高电压技术 赵智大 第三版 答案1-推荐下载
[高电压技术第三版答案]高电压技术试题及答案(Word可编辑版)
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[高电压技术第三版答案]高电压技术试题及答案（最新版）-Word文档，下载后可任意编辑和处理-高压电工设备的绝缘应能承受各种高电压的作用，包括交流和直流工作电压、雷电过电压和内部过电压。
以下是由阳光网小编整理关于高电压技术试题的内容，希望大家喜欢!高电压技术试题及答案一、填空题1、在末端开路的情况下，波发生反射后，导线上的电压会__提高一倍____。
2、每一雷暴日、每平方公里地面遭受雷击的次极化数称为___空间落雷装订线密度________。
3、极不均匀电场中，屏障的作用是由于其对_空间电荷_______的阻挡作用，造成电场分布的改变。
4、先导放电与其它放电的典型不同点是出现了_梯级先导__________。
5、波阻抗为Z的线路末端接负载电阻R，且R=Z，当入射波U0入侵到末端时，折射系数α=_____1______。
6、Z1、Z2两不同波阻抗的长线相连于A点，行波在A点将发生反射，反射系数β的取值范围为__-1≤β≤1 ______。
7、当导线受到雷击出现冲击电晕以后，它与其它导线间的耦合系数将 _____增大___。
8、衡量输电线路防雷性能的主要指标是雷击跳闸率和_耐雷水平__________。
9、电源容量越小，空载长线的电容效应___越大_____。
10、根据巴申定律，在某一PS值下，击穿电压存在___极小_____值。
二、单项选择题11、流注理论未考虑的现象。
A、碰撞游离B、表面游离C、光游离D、电荷畸变电场12、波在线路上传播，当末端短路时，以下关于反射描述正确的是__A____。
A、电流为0，电压增大一倍B、电压为0，电流增大一倍C、电流不变，电压增大一倍D、电压不变，电流增大一倍13、极化时间最短的是A、电子式极化B、离子式极化C、偶极子极化D、空间电荷极化14、雷电流通过避雷器阀片电阻时，产生的压降称为A、额定电压B、冲击放电电压C、残压D、灭弧电压15、GIS变电所的特点之一是A、绝缘的伏秒特性陡峭B、波阻抗较高C、与避雷器的电气距离较大D、绝缘没有自恢复能力16、保护设备S1的伏秒特性V1t与被保护设备S2的伏秒特性V2t合理的配合是A、V1t始终高于V2tB、V1t始终低于V2tC、V1t先高于V2t，后低于V2tD、V1t先低于V2t，后高于V2t17、介质损耗角正切值测量时，采用移相法可以消除的干扰。
高电压技术第三版课后习题答案_
第一章作⏹1-1解释下列术语（1）气体中的自持放电；（2）电负性气体；（3）放电时延；（4）50%冲击放电电压；（5）爬电比距。
答：（1）气体中的自持放电：当外加电场足够强时，即使除去外界电离因子，气体中的放电仍然能够维持的现象；（2）电负性气体：电子与某些气体分子碰撞时易于产生负离子，这样的气体分子组成的气体称为电负性气体；（3）放电时延：能引起电子崩并最终导致间隙击穿的电子称为有效电子，从电压上升到静态击穿电压开始到出现第一个有效电子所需的时间称为统计时延，出现有效电子到间隙击穿所需的时间称为放电形成时延，二者之和称为放电时延；（4）50%冲击放电电压：使间隙击穿概率为50%的冲击电压，也称为50%冲击击穿电压；（5）爬电比距：爬电距离指两电极间的沿面最短距离，其与所加电压的比值称为爬电比距，表示外绝缘的绝缘水平，单位cm/kV。
1-2汤逊理论与流注理论对气体放电过程和自持放电条件的观点有何不同？这两种理论各适用于何种场合？答：汤逊理论认为电子碰撞电离是气体放电的主要原因，二次电子来源于正离子撞击阴极使阴极表面逸出电子，逸出电子是维持气体放电的必要条件。
所逸出的电子能否接替起始电子的作用是自持放电的判据。
流注理论认为形成流注的必要条件是电子崩发展到足够的程度后，电子崩中的空间电荷足以使原电场明显畸，流注理论认为二次电子的主要来源是空间的光电离。
