计算机组成原理第三章习题

第三章、内部存储器

1、存储器是计算机系统中的记忆设备，它主要是用来_____

A.存放数据

B.存放程序

C.存放数据和程序

D.存放微程序

2、存储单元是指______

A.存放一个二进制信息位的存储元

B.存放一个机器字的所有存储单元集合

C.存放一个字节的所有存储元集合

D.存放两个字节的所有存储元集合

3、计算机的存储器采用分级存储体系的主要目的是________

A.便于读写数据

B.减小机箱的体积

C.便于系统升级

D.解决存储容量、价格和存取速度之间的矛盾

5、和外存相比，内存的特点是____

A.容量大，速度快，成本低

B.容量大，速度慢，成本高

C.容量小，速度快，成本高

D.容量小，速度快，成本低

6、某单片机字长16位，它的存储容量64KB，若按字编址，那么它的寻址范围是______

A.64K

B.32K

C.64KB

D.32KB

7、某SRAM芯片，其存储容量为64K×16位，该芯片的地址线和数据线数目为_______

A.64，16

B.16，64

C.64，8

D.16，16

8、某DRAM芯片，其存储器容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为

________

A.8，512

B.512，8

C.18，8

D.19，8

9、某机器字长32位，存储容量256MB，若按字编址，它的寻址范围是_______

A.1M

B.512KB

C.64M

D.256KB

10、某机器字长32位，存储容量4GB，若按字编址，它的寻址范围是_______

A.1G

B.4GB

C.4G

D.1GB

11、某机器字长64位，存储容量4GB，若按字编址，它的寻址范围是_______

A.4G

B.2G

C.0.5G

D.1MB

12、某机器字长32位，存储容量4GB，若按双字编址，它的寻址范围是_______

A.4G

B.5G

C.8G

D.2G

13、某SRAM芯片，其容量为512×8位，包括电源端和接地端，该芯片引出线的数目应为_____

A.23

B.25

C.50

D.19

14、某微型计算机系统，其操作系统保存在硬盘上，其内存储器应该采用__________

A.RAM

B.ROM

C.RAM 和ROM

D

15、相联存储是按____进行寻址的存储器。

A.地址指定方式

B.堆栈存取方式

C.内容指定方式

D.地址指定方式与堆栈存取方式结合

16、交叉存储器实质上是一种____存储器，它能_____执行_____独立的读写操作。

A.模块式，并行，多个

B.模块式，串行，多个

C.整体式，并行，一个

D.整体式，串行，多个

17、主存储器和CPU之间增加Cache的目的是________

A.解决CPU和主存之间的速度匹配问题

B.扩大主存储器的容量

C.扩大CPU中通用寄存器的数量

D.既扩大主存容量又扩大CPU通用寄存器数量

18、以下半导体存储器，以传输同样多的字为条件，则读出数据传输率最高的是_______

A.DRAM

B.SRAM

C.FLASH

D.E2PROM

19、双端口存储器所以能高速进行读/写，是因为采用______

A.高速芯片

B.两套相互独立的读写电路

C.流水技术

D.新型器件

20、双端口存储器在______情况下会发生读/写冲突？

A.左端口与右端口的地址码不同

B.左端口与右端口的地址码相同

C.左端口与右端口的数据码相同

D.左端口与右端口的数据码不同

21、下列因素中，与Cache的命中率无关的是______

A.主存的存取时间

B.块的大小

C.Cache的组织方式

D.Cache的容量

22、下列说法中正确的是_____

A.SRAM存储器技术提高了计算机的速度

B.若主存由ROM和RAM组成，容量分别为2n和2m，则主存地址共需要n+m位

C.闪存是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器

D.存取时间是指连续两次读操作所需间隔的最小时间

23、下列说法中正确的是______

A.多体交叉存储器主要解决扩充容量问题

B.Cache与主存统一编址，cache的地址空间是主存地址空间的一部分

C.主存都是由易失性的随机读写存储器构成的

D.Cache的功能全部由硬件实现

24、下列cache替换算法中，速度最快的是______，命中率最高的是______

A.最不经常使用（LFU）算法

B.近期最少使用（LRU）算法

C.随机替换

25、在cache的地址映射中，若主存中的任意一块均可映射到cache内的任意一块的位置上，则这种方法称为________

A.全相联映射

B.直接映射

C.组相联映射

D.混合映射

1、图为某SRAM的写入时序图，其中R/W是读/写命令控制线，当R/W线为低电平时，存储器按给定地址把数据线上的数据写入存储器。请指出图中时序的错误，并画出正确的时序图。

2、分析图中两个存储器芯片有什么相同和不同？