传感器课程设计——霍尔传感器测量磁场要点
使用霍尔效应传感器测量磁场的步骤与技巧
使用霍尔效应传感器测量磁场的步骤与技巧磁场是我们日常生活中不可或缺的一部分。
为了准确测量磁场的强度和方向，我们可以使用霍尔效应传感器。
霍尔效应传感器是一种电子元件，能够测量磁场对电流的影响，从而提供有关磁场特征的输出。
下面将介绍使用霍尔效应传感器测量磁场的步骤与技巧。
步骤一：选择合适的霍尔效应传感器首先，我们需要选择适合我们需求的霍尔效应传感器。
市面上有多种类型的霍尔效应传感器，根据不同的应用需求，如测量范围、磁场灵敏度等，我们可以选择不同型号的传感器。
在选择过程中，可以参考产品手册和技术规格，以确保选购到最适合的传感器。
步骤二：搭建合适的实验装置为了进行磁场测量，我们需要搭建一个合适的实验装置。
装置可以包括霍尔效应传感器、电源供应器、磁场源以及相应的电路连接等。
在搭建装置时，需要保证传感器和其他元件之间的正确连接，并确保电路的稳定性和可靠性。
步骤三：校准霍尔效应传感器在进行实际测量之前，我们需要对霍尔效应传感器进行校准。
校准的目的是获得准确的输出，以便后续的磁场测量。
校准过程中，可以通过改变磁场的强度和方向，观察传感器的响应，并记录相关数据。
通过分析这些数据，我们可以建立校准曲线，以便将传感器输出与实际磁场值进行对应。
步骤四：确定磁场测量方法在进行磁场测量时，我们需要确定合适的测量方法。
常见的方法有点测量法和线测量法。
点测量法适用于测量特定位置的磁场值，可以将传感器放置在需要测量的位置，记录传感器输出值。
线测量法适用于测量磁场的空间分布情况，可以通过移动传感器的位置，并记录相应的测量值。
步骤五：进行磁场测量在经过前述准备工作后，我们可以进行磁场测量了。
根据选择的测量方法，将霍尔效应传感器放置在适当的位置，并记录传感器输出值。
在测量过程中，需要注意保持传感器与磁场源之间的适当距离，以避免其他因素对测量结果的影响。
如果需要测量不同位置的磁场值，重复移动传感器的位置，并记录相应的测量值。
步骤六：数据处理与分析完成磁场测量后，我们需要对获得的数据进行处理与分析。
霍尔元件基本参量及磁场的测量
霍尔元件基本参量及磁场的测量【实验目的】（1）了解霍尔元件的基本原理及产生的条件，测量室温下半导体材料的霍尔元件的基本参数。
（2）测绘霍尔元件的V H -I S 、V H -I M 曲线，了解霍尔电压与霍尔元件工作电流I S 和励磁电流I M 之间的关系。
（3）测电磁铁磁隙中磁场的横向分布。
【实验原理】1. 霍尔效应如图3.7.1所示，一块宽为W ，厚为h 的半导体薄片，若在其对称点1、2之间接上一个灵敏度电流计，沿x 轴正向通电流，在不加磁场的情况下，电流计不会偏转，说明1、2两点半导体薄片图3.7.1之间电位相等；但是如果在z 方向加上磁场B ，电流计立即就会偏转，说明1、2两点之间有电位差。
这一现象是霍尔首先发现的，故称霍尔效应，两点间的电位差称为霍尔电压。
设沿半导体薄片x 方向通一稳恒电流I S ，z 方向加一均匀磁场B 后，半导体薄片中的载流子（空穴或电子）将受到洛仑兹力F B 的作用，由于I S 的方向和B 垂直，故F B ＝evB ，这个力使电荷在元件的两边1-3或2-4面堆积并形成一横向电场E H ，即霍尔电场。
电场E H 对载流子产生一个方向和洛仑兹力F B 相反的静电力F B ＝eE H ，当载流子受到的横向电场力和磁场力达到平衡（F E ＝F B ）时，即有H evB eE = （3.7.1）H E vB =式中 e —— 载流子电量；v —— 载流子速度；E H —— 霍尔电场强度。
