晶体中电子的运动

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晶体电子在能带顶的有效质量小于零。由运动方程(5.15)可见,能带顶电子的加速度方向 与外加电场力方向相反。由牛顿运动方程(5.16)可知,电子的加速度方向总是与合外力方 向相同; 能带顶电子的加速度方向与外加电场力方向不同, 是晶体周期场力作用的又一明显 体现.












⎛1 0 0⎞ ⎟ =2 ⎜ =2 m = - =- 0 1 0 ⎜ ⎟ 2 J 1a 2 ⎜ 2 J 1a 2 ⎟ 0 0 1 ⎝ ⎠


K K K

5.1.2 在外力作用下状态的变化和准动量




其中 W 是能带宽度.



(5.4)

(5.5)
(5.6)
上式与牛顿定律有相似的形式, =k 具有动量的量纲、具有类似于动量的性质,但是, 由于一个状态的波矢 k 具有倒格矢 G h 的不确定性,故称 =k 为准动量. 5.1.3 晶体电子的有效质量
(m * ) −1 =
1 K K K ∇ ∇ E (k ) =2 k k






就是有效质量张量 m 。由上式直接可以得到倒有效质量张量


*



称为倒有效质量张量分量。倒有效质量
1 * −1 是一个张量,也记作 ( m ) 。倒有效质量的逆 * m




(5.11)






式(5.9)把晶体中电子的加速度与外加电场力联系了起来,称为晶体中电子的运动方程。






*






π
a

π
a

) ,有效质量为
(5.22)






































































d =k = eF dt
波矢随时间线性变化


以一维晶体为例.在稳恒电场 F 作用下(电场方向沿负 x 方向) ,准动量的运动方程为



E s (k ) = E sat − J 0 − 2 J 1 cos ka


例题 5.1.2 在紧束缚近似下,计算一维单原子链 s 态电子的能带函数、能带电子的速度和 有效质量。 解:紧束缚近似下,一维单原子链 s 态电子的能带函数为









(5.23) (5.24) (5.25)
比较运动方程(5.16)与运动方程(5.9)或(5.15),可知晶体电子的有效质量与电子惯性质 量的区别,就在于有效质量包含了晶体周期场力的作用. 引入晶体电子有效质量的概念, 可以不必分析复杂的晶体周期场力, 而方便地分析讨论 晶体电子在外加电场作用下的运动。












K K me a = f + 晶体周期场力
v(k ) =
1 dE ( k ) = dk


(5.2)









v(k ) =


Wa sin(ka) 2=

具体地对于一维单原子链,在紧束缚近似下 s 态能带中 k 态电子的速度为 (5.3)










得到晶体电子在稳恒电场 F 作用下,波矢 k 满足的准经典运动方程为
d G K =k = f dt







h eFa
(5.26)



















































满带中的电子波矢状态是正负对称分布的,状态 k 与 − k 具有相同的能量
K
K

且具有大小相等方向相反的速度


K K E (k ) = E (−k ) K K K K v ( k ) = −v ( − k )
* 2






2 ∂2E * 2 ∂ E m = = / 2 , m z = = / 2 ,运动方程(5.9)简化为 ∂k y ∂k z



* y

2



∂2E , ∂k x2










m* yay = f y


m* xax = f x


(5.15a) (5.15b)








