《电力电子技术》复习题
电力电子技术复习题
《电力电子技术》一一、单选题1、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（D）。
A、30°～150°B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°2、已经导通的晶闸管被关断的条件是流过晶闸管的电流（B）。
A、减小至擎住电流以下B、减小至维持电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下3、直流斩波电路是一种（D）。
A、DC/ACB、AC/ACC、AC/DCD、DC/DC4、下列电路中，不可以实现有源逆变的是（C）。
A、三相桥式全控整流电路B、三相半波可控整流电路C、单相桥式可控整流电路外接续流二极管D、单相全波可控整流电路5、三相桥式全控整流电路中，晶闸管可能承受的正反向峰值电压（D）。
A、2U2B、U2C、U2D、U26、对于单相交交变频电路如下图，在t2~t3时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（B）。
A、P组阻断，N组逆变B、N组阻断，P组逆变C、P组阻断，N组整流D、N组阻断，P组整流7、只适用于全控型电力电子器件的换流方式为（A）。
A、器件换流B、负载换流C、强迫换流D、电网换流8、把两个晶闸管反并联后串联在交流电路中，在每半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制，可以方便地调节输出电压的有效值，这种电路称为（B）。
A、交流调功电路B、交流调压电路C、交流电力电子开关D、变频电路9、调制法是把希望输出的波形作为调制信号，把接受调制的信号作为载波，通过信号波的调制得到所期望的PWM波形。
通常采用（A）作为载波。
A、等腰三角波B、方波C、矩形波D、正弦波10、采用（B）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。
A、直流快速断路器B、快速熔断器C、过电流继电器D、过电流保护的电子电路二、填空题1、PWM控制就是对脉冲的（宽度）进行调制的技术，它的重要理论基础是（面积等效原理）。
电力电子技术复习资料_普通用卷
电力电子技术课程一单选题 (共37题，总分值37分 )1. 单相半控桥，带大电感负载，直流侧并联续流管的主要作用是（1 分）A. 防止失控现象B. 减小输出电压的脉动C. 减小输出电流的脉动D. 直流侧过电压保护2. 大大（1 分）A. dadasB. dadaC. dada3. 下列器件中为全控型器件的是（）。
（1 分）A. 双向晶闸管B. 快速晶闸管C. 光控晶闸管D. 功率场效应晶体管4. （1 分）A.B.C.D.5. 单相全控桥式带电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（1 分）A. 90°B. 120°C. 150°D. 180°6. 单相半控桥式无续流二极管带阻感性负载的整流电路中，整流晶闸管的导通角为（1 分）A. 60°B. 90°C. 120°D. 180°7. PWM斩波电路一般采用（）。
（1 分）A. 定频调宽控制B. 定宽调频控制C. 调频调宽控制D. 瞬时值控制8. （1 分）A.B.C.D.9. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（1 分）A. 0~90°B. 0~180°C. 90°~180°D. 180°~360°10. SPWM控制的逆变电路，输出SPWM波半周期包含25个脉冲波，设逆变器输出电压基波频率为400Hz，则电路开关管的工作频率为（1 分）A. 10kHzB. 20kHzC. 400HzD. 5kHz11. 按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（）（1 分）A. 全控型器件B. 半控型器件C. 不控型器件D. 电压型器件12. 将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是（1 分）A. 有源逆变器B. A/D变换器C. D/A变换器D. 无源逆变器13. （1 分）A.B.C.D.14.（1 分）A.B.C.D.15. 晶闸管的三个引出电极分别是（）（1 分）A. 阳极、阴极、门极B. 阳极、阴极、栅极C. 栅极、漏极、源极D. 发射极、基极、集电极16. 三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差（）度。
电力电子技术复习题
电力电子技术复习题一、单项选择题（请选出1个正确答案填入括号中）。
1．电子技术包括信息电子技术和（）技术两大分支。
A. 电力电子B.通信电子C.模拟电子D.数字电子答案：A2．在下列电力电子器件中属于半控型器件的是（）。
A.SCRB.GTRC. IGBTD. POWER MOSFET 答案：A3．具有擎住效应的全控器件是（）。
A.SCRB.GTRC. IGBTD. POWER MOSFET 答案：C4．电力电子技术中，DC-DC是什么变换？（）A. 整流B. 逆变C. 直流斩波D. 交流变换答案：C5．隔离型DC-DC变换器主要类型有（）、反激、桥式和推挽式。
A. 同向B. 反向C. 正激D. 反相答案：C6．逆变器的三种变换方式为方波变换、阶梯波变换和（）变换。
A. 余弦波B. 正弦波C. 三角波D. 正切波答案：B7．不控整流电路中的整流管为（）。
A. GTRB. 二极管 C . IGBT D. SCR答案：B8．变压器漏感对整流电路输出电压的影响，使得输出电压（）。
A、恒定B、不能确定C、变大 D.变小答案：D9．AC-DC变换器又可分为（）和有源逆变运行两种工作状态。
A、交流调压B、直流斩波C、逆变D、整流答案：D10．交流调压电路一般采用相位控制，其特点是维持（）不变，仅改变输出电压的幅值。
A、初相B、相位C、平均值D、频率答案：D11．按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，电力电子器件分为（）和电压驱动型。
A. 电流驱动型B.电子驱动型C.空穴驱动型D.电荷驱动型答案：A12．电力电子装置中会产生外因过电压和（）过电压。
A. 内因B.电源C. 负载D. 电阻答案：A13．缓冲电路分为关断缓冲电路和（）缓冲电路。
A. 开通B.电源C. 负载D. 吸收答案：A14．电力电子技术中，DC-AC是什么变换？（）A. 整流B. 逆变C. 直流斩波D. 交流变换答案：B15．隔离型DC-DC变换器主要类型有正激、（）、和桥式和推挽式。
电力电子技术复习题 _含答案)
