晶体三极管及其基本放大电路
晶体三极管及其放大电路之共集电极电路
晶体三极管及其放⼤电路之共集电极电路
共射级放⼤电路的放⼤倍数较⾼，但是其输出阻抗较⾼，我们必须设计电路使得其输出电阻⼩，受负载影响⼩！
⼀．共集电极放⼤电路分析
1.计算及分析⽅法
2.主要⽤途
（1）⽤作⾼输⼊电阻的输⼊级，因为其输⼊电阻⼤。
（2）⽤作低输出电阻的输出级，输出电阻⼩。
（3）⽤作中间隔离级。
3.实际应⽤电路分析及选型
1.具体电路的设计及分析：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
2.射极跟随器的性能
（1）输⼊电阻的测量⽅法，输⼊端串联电阻Rs，上⾯电路测量的输⼊电阻为两个偏置电阻并联的值,输⼊阻抗为偏置电阻并联值。
（2）输出电阻的测量⽅法，输出端接负载RL与没有负载时的电压关系。
上⾯电路测得的输出阻抗为0；
（3）负载加重的情况：
Re和Rl并联，射级电流不变，不允许输出的电压⽐(Re//Rl)*Ie⼩，否则下⾯部分会被截断，设计时，空载电流需要⼤于最⼤输出电流。
具体的解决⽅案是：推挽型射级跟随器
上⾯的推挽电路⽤NPN组成的射极跟随器代替发射级电阻，只有⼀个⼆极管⼯作，且在没有输⼊信号时，两个⼆极管都不⼯作，电路功耗较低，电路的缺点是存在交越失真，故导通⾓⼩院180°，仿真中没有看到具体的现象，不知道为什么
针对交越失真，做出如下的改进：
3.射极跟随器的应⽤电路
（1）NPN管与负电源的射级跟随器
（2）PNP管与负电源射极跟随器
（3）正负电源的射极跟随器
（4）OP 放⼤器与射极跟随器的组合来增⼤电路驱动电流。
三种⼯作形式！。
第4章 三极管及放大电路基础1
与 的关系
IC IC ICBO I E ICBO IC I B ICBO
(1 ) IC I B ICBO
I CBO IC IB 1 1
IE
N
P
N
I'C ICBO IC
IC I B (1 ) ICBO
共射直流电流放大倍数： IC I B 1.7 42.5 0.04 共射交流电流放大倍数： IC I B 2.5 1.7 40 0.06 0.04 说明： 例：UCE=6V时： 曲线的疏密反映了 的大小； IC(mA ) 160mA 电流放大倍数与工作点的位置有关； I 5 140mA CM 120mA 交、直流的电流放大倍数差别不大， 4 100mA 今后不再区别；
3 80mA
___
4. 集电极最大电流ICM 当值下降到正常值的三分之二时的 集电极电流即为ICM。
IC
2.5 2 1.7
1 0 2 4 6 8
IB 40mA
IB=60mA 20mA IB=0 10 UCE(V)
六、主要参数
5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳热为： PC =ICUCE 导致结温 上升，PC 有限制， PCPCM 7. 频率参数
扩散 I C 复合 I B
IC
C
N
IB
P N
EC
或者 IC≈IB
I E IC I B (1 ) I B
EB
E
IE
二、电流放大原理
(完整word版)放大电路的工作原理和三种基本放大组态
放大电路的工作原理和三种基本放大组态放大电路里通常是晶体三极管、场效应管、集成运算放大器等，这些器件也称为有源器件。
共射放大电路如图所示。
V cc是集电极回路的直流电源，也是给放大电路提供能量的，一般在几伏到几十伏范围，以保证晶体三极管的发射结正向偏置、集电结反向偏置，使晶体三极管工作在放大区。
R c是集电极电阻，一般在几 K 至几十K 范围，它的作用是把集电极电流i C的变化变成集电极电压u CE的变化。
V BB是基极回路的直流电源，使发射结处于正向偏置，同时通过基极电阻R b提供给基极一个合适的基极电流I BQ，使三极管工作在放大区中适当的区域，这个电流I BQ常称为基极偏置电流，它决定着三极管的工作点，基极偏置电流I BQ是由V BB和基极电阻R b共同作用决定的，基极电阻R b一般在几十KΩ至几百KΩ范围。
如在输入端加上一个较小的正弦信号u i , 通过电容C1加到三极管的基极，从而引起基极电流i B在原来直流I BQ的基础上作相应的变化，由于u i是正弦信号，使i B随u i也相应地按正弦规律变化，这时的i B实际上是直流分流I BQ和交流分量i b迭加后的量。
