北科大材料考研试题
北京科技大学《材料科学基础》考研真题强化教程
考点1:金属键,离子键,共价键,氢键,范德瓦耳斯力的定义。
例1(名词解释):离子键。
例2:解释金属键。
例3:大多数实际材料键合的特点是()。
A.几种键合形式同时存在B.以离子键的形式存在C.以金属键的形式存在考点2:金属键,离子键,共价键的特征。
例4:化学键中既有方向性又有饱和性的为()。
A.共价键B.金属键C.离子键例5:原子的结合键有哪几种?各有什么特点?考点3:依据结合键对于材料的分类。
例6:解释高分子材料与陶瓷材料。
例7:试从结合键的角度,分析工程材料的分类及其特点。
例8:何谓陶瓷?从组织结构的角度解释其主要性能特点。
考点1:以米勒指数描述晶向和晶面1.1 晶面族例1:什么是晶面族?{111}晶面族包含哪些晶面?例2:请分别写出立方晶系中{110}和{100}晶面族包括的晶面。
1.2 晶面夹角和晶面间距例:面心立方结构金属的[100]和[111]晶向间的夹角是多少?{100}面间距是多少?1.3 晶带定理例1(名词解释):晶带定理。
例4:晶面(110)和(111)所在的晶带,其晶带轴的指数为()。
1.4 HCP的米勒指数例1:写出如图所示六方晶胞中EFGHIJE面的密勒-布拉菲晶面指数,以及EF、FG、GH、HI、IJ、JE各晶向的密勒-布拉菲晶向指数。
例2:写出如图所示六方晶胞中EFGHIJE晶面、EF晶向、FG晶向、CH晶向、JE晶向的密勒-布拉菲指数。
例3:六方晶系的[100]晶向指数,若改用四坐标轴的密勒指数标定,可表示为()。
1.5 画晶向和晶面,面密度的求法例2:bcc结构的金属铁,其(112)晶面的原子面密度为9.94×1014atoms/cm3。
(1)请计算(110)晶面的原子面密度;(2)分别计算(112)和(110)晶面的晶面间距;(3)确定通常在那个晶面上最可能产生晶面滑移?为什么?(bcc结构铁的晶格常数为a=0.2866nm)1.6 晶向指数的意义例:一组数[uvw],称为晶向指数,它是用来表示()。
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1999年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目: 金属学适用专业: 科学技术史冶金物理化学钢铁冶金有色金属材料加工工程说明:统考生做1~10题,单考生做1~7题和11~13题。
1、名词解释10分)(1)点阵畸变(2)组成过冷 (3)再结晶温度(4)滑移和孪生(5)惯习现象2、说明面心立方、体心立方、密排六方(c/a≥1.633)三种晶体结构形成的最密排面,最密排方向和致密度。
(10分)3、在形变过程中,位错增殖的机理是什么?(10分)4、简述低碳钢热加工后形成带状组织的原因,以及相变时增大冷却度速度可避免带状组织产生的原因。
(10分)5、简要描述含碳量0.25%的钢从液态缓慢冷却至室温的相变过程(包括相变转换和成分转换)。
(10分)6、选答题(二选一,10分)(1)铸锭中区域偏析有哪几种?试分析其原因,并提出消除区域偏析的措施。
(2)固溶体结晶的一般特点是什么?简要描述固溶体非平衡态结晶时产生显微偏析的原因,说明消除显微偏析的方法。
7、简述金属或合金冷塑性变形后,其结构、组织和性能的变化。
(10分)8、简述经冷变形的金属或合金在退火时其显微组织,储存能和性能的变化规律。
(10分)9、选答题(二选一,10分)(1)为了提高Al-4.5%Cu合金的综合力学性能,采用了如下热处理工艺制度,在熔盐浴中505℃保温30分钟后,在水中淬火,然后在190℃下保温24小时,试分析其原因以及整个过程中显微组织的变化过程。
(2)什么叫固溶体的脱溶?说明连续脱溶和不连续脱溶在脱溶过程中母相成分变化的特点。
10、简述固溶强化,形变强化,细晶强化和弥散强化的强化机理。
(10分)11、简述影响再结晶晶粒大小的因素有哪些?并说明其影响的基本规律。
(10分)12、画出铁碳相图,并写出其中包晶反应,共晶反应和共析反应的反应式。
(10分)13、选做题(二选一,10分)(1)如果其他条件相同,试比较下列铸造条件下,铸件中晶粒大小,并分析原因。
