线性规划的实际问题PPT教学课件
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行域.
Eg:1
▪ 某工厂生产甲,乙两种产品,已知生产甲产品
1吨需耗A种矿石10吨,B种矿石5吨,煤4吨;生 产乙种产品1吨需耗A种矿石4吨,B种矿石4 吨,煤9吨;每1吨甲种产品的利润是600元,每 1吨乙产品的利润是1000元,工厂在生产这 两种产品的计划中要求消耗A种矿石不超过 300吨,B种矿石不超过200吨,煤不超过360 吨,甲,乙两种产品应各生产多少吨能使利润 总额达到最大?
值选择系列表中近似的标称值。若有高精度要求的，则应 选择精密电阻器。
▪ ③ 额定功率的选择 电阻器的额定功率应选得比计算的耗
散功率大，一般功率选择耗散功率的两倍以上。 若要求功率较大，应选用线绕电阻器。
2021/1/12
4.电位器
▪ 电位器的识别 ▪ 电位器的读数 ▪ 电位器管脚的确定(固定端和滑动端)
产品 消耗量 资源 A种矿石(t)
甲产品(t) 10
乙产品(t) 4
资源限额(t) 300
B种矿石(t) 5
4
200
煤
(t) 4
9
360
利润 (元) 600
1000
(分析表)
解:设生产甲产品X吨,乙产品Y吨,利 润总额为Z元.
10x+4y ≦ 300
5x+4y ≦ 200
4x+9y ≦ 360
x≧ 0
线性规划的实际问题
制作者:李牧
检索: 1标题2检索3回忆4一题答5二题答
6例题 7列表 8式子 9画图 10回答 11步骤
回忆???
1>什麽是线性规划问题? 2>可行解,可行域又是什麽?
1答:求目标函数在线性匀速条件下 的最大值或最小值的问题.
2答:满足线形约束条件下的解叫可 行解.
由所有可行解组成的集合叫可
2021/1/12
二极管的主要参数
(1) 最大整流电流IF——是指二极管长期运动时 允许通过的最大正向平均电流， （2）最高反向工作电压URM———是指二极 管在使用时所允许加的最大反向电压。为了确 保二极管安全运动，通常取二极管反向击穿电 压UBR的一半作为URM
(3) 反向电流IR——在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值 。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(A)级。
2021/1/12
3.电阻的选择
▪ ① 型号的选取 对于一般的电子线路和电子设备，可以使
用普通的碳膜或碳质电阻器；对于高品质的扩音机、录音 机、电视机等，应选用金属膜电阻或线绕电阻；对于测量 电路或仪表、仪器电路，应选用精密电阻器，以满足高精 度的需要。在高频电路中，应选用表面型电阻或无感电阻。
▪ ② 阻值和精度的选取 电阻值应根据电路实际需要的计算
阻上的表示法。
▪ 色码表示法：用三到四个色环或色点在电阻器表
面标出电阻的标称阻值或允许误差。
2021/1/12
2021/1/12
色环、色点所代表的意义表
色环颜色
黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 金 银 本身颜色
第一色环(A) 第一位数
第二色环(B) 第二位数
第三色环(C) 第三位数
第四色环
—
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
3DG110B
用字母表示同一型号中的不同规格 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示器件的种类 用字母表示材料 三极管
第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管
第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管
2021/1/12
三. 二极管
▪ 1.二极管的分类 ▪ 2.二极管的主要参数 ▪ 3.二极管的型号及选用 ▪ 4.二极管的判别
2021/1/12
1.二极管的分类
▪ 半导体二极管是用半导体材料制成的具有单向导电特性的
二端元件，简称二极管。
▪ 按其制造材料的不同分，有硅管和锗管两大类。两者性能