TB = 1.38 × 10 −10 s,远远大于电子的平均自由时间τ,布洛赫振荡被破坏而不能实现.为






注 意 到 TB =
0 h 5 , 如 果 a = 3 A , 在 比 较 强 的 电 场 F = 10 V/m 作 用 下 , eFa




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电子速度随时间 t 的周期振荡, 对应着电子在空间的局域振荡. 晶体电子在稳恒电场 F 作用下的运动, 是在实空间局域的周期往复的振荡.这是布洛 赫在 1928 年理论分析得到的结果, 称为布洛赫振荡. 1.理想周期结构中的电子不导电 在电场作用下晶体电子的布洛赫振荡运动, 是不会产生电荷的宏观迁移的, 即不产生 电流. 即使是对于金属晶体, 在电场作用下也不会产生电流. 这是周期场对电子的奇妙作用. 2.晶体缺陷是产生电流的原因 我们普遍使用的铜、 铝、 铁等多种金属材料具有良好的导电性, 它们都是金属晶体, 需 要注意的是这些实际使用的金属晶体都不是理想的完整晶体, 有晶格振动和杂质等多种晶 体缺陷; 正是这些晶体缺陷, 才使金属材料可能具有良好的导电性; 没有缺陷的金属晶体却 没有导电能力. 3.布洛赫振荡的实验验证 -13 室温下实际晶体中电子运动的平均自由时间τ的典型值为 10 s. 当布洛赫振荡的振 荡周期TB<τ时, 表现出振荡;而当布洛赫振荡的振荡周期TB>τ时, 振荡被散射所破坏, 表 现出定向运动.
(5.27)







§5.3 导体、半导体和绝缘体的分类




了使布洛赫振荡能够得到实验验证,只有增大周期;随着科学技术的发展,特别是分子束外 延技术的成熟,L.Esaki 和 R.Tsu(朱兆祥)于 1969 年首先提出了超晶格的概念,即人工长 周期结构,1971 年卓以和(A.Y.Cho)首先用分子束外延方法成功生长出 GaAs/AlGaAs 的超 晶格; 超晶格的周期比天然晶体的周期长度大两个数量级, 布洛赫振荡在超晶格中成功地得 到了实验验证.
(m* ) −1 =
1 ∂ 2 E 1 ∂v(k ) 2 J 1a 2 = = cos ka = 2 ∂k 2 = ∂k =2
一维单原子链 s 态电子的能带函数、 速度和有效质量如图 5.1 所示。 在能带顶和能带底, 电子速度为零;在能带函数的拐点处,电子速率最大。能带电子的有效质量,在能带底附近 大于零,而在能带顶附近小于零。有效质量函数的复杂变化,体现了晶体周期场力的复杂作 用.


⎛1 0 0⎞ ⎟ =2 ⎜ =2 m = = 0 1 0 ⎜ ⎟ 2 J 1a 2 ⎜ 2 J 1a 2 ⎟ ⎝0 0 1⎠
*






(5.21)





π
a









v(k ) =
倒有效质量为
1 ∂E (k ) 2 J 1a sin ka = = ∂k =


状态 k 的电子速度
v (t ) =
Wa eFa sin( t + k0 a ) 2= =

这是时间 t 的周期振荡函数, 振荡周期为
TB =






5.3.1 价带和导带 晶体中的电子能带有很多个,较低的电子能带与原子的内层电子能级相对应,较高的 能带与原子的较外层电子能级相对应;较低的电子能带中填满了电子、是满带,而较高的能 带中没有电子、 是空带; 其中最高的满带称为价带, 价带上面的那个不满带或空带称为导带. 材料的电学性质、光学性质、光电性质等主要都是价带和导带中电子的运动和状态变 化的表现. 5.3.2 不同能带的导电性 1.满带电子不导电
∂2E ∂k x ∂k z ∂2E ∂k y ∂k z ∂2E ∂k z2
⎞ ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠










(5.12) (5.13)


0 ∂2E 2 ∂k y 0
这时,有效质量张量为

⎞ 0 ⎟ ⎟ ⎟ 0 ⎟ ⎟ ⎟ ∂2E ⎟ 2 ⎟ ∂k z ⎠



或写为








§5.2
稳恒电场作用下晶体电子的运动 布洛赫振荡






图 5.1
晶体电子的能带、速度和有效质量


(5.23) (5.24) (5.25)
k = k0 +
eFt =
其中k0是t=0 时的初始波矢, e是电子电量. 波矢随时间线性变化,对应着电子速度随时间的变化.具体地对于一维单原子链,在 紧束缚近似下 s 态能带中 k 态电子的速度为


