交流阻抗等效电路电化学元件介绍

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阻抗谱的等效电路

阻抗谱的等效电路

阻抗谱的等效电路
阻抗谱的等效电路表示了电化学系统对于交流电信号的响应,通常用于描述电解质溶液、化学电池、电极材料、生物体系以及电化学储能设备等系统的特性。

阻抗谱的等效电路由三个元件组成:电阻(R)、电感(L)和电容(C),可以表示为以下形式:
![image.png](attachment:image.png)
其中,R代表电池内阻或者电解质溶液中的电阻,C代表电容,通常用于描述电容电化学反应,L代表电感,通常用于描述氧
气还原反应等电感电化学反应。

以上三个元件可以按照不同的方式组合,构成不同的等效电路模型,例如:
1. R-C等效电路模型:适用于电容电化学反应的描述,如双电
层电容等。

![image-2.png](attachment:image-2.png)
2. R-L等效电路模型:适用于氧气还原反应的描述,如铂电极
的氧还原反应等。

![image-3.png](attachment:image-3.png)
3. R-C-L等效电路模型:适用于复杂的电化学反应体系,如二
次电池等。

![image-4.png](attachment:image-4.png)
这些等效电路模型可以通过阻抗谱的拟合方法获得,通过对拟合得到的等效电路模型进行分析,可以推断出电化学体系的电化学行为,并得到一些重要的电化学参数,如电极反应的动力学参数、电解质溶液中离子迁移率等。

电化学阻抗谱EIS基础、等效电路、拟合及案例分析.ppt

电化学阻抗谱EIS基础、等效电路、拟合及案例分析.ppt

稳定
不稳定
6
阻纳G是一个随变化的矢量,通常用角频率(或一般 频率f,=2f)的复变函数来表示,即:
G() G '() jG ''()
其中: j 1 G'—阻纳的实部, G''—阻纳的虚部
若G为阻抗,则有: Z Z ' jZ ''
阻抗Z的模值:
阻抗的相位角为
Z Z '2 Z ''2
tan
* *
***
Z'
Nyquist 图上为与纵轴(虚部)重合的一条直线
14
2.1.3 电感
Z Z ' jZ ''
X L C 电感的相位角=-/2
写成复数: ZL jX C jL
实部:
Z
' L
0
虚部:
Z
'' L
C
阻抗模值: / Z / C
Nyquist 图上为与纵轴(虚部)重合的一条直线
15
时间常数
当处于高频和低频之间时,有一个特征频率*,在这个特 征频率, RL和Cd 的复合阻抗的实部和虚部相等,即:
RL
1
*Cd* 1RLCd Nhomakorabea2. 1.5 电组R和电容C并联的电路
Z Z ' jZ ''
并联电路的阻抗的倒数是各并联元
件阻抗倒数之和
1 1 1 1 jC
Z Z'
''
虚部Z''
(Z',Z'')
|Z|
实部Z'
7
分析电极过程动 力学、双电层和 扩散等,研究电 极材料、固体电 解质、导电高分 子以及腐蚀防护 机理等。

交流阻抗之详解电解池等效电路和极化

交流阻抗之详解电解池等效电路和极化

容 Cd 可由图 6 中 B 点横坐标求得,由式 1-11 可知,当ωCdRr=1 时,正好为 B 点横坐标
X=RL+1/2Rr,由 B 点相应频率和 Rr,可求得 Cd,所以 Cd=1/ Rr
(1-15)
3. 纯浓度极化交流阻抗
若不考虑双电层影响,近似地认为通过电解池的全部电量都用来引起表面层的浓度变化,
改写二次线标准方程式得:
(X-RL- 1 Rr)2+y2=( 1 Rr)2
2
2
(1-14)
显然这里一个圆心为(RL+1/2Rr,0),半径为 1/2Rr 的圆的曲线方程。
因此由实验得到不同频率下的 X 和 Y 值,在 XY 坐标系中得到半圆 ABC 及圆心 D,可
求出电极反应的有关参数,距离 OA 表示溶液电阻 Rl,距离 AC 为电极反应电阻 Rr,而双层电
1 Cd+ ω2CdRr2
(1—8)
以 Cs 对 1 做图亦可得一直线如图 5 2
截距为 Cd,斜率为 1 CdRr2
Cd=截距
(1—9)
Rr =
Cd
1 斜率
=( 1
1
)2
截距 斜率
(1—10)
因此只要用各种方法如交流电桥法测得不同频率下的 Rs 和 Cs,则可求得 Rr 和 Cd,用 1-5 式做求 Rr 时,要先求得 RL,这可在高频下获得,因为在高频下 f→,ω=2f→,因此双 电层容抗 1/ωCd 很小,由图 2 可见,电流几乎全部从电容通过,Rr 上几乎无电流,电路可简 化为 RL 与 Cd 的串联,此时测得的 Rs 就等于 RL。Cs 即等于 Cd,不再随频率变化。
交流阻抗之详解电解池等效电路和极化
1. 四个基本电极过程:

