瓷片电容的选型方法
电容的筛选
电容的筛选电容是电子电路中的一种基本元器件，广泛应用于电源滤波、信号耦合、波形整形、振荡电路、计算机存储等领域中。
在实际电路中，如何正确选取电容是非常关键的，这不仅关系到电路性能的稳定性和可靠性，也会对电路的工作效率和功耗产生影响。
因此，对于电容的筛选需要慎重考虑。
本文将从电容的类型、特性、应用以及选型等角度，对电容的筛选方法作出详细阐述。
一、电容的类型和特性电容一般有两种类型，一种是固定电容，另一种是可调电容，其中固定电容又可分为有极性电容和无极性电容。
1.有极性电容有极性电容通常用于直流电源滤波电路中，其特性是具有极性，需要根据其正负极性正确接入电路。
有极性电容的种类包括铝电解电容、钽电解电容等。
2.无极性电容无极性电容通常应用于交流或波形信号的耦合、滤波、振荡电路中，其特点是无极性，可以随意接入电路中。
无极性电容的种类包括电介质电容、陶瓷电容、钽氧化物电容等。
电容的主要特性包括电容值、电压容量、精度、漏电流等。
电容值是电容器的主要特征之一,指的是电容器带电时存储的电荷与两端电压之比，用法拉德(F)表示，常见的容值有0.1μF、1μF、10μF、100μF等。
电压容量指的是电容器能够承受的最大电压，一般可以按照使用条件选取适合的电压容量值。
精度指电容值与标称值之间的误差范围，常见的精度等级有±1%、±5%、±10%等。
漏电流指的是电容器克服最大电压时的漏电流，应该根据电路的要求选择合适的漏电流参数。
二、电容的应用电容是电子技术中最常用的元器件之一，在各种电路应用中起到了非常重要的作用。
1. 电源滤波电路电源滤波电路是将变换后的交流电源，转换为为稳定的直流电源提供的重要电路。
该电路主要由滤波电容、整流桥（或二极管）、电感等元件构成，电容通过滤波作用，滤除交流波形的高斯峰，使得输出直流电源更加稳定、平滑。
2.振荡电路振荡电路是一种特殊的电路，是通过某种界面构成带有自身交流反馈的放大电路，使其在一定频率范围内产生稳定的频率振荡。
电容选用资料(2)瓷介电容器(公布)
三、瓷介电容器（一）概述1、电容器用陶瓷的分类方法：适合做电容器的陶瓷很多，为了生产和使用上的规范，将电容器用陶瓷材料按照其性能特点进行分类，分类的主要依据是介电常数ε、损耗角正切tgδ、频率特性、温度特性、电压特性等综合考虑，我国已有完整的电容器用陶瓷材料分类标准，将电容器瓷分成三类（1、2、3类），由此也将陶瓷电容器分成1、2、3类瓷介电容器。
通常将1类瓷称做高频瓷（顺电体陶瓷），2类瓷称为低频瓷（铁电体陶瓷），3类瓷称为半导体瓷。
2、电容器瓷的介电常数并非一个恒定值，是一个与温度有关的电参数，为了描述介电常数这种温度特性，对1类瓷用温度系数TC(也用α表示，单位10-6/℃)来表达，对2、3类瓷用介电常数ε随温度的变化率△ε/ε（%）来表达。
温度特性是各类陶瓷电容器瓷分组的主要依据。
3、陶瓷电容可以有引线，也可以无引线（比如MLCC：贴片陶瓷电容）；其包封材料可以是酚醛树脂（液体涂封）、环氧树脂（粉末涂装，兰色、红色、绿色各种颜色）、釉膜涂装（烧结涂装）。
4、相关词语解释：1）结构类似元件：用相同的工艺和材料制造的电容器，即使它们的外形尺寸和数值可能不同，也可以认为是结构类似的电容器。
2）初始制造阶段：单层电容器的初始制造阶段是形成电极的介质金属化（即被银瓷片生产）。
多层电容器的初始制造阶段是介质-电极叠压后的第一次共同烧结。
3）1类瓷介固定电容器：专门设计并用在低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器。
例如，在电路中做温度补偿之用。
该类陶瓷介质是以标称温度系数来确定的。
4）2类瓷介固定电容器：适用于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来确定的。
5）3类瓷介固定电容器：是一种具有半导体特征的瓷介电容器。
该类电容器适于作旁路、耦合之用。
该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来确定的。
22pf 瓷片电容
22pf 瓷片电容22pf瓷片电容是一种常见的电子元件，广泛应用于电路中。
它的主要特点是容量小、尺寸小、稳定性好，适用于高频电路和精密电子设备。
下面将从定义、特点、应用、选型以及常见问题等方面来介绍22pf瓷片电容。