设两侧面间霍尔电压为V H ，则H H 00w wV E d vBd vBw ===⎰⎰ （3.7.2）由于半导体薄片厚为h ，在x 方向的截面面积S w h =⋅，再设半导体薄片内单位体积电荷数为n ，则电流密度nev δ= （3.7.3） 电流强度S I S nev wh δ=⋅=⋅ （3.7.4） 于是S I v newh =（3.7.5） 则S H 1I B V ne h =⋅ （3.7.6） 2. 基本参数（1）霍尔系数 式（3.7.6）中，令H 1R ne =（3.7.7） 则 S S H H 1I B I B V R ne h h=⋅= （3.7.8） R H 称为霍尔系数，是半导体材料的一个重要参数，当R H 为负值时，半导体薄片为N 型半导体（电子型导电）；当R H 为正值时，半导体薄片为P 型半导体（空穴型导电），由式（3.7.7）可得出半导体薄片的霍尔系数的测量公式为H H S V h R I B⋅= （3.7.9） H R 的单位为：cm 3/C 〔B 、I S 、V H 、h 的单位分别为高斯（1Gs =10－4 T ）、安培（A ）、伏特（V ）、厘米（cm ）〕，也常用m 3/C.(2) 载流子浓度由公式（3.77）可得载流子浓度n ：H 1n R e= （3.7.10） （3）电导率由于半导体薄片的电阻R 的大小与其长度L 成正比，与其截面面积成反比，即L R Sρ= （3.7.11） 式中ρ 为半导体材料的电阻率，则其电导率σ 为1L RSσρ== （3.7.12） 在图3.7.1的半导体薄片中，设相距为L 的两点间的电位差为V 1，则S S 1S 11I L I L V R I S whσσ=⋅=⋅=⋅ （3.7.13） S 1I L V whσ=⋅ （3.7.14） 若已知半导体薄片的w 、h 、L ，并测出工作电流I S 和相距为L 的两点间的电位差V 1，代入式（3.7.14）就可求得σ。
霍尔传感器的课程设计..docx
霍尔传感器的课程设计.标题：霍尔传感器的课程设计摘要：霍尔传感器是一种常用的磁场传感器，广泛应用于工业控制、汽车电子、医疗仪器等领域。
本文基于实际情景，设计了一门针对霍尔传感器的课程。
通过该课程，学生将全面了解霍尔传感器的原理、应用和实验操作技能，为他们将来的工作和学习提供有力支持。
关键词：霍尔传感器，课程设计，实验操作技能一、引言近年来，随着工业自动化和电子技术的快速发展，传感器技术在各个领域得到广泛应用。
其中，霍尔传感器因其简单、高精度的测量特性备受关注。
针对这一热门技术，设计一门系统全面的课程对于培养学生的实践操作技能和创新能力具有重要意义。
二、课程目标1. 理解霍尔传感器的原理和工作机制。
2. 掌握霍尔传感器的应用场景和相关技术。
3. 培养学生在实验操作和解决实际问题中的能力。
三、课程内容安排1. 原理和基础知识讲解- 霍尔效应的原理和基本概念- 霍尔传感器的工作原理及分类- 霍尔传感器在不同领域的应用案例介绍2. 实验操作训练- 霍尔传感器的接线和电路设计- 信号采集和处理相关实验- 数据分析和结果评估3. 项目设计与开发- 学生自主或小组合作，设计并实现一个基于霍尔传感器的应用项目- 考核项目的创新性、可行性和实用性四、教学方法1. 讲授法：通过教师讲解和示范，向学生传授相关知识和技能。
2. 实验操作：提供实验平台，让学生亲自操作霍尔传感器进行测量和实验。
3. 讨论与案例分析：通过小组讨论、案例分析，激发学生思维，培养解决实际问题的能力。
4. 项目指导：教师定期跟进项目设计与开发过程，提供指导和反馈。
五、评估方式1. 平时表现：包括实验记录、课堂参与等。
2. 实验报告：学生通过实验操作，撰写实验报告，总结实验结果和数据分析。
3. 项目成果：考核学生项目设计和实现的创新性、可行性和实用性。
六、预期成果经过本课程的学习，学生将掌握霍尔传感器的原理、应用和实验操作技能，具备以下能力：- 理解和解释霍尔传感器相关技术和概念。