同时i B的变化使集电极电流 i C 随之变化，因此i C也是直流分量I C和交流分量i c的迭加，但i C要比i B大得多（即β倍）。
电流i C在电阻R C上产生一个压降，集电极电压u CE =V CC－i C R L，这个集电极电压u CE也是由直流分量I C和交流分量 i C两部分迭加的。
这里的 u CE和 i C相位相反，即当 i C增大时, u CE减少。
由于C 2的隔直作用，使只有 u CE的交流分量通过电容C2作为放大电路的输出电压u O。
如电路参数选择适当，u O要比 u I的幅值要大得多，同时 u I与 u O的相位正好相反。
电路中各点的电流、电压波形如图所示。
放大电路的图解法放大电路有三种主要分析方法：一是图解法，二是微变等效电路法，三是计算机辅助分析法。
双极型晶体三极管及其基本放大电路
4、多级放大电路的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合、直接耦 合等类型。前级输出即为后级的输入，前级的输出电阻是后 级的信号源内阻，后级的输入电阻是前级的负载电阻。放大 电路的总增益为各级放大倍数的乘积；输入电阻是第一级电 路的输入电阻，输出电阻是最后一级电路的输出电阻。
5、复合管放大电路的分析可以等效成单管放大电路的分析。
模拟电子技术
ห้องสมุดไป่ตู้
双极型晶体三极管及其基本放大电路
晶体管的结构、原理及特性曲线→放大电路的分析方法→由 晶体管构成的三种基本放大电路→多级放大电路和复合管的 分析→放大电路的频率响应。 1、晶体管按照结构分成和两种，按材料分成硅管和锗管，由 于硅管的温度特性较好，所以硅管应用广泛。 晶体管有三种工作状态：
多级放大电路的级数越多，通频带越窄。
模拟电子技术
由于电路中的电抗元件对不同频率的输入信号呈现的电抗值 不同，电路的电压放大倍数是信号频率的函数，即频率响应。 频率响应分为幅频特性和相频特性，可以用波特图表示。
6、单级放大电路的频率响应：在中频段基本与频率无关；在低 频段，电压放大倍数随频率的降低而减小，输出电压与输入 电压之间的相移也发生变化；在高频段，电压放大倍数随频 率的升高而减小，相移也发生变化。
2、放大电路的分析方法有图解法和微变等效模型法两种。图解 法主要用来分析失真和静态工作点，工程计算中主要使用微 变等效模型法。 晶体管的模型有两种，低频为h参数等效模型，高频为混合π 模型。 分析放大电路的步骤为先直流，后交流。即先用直流通路计 算静态工作点，后画出交流通路，用低频小信号模型计算电 压放大倍数、输入电阻和输出电阻等交流参数。 由于静态工作点影响电路的性能，故实用放大电路都要有静 态工作点稳定的措施。
(完整版)三极管及放大电路原理
测判三极管的口诀三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。
”下面让我们逐句进行解释吧。
一、三颠倒，找基极大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。
根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，图1是它们的电路符号和等效电路。
测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。
图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。
由图可见，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。
假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。
测试的第一步是判断哪个管脚是基极。
这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。
在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。
二、PN结，定管型找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。
将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。
