通过c对Flash进行读写操作

一、Flash块结构说明

我们所用板子上flash一共划分了259个块，0-254块为128kByte，255-258块为32kByte。

各个块的地址范围如下图：

我们要读flash中某个地址的数据，只要发送相关命令即可，下面会详细说明。向flash 中写数据较复杂，首先必须将目标地址所属块解锁，然后擦除，最后才能写数据，只要解锁与擦除后就可连续往flash中写，但是不能向同一个地址写，这样会写不进去。以上的解锁与擦除是针对一个块的操作，是将地址所属块全部擦除，写程序的时候注意不要误擦其它块。写过程详细步骤见（二）。

二、通过c对Flash进行读写操作说明

通过高级语言（如c）对flash进行读写，我们开始的想法是自己做一个flash读写的IP 核，然后在c中调用此ip核来实现对flash的读写，但是这种做法比较复杂，一直进展不顺利。后来一次偶然的试验发现直接向总线写读写flash的命令即可对flash进行读写，也就是说直接将以前在verilog中读写falsh的操作过程搬到c语言中，这大大降低了c中读写flash 的难度。具体说明如下：

1.读flash

读取flash包括两个步骤：1，首先向目标地址写x00ff，告诉flash表示要读数据了。

2，通过XIo_In16函数读取目标地址的数据。下面两行代码即可读取flash中地址为dataAddr的数据，保存在value中。

XIo_Out16(FlashBaseAddr+2*dataAddr,0x00ff);

u16 value = XIo_In16(FlashBaseAddr+2*dataAddr);

其中FlashBaseAddr为flash在硬件设计中分配的基地址，并且读取的数据只能是16位的数据，这是因为flash的数据输入输出出引脚只有16位。

2.写flash

向falsh中写数据包括三个步骤：1，对目标地址所属块进行解锁操作（write

0x60,write 0xD0）；2，擦除目标地址所属块（write 0x20，write 0xD0）；3，读取寄存器状态（（write0x70，read regstatu）），当寄存器状态值为0x80说明准备就绪，可以下一个操作；4，向目标地址写数据（write 0x0040,write data）,data为你要写如flash的数据。写下一个数据之前还需要读取状态寄存器，当寄存器准备就绪说明上一次写已经完成，可以写下一个数据。下面代码即可实现向目标地址dataAddr写数据。

u8 reg_status;

//unlock

XIo_Out16(FlashBaseAddr+2*dataAddr,0x0060);

XIo_Out16(FlashBaseAddr+2*dataAddr,0x00D0);

//erase

XIo_Out16(FlashBaseAddr+2*dataAddr,0x0020);

XIo_Out16(FlashBaseAddr+2*dataAddr,0x00D0);

//read register status

while(1)

{

XIo_Out16(FlashBaseAddr,0x0070);

reg_status = XIo_In16(FlashBaseAddr);

//xil_printf("%x\r\n",reg_status);

if(reg_status == 0x0080)

break;

}

XIo_Out16(FlashBaseAddr+2* dataAddr,0x0040);

XIo_Out16(FlashBaseAddr+2* dataAddr,data);

注：向Flash写数据也只能写16位的。