霍尔传感器探伤要点
东北石油大学课程设计2013年7 月16日任务书课程传感器课程设计题目探伤式传感器应用电路设计专业测控技术与仪器姓名刘师学号100601240207主要内容：霍尔传感器无损探伤：应用在设备故障诊断、材料缺陷检测之中霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。
当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。
其探伤原理是建立在铁磁性材料的高磁导率特性之上。
采用霍尔元件检测该泄漏磁场B的信号变化，可以有效地检测出缺陷存在。
基本要求：1、此霍尔传感器正常工作时能诊断设备故障。
2、此霍尔传感器正常工作时能检测材料缺陷。
主要参考资料：[1]陈杰.传感器与检测技术[M].北京.高等教育出版社.2002[2] 郁有文.传感器原理与工程应用[M].西安电子科技大学出版社.2001[3] 张福学.传感器电子学及其应用[M].北京.国防工业出版社.1990[4] 吴光杰.传感器与检测技术[M].重庆大学出版社.2011完成期限2013.7.12—2013.7.16指导教师专业负责人2013年7 月12 日摘要霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器，用它们可以检测磁场及其变化，并且运用越来越广泛，且有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀，这与其结构和原理有很大的关联。
[1]用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。
在利用霍尔传感器进行机械设备的无损探伤中，我们根据无损探伤原理，在理论的基础上，讨论了霍尔元件在获取漏磁场变化信号中的特点，设计出简易的无损探伤设备。
探讨提高探伤精度的技术措施，介绍在工程中的应用实例。
关键词：霍尔效应；原理；无损探伤；磁场；漏磁目录一、设计要求 (1)1、功能及意义 (1)2、国内外发展现状 (1)二、设计方案及其特点 (2)1、方案说明 (2)2、方案论证 (3)三、传感器工作原理 (3)1、霍尔元件定义及其特点和制作 (3)2、霍尔元件电磁无损探伤原理 (3)四、电路的工作原理 (4)五、单元电路设计、参数计算和器件选择 (5)1、单元电路设计 (5)2、参数计算 (6)3、器件选择 (7)六、总结 (7)探伤式传感器应用电路设计一、设计要求1、功能及意义霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
霍尔元件测量磁场实验报告
霍尔元件测量磁场实验报告1. 引言嘿，大家好，今天咱们来聊聊一个酷炫的实验，那就是用霍尔元件测量磁场。
这玩意儿听起来可能有点高深，但其实也没那么复杂。
就像喝水一样，简单明了，来，跟我一块儿探究吧！霍尔元件，它的工作原理就像魔法一样。
你只需把它放到磁场中，它就能告诉你磁场的强度。
是不是很神奇？而且我们用这个实验，不仅能让大家对物理有更直观的认识，还能让学习变得更有趣，谁不想当个科学小达人呢？2. 实验原理2.1 霍尔效应首先，咱们得聊聊霍尔效应。
简单来说，就是当电流流过一个导体，放在垂直磁场里时，导体的一侧会出现电压差，这就是霍尔电压。
哇，这个原理听起来就像是在讲故事一样，对吧？电流、磁场、电压，这些元素混在一起，真的是一场科学的盛宴。
霍尔元件通过这种效应，能把磁场的强度转化成电信号，太厉害了！2.2 实验准备在实验之前，咱们得准备一些材料。
别担心，所需的东西可不复杂：一个霍尔元件、一块电源、一根电流表，还有一个可以调节磁场的装置。
哦，对了，还有个小黑板，用来记录数据。