三、顺箭头，偏转大找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。
(1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路如图3所示。
根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c 极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。
晶体三极管三种(共基、共发、共集)放大电路的优缺点
晶体三极管三种(共基、共发、共集)放大电路的优缺点下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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三极管及放大电路基础
IC(mA ) 4
3
2
1 36
截止区
100A 80A
IB= 60A 40A 20A 0 9 12 VCE(V)
IC RC
IB B C
VCE
RB
VBE EB
E IE
EC
（1-13）
特点:VBE＜死区电压, IB≤0≈0, IC ≤ICEO≈ 0,VCE ≈EC
这时三极管C 、 E端相当于: 一个断开的开关。
过大，温升过高会烧坏三极管。所以要求：
PC =IC VCE≤PCM 6.集-射极反向击穿电压V(BR)CEO ——基极开路时，集电极与发射极之间允许的最大反向 电压。
（1-22）
由三个极限参数可画出三极管的安全工作区
IC ICM
ICVCE=PCM
安全工作区
O
V(BR)CEO
VCE
（1-23）
八、晶体管参数与温度的关系
IC RC
IB B
C VCE
RB
VBE EB
E IE
EC
如何判断是否截止？
若：VBE ≤0(死区电压)
或 VC＞VE ＞VB 三极管可靠截止
IC
VCE
C RC
E
EC
（1-14）
(3) 放大区：IC=IB区域 , 发射结e正偏，集电结c反偏 特点: IC=IB , 且 IC = IB , VCE＝EC－IC RC
（1-29）
三极管在电路中的应用
1、放大电路 对三极管放大电路的分析，包括静态分 析和动态分析两部分。 也就是直流方面的分析和交流方面的分 析 直流方面的分析主要是判断三极管是否 有合适的直流工作条件 交流方面的分析主要是判断放大电路是 否能够正常的放大信号。
第03章-半导体三极管及放大电路基础
退出
放大电路的动态图解分析
（1）交流负载线 1.从B点通过输出特性曲线上的Q点做一条直线，
其斜率为-1/R'L 。 2.R'L= RL∥Rc，
是交流负载电阻。
3.交流负载线是有 交流 输入信号时Q 点的运动轨迹。
退出
三极管电流分配
半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 在放大工作状态： 发射结加正向电压，集电结加反向电压。
退出
三极的工作原理
发射结加正偏时，从发射区将
有大量的电子向基区扩散，形成
的电流为IEN。 从基区向发射区也有空穴的扩
散运动，但其数量小，形成的电
流为IEP。（这是因为发射区的掺杂浓
Av Vo /Vi
A I / I
i
oi
Ap Po / Pi Vo Io /Vi Ii
退出
(2) 输入电阻 Ri
输入电阻是表明放大电路从信号源 吸取电流大小的参数，Ri大放大电路 从信号源吸取的电流小，反之则大。
Ri
Vi Ii
退出
(3) 输出电阻Ro
输出电阻是表明放大电路带负载的能力，
Ro大表明放大电路带负载的能力差，反之则强。
退出
双极型三极管的参数
参数 型号
PCM
I CM
mW mA
3AX31D 125 125
3BX31C 125 125
3CG101C 100 30
3DG123C 500 50
3DD101D 5A
5A
3DK100B 100 30
3DKG23 250W 30A
电子技术课件第二章三极管及基本放大电路
2．三极管的主要参数
（1）直流参数 反映三极管在直流状态下的特性。
直流电流放大系数hFE 用于表征管子IC与IB的分配比例。
漏电电流。ICBO大的三极管工作的稳定性较差。
集—基反向饱和电流ICBO 它是指三极管发射极开路时，流过集电结的反向