一、定义22pf瓷片电容是一种电容器，它由两个导体之间的绝缘材料（瓷片）隔开，用于存储和释放电荷。
其容量为22皮法拉（pf），即22乘以10的负十五次方法拉。
二、特点1. 小尺寸：22pf瓷片电容的尺寸较小，适用于空间有限的电路设计。
2. 高稳定性：瓷片电容的稳定性较好，不易受温度、湿度等环境因素影响。
3. 低损耗：22pf瓷片电容具有较低的介质损耗，能够有效减少电能转化为热能的损耗。
4. 高频特性好：瓷片电容在高频电路中具有较好的性能，能够满足高频信号的传输要求。
三、应用22pf瓷片电容广泛应用于各种电子设备和电路中，主要包括以下几个方面：1. 滤波器：瓷片电容可用作滤波器中的耦合电容，用于滤除电路中的高频噪声。
2. 调谐电路：瓷片电容可用于调谐电路中，帮助调节电路的频率。
3. 振荡电路：瓷片电容常用于振荡电路中，帮助产生稳定的振荡信号。
4. 耦合电容：瓷片电容可用作电路中的耦合电容，实现信号的传输和耦合。
5. 电源稳压：瓷片电容可用于电源稳压电路中，提供稳定的电压输出。
四、选型在选择22pf瓷片电容时，需要考虑以下几个因素：1. 频率要求：根据电路的频率要求选择合适的瓷片电容，以保证电路的正常工作。
2. 容量稳定性：考虑瓷片电容的容量稳定性，选择具有稳定性好的产品。
3. 尺寸要求：根据电路的尺寸要求选择适当的瓷片电容，以确保能够装入电路板中。
五、常见问题1. 瓷片电容损坏：在使用过程中，瓷片电容可能会损坏，导致电路无法正常工作。
此时需要及时更换损坏的电容。
2. 容量偏差：由于制造工艺和环境因素等影响，瓷片电容的容量可能存在一定的偏差。
在实际应用中，需要根据容量偏差进行补偿或者选择容量更为稳定的电容。
如何选择适合的电容器
如何选择适合的电容器电容器在电子电路中扮演着重要的角色，用于存储和释放电荷，调节电路的电压和电流。
选择适合的电容器对于电子电路的性能和稳定性至关重要。
本文将介绍一些选择适合的电容器的关键因素和方法。
一、电容器的类型1. 固定电容器：是最常见的电容器类型，具有固定的电容值，不能调节。
常见的有陶瓷电容器、电解电容器等。
2. 可变电容器：具有可调节电容值的特性，可以通过旋钮或其他手段实现。
如可变电容器、变压电容器等。
根据电容器类型的不同，选择适合的电容器需根据具体应用的要求和电路设计的需要进行选择。
二、电容器的电容值电容值是选择电容器的关键因素之一。
电容值的单位通常为法拉(F)，但在实际应用中常使用其他单位，例如微法(F)、皮法(F)等。
1. 确定所需电容值：在选择电容器之前，需明确所需的电容值。
可以通过电路设计要求、待测量或参考已有电路的电容值来确定。
2. 选择合适的电容器类型和规格：根据确定的电容值，选择最接近或稍大于所需电容值的电容器。
若所需电容值不标准，则需要进行适当调整。
三、电容器的电压等级电容器的电压等级是选择电容器时需要考虑的另一个重要因素。
电容器的电压等级应大于或等于电路中的最高电压值，以确保电容器的稳定性和可靠性。
在选择电容器时，需查看电容器的规格参数，确认其电压等级是否满足电路要求。
如果电压等级过低，可能会导致电容器损坏或性能下降。
四、电容器的封装类型电容器的封装类型直接影响其适用范围和安装方式。
常见的封装类型有贴片式、脚孔式和插座式等。
1. 贴片式电容器：适用于小型电子设备和高密度电路板，易于大规模生产和自动化装配。
2. 脚孔式电容器：适用于传统的电子设备和原型设计，需要通过焊接或插拔的方式安装。
3. 插座式电容器：适用于需要经常更换电容器的场合，能够方便地插拔和更换电容器。
五、电容器的温度特性电容器的性能随温度的变化而变化，因此温度特性是选择电容器时需要考虑的因素之一。
电容器的温度特性通常通过温度系数来表示。
陶瓷电容器的特性及选用
陶瓷电容器的特性及选用陶瓷电容器是目前电子设备中使用最广泛的一种电容器，占整个电容器使用数量的50%左右，但由于许多人对其特性了解不足导致在使用上缺乏应有的重视。
为达到部品使用的规范化和标准化要求，下面对陶瓷电容器的特性及我司使用中需要注意的事项做一概况说明：一、陶瓷电容器特性分类：陶瓷电容器具有耐热性能好，绝缘性能优良，结构简单，价格低廉等优点，但不同陶瓷材料其特性有非常大的差异，必须根据使用要求正确选用。