只要把这些东西都准备好，就可以开始这场科学之旅啦！记得保持耐心哦，科学可不是一蹴而就的事情。
3. 实验步骤3.1 连接电路接下来，咱们开始实验。
首先，把霍尔元件连上电源。
电流一开，霍尔元件就开始“工作”了。
真是好像打开了一扇新世界的大门！记得检查一下连接是不是牢靠，别让电流跑了。
这就像养花，浇水的时候要保证水分足够，也不能太多，否则就容易烂根。
3.2 测量磁场好了，现在就轮到咱们测量磁场了。
把霍尔元件放进调节好的磁场里，慢慢调整磁场强度。
每次调整后，看看电流表上的数值，哇，真的是一目了然，数据在眼前一闪一闪的，就像星星一样。
记得要记录下每个强度对应的电压哦，数据可不能遗漏！这些数据将来可是你展示成果的“秘密武器”呢！4. 数据分析4.1 结果讨论当数据收集完后，咱们就要进行数据分析了。
看看这些数值有没有规律，能不能从中找到一些有趣的结论。
霍尔法测磁场实验总结
霍尔法测磁场实验总结
霍尔效应是指当导体中有电流流过时，垂直于电流方向和磁场方向的电场会产
生一个电势差，这个现象就是霍尔效应。
利用霍尔效应可以测量磁场的强度，这就是霍尔法测磁场实验的原理。
在进行霍尔法测磁场实验时，首先需要准备一块矩形形状的半导体材料，如硅
或者锗。
将这块半导体材料连接到一个电源上，使其形成一个闭合电路，然后将这个闭合电路放置在一个外加磁场中。
在半导体材料的一侧放置一个电压表，另一侧放置一个磁感应强度计，通过测量在外加磁场下半导体材料两侧产生的电势差和电流，就可以计算出磁场的强度。
在实验过程中，我们发现了一些规律。
首先是磁场的方向和电流的方向会影响
霍尔电压的极性，当磁场方向和电流方向一致时，霍尔电压的极性与电流方向一致；当磁场方向和电流方向相反时，霍尔电压的极性与电流方向相反。
其次是磁场的强度和霍尔电压成正比，即磁场越强，霍尔电压也越大。
最后是半导体材料的性质也会影响霍尔电压的大小，不同的半导体材料会有不同的霍尔系数，从而影响霍尔电压的大小。
通过这些实验结果，我们可以得出结论，霍尔法测磁场实验是一种简单而有效
的测量磁场强度的方法。
它不仅可以用于实验室中对磁场的测量，还可以应用于工业和科研领域中。
同时，我们也深刻理解了霍尔效应在磁场测量中的应用，这对我们进一步深入研究磁场有着重要的意义。
总之，霍尔法测磁场实验是一项具有重要意义的实验，通过这项实验，我们不
仅加深了对霍尔效应的理解，还掌握了一种测量磁场强度的有效方法。
希望在今后的学习和科研中，我们能够充分利用这项实验成果，为科学研究和技术应用做出更大的贡献。
霍尔效应法测量磁场
实验八 霍尔效应法测量磁场【实验目的】1．了解霍尔器件的工作特性。
2．掌握霍尔器件测量磁场的工作原理。
3．用霍尔器件测量长直螺线管的磁场分布。
4．考查一对共轴线圈的磁耦合度。
【实验仪器】长直螺线管、亥姆霍兹线圈、霍尔效应测磁仪、霍尔传感器等。
【实验原理】1．霍尔器件测量磁场的原理图1 霍尔效应原理如图1所示，有－N 型半导体材料制成的霍尔传感器，长为L ，宽为b ，厚为d ，其四个侧面各焊有一个电极1、2、3、4。
将其放在如图所示的垂直磁场中，沿3、4两个侧面通以电流I ，则电子将沿负I 方向以速度运动，此电子将受到垂直方向磁场B 的洛仑兹力m e F ev B =⨯u u r u r u r作用，造成电子在半导体薄片的1测积累过量的负电荷，2侧积累过量的正电荷。
因此在薄片中产生了由2侧指向1侧的电场H E u u u r，该电场对电子的作用力H H F eE =u u r u u u r ，与m e F ev B =⨯u u r u r u r反向，当两种力相平衡时，便出现稳定状态，1、2两侧面将建立起稳定的电压H U ，此种效应为霍尔效应，由此而产生的电压叫霍尔电压H U ，1、2端输出的霍尔电压可由数显电压表测量并显示出来。
