电子测试技术(二)
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实验一TTL集成逻辑门的参数测试(基本)...............................2学时实验二CMOS集成逻辑门的参数测试(基本)...........................2学时实验三集电极开路OC门及三态TS门电路的研究(综合).....2学时实验四译码器及其应用(应用)...................................................2学时实验五组合逻辑电路的设计(设计)...........................................2学时实验六数据选择器的功能分析与设计(综合)...........................2学时实验七触发器的功能测试(基本)...............................................3学时实验八移位寄存器及其应用(应用)...........................................3学时
实验一 TTL集成逻辑门的参数测试
实验学时:2
实验类型:基本
实验要求:必做
一、实验目的
1、了解TTL与非门各参数的意义。
2、掌握TTL集成门电路的逻辑功能和参数测试方法。
3、熟悉TPE-D3数字电路实验箱的基本功能和使用方法。
二、实验原理、方法和手段
TTL集成与非门是数字电路中广泛使用的一种逻辑门,使用时,必须对它的逻辑功能、主要参数和特性曲线进行测试,以确定其性能好坏。本实验主要是对TTL集成与非门74LS20进行测试,该芯片外形为DIP双列直插式结构。原理电路、逻辑符号和管脚排列如图1-1(a)、(b)、(c)所示。
图1-1 74LS20芯片原理电路、逻辑符号和封装引脚图
1. 与非门的逻辑功能
与非门的逻辑功能是:当输入端有一个或一个以上的低电平时,输出端为高电平;只有输入端全部为高电平时,输出端才是低电平。(即有“0”得“1”,全“1”得“0”。)对与非门进行测试时,门的输入端接逻辑开关,开关向上为逻辑“1”,向下为逻辑“0”。门的输出端接电平指示器,发光管亮为逻辑“1”,不亮为逻辑“0”。与非门的逻辑表达式为:
Q ABC D
2. TTL 与非门的主要参数
(1)低电平输出电源电流I CCL 与高电平输出电源电流I CCH
与非门在不同的工作状态,电源提供的电流是不同的。I CCL 是指输出端空载,所有输入端全部悬空,(与非门处于导通状态),电源提供器件的电流。I CCH 是指输出端空截,每个门各有一个以上的输入端接地,其余输入端悬空,(与非门处于截止状态),电源提供器件的电流。测试电路如图1-2(a)、(b)所示。通常I CCL I CCH ,它们的大小标志着与非门在静态情况下的功耗大小。
导通功耗:P CCL =I CCL ×U CC 截止功耗:P CCH =I CCH ×U CC
由于I CCL 较大,一般手册中给出的功耗是指P CCL 。
注意:TTL 电路对电源电压要求较严,电源电压V CC 允许在+5±10%的电压范围内工作,超过5.5V 将损坏器件;低于4.5V 器件的逻辑功能将不正常。
(2) 低电平输入电流I IL
I IL 是指被测输入端接地,其余输入端悬空,由被测输入端流出的电流,如图1-2(c)所示,在多级门电路中它相当于前级门输出低电平时,后级向前级门灌入的电流,因而它的大小关系到前级门的灌电流负载能力,因此希望I IL 小些。
(3) 扇出系数N o
扇出系数是指门电路能驱动同类门的个数,是衡量门电路负载能力的一个参数,测试电路如图1-3所示,门的输入端全部悬空,输出端接灌电流负载,调节R L 使I oL 增大,U oL 随之增高,当U oL 达到U oLm (手册中规定低电平规范值0.4V)时的I oL 就是允许灌入的最大负载电流I oLm ,则
(a )I CCL 测试电路
(b )I CCH 测试电路
图1-2 空载参数I CCL 、I CCH 和I IL 测试原理图
OH
(c )I IL 测试电路
N I I
O L O Lm IL
=
N oL 大小主要受输出低电平时输出端允许灌入的最大负载电流I oLm 的限制,如灌入的负载电流超出该值,输出低电平将显著升高,以致造成下级门电路的误动作。
注意:测量时,O L I 最大不要超过20mA ,以防止损坏器件。 (4)电压传输特性
电压传输特性是指输出电压随输入电压变化的关系曲线()0Ιυυf =。它能够充分地显示与非门的逻辑关系,即:当输入Ιυ为低电平时,输出0υ为高电平;当输入Ιυ为高电平时,输出0υ为低电平,在Ιυ由低电平向高电平过渡的过程中,
0υ也由高电平向低电平转化。
测试方法,如图1-4所示。
通常对典型TTL 与非门电路要求V OH >3V (典型值为3.5V )、V OL <0.35V 、V ON =1.4V 、V OFF =1.0V 。
(5) 平均传输延迟时间t pd
t pd 是衡量门电路开关速度的参数,是指输出波形边沿0.5V m 点相对于输入波形对应边沿0.5V m 点的时间延迟,如图1-5所示,门电路的导通延迟时间为t pdL ,截止延迟时间为t pdH ,则平均传输延迟时间t pd =1/2(t pdL +t pdH )。t pd 测量方法如图1-6所示,此时与非门作为非门使用,它的输出信号与输入信号是反相的,将三个门(奇数个门)首尾相接将构成一个环形振荡器。由分析可知,这个电路的振荡周期T 与门的平均延迟时间t pd 的关系为t pd =T/6,用示波器或频率计测出振荡波形u o 的周期,则可求出t pd 值。(需用50~100MH z 的示波器或频率计进行测量)
V =5V
I OLm
0L U
Ω
图1-3 扇出系数N 0的测试电路 图1-4 电压传输特性的测试电路
V CC =5V
0υ
1k Ω
100Ω