汤逊理论的适用范围是短间隙、低气压气隙的放电；流注理论适用于高气压、长间隙电场气隙放电。
1-3在一极间距离为1cm的均匀电场电场气隙中，电子碰撞电离系数α=11cm-1。
今有一初始电子从阴极表面出发，求到达阳极的电子崩中的电子数目。
解：到达阳极的电子崩中的电子数目为n a? e?d? e11?1?59874答：到达阳极的电子崩中的电子数目为59874个。
1-5近似估算标准大气条件下半径分别为1cm和1mm的光滑导线的电晕起始场强。
解：对半径为1cm的导线对半径为1mm的导线答：半径1cm导线起晕场强为39kV/cm，半径1mm导线起晕场强为58.5kV/cm1-10 简述绝缘污闪的发展机理和防止对策。
高电压技术第三版本课后习题包括答案.docx
精品文档第一章作业1-1 解释下列术语（1）气体中的自持放电；（ 2）电负性气体；（3）放电时延；（ 4） 50% 冲击放电电压；（ 5）爬电比距。
答：（1）气体中的自持放电：当外加电场足够强时，即使除去外界电离因子，气体中的放电仍然能够维持的现象；（2）电负性气体：电子与某些气体分子碰撞时易于产生负离子，这样的气体分子组成的气体称为电负性气体；（3）放电时延：能引起电子崩并最终导致间隙击穿的电子称为有效电子，从电压上升到静态击穿电压开始到出现第一个有效电子所需的时间称为统计时延，出现有效电子到间隙击穿所需的时间称为放电形成时延，二者之和称为放电时延；（4）50% 冲击放电电压：使间隙击穿概率为 50% 的冲击电压，也称为50% 冲击击穿电压；（5）爬电比距：爬电距离指两电极间的沿面最短距离，其与所加电压的比值称为爬电比距，表示外绝缘的绝缘水平，单位cm/kV 。
.精品文档1-2 汤逊理论与流注理论对气体放电过程和自持放电条件的观点有何不同？这两种理论各适用于何种场合？答：汤逊理论认为电子碰撞电离是气体放电的主要原因，二次电子来源于正离子撞击阴极使阴极表面逸出电子，逸出电子是维持气体放电的必要条件。
所逸出的电子能否接替起始电子的作用是自持放电的判据。
流注理论认为形成流注的必要条件是电子崩发展到足够的程度后，电子崩中的空间电荷足以使原电场明显畸，流注理论认为二次电子的主要来源是空间的光电离。
汤逊理论的适用范围是短间隙、低气压气隙的放电；流注理论适用于高气压、长间隙电场气隙放电。
1-3 在一极间距离为1cm 的均匀电场电场气隙中，电子碰撞电离系数α=11cm-1 。
今有一初始电子从阴极表面出发，求到达阳极的电子崩中的电子数目。
解：到达阳极的电子崩中的电子数目为n a e d e11 159874答：到达阳极的电子崩中的电子数目为59874 个。
.精品文档1-5 近似估算标准大气条件下半径分别为1cm 和 1mm 的光滑导线的电晕起始场强。
高电压技术第三版课后答案
高电压技术第三版课后答案【篇一：高电压技术(周泽存)课后作业与解答】t>p11，1-1 解答：电介质极化种类及比较在外电场的作用下，介质原子中的电子运动轨道将相对于原子核发生弹性位移，此为电子式极化或电子位移极化。
离子式结构化合物，出现外电场后，正负离子将发生方向相反的偏移，使平均偶极距不再为零，此为离子位移极化。
极性化合物的每个极性分子都是一个偶极子，在电场作用下，原先排列杂乱的偶极子将沿电场方向转动，显示出极性，这称为偶极子极化。
在电场作用下，带电质点在电介质中移动时，可能被晶格缺陷捕获或在两层介质的界面上堆积，造成电荷在介质空间中新的分布，从而产生电矩，这就是空间电荷极化。
1-6解答：由于介质夹层极化，通常电气设备含多层介质，直流充电时由于空间电荷极化作用，电荷在介质夹层界面上堆积，初始状态时电容电荷与最终状态时不一致；接地放电时由于设备电容较大且设备的绝缘电阻也较大则放电时间常数较大（电容较大导致不同介质所带电荷量差别大，绝缘电阻大导致流过的电流小，界面上电荷的释放靠电流完成），放电速度较慢故放电时间要长达5～10min。
补充：1、画出电介质的等效电路（非简化的）及其向量图，说明电路中各元件的含义，指出介质损失角。