12、 在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取 U2（）
13、 在单相桥式全控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形中没有负面积。
（）
14、 单相全控晶闸管整流电路中，带电感性负载，没有续流二极管时，导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。
（）
15、 三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。（ ）
2 晶闸管整流电路
2、 给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。 （ ）
3、 晶闸管导通后其电流趋向无穷大。
（）
4、 已经导通的晶闸管恢复阻断的唯一条件是 AK 极电源电压降到零或反向。（ ）
5、 晶闸管并联使用时，必须采取均压措施。 （ ）
6、 晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。 （ ）
7、 触发普通晶闸管的触发脉冲，也能触发可关断晶闸管。（ ）
合型 的 PWM 控制方法。 3、 正激电路和反激电路属于 13 励磁，半桥电路和全桥电路属于 14 励磁。 4、 开关电源大都采用 15 PWM 控制器.其原理方案分为 16 、 17 和 18 三类。 5、 试填写下列电路的名称
3 / 14
半桥电路 反激电路
正激电路 全桥电路
推挽电路
4、逆变电路
中，通常采用 规则采样法 来代替上述方法，在计算量大为减小的情况下得到的效果能够满足工程需要。
3. PWM 逆变电路３种目标控制： ７ 电压、 ８
电流和圆形磁链的 ９ 压 比较、 滞环电流比较 和 三角波比较。
5. 相电压正弦波叠加 3 次谐波构成 13 与三角波比较产生 PWM，可以提高 14 利用率并降低 15 。
2 / 14
致集电极电流增大，造成器件损坏。这种电流失控现象被称这 擎住 效应。 11、 IGBT 往往与 反并联 的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件 。 12、电力电子器件是在电力电子电路中是作为可控开关来用。电力电子器件是一种半导体开关，实际上是一种单 向单极开关。它不是理想开关，存在开关时间和开关暂态过程。开关时间尤其是关断时间限制了电力电子器件的 开关频率。 13、电力电子应用系统一般由控制电路、驱动电路和主电路组成一个系统。为了提高系统可靠性，还应加入电 压、电流检测电路和过压、过流保护电路并构成反馈闭环控制。 14.几乎所有的电力半导体器件均为 单向极性 开关。电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可 关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（Power MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中， 在可控的器件中，功率范围最大的是 SCR 晶体管 ，开关频率最高的是_PMOS 电力场效应管
电力电子技术期末复习题及其答案
第一章复习题1.使晶闸管导通的条件是什么？答：当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。
2．维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：（1）维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
（2）若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
3.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？答：（1）GTO在设计时，a2较大，这样晶体管v2控制灵敏，易于GTO关断；（2）GTO导通时a1+a2的更接近于1，普通晶闸管a1+a2≥1.5，而GTO则为约等于1.05，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制提供了有利条件；（3）多元集成结构每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得p2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
4．如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏？答：（1）一般在不用时将其三个电极短接；（2）装配时人体，工作台，电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地；（3）电路中，栅，源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高。
（4）漏，源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。
5.IGBT,GTR,GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？答：IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力电子技术复习题(整理版)
电力电子技术复习题(整理版)电力电子技术复习题一、填空题1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是：______极、______极和______极。
2、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是__________。
3、对于同一个晶闸管，其维持电流IH _______擎住电流IL（数值大小关系）。
4、在GTR和IGBT两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是_____，属于电流驱动的器件是___。
5、在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下，三相可控整流电路与单相可控整流电路比较，三相可控整流电路可获得__________的输出电压。
6、为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________。