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(3)脱溶分解对性能的影响 脱溶分解对材料的力学性能有很大的影响,其 作用决定于脱溶相地形态、大小、数量和分布 等因素。 一般来说,均匀脱溶对性能有利,能起到明显 地强化作用,称为“时效强化”或“沉淀强 化”; 而局部脱溶,尤其是沿着晶界析出(包括不连 续脱溶导致的胞状析出),往往对性能有害, 使材料塑性下降,呈现脆化,强度也因此下降。
①成分不变协同型长大②成分不变非协同型长大 ③成分改变协同型长大 ④成分改变非协同型长大 成分不变的相变无需溶质原子扩散,晶核长大速 度仅与界面点阵重构过程有关。协同型长大原子 调整位置的过程通常可以在很短的时间内完成, 所以晶核长大速度很快;而成分不变的非协同型 长大速度则受控于界面原子调整位置的速度,即 受界面过程所控制。
(3)、屈氏体(T): 片间距约小于200nm,形成于 600 ~ 500℃温度范围内。在光学显微镜下已很难 分辨出铁素体和渗碳体片层状组织形态。电镜观 察。 注意:珠光体、索氏体、屈氏体之间无本质区别, 都是铁素体和渗碳体片层相间组织,其形成温度 也无严格界线,只是其片层厚薄和片间距不同。
(1)共格界面 如果界面上的原子同时属于两相,即两相晶格 在界面上彼此完全衔接,界面上的原子为两相 共有,便可形成共格界面。存在一定的弹性应 力场,其大小取决于相邻两相界面,原子间距 a a 的相对差值δ= a 。 δ越大,弹性应变能 越大。共格界面的界面能很低。 (2)半共格界面 δ 增大,为了维持界面上的原子为两相所共有, 须由一系列调配位错进行调节,形成半共格界 面。半共格界面的界面能和弹性应变能介于共 格界面和非共格界面之间。
(3)非共格界面 当δ很大时,界面处两相原子根本无法匹配,形 成非共格界面。这种界面由不规则的原子构成, 厚度约3-4个原子层,性质与大角度晶界相似, 界面能较高而弹性应变能很小。 2界面能 固-固两相界面能比液-固两相界面能高。 一部分是形成新相界面时,因化学键变化引起 的化学能,另一部分时由界面原子的不匹配产 生的点阵畸变能。 界面能:共格界面< 半共格界面< 非共格界面
材料科学基础考研真题1995-2011(北科大)
北京科技大学1995年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目: 金属学适用专业: 金属塑性加工说明:统考生做1~10题,单考生做1~7题和在8~13题中任选3题。
每题10分。
1、什么是固溶体?固溶体可以分为几种?并说明其各自的结晶特点。
2、计算含0.45%C的亚共析钢在共析温度时铁素体和奥氏体两相的相对数量,在这一温度下铁素体和珠光体的相对数量又是多少?3、用扩散理论来说明高温条件下钢的氧化过程。
4、画出铁碳平衡相图中的包晶反应部分的相图,并给出包晶反应表达式。
5、说明钢中非金属夹杂物的来源及其种类。
6、说明钢的完全退火、不完全退火、等温退火、球化退火、和低温退火的工艺特点及它们的作用。
7、说明轴承钢的碳化物类型及形成原因。
8、画图说明钢的高温和低温形变热处理的工艺特点。
9、从下列元素中指出哪些元素是扩大奥氏体区域的?哪些元素是缩小奥氏体区域的?C Si Ti Cr Mo Ni Cu N10、冷变形金属加热发生低温、中温和高温回复时晶体内部发生什么变化?11、绘出立方系中{110}晶面族所包括的晶面,以及(112)、(123)、(120)晶面。
12、说明共析钢加热时奥氏体形成的过程,并画图表示。
13、合金钢中主要的合金相有几种类型?北京科技大学1999年硕士学位研究生入学考试试题科目:金属学1、名词解释:(10分)(1)点阵畸变(2)组成过冷(3)再结晶温度(4)滑移和孪生(5)惯习现象2、说明面心立方、体心立方、密排六方(c/a≥1.633)三种晶体结构形成的最密排面,最密排方向和致密度。
(10分)3、在形变过程中,位错增殖的机理是什么?(10分)4、简述低碳钢热加工后形成带状组织的原因,以及相变时增大冷却度速度可避免带状组织产生的原因。
(10分)5、简要描述含碳量0.25%的钢从液态缓慢冷却至室温的相变过程(包括相变转换和成分转换)。
(10分)6、选答题(二选一,10分)(1)铸锭中区域偏析有哪几种?试分析其原因,并提出消除区域偏析的措施。
北科大材料考研试题综述
说明