交流阻抗及解析ppt课件

交流阻抗及解析ppt课件
2 Rp Cd Z j 2 1 ( R p Cd ) 1 ( R p Cd ) 2
Rp
Z
Rp 1 ( R p Cd ) 2
2 Rp Cd Z 1 ( R p Cd ) 2
溶液电阻可以忽略时电化学极化的电化学阻抗谱
• Nyquist图
Nyquist图就是阻抗复平面图,就
L
Cd
L
d

* 特征频率 的倒数 * 称为复合元件的时间常数
* L d
1

1 RC (time constant),用 表示,即 特征频率可从图上求得,即所以等式的左边表 示高频端是一条水平线,右边表示低频端是一 条斜率为-1的直线,两直线的延长线的交点所对 应的频率就是(图6-9)。有了,就可以用式( 6-28)求得双电层电容Cd。
Z 中有:
溶液电阻可以忽略时电化学极化的电化学阻抗谱
2 2 3 2 2 Z Z Z Rp Z Z Rp Z Z 0
两边同时加 ( R p ) 2 得: 2
Z Rp Z (
2
Rp 2
2
) Z (
2 2
Rp 2
)2
• 在对不可逆电极过程进行测量时,要近似 地满足稳定性条件也往往是很困难的。这 种情况在使用频率域的方法进行阻抗测量 时尤为严重,因为用频率域的方法测量阻 抗的低频数据往往很费时间,有时可长达 几小时。这么长的时间中,电极系统的表 面状态就可能发生较大的变化 。
电化学阻抗谱表示方法
• Nyquist图:以 Z 为纵轴,以 Z 为横轴来表示复数 阻抗的图叫电化学阻抗的复平面图,在电化学中 常称为Nyquist图,也叫Sluyters图 。 • Bode图:以频率的对数 lg f 或 lg 为横坐标,分别 以电化学阻抗的模的对数 lg Z 和相位角 为纵坐 标。 • Admittance 图 导纳图 • Capacitance 图 电容图

31 电化学阻抗谱EIS基础、等效电路、拟合及案例分析

31 电化学阻抗谱EIS基础、等效电路、拟合及案例分析

ZC
=
1
j(Q)1
=
1
jC
ZQ
=
1
Y0 n
cos
n
2

j
1
Y0
n
sin
n
2
上面介绍的公式中的n实质上都是经验常数,缺乏确切的物 理意义,但可以把它们理解为在拟合真实体系的阻抗谱时对 电容所做的修正。
2.2.2 电荷传递和扩散过程混合控制的EIS
平板电极上的反应:
电极过程由电荷传递过程和扩散过程共同控制,电化学 极化和浓差极化同时存在时,则电化学系统的等效电路 可简单表示为:
高频区
低频区
9
1.3 EIS的特点 1. 由于采用小幅度的正弦电势信号对系统进行微扰,电
极上交替出现阳极和阴极过程,二者作用相反,因此, 即使扰动信号长时间作用于电极,也不会导致极化现 象的积累性发展和电极表面状态的积累性变化。因此 EIS法是一种“准稳态方法”。
2. 由于电势和电流间存在线性关系,测量过程中电极处 于准稳态,使得测量结果的数学处理简化。
Nyquist 图上为与纵轴(虚部)重合的一条直线
15
Z = Z ' + jZ ''
2.1.4 电组R和电容C串联的RC电路 串联电路的阻抗是各串联元件阻抗之和
Z
=
ZR
+
ZC
=
R−
j( 1 )
C
实部: Z ' = R
虚部: Z '' = −1/ C
RC复合元件频率响应谱的阻抗复平面图
RC复合元件的波特图
5
3. 稳定性条件(stability): 扰动不会引起系统内部结构 发生变化,当扰动停止后,系统能够回复到原先的状 态。可逆反应容易满足稳定性条件;不可逆电极过程, 只要电极表面的变化不是很快,当扰动幅度小,作用 时间短,扰动停止后,系统也能够恢复到离原先状态 不远的状态,可以近似的认为满足稳定性条件。