图1－4－2中，rlk为泄漏电阻；ilk为泄漏电流；cg为介质真空和无损极化所形成的电容；ig为流过cg的电流；cp为无损极化所引起的电容；rp为无损极化所形成的等效电阻；ip为流过rp－cp支路的电流，可以分为有功分量ipr和无功分量ipc。
jg为真空和无损极化所引起的电流密度，为纯容性的；jlk为漏导引起的电流密度，为纯阻性的；jp为有损极化所引起的电流密。
度，它由无功部分jpc和有功部分jpr组成。
容性电流jc与总电容电流密度向量j之间的夹角为?，称为介质损耗角。
介质损耗角简称介损角?，为电介质电流的相角领先电压相角的余角，功率因素角?的余角，其正切tg?称为介质损耗因素，常用％表示，为总的有功电流密度与总无功电流密度之比。
电子科技大学智慧树知到“电气工程及其自动化”《高电压技术》网课测试题答案1
电子科技大学智慧树知到“电气工程及其自动化”《高电压技术》网课测试题答案（图片大小可自由调整）第1卷一.综合考核(共15题)1.对于线路绝缘子串应满足的条件，下列()是错误的。
A.在操作过电压下不发生湿闪B.在工作电压下不发生湿闪C.在工作电压下不发生污闪D.具有足够的雷电冲击绝缘水平2.阀式避雷器的保护比是指残压与()之比A、冲击放电电压B、灭弧电压C、额定电压D、工频放电电压3.SF6气体具有较高绝缘强度的主要原因之一是()A.电负性B.无色无味性C.无腐蚀性D.不燃性4.电气设备内绝缘的雷电冲击耐压试验采用()。
A、三次冲击法B、十五次冲击法C、五次冲击法D、十次冲击法5.下列仪器或测量系统中，不能用来测量冲击电压的是()。
A.静电电压表B.测量球隙C.分压器--示波器D.分压器--峰值电压表6.下列表述中，对波阻抗描述不正确的是()。
A.线路越长，则波阻抗越大B.波阻抗的大小与线路的几何尺寸有关C.波阻抗是前行波电压与前行波电流之比D.对于电源来说波阻抗与电阻是等效的7.构成冲击电压发生器基本回路的元件有冲击性主电容C₁，负荷电容C₂，波头电阻R₁和波尾电阻R₂。
为了获得一很快由零上升到峰值然后较慢下降的冲击电压，应使()。
A.C₁>>C₂，R₁>>R₂B.C₁>>C₂，R₁C.C₁>R₂D.C₁<<C₂，R₁<<R₂8.不均匀的绝缘试品，如果绝缘严重受潮，则吸收比K将()。
A.远小于1B.远大于1C.约等于1D.不易确定9.根据我国有关标准，220KV线路的绕击耐雷水平是()。
A.80kAB.16kAC.12KAD.120kA10.下列绝缘试验方法中，属于非破坏性试验的是()。
A、工频高压试验B、操作冲击试验C、雷电冲击试验D、测绝缘电阻11.吸收比是()A、加压60s与15s时测的绝缘电阻之比B、加压15s与60s时测的绝缘电阻之比C、加压10min与1min时测的绝缘电阻之比D、加压1min与10min时测的绝缘电阻之比12.测量绝缘电阻不能发现的缺陷为()A、两极间有贯穿性的通道B、绝缘介质的局部缺陷C、总体绝缘质量欠佳D、绝缘介质受潮13.断续电弧接地过电压是()的一种A、稳态过电压B、操作过电压C、大气过电压D、谐振过电压14.某一地区的年平均雷暴日为10日，则该地区属于()A.强雷区B.少雷区C.多雷区D.不确定15.介质损耗角正切值测量时，采用移相法可以消除()的干扰。
高电压技术答案
《高电压技术》习题答案一、单选题（小四号宋体）1.以下属于操作过电压的是（ B ）。
A．工频电压升高B．电弧接地过电压C．变电所侵入波过电压D．铁磁谐振过电压2.下列电介质中属于离子结构的是（ D ）。
A. 纤维B. 变压器油C. 空气D. 云母3.解释气压较高、距离较长间隙中的气体放电过程可用（B ）。
A．汤逊理论B．流注理论￥C．巴申定律D．小桥理论4.电晕放电是一种（ A ）。
A．自持放电B．非自持放电C．电弧放电D．沿面放电5.冲击系数是（ B ）冲击放电电压与静态放电电压之比。
A．25%B．50%C．75%D．100%6.工频耐压试验一般要求持续（C ）的耐压时间。