在固体材料中也存在扩散,并且它是固体中 物质传输的唯一方式。因为固体不能象气体 或液体那样通过流动来进行物质传输。即使 在纯金属中也同样发生扩散。扩散在材料的 生产和使用中的物理过程有密切关系,例如: 凝固、偏析、均匀化退火、冷变形后的回复 和再结晶、固态相变、化学热处理、烧结、 氧化、蠕变等等。
c 浓度梯度, ,kg/(m3· m) x
菲克第一定律的解释
“-”号表示扩散方向为浓度 梯度的反方向,即扩散由 高浓度向低浓度区进行。
4.1.2 菲克第二定律 (Fick’s Second Law) 在扩散过程中扩散物质的浓度随时间而变化。
c f (t , x)
C ≠0 t
非稳态扩散时,在一维情况下,菲克第二定律的表达 式为
2、菲克第一、第二定律的表达式及适用范围;
3、扩散机制;
D D0 e 4、菲克第二定律的误差函数解(※渗碳);
5、扩散系数与扩散激活能的关系式: Arrhenius 6、影响扩散的因素;
Q / RT
7、渗碳为什么选取在奥氏体状态下进行而不在铁素体 状态下进行? 作业: 课后习题 P/142 4-3、4-5、4-7。
x c( x, t ) cs (cs c0 )erf 2 Dt
上式称为误差函数解。
erf ( )
( x /(2 Dt ))
实际应用时,
cs c( x, t ) x erf cs c0 2 Dt
或
c( x, t ) c0 x 1 erf cs c0 2 Dt
H2
x 例1
c2
利用一薄膜从气流中分离氢气。在稳定状态时,薄 膜一侧的氢浓度为0.025mol/m3,另一侧的氢浓度为 0.0025mol/m3,并且薄膜的厚度为100μm。假设氢通过 薄膜的扩散通量为2.25×10-6mol/(m2s),求氢的扩散 系数。
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2 特点: ① 加热温度较高:T>T再 T再≈0.4T熔;实际: +100~200℃ ② 显微组织显著变化 : 转变为等轴无畸变新晶粒 ③ 亚结构:位错密度大大降低; ④ 性能显著变化: HB、ζ↓↓;δ、ψ↑↑ ⑤ 内应力完全消除。
3 再结晶形核机制
(1) 亚晶合并相邻 亚晶界中位错通过 攀移和滑移消失
(3)对低碳钢,ε=8%接近临界变形量,因 此在700℃(高于再结晶温度)退火后晶粒粗 大,强度较低; (4)900℃保温时发生重结晶,冷却后晶粒 细小,因此强化提高。
§7-1 形变金属与合金在退火过程中的变化
一 退火概念 1 定义: 将金属加热到某温度保温一定时间,而 后缓慢冷至室温,通过组织结构的变化使材 料热力学稳定性得以提高的热处理工艺。 根据退火温度不同(>或<Ac1)可分为: 高温退火和低温退火 形变金属的退火——低温退火
2 金属加热中组织转变的原因 ——驱动力问题 退火T> Ac1 时: 驱动力为相变中两相的体积自由能之差 退火T< Ac1时: 对形变金属而言驱动力为形变储存能(其 中晶格畸变能占80~90%) ┗ 不稳定组织
§7-4 金属的热加工
主要内容: (1)热加工与冷加工区别 (2)热加工对组织与性能影响 一 金属热加工与冷加工的概念 热加工:T > T再; 冷加工: T < T再;
实质:
有否再结晶软化过程
衡量依据:T再
例:W 在1000℃非热加工;
Sn、Pb 在室温为热加工;
二 热加工对组织、性能的影响 热加工:钢材的热锻与热轧 1 消除铸态组织缺陷: (1)气孔、疏松、微裂纹的焊合; ——宏观组织致密化;
σb
HB
δ
4 金属Ag经大变形量(70%)冷加工后,试
北京科技大学1995-2012材料科学基础考研试题及部分答案
北京科技大学1995-2012材料科学基础考研试题及部分答案北科1995-2011材料考研,初试考卷及答案1995年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目: 金属学适用专业: 金属塑性加工说明:统考生做1,10题,单考生做1,7题和在8,13题中任选3题。
每题10分。
1、什么是固溶体,固溶体可以分为几种,并说明其各自的结晶特点。
2、计算含0.45%C的亚共析钢在共析温度时铁素体和奥氏体两相的相对数量,在这一温度下铁素体和珠光体的相对数量又是多少,3、用扩散理论来说明高温条件下钢的氧化过程。
4、画出铁碳平衡相图中的包晶反应部分的相图,并给出包晶反应表达式。
5、说明钢中非金属夹杂物的来源及其种类。