晶体振荡电路的交流等效电路

晶体振荡电路的交流等效电路

晶体振荡电路的交流等效电路
晶体振荡电路的交流等效电路通常包括以下几个元件:
1. 晶体元件:晶体元件是晶体振荡电路的核心部分,其作用是提供一个稳定的机械振动频率,使得电路能够产生稳定的振荡信号。

晶体元件通常是一个薄片状的石英晶体,其频率稳定性非常高。

2. 电容元件:电容元件用于滤波和稳定电路的输出信号。

在晶体振荡电路中,电容元件通常是一个低通滤波器,用于滤除电路中的高频噪声和直流分量,使得输出信号更加纯净和稳定。

3. 电阻元件:电阻元件用于限制电路的电流和电压,并提供电路的工作电压。

在晶体振荡电路中,电阻元件通常是一个电阻器,用于限制晶体振荡电路的工作电压和电流,并提供电路的工作电压。

4. 电源元件:电源元件用于为晶体振荡电路提供稳定的直流电源。

在晶体振荡电路中,电源元件通常是一个稳压电源,用于为晶体振荡电路提供稳定的直流电源,以保证电路的稳定工作。

以上四个元件是晶体振荡电路的交流等效电路中的基本组成部分。

在实际应用中,晶体振荡电路的交流等效电路还可能包括其他元件,如电感元件、变压器、保护电路等。

电化学阻抗原理资料

电化学阻抗原理资料
2. 与界面电容的介电损耗有关。 3. 由于电极表面的不均匀性导致电极表面各点的电
化学活化能可能不一样,因而表面上各点的电荷 传递电阻不会是一个值。
★ EIS的实际应用
㊣ PPy和PPy/SAS电极材料在0.5mol/L的
NaSO4电解液中,开路电位下的交流阻抗 图谱,频率范围是105~10-2HZ
※ 研究电极为理想极化电极时 电解池阻抗的等效电路
RL
Cd
1
Z
Z RL
ZCd
RL
j
2fC d
理想极化电极阻抗的复平面(Nyquist)图
Z''
0
RL
Z'
※ 溶液电阻很小,无扩散阻抗时电解池 阻抗的等效电路
Cd
Rp
Z
RP
j RP 2Cd
1 RPCd 2 1 RPCd 2
只有电化学极化电阻时的Nyquist图
- Z"/Ω
40 35 30 25 20 15 10
5 0
0
PPy/SAS
PPy
10
20
30
40
Zˊ/Ω
(a)
50
图谱解析:
所有的曲线均由半圆和斜线组成。其中高-中频 区的圆弧表征该电极与法拉第反应有关的电荷传递 阻抗。圆弧的直径越小表示电荷传递阻抗越低,显 而易见PPy/SAS的半圆较小,说明PPy/SAS电荷传 递阻抗较低。
№ 电化学阻抗的原理 № 电化学阻抗法涉及的基本概念解释 № EIS研究一个电化学系统的基本思路 № 电解池的等效电路 № EIS的实际应用 № 电化学阻抗法的特点 № 交流阻抗测量实验注意事项
★电化学阻抗的原理:
电化学阻抗谱(EIS) -— 给电化学系统施 加一个频率不同的小振幅的交流正弦电势 波,测量交流电势与电流信号的比值(系 统的阻抗)随正弦波频率的变化,或者是

