可控硅参数说明及中英文对照表完整版

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晶闸管（可控硅）参数符号说明

晶闸管（可控硅）参数符号说明晶闸管(可控硅)参数符号说明以下参数符号说明的1～11符合1985年颁布的国家标准GB4940-851、断态及反向重复峰值电压VDRM和VRRM控制极断路，在⼀定的温度下，允许重复加在管⼦上的正向电压为断态重复峰值电压，⽤VDRM表⽰。

这个数值是不重复峰值电压VDSM的90％，⽽不重复峰值电压即为正向伏安特性曲线急剧弯曲点所决定的断态峰值电压。

反向重复峰值电压⽤VRRM表⽰，它也是在控制极开路条件下，规定⼀定的温度，允许重复加在管⼦上的反向电压，同样，VRRM为反向不重复峰值电压VRSM的90％。

“重复”是指重复率为每秒50次．持续时间不⼤于10ms。

VDRM和VRRM随温度的升⾼⽽降低，在测试条件中，将对温度作严格的规定。

⽣产⼚把VDRM和VRRM中较⼩的⼀个数值作为管⼦的额定电压。

2、断态漏电流IDRM和反向漏电流IRRM对应VDRM和VRRM的漏电流为断态漏电流和反向漏电流，分别⽤IDRM 和IRRM表⽰。

这个数值⽤峰值表⽰。

3、额定通态电流IT在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，在单相⼯频(即50Hz)正弦半波电路中，导通⾓为不⼩于170°，负载为电阻性，当结温稳定且不超过额定结温时，管⼦所允许的最⼤通态电流为额定通态电流。

这个值⽤平均值和有效值分别表⽰。

4、通态电压VTM在规定环境温度和标准散热条件下，管⼦在额定通态电流IT时所对应的阳极和阴极之间的电压为通态电压，即⼀般称为管压降。

此值⽤峰值表⽰。

这是⼀个很重要的多数，晶闸管导通时的正向损耗主要由IT与VTM之积决定，希望VTM越⼩越好。

5、维持电流IH在室温下，控制极开路，晶闸管被触发导通后，维持导通状态所必须的最⼩电流。

也就是说，在室温下，在控制极回路通以幅度和宽度都⾜够⼤的脉冲电流，同时在阳极和阴极之间加上电压，使管⼦完全开通。

然后去掉控制极触发信号，缓慢减⼩正向电流，管⼦突然关断前瞬间的电流即为维持电流。

可控硅型号与参数表

可控硅型号与参数表描述一．可控硅简介可控硅是一种大功率电器元件，也称晶闸管。

它具有体积小、效率高、寿命长等优点。

在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。

它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

可控硅图结构、外形和图形符可控硅的三个电极分别叫阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。

当器件的阳极接负电位（相对阴极而言）时，从符号图上可以看出PN 结处于反向，具有类似二极管的反向特性。

当器件的阳极上加正电位时（若控制极不接任何电压），在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。

但当正电压大于某个电压（称为转折电压）时，器件迅速转变到低阻通导状态。

加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。

此时如果在控制极上加有适当大小的正电压（对阴极），则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。

可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。

就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。

图3-30是可控硅的伏安特性曲线。

图中曲线I为正向阻断特性。

无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压（UB0）；当有控制极信号时，正向转折电压会下降（即可以在较低正向电压下导通），转折电压随控制极电流的增大而减小。

当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。

曲线Ⅱ为导通工作特性。

可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。

若阳极电压减小（或负载电阻增加），致使阳极电流小于维持电流IH时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。

曲线Ⅲ为反向阻断特性。

当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通（只有很小的漏电流）。

只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。

可控硅参数说明(精)

符号说明:VRRM--反向重复峰值电压:在控制极断路和额定结温的条件下,可以重复加在可控硅上的交流电压。

此电压小于反向最高测试电压100V。

反向最高测试电压,规定为反向漏电流急速增加,反向特性曲线开始弯曲时的电压。

V RSM--反向不重复峰值电压;在控制极断路和额定结温的条件下,不允许加在可控硅上的交流电压。

V DRM――断态重复峰值电压;断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H,每次持续时间不超高10ms。

规定断态重复峰值电压V DRM为断态不重复峰值电压(即断态最大瞬时电压UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。