6、说明钢的完全退火、不完全退火、等温退火、球化退火、和低温退火的工艺特点及它们的作用。
7、说明轴承钢的碳化物类型及形成原因。
8、画图说明钢的高温和低温形变热处理的工艺特点。
9、从下列元素中指出哪些元素是扩大奥氏体区域的,哪些元素是缩小奥氏体区域的,C Si Ti Cr Mo Ni Cu N10、冷变形金属加热发生低温、中温和高温回复时晶体内部发生什么变化,11、绘出立方系中,110,晶面族所包括的晶面,以及(112)、(123)、(120)晶面。
12、说明共析钢加热时奥氏体形成的过程,并画图表示。
13、合金钢中主要的合金相有几种类型,2 / 59北京科技大学1999年硕士学位研究生入学考试试题科目:金属学1、名词解释:(10分)(1)点阵畸变(2)组成过冷(3)再结晶温度(4)滑移和孪生(5)惯习现象2、说明面心立方、体心立方、密排六方(c/a?1.633)三种晶体结构形成的最密排面,最密排方向和致密度。
(10分)3、在形变过程中,位错增殖的机理是什么,(10分)4、简述低碳钢热加工后形成带状组织的原因,以及相变时增大冷却度速度可避免带状组织产生的原因。
(10分)5、简要描述含碳量0.25%的钢从液态缓慢冷却至室温的相变过程(包括相变转换和成分转换)。
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四、再结晶温度及晶粒大小 1、再结晶温度
冷变形金属开始进行再结晶的最低温度称为开始 再结晶温度。 一般工程当中所说的再结晶温度是指完成再结晶 的温度,即在1h内再结晶完成95%所对应的温度 测定方法:金相法,硬度法,公式法(9-32) 经验公式:Tk=(0.35~0.45)Tm 常用金属的再结晶温度:表9-6 凡影响形核率和长大速率的因素均影响再结晶温 度。
2 晶粒的异常长大
异常晶粒长大又称不连续晶粒长大或二次再结 晶,是一种特殊的晶粒长大现象。 发生异常长大的条件是,正常晶粒长大过程被分 散相粒子,织构或表面热蚀沟等强烈阻碍,能够长 大的晶粒数目较少,致使晶粒大小相差悬殊。晶粒 尺寸差别越大,大晶粒吞食小晶粒的条件越有利, 大晶粒的长大速度也会越来越快,最后形成晶粒大 小极不均匀的组织,如图7-21(c)。
对工业纯金属,经强烈冷变形后的最低再结晶温 度约为 0.35~04Tm 。另外,发生再结晶需要一个 最小变形量,称临界变形量。低于此变形量不能 发生再结晶。
(2)金属纯度 杂质对N和G的影响有着截然不同的两重性 一方面杂质阻碍变形使储存能增加,N和G 增大; 另一方面,杂质又钉扎晶界,降低界面迁 移率,使形核率减小、生长速率减慢。 一般均起细化晶粒的作用。
第七节 冷变形金属的内应力和储存能
这部分能量提高了变形晶体的能量,使之 处于热力学不稳定状态,故它有一种使变 形金属重新恢复到自由焓最低的稳定结构 状态的自发趋势,并导致塑性变形金属在 加热时的回复及再结晶过程。
第七节 存能随形变量的增加而增大,但增速逐 渐变缓,最后趋于饱和。 ( 2 )加工温度越低,形变速度越大,材料的加 工硬化率越大,经受相同变形后的储存能也就越 高。 ( 3 )加工方式的应力状态越复杂,加工时的摩 擦力越大,应力、应变的分布越不均匀,消耗的 总能量越高,储存能也就越大。
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(二)、螺位错
分类:有左、右旋之分,根 据螺旋面旋转方向,符合 右手法则(即以右手拇指 代表螺旋面前进方向,其 他四指代表螺旋面的旋转 方向)的称右旋螺型位错。
图2-12 螺位错形成示意图
(三)、混合位错
在外力作用下,两 部分之间发生相对滑移, 在晶体内部已滑移和未 滑移部分的交线既不垂 直也不平行滑移方向 (伯氏矢量b),这样 的位错称为混合位错。 如右图所示。
五、其他晶体的点缺陷
离子晶体中整体和局部都要求电中性,因此离子晶体 中的点缺陷稍微复杂。 离子晶体中的肖脱基点缺陷只能与等量的正离子空位 和负离子空位同时存在。 另外,由于离子晶体中负离子半径往往比正离子半径 大得多,负离子不易形成间隙原子,所以弗兰克尔 点缺陷只能是等量的正离子空位和正离子间隙原子。
补充几个需要理解的概念
多晶体:
实际应用的工程材料 中,哪怕是一块尺寸很小 材料,绝大多数包含着许 许多多的小晶体,每个小 晶体由大量的位向相同的 晶胞组成,而各个小晶体 之间,彼此的位向却不相 同。称这种由多个小晶体 组成的晶体结构称之为 “多晶体”。