第7章 电化学交流阻抗

第7章 电化学交流阻抗

第7章 电化学交流阻抗交流阻抗方法是一种暂态电化学技术,具有测量速度快,对研究对象表面状态干扰小的特点。

交流阻抗技术作为一种重要的电化学测试方法不仅在电化学研究[例如,电池、电镀、电解、腐蚀科学(金属的腐蚀行为和腐蚀机理、涂层防护机理、缓蚀剂、金属的阳极钝化和孔蚀行为,等等)]与测试领域应用,而且也在材料、电子、环境、生物等多个领域也获得了广泛的应用和发展。

传统EIS 反映的是电极上整个测试面积的平均信息,然而,很多时候需要对电极的局部进行测试,例如金属主要发生局部的劣化,运用EIS 方法并不能很清晰地反映金属腐蚀的发生发展过程,因此交流阻抗方法将向以下方向发展:(1) 测量电极微局部阻抗信息;(2) 交流阻抗测试仪器进一步提高微弱信号的检测能力和抗环境干扰能力;(3) 计算机控制测量仪器和数据处理的能力进一步增强,简化阻抗测量操作程序,提高实验效率。

7.1 阻抗之电工学基础 (1) 正弦量设正弦交流电流为:i(t)=I m sin(ωt +φ) (图7-1)。

其中,I m 为幅值;ωt +φ为相位角,初相角为φ;角频率ω:每秒内变化的弧度数,单位为弧度/秒(rad/s)或1/s 。

周期T 表示正弦量变化一周所需的时间,单位为秒(s);频率f :每秒内的变化次数,单位为赫兹(Hz);周期T 和频率互成倒数,即Tf1=,πf Tπω22==。

正弦量可用相量来表示。

相量用上面带点的大写字母表示,正弦量的有效值用复数的模表示,正弦量的初相用复数的幅角来表示。

表示为:i t j I Iei I ϕϕω∠==+•)(.,正弦量与相量一一对应。

一个正弦量的瞬时值可以用一个旋转的有向线段在纵轴上的投影值来表示(图7-2)。

图7-2 正弦量的旋转矢量表示()m sin u U t ωϕ=+ϕϕmU tωω+1+j初始矢量tj j m e e U ωϕ旋转因子图7-1 正弦量的波形三要素:振幅、频率、初相位矢量长度=振幅;矢量与横轴夹角=初相位;矢量以角速度ω按逆时针方向旋转(2) 阻抗和导纳的定义对于一个含线性电阻、电感和电容等元件,但不含有独立源的一端口网络N ,当它在角频率为ω的正弦电压(或正弦电流)激励下处于稳定状态时,端口的电流(或电压)将是同频率的正弦量。

阻抗谱等效电路cpe单位sn

阻抗谱等效电路cpe单位sn

阻抗谱等效电路cpe单位sn
阻抗谱是一种用来描述电化学系统行为的工具,它在电化学和材料科学领域有着广泛的应用。

阻抗谱可以通过测量电化学系统对交流电压的响应来获得,通常以频率为变量。

等效电路是指用电路元件来模拟复杂系统的电学特性,以便更好地理解和分析系统的行为。

CPE代表复数常数元件(Constant Phase Element),它是一种用来描述非理想电容或非理想电化学界面的电学元件。

在阻抗谱中,CPE通常用来模拟非理想的电化学界面或材料特性。

在阻抗谱中,CPE的单位通常以s^n的形式表示,其中s是频率的复数表示,n是CPE的指数。

指数n通常是介于0和1之间的实数,它描述了CPE元件的非理想特性。

当n=1时,CPE退化为理想电容;当n=0时,CPE退化为电阻;而在0和1之间的取值则表示了介于电容和电阻之间的非理想特性。

从电化学角度来看,阻抗谱中的CPE单位s^n反映了电化学界面的非理想特性,例如电极表面的粗糙度、孔隙结构或者电荷转移过程的非均匀性。

这些非理想特性对于电化学反应的动力学过程有着重要的影响,因此通过阻抗谱和CPE模型可以更好地理解和描述电化学界面的特性。

此外,从材料科学的角度来看,阻抗谱中CPE单位s^n的表达
形式也可以用来描述复杂材料的电学特性。

例如,对于具有孔隙结
构或非均匀性分布的材料,CPE模型可以更准确地描述其电学响应,从而帮助研究人员更好地理解材料的性能和行为。

总的来说,阻抗谱中CPE单位s^n的表达形式是一种重要的工具,它可以从电化学和材料科学的角度帮助我们更好地理解复杂系
统的电学特性,从而推动相关领域的研究和应用。