区别为：锗管正向压降比硅管小(锗管为0.2V，硅管为 0.7～0.8V)；锗管的反向漏电流比硅管大(锗管几百微安， 硅管小于1μA)；锗管的PN结可承受的温度比硅管低(硅管 约为100℃，硅管约为200℃)。
b.将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出 实际电阻值。
▪ 测量操作注意事项
a．测试时，特别是在测几十kΩ以上阻值的电阻时，手不要 触及表笔和电阻的导电部分。
b．被检测的电阻必须从电路中焊下来，至少要焊开一个头， 以免电路中的其他元件对测试产生影响，造成测量误差。
c．色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时 最好还是用万用表测试一下其实际阻值。
2021/1/12
元件的识别
▪ 二、电容
1 、电容元件的分类 2 、电容的标识与测试方法
2021/1/12
1.电容元件的分类
▪ 电容器是由两个中间隔以绝缘材料(介质)的
电极组成的，具有存储电荷功能的电子元 件。在电路中，它有阻止直流电流通过， 允许交流电流通过的性能。在电路中可起 到旁路、耦合、滤波、隔直流、储存电能、 振荡和调谐等作用。电容器用符号C表示。 电容的基本单位为法拉，简称法(F)。
2021/1/12
2.电容的标识与测量
▪ 电容器的容量和允许误差有两种表示方法：
① 数值表示法 即用文字、数字或符号直接打印 在电容器上的表示方法。 例如：CJ3-400-0.01—Ⅱ，表示密封金属化纸介 电容器，额定直流工作电压400V，电容量0.0lμF， 允许误差±10%。 ② 色环表示法 用三到四个色环在产品表面上标 出电容器的容量和允许误差。各颜色所代表的意 义如表7-9所示。
2021/1/12
电容元件的分类
▪ 根据电容器的容量是否可调分
a.固定电容器(包括电解电容器) b.可变电容器 c.微调电容器
2021/1/12
2.电容的标识与测量
▪ 电解电容器的检测方法
a．万用表电阻挡的正确选择 因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适 的量程。一般情况下，1～47µF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47µF的电容可用 R×100挡测量。 b．测量漏电阻 将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极。在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大 幅度，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电 阻。此值越大，说明漏电流越小，电容性能越好。然后，将红、黑表笔对调，万用表 指针将重复上述摆动现象。但此时所测阻值为电解电容的反向漏电阻，此值略小于正 向漏电阻。即反向漏电流比正向漏电流要大。实际使用经验表明，电解电容的一般应 在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象， 即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电 大或已击穿损坏。 c．极性判断 对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判断。即先任 意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的 那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。
2021/1/12
2021/1/12
常用三极管的外形图
三极管的选用
选用三极管要依据它在电路中所承担的作用查阅晶体管手册，选择参 数合适的三极管型号。
▪ ① NPN型和PNP型的晶体管直流偏置电路极性是完全相反的，具体
连接时必须注意。
▪ ② 电路加在晶体管上的恒定或瞬态反向电压值要小于晶体管的反向击
条件.
▪ (3)作图,找到可行域. ▪ (4)找最优解. ▪ (5)回答实际问题.