7、把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_________，而把直流电能转换成交流电能称_________。
8、可关断晶闸管（GTO）的电流关断增益βoff 的定义式为βoff=___________，其值越______越好。
9、单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角θ=___________。
10、将直流电能转换为交流电能，并把交流电能直接提供给交流用电负载的逆变电路称为___________逆变器。
11、对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是过高，二是_______________。
12、晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为。
13、电压型单相桥式逆变电路中，与开关管反并联的二极管起着___________和防止开关器件承受反压的作用。
14、电力电子电路中为了实现主电路与控制电路的隔离，常采用的隔离方法有_________隔离和_________隔离。
15、单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始导通到关断之间的角度称为__________。
16、正弦脉宽调制(SPWM)的载波信号波形一般是_________波，基准信号波形为_________波。
电力电子复习资料
《电力电子技术》复习题一一、填空题（每空2分，共20分）1、电力电子技术包括（1）、（2）和（3）三个部分，它的研究任务是电力电子器件的应用。
2、电力电子的根本任务是实现电能的变换和控制，其基本形式可以分成四种，分别是（1）、（2）和（3）和（4）。
3、请填写下面各元件的英文简称，电力二极管（1）、晶闸管（2）。
4、请填写下面各元件的英文简称，功率晶体管（1）、绝缘栅双极型晶体管（2）。
5、按照电力电子器件的开关特性进行分类，可以分为（1）器件、（2）器件和（3）器件三类。
6、晶闸管的导通条件可以定性归纳为（1）和（2）。
7、对于晶闸管在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为（1）。
8、给晶闸管门极施加触发电压，当元件刚从阻断状态转为导通状态就撤除触发电压，此时元件维持导通所需的最小阳极电流称为（1）。
9、允许开关频率在400Hz以上工作的晶闸管称为（1），而开关频率在10kHz以上工作的晶闸管称为（1）。
10、双向晶闸管在结构和特性上可以看作是一对（1）的普通晶闸管。
11、GTR发生二次击穿必须同时具备三个条件，即（1）、（2）和（3）。
12、按照导电沟道的不同，电力MOSFET可以分为（1）和（2）两种。
13、IGBT有三个电极，分别是（1）、（2）和（3）。
14、型号为KS30-3的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5）V，额定电流为（6）A。
15、型号为KP20-5的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5），额定电流为（6）A。
16、型号为KK10-2的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5），额定电流为（6）A。
17、在逆变电路中，根据负载的特点进行分类包括（1）和（2）两类逆变电路。
18、绝缘栅双极晶体管是（1））和（1）复合，结合二者的优点19、三相全控控整流电路整流输出电压的脉动频率为（1）H Z。
20、将直流电能变为交流能输出至负载的逆变电路称为（1）。
电力电子技术复习题及答案
1、单相桥式半控整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（180）度。
15、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差（180度）。
2、α为（30度）时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
18、α=(60_)度时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路，输出负载电压波形处于连续和断续的临界状态。
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理（30º-35º）17、由晶闸管构成的可逆调速系统中，逆变角βmin选（300~350）时系统工作才可靠。
6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。
A、三相半波可控整流电路。
B、三相半控整流桥电路。
C、单相全控桥接续流二极管电路。
D、单相半控桥整流电路。
7、在有源逆变电路中，逆变角的移相范围应选（=35º~90º）为最好。
8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压（等于u U+u V的一半即：）9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。
请选择B。
11、下面哪种功能不属于变流的功能（C、变压器降压）13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（B、750V）14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是(0º-180°)16、可实现有源逆变的电路为(单相全控桥可控整流电路) 。
4、可实现有源逆变的电路为（三相半波可控整流电路）。
19、变流装置的功率因数总是(C、小于1 )。
20、变流器工作在逆变状态时，控制角α必须在(90°-150°)度。
21、三相半波可控整流电阻性负载电路，如果三个晶闸管采用同一相触发脉冲，α的移相范围D、0º--150º。
电力电子技术复习题
填空题填空题1.电压型三相桥式逆变电路中，采用180°导电控制方式时，同一相上、下两桥臂控制信号的相位差是_____。
2．GTO 的电流关断增益的电流关断增益 。
3.斩波电路中，通过保持开关导通时间不变，而改变开关周期来控制电路的方式称为而改变开关周期来控制电路的方式称为 。
4. 带阻感负载的三相桥式整流电路中，若°=60a ，则每个开关器件的导通角为，则每个开关器件的导通角为 。
5.带电阻负载的三相桥式全控整流电路，晶闸管触发角的移相范围是带电阻负载的三相桥式全控整流电路，晶闸管触发角的移相范围是 。