陶瓷电容按频率特性分有高频瓷介电容器（1类瓷）和低频瓷介电容器（2类瓷）；按耐压区分有高压瓷介电容器（1KV DC以上）和低压瓷介电容器（500V DC以下），现分述如下：1．高频瓷介电容器（亦称1类瓷介电容器）该类瓷介电容器的损耗在很宽的范围内随频率的变化很小，并且高频损耗值很小,（tanδ≤0.15%，f=1MHz），最高使用频率可达1000MHz以上。
同时该类瓷介电容器温度特性优良，适用于高频谐振、滤波和温度补偿等对容量和稳定度要求较高的电路。
其国标型号为CC1（低压）和CC81（高压），目前我司常用的温度特性组别有CH（NP0）和SL 组，其常规容量范围对应如下：表中温度系数αC =1/C（C2-C1/t2-t1）X106（PPM/°C），是指在允许温度范围内，温度每变化1°C，电容量的相对变化率。
由上表看出，1类瓷介电容器的温度系数很小，尤其是CH特性，因此也常把1类瓷介电容器中CH电容称为温度补偿电容器。
但由于该类陶瓷材料的介电常数较小，因此其容量值难以做高。
因此当需要更高容量值的电容时，则只能在下面介绍的2类瓷介电容中寻找。
2、低频瓷介电容器（亦称2类瓷介电容器）该类瓷介电容的陶瓷材料介电常数较大，因而制成的电容器体积小，容量范围宽，但频率特性和温度特性较差，因此只适合于对容量、损耗和温度特性要求不高的低频电路做旁路、耦合、滤波等电路使用。
国标型号为CT1（低压）和CT81（高压），其常用温度特性组别和常规容量范围对应如下：中2R组为低损耗电容，由于其自身温升小，频率特性较好，因而可以用于频率较高的场合。
MLCC贴片电容如何进行选型
到的电容封装，只能统一用一种制式来表示，不 能这个工程师用英制那个工程师用公制。否则会 搞混乱。极端的情况下，还会弄错。比如说，英 制的有 0603 的封装，公制的也有 0603 的封装，
0c83f7e 高压贴片电容
但是两者实际上是完全不同的尺寸的。英制的 0603 封装对应公制的是 1608，而公制的 0603 封 装对应英制的却是 0201！其实英制封装的数字大 约乘以 2.5（前 2 位后 2 位分开乘）就成为了公
种错误，比如选了一个 0603/X7R/470pF/16V 的 电容，而事实上一般厂家 0603/X7R/470pF 的电 容只生产 50V 及其以上的电压而不生产 16V 之类 的电压了。
0c83f7e 高压贴片电容
另外注意片状电容的封装有两种表示方法， 一种是英制表示法，一种是公制表示法。美国的 厂家用英制的，日本厂家基本上都用公制的，而 国产的厂家有用英制的也有用公制的。一个所用
样的错误。另外，对于入门不久的设计工程师， 对元件规格的数序（E12、E24 等）没概念，会给 出 0.5uF 之类的不存在的规格出来。即使是有经 验的工程师，对于规格的压缩也没概念。比如说，
0c83f7e 高压贴片电容
在滤波电路上，原来有人用到了 3.3uF 的电容， 他的电路也能用 3.3uF 的电容，但他有可能偏偏 选了一个没人用过的 4.7uF 或 2.2uF 的电容规 格。不看厂家选型手册选型的人，还会犯下面这
用于更高频率，比如微波，那么，就必须用专门 的微波材料和工艺制造的 MLCC。微波电容要求 ESL、ESR 必须更小。
MLCC 一直在小型化的方向进展。现在 0402
0c83f7e 高压贴片电容
的封装已经是主流产品子产品都 是那么在意和欢迎小型化 MLCC 的。在意小型化 的电子产品，比如手机、数码产品等等，这些产
MLCC贴片电容如何选型
MLCC贴片电容如何选型MLCC贴片电容(片状多层陶瓷电容)如今现已成为了电子电路最常用的元件之一。
MLCC外表看来，十分简略，可是，许多情况下，描绘工程师对MLCC贴片电容的知道却有缺乏的当地。
以下谈谈MLCC挑选上的一些难题和注重事项。
MLCC贴片电容尽管是比较简略的，可是，也是失功率相对较高的一种器材。
失功率高，一方面是MLCC 布局固有的牢靠性难题，别的还有选型难题以及运用难题。
因为电容算是“简略”的器材，所以有的描绘工程师因为不行注重，从而对MLCC的独有特性不知道。
在理想化的情况下，电容选型时，首要思考容量及耐压两个参数就够了。
可是关于MLCC，只是思考这两个参数是远远不行的。
运用MLCC，不能不知道MLCC贴片电容的不一样原料和这些原料对应的功能。
MLCC的原料有许多种，每种原料都有本身的共同功能特色。
不知道这些，所选用的电容就很有能够满意不了电路需求。
举例来说，MLCC常见的有C0G(也称NP0)原料，X7R原料，Y5V原料。