电子技术工程实践基地
电子教案
2021/1/12
元件的识别
▪ 一、电阻
1、电阻的分类 2、电阻的识别与测量 3、电阻的选择 4 、电位器
2021/1/12
1、电阻的分类
电阻器简称电阻，它是电子电路中应用最多的元件之一。电阻器在电 路中的主要作用是稳定和调节电路中的电压和电流，作为分流器、分 压器和消耗电能的负载电阻使用。电阻器用符号R表示。电阻值的基 本单位为欧姆，简称欧(Ω)。
0
×100
±1%
1
1
×101
±2%
2
2
×102
±3%
3
3
×103
±4%
4
4
×104
—
5
5
×105
±0.5%
6
6
×106
±0.2%
7
7
×107
±0.1%
8
8
×108
—
9
9
×109
—
—
—
×10-1
±5%
—
—
×10-2
±10%
—
—
—
±20%
电阻的测量
▪ 测量实际电阻值
a.将万用表的功能选择开关旋转到适当量程的电阻挡，先调 整“0”点，然后再进行测量。并且在测量中每次变换量程， 都必须重新调零后再使用。
2021/1/12
1.电容元件的分类
▪ 按电介质分
a.有机介质(包括复合介质)电容器，如：纸介电容 器、塑料薄膜电容器、纸膜复合介质及薄膜复合 介质电容器等。 b.无机介质电容器，如：云母电容器、玻璃釉电容 器、陶瓷电容器等。 c.气体介属电容器，如：空气电容器、真空电容器、 冲气式电容器等。 d.电解电容器，如：铝电解电容器，电解电容器、 铌电解电容器等。
2021/1/12
发光二极管的电路符号和伏安特性曲线
发光二极管是一种新型冷光源。由于它体积小、用 电省、工作电压低、寿命长、单色性好和响应速度快， 因此，常用来作为显示器。(一般管脚为长正短负)
2021/1/12
三. 三极管
▪ 三极管的结构
发射结 集电结
e
-
发射极
NP
N
发射区 基区 集电区
-
基极 b
显示译码器
数字显示器分类：
按显示方式分，有字型重叠式、点阵式、分段式等。 按发光物质分，有发光二极管(LED)式、荧光式、液晶显示等。
(1)．七段式LED显示器
COM
g f ab
a fgb
e
c
d DP
COM
ed
2021/1/12
碳膜电阻器的 外形与结构图
金属膜电阻器 的外形与结构图
线绕电阻器 的外形与结构图
2021/1/12
直热式热敏电阻器的外形图
2.电阻的识别与测量
电阻器的阻值范围很宽，一般通用电阻的阻值可从 10Ω～10MΩ。
电阻的阻值和误差有两种表示方法，它们分别为：
▪ 数值表示法：用文字、数字或符号直接打印在电
▪ 按其结构分，有点接触型二极管和面接触型二极管。 ▪ 按其用途分，有检波、整流、稳压二极管，桥式整流组件，
硅堆，开关、发光、光电、变容、隧道二极管等。
2021/1/12
2021/1/12
2021/1/12
2021/1/12
半导体二极管的型号
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
2AP9
用数字代表同类器件的不同规格。 代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。 代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N 型Si， D为P型Si。 2代表二极管，3代表三极管。
电阻器的种类很多：常用的电阻器按照导电体的结构特征分为实芯电 阻器、薄膜电阻器和线绕电阻器；按电阻器的材料、结构又分为碳膜 电阻器、金属氧化膜电阻器、线绕电阻器、热敏电阻器、压敏电阻器 等。另外，按照各种电阻器的特性，还可分为高精度、高稳定、高阻、 大功率、高频以及超小型等各种专用类型的电阻器 。
2021/1/12
2021/1/12
小
技
二极管的简易测量
巧
根据二极管的单向导电性可知，二极管正向电阻小，反向电阻大。 利用这一特点，可以用万用表的电阻挡大致测量出二极管的好坏和正负 极性
2021/1/12
发光二极管
发光二极管（简称LED）是一种光发射器件，它是由砷
化镓、磷化镓等材料制成。当这种管子通以电流时将发出光 来。光的颜色主要取决于制造所用的材料 。
穿电压，否则晶体管很易损坏。
▪ ③ 高频运用时，所选晶体管的特征频率fT要高于工作频率，以保证晶
体管能正常工作。
▪ ④ 大功率运用时晶体管内耗散的功率必须小于厂家给出的最大耗散功
率，否则晶体管容易被热击穿。晶体管的耗散功率值与环境温度及散 热片大小形状有关，使用时注意手册说明。
2021/1/12
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≦
y≧ 0
z=600x+1000y
y 75
50
40
﹩
35
40
90 y3
检
索:
Hale Waihona Puke Baidu
y2
1
y1
标
题
2
我们找到了最优解(30, 80／3)
Z=600×30+1000×80/3=20666.7 答:…………….