6. IGBT 是MOSFET 和 的复合，综合了二者的优点。
的复合，综合了二者的优点。
7. 电流型逆变电路中当交流侧为阻感负载时须提供无功功率，电流型逆变电路中当交流侧为阻感负载时须提供无功功率， 起缓冲无功能量的作用。
起缓冲无功能量的作用。
8. 三相桥式可控整流电路中的共阴极组的晶闸管的触发脉冲相位依次互差三相桥式可控整流电路中的共阴极组的晶闸管的触发脉冲相位依次互差___________________________度。
度。
度。
9. 晶闸管断态不重复峰值电压U DSM 和正向转折电压U bo 在数值关系是U DSM U bo 。
10.在PWM 控制电路中，载波比是控制电路中，载波比是 。
11. 零开关PWM 电路可以分为零电压开关PWM 电路和电路和 。
12．载波比是指．载波比是指 。
13. 带阻感负载的单相全控桥式整流电路，交流侧电流仅含有带阻感负载的单相全控桥式整流电路，交流侧电流仅含有 次谐波，且各次谐波有效值和谐波次数成反比。
次数成反比。
14. 电网频率为工频时，单相交交变频电路的输出上限频率约为电网频率为工频时，单相交交变频电路的输出上限频率约为 。
15. 在三相桥式全控整流电路中，电阻性负载，当控制角在三相桥式全控整流电路中，电阻性负载，当控制角 时，输出电压波形是断续的。
电力电子技术复习题
《电力电子技术》复习题A一、选择题1、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为________。
电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm 等于________，设U 2为相电压有效值。
2、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是________。
三相全控桥电阻电感负载，控制角α的最大移相范围是________。
3、三相交流调压电路中，控制角和调压器的工作状态有对应关系，当＿＿＿＿＿＿＿时电路全部是一类工作状态，＿＿＿＿＿＿＿时电路全部二类工作状态，当＿＿＿＿＿＿＿时电流临界断续。
4、在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿＿时，电流连续。
5、在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿＿时，电流连续。
6、单相半波桥式整流电路中，避免失控的最简单的方法是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
二、简答题1、半波整流电路和桥式整流电路的优缺点分别是什么？实际场合中哪个应用更多？2、用直流发电机-电动机模型介绍逆变的能量传递过程，以及逆变过程中，电动机电压固定时，其它各个参数的选择原则。
3、在忽略SMALL RIPPLE 的情况下，设计一个斩波电路将18V 固定直流电压升压到24V 到36V 可调的直流电压。
4、介绍交流调压电路中，什么是电压调制、什么是能量调制？各自有什么特点？三、计算题1、单相桥式半控整流电路，由220V 给变压器供电，负载为大电感和电阻，并接有续流二极管，要求输出整流电压20～80V 连续可调，负载电流最大为20A ，最小控制角 30min =α试回答：1) 画出电路原理图，画出u d 、i v11波形（α＝30°时）2)计算变压器变比、电阻阻值。
3)计算整流二极管的电流平均值2、三相半波可控整流电路，反电动势阻感负载，U2=100V，R=1Ω，L=∞，当α＝30°、E=50V时求Ud、Id，画出电路原理图和ud、 iT的波形。
电力电子技术复习题
《电力电子技术》期末复习题一、选择题1．晶闸管内部有C PN结。
A、一个，B、二个，C、三个，D、四个2．IGBT是一个复合型的器件，它是 B 。
A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO3．为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入 B 。
A、三极管B、续流二极管C、保险丝。
4．普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的 C 来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值5．单相半控桥式整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 A 度。
A、180°B、60°，c、360° D、120°6．α为 C 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A、0度B、60度C、30度，D、120度，7．下面哪种功能不属于变流的功能（C ）A、有源逆变B、交流调压C、变压器降压D、直流斩波8．三相半波可控整流电路的自然换相点是( B )A、交流相电压的过零点；B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处；C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°；D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。
9．变流装置的功率因数总是 C 。
A、大于1；B、等于1；C、小于1；10．变流器工作在逆变状态时，控制角α必须在 D 度。
A、0°~90°；B、30°~120°；C、60°~150°；D、90°~150°；11．三相半波可控整流电阻性负载电路，如果三个晶闸管采用同一相触发脉冲，α的移相范围 D 。
A、0º~60º；B、0º~90º；C、0º~120º；D、0º~150º；12．在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是A 。
电力电子技术
电力电子技术复习题填空题1.标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。
2.晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3.多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4.在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5.型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。