A. 3 minB. 2 minC. 1 minD. 5 min7.（8.波阻抗为Z的线路末端接负载电阻R，且R＝Z，入射电压U0到达末端时，波的折反射系数为（A）A.折射系数α＝1，反射系数β＝0B.折射系数α＝－1，反射系数β＝1C.折射系数α＝0，反射系数β＝1D.折射系数α＝1，反射系数β＝－19.避雷针的保护范围通常是指雷击概率为（ C ）。
A. 0%的空间范围B. 1%的空间范围C. %的空间范围D. 10%的空间范围10.阀式避雷器的保护比是指残压与（A ）电压之比。
A．灭弧B．额定）C．冲击电压 D. 工频放电11.当避雷器与被保护设备之间有一定距离时，若有雷电波侵入,则在被保护设备绝缘上出现的过电压将比避雷器的残压（ B ）。
A. 低一个ΔU；B. 高一个ΔU；C. 一样大；D. 不一定12.切除空载变压器出现过电压的主要原因是( D )。
A. 电弧重燃B. 中性点不接地C. 电容效应D. 截流现象13.SF6气体具有较高绝缘强度的主要原因之一是（ D ）。
A．无色无味性B．不燃性C．无腐蚀性D．电负性14.'15.冲击系数是（ B ）冲击放电电压与静态放电电压之比。
A．25%B．50%C．75%D．100%16.我国国家标准规定的雷电冲击电压标准波形通常可以用符号（ C ）表示。
高电压技术(赵智大)1-2章总结.(DOC)
绪论高电压技术是一门重要的专业技术基础课；随着电力行业的发展，高压输电问题越来越得到人们的重视；高电压、高场强下存在着一些特殊的物理现象；高电压试验在高电压工程中起着重要的作用。
气体的绝缘特性与介质的电气强度研究气体放电的目的：了解气体在高电压（强电场）作用下逐步由电介质演变成导体的物理过程掌握气体介质的电气强度及其提高方法高压电气设备中的绝缘介质有气体、液体、固体以及其它复合介质。
气体放电是对气体中流通电流的各种形式统称。
由于空气中存在来自空间的辐射，气体会发生微弱的电离而产生少量的带电质点。
正常状态下气体的电导很小，空气还是性能优良的绝缘体；在出现大量带电质点的情况下，气体才会丧失绝缘性能。
自由行程长度单位行程中的碰撞次数Z的倒数λ即为该粒子的平均自由行程长度。
()λ-=xexP令x=λ，可见粒子实际自由行程长度大于或等于平均自由行程长度的概率是36.8%。
带电粒子的迁移率k=v/E它表示该带电粒子单位场强（1V/m）下沿电场方向的漂移速度。
电子的质量比离子小得多，电子的平均自由行程长度比离子大得多热运动中，粒子从浓度较大的区域运动到浓度较小的区域，从而使分布均匀化，这种过程称为扩散。
电子的热运动速度大、自由行程长度大，所以其扩散速度比离子快得多。
产生带电粒子的物理过程称为电离，是气体放电的首要前提。
光电离i W h ≥νc λν=气体中发生电离的分子数与总分子数的比值m 称为该气体的电离度。
碰撞电离附着：当电子与气体分子碰撞时，不但有可能引起碰撞电离而产生出正离子和新电子，而且也可能会发生电子与中性分子相结合形成负离子的情况。
电子亲合能：使基态的气体原子获得一个电子形成负离子时所放出的能量，其值越大则越易形成负离子。
电负性：一个无量纲的数，其值越大表明原子在分子中吸引电子的能力越大带电粒子的消失1到达电极时，消失于电极上而形成外电路中的电流2带电粒子因扩散而逸出气体放电空间3带电粒子的复合复合可能发生在电子和正离子之间，称为电子复合，其结果是产生一个中性分子；复合也可能发生在正离子和负离子之间，称为离子复合，其结果是产生两个中性分子。
高电压技术课后习题答案详解
1-1气体放电过程中产生带电质点最重要的方式是什么，为什么？答: 碰撞电离是气体放电过程中产生带电质点最重要的方式。
这是因为电子体积小，其自由行程(两次碰撞间质点经过的距离)比离子大得多，所以在电场中获得的动能比离子大得多。
其次．由于电子的质量远小于原子或分子，因此当电子的动能不足以使中性质点电离时，电子会遭到弹射而几乎不损失其动能；而离子因其质量与被碰撞的中性质点相近，每次碰撞都会使其速度减小，影响其动能的积累。
1-2简要论述汤逊放电理论。
答: 设外界光电离因素在阴极表面产生了一个自由电子，此电子到达阳极表面时由于α过程，电子总数增至d eα个。