补充ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ个需要理解的概念
晶粒:多晶体材料中每个 小晶体的外形多为不规则 的颗粒状,通常把它们叫 做“晶粒”。 晶界:晶粒与晶粒之间的 分界面叫“晶粒间界”, 或简称“晶界”。为了适 应两晶粒间不同晶格位向 的过渡,在晶界处的原子 排列总是不规则的。
第三章
晶体结构缺陷
晶体结构缺陷的类型
点缺陷
缺陷的 类型
其特点是在三维 方向上的尺寸都 很小,缺陷的尺 寸处在一、两个 原子大小的级别, 又称零维缺陷, 例如空位,间隙 原子和杂质原子 等。
线缺陷
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五、形核与长大
晶体的凝固是通过形核与长大两个过程进行的, 即固相核心的形成与晶核生长至液相耗尽为止。 形核方式可以分为两大类: (1)均匀形核 新相晶核是在母相中均匀地生成,即晶核由液相 中的一些原子团直接形成,不受杂质或外表面的 影响。 (2)非均匀形核 新相优先在母相中存在的异质处形核,即依附于 液相中的杂质或外来表面形核。
1 形核
(1)均匀形核
5)形核率与过冷度的关系
N=N1.N2 由于N受N1.N2两个因素控制 ,形核率与过冷度之间是呈抛 物线的关系。
N1 N2
金属结晶:均匀形核时有 效过冷度(见图6-8) △T≈0.2Tm 非均匀形核时有效过冷度 △T≈0.02Tm
金属材料形核率与温度的关系如图所示 形核率突然增大的温度称为有效形核温度,此时 对应的过冷变称临界过冷度约等于0.2Tm。
结构:长程无序,短程有序(更接近于固态金属)。 特点(与固态相比):原子间距较大、原子配位数较 小、原子排列较混乱。
三、液态金属的结构
结构更接近于固态金属?
1金属的相变热 Lm « Lb≈Lc S L 近邻原子间破坏不大。 2金属熔化时的体积变化 3%~ 5% 原子间距 原子间结合力接近。 3固态与液态金属热容量差 10%以下,表明固、液态内部原子热运动状 态也相近。
2 晶体长大
2 晶体长大
2 晶体长大
(2 )液体中温度梯度与晶体的长大形态 1)正温度梯度(液体中距液固界面越远,温度越高) 粗糙界面:平面状。 光滑界面:台阶状。 2)负温度梯度(液体中距液固界面越远,温度越低) 粗糙界面:树枝状。 光滑界面:树枝状。
2 晶体长大
晶体的长大过程是液体中原子迁移到固体表面,使 液—固界面向液体中推移的过程。
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τ ≈Gb/2R
推倒思路:1、作 用在位错上的力 F=T分量 2、ds/dθ=R 3、dθ很小时
第五节、位错与晶体缺陷间的交互作用
两平行螺型位错交互作用的特点是同号相斥,
异号相吸; 当两个刃型位错的柏氏矢量方向相同时,为 斥力,反之,为引力;情况相对螺型位错复 杂; 位错与点缺陷的交互作用: 柯垂尔气团 固溶强化 史氏气团
晶体中位错柏氏矢量可否是任意的,为何常用柏氏矢 量只有少数几个?(补充资料)
实际晶体中,位错的柏氏矢量不是任意的,
它应符合相应的结构条件和能量条件。 晶体结构条件是指柏氏矢量必须连接晶体中 一个原子平衡位置到另一个平衡位置;能量 条件是指柏氏矢量所表征的位错应尽量处于 最低能量。 因此,实际晶体中存在的位错及其柏氏矢量 只有少数几个。
a 6
a[001]
a 6
[110]
[121]+
[211]
课堂练习:书上4道例题!
位错环运动习题(补充资料)
参考答案
三 扩展位错( extended dislocation ) 1 面心立方晶体中能量最低的全位错 2 〈110〉可以分 解为两个肖克莱不全位错: 1 a[101] 1/6a[211]+1/6a[112] 2 分解后将使位错能量减少1/6。这种由两个肖克莱不 全位错之间还夹着一片层错的位错称为扩展位错。
不全位错:
肖克莱(Shockley)不全位错和 弗兰克(Frank)不全位错; 在面心立方晶体中,由不均匀滑移造成的不 1 全位错,其柏氏矢量为 6 a〈211〉,称这种不 全位错为肖克莱不全位错; 肖克莱不全位错可以是刃型、螺型或混合型 位错,因其柏氏矢量在滑移面上,故肖克莱 不全位错可以滑移。.