°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7.当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8.常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）9.普通晶闸管内部有两个PN结，外部有三个电极，分别是阳极A 、阴极K 和门极G 。
10.晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。
11.晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向导通状态和反向阻断状态。
12.当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。
13.晶体管触发电路的同步电压一般有正弦波同步电压和锯齿波电压。
14.按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载，电感性负载和反电动势负载三大类。
15.双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种16.在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
17.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120°。
《电力电子技术 》复习资料
一卷一、选择题1．单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的作用是（ D ）。
A、增加晶闸管导电能力；B、抑制温漂；C、增加输出稳定性；D、防止失控现象产生。
2．三相桥式PWM逆变电路中的六个光耦需要隔离电源的个数为（ C ）A．6个 B． 3个 C．4个D．1个3．三相桥式可控整流电路带阻感负载时角α的移相范围是（ B ）A．0-120° B．0-90° C．0-180° D．0-150°4．对于IGBT为功率器件的两电平电压型三相逆变电路，当控制其各相对直流电源中点电压波形为方波时，其换流方式为（ A ）A．纵向换流 B．横向换流 C．强迫换流 D．电网换流5．基本DC-DC斩波电路中，功率开关器件与输入直流电源共地的是（ B ）A．BUCK斩波电路 B．Cuk斩波电路 C．升降压斩波电路 D．Zeta斩波电路6．单相交流调压电路，阻感负载参数为R=0.5Ω，L=2mH，其α移相范围为（ D ）A．0－180° B．27.62°－180° C．30°－180° D．51.49°－180°7．PN结正向电流较小时表现为较高的欧姆电阻，正向电流较大时，由于载流子浓度骤升表现为很小的非线性电阻，PN结的这种特性称为（ C ）A．齐纳击穿 B．雪崩击穿 C．电导调制D．电容效应8．下列器件属于电压驱动型功率器件的是（ D ）A．SCR B．GTO C．GTR D．IGBT9．同步整流电路中通常利用具有低导通电阻性质的（ B ）来替代高频整流二极管。
A．IGBT B．MOSFET C．肖特基二极管D．快恢复二极管10．在PWM逆变电路的正弦波调制信号为鞍形波的目的在于（ B ）。
A、消除谐波分量；B、提高直流电压利用率；C、减少开关次数；D、削弱直流分量。
二、填空题1．请在空格内写出下面元件的字母简称：晶闸管SCR；绝缘栅双极晶体管IGBT ；智能功率模块 IPM ；功率因数校正 PFC 。
电力电子技术_复习题
《电力电子技术》复习题一、名词解释1、电力电子变流技术2、斩波控制3、直接变频器4、全控型器件5、转折电压6、无源逆变7、驱动电路8、电流源型逆变器9、电压源型逆变器10、全控型器件二、判断题1.在电力电子技术中，电力电子器件工作在放大状态。
2.根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端间有效信号波形，可将电力电子器件（电力二极管除外）分为脉冲触发型和电平控制型。
3.半波可控整流电路，大电感负载不加续流二极管，输出电压波形中没有负向面积。
4.无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。
5. 单相全控桥式整流电路可用于有源逆变。
（）6.单相半波可控整流电路属单脉波整流电路。
（）7.整流电路按电路组成器件可分为单相和多相两类。
（）8.单相全控桥式整流电路可用于有源逆变。
（）9、三相桥式全控整流电路，输出电压波形的脉动频率是150HZ。
（）10、在普通晶闸管组成的全控整流电路中，带电感性负载，没有续流二极管时，导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。
（）11、在桥式半控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形中没有负面积。
（）12、提高电力电子装置的工作频率，可以使电力电子装置的体积和重量减小。
（）13、无源逆变电路，是把直流电能逆变成交流电能，送给电网，（）三、读图题1 写出下列电路符号的名称或简称。
（a） (b)(c) (d)2．画出单结晶体管的电路符号及伏安特性；说明单结晶体管的导通条件和截止条件。
3．在第1题所给的器件中，哪些属于自关断器件？四、简答题1、晶闸管导通和关断条件是什么？2、有源逆变实现的条件是什么？3、什么是逆变失败，造成逆变失败的原因有哪些？4、电压型逆变器与电流型逆变器各有什么样的特点？5、换流方式有哪几种？分别用于什么器件？6、什么是直流斩波电路？7、单相全波与单相全控桥从直流输出端或从交流输入端看均是基本一致的，两者的区别？8、桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中，当负载分别为电阻负载。
电力电子技术考试复习题
电力电子技术复习题1第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术复习题
一、选择题1.晶闸管的伏安特性是指。
（ C ）A.阳极电压与门极电流的关系B.门极电压与门极电流的关系C.阳极电压与阳极电流的关系D.门极电压与阳极电流的关系2.可关断晶闸管的文字符号是。
（ A ）A. GTOB.GTRC.P-MOSFETD. IGBT3.下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是。
（ D ）A. GTO和SCRB.GTR和电力二极管C.GTR和SCRD. GTO和GTR4.单相半波可控整流电路，阻性负载，控制角α的最大移相范围是0°～。
（ D ）A.90°B.120°C.150°D.180°5. 关于有源逆变的条件，表述正确的是。