电化学3-交流阻抗

电化学3-交流阻抗
方程推导,但不是每个方程都有解。 急需一种简便直观的方法;电子元器件网络来模拟。 将等效电路和物理参数联系起来。随便画画是不行的。
从参与反应的物质的迁移过程
阻抗谱随电池荷电状态变化
Voltage(V)
z" (ohm)
4
3
2
1
0
0
500
1000
1500
2000
2500
Capacity(mA h)
锂离子电池间歇放电曲线

2

Rc2t 4

Rc2t 4Cdlb
Rct , Rct 2 2Cdlb
Rct
利用等效电路解释阻抗谱的优缺点: 优点:直观,我们可以利用一个电阻来表示参比电极与工作电极间的 电阻,利用一个电容来表示电极/电解质界面的双电层电容,用一电阻 表示反应电阻,同时我们又提出一个表示扩散过程的Zw,这样我们可以 用一个等电路来表示电极反应过程; 缺点:等效电路与电极反应间不存在一一对应的关系。同一阻抗谱图 可以用不同的等电路来描述。
Z

dC
~
~i

nidF
dC
DdCC(x, / nF Dsx,
t) s x
j0ω
i
C ( x, t )
Z
(
jω)


d nF


D1
x 0.5

j
D0.5A'
(
s)
s/D
dC nF 2D C(0,t) i
1 Z C PE

b

jCdl
Z C PE


b

1
jCdl

电化学阻抗谱EIS基础、等效电路、拟合及案例分析全文编辑修改

电化学阻抗谱EIS基础、等效电路、拟合及案例分析全文编辑修改
分析电极过程动力学、双电层和扩散等,研究电极材料、固体电解质、导电高分子以及腐蚀防护机理等。
*
log|Z|
/ deg
Bode plot
Nyquist plot
高频区
低频区
EIS技术就是测定不同频率(f)的扰动信号X和响应信号 Y 的比值,得到不同频率下阻抗的实部Z‘、虚部Z’‘、模值|Z|和相位角,然后将这些量绘制成各种形式的曲线,就得到EIS抗谱。
*
Nyquist 图上为圆心为 (R/2,0), 半径为R/2半的半圆
浚俳楝爪牍堙甾眙倥缇噤臌傈髋幺涩鼎咆谑盎腐癍啬
2.1.6 电组R和电感L串联的RL电路
忮魂产柯枫呆鸟蹂锃舌尔夹丽澍遛翟土粕余阔
2.1.7 电组R和电感L并联的RL电路
结论: 串联组成的复合元件,其频率响应在阻抗复平面上表现为一条与虚轴平行的直线; 并联组成的复合元件,其频率响应在阻抗复平面上表现为一个半圆。
(2)高频极限。当足够高时,含-1/2项可忽略,于是:
电荷传递过程为控制步骤时等效电路的阻抗
Nyquist 图为半圆
犀二冰毁窍峙秫塾螺土燃襟比介经班迕痛攻碡骅甯稚樯泫及阀簿畴嚷抛晴休垡勇苫溺蒎映扒婿忽诺醵蟀貊辰卤
*
电极过程由电荷传递和扩散过程共同控制时,其Nyquist图是由高频区的一个半圆和低频区的一条45度的直线构成。
*
电化学阻抗谱
绌鸩钊鹿葡秧册瞑娓赶杭判氕明倔梳吓拐涂阴幻趔篙芮俄銮限猞挝趴柚栅囵胳旎驳楚纫铙菝碣便穸故等效电路
2
案例分析
4
EIS的拟合
3
*
1 电化学阻抗谱导论
1.1 电化学系统的交流阻抗的含义
给黑箱(电化学系统M)输入一个扰动函数X,它就会输出一个响应信号Y。用来描述扰动与响应之间关系的函数,称为传输函数G()。若系统的内部结构是线性的稳定结构,则输出信号就是扰动信号的线性函数。