C0G的作业温度规模和温度系数最棒，在-55°C 至+125°C的作业温度规模内时温度系数为0 ±30ppm/°C。
X7R次之，在-55°C至+125°C的作业温度规模内时容量改变为±15%。
Y5V的作业温度仅为-30°C至+85°C，在这个作业温度规模内时其容量改变可达-22%至+82%。
当然，C0G、X7R、Y5V的本钱也是顺次减低的。
在选型时，若是对作业温度和温度系数需求很低，能够思考用Y5V的，可是通常情况下要用X7R的，需求更高时有必要挑选COG的。
通常情况下，MLCC 厂家都描绘成使X7R、Y5V原料的电容在常温邻近的容量最大，可是跟着温度上升或降低，其容量都会降低。
只是知道上面常识的还不行。
因为C0G、X7R、Y5V的介质的介电常数是顺次削减的，所以，相同的尺度和耐压下，能够做出来的最大容量也是顺次削减的。
瓷片电容规格
一,功能特性:外形体积小;相对其它材质更显轻便可靠;适合在普通高频环境工作;容量温度变化率极小;能在较高或较低温度下应用;二,常用参数:介电常数:600耐电压测试:用2倍额定工作电压作耐压测试无异常;雷电冲击测试:80KV正反极雷击冲击无异常;局部放电: 倍额定电压下测试局部放电小于5PC;温度变化:在-20℃到+45℃温度区间,容量变化率小于1%;三,推荐应用领域:1.X光机CT机;2.安检与无损检测设备;3.雷达;4.物质探测;5.倍压分压电路;6.耦合滤波电容;7.传感器点火器;8.高铁动车;四. 外观尺寸图示:五,常用型号选型表:若有选型表上未列产品需求,可以联系我们定做.此表仅供参考,尺寸以实物为准!六,物料编码释义:GRZ 30KV 502K物料编码额定工作电压耐压测试 保压2分钟 建议工作频率(以内) 标称 容量PF 直径D(mm) 厚度T(mm) 脚距F(mm) 引线d(mm) GRZ30KV222K 30KVDC 50KVDC 100KHZ 2200 32 5 25 1 GRZ30KV332K 30KVDC 50KVDC 100KHZ 3300 38 5 30 1 GRZ30KV502K 30KVDC 50KVDC 100KHZ 5000 47 5 35 1 GRZ40KV102K 40KVDC 60KVDC 100KHZ 1000 26 6 25 1 GRZ40KV222K 40KVDC 60KVDC 100KHZ 2200 36 6 35 1 GRZ40KV332K 40KVDC 60KVDC 100KHZ 3300 46 6 35 1 GRZ40KV502K40KVDC60KVDC100KHZ5000567351七,关于GRZ SERIAES 陶瓷电容器:1. GRZ 系列的高频陶瓷电容器使用美志公司最高端的FREQUENCY-CERAMIC 介质陶瓷材料烧制而成,是专为高频电子电器设备研发设计的新型陶瓷专利材料;2. GRZ 介电陶瓷具有温度变化率极小的特点,在-25℃到+85℃温度区间,容量变化率小于3%;3. GRZ 介电陶瓷内部结构近似于百分百致密.因此局部放电极小,击穿强度极高,耐受高频高压能力极强,经过多个医疗安防客户应用,验证了其超长的寿命;4.偏压特性图示:MZC :A M A Z ING C OPPER-WIRE SERIES HIGH F REQUENCY C ERAMIC CAPACITORDIAMETER: XX(mm) RATED VOLTAGE : (XX X KV DC )RANGLE CAPACITANCE:50=50PF 501=500PF; 502=5000PF; 503=50000PFJ=±5%;CERAMIC DIELECTRIC: FC SERIES F REQUENCY-C ERAMIC SERIES5.温度特性图示:八,使用注意事项:1.请小心搬动,切勿令电容器高处跌落,以免造成电容器内部瓷芯受到损伤;2. 请于干燥清洁的室内密封保存,不要与其它化学品一起保存,以免受到腐蚀;3. 焊接时时间不能过长,防止导线过度氧化变脆从而易发生断脚现像;4. 此系列高压陶瓷电容器适合在以下环境中应用: 变压器油,环氧树脂,SF6气体,等.若未经特殊处理,不建议在空气中裸露使用! 危险!5. 请不要改变电容器的外部结构,如果需要,请事先与美志公司确认!6. GRZ系列电容器是专为高频电路设计的高端产品,请使用直流电压!如果要应用到交流电压电路中,请与美志公司咨询相关系列的产品.7. 请严格按照电容器的额定电压及其它额定参数标准使用!长期低于额定电压工作有益于电容器的使用寿命!反之,对电容器有极大损害!8. GRZ系列为民品级别电容器,特别适合高频高压电路中应用.若有特殊应用要求,请告知我们,以便按照您的使用条件设计合适的电容器产品!。