（ A ）A要有直流电动势，其极性和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压B要有直流电动势，其极性和晶闸管的导通方向相反，其值应大于变流电路直流侧的平均电压C要有直流电动势，其极性和晶闸管的导通方向一致，其值应小于变流电路直流侧的平均电压D要有直流电动势，其极性和晶闸管的导通方向相反，其值应小于变流电路直流侧的平均电压6.升压斩波电路能使输出电压高于电源电压的关键原因是电感L储能泵升和。
（ C ）A. VD的单相导电B.开关V的通断特性C.电容C的电压保持D. 电容C的“通交隔直”性7.利用晶闸管投切电容器控制无功功率，一般采用是控制电路。
（ C ）A.交流调压控制电路B.交流调功控制电路C.交流电力电子开关D.交交变频电路8．一交流单相晶闸管调压器用作控制从220V交流电源送至电阻为2Ω，感抗为2Ω的串联负载电路的电压，则稳态时控制角移相范围是。
（ C ）A. 00~1800B. 300~1800C. 450~1800D. 600~18009.逆变电路是 。
（ B ）A.AC/DC 变换器B.DC/AC 变换器C.AC/AC 变换器D.DC/DC 变换器10.电压型逆变器，交流侧电压波形为 。
电力电子专业技术复习题整理版
电力电子技术复习题(整理版)————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：电力电子技术复习题一、填空题1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是：______极、______极和______极。
2、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是__________。
3、对于同一个晶闸管，其维持电流I H _______擎住电流I L （数值大小关系）。
4、在GTR 和IGBT 两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是_____，属于电流驱动的器件是___。
5、在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下，三相可控整流电路与单相可控整流电路比较，三相可控整流电路可获得__________的输出电压。
6、为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________。
7、把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_________，而把直流电能转换成交流电能称_________。
8、可关断晶闸管（GTO ）的电流关断增益βoff 的定义式为βoff =___________，其值越______越好。
9、单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角θ=___________。
10、将直流电能转换为交流电能，并把交流电能直接提供给交流用电负载的逆变电路称为___________逆变器。
11、对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是 过高，二是_______________。
12、晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为 器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为 。
13、电压型单相桥式逆变电路中，与开关管反并联的二极管起着___________和防止开关器件承受反压的作用。
14、电力电子电路中为了实现主电路与控制电路的隔离，常采用的隔离方法有_________隔离和_________隔离。
电力电子技术考试复习资料
一、单选题1.单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断答案： B2.要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。
A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压答案： A3.单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）度。
A、180°B、60°C、360°D、120°答案： A4.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止答案： B5.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( )A、功率晶体管B、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管答案： D6.二极管两端加上正向电压时（）。
A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通答案： B7.为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路答案： B8.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )A、电容B、电感C、蓄电池D、电动机答案： B9.可在第一和第四象限工作的变流电路是( )A、三相半波可控变电流电路B、单相半控桥C、接有续流二极管的三相半控桥D、接有续流二极管的单相半波可控变流电路答案： A10.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )A、大功率三极管B、逆阻型晶闸管C、双向晶闸管D、可关断晶闸管答案： B11.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFET答案： C12.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关( )A、α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB、α以及负载电流IdC、α和U2D、α、U2以及变压器漏抗XC答案： A13.在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。
电力电子技术复习题库
电力电子技术一、选择题1.分压式共射放大电路如下图所示。