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北京科技大学2010年硕士学位研究生入学考试试题试题编号: ________________________ 试题名称:___________ (共2页)适用专业:材料科学与工程______________________________________________________________说明:所有答案必须写在答题纸上,做在试题或草稿纸上无效.一、分析发生下列现象的原因(30分)1. 低碳钢应力-应变曲线的屈服现象(10分)2. 金属及合金凝固时形成树枝状晶(10分)3. 上坡扩散(5分)4. 二次再结晶(5分)二、在面心立方结构的金属中(111)面上运动着柏氏矢量为6=a/2[110]的位错,位错线方向也是[110],请在单胞中画出(ill)晶面和山0]晶向,并说明该位错属于什么类型?如果该位错的运动受到阻碍后,请判断是否有可能转移到(ill), (ill), (ill)各晶面上继续运动?说明为什么?(15分)三、以含Al-4wt%Cu合金为例,给出其经过不同固溶时效工艺处理后的脱溶贯序;定性说明各阶段脱溶相的尺寸及分布特点、与母相的界面匹配关系及其强化效果等.(20分)四、讨论晶体结构和空间点阵之间的关系。
(15分)五、与液态结晶过程相比,固态相变有什么特点?这些特点对固态相变后形成的组织有什么影响?(15分)六、叙述离子晶体的结构规则(15分)七、分析形成下列不同铸态组织的可能原因,并说明要得到细小的等轴晶,可采取哪些办法?(20分)八、参考下面提供的示意图,画出按组织分区的Fe-Fe’C相图,写出各三相反应,并说明分别为1. Owt%C和3. Owt%C的铁碳合金经过缓慢冷却在相关三相反应完成后形成的各组织特点(20分)。
2010答案:一、1.低碳钢在一定条件下形变时,应力-应变曲线的大致规律是首先发生线性弹性变形,达到屈服时发生塑性变形直至断裂。
特殊的地方在于应力-应变曲线上常常出现上下屈服点,这与C间隙原子对位错的钉扎作用有关。
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二次电子收集系统由栅网、聚焦环和闪烁体组成。
栅网上加+250V电压,用来吸引二次电子。通过 调整聚焦环位置可改变闪烁体前加速电场分布, 使二次电子比较集中打到加有+12kV高压的闪烁 体上。
二次电子探测器示意图
二次电子大部分信号穿过栅网,打到闪烁体上,转
换成光信号,经光电倍增管输出的电流信号接到视 频放大器,再稍放大后即可用来调制显像管亮度, 从而获得图像。
1.1概述
扫描电子显微镜是探索微观世界奥秘的 最有效的大型精密仪器之一自1965年做出第 一台商品扫描电镜,自其问世以来,得到了 迅速的发展,种类不断增多,性能日益提高, 由于其具备分辨率高、放大倍数变化范围宽、 景深大、立体感强、样品制备简单等特点, 因此广泛地应用于材料科学、地质学、生物 学、医学、物理学、化学等众多的科学研究 领域。
电子显微镜(electron microscope):用
一束电子照射到样品上并将其组织结构细节 放大成像的显微镜。
电子显微镜的类型
扫描电子显微镜(scanning electron
microscope, SEM) 透射电子显微镜(transmission electron microscope,TEM) 扫描透射电子显微镜(scanning transmission electron microscope, STEM)
背反射电子像
背反射电子是被样品 原子反射回来的人射电 子。实验指出,当入射 电子能量在 10~40 keV范围时,样品背散 射系数随元素原子序 数Z的增大而增加,如 下图所。
这主要是因为大角度弹性散射随原子序数增大而
增加。例如碳原子序数Z= 6,背散射系数<10 %,铀原子序数Z=92,背散射系数 >50%。 对于 Z<40的元素,背散射系数随原子序数的变 化较为明显;例如在Z=20附近,原子序数每变 化1,引起背散射系数变化约为5%。由于背散射 电子信号强度人与成正比,背散射电子信号强 度随原子序数Z增大而增大,样品表面上平均原 子序数较高的区域,产生较强的信号,在背散射 电子像上显示较亮的衬度。因此可以根据背散射 电子像(成分像)亮暗村度来判断相应区域原子 序数的相对高低,对金属及其合金进行显微组织 的分析。
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表面能与晶体表面原子排列紧密程度有关,原 子密排的表面具有最小的表面能。
fcc的Au晶体的表面能极图
影响表面能的因素?
(1)外部介质的性质(外与内作用力 相差越大,表面能越大)。 (2)裸露晶面的原子密度(密排晶面 裸露表面能最小)。 (3)晶体表面的曲率(曲率越大,表 面能越大)。
一 外表面(晶体表面-plane of crystal)
表面是指固体材料与真空或气体、液体等 外部介质相接触的界面; 而内界面包括晶界(grain boundary)、孪晶 界(twin boundary)、亚晶界(subboundary)、相界(phase boundary)及层 错(stacking fault )等。
三、亚晶界
实际晶体中,每个晶粒 内的原子排列并不是十 分整齐的,往往能够观 察到这样的亚结构,由 直径为10~100um的晶 块组成,彼此之间存在 极小的位相差(通常< 2°).这些小晶块之间 的内界面称为亚晶粒间 界,简称亚晶界。
金属晶粒内部结构示意图
三、亚晶界
铸态:亚晶粒 边长10-2cm 变形或热处理: 10-6~10-4cm 亚晶界也可以 阻碍塑性变形, 故亚晶细化也 可提高金属的 屈服强度。
一 外表面(晶体表面-plane of crystal)
内部原子对界面原子的作用力显著大 于外部原子或分子的作用力。 导致表面原子就会偏离其正常平衡位 置,并因而牵连到邻近的几层原子, 造成表面层的晶格畸变。 由于晶格畸变,故表面层能量就要升 高。表面能!