ICBO测量电路
ICEO测量电路
加上一定电压时的集电极电流。ICEO是ICBO的(1+β)倍，所以它受温度影响不可忽视。
性。 A——PNP锗材料，B——NPN锗材料， C——PNP硅材料，D——NPN硅材料。
三极管型号的读识 3 A G 54 A
规格号
第三部分是用拼音字母表示管子的类型。
X——低频小功率管，G ——高频小功率管， D——低频大功率管，A ——高频大功率管。
三极管 NP锗材料 高频小功率 序号
第四部分用数字表示器件的序号。 第五部分用拼音字母表示规格号。
饱和区 当VCE小于VBE时，三极管的发
四、三极管器件手册的使用
三极管的类型非常多，从晶体管手册可以查找到三极管的型号，主要用途、主 要参数和器件外形等，这些技术资料是正确使用三极管的依据。
1．三极管型号
国产三极管的型号由五部分组成。
第一部分是数字“3”，表示三极管。 第二部分是用拼音字母表示管子的材料和极
一、放大电路静态工作点不稳定的原因
（1）温度影响 （2）电源电压波动 （3）元件参数改变
二、分压式偏置放大电路 1．电路组成
Rb1是上偏置电阻，Rb2是下偏置电阻。电源电压经Rb1、Rb2串联分压后为三极 管提供基极电压VBQ。Re起到稳定静态电流的作用，Ce是Re的交流信号旁路电容。
分压式偏置放大电路
放大电路的电压和电流波形
晶体三极管的开关电路和放大电路的工作过程
晶体三极管的开关电路和放大电路的工作过程晶体三极管是一种重要的半导体器件，常用于电子学中的开关和放大电路中。
它具有高频特性、低噪声以及较高的放大能力，因此被广泛应用于各种电子设备中。
下面我们来详细了解晶体三极管在开关电路和放大电路中的工作原理和过程。
一、晶体三极管的基本结构及工作原理晶体三极管由发射极、基极和集电极组成，通过控制发射极电流来实现对集电极电流的调控。
当在基极端加上一个小信号电压时，将使发射极与基极之间的耗尽层宽度发生变化，进而改变发射极电流，从而达到放大电压信号的目的。
1. 晶体三极管在开关电路中的工作过程晶体三极管可以作为一个二极管开关，用来控制电路的通断。
当在基极端加上一个正电压时，将使发射极-基极间的耗尽层封锁，导通电流，此时处于导通状态；当在基极端加上一个反向偏置电压时，将使发射极-基极间的耗尽层扩大，截至电流，此时处于截至状态。
晶体三极管可以根据基极端的输入信号来控制电路的开关状态。
2. 晶体三极管在放大电路中的工作过程晶体三极管可以作为放大器使用，用来放大小信号电压。
在放大电路中，通过在基极端施加一个交流信号电压，使得发射极-基极之间的电流产生相应变化，从而得到经放大的输出信号。
晶体三极管的放大能力由其电流放大倍数β来决定，β值越大，放大能力越强。
二、晶体三极管的开关电路和放大电路设计1. 晶体三极管开关电路设计晶体三极管开关电路常用于数字电路中，可以实现逻辑门、计数器等功能。
设计开关电路时需要合理选择电阻、电容等元件参数，以保证电路的稳定性和可靠性。
还需要注意控制信号的功率和频率范围，以满足具体应用的需求。
2. 晶体三极管放大电路设计晶体三极管放大电路常用于模拟电路中，可以实现音频放大、射频放大等功能。
设计放大电路时需要考虑输入输出阻抗的匹配、电压和电流的偏置设置、负载电阻的选择等因素，以提高电路的放大性能和线性度。
三、晶体三极管在实际电路中的应用晶体三极管广泛应用于各种电子设备中，如放大器、收音机、电视机、电脑等。
晶体三极管及其放大电路答案
晶体三极管及其放大电路一、填空题。
1. 三极管有二个PN结，即发射结和集电结，在放大电路中发射结必须正偏，集电结必须反偏。
2. 三极管有NPN 型和PNP 型。
3. 三极管各电极电流的分配关系是I E=I C+I B。
4. 三极管输出特性，曲线可分为三个区域，即放大区、截止区和饱和区。
当三极管工作在放大区时，关系式I C=βI B才成立；当三极管工作在截止区时，I C=0；当三极管工作在饱和区时，U CE=05. 有两只三极管，A管的β=200，I CEO=100μA；B管的β=60，I CEO=15μA； B 管比 A管性能好。
6. 三极管的反向饱和电流I CBO随温度升高而增大，穿透电流I CEO随温度升高而增大，β值随温度的升高而增大。
7. 某三极管的管压降U CE保持不变，基极电流I B=30uA时，I C=1.2mA,则发射极电流I E=1.23mA 。