假设每次电离撞出一个正离子，故电极空间共有（deα－1）个正离子。
这些正离子在电场作用下向阴极运动，并撞击阴极．按照系数γ的定义，此（deαeα－1）个正离子在到达阴极表面时可撞出γ（d －1）个新电子，则(deα-1)个正离子撞击阴极表面时，至少能从阴极表面释放出一个有效电子，以弥补原来那个产生电子崩并进入阳极的电子，则放电达到自持放电。
即汤逊理论的自持放电条件可表达为r(deα＝1。
eα-1)=1或γd1-3为什么棒－板间隙中棒为正极性时电晕起始电压比负极性时略高？答:（1）当棒具有正极性时，间隙中出现的电子向棒运动，进入强电场区，开始引起电离现象而形成电子崩。
随着电压的逐渐上升，到放电达到自持、爆发电晕之前，在间隙中形成相当多的电子崩。
当电子崩达到棒极后，其中的电子就进入棒极，而正离子仍留在空间，相对来说缓慢地向板极移动。
于是在棒极附近，积聚起正空间电荷，从而减少了紧贴棒极附近的电场，而略为加强了外部空间的电场。
这样，棒极附近的电场被削弱，难以造成流柱，这就使得自持放电也即电晕放电难以形成。
（2）当棒具有负极性时，阴极表面形成的电子立即进入强电场区，造成电子崩。
当电子崩中的电子离开强电场区后，电子就不再能引起电离，而以越来越慢的速度向阳极运动。
一部份电子直接消失于阳极，其余的可为氧原子所吸附形成负离子。
高电压技术第三版课后习题答案
高电压技术第三版课后习题答案Last revision date: 13 December 2020.第一章作1-1解释下列术语（1）气体中的自持放电；（2）电负性气体；（3）放电时延；（4）50%冲击放电电压；（5）爬电比距。
答：（1）气体中的自持放电：当外加电场足够强时，即使除去外界电离因子，气体中的放电仍然能够维持的现象；（2）电负性气体：电子与某些气体分子碰撞时易于产生负离子，这样的气体分子组成的气体称为电负性气体；（3）放电时延：能引起电子崩并最终导致间隙击穿的电子称为有效电子，从电压上升到静态击穿电压开始到出现第一个有效电子所需的时间称为统计时延，出现有效电子到间隙击穿所需的时间称为放电形成时延，二者之和称为放电时延；（4）50%冲击放电电压：使间隙击穿概率为50%的冲击电压，也称为50%冲击击穿电压；（5）爬电比距：爬电距离指两电极间的沿面最短距离，其与所加电压的比值称为爬电比距，表示外绝缘的绝缘水平，单位cm/kV。
1-2汤逊理论与流注理论对气体放电过程和自持放电条件的观点有何不同这两种理论各适用于何种场合答：汤逊理论认为电子碰撞电离是气体放电的主要原因，二次电子来源于正离子撞击阴极使阴极表面逸出电子，逸出电子是维持气体放电的必要条件。
所逸出的电子能否接替起始电子的作用是自持放电的判据。
流注理论认为形成流注的必要条件是电子崩发展到足够的程度后，电子崩中的空间电荷足以使原电场明显畸，流注理论认为二次电子的主要来源是空间的光电离。
汤逊理论的适用范围是短间隙、低气压气隙的放电；流注理论适用于高气压、长间隙电场气隙放电。
1-3在一极间距离为1cm的均匀电场电场气隙中，电子碰撞电离系数α=11cm-1。
今有一初始电子从阴极表面出发，求到达阳极的电子崩中的电子数目。
解：到达阳极的电子崩中的电子数目为n a e d e11159874答：到达阳极的电子崩中的电子数目为59874个。
1-5近似估算标准大气条件下半径分别为1cm和1mm的光滑导线的电晕起始场强。
高电压技术第三版课后习题答案完整版
高电压技术第三版课后习题答案HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】第一章作⏹1-1解释下列术语（1）气体中的自持放电；（2）电负性气体；（3）放电时延；（4）50%冲击放电电压；（5）爬电比距。