电容器选用方法有哪些精选全文完整版
可编辑修改精选全文完整版电容器选用方法有哪些电容器选用方法⑴电容选择考虑原则要留足余量，不能勉强利用，否则将造成不必要的损坏.主要考虑以下几点：①应根据电路要求选择电容器的类型;②合理确定电容器的电容量及允许偏差;③选用电容器的工作电压应符合电路要求;④优先选用绝缘电阻大、介质损耗小、漏电流小的电容器;⑤应根据电容器工作环境选择电容器。
⑵电容器在电路中的常规选用①不同电路条件电容器类型的选择对于要求不高的低频电路和直流电路，一般可选用纸介电容器，也可选用低频瓷介电容器。
在高频电路中，当电气性能要求较高时，可选用云母电容器、高频瓷介电容器或穿心瓷介电容器。
在要求较高的中频及低频电路中，可选用塑料薄膜电容器。
在电源滤波、去耦电路中，一般可选用铝电解电容器。
对于要求可靠性高、稳定性高的电路，应选用云母电容器、漆膜电容器或钽电解电容器。
对于高压电路，应选用高压瓷介电容器或其他类型的高压电容器。
对于调谐电路，应选用可变电容器及微调电容器。
②不同电路条件电容器容量的选择在低频的耦合及去耦电路中，一般对电容器的电容量要求不太严格，只要按计算值选取稍大一些的电容量便可以了。
在定时电路、振荡回路及音调控制等电路中，对电容器的电容量要求较为严格，因此选取电容量的标称值应尽量与计算的电容值相一致或尽量接近，应尽量选精度高的电容器。
在一些特殊的电路中，往往对电容器的电容量要求非常准确，此时应选用允许偏差在±0.1％～±0.5％范围内的高精度电容器。
③耐压有较____求场合电容器的选择一般情况下，选用电容器的额定电压应是实际工作电压的（1.2～1.3）倍。
对于工作环境温度较高或稳定性较差的电路，选用电容器的额定电压应考虑降额使用。
电容器的额定电压一般是指直流电压，若要用于交流电路，应根据电容器的特性及规格选用；若要用于脉动电路，则应按交、直流分量总和不得超过电容器的额定电压来选用。
④环境有较____求的场合电容器的选择（a）在高温条件下使用的电容器应选用工作温度高的电容器。
33nf瓷片电容参数
33nf瓷片电容参数
瓷片电容是一种常见的电子元件，用于存储电荷和调节电路的频率响应。
33nf瓷片电容是一种常用的规格，下面是其主要参数：
1. 容量：33纳法（nf），也可表示为0.033微法（μF）。
2. 电压等级：一般为50伏特（V）或100伏特（V），也有更高的电压等级。
3. 容差：一般为±10%或±20%，也可有更高或更低的容差。
4. 尺寸：常见的尺寸有0805、1206、1210等，其中0805尺寸为2.0mm x 1.25mm，1206尺寸为3.2mm x 1.6mm，1210尺寸为3.2mm x 2.5mm。
5. 稳定性：瓷片电容的稳定性较好，通常能够在较广的温度范围内保持其电容值不变。
由于33nf瓷片电容的容量适中，电压等级较高，因此被广泛应用于各种电子设备中，如电源电路、振荡电路、滤波电路等。
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0805瓷片电容击穿电压
0805瓷片电容击穿电压瓷片电容是一种常见的电子元器件，广泛应用于电子设备中。
而瓷片电容的击穿电压则是评估其电气性能的重要参数之一。
本文将就0805瓷片电容的击穿电压进行详细介绍。
什么是瓷片电容？瓷片电容，也称陶瓷电容，是一种以陶瓷材料为介质的电容器。
它由两块金属电极和介质层组成，其中金属电极被陶瓷材料分隔开来，形成两个电极间的电场。
瓷片电容由于具有体积小、温度稳定性好、频率特性宽、价格低廉等优点，在电子电路中得到了广泛应用。
击穿电压的定义击穿电压是指在电容器两个电极之间施加的电压达到一定程度时，介质无法继续绝缘，电流会沿着介质形成放电通道，导致电容器失去正常的电容特性。
在0805瓷片电容中，击穿电压是评估其绝缘强度和可靠性的重要指标。
0805瓷片电容的击穿电压范围0805瓷片电容是一种常见的规格型号，其尺寸为2.0mm×1.25mm，高度为0.8mm。