如果基极电流I B增大到50uA时，I C增加到2mA，则三极管的电流放大系数β= 40 。
8. 工作在放大状态的三极管可作为放大器件，工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为开关器件。
9. 处于放大状态的三极管，I C与I B的关系是I C=βI B，处于饱和状态的三极管I C不受I B控制，不能实现放大作用，处在截止状态的三极管I C0A 。
10. PNP型三极管处于放大状态时，三个电极中发射极电位最高，集电极电位最低。
11. 放大电路的功率放大倍数为100，功率增益为10dB 。
12. 输入电压为400mV，输出电压为4V，放大电路的电压增益为10 dB 。
13. 晶体三极管放大电路中，当输入信号达到一定时，静态工作点设置太低将使信号产生截止失真。
14. 在共射极放大电路中，当R C减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变上升。
共射极放大电路的输出信号是取自于三极管的集电与发射极。
15. 用NPN管的分压式偏置放大电路中，如果把上偏置电阻减小而其它不变，则三极管的集电极电流将升高。
三极管及其放大电路
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
2.1.3 .BJT的特性曲线
BJT的特性曲线是指各电极电压与电流之间 的关系曲线，它是BJT内部载流子运动的外部 表现。
工程上最常用的是BJT的输入特性和输出特 性曲线。
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
以共射放大电路为例：
输入特性：iBf vBEvCE 常 数 输出特性： iCf vCEiB常数
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
输出特性曲线可以划分为三个区域： 饱和区——iC受vCE控制的区域，该区域内vCE的 数值较小。此时Je正偏，Jc正偏
iC /mA
25℃
=80μA =60μA =40μA
=20μA
vCE /V
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的数值较 小。此时Je正偏，Jc正偏。
电压增益2＝ 0lgAV dB 电流增益2＝ 0lgAI dB
由于功率与电压（或电流）的平方成比例， 因此功率增益表示为：
功率增益＝10lgAP
【 AP
Po 】 Pi
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
2.2.2
+
VS
-
R
＝
i
Vi I i
输入电阻Ri
I i
Io
+
+
Rs Vi
放大电路 Ri (放大器)
2.3 共射基本放大电路
共射基本放大电路组成
放大的外部条件
输入回 路
输出回 路
两个回路 正确的直流偏置
ui为小信号 ui和VBB串接 RB为基极偏置电阻
RC为集电极偏置电
阻
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
晶体三极管及基本放大电路
目录
• 晶体三极管简介 • 基本放大电路 • 晶体三极管在基本放大电路中的应用 • 晶体三极管放大电路的性能指标 • 晶体三极管放大电路的应用 • 晶体三极管放大电路的设计与制作
01
CATALOGUE
晶体三极管简介
晶体三极管的基本结构
01
02
03
三个电极
集电极、基极和发射极， 是晶体三极管的主要组成 部分。
THANKS
感谢观看
总结词
通频带和最高频率响应是衡量放大电路 对不同频率信号的放大能力的参数。
VS
详细描述
通频带表示放大电路能够正常工作的频率 范围，其宽度由晶体三极管的截止频率和 放大倍数决定。最高频率响应表示放大电 路能够处理的最高频率信号，其大小由晶 体三极管的截止频率决定。通频带和最高 频率响应是晶体三极管放大电路的重要性 能指标，决定了电路的应用范围和性能表 现。
05
CATALOGUE
晶体三极管放大电路的应用
在音频信号处理中的应用
音频信号放大
晶体三极管放大电路可以用于放 大音频信号，如麦克风、扬声器 等设备中的信号放大。
音频效果处理