解线形规划应用题的步骤:
▪ (1)审题(需列表的可列表分析). ▪ (2)设立相关变元,列出目标函数和线形约束
c 集电极
e
-
发射极
发射结 集电结
PN
P
发射区 基区 集电区
-
基极 b
c 集电极
2021/1/12
三极管分类：
按材料分：
硅管、锗管
按结构分：
NPN、 PNP
按使用频率分： 低频管、高频管
按功率分：
小功率管 < 500 mW 中功率管 0.5 1 W 大功率管 > 1 W
2021/1/12
半导体三极管的型号
Eg:1
▪ 某工厂生产甲,乙两种产品,已知生产甲产品
1吨需耗A种矿石10吨,B种矿石5吨,煤4吨;生 产乙种产品1吨需耗A种矿石4吨,B种矿石4 吨,煤9吨;每1吨甲种产品的利润是600元,每 1吨乙产品的利润是1000元,工厂在生产这 两种产品的计划中要求消耗A种矿石不超过 300吨,B种矿石不超过200吨,煤不超过360 吨,甲,乙两种产品应各生产多少吨能使利润 总额达到最大?
值选择系列表中近似的标称值。若有高精度要求的，则应 选择精密电阻器。
▪ ③ 额定功率的选择 电阻器的额定功率应选得比计算的耗
散功率大，一般功率选择耗散功率的两倍以上。 若要求功率较大，应选用线绕电阻器。
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4.电位器
▪ 电位器的识别 ▪ 电位器的读数 ▪ 电位器管脚的确定(固定端和滑动端)
产品 消耗量 资源 A种矿石(t)
甲产品(t) 10
乙产品(t) 4
资源限额(t) 300
B种矿石(t) 5
4
200
煤
(t) 4
9
360
利润 (元) 600
1000
(分析表)
解:设生产甲产品X吨,乙产品Y吨,利 润总额为Z元.
10x+4y ≦ 300
5x+4y ≦ 200
4x+9y ≦ 360
x≧ 0
线性规划的实际问题
制作者:李牧
检索: 1标题2检索3回忆4一题答5二题答
6例题 7列表 8式子 9画图 10回答 11步骤
回忆???
1>什麽是线性规划问题? 2>可行解,可行域又是什麽?
1答:求目标函数在线性匀速条件下 的最大值或最小值的问题.
2答:满足线形约束条件下的解叫可 行解.
由所有可行解组成的集合叫可
2021/1/12
二极管的主要参数
(1) 最大整流电流IF——是指二极管长期运动时 允许通过的最大正向平均电流， （2）最高反向工作电压URM———是指二极 管在使用时所允许加的最大反向电压。为了确 保二极管安全运动，通常取二极管反向击穿电 压UBR的一半作为URM
(3) 反向电流IR——在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值 。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(A)级。
2021/1/12
3.电阻的选择
▪ ① 型号的选取 对于一般的电子线路和电子设备，可以使
用普通的碳膜或碳质电阻器；对于高品质的扩音机、录音 机、电视机等，应选用金属膜电阻或线绕电阻；对于测量 电路或仪表、仪器电路，应选用精密电阻器，以满足高精 度的需要。在高频电路中，应选用表面型电阻或无感电阻。
▪ ② 阻值和精度的选取 电阻值应根据电路实际需要的计算
阻上的表示法。
▪ 色码表示法：用三到四个色环或色点在电阻器表
面标出电阻的标称阻值或允许误差。
2021/1/12
2021/1/12
色环、色点所代表的意义表
色环颜色
黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 金 银 本身颜色
第一色环(A) 第一位数
第二色环(B) 第二位数
第三色环(C) 第三位数
第四色环
—
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
3DG110B
用字母表示同一型号中的不同规格 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示器件的种类 用字母表示材料 三极管
第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管
第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管
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三. 二极管
▪ 1.二极管的分类 ▪ 2.二极管的主要参数 ▪ 3.二极管的型号及选用 ▪ 4.二极管的判别