根据不同的材料和制造工艺，0805瓷片电容的击穿电压范围可以有所差异。
一般来说，0805瓷片电容的击穿电压可在50V至200V之间，具体数值取决于制造商和产品质量等因素。
影响0805瓷片电容击穿电压的因素0805瓷片电容的击穿电压受到多种因素的影响，主要包括材料特性、结构设计以及制造工艺等。
首先，不同材料的介电常数和绝缘性能不同，会对击穿电压产生影响。
其次，瓷片电容的结构设计也会对击穿电压产生影响，如电极之间的间隔距离、金属电极的材料和形状等。
此外，制造工艺的精度和稳定性也会直接影响瓷片电容的击穿电压。
0805瓷片电容击穿电压的应用场景由于0805瓷片电容在市场上具有多种击穿电压可选，因此可以满足不同应用场景的需求。
一般来说，击穿电压较低的0805瓷片电容适用于对电压要求不高的电子设备，如手机、计算机等；而击穿电压较高的0805瓷片电容则适用于对电压要求较高的电子设备，如电源、通信设备等。
如何正确选择0805瓷片电容的击穿电压？在选择0805瓷片电容的击穿电压时，需要根据具体应用场景和电路设计要求来确定。
电容的选取
电容的选取固定电容器电容量固定的电容器叫做固定电容器。
根据介质的不同可分为陶瓷、云母、纸质、薄膜、电解几种。
陶瓷电容器陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
高频瓷介电容器适用于无线电、电子设备的高频电路。
具有小的正电容温度系数的电容器，使用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
这种电容器不宜使用在脉冲电容中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
瓷介电容器穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。
引线电感极小，特别适于高频旁路用。
独石电容器独石电容器即多层陶瓷电容器，其结构是在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成，它是一种小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小。
云母电容器就结构而言，可分为箔片式及被银式。
被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成图3，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。
云母电容器广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器。
玻璃釉电容器的介质是由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构。
玻璃釉电容器的性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008纸质电容器纸质电容器在无线电、电子设备中应用很广，一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0.008～0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。
〈见图〉制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量，一般在0.25μF以下，但容量误差较大且不易控制，质量较好的是±10%，损耗较大〈tgδ≤0.015〉，温度频率特性稳定性较差。
陶瓷震荡电容的选择原则
陶瓷震荡电容的选择原则
陶瓷震荡电容是无源元器件中的一种，广泛应用于电子产品中的振荡电路。
震荡电路的频率稳定性和抗干扰性能直接影响整个电子系统的性能，因此在选择陶瓷震荡电容时需要考虑以下几个因素。
需要根据振荡电路的工作频率来选择合适的陶瓷震荡电容。
陶瓷震荡电容的频率系数是一个重要的参数，它是指在不同温度下电容值的变化率。
根据实际应用需求，选择频率系数小、稳定性好的陶瓷震荡电容。
需要根据电路的电压和电容值来选择合适的陶瓷震荡电容。
陶瓷震荡电容的额定电压是指电容器能承受的最大电压，如果电压超过额定电压，会导致电容器失效。
因此，在选择陶瓷震荡电容时需要根据电路的电压来确定陶瓷震荡电容的额定电压，以保证电容器的正常工作。