IT(AV/ IF(AV--通态/正向平均电流;在环境温度+40℃和额定结温下,导通角不小于170°阻性负载电路中,允许通过的50Hz正弦半波电流的平均值。

I T(RMS, I F(RMS――通态/正向方均根电流;是指在额定结温,允许流过器件的最大有效电流值,用户在使用中须保证,在任何条件下流过器件的电流有效值,不超过对应壳温下的方均根电流值I TSM,I FSM--通态/正向浪涌电流;指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流(半个正弦波t=10ms, 50HzI2t--表示可控硅所通过的电流产生的能量,是电流的平方乘以时间,表示可控硅的发热特性。

P GM--门极峰值功率;门极触发电压与最大触发电流的乘积;P G(AV --门极平均功率;门极触发电压与正常触发电流的乘积;di/dt--通态电流临界上升率;指在额定结温下,可控硅能承受的最大通态电流上升率(如果电流上升太快,可能造成局部过热而使可控硅损坏V ISO--绝缘电压;芯片与可控硅的底板之间的绝缘电压。

Tj--工作结温;可控硅在正常工作条件下允许的PN结温度。

Tjm--额定结温;可控硅在正常工作条件下允许的最高PN结温度。

可控硅参数说明及中文英文对照表

文
引脚到外壳最大绝缘电压
-
V
PG(AV)
Average gate power dissipation
门极平均散耗功率
-
W
PGM
Peak gate power
门极最大峰值功率
-
W
PG(AV)
Average Gate Power
门极平均功率
-
W
Tj
OperatingJunctionTemperatureRange
A
VTM
Peak on-state voltage drop
通态峰值电压
指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。
V
IDRM
Maximum forward or reverse leakage current
A/ms
dVCOM/dt
Critical rate of change of commutating voltage
临界转换电压上升率
切换电压上升率dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率（dVCOM/dt）若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出。
V
dV/dt
Critical Rate of Rise of Off-state Voltage
断态临界电压上升率
dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容，如图2所示。我们知道dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发

可控硅参数说明及中英文对照表

A/μs
VDRM
Repetitive peak off-state voltage
断态重复峰值电压
断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压DRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压bo，所留裕量大小由生产厂家自行规定。UU
A
IGM
Forward Peak Gate Current
门极峰值电流
-
A
I2T
Circuit Fusing Consideration
周期电流平方时间积
-
A2ses
dIT/dt
Repetitive rate of rise of on-state current after triggering (IGT1~IGT3)
mA
IH
Holding Current
维持电流
维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。
mA
IL
Latching Current (IGT3)
接入电流(第三象限)/擎住电流
擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2--4倍。
mA
ID
Off-state leakage current
断态漏电流
-
mA
VGT
Triggering gate voltage
门极触发电压
—可以选择Vgt 25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选择时β取1~倍即可。

可控硅的主要参数

可控硅可控硅是硅可控整流元件的简称，亦称为晶闸管。

具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。

该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。

家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。

按其工作特性，可控硅（THYRISTOR)可分为普通可控硅（ SCR）即单向可控硅、双向可控硅（ TRIAC)和其它特殊可控硅。

可控硅的主要参数非过零触发 - 无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过可控硅的主要参数1、额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳极 --- 阴极间可以连续通过的50 赫兹正弦半波电流的平均值。

2 、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。

可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

3 、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。

使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

4 、控制极触发电流 Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极--- 阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。

5 、维持电流 IH 在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。

近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

可控硅的触发过零触发 - 一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。

非过零触发 - 无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。

可控硅的主要参数

可控硅的常用封装形式
常用可控硅的封装形式有TO-
92、TO-
126、TO-
202AB、TO-
220、TO-
220AB、TO-3P、SOT-
89、TO-
251、TO-252等。改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。
单向可控硅参数_单向可控硅管的主要参数
一、单向可控硅参数_额定通态平均电流IT（AV）
di/dt--通态电流临界上升率
Rthjc--结壳热阻
VISO--模块绝缘电压
Tjm--额定结温
VDRM--通态重复峰值电压
IRRM--反向重复峰值电流
IF(AV)--正向平均电流
单向可控硅-SCRs器件型号MCR100-6
封装形式:
TO-92Package→
脚位排列:
C-G-A
主要参数:
电流-IT(RMS):
可控硅的主要参数
非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过可控硅的主要参数
1、额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
3、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
4、控制极触发电流Ig
1、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5、维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。