I如果半导体中电流I 是稳定而均匀的，可以推导出H U 满足：H H H IBU R K IB d=⋅=⋅， 式中，H R 为霍耳系数，通常定义/H H K R d =，H K 称为灵敏度。
由H R 和H K 的定义可知，对于一给定的霍耳传感器，H R 和H K 有唯一确定的值，在电流I 不变的情况下，与B 有一一对应关系。
2．误差分析及改进措施由于系统误差中影响最大的是不等势电势差，下面介绍一种方法可直接消除不等势电势差的影响，不用多次改变B 、I 方向。
如图2所示，将图2中电极2引线处焊上两个电极引线5、6，并在5、6间连接一可变电阻，其滑动端作为另一引出线2，将线路完全接通后，可以调节滑动触头2，使数字电压表所测电压为零，这样就消除了1、2两引线间的不等势电势差，而且还可以测出不等势电势差的大小。
传感器课程设计——霍尔传感器测量磁场
目录一、课程设计目的与要求 (2)二、元件介绍 (3)三、课程设计原理 (6)3.1霍尔效应 (6)3.2测磁场的原理,载流长直螺线管内的磁感应强度 (8)四、课程设计内容 (10)4.1电路补偿调节 (10)4.2失调电压调零 (10)4.3按图4-3接好信号处理电路 (10)4.4按图4-4接好总测量电路 (11)4.5数据记录与处理 (12)4.6数据拟合 (14)五、成品展示 (16)六、分析与讨论 (17)实验所需仪器 (19)个人总结 (20)致谢 (21)参考文献 (22)参考网址 (22)一、课程设计目的与要求1.了解霍尔传感器的工作原理2.掌握运用霍尔传感器测量磁场的方法二、元件介绍CA3140CA3140高输入阻抗运算放大器,是美国无线电公司研制开发的一种BiMOS高电压的运算放大器在一片集成芯片上，该CA3140A和CA3140 BiMOS运算放大器功能保护MOSFET的栅极（PMOS上）中的晶体管输入电路提供非常高的输入阻抗，极低输入电流和高速性能。
操作电源电压从4V至36V（无论单或双电源),它结合了压电PMOS晶体管工艺和高电压双授晶体管的优点.(互补对称金属氧化物半导体)卓越性能的运放。
应用范围:.单电源放大器在汽车和便携式仪表.采样保持放大器.长期定时器.光电仪表.探测器.有源滤波器.比较器.TTL接口.所有标准运算放大器的应用.函数发生器.音调控制.电源.便携式仪器3503霍尔元件UGN3503LT，UGN3503U和UGN3503UA霍尔效应传感器准确地跟踪磁通量非常小的变化，密度变化通常太小以致不方便操作霍尔效应开关。
可作为运动探测器，齿传感器和接近探测器，磁驱动机械事件的镜像。
作为敏感电磁铁的显示器，就可以有效地衡量一个系统的负载量可以忽略不计的性能，同时提供隔离污染和电气噪声。
每个霍尔效应集成电路包括一个霍尔传感元件，线性放大器和射极跟随器输出级。
三种封装形式提供了对磁性优化包大多数应用程序。
用霍尔效应测量磁场实验报告
用霍尔效应测量磁场实验报告一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、掌握用霍尔效应测量磁场的方法。
3、学会使用霍尔效应实验仪测量霍尔电压，并计算磁场强度。
二、实验原理霍尔效应是指当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这种现象称为霍尔效应。
设导体的厚度为 d，宽度为 b，通过的电流为 I，磁场强度为 B，电子的电荷量为 e，电子的平均漂移速度为 v，则霍尔电压 VH 可以表示为：VH ＝ KHIB/d其中，KH 为霍尔元件的灵敏度。
三、实验仪器1、霍尔效应实验仪。
2、直流电源。
3、数字电压表。
4、特斯拉计。
四、实验步骤1、按照实验仪器的说明书连接好电路，确保连接正确无误。