需要考虑陶瓷震荡电容的精度和稳定性。
陶瓷震荡电容的精度是指电容器的额定值和实际值之间的偏差，通常用百分比表示。
选择精度高、稳定性好的陶瓷震荡电容，可以保证电路的稳定性和精确性。
需要考虑陶瓷震荡电容的尺寸和形状。
陶瓷震荡电容的尺寸和形状不同，适用于不同的电路设计。
在选择陶瓷震荡电容时，需要根据电路的设计要求，选择符合要求的尺寸和形状的陶瓷震荡电容。
选择合适的陶瓷震荡电容对电路的性能和可靠性有着重要的影响。
因此，在选择陶瓷震荡电容时需要考虑以上几个因素，以保证电路的稳定性和精确性。
陶瓷电容的选择1
陶瓷电容的选择----缺点片状独石陶瓷电容器的缺点大致有两个。
第一是温度特性较差。
具体体现为静电容量着温度而变化的幅度较大。
铝电解电容器的容量变化在-55～+125℃的温度范围内为±15％左右，而片状独石陶瓷电容器不同，有的种类（比如F特性的产品）在+30～-80％的范围内便会大幅变化。
因此，在将片状独石陶瓷电容器用于汽车车内等高温环境下或滑雪场等寒冷环境下的电子设备时，需要在考虑了容量变化的基础上来设计电子电路。
不过，要注意的是，温度特性较差的缺点只存在于介电体材料使用钛酸钡（BaTiO3）的高介电常数型（2 类，CLASS-II）片状独石陶瓷电容器中。
使用氧化钛（TiO2）的1类（CLASS-I）片状独石陶瓷电容器，在 -55～+125℃范围内的容量温度系数最大只有±60ppm/℃。
但目前氧化钛存在介电常数较小的问题，因此未能实现大容量产品。
图3：直流电压特性片状独石陶瓷电容器具有施加直流电压后实际静电容量减少的特性。
这也被称为DC偏压特性。
（点击放大）第二是存在直流电压特性（DC偏压特性）。
直流电压特性是指在向片状独石陶瓷电容器施加直流电压后实际静电容量会减少的现象（图3）。
比如，在向额定电压为6.3V、静电容量为100μF的片状独石陶瓷电容器实施加直流4V电压时，如果是B特性产品的话，静电容量就会减少约20％，F特性产品甚至会减少约80％。
而铝电解电容器和钽电解电容器则不会出现这种现象。
因此，在选择片状独石陶瓷电容器时，需要事先测定信号的直流电压成分，掌握实际静电容量的减少程度（参阅“考虑DC偏压因素的标记方法，JEITA实施标准化”）。
不过，“利用最尖端微细加工技术制造的半导体芯片，其电源电压已经降低到了非常低的程度。
最近，在1.0V左右的电压下工作的芯片也不罕见。
因此，直流电压特性的问题还不显著”（村田制作所元器件事业本部本部长山内公则）。
另外，出现直流电压特性问题的也仅限于2类产品。
陶瓷震荡电容的选择原则
陶瓷震荡电容的选择原则
陶瓷震荡电容的选择原则主要考虑以下几个方面：
1. 电容值：电容值是选用陶瓷震荡电容的关键因素，应根据电路要求的频率和容值大小来选择合适的电容值，过大或过小都会对电路的稳定性和性能产生影响。
2. 电容稳定性：陶瓷震荡电容的稳定性是指电容的值在温度、时间等因素变化的情况下是否能保持稳定，选择具有较好稳定性的电容可以提高电路的稳定性和精度。
3. 电容质量：陶瓷震荡电容的质量直接影响到电路的性能和可靠性，在选择时应选用质量可靠、包装完好、无裂纹和杂质等缺陷的电容。
4. 工作电压：根据电路工作电压的要求来选择合适的电容，应确保选用的电容的工作电压不低于电路的工作电压。
5. 尺寸和包装：陶瓷震荡电容尺寸和包装形式多种多样，需根据电路板限制和安装方式选择适合的尺寸和包装形式。
如何选择电容
如何选择电容.txt如果我能够看到自己的影子，我想它一定很忧伤，因为我把快乐都留在了前面。
容易伤害别人和自己的人，总是对距离的边缘模糊不清的人。
如何选择电容2008-04-02 14:05:15| 分类：工程师的知识 | 标签： |字号大中小订阅1、引言电容器通常是按其制造的介质材料分类。
在选择电容器时，工作频率是最重要的特性之一。
电容器作为基本元件在电子线路中起着重要作用，在传统的应用中，电容器主要用作旁路耦合、电源滤波、隔直以及小信号中的振荡、延时等。
以上电路对电容器参数的主要要求有：电容量；额定电压；正切损耗；漏电流等，对其它参数没有过多的要求。
2、电容器介绍2.1 瓷介电容器各种电容器中，瓷介电容器应用最广。
原因是价格低、特性范围宽、容积效率高以及频率范围高端极高等特点。
常用瓷介电容器可分为I型和II型两大类。