若更换晶体管使β由50变为100，则电路的电压放大倍数A. 约为原来的一半B. 基本不变C. 约为原来的2倍D. 约为原来的4倍（）2.用一只伏特表测量一只接在电路中的稳压二极管的电压，读数只有0.7 伏，这种情况表明该稳压二极管A. 工作正常B. 接反C. 处于击穿状态D. 以上各项都不是（）3.晶体管工作在放大区时的偏置状态为A. b与e极，b与c极间均正向偏置B. b与e极，b与c极间均反偏C. b与e极间正偏，b与c极间反偏D. b与e极间反偏，b与c极间正偏4.二极管的伏安特性反映了（）A. I D与V D之间的关系B. 单向导电性C. 非线性D. 以上各项都不是（）5.直流稳压电源中的滤波电路的目的是A．将交流变成直流B．将高频变成低频C．将交、直流混合量中的交流成分滤掉D. 以上各项都不是（）6.基本共射放大电路如下图所示，当输入电压为1kHz、5mV的正弦电压时，输出电压出现了顶部削平的波形。
为了消除失真应A. 减小集电极电阻R cB. 改换β小的管子C. 增大基极偏置电阻R bD. 减小基极偏置电阻R b（）7.单相半波整流电路接上电容滤波后A．输出电压不变B．输出电压升高C．整流二极管承受的反向电压降低D．二极管导电时间变长（）8.晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于A. 发射结正偏、集电结反偏B. 发射结正偏、集电结正偏C. 发射结反偏、集电结正偏D. 发射结反偏、集电结反偏（）9.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的A. 电子B. 空穴C. 三价硼元素D. 五价锑元素（）10.在下图所示电路中，已知稳压管Dz的稳定电压V Z = 5V。
流过稳压管的电流I Z为A. 5mAB. 10mAC. 20mAD. 40mA （）11.如图并联型稳压电路中，电阻R的作用是A. 限流降压B. 产生热量C. 决定振荡频率D. 不起作用（）12.在一个NPN管组成的基本共发射极放大电路中，当输入电压为正弦波时，输出电压波形出现了正半周削顶，这种失真是A. 饱和失真B. 截止失真C. 交越失真D. 频率失真（）13.由理想二极管组成的电路如下图所示，其A，B两端的电压应为A. –12VB. –6VC. +6VD. –12V （）14.利用基本放大电路的微变等效电路只可求该放大电路的A. 电压放大倍数B. 静态工作点C. 输入电阻和输出电阻D. 电压放大倍数、输入电阻和输出电阻（）二、填空题15.小功率直流电源一般由电源变压器、整流、、四部分组成，16.在共射极接法时，三极管的交流电流放大倍数β= 。
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《电力电子技术》复习题一、是非题1、表示各种电力半导体器件的额定电流，都是以平均电流表示的。
（╳）2、对于门极可关断晶闸管，当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通，当门极加上足够的负触发脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。
（）3、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流，称为该管的维持电流。
（╳）4、在规定条件下，不论流过晶闸管的电流波形如何，也不论晶闸管的导通角是多大，只要通过管子的电流的有效值不超过该管额定电流的有效值，管子的发热就是允许的。
（）5、三相半波可控整流电路的最大移相范围是0°～180°。
（╳）6、无源逆变是将直流电变换为某一频率或可变频率的交流电供给负载使用。
（）7、正弦波脉宽调制（SPWM）是指参考信号为正弦波的脉冲宽度调制方式。
（）8、直流斩波器可以把直流电源的固定电压变为可调的直流电压输出。
（）9、斩波器的定频调宽工作方式，是指保持斩波器通端频率不变，通过改变电压脉冲的宽度来使输出电压平均值改变。
（）10、电流型逆变器抑制过电流能力比电压型逆变器强，适用于经常要求起动、制动与反转拖动装置。
（）11、三相桥式全控整流大电感负载电路工作于整流状态时，其触发延迟角的最大移相范围为0°～90°。
（）12、额定电流为100A的双向晶闸管与额定电流为50A两只反并联的普通晶闸管，两者的电流容量是相同的。
（╳）13晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
（）14、在SPWM调制方式的逆变器中，只要改变参考信号正弦波的幅值，就可以调节逆变器输出交流电压的大小。
（）15在SPWM调制方式的逆变器中，只要改变载波信号的频率，就可以改变逆变器输出交流电压的频率（╳）16、若加到晶闸管两端电压的上升率过大，就可能造成晶闸管误导通。
（）二、选择题1、双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号 D 。
A.均为电压控制B.均为电流控制C.双极性晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D.双极性晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制2、GTR的主要缺点之一是 D 。
A.开关时间长B.高频特性差C.通态压降大D、有二次击穿现象3、当阳极和阴极之间加上正向电压而门极不加任何信号时，晶闸管处于B 。
A.导通状态B.关断状态C.不确定状态4、晶闸管触发导通后，其门极对电路 B 。
A.仍有控制作用B.失去控制作用C.有时仍有控制作用5、对于一个确定的晶闸管来说，允许通过它的电流平均值随导电角的减小而 B 。
A.增加B.减小C.不变6、如果对可控整流电路的输出电流波形质量要求较高，最好采用 A 滤波。
A.串平波电抗器B.并大电容C.串大电阻7、晶闸管整流电路中“同步”的概念是指 C 。
A.触发脉冲与主电路电源电压同时到来，同时消失B.触发脉冲与电源电压频率相同C.触发脉冲与主点路电源电压频8、带续流二极管的单相半控桥式整流大电感负载电路，当触发延迟角等于 C 时，流过续流二极管电流的平均值等于流过晶闸管电流的平均值。
°°°9、三相半波可控整流电路带电阻负载时，每只晶闸管的最大导通角为 D 。
°°°°10、三相半波可控整流电路带阻性负载时，当触发延迟角大于 A时，输出电流开始断续。
°°11、在三相半波可控整流电路中，当负载为电感性时，在一定范围内若负载电感量越大，则 D 。
A.输出电压越高B.输出电压越低C.导通角越小D.导通角越大12、带感性负载的可控整流电路加入续流二极管后，晶闸管的导通角比没有二极管前减小了，此时电路的功率因数 A 。
A.提高了B.减小了C.并不变化13、在需要直流电压较低、电流较大的场合，宜采用 D 整流电源。