可控硅型号与参数表

可控硅型号与参数表平板型晶闸管型号与参数Type VDR M IT(A V) tq tg t fM VTMIGT VGTIDR MIH Tj m ITS M I2tdv/dt di/dt Rth jc 外形VRR M@85℃ @100℃ @ITM (ma x) (ma x) IRR M (ma x) @10ms @10m s (mi n) @ fM (ma x)30V/μS(max)(mi n)(V) (A) (μS) (μS) KH Z (V/A) (mA ) (V) (mA ) (mA ) ℃ (KA ) (KA2S) (V/μS) (A/μS)(℃/W)KG50-19KA7 600-1200 50 ≤12 ≤2.520 3.1/150 150 1.8 ≤15 20-150 115 0.94 5 500 100 0.11KA1KG50-19KT18 600-1200 50 ≤12 ≤2.520 3.1/150 150 1.8 ≤15 20-150 115 0.94 5 500 1000.11 KT18 KG100-30KA2 600-1200 100 ≤12 ≤2.520 3.1/300 150 2 ≤20 20-200 115 1.9 18 500 100 0.08 KA2 KG100-30KT1 600-1200 100 ≤12 ≤2.520 3.1/300 150 2 ≤20 20-200 115 1.9 18 500 100 0.08 KT1 KG200-35KA3600-1600 200 ≤18 ≤3 10 3.0 /600 200 2 ≤25 20-300 115 2.4 29 500 200 0.05 KA3 KG200-35KT19 600-1600200 ≤18 ≤3 10 3.0 /600 200 2 ≤25 20-300 115 2.4 29 500 2000.05 KT19 KG300600300 ≤18 ≤10 3.0 200 2 ≤20-113.6 65 500 200 0.0KA4-40KA4 -1600 3 /900 30 350 5 4KG300-40KT5600-1600 300 ≤18 ≤3 10 3.0 /900 200 2 ≤30 20-350 115 3.6 65 500 200 0.04 KT5 KG500-45KA5600-1200 500 ≤18 ≤3 10 3.0/1500 200 2.5 ≤40 20-350 115 6 180 800 200 0.026 KA5 KG500-45KT6600-1600 500 ≤18 ≤3 10 3.0 /1500 200 2.5 ≤40 20-350 115 6 180 800 200 0.026 KT6 KG800-50KT7600-1400 800 ≤18 ≤3 10 3.0 /2400 250 2.5 ≤50 20-350 115 9.6 460 800 300 0.022 KT7 KG1000-55KT7600-1400 1000 ≤18 ≤3 10 3.0/3000 250 2.5 ≤60 20-350 115 12 720 1000 300 0.02 KT7 KG1200-55KT14 600-1200 1200 ≤18 ≤3 10 3.0 /3000 250 2.5 ≤60 20-350 115 14 1000 1000 3000.015 KT14KK5A —100A 螺栓型快速晶闸管TypeVDR M IT(A V) Tq VTM IGT VGTIDR M IH Tjm ITSM I 2t dv/d t di/d t Rthj c 外形VRR MIRR M推荐@85℃@100℃ @ITM (max ) (max ) (max ) @10m s @10ms (min ) (min ) (max )散热器30V/μS (max) (V) (A) (μS) (V/A) (mA) (V) (mA ) (mA) ℃ (A) (KA2S) (V/μS) (A/μS) (℃/W) 型号KK5-KL6 500- 5 ≤20 2.4 /15 70 2 ≤5 60 100 90 0.04 200 2.5 K L6SZ141600 KK10-KL10500-1600 10 ≤202.4/301002 ≤8 100 100 180 0.18 200 501KL10 SZ16KK20-KL10500-1600 20 ≤202.4/601002 ≤8 100 100 360 0.72 200 501KL10 SZ16KK50-KL12500-1600 50 ≤20 2.4/150 2002 ≤16 100 115 940 5 200 50 0.4KL12 SL17KK100-KL20500-1800100 ≤30 3.0 /300 200 2.5 ≤20 100 115 1900 18 500 100 0.2KL20 SL18KG5A —50A 螺栓型高频晶闸管Typ e VDR M IT(A V) tq tg t fM VTM IGT VGT IDR M IH Tj m ITS M I2tdv/dt di/dt Rth jc 外形推荐 VRR M@85℃ @100℃ @ITM (ma x) (ma x) IRR M (max) @10ms @10m s (mi n)@ fM (max) 散热器30V/μS (max ) (min)型号(V) (A) (μS) (μS) KH Z (V/A ) (mA ) (V) (mA ) (mA ) ℃ (A) (KA2S)(V/μS) (A/μS)(℃/W) KG5-KL6 600-1200 5 ≤12 ≤2.510 3.0 /15 70 2 ≤5 60 ## 90 0.04 300 50 2.5 K L6SZ14 KG10-KL10 600-1200 10 ≤12 ≤2.510 3.0 /30 100 2 ≤8 100 ## 180 0.18 300 50 1KL10 SZ16KG20-KL12 600-120020 ≤12 ≤2.520 3.0 /60 100 2 ≤8 100 ## 360 0.72 300 60 0.4KL12 SL17KG3 0-KL1 2600-12030≤12≤2.5103.0/901502≤16100##540 1.53001000.4KL12SL17KG3 5-KL1 6600-12035≤12≤2.5203.0/1001502.5≤20100##600 1.8500800.2KL16SL18KG5 0-KL1 2600-12050≤12≤2.583.2/1501502.5≤20100##90045001500.4KL12SL17快速晶闸管快速晶闸管额定通态平均电流20A-2500A，断态及反向重复峰值电压100V-220V。