2、打开直流电源，调节电流输出，使通过霍尔元件的电流达到一个预定的值，例如 I ＝ 500mA。
3、将特斯拉计探头放置在霍尔元件附近，测量磁场强度 B。
记录此时的磁场强度值 B1。
4、改变磁场方向，再次测量磁场强度 B，记录为 B2。
5、移动霍尔元件在磁场中的位置，测量不同位置处的霍尔电压VH。
6、改变通过霍尔元件的电流大小，重复步骤3 5，测量多组数据。
五、实验数据记录与处理｜电流 I （mA) ｜磁场强度 B1 （T) ｜磁场强度 B2 （T) ｜霍尔电压 VH1 （mV) ｜霍尔电压 VH2 （mV) ｜｜｜｜｜｜｜｜ 500 ｜ 010 ｜－010 ｜ 250 ｜－250 ｜｜ 1000 ｜ 020 ｜－020 ｜ 500 ｜－500 ｜｜ 1500 ｜ 030 ｜－030 ｜ 750 ｜－750 ｜根据实验数据，计算霍尔元件的灵敏度 KH。
以电流 I ＝ 500mA 为例：KH ＝ VH1 ／（I × B1 × d) ＝ 250 ／（500 × 010 × d)同理，可计算其他电流下的 KH 值，并取平均值。
六、实验误差分析1、系统误差实验仪器本身的精度限制，如直流电源的输出稳定性、数字电压表的测量精度等。
霍尔元件测量磁场的实验总结
霍尔元件测量磁场的实验总结一、引言磁场是物质周围存在的一种物理现象，它对于我们的生活和科学研究有着重要的作用。
霍尔元件是一种常用的测量磁场的装置，它利用霍尔效应来测量磁场的强度和方向。
本文将对以霍尔元件测量磁场的实验进行总结和归纳。
二、实验目的本实验的目的是通过使用霍尔元件测量不同磁场下的霍尔电压，了解霍尔元件的工作原理，并掌握利用霍尔元件测量磁场的方法。
三、实验原理霍尔效应是指在导体中有电流流过时，垂直于电流方向的磁场会引起电势差的现象。
当霍尔元件处于磁场中，垂直于电流方向的霍尔电压产生，其大小与磁场强度成正比。
通过测量霍尔电压和电流大小，可以计算出磁场的强度。
四、实验步骤1. 准备实验装置，包括霍尔元件、电源、电流表和万用表。
2. 将霍尔元件连接到电路中，注意保持霍尔元件与电流方向垂直。
3. 调节电流源的电流，记录不同电流下的霍尔电压。
4. 改变磁场的强度，记录不同磁场下的霍尔电压。
5. 根据实验数据计算出磁场的强度，并进行数据分析。
五、实验结果与讨论通过实验测量得到的数据，可以绘制出电流与霍尔电压的关系曲线。
根据曲线的斜率，可以计算出霍尔系数，从而得到磁场的强度。
实验结果表明，霍尔元件可以准确测量磁场的强度和方向。
六、实验误差分析在实验过程中，可能会存在一些误差，如电流测量误差、霍尔电压测量误差和磁场测量误差。
这些误差会对实验结果产生一定的影响。
为了减小误差，可以采取合理的实验设计和仪器校准。
七、实验结论本实验通过使用霍尔元件测量磁场的方法，成功地测量了不同磁场下的霍尔电压，并计算出了磁场的强度。
实验结果表明，霍尔元件是一种可靠的测量磁场的装置，具有较高的精度和重复性。
八、实验意义霍尔元件测量磁场的方法具有广泛的应用价值。
它可以用于工业生产中的磁场检测和控制，也可以用于科学研究中的磁场测量和分析。
通过掌握霍尔元件测量磁场的方法，可以更好地理解和应用磁场相关的知识。
九、进一步思考本实验只是介绍了一种使用霍尔元件测量磁场的方法，还有其他方法可以测量磁场，如磁力计、震荡磁场法等。
霍尔传感器课程设计
霍尔传感器课程设计一、课程目标知识目标：1. 理解霍尔传感器的工作原理，掌握其基本构造和应用领域；2. 学会使用霍尔传感器进行物理量的测量，并能准确读取数据；3. 了解霍尔传感器在智能控制系统中的应用，掌握相关电路连接和编程方法。
技能目标：1. 能够正确组装和调试霍尔传感器，进行简单的物理量检测实验；2. 培养学生动手实践能力，提高电路连接和编程技巧；3. 提高学生分析问题和解决问题的能力，培养创新思维。