答：（1）气体中的自持放电：当外加电场足够强时，即使除去外界电离因子，气体中的放电仍然能够维持的现象；（2）电负性气体：电子与某些气体分子碰撞时易于产生负离子，这样的气体分子组成的气体称为电负性气体；（3）放电时延：能引起电子崩并最终导致间隙击穿的电子称为有效电子，从电压上升到静态击穿电压开始到出现第一个有效电子所需的时间称为统计时延，出现有效电子到间隙击穿所需的时间称为放电形成时延，二者之和称为放电时延；（4）50%冲击放电电压：使间隙击穿概率为50%的冲击电压，也称为50%冲击击穿电压；（5）爬电比距：爬电距离指两电极间的沿面最短距离，其与所加电压的比值称为爬电比距，表示外绝缘的绝缘水平，单位cm/kV。
1-2汤逊理论与流注理论对气体放电过程和自持放电条件的观点有何不同这两种理论各适用于何种场合答：汤逊理论认为电子碰撞电离是气体放电的主要原因，二次电子来源于正离子撞击阴极使阴极表面逸出电子，逸出电子是维持气体放电的必要条件。
所逸出的电子能否接替起始电子的作用是自持放电的判据。
流注理论认为形成流注的必要条件是电子崩发展到足够的程度后，电子崩中的空间电荷足以使原电场明显畸，流注理论认为二次电子的主要来源是空间的光电离。
汤逊理论的适用范围是短间隙、低气压气隙的放电；流注理论适用于高气压、长间隙电场气隙放电。
1-3在一极间距离为1cm的均匀电场电场气隙中，电子碰撞电离系数α=11cm-1。
今有一初始电子从阴极表面出发，求到达阳极的电子崩中的电子数目。
解：到达阳极的电子崩中的电子数目为n a e d e11159874答：到达阳极的电子崩中的电子数目为59874个。
高电压技术第三版课后答案
高电压技术第三版课后答案【篇一：高电压技术(周泽存)课后作业与解答】t>p11，1-1 解答：电介质极化种类及比较在外电场的作用下，介质原子中的电子运动轨道将相对于原子核发生弹性位移，此为电子式极化或电子位移极化。
离子式结构化合物，出现外电场后，正负离子将发生方向相反的偏移，使平均偶极距不再为零，此为离子位移极化。
极性化合物的每个极性分子都是一个偶极子，在电场作用下，原先排列杂乱的偶极子将沿电场方向转动，显示出极性，这称为偶极子极化。
在电场作用下，带电质点在电介质中移动时，可能被晶格缺陷捕获或在两层介质的界面上堆积，造成电荷在介质空间中新的分布，从而产生电矩，这就是空间电荷极化。
1-6解答：由于介质夹层极化，通常电气设备含多层介质，直流充电时由于空间电荷极化作用，电荷在介质夹层界面上堆积，初始状态时电容电荷与最终状态时不一致；接地放电时由于设备电容较大且设备的绝缘电阻也较大则放电时间常数较大（电容较大导致不同介质所带电荷量差别大，绝缘电阻大导致流过的电流小，界面上电荷的释放靠电流完成），放电速度较慢故放电时间要长达5～10min。
补充：1、画出电介质的等效电路（非简化的）及其向量图，说明电路中各元件的含义，指出介质损失角。
图1－4－2中，rlk为泄漏电阻；ilk为泄漏电流；cg为介质真空和无损极化所形成的电容；ig为流过cg的电流；cp为无损极化所引起的电容；rp为无损极化所形成的等效电阻；ip为流过rp－cp支路的电流，可以分为有功分量ipr和无功分量ipc。
jg为真空和无损极化所引起的电流密度，为纯容性的；jlk为漏导引起的电流密度，为纯阻性的；jp为有损极化所引起的电流密。
度，它由无功部分jpc和有功部分jpr组成。
容性电流jc与总电容电流密度向量j之间的夹角为?，称为介质损耗角。
介质损耗角简称介损角?，为电介质电流的相角领先电压相角的余角，功率因素角?的余角，其正切tg?称为介质损耗因素，常用％表示，为总的有功电流密度与总无功电流密度之比。
赵智大高电压技术课后答案
300 d1=10mm时， E1 120(kV/cm) 21 / 4 (3 1) / 2
此时油中电场强度提高的倍数为
E1 E0 120 100 0.2 E0 100
第四章作业
4-1 测量绝缘电阻能发现那些绝缘缺陷？试比较它与测量泄漏电流实验 项目的异同。 答：测量绝缘电阻能有效地发现下列缺陷：绝缘总体状态不佳；绝缘 整体受潮或局部严重受潮；两极间有贯穿性的缺陷等。测量绝缘电阻 和测量泄露电流试验项目的相同点：两者的原理和适用范围是一样的， 不同的是测量泄漏电流可使用较高的电压(10kV及以上)，并且可一观 察泄漏电流随时间的变化情况，因此能比测量绝缘电阻更有效地发现 一些尚未完全贯通的集中性缺陷。