可控硅的常见参数和符号中英文对照表

可控硅的常见参数和符号的中英文说明如下:（按首英文字母排序）aYp电子资料网
dv/dt断态电压临界上升率aYp电子资料网
di/dt通态电流临界上升率aYp电子资料网
IGT门极复峰值电流aYp电子资料网
IF(AV)正向平均电流aYp电子资料网
IT(AV)通态平均电流aYp电子资料网
VDRM通态重复峰值电压aYp电子资料网
IH维持电流aYp电子资料网
IDRM断态重复峰值电流aYp电子资料网
ITSM通态一个周波不重复浪涌电流aYp电子资料网
Rthjc结壳热阻aYp电子资料网
Tjm额定结温aYp电子资料网
VRRM反向重复峰值电压aYp电子资料网
VTM通态峰值电压aYp电子资料网
VGT门极触发电压aYp电子资料网
VISO模块绝缘电压aYp电子资料网

可控硅的主要参数

可控硅可控硅是硅可控整流元件的简称,亦称为晶闸管;具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一;该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等;家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件;按其工作特性,可控硅THYRISTOR可分为普通可控硅SCR即单向可控硅、双向可控硅TRIAC和其它特殊可控硅;可控硅的主要参数非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过可控硅的主要参数1、额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值;2、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压;可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值;3、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压;使用时,不能超过手册给出的这个参数值;4、控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下,阳极---阴极间加有一定电压时,可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压;5、维持电流IH在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流;近年来,许多新型可控硅元件相继问世,如适于高频应用的快速可控硅,可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅,可以用正触发信号使其导通,用负触发信号使其关断的可控硅等等;可控硅的触发过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅;非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正弦交流电的导通角角相位,来改变输出百分比;可控硅的主要参数可控硅的主要参数:1 额定通态电流IT即最大稳定工作电流,俗称电流;常用可控硅的IT一般为一安到几十安;2 反向重复峰值电压VRRM或断态重复峰值电压VDRM,俗称耐压;常用可控硅的VRRM/VDRM 一般为几百伏到一千伏;3 控制极触发电流IGT,俗称触发电流;常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安;可控硅的常用封装形式常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等;改变正弦交流电的导通角角相位,来改变输出百分比;单向可控硅参数_单向可控硅管的主要参数一、参数_额定通态平均电流ITAV在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯负载、元件导通角大于己于170°电角度时,所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值;二、管的参数_通态平均电压UTAV在规定环境、温度散热条件下,元件通以额定通态平均电流,结温稳定时,阳极和阴极间电压平均值;三、单向参数_控制极触发电压UGT在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可控硅从截止变为完全导通所需的最小控制极直流电压;四、单向可控硅管的参数_控制极触发电流IGT在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极最小直流电流;五、单向可控硅参数_断态重复峰值电压UPFV在控制极断开和正向阻断的条件下,阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压;其数值规定为断态下重复峰值电压M的80%;六、单向可控硅管的参数_反向重复峰值电压UPRV在控制极断开的条件下,阳极和阴极之间可重复施加的反向峰值电压;其数值规定为反向不重复峰值电压URSM的80%;一般把UPFV和UPRV中较小的数值作为元件的额定电压;七、单向可控硅参数_维持电压IH在室温和控制极断路时,可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的最小电流,一般为几十到一百多mA;如果通过的正向电流小于此值,可控硅就不能继续保持导通而自行截止;参数符号说明:ITAV--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IFAV--正向平均电流单向可控硅-SCRs器件型号MCR100-6封装形式:TO-92Package→脚位排列:C-G-A主要参数:电流-ITRMS:电压-VDRM:≥400V触发电流:IGT:10~30μA IGT:30~60μA 元件品牌, 型号MCR100-6电流A电压400V触发电流10-30/30-60mA结温110℃.单向可控硅-SCRs器件型号: MCR100-8封装形式: TO-92 脚位排列: K-G-A主要参数电流-ITRMS:电压-VDRM: ≥600V触发电流:IGT: 5~15 uA IGT: 10~30 uA IGT: 30~60 uA元件.型号MCR100-8电流A电压600V触发电流10-60uA结温110℃。