情感态度价值观目标：1. 激发学生对传感器技术及其应用的兴趣，培养学习热情；2. 培养学生团队协作精神，学会与他人共同探讨和解决问题；3. 增强学生的环保意识，了解传感器技术在节能减排方面的应用。
课程性质分析：本课程属于物理学科，结合传感器技术，以实践操作为主，注重理论知识与实际应用的结合。
学生特点分析：学生处于八年级，具备一定的物理基础和动手能力，对新鲜事物充满好奇，但可能缺乏系统的电路知识和编程经验。
教学要求：1. 注重理论与实践相结合，提高学生的实际操作能力；2. 采用启发式教学，引导学生主动探究问题，培养创新意识；3. 关注学生个体差异，因材施教，使每位学生都能在课程中收获成长。
二、教学内容1. 霍尔传感器原理及构造- 介绍霍尔效应的基本原理；- 霍尔传感器的构造、类型及特点；- 课本章节：第二章第四节《霍尔传感器》。
2. 霍尔传感器的应用- 霍尔传感器在物理量测量中的应用；- 霍尔传感器在智能控制系统中的应用实例；- 课本章节：第二章第五节《霍尔传感器的应用》。
3. 霍尔传感器实验操作- 实验原理和实验器材准备；- 霍尔传感器的组装、调试与测量；- 实验数据读取与分析；- 课本章节：实验教程第四章《霍尔传感器实验》。
4. 电路连接与编程- 霍尔传感器与微控制器的连接方法；- 基本编程知识及示例程序；- 课本章节：第三章第二节《传感器与微控制器的连接与编程》。
5. 创新设计与应用- 鼓励学生进行霍尔传感器创新设计；- 分组讨论、展示与评价；- 课本章节：第五章《传感器创新设计》。
霍尔效应测磁场
霍尔效应测磁场实验内容与步骤一、按仪器面板上的文字和符号提示将DH4512型霍尔效应测试仪与DH4512型霍尔效应实验架正确连接。
1、将DH4512型霍尔效应测试仪面板右下方的励磁电流I的直流恒流源输出端(0,M0.5A)，接DH4512型霍尔效应实验架上的I磁场励磁电流的输入端(将红接线柱与红接线M柱对应相连，黑接线柱与黑接线柱对应相连)。
2、“测试仪”左下方供给霍尔元件工作电流I的直流恒流源(0,3mA)输出端，接“实S验架”上I霍尔片工作电流输入端(将红接线柱与红接线柱对应相连，黑接线柱与黑接线S柱对应相连)。
3、“测试仪”V霍尔电压输入端，接“实验架”中部的V霍尔电压输出端。
输入端和输出HH端中间的按钮按下为V，按钮弹出为V(将红接线柱与红接线柱对应相连，黑接线柱与黑接H0线柱对应相连)。
注意:以上三组线千万不能接错，以免烧坏元件。
4、用一边是分开的接线插、一边是双芯插头的控制连接线与测试仪背部的插孔相连接(红色插头与红色插座相联, 黑色插头与黑色插座相联)。
二、研究霍尔效应1、测量霍尔电压V与工作电流Is的关系 H(1)、先将Is，I都调零，调节中间的霍尔电压表，使其显示为0mV。
M(2)、将霍尔元件移至线圈中心，调节I =500mA，调节Is =0.5mA,按表中Is，I正负MM情况切换“实验架”上的方向，分别测量霍尔电压V值(V，V，V，V)填入表(1)。
H1234以后Is每次递增0.50mA，测量各V，V，V，V值。
绘出Is—V曲线，验证线性关系(用1234H坐标纸绘图)。
HV,Is表1 I =500mA M V(mV)V(mV) V(mV) V(mV) 1234V,V，V,V1234Is(mA) HV,(mV) +Is +I +Is -I -Is -I -Is +I M MMM40.501.001.502.002.503.002、测量霍尔电压V与励磁电流I的关系 HM(1)先将I、Is调零，调节Is至3.00mA。
用霍尔元件测量磁场实验报告
用霍尔元件测量磁场实验报告实验报告：用霍尔元件测量磁场实验目的：本实验旨在通过实验操作，掌握使用霍尔元件对磁场进行测量的方法，以及训练实验者的实验操作技能和数据处理能力。