交流阻抗分析全解

交流阻抗分析全解

交流阻抗测试分析介绍
电化学系统的交流阻抗的含义 G() X M Y
给黑箱(电化学系统M)输入一个扰动函数X,它就会 输出一个响应信号Y。用来描述扰动与响应之间关系的函数, 称为传输函数G()。若系统的内部结构是线性的稳定结构, 则输出信号就是扰动信号的线性函数。
Y=G()X
交流阻抗测试分析介绍
电阻R与电容C并联组成电路的交流阻抗 C
p
电路图:
Rp
阻抗倒数:
1 jwR pC p 1 1 jwC p Z R Rp
Z
Rp 1 jwR p C p

Rp 1 ( wR p C p )
2
j
wR p C p 1 ( wR p C p ) 2
2
电路阻抗:
Bode图
[2]Journal of Power Sources 236 (2013) 33 e38
[2]
极化程度越大,阻抗越大;极化程度越小,阻抗越小
利用EIS求扩散系数
利用EIS求扩散系数
另一种计算扩散系数的方法
2
RT D 0.5 AF 2 C w R — 气体常数 8.314472/( J/K mol) T — 绝对温度 A — 电极表面积 F — 法拉第常数— 96485.3383 ±0.0083C/mo l C — 锂离子体积摩尔浓度
s CE
B C D F
+ + + + +
-
RE
G E
WE
+ + + + +
-
电极过程示意图
电极系统的交流阻抗 为了测量研究电极的双电层电容和Faraday阻抗,可创造条件

【详解各元器件等效电路】电阻、电容、电感、二极管、MOS管!

【详解各元器件等效电路】电阻、电容、电感、二极管、MOS管!

【详解各元器件等效电路】电阻、电容、电感、二极管、MOS管!2017-08-30EDN电子技术设计电阻电阻等效电路图1 电阻等效电路电阻的等效阻抗同一个电阻元件在通以直流和交流电时测得的电阻值是不相同的。

在高频交流下,须考虑电阻元件的引线电感L0和分布电容C0的影响,其等效电路如图1所示,图中R为理想电阻。

由图可知此元件在频率f下的等效阻抗为式 1上式中ω=2πf, R e和X e分别为等效电阻分量和电抗分量,且式 2从上式可知R e除与f有关外,还与L0、C0有关。

这表明当L0、C0不可忽略时,在交流下测此电阻元件的电阻值,得到的将是R e而非R值电感电感等效电路图2 电感等效电路电感的等效阻抗电感元件除电感L外,也总是有损耗电阻R L和分布电容C L。

一般情况下R L和C L的影响很小。

电感元件接于直流并达到稳态时,可视为电阻;若接于低频交流电路则可视为理想电感L和损耗电阻R L的串联;在高频时其等效电路如图2所示。

比较图1和图 2可知二者实际上是相同的,电感元件的高频等效阻抗可参照式 1来确定式 3式中 R e和L e分别为电感元件的等效电阻和等效电感。

从上式知当C L甚小时或R L、C L和ω都不大时,L e才会等于L或接近等于L。

电容电容等效电路图3 电容等效电路电容的等效阻抗在交流下电容元件总有一定介质损耗,此外其引线也有一定电阻R n和分布电感L n,因此电容元件等效电路如图 3所示。

图中C是元件的固有电容,R c是介质损耗的等效电阻。

等效阻抗为式 4式中 R e和C e分别为电容元件的等效电阻和等效电容, 由于一般介质损耗甚小可忽略(即R c→∞),C e可表示为式 5从上述讨论中可以看出,在交流下测量R、L、C,实际所测的都是等效值R e、L e、C e;由于电阻、电容和电感的实际阻抗随环境以及工作频率的变化而变,因此,在阻抗测量中应尽量按实际工作条件(尤其是工作频率)进行,否则,测得的结果将会有很大的误差,甚至是错误的结果。

