几个部分，将每一个部分描绘成一个方框，在方框中加上简单的文字说明，在方框间用连线（有时用带箭头的连线）说明各个方框之间的关系。
所以方框图只能用来体现电路的大致工作原理，而原理图除了详细地表明电路的工作原理之外，还可以用来作为采集元件、制作电路的依据。
(三)装配图它是为了进行电路装配而采用的一种图纸，图上的符号往往是电路元件的实物的外形图。
我们只要照着图上画的样子，依样画葫芦地把一些电路元器件连接起来就能够完成电路的装配。
这种电路图一般是供初学者使用的。
装配图根据装配模板的不同而各不一样，大多数作为电子产品的场合，用的都是下面要介绍的印刷线路板，所以印板图是装配图的主要形式。
十二篇可控硅交流调压电路解析
第一篇：可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点,目前交流调压器多采用可控硅调压器。
这里介绍一台电路简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器，这可用作家用电器的调压装置，进行照明灯调光，电风扇调速、电熨斗调温等控制。
这台调压器的输出功率达100W，一般家用电器都能使用。
1：电路原理：电路图如下可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。
从图中可知，二极管D1-D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路.当调压器接上市电后，220V 交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流,在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源.在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。
当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时，T1管由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电,结果在R2上获得一个尖脉冲。
这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极, 使可控硅导通.可控硅导通后的管压降很低,一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。
当交流电通过零点时，可控硅自关断.当交流电在负半周时,电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。
2：元器件选择调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114—1型合成碳膜电位器,这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外,其佘的都用功率为1/8W的碳膜电阻.D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管，如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。
SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件，如国产3CT系例。
第二篇：本例介绍的温度控制器，具有SB260取材方便、性能可靠等特点，可用于种子催芽、食用菌培养、幼畜饲养及禽蛋卵化等方面的温度控制，也可用于控制电热毯、小功率电暖器等家用电器。
moc3061驱动bt134双向可控硅
MOC3061驱动BT134双向可控硅By L-Team最近在做一个双向可控硅的驱动电路，特将遇到的一些问题和解决方法总结如下，希望对各位喜欢DIY的小伙伴有所帮助。
首先看看MOC3061的内部封装：（光耦驱动双向二极管，可以认为是一个小功率的双向可控硅）3、5两脚没有用，1、2两脚是低电压控制驱动电压输入，4、6脚就是驱动可控硅的了。
更多参数请小伙伴们百度pdf看看了。
再看看BT134-600E的简绍：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）然后根据MOC3061的推荐电路图焊接电路板：此时，按原计划本来就完成了这个简单的电路图，但是第一次弄还是遇到一些问题，总结如下：1、双向可控硅是否有正负极？答：没有，因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分，详解请继续看下面。
2、双向可控硅的导通条件是什么？答：双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，我用的是四象限可控硅，其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。
3、MOC3061推荐电路图的误解：我最开始忽略了G极与T1之间的关系，将MOC3061的4、6两脚接在了G极与T1之间，电路示意图如下：（由于没有找到MOC3061，用了一个开关表示）此时无论是打开开关、和关闭开关（驱动MOC306或者不驱动MOC3061）可控硅都是导通的，即不能关闭可控硅，百般纠结和查看资料后才发现G极和T1之间的关系，安照这个电路接的话，不管J3开路时，G极的电压等于T2的电压，当交流电流过双向可控硅时，G极与T1之间总存在一个电压差，即T1与T2之间的电压差，这个电压差就导通了可控硅，所以双向可控硅虽然没有正、负极的区别，却有T1、T2的区别。
将MOC3061移动到G与T2之间后，可控硅就可以正常导通了，此处无图，不信的小伙伴可以自己仿真测试哦！4、再次解析MOC3061的推荐电路：回过头来再看看MOC3061的推荐电路，我们就可以发现双向可控硅的元件示意图上的G极是从T1引出来的，然后MOC3061放在G极与T2之间，仿佛之间我就醉了！只因为一句“双向可控硅没有正负极”而忽略了G极与T1的导通条件。
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可控硅检测方法与经验可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。
它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。
1. 可控硅的特性。
可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。
单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。
只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。
此时A1、A2间压降也约为1V。
双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。
只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
2. 单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。
此时万用表指针应不动。
用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。
如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
3. 双向可控硅的检测。
用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。
若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。
确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。
将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。
再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。
随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。
互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。
同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。
随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。
符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节干电池，以提高触发电压。
晶闸管(可控硅)的管脚判别晶闸管管脚的判别可用下述方法：先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。
再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。
场效应管检测一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。
这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。
如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。
根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。
先将管的Ｇ极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住Ｇ极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。
这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。
但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。
第二，此方法对MOS场效应管也适用。
但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。
第三，每次测量完毕，应当G-S极间短路一下。
这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。
（4）用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。
把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ。
用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极，两种方法检测结果均应一样。
当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。
（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。
此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。
将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。
当用手接触栅极Ｇ时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。
二、.场效应管的使用注意事项（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。
如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压，等等。
（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。
尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。
（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。
以上安全措施在使用场效应管时必须注意。
（5）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。
对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。
因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。
总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。
三.VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。