可控硅参数说明及中英文对照表

V
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Reverse Gate Voltage
门极反向峰值电压
-
V
IFGM
Peak ForwardGate Current
门极正向峰值电流
V/uS
(dI/dt)c
Critical rate of decrease of commutating on-state current
通态电流临界上升率
指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。
℃
Tstg
?Storage Temperature Range
贮存温度
-
℃
TL
?Max.Lead Temperature for Soldering Purposes
引脚承受焊锡极限温度
-
℃
Rth(j-mb)
?ThermalResistance Junction to mounting base
热阻-结到外壳
V
VRRM
反向重复峰值电压
在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
VPP
Non repetitive line peak pulse voltage
最高不重复线路峰值电压
-
v
Visol
引脚到外壳最大绝缘电压
-

可控硅参数说明及中英文对照表p

℃
Tstg
Storage Temperature Range
贮存温度
-
℃
TL
Max.Lead Temperature for Soldering Purposes
引脚承受焊锡极限温度
-
℃
Rth(j-mb)
Thermal Resistance Junction to mounting base
热阻-结到外壳
通态临界电流上升率
当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁，并使T1-T2 短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感。
V
VRRM
反向重复峰值电压
在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。
VPP
Non repetitive line peak pulse voltage
最高不重复线路峰值电压
-
v
Visol
引脚到外壳最大绝缘电压
-
V
PG(AV)
Average gate power dissipation
V
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Reverse Gate Voltage

可控硅参数要求

Type
KP800-45KA5 KP800-45KT6 KP800-50KT7 KP800-60KT8 *KP800-67KT9 KP1000-50KA6
VDRM VRRM
(V) 500-1600 500-2000 2400-3400 3600-4500 4600-6500 500-1600
IT(AV) @80℃
KK200A—1000A 平板型快速晶闸管
Type
VDRM
IT(AV)
VRRM @85℃
(V) KK200-30KA2 800-1600 KK200-30KT1 800-1600 KK300-35KA3 800-1600 KK300-35KT2 800-1600 KK500-40KA4 800-1600 KK500-40KT5 800-1600 KK600-45KA5 800-1800 KK600-45KT6 800-1800 KK800-45KT6 800-1800 KK1000-50KT7 800-1800
VTM @ITM (max)
IDRM
IRRM
IGT
VGT
(max) (max) (max)
IH (max)
ITSM
I2t
Tjm
@10ms @10ms
dv/dt (min)
di/dt (min)
Rthjc (max) 外形
(A) 800 800 800 800 800 1000
(V/A)
(mA) (V) (mA) (mA) ℃ (KA) (KA2S) (V/μS) (A/μS) (℃/W)
*KP3700-100KT13 2400-3400 3700 1.6 /6000 300 3.0 100 20-300 125 45