交流阻抗

交流阻抗

交流阻抗一、 电解池等效电路1.四个基本电极过程:电化学反应、反应物和产物扩散,溶液中离子迁移,电极界面双层的充放电。

2.电化学极化交流阻抗如果电极过程由电化学步骤控制,则通过交流电时不会出现反应粒子的浓度极化,此时法拉第阻抗只包括电阻项,采用大面积电极时,电解池等效电路可表示为:图二、只有电化学极化的电解池等效电路即电解池的法拉第阻抗Z f 就等于反应电阻Rr ,在电学知识中1)纯电阻R 的阻抗为R ,纯电容C 的阻抗为1/j ωc= -j/ωc,纯电感L 的阻抗为j ωL;式中j 为(-1)1/2,ω为正弦波角频率ω=2 f ,f 为正弦波频率 2)阻抗用Z 表示,阻抗的倒数称导纳,用Y 表示,即Y=1/Z ,因此纯电阻导纳Y=1/R ,纯电容导纳为Y=j ωC,纯电感导纳为Y=1/j ωL.3)电阻电容电感等元件串联组合时,总阻抗为各元件阻抗的复数和,各元件并联组合时,总的导纳为各元件导纳的复数和。

因此图2的总阻抗为:Z=R L + =R L + =R L += R L + — (1-1) 1 1/Rr+j ωCd Rr 1+ j ωCdRr Rr (1- j ωCdRr)1+ ω2Cd 2Rr 2 Rr1+ ω2Cd 2Rr 2j ωCdRr 2 1+ ω2Cd 2Rr 2如测量中溶液电阻不能补偿,则总电路图可用一模拟电路(电解池可用一串联电路模拟)图3.电解池串联模拟电路由(3)可知其阻抗Z ’=R S +Cs j ω1= R S -Csjω (1-2)Rs=R将1在1即再将以Cs 对ω1做图亦可得一直线如图52截距为Cd ,斜率为CdRr 1Cd=截距 (1—9) Rr =斜率⨯Cd 1=( ) (1—10)因此只要用各种方法如交流电桥法测得不同频率下的Rs 和Cs ,则可求得Rr 和Cd ,用1-5式做求Rr 时,要先求得R L ,这可在高频下获得,因为在高频下f →∞,ω=2πf →∞,因此双电层容抗1/ωCd 很小,由图2可见,电流几乎全部从电容通过,Rr 上几乎无电流,电路可简化为R L 与Cd 的串联,此时测得的Rs 就等于R L 。

交流阻抗等效电路

交流阻抗等效电路

交流阻抗等效电路同学们,今天咱们一起来认识一下交流阻抗等效电路这个有点复杂但很有趣的东西。

咱们先来说说啥是交流阻抗。

简单来讲,交流阻抗就是在交流电作用下,一个电路或者一个器件对电流的阻碍作用。

那为啥要用等效电路来表示它呢?这是因为实际的电路或者器件往往很复杂,直接分析起来很困难,但是我们可以用一些简单的、熟悉的电路元件组合成一个等效电路,来近似地表示它的特性。

交流阻抗等效电路通常由电阻、电容和电感这些基本元件组成。

比如说,一个电阻就像是一条狭窄的道路,电流通过时会有阻力;电容呢,就像一个能储存电荷的“小水库”,电流的变化会影响它的充电和放电;电感则像是一个有惯性的“电流滑块”,电流变化时会产生反抗。

那这些元件怎么组合成等效电路呢?这得根据具体的情况来。

比如说,对于一个简单的电解池,它的交流阻抗等效电路可能就是一个电阻和一个电容串联。

电阻表示电解过程中的电荷转移阻力,电容则表示电极和溶液界面的双电层电容。

再比如,对于一个金属材料,它的等效电路可能就更复杂一些,可能会有多个电阻、电容和电感的组合。

给大家举个例子,假设我们要研究一个电池的性能,通过测量它的交流阻抗,然后构建等效电路。

如果等效电路中电阻很大,那就说明电池内部的电阻大,可能是电极材料不好或者电解液的导电性差,这就会影响电池的输出功率和充电速度。

在分析交流阻抗等效电路的时候,我们会用到一些专门的方法和工具。

比如通过绘制波特图或者奈奎斯特图,来直观地看出电路的特性。

而且,交流阻抗等效电路不仅仅在电学领域有用,在化学、材料科学等很多领域都有重要的应用。

比如说研究腐蚀防护、电池性能优化、传感器设计等等。

交流阻抗等效电路虽然有点抽象,但它是帮助我们理解和研究各种电路和器件特性的有力工具。

只要我们认真学习,就能掌握它的奥秘。

同学们,现在大家对交流阻抗等效电路是不是有了初步的了解呢?。

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Zahner EIS等效电路元件
交流阻抗技术(EIS)已经成为现代电化学技术中重要的研究方法。