2021/1/12
1.二极管的分类
▪ 半导体二极管是用半导体材料制成的具有单向导电特性的
二端元件，简称二极管。
▪ 按其制造材料的不同分，有硅管和锗管两大类。两者性能
区别为：锗管正向压降比硅管小(锗管为0.2V，硅管为 0.7～0.8V)；锗管的反向漏电流比硅管大(锗管几百微安， 硅管小于1μA)；锗管的PN结可承受的温度比硅管低(硅管 约为100℃，硅管约为200℃)。
b.将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出 实际电阻值。
▪ 测量操作注意事项
a．测试时，特别是在测几十kΩ以上阻值的电阻时，手不要 触及表笔和电阻的导电部分。
b．被检测的电阻必须从电路中焊下来，至少要焊开一个头， 以免电路中的其他元件对测试产生影响，造成测量误差。
c．色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时 最好还是用万用表测试一下其实际阻值。
2021/1/12
元件的识别
▪ 二、电容
1 、电容元件的分类 2 、电容的标识与测试方法
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1.电容元件的分类
▪ 电容器是由两个中间隔以绝缘材料(介质)的
电极组成的，具有存储电荷功能的电子元 件。在电路中，它有阻止直流电流通过， 允许交流电流通过的性能。在电路中可起 到旁路、耦合、滤波、隔直流、储存电能、 振荡和调谐等作用。电容器用符号C表示。 电容的基本单位为法拉，简称法(F)。
2021/1/12
2.电容的标识与测量
▪ 电容器的容量和允许误差有两种表示方法：
① 数值表示法 即用文字、数字或符号直接打印 在电容器上的表示方法。 例如：CJ3-400-0.01—Ⅱ，表示密封金属化纸介 电容器，额定直流工作电压400V，电容量0.0lμF， 允许误差±10%。 ② 色环表示法 用三到四个色环在产品表面上标 出电容器的容量和允许误差。各颜色所代表的意 义如表7-9所示。
2021/1/12
电容元件的分类
▪ 根据电容器的容量是否可调分
a.固定电容器(包括电解电容器) b.可变电容器 c.微调电容器
2021/1/12
2.电容的标识与测量
▪ 电解电容器的检测方法
a．万用表电阻挡的正确选择 因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适 的量程。一般情况下，1～47µF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47µF的电容可用 R×100挡测量。 b．测量漏电阻 将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极。在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大 幅度，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电 阻。此值越大，说明漏电流越小，电容性能越好。然后，将红、黑表笔对调，万用表 指针将重复上述摆动现象。但此时所测阻值为电解电容的反向漏电阻，此值略小于正 向漏电阻。即反向漏电流比正向漏电流要大。实际使用经验表明，电解电容的一般应 在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象， 即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电 大或已击穿损坏。 c．极性判断 对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判断。即先任 意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的 那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。
2021/1/12
2021/1/12
常用三极管的外形图
三极管的选用
选用三极管要依据它在电路中所承担的作用查阅晶体管手册，选择参 数合适的三极管型号。
▪ ① NPN型和PNP型的晶体管直流偏置电路极性是完全相反的，具体
连接时必须注意。
▪ ② 电路加在晶体管上的恒定或瞬态反向电压值要小于晶体管的反向击
条件.
▪ (3)作图,找到可行域. ▪ (4)找最优解. ▪ (5)回答实际问题.