在音频信号处理中，晶体三极管 放大电路可以用于实现各种音效 效果，如失真、压缩、均衡等。
音频功率放大
在音响系统中，晶体三极管放大 电路可以作为功率放大器使用， 将音频信号放大到足够的功率以 驱动扬声器发声。
共发射极放大电路
总结词
共发射极放大电路是晶体三极管最常用的放大电路，具有电压和电流放大作用。
详细描述
共发射极放大电路由晶体三极管、输入信号源、输出负载和偏置电路组成。输入信号加在 基极和发射极之间，通过晶体三极管的放大作用，将信号电压或电流放大后，从集电极和 发射极之间输出。
4_1三极管及其基本放大电路PPT课件
一．放大原理
三极管工作在放大区：
发射结正偏，
集电结反偏。
放大原理：
VBB
UI
•
Ui
→△UBE
→△IB →△IC（b△IB
）
•
→△UCE（-△IC×Rc）→ Uo
电压放大倍数：
•
•
Au =
Uo
•
Ui
+VCC （ +12V）
RC
IC +△IC
B C Rb 1 E IB +△IB
3
T2 U CE
+△U CE
AU=UO/UI（重点）
AI=IO/II
Ar=UO/II Ag=IO/UI
模 拟电子技术
2. 输入电阻Ri——从放大电路输入端看进去的
RS ii
uS ~
ui
信号源 输入端
等效电阻
Ri
Au
输出端
输入电阻：
Ri=ui / ii
一般来说， Ri越大越好。 （1）Ri越大，ii就越小，从信号源索取的电流越小。 （2）当信号源有内阻时， Ri越大， ui就越接近uS。
+
UO
U BE +△U BE
-
模 拟电子技术
ui
+VCC（+12V）
O
t
RC IC +△IC
iB
Rb 1
3 T2
+
VBB
IB +△IB
UCE +△U CE UO
IBQ O
t
UI
UBE+△U BE
-
iC ICQ
符号说明
uBE = U BE ube
晶体三极管及其放大电路
能量转换
在放大过程中，电能转换 为信号能量，实现信号的 放大。
晶体三极管放大电路的特性
电压放大倍数
晶体三极管放大电路的电压放大倍数取决于电路参数和晶体三极 管特性。
输入电阻与输出电阻
适当选择电路参数，可以提高放大电路的输入电阻和降低输出电阻， 提高电路性能。
稳定性与失真
在实际应用中，需要考虑放大电路的稳定性，避免自激振荡和失真 现象。
晶体三极管及其放大 电路
目 录
• 晶体三极管基础 • 晶体三极管放大电路 • 晶体三极管放大电路的应用 • 晶体三极管放大电路的调试与优化
01
晶体三极管基础
晶体三极管的结构
晶体三极管由三个半导体区域组 成，分别是发射区、基区和集电
区。
晶体三极管内部有两个PN结， 分别是集电极-基极PN结和发射
视频放大
总结词
视频放大电路利用晶体三极管的高频放大性能，对视频信号进行放大，以驱动 显示屏等输出设备。
详细描述
视频放大电路主要用于电视机、显示器等视频设备的信号处理。它能够将微弱 的视频信号放大并传输到显示屏上，确保图像清晰、色彩鲜艳。视频放大电路 对提高视频设备的性能和图像质量具有重要作用。
信号放大
பைடு நூலகம்
03
晶体三极管放大电路的 应用
音频放大
总结词
音频放大是晶体三极管放大电路的重要应用之一，用于将微 弱的音频信号放大，满足扬声器等输出设备的驱动需求。
详细描述
音频放大电路通常采用音频信号作为输入，通过晶体三极管 将信号放大后驱动扬声器或其他音频输出设备。这种电路广 泛应用于音响设备、麦克风、耳机等音频产品中，提供清晰 、动态的音质效果。
总结词
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2.4、三极管的主要参数
• 1、电流放大系数 • i)共射极电流放大系数
直流电流放大系数 IC
IB
交流电流放大系 数 Vic
Vib
h（ fe 高频）
一般工作电流不十分大的情况下,可认为
Ma Liming
Electronic Technique
23
ii)共基极电流放大系数
共基极直流电流放大系数
3
6
9
IB=0 12 vCE(V)
区时, 有:VB>VC Rb
+
－
UBB
Ma Liming
+ 对于PNP型三极管,工作在饱和区 UCC 时, 有:VB<VC<VE
－
Electronic Technique
13
例:如图，已知三极管工作在放大状态, 求:1).是NPN结构还是PNP结构?