70tps12可控硅参数

70tps12可控硅参数
70tps12是一种可控硅，以下是其参数说明：
1. 最大可重复峰值电压（Vdrm）：70V。

即最大允许的交流峰值电压。

2. 最大可导通电流（Itsm）：12A。

即最大允许的可导通电流。

3. 最大稳态电流（Itav）：未提供具体数值。

即最大稳态电流，通常用于设备的额定工作电流。

4. 最大触发电流（Igt）：20mA。

即在需要将可控硅导通时，需要施加的最小触发电流。

5. 最大闭锁电流（IH）：10mA。

即在可控硅导通后，从关断状态到导通状态需要带过的最小电流。

6. 最大漏电流（IRRM）：5mA。

即在关断状态下的最大漏电流。

7. 最大触发电压（Vgt）：1.5V。

即在需要将可控硅导通时，需要施加的最小触发电压。

以上是70tps12可控硅的一些主要参数，供参考使用。

请注意，具体使用该器件时应根据数据手册中的参数进行选择和操作。

可控硅参数符号说明

可控硅参数符号说明参数符号说明:IT(AV)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(AV)--正向平均电流KP5A—500A 螺栓型普通晶闸管参数K P200A—500A平板型普通晶闸管参数KP800A—1500A 平板型普通晶闸管参数KK5A—100A 螺栓型快速晶闸管KP2000A—4500A 平板型普通晶闸管参数KK200A—1000A 平板型快速晶闸管KK1200A—3000A 平板型快速晶闸管可控硅整流器件YCR单向可控硅系列◆先进的玻璃钝化芯片◆小的通态压降◆高的可靠性、稳定性单、双向可控硅（SCR,TRIAC）K S5A—50A 螺栓型双向晶闸管K S200A—800A 平板型双向晶闸管KG5A—50A螺栓型高频晶闸管KG50A—1200A 平板型高频晶闸管目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种，新型号将逐步取代旧型号。

表1 KP型可控硅新旧标准主要特性参数对照表KP型可控硅的电流电压级别见表2表2 KP型可控硅电流电压级别示例：（1）KP5-10表示通态平均电流5安，正向重复峰值电压1000伏的普通反向阻断型可控硅元件。

（2）KP500-12D表示通态平均电流500安，正、反向重复峰值电压1200伏，通态平均电压0.7伏的业通反向阻断型可控硅元件。

（3）3CT5/600表示通态平均电流5安，正、反向重复峰值电压600伏的旧型号普通可控硅元件。

硅双向触发二极管参数部分国外型号双向可控硅参数固体继电器参固体继电器参数术语1.输入电压范围（单位：V）在规定的环境温度下，施加在输入端，使输出端维持“导通”状态的电压范围。

可控硅的主要参数

在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的最小控制极直流电压。
四、单向可控硅管的参数_控制极触发电流IGT
在室温下，阳极和阴极间加6V电压时，使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极最小直流电流。
五、单向可控硅参数_断态重复峰值电压UPFV
在控制极断开和正向阻断的条件下，阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压。其数值规定为断态下重复峰值电压UPSM的80%。
0.8A
电压-VDRM:
≥600V
触发电流:
IGT:
5~15 uA
IGT:
30~60 uA元件.
型号MCR100-8
电流
0.8（A）
电压600（V）
触发电流10-60u（A）
结温110（℃IGT:
10~30 uA
在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170°电角度时，可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的最大平均值。
二、单向可控硅管的参数_通态平均电压UT（AV）
在规定环境、温度散热条件下，元件通以额定通态平均电流，结温稳定时，阳极和阴极间电压平均值。三、单向可控硅参数_控制极触发电压UGT
可控硅的主要参数
可控硅的主要参数:
1额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
2反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
3控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
如果通过的正向电流小于此值，可控硅就不能继续保持导通而自行截止。
参数符号说明:

y65kphot可控硅参数解读

y65kphot可控硅参数解读
（实用版）
目录
1.可控硅的基本概念与结构
2.可控硅的参数及其含义
3.y65kphot 型号可控硅的主要参数解读
4.y65kphot 型号可控硅的应用领域
5.结论
正文
一、可控硅的基本概念与结构
可控硅，全称为可控硅控整流器，是一种四层三端的半导体器件，具有电压控制的开关特性。

它主要由 p 型半导体、n 型半导体以及控制极组成，结构如图 1 所示。

可控硅广泛应用于交流调速、逆变器、斩波器、恒流源等领域。

二、可控硅的参数及其含义
可控硅的参数主要包括：额定电压、额定电流、控制极触发电流、动态响应特性等。

1.额定电压：可控硅在正向导通状态下，所能承受的最大电压。

2.额定电流：可控硅在正向导通状态下，所能承受的最大电流。

3.控制极触发电流：也称为门限电流，是指控制极电流达到一定值时，可控硅开始导通的最小电流。

4.动态响应特性：可控硅从关态到导态的切换速度。

三、y65kphot 型号可控硅的主要参数解读
y65kphot 型号可控硅是一款常见的可控硅型号，其主要参数如下：
1.额定电压：600V
2.额定电流：50A
3.控制极触发电流：50μA
4.动态响应特性：快速
四、y65kphot 型号可控硅的应用领域
y65kphot 型号可控硅广泛应用于工业控制、交流调速、逆变器、斩波器、恒流源等领域，具有较强的通用性和稳定性。

五、结论
可控硅作为一种重要的半导体器件，其参数对器件性能和应用范围具有重要影响。