交流阻抗谱包含了非常丰富的信息,可以准确的表征扩散过程,电容特性等。

在对交流阻抗谱进行分析时,需要建立正确的模型,通过对模型的分析可以拟合出各种条件下电化学过程的行为,从而为产品的研发提供可靠的数据。

这些模型是由等效电路构成,而等效电路是由常用的无源的电学元件(电阻,电容,电感)和分布式的电化学元件(常相位角,Warburg等)通过串联和并联的方式构成,这些元件具有科学上的意义,由它们组成的等效电路就成为分析EIS谱图的理论基础。

下面的表格中罗列了三种常见的无源电学元件:电阻,电感,电容的阻抗表达公式以及在Bode图中阻抗模量和相位的特征曲线及在Nyquist图中实部和虚部的呈现形式。

表中最后加入了电化学元件- Warburg 半无限扩散,作为重要的电化学元件的一个例子。

除上面常用的常用元件外,Zahner EIS等效电路的其他电化学元件罗列如下,并加以简单介绍,这样方便大家在建立模型和进行分析时参考!
有限薄层扩散是指滞流层厚度为有限值,在等效电路中有两个参数:W 和K,W 和半无限Warburg 阻抗一样,单位为ΩS -1/2
,K 表征的是相对于滞流层厚度的扩散,单位是S -1。

d N
=滞流层厚度
, D k = 扩散常数
有限厚度阻挡层扩散阻抗(也称为Warburg-T 元件),在EIS 等效电路中有两个参数:W 和K,W 和半无限Warburg 阻抗一样,单位为ΩS
-1/2
,K 表征的是相对于阻挡层距离的扩散,单位是S -1。

ds =阻挡层厚度, Dk = 扩散常数
Nernst impedance Nernst 有限厚度薄层扩散阻抗
Nyquist 图的高频部分(左侧)表现出和无限扩散的Warburg 一样的特性,是一条斜线。

低频部分(右侧)表现出RC 的半圆弧特性。

Finite Diffusion 有限厚度阻挡层扩散阻抗 Nyquist 图的高频部分(左侧)表现出和无限扩散的Warburg 一样的特性,是一条斜线。

低频部分(右侧)表现出电容的特性。

CPE常相位角元件和电容的特性十分相似,但是由于弥散效应和电容不尽相同,相位角通常小于90o。

等效电路中CPE元件有两个参数:V为电双层电容,单位为F;α为指数,无单位 (|α|≤1)。

当α=1时,CPE表现为电容元件 当α=0时,CPE表现为电阻元件 当α=-1时,CPE表现为电感元件
均相化学反应阻抗意义在于溶液中的均相反应,均相反应产生或消耗的化学活性物质产生的扩散过程。


里有两个参数: W 类似Warburg 阻抗,单位为ΩS -1/2
,K 表征的是相对于因化学反应导致浓度变化而产
生的扩散,单位是S -1。

Constant Phase Element CPE 常相位角元件
Homogenous Reaction Impedance 均相化学反应阻抗
Gerischer Impedance ω0用于归一化计算,通常设置为1000Hz。

球形扩散描述的是从中心点向周边扩散。

有两个参数:第一个参数为W,单位为ΩS -1/2
,类似于Warburg
阻抗。

第二个参数k 表征的是相对于球半径的扩散,单位是S -1。

D k = 扩散常数,r=球半径
Young’s Surface Layer Impedance Young 表层扩散阻抗
Young 表层阻抗描述一个金属表面氧化层,离子从一侧渗透时,电导呈指数衰减。

某些情况下,它可以替代CPE 元件。

此元件有三个特征参数: P 是无量纲的,代表电介质内离子相对穿透深度和氧化层厚度比。

τ是虚拟RC 元件的时间常数,其容量和电阻分别为电导率最高时的值,单位为s。

C 是氧化层总电容。

可以在高频观察到,单位为F。

Spherical Diffusion 球形半无限扩散。

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