5-2 当习图-4中的球隙F击穿时，试验变压器T的初级绕组所接的电压 表PV的读数为若干？ 答：查附录球隙放电电压表 可知图中球隙F放电电压峰 值为79.5kV,此电压为变压器 高压侧交流电压峰值， 所以变压器初级绕组电压表 读数
79.5 / 2 U 400 224.9(V) 100
5-6 为什么选用球隙而不是其他形状的间隙（特别是消除了边缘效应 的平板电极）？ 答：P108
答：半径1cm导线起晕场强为39kV/cm，半径1mm导线起晕场强为 58.5kV/cm 1-10 简述绝缘污闪的发展机理和防止对策。 答：户外绝缘子在污秽状态下发生的沿面闪络称为绝缘子的污闪。 绝缘子的污闪是一个受到电、热、化学、气候等多方面因素影响 的复杂过程，通常可分为积污、受潮、干区形成、局部电弧的出 现和发展等四个阶段。防止绝缘子发生污闪的措施主要有：（1） 调整爬距（增大泄露距离）（2）定期或不定期清扫；（3）涂料； （4）半导体釉绝缘子；（5）新型合成绝缘子。
1-2汤逊理论与流注理论对气体放电过程和自持放电条件的观点有 何不同？这两种理论各适用于何种场合？ 答：汤逊理论认为电子碰撞电离是气体放电的主要原因，二次电 子来源于正离子撞击阴极使阴极表面逸出电子，逸出电子是维持 气体放电的必要条件。所逸出的电子能否接替起始电子的作用是 自持放电的判据。流注理论认为形成流注的必要条件是电子崩发 展到足够的程度后，电子崩中的空间电荷足以使原电场明显畸， 流注理论认为二次电子的主要来源是空间的光电离。 汤逊理论的适用范围是短间隙、低气压气隙的放电；流注理论适 用于高气压、长间隙电场气隙放电。 1-3在一极间距离为1cm的均匀电场电场气隙中，电子碰撞电离系 数α =11cm-1。今有一初始电子从阴极表面出发，求到达阳极的 电子崩中的电子数目。 解：到达阳极的电子崩中的电子数目为
高电压技术赵智大第三版配套练习及答案
第一章气体放电的基本物理过程一、选择题1)流注理论未考虑的现象。
A ．碰撞游离B ．表面游离C ．光游离D ．电荷畸变电场2)先导通道的形成是以的出现为特征。
A ．碰撞游离B ．表面游离C ．热游离D ．光游离3)电晕放电是一种。
A ．自持放电B ．非自持放电C ．电弧放电D ．均匀场中放电4)气体内的各种粒子因高温而动能增加，发生相互碰撞而产生游离的形式称为。
A.碰撞游离 B.光游离 C.热游离 D.表面游离5)______型绝缘子具有损坏后“自爆”的特性。
A.电工陶瓷B.钢化玻璃C.硅橡胶D.乙丙橡胶6)以下哪个不是发生污闪最危险的气象条件？A.大雾B.毛毛雨C.凝露D.大雨7)污秽等级II 的污湿特征：大气中等污染地区，轻盐碱和炉烟污秽地区，离海岸盐场3km~10km 地区，在污闪季节中潮湿多雾但雨量较少，其线路盐密为2/cm mg 。
A .≤0.03 B.>0.03~0.06 C.>0.06~0.10 D.>0.10~0.258)以下哪种材料具有憎水性？A .硅橡胶 B.电瓷 C.玻璃D 金属二、填空题9)气体放电的主要形式：、、、、10)根据巴申定律，在某一PS 值下，击穿电压存在值。
11)在极不均匀电场中，空气湿度增加，空气间隙击穿电压。
12)流注理论认为，碰撞游离和是形成自持放电的主要因素。
13)工程实际中，常用棒－板或电极结构研究极不均匀电场下的击穿特性。
14)气体中带电质子的消失有、复合、附着效应等几种形式15)对支持绝缘子，加均压环能提高闪络电压的原因是。
16)沿面放电就是沿着表面气体中发生的放电。
17)标准参考大气条件为：温度C t �200=，压力=0b kPa ，绝对湿度30/11m g h =18)越易吸湿的固体，沿面闪络电压就越______19)等值盐密法是把绝缘子表面的污秽密度按照其导电性转化为单位面积上__________含量的一种方法20)常规的防污闪措施有：爬距，加强清扫，采用硅油、地蜡等涂料三、计算问答题21)简要论述汤逊放电理论。
高电压技术课后习题答案