电子技术工程实践基地
电子教案
2021/1/12
元件的识别
▪ 一、电阻
1、电阻的分类 2、电阻的识别与测量 3、电阻的选择 4 、电位器
2021/1/12
1、电阻的分类
电阻器简称电阻，它是电子电路中应用最多的元件之一。电阻器在电 路中的主要作用是稳定和调节电路中的电压和电流，作为分流器、分 压器和消耗电能的负载电阻使用。电阻器用符号R表示。电阻值的基 本单位为欧姆，简称欧(Ω)。
0
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4
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×109
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—
×10-1
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—
—
×10-2
±10%
—
—
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±20%
电阻的测量
▪ 测量实际电阻值
a.将万用表的功能选择开关旋转到适当量程的电阻挡，先调 整“0”点，然后再进行测量。并且在测量中每次变换量程， 都必须重新调零后再使用。
2021/1/12
1.电容元件的分类
▪ 按电介质分
a.有机介质(包括复合介质)电容器，如：纸介电容 器、塑料薄膜电容器、纸膜复合介质及薄膜复合 介质电容器等。 b.无机介质电容器，如：云母电容器、玻璃釉电容 器、陶瓷电容器等。 c.气体介属电容器，如：空气电容器、真空电容器、 冲气式电容器等。 d.电解电容器，如：铝电解电容器，电解电容器、 铌电解电容器等。
2021/1/12
发光二极管的电路符号和伏安特性曲线
发光二极管是一种新型冷光源。由于它体积小、用 电省、工作电压低、寿命长、单色性好和响应速度快， 因此，常用来作为显示器。(一般管脚为长正短负)
2021/1/12
三. 三极管
▪ 三极管的结构
发射结 集电结
e
-
发射极
NP
N
发射区 基区 集电区
-
基极 b
显示译码器
数字显示器分类：
按显示方式分，有字型重叠式、点阵式、分段式等。 按发光物质分，有发光二极管(LED)式、荧光式、液晶显示等。
(1)．七段式LED显示器
COM
g f ab
a fgb
e
c
d DP
COM
ed
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碳膜电阻器的 外形与结构图
金属膜电阻器 的外形与结构图
线绕电阻器 的外形与结构图
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直热式热敏电阻器的外形图
2.电阻的识别与测量
电阻器的阻值范围很宽，一般通用电阻的阻值可从 10Ω～10MΩ。
电阻的阻值和误差有两种表示方法，它们分别为：
▪ 数值表示法：用文字、数字或符号直接打印在电
▪ 按其结构分，有点接触型二极管和面接触型二极管。 ▪ 按其用途分，有检波、整流、稳压二极管，桥式整流组件，
硅堆，开关、发光、光电、变容、隧道二极管等。
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半导体二极管的型号
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
2AP9
用数字代表同类器件的不同规格。 代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。 代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N 型Si， D为P型Si。 2代表二极管，3代表三极管。
电阻器的种类很多：常用的电阻器按照导电体的结构特征分为实芯电 阻器、薄膜电阻器和线绕电阻器；按电阻器的材料、结构又分为碳膜 电阻器、金属氧化膜电阻器、线绕电阻器、热敏电阻器、压敏电阻器 等。另外，按照各种电阻器的特性，还可分为高精度、高稳定、高阻、 大功率、高频以及超小型等各种专用类型的电阻器 。
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小
技
二极管的简易测量
巧
根据二极管的单向导电性可知，二极管正向电阻小，反向电阻大。 利用这一特点，可以用万用表的电阻挡大致测量出二极管的好坏和正负 极性
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发光二极管
发光二极管（简称LED）是一种光发射器件，它是由砷
化镓、磷化镓等材料制成。当这种管子通以电流时将发出光 来。光的颜色主要取决于制造所用的材料 。
穿电压，否则晶体管很易损坏。
▪ ③ 高频运用时，所选晶体管的特征频率fT要高于工作频率，以保证晶
体管能正常工作。
▪ ④ 大功率运用时晶体管内耗散的功率必须小于厂家给出的最大耗散功
率，否则晶体管容易被热击穿。晶体管的耗散功率值与环境温度及散 热片大小形状有关，使用时注意手册说明。
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≦
y≧ 0
z=600x+1000y
y 75
50
40
﹩
35
40
90 y3
检
索:
Hale Waihona Puke Baidu
y2
1
y1
标
题
2
我们找到了最优解(30, 80／3)
Z=600×30+1000×80/3=20666.7 答:…………….
解线形规划应用题的步骤:
▪ (1)审题(需列表的可列表分析). ▪ (2)设立相关变元,列出目标函数和线形约束
c 集电极
e
-
发射极
发射结 集电结
PN
P
发射区 基区 集电区
-
基极 b
c 集电极
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三极管分类：
按材料分：
硅管、锗管
按结构分：
NPN、 PNP
按使用频率分： 低频管、高频管
按功率分：
小功率管 < 500 mW 中功率管 0.5 1 W 大功率管 > 1 W
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半导体三极管的型号