I型瓷介电容器的特点是介质损耗低、容量对温度、频率、电压和时间的稳定性都比较高，常用于高频电路及对电容器要求较高的场所。
II型瓷介电容其主要特点是体积小、容量大，但电容量对温度、频率、电压和时间的稳定性较差，介质损耗也较大，常用在低频电路中。
独石型瓷介电容器具有体积小、可靠性高、耐湿性好等优点，大量应用于集成电路中作为分立元件和用于要求小型化的电子设备中。
2.2 金属化纸介电容器容积比率大、工作电场强度高、绝缘不良。
可用于直流或脉动电路。
2.3 涤纶电容器电参数随温度变化较大。
可用于直流和脉动电路。
2.4 云母电容器云母电容器具有优良的电气特性，绝缘强度高，损耗小，而且温度、频率特性温稳定，不易老化，电容精度容易达到±1—±5%，甚至更高。
常用于高频电路中，并可做成标准电容器。
独石云母电容器具有体积小、电容量大、性能稳定、电感小和高频性能好等特点。
云母电容器的耐热性能好，但抗潮湿性能差。
2.5 漆膜电容器特点是电容量与频率特性好，在100—1000Hz范围内容量几乎没有什么变化。
瓷片电容识别及型号参数
瓷片电容识别及型号参数
瓷片电容识别及型号参数是电子行业中非常重要的一环。
瓷片电容是由一层瓷片和两层铜箔制成，其中瓷片中间空出一个容积，用以提高电容量。
瓷片电容的识别和型号参数可以通过多种方式来确定，如直接查看电容器的外形尺寸，查看标签上的型号参数，或者使用电子测试仪进行测试。
瓷片电容的外形尺寸可以根据电容器的外形尺寸来确定，比如圆形、方形或其他特殊形状，以及电容器的直径、厚度等参数。
此外，电容器的标签上也会标明电容器的型号参数，如电容量、额定电压、额定温度等。
最后，还可以使用电子测试仪进行测试，以确定电容器的容量、额定电压、额定温度等参数。
瓷片电容识别及型号参数是电子行业中重要的一环，可以通过多种方式来确定，如查看外形尺寸、查看标签上的型号参数，或者使用电子测试仪进行测试。
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31/08/06 V1.0
MCFY Series
Ceramic Disc Capacitors
Part Number Explanation:
MCFY
Temperature Characteristics Code
U
Rated Voltage
5
Part Diameter
103
Capacitance Code
Z
Tolerance Code
5
Lead Configuration Code - Bulk and Taping Package
Temperature Characteristics Code:
MCFY T.C. (PPM/°C) or Capacitance Change (%) +22% to -82%
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CHINA – Farnell-Newark InOne
MCFY Series
Ceramic Disc Capacitors
Features:
• • • • • Large capacitance in small size. Low lost at wide range of frequency. Cost saving by placing film capacitors. Capacitance has linear temperature coefficient. Stable capacitance change over specified temperature range.
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Capacitance Chart:
Temperature Characteristics MCFY (Y5V)+22% to -82% Part Diameter 5 6 Rated Voltage (V) U (50) Capacitance Range (pF) 22,000 ~ 39,000 47,000 ~ 1,00,000 Tolerance Z D 5.2 6.2 Maximum Dimension T 2.0 F 5.00
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