第一章1‐1极化种类产生场合所需时间能量损耗产生原因电子式极化任何电介质 10-15 s 无束缚电子运行轨道偏移离子式极化离子式结构电介质 10-13 s 几乎没有离子的相对偏移偶极子极化极性电介质 10-10～10-2 s 有偶极子的定向排列夹层极化多层介质的交界面 10-1 s～数小时有自由电荷的移动1‐4电导形式 电导率金属导体 （自由电子）电子电导 γ很大气体，液体，固体 （自由电子、正离子、负离子、杂质电导、自身离解、杂质、离子）离子电导γ很小ρ很大金属导电的原因是自由电子移动；电介质通常不导电，是在特定情况下电离、化学分解或热离解出来的带电质点移动导致。
1‐6由于介质夹层极化，通常电气设备含多层介质，直流充电时由于空间电荷极化作用，电荷在介质夹层界面上堆积，初始状态时电容电荷与最终状态时不一致；接地放电时由于设备电容较大且设备的绝缘电阻也较大则放电时间常数较大（电容较大导致不同介质所带电荷量差别大，绝缘电阻大导致流过的电流小，界面上电荷的释放靠电流完成），放电速度较慢故放电时间要长达5～10min。
补充：图中C1 代表介质的无损极化（电子式和离子式极化），C2 —R2 代表各种有损极化，而R3则代表电导损耗。
图1－4－2中，为泄漏电阻；为泄漏电流；为介质真空和无损极化所形成的电容；为流过的电流；为无损极化所引起的电容；为无损极化所形成的等效电阻；为流过支路的电流，可以分为有功分量和无功分量。
lk R lk I g C g I g C p C p R p I p p C R －pr I pc I g J 。
为真空和无损极化所引起的电流密度，为纯容性的；为漏导引起的电流密度，为纯阻性的；为有损极化所引起的电流密度，它由无功部分和有功部分组成。
容性电流与总电容电流密度向量之间的夹角为lk 。
J p 。
J pc 。
J pr 。
J c 。
J 。
J δ，称为介质损耗角。
介质损耗角简称介损角δ，为电介质电流的相角领先电压相角的余角，功率因素角ϕ的余角，其正切δtg 称为介质损耗因素，常用％表示，为总的有功电流密度与总无功电流密度之比。
高电压赵智大答案
高电压赵智大答案【篇一：高电压技术(周泽存)课后作业与解答】t>p11，1-1 解答：电介质极化种类及比较离子式结构化合物，出现外电场后，正负离子将发生方向相反的偏移，使平均偶极距不再为零，电介质对外呈现出极性，这种由离子的位移造成的极化称为离子式极化。
极性化合物的每个极性分子都是一个偶极子，在电场作用下，原先排列杂乱的偶极子将沿电场方向转动，整个电介质的偶极矩不再为零，对外呈现出极性，这种由偶极子转向造成的极化称为偶极子式极化。
在电场作用下，带电质点在电介质中移动时，可能被晶格缺陷捕获或在两层介质的界面上堆积，造成电荷在介质空间中新的分布，从而产生电矩，这就是空间电荷极化。
1-6解答：由于介质夹层极化，通常电气设备含多层介质，直流充电时由于空间电荷极化作用，电荷在介质夹层界面上堆积，初始状态时电容电荷与最终状态时不一致；接地放电时由于设备电容较大且设备的绝缘电阻也较大则放电时间常数较大（电容较大导致不同介质所带电荷量差别大，绝缘电阻大导致流过的电流小，界面上电荷的释放靠电流完成），放电速度较慢故放电时间要长达5～10min。
补充：1、画出电介质的等效电路（非简化的）及其向量图，说明电路中各元件的含义，指出介质损失角。
图1－4－2中，rlk为泄漏电阻；ilk为泄漏电流；cg为介质真空和无损极化所形成的电容；ig为流过cg的电流；可以分为有功分量iprcp为有损极化所引起的电容；rp为有损极化所形成的等效电阻；ip为流过rp－cp支路的电流，和无功分量ipc。
jg为真空和无损极化所引起的电流密度，为纯容性的；jlk为漏导引起的电流密度，为纯阻性的；jp为有损极化所引起的电流密度，它由无功部分jpc和有功部分jpr组成。
容性电流jc与总电容电流密度向量j之间的夹角为?，称为介质损耗角。
介质损耗角简称介损角?，为电介质电流的相角领先电压相角的余角，功率因素角?的余角，其正切tg?称为介质损耗因素，常用％表示，为总的有功电流密度与总无功电流密度之比。