什么是表面能?
晶体表面单位面积自由能的增加称为表面能 γ (J/m2)。表面能也可理解为产生单位面 积新表面所作的功: dW γ = dS 式中,dW为产生dS表面所作的功。 表面能也可以单位长度上的表面张力(N/m) 表示。 晶体的表面张力是各向异性的
5).由于成分偏析和内吸附现象,特别是晶界 富集杂质原子的情况下,往往晶界熔点较低, 故在加热过程中,因温度过高将引起晶界熔化 和氧化,导致“过烧”现象产生。 6).由于晶界能量较高、原子处于不稳定状态, 以及晶界富集杂质原子的缘故,与晶内相比晶 界的腐蚀速度一般较快。这就是用腐蚀剂显示 金相样品组织的依据,也是某些金属材料在使 用中发生晶间腐蚀破坏的原因。
晶体缺陷3 表面及界面
一 外表面 二 晶界和亚晶界 三 孪晶界 四 相界
严格来说,界面包括外表面(自由表面)和内 界面。表面是指固体材料与气体或液体的分界 面,它与摩擦、磨损、腐蚀、偏析、催化、吸 附现象,以及光学、微电子学等均密切相关; 内界面可分为晶粒边界和晶内的亚晶界、孪晶 界、层错及相界面等。 界面通常包含几个原子层厚的区域,该区域内 原子排列甚至化学成分往往不同于晶体内部, 又因它系二维结构分布,故也称为晶体的面缺 陷。界面的存在对晶体的物理、化学和力学等 性能产生重要的影响。
二、晶界
晶体结构相同但位向不同的晶粒之间 的界面称为晶界(grain boundary);依 据相邻晶粒位向差大小分为: 小角度晶界( θ < 10°) (small -angle grain boundary)基本由位错构成。 大角度晶界( θ > 10°) (l arge -angle grain boundary)结构十分复杂,目前尚不 十分清楚,多晶体金属材料中的晶界 大都属于此类。
面பைடு நூலகம்立方晶体的孪晶关系
三 孪晶界
可 以 看 出 …CAC… 处相当于堆垛层错, 接着就按倒过来的 顺序堆垛,仍属正 常的 fcc 堆垛顺序, 但与出现层错之前 的那部分晶体顺序 正好相反,故形成 了对称关系。
面心立方晶体的孪晶关系
孪晶之间的界面称为孪晶界。如果孪晶界与孪晶面 一致,称为共格孪晶界;如果不一致,称为非共格 孪晶界。
四、孪晶界
孪晶是指两个晶体 ( 或 一个晶体的两部分 ) 沿 一个公共晶面构成镜 面对称的位向关系, 这两个晶体就称为 “ 孪 晶 (twin crystal)” , 此公共晶面就称孪晶 面 ,如下图所示。
面心立方晶体的孪晶关系
三 孪晶界
孪晶的形成与堆垛层错 有密切关系。例如,面 心立方晶体是以 {111} 面 按 ABCABC… 的 顺 序 堆 垛 而 成 的 , 可 用 △△△△ … 表示。如果 从某一层开始,其堆垛 顺序发生颠倒,就成为 ABCACBACBA… , 即 △△△▽▽▽▽ … ,则 上下两部分晶体就构成 了镜面对称的孪晶关系。
1共格相界(coherent phase boundary)
理想共格相界很少,多少会有弹性畸变。 一侧受拉应力,一侧受压应力。 当相界面的能量高至不能维持共格关系时, 则共格关系被破坏,变成一种非共格相界。 半共格相界是介于共格相界与非共格相界 面之间的一种状态。
具有完善的共格关系的相界
小结
1)外表面、表面能 2)晶界和亚晶界 3)大、小角度晶界 4)晶界的特性 5)孪晶界 6)相界
作业
1 解释下列基本概念 ①晶界②相界③亚晶界④孪晶 2 亚晶界均属于 ,一般小于20;多晶 体的晶界大多属于 。 3 试比较三种相界面的能量关系。
1、小角度晶界
其基本类型有对 称倾侧晶界和扭 转晶界两类。
一系列等间距排列 的同号刃型位错所 构成(位错墙), 这个取向差可以用 几个倒写的T字表示。
对称倾侧晶界
当θ>100,D只有5~6个原子间距, 位错密度大,模型不适用。
2)扭转晶界 (twist boundary)
扭转晶界的形成
具有弹性畸变的共格关系的相界