Ma Liming
Electronic Technique
20
方法二：用万用表的 hFE档检测 值
1. 拨到 hFE挡。
2.将被测晶体管的三个引脚分别插入相应的插孔 中（TO-3封装的大功率管，可将其3个电极接 出3根引线，再插入插孔），三个引脚反过来 再插一次，读数大的为正确的引脚。
3.从表头或显示屏读出该管的电流放大系数。
N
b
c PV
Rb
eN
+
－
UBB
Ma Liming
+
UCC 对于PNP型三极管,工作在放大区 － 时, 有:VC<VB<VE
Electronic Technique
10
iC(mA ) 4 3
2 1
3 69
Rc
N
b
c PV
Rb
eN
+
－
UBB
Ma Liming
IB=0时, Ic=ICEO,由于穿透电流很
（2）基区很薄， 只有1微米至几十微米厚，掺杂浓度很低，以 减少载流子在基区的复合机会，这是三极管具有放大作用的关 键所在。
（3）集电区比发射区体积大且掺杂少，以利于收集载流子。
由此可见，三极管并非两个PN结的简单组合，不能用两个二 极管来代替；在放大电路中也不可将发射极和集电极对调使用。
Ma Liming
25
• 3、极限参数
• i)集电极最大允许电流ICM
•
集电极电流iC过大时,β将明显下降， ICM是指β
明显下降所对应的最大允许集电极电流。若iC> ICM
时,三极管不一定会损坏,但β明显下降。
ii)集电极最大允许功率PCM
三极管工作时,uCE大部分降在集电结上，所以集电 极功率损耗PC= uCEiC，会使集电结温度升高，PCM 就是允许的最高集电结温度决定的最大集电极功耗。
把 uCE uBE 定为放大状态与饱
N
b
c PV
Rb
eN
+
和状态的分界点,称为临界饱和，
+
UCC
把
－
uCE 称uB为E 深度饱和。
－
UBB
Ma Liming
Electronic Technique
12
iC(mA ) 4
3
100A
在此区域内发射结正偏，集电 80A 结也正偏。
60A 2
40A
1
20A 对于NPN型三极管,工作在饱和
Ma Liming
Electronic Technique
21
方法三：从外观上
•
半球型的三极管管脚识别方法：平面对着自
己，引脚朝下，从左至右依次是E、B 、C。
常用的三极管9011～9018系列为高频小功率 管，除9012和9015为PNP型管外，其余均为NPN 型管。
Ma Liming
Electronic Technique
Ma Liming
Electronic Technique
3
c
P
b
b
N
c
c
b
P
e
e
e PNP型三极管的组成与符号
PNP型三极管的结构和NPN型三极管类似，
两者几乎具有相同的特性，只不过各电极端的电
压极性和电流的方向不同。
Ma Liming
Electronic Technique
4
常见三极管（用途）
－
时, 有:VC<VE<VB
Electronic Technique
11
iC(mA ) 4
100A 当uCE比较小且小于uBE时，三极
3
80A 管的集电极正偏,由图可知，iC
2
60A 随uCE的增加迅速上升而与iB不成
40A
1
比例，这一区域称为饱和区。
20A
IB=0
3 6 9 12 vCE(V)
Rc
IC 或 IC ICBO
IE
IE
共基极交流电流放大系数
Ma Liming
Vic
Vie
一般可认为
hfe 1 hfe 1
Electronic Technique
24
• 2、极间反向电流
•
ICBO为发射极开路时,集电极和基极之间的反
向饱和电流,室温下小功率硅管的ICBO小于1μA，锗
第二章、三极管 及基本放大电路
重点：掌握三极管的结构和基 本特性、工作状态和极性判别 方法；
掌握三极管基本放大电路性 能指标的计算；
2.1、双极型三极管的结构和分类
根据结构来分可分为PNP和NPN管，由两个PN 结的三层半导体制成,分别引出三个电极发射极E (emitter) 、基极B (base)和集电极C (collector) 。
+3.6V Y
解:1.X为集电极;
Z
+3V
Ｔ1
2).根据集电极最高或最低确 定是NPN还是PNP。