⎛ 2 ∂2E ⎜= / 2 ⎜ ∂k x ⎜ * 0 m = ⎜ ⎜ ⎜ ⎜ 0 ⎜ ⎝
0
=2 /


∂2E 2 ∂k y 0
⎞ ⎟ ⎟ ⎟ ⎟ 0 ⎟ 2 ⎟ 2 ∂ E⎟ = / 2⎟ ∂k z ⎠ 0




(5.14)





对 于 对 角 化 的 倒 有 效 质 量 张 量 (5.13) , 或 有 效 质 量 张 量 (5.14) , 记 m x = = /



注意到晶体中电子受到的合外力,不仅有外加电场力,还有复杂的晶体周期场对电子 的作用力,牛顿运动方程应为







m* z az = f z
(5.15c)


(5.16)
(5.17)
状态 k 的电子速度
K
2J a ˆ 1 K K K ˆ sin k a ) v (k ) = ∇ k E = 1 (i sin k x a + ˆ j sin k y a + k z = =
对于倒有效质量张量,容易计算得到非对角元为零,即
(5.18)
∂2E =0 ∂kα ∂k β
其中
α≠β
(5.19)
即倒有效质量张量是对角化的, k x 、 k y 、 k z 轴沿着张量的主轴方向;因而,有效质量张 量为


⎛ (cos k x a ) −1 ⎜ = ⎜ m* = 0 2 J 1a 2 ⎜ ⎜ 0 ⎝
2


0 (cos k y a ) −1 0
⎞ ⎟ ⎟ −1 ⎟ (cos k z a ) ⎟ ⎠ 0 0


(5.20)






在能带底( k x , k y , k z )=( 0,0,0 ) ,有效质量张量为








有效质量张量退化为标量。在能带底,晶体电子的有效质量大于零。 在能带顶( k x , k y , k z )=(
G

G
K


K d=k K K K ( − f ) ⋅ v (k ) = 0 dt






K K K K K dk ⋅ ∇ kK E ( k ) = f ⋅ v ( k )dt





外力 f 在 dt 时间内对晶体中 k 态电子作的功为 f ⋅ v (k )dt ,根据功能原理,有


K

K


K E s (k ) = E sat − J 0 − 2 J 1 (cos k x a + cos k y a + cos k z a)

解:紧束缚近似下,简单立方晶体的 s 能带函数为


例题 5.1.1 对于简单立方晶体,在紧束缚近似下计算 s 能带 k 状态电子的速度和有效质量。



K

( m * ) −1
⎛ ∂2E ⎜ 2 ⎜ ∂k x ⎜ 1 = 2⎜ 0 = ⎜ ⎜ ⎜ 0 ⎜ ⎝


⎛ ∂2E ⎜ ⎜ ∂k x2 1 ⎜ ∂2E (m * ) −1 = 2 ⎜ = ⎜ ∂k y ∂k x ⎜ ∂2E ⎜ ⎜ ∂k ∂k ⎝ z x


∂2E ∂k x ∂k y ∂2E 2 ∂k y ∂2E ∂k z k y
(5.7)




(5.8)






代入式(5.6) ,得到

1 aα = 2 =







(5.9)


得 , 不
其中

K 1 1 ∂ 2 E (k ) ( * )αβ = 2 m = ∂kα ∂k β








(5.10)










若 k x 、 k y 、 k z 轴沿着张量的主轴方向,则张量的非对角元为零,倒有效质量张量是对角 化的
K
K
G
首先计算晶体电子的加速度

对于每一个分量


1 d G K K d G a = v(k ) = ∇ E (k ) = dt k dt
K K dk β ∂ ∂E (k ) 1 d ∂E (k ) 1 aα = = ∑ = dt ∂kα = β dt ∂k β ∂kα
K 1 ∂ 2 E (k ) f β = ∑ ( * )αβ f β ∑ m β β ∂k β ∂k α
第五章
晶体中电子在电场和磁场中的运动





5.1.1 晶体电子的运动速度


§5.1 晶体电子的准经典运动






能带 E (k ) 中的晶体电子,其运动速度为

G


G G G 1 v (k ) = ∇ kG E (k ) =





(5.1)





在一维情况下,简化为







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