半共格相界
非共格相界
六 堆垛层错(stacking fault)
在实际晶体中,晶面堆垛顺序发生局部差错而 产生的一种晶体缺陷称为堆垛层错,简称层错。 是一种面缺陷,通常发生于面心立方金属。 完整面心立方结构密排面{111}按 ABCABCABC顺序堆垛,但假设顺序变为: ABCABABCABC,相当于抽掉了第二个C层, 在局部区域出现了ABAB密排六方的堆垛特征。
如果孪晶界相对于孪晶 面旋转一角度,即可得 到另一种孪晶界——非 共格孪晶界。 此时,孪晶界上只有部 分原子为两部分晶体所 共有,因而原子错排较 严重,这种孪晶界的能 量相对较高,约为普通 晶界的1/2。
非共格孪晶界
五 相界
具有不同结构的两相之间的分界面称为“相界 (phase boundary)”。按结构特点,相界面可 分为共格相界、半共格相界和非共格相界三种 类型。 所谓共格界面是指界面上的原子同时位于两相 晶格的结点上,为两种晶格所共有。
2大角度晶界的结构
分界面上既包含有同 时属于两晶粒的原子 D,也包含有不属于 任一晶粒的原子A; 既包含有压缩区B, 也包含有扩张区C。 这是由于晶界上的原 子同时受到位向不同 的两个晶粒中原子的 作用所致。
大角度晶界模型
2大角度晶界的结构
总之,大角度晶界上原子排列比较紊 乱,但也存在一些比较整齐的区域。 因此,晶界可看成坏区与好区交替相 间组合而成。随着位向差θ 的增大, 坏区的面积将相应增加。纯金属中大 角度晶界的宽度一般不超过3个原子间 距。
孪晶界可分为两类,共格孪晶界(coherence twin boundary)和非共格孪晶界(incoherence twin boundary) 。 共格孪晶界就是孪晶面上的原子同时位于两个 晶体点阵的结点上,为两个晶体所共有,属于 自然地完全匹配是无畸变的完全共格晶面,它 的界面能很低,约为普通晶界界面能的1/10, 很稳定,在显微镜下呈直线,这种孪晶界较为 常见。
3、晶界的特性
1).晶界处点阵畸变大,存在晶界能。 晶粒的长大和晶界的平直化都能减少 晶界面积,从而降低晶界的总能量, 这是一个自发过程。晶粒的长大和晶 界的平直化均需通过原子的扩散来实 现,因此,温度升高和保温时间的增 长,均有利于这两过程的进行。
2)晶界处原子排列不规则,在常温下 晶界的存在会对位错的运动起阻碍作 用,致使塑性变形抗力提高,宏观表 现为晶界较晶内具有较高的强度和硬 度。晶粒越细 , 材料的强度越高,这就 是细晶强化。
3).晶界处原子偏离平衡位置,具有较高的动 能,并且晶界处存在较多的缺陷如空穴、杂质 原子和位错等,故晶界处原子的扩散速度比在 晶内快得多。 4).在固态相变过程中,由于晶界能量较高且原 子活动能力较大,所以新相易于在晶界处优先 形核.原始晶粒越细,晶界越多,则新相形核率也 相应越高。
合金元素及杂质元素溶入固溶体,与其 中的缺陷发生交互作用,使溶质原子在 缺陷处发生偏聚,其浓度大大超过固溶 体的浓度,这种现象称为内吸附。
三、亚晶界
亚结构和亚晶界的含义是广泛的,它们分别泛 指尺寸比晶粒更小的所有细微组织及其分界面。 可在凝固时形成,可在形变时形成,也可在回 复再结晶时形成,还可在固体相变时形成。 如形变亚结构和形变退火时(多边形化)形成 的亚晶和它们之间的界面均属于此类。 亚晶界为小角度晶界,这点已由大量试验结果 所证实。
该晶界的结构可看成是由互 相交叉的螺型位错所组成
1、小角度晶界
应当指出:对称倾侧晶界和扭转晶界 是小角度晶界的两种简单形式。 大多数小角度晶界一般是刃型位错和 螺型位错的组合。 转轴与晶界成一定角度。
2大角度晶界的结构
晶粒之间的晶界通常为 大角度晶界,如右图所 示。大角度晶界的结构 较复杂,原子排列很不 规则,有人认为大角度 晶界的结构接近于图示 的模型。取向不同的相 邻晶粒的界面不是光滑 的曲面,而是由不规则 的台阶组成的。