A.单相桥式可控B.三相桥式可控C.三相桥式全控D.带平衡电抗器三相双反星形可控14、带平衡电抗器三相双反星形可控整流电路中，每只晶闸管流过的平均电流是负载电流的D 。
2倍 3倍4倍 6倍15、三相桥式半控整流电路中，每只晶闸管流过的平均电流是负载电流的 C 。
倍 2倍 3倍 6倍16、三相全控桥式整流电阻性负载电路中，整流变压器二次相电压的有效值为U2，当触发延迟角的变化范围在30°～60°之间时，其输出平均电压为U d=B 。
A. 1.17U2cosB. cosC. Ud=[1+cos (60°+ )]D. sin17、晶闸管三相串联二极管式电流型逆变器是属于 A 导通型。
°°18、要想使正向导通着的普通晶闸管关断，只要 C 即可。
A.断开门极B.给门极加反压 C.使通过晶闸管的电流小于维持电流19、三相半波可控整流电路带电阻负载时，其触发延迟角的移动范围是 B 。
°～120°B. 0°～150°C. 0°～180°20、三相桥式半控整流电路中，每只晶闸管承受的最高正反向电压为变压器二次相电压的 C 。
A.√‾2倍B.√‾‾3倍C.√‾2 X √‾3倍√‾3倍21、带平衡电抗器三相双反星形可控整流电路中，平衡电抗器的作用是使两组三相半波可控整流电路D 。
A.相串联B.相并联C.单独输出D.以180°相位差相并联三、简答题：1.电力晶体管（GTR）有哪些特点答：电力晶体管（GTR）是一种双极型大功率晶体管，属于电流控制型器件。
由于大电流时，GTR会产生大电流效应，导致放大倍数减小，因此在结构上常采用达林顿结构。
其特点是：导通压降低，所需的驱动电流大，使用在感性负载或开关频率较高时必须设置缓冲电路，且过载能力差，易发生二次击穿。
2.电力场效应晶体管（MOSFET）有哪些特点答：电力场效应管（MOSFET）是一种单极型大功率晶体管，属于电压控制型器件。
其主要优点是基本上无二次击穿现象，驱动功率小，开关频率高，输入阻抗大，易于并联和保护。
缺点是导通压降较大，限制了其电流容量的提高。
3.为什么选用了较高电压、电流等级的晶闸管还要采用过电压、过电流保护答：因为电路发生短路故障时的短路电流一般都很大，而且电路中各种过电压的峰值可达到电源电压幅值的好几倍，所以电路中一定要设置过电流、过电压保护环节。
此外，大电流，高电压的晶闸管比较昂贵，也需要提供必要的保护。
4.在晶闸管交流调压调速电路中，采用相位控制和通断控制各有何优缺点答：在晶闸管交流调压调速电路中，采用相位控制时，输出电压较为精确、调速精度较高，快速性好，低速时转速脉动较小，但会产生谐波，对电网造成污染。
采用同断控制时，不会产生谐波污染，但电动机端电压变化剧烈，转速脉动较大。
5．实现有源逆变的条件是什么答：实现有源逆变的条件时：（1）变流电路直流侧必须有直流电源E g，且其值要略大于U d,为逆变提供能量；（2）变流电路必须工作在β﹤90o（即α﹥90o）区域，使U d﹤0，才能把直流电能逆变为交流电能。
上述两个条件，缺一不可，同时逆变电路需要串联平波电抗器。
5.绝缘栅双极晶体管（IGBT）有哪些特点答：结缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种由单极性的MOSFET和双极型晶体管复合而成的器件。
它兼有MOSFET和GTR二者的优点，属于电压型驱动器件。
其特点是：输入阻抗高，驱动功率小；工作频率高，导通压降低，功耗小。
IGBT 是一种很有发展前途的新型电力半导体器件，在中、小容量的电力电子应用方面大有取代其它全控型器件的趋势6.电力场效应晶体管（MOSFET）有哪些特点答：电力场效应管（MOSFET）是一种单极型大功率晶体管，属于电压控制型器件。
其主要优点是基本上无二次击穿现象，驱动功率小，开关频率高，输入阻抗大，易于并联和保护。
缺点是导通压降较大，限制了其电流容量的提高。
7.额定电流为100A的双向晶闸管，可以用两只普通晶闸管反并联来代替，若使其电流容量相等，普通晶闸管的额定电流应是多大答：双向晶闸管的额定电流与普通晶闸管不同，是以最大允许有效电流来定义的。
额定电流100A的双向晶闸管，其峰值为141A，，而普通晶闸管的额定电流是以正弦半波平均值表示，因此，峰值为141A的正弦半波，它的平均值为A45π。
所以一个100A/141≈的双向晶闸管可以用两个45A的普通晶闸管来代替。
8.在脉冲宽度调制（PWM）技术中，脉冲宽度可以通过何种电路来实现调制答：在脉宽调制（PWM）技术中，脉冲宽度可以提高一个比较器来实现，即用一个三角波（调制信号）与一个直流控制电压（参考信号）进行比较，比较器输出电压的极性由这两个比较电压的差值的正负来决定。
这样改变控制电压的大小，即可以改变两个电压的交点位置，也就是改变输出电压极性的位置，从而改变正、负脉冲的宽度9.电流型逆变器有何特点答：电流型逆变器的直流电源经大电感滤波，直流侧可近似的看成恒压源。
逆变器输出的电流波形为矩型波，电压波形为近似的正弦波，该逆变器抑制过电流的能力很强，特别适用于频繁启动和加、减速的电动机负载。
四、计算题：1、单相半控桥式整流电路带电阻性负载，已知U1=220V，R d=4，要求整流电路的直流输出电流I d在0～25A之间变化，求（1）变压器的电压比；（2）若导线允许电流密度J=5A，求连接负载导线的截面积；（3）若考虑晶闸管电压、电流取2倍的裕量，选择晶闸管型号；（4）忽略变压器励磁功率，求变压器的容量；（5）计算负载电阻R d 的功率；（6）计算电路的功率因数。
1. 解：（1）V V R I Ud d d 100425max max =⨯== V U U d 1119.02== 211122021≈==U U K (2)当α＝0时，整流电路的输出最大。
A A I I K I d d f 75.272511.111.1=⨯=== 26.5575.27MM J I S ≈== (3)A A I I T AV T 25225257.12)(=⨯=⨯≥ 取A I AV T 30)(=V V U U U TM RM 314111222222=⨯⨯=⨯=≥ 取VU RM 400= 因此选择晶闸管的型号为：KP30－4（4）A KV I U IU S ⋅≈⨯===08.375.27111222 取A KV S ⋅=3 (5)KW W R I Pd Rd 08.3475.2722=⨯== (6)12sin 21cos =-+=παπαπϕ （当α＝0时）2、三相全控桥式整流电路带大电感负载，已知三相整流变压器的二次绕组接成星形，整流电路输出U d 可从0～220V 之间变化，负载的L d =，R d =4，试计算（1）整流变压器的二次线电压U 2l ；（2）晶闸管电流的平均值I T(AV)、有效值I T 及晶闸管可能承受的最大电压U TM ；（3）选择晶闸管型号 （晶闸管电压、电流裕量取2倍）。