+9V X
2.NPN结构; 3.Si管;
3).由于T工作在放大状态时各电极电位关系确
定基极和发射极。 4.Y为基极,Z为发射极;
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15
Z
－10V
Ma Liming
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9
2.2、输出特性曲线(重点)
iC(mA ) 4
放大区： 100A 在此区域内发射结正偏，
3
80A 60A
UBE=0.7V，集电结反偏.UCE 1V
2
40A
1
20A IB=0
对于NPN型三极管,工作在放大区
3
6
9 12
Rc
vCE(V) 时, 有:VC>VB>VE
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三、输出电阻 Ro
从放大电路输出端看进去的等效电阻。Ro
Uo Io
US 0 RL
输入端正弦电压 Ui ，分别测量空载和输出端接负载
管约为几微安到几十微安。
ICEO为基极开路时,集电极直通到发射极饱和 电流，由于它是从集电区穿过基区流向发射区的 电流,所以 又称为穿透电流。
ICBO 、 ICEO均随温度的上升而增大,其值越小， 受温度的影响越小，三极管的工作越稳定。
ICEO (1 )ICBO
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2).是Si还是Ge材料? 3).X ,Y ,Z分别对应
什么电极？
+3.6V Y
Z
+3V
Ｔ1
+9V X
Z
－10V
－5V Y Ｔ2 －5.3V X
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Electronic Technique
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方法:1).由于T工作在放大状态,发射结正偏, 基射极 电压为0.7V或0.2V,所以电位相差0.7V或0.2V的两电 极为基极和发射极,剩下的为集电极。
别接触另两个极时，万用表指示为低阻，则该极为 基极，该管为NPN（PNP）。
Ma Liming
Electronic Technique
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C、E极的判断：
对NPN型而言，假定黑表笔接集电极，红 表笔接发射极（对于PNP型管，万用表的红、 黑表笔对调）；然后用大拇指将基极和假定集 电极连接（注意两管脚不能短接），这时记录 下万用表的测量值；再将原先假定的管脚对调， 重新记录下万用表的读数，测量值较小的黑表 笔所接的管脚是集电极（对于PNP 型管，则红 表笔所接的是集电极）。（数字表相反）
发射区掺杂浓度最高,基区掺杂浓度最低且很
薄, 集电极掺杂浓度介于两者之间，体积最大。这
样三极管就表现出单个PN结不是有功能—电流放大
作用。
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2
集电极 c
c
集电结
N
集电区
b
P
基区 b
b
发射结 N
发射区
e
发射极 e (a)
三极管的组成与符号
（a）NPN型; （b）PNP型
载
源
信号输入
直流电源 放大电路电路结构示意图
第一级 第二级 第三级
信号输出
多级放大电路
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Electronic Technique
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• 2.5.2、放大的概念
电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放 大成较大的信号。即用能量较小的输入信号控制 另一个能源，从而使输出端的负载上得到能量较 大的信号，如扩音器。
－5V Y 解:1.Z为集电极;