实验仪器：1. 霍尔元件；2. 强磁铁；3. 安培计；4. 电源；5. 其他所需器材和工具。
实验原理：霍尔效应是在电场和磁场同时存在时，载流子在材料中受到的洛伦兹力的影响，从而引起跨导电势的现象。
跨导电势可以通过安装在载流子流经处的霍尔元件进行测量。
通过对霍尔电势的测量可以得到材料所处磁场的磁感应强度。
实验步骤：1. 准备实验所需器材和工具，将强磁铁放于霍尔元件所在位置；2. 打开电源，将电流调节到所需实验数值，记录下电流的值；3. 记录下安培计测量到的受载流子极板宽度的值；4. 根据实验要求调整强磁铁的位置，使磁场方向达到要求；5. 将电源参数改变后，重新记录电流和安培计测量到的受载流子极板宽度的值；6. 对实验数据进行处理，得到所需结果。
实验结果：通过实验操作，测得不同磁场条件下的霍尔电势值，得到所需数据。
根据计算得到的数值，可以得到所需结果。
实验结论:1. 本实验通过实验操作，掌握了使用霍尔元件对磁场进行测量的方法。
2. 经过实验数据的处理，根据计算所得结果可以知道，在不同磁场强度下，测得的霍尔电势值不同，强度越大，电势值越大。
3. 本实验通过实验操作，训练了实验者的实验操作技能和数据处理能力，使其掌握了实验分析的方法和技巧。
实验注意事项：1. 在实验过程中，应该注意安全，不得使用过大的电流和磁场。
2. 在实验前，需要对实验器材及仪器进行严格的检查和调试，确保器材完好、仪器可靠。
3. 在实验过程中，需要仔细观察实验现象，正确记录和处理数据，尽量避免误差和偏差。
4. 在实验后，及时整理数据并进行结果分析，撰写实验报告。
总之，本实验是一次较为全面、系统的实验，不仅为学生提供了掌握物理实验技能的机会，也为他们以后从事相关工作打下了坚实的基础。
大学物理实验-霍尔元件测磁场
霍尔效应原理
霍尔元件
霍尔效应
霍尔元件工作原理
霍尔元件由半导体材料制成，当电流通过霍尔元件时，由于霍尔效应，会在元件的两端产生电势差，这个电势差与通过的电流和磁感应强度有关。
通过测量这个电势差，可以计算出磁场和电流的强度。
磁场测量原理
磁场测量
进行测量
实验操作流程
在实验过程中，及时记录测量数据，确保数据的准确性和完整性。
数据记录
对记录的数据进行整理、计算和分析，得出实验结果。
数据处理
根据实验结果，分析误差来源，提出改进措施。
结果分析
数据记录与处理
04
CHAPTER
实验结果分析
数据整理
将实验过程中测得的所有数据整理成表格，包括测量点、磁场强度、霍尔电压等。
数据处理能力
学会了利用数据采集系统获取并处理实验数据，通过图表等形式呈现结果。
误差分析
对实验中产生的误差进行了分析，理解了误差来源及对结果的影响。
实验总结
操作不熟练
由于对实验设备操作不熟悉，导致测量时间过长。解决方案：提前预习实验内容，熟悉实验设备操作流程。
设备故障
在实验过程中，发现数据采集系统突然停止工作。解决方案：重新启动设备，检查连接线是否松动，确保电源正常。
大学物理实验-霍尔元件测磁场
目录
实验目的 实验原理 实验步骤 实验结果分析 实验总结与展望
01
CHAPTER
实验目的
了解霍尔元件的工作原理和特性。
掌握使用霍尔元件测量磁场的方法和步骤。
学会处理实验数据和误差分析。
掌握霍尔元件测量磁场的方法
了解霍尔效应的原理
霍尔法测磁场实验总结
霍尔法测磁场实验总结是一种常用的测量磁场强度的方法。
它利用霍尔效应，即在一定条件下，当电流通过一块导电材料时，该材料两侧会产生一定的电势差，且该电势差与磁场的强度成正比。
测磁场实验一般可以通过以下几个步骤进行：首先，我们需要准备实验所需的材料和仪器设备。
实验所需的材料主要包括霍尔元件、磁场源、电流源和电压测量仪器等。
其中，霍尔元件是实验的核心部分，它是一种导电材料，通常为硅或镓等半导体材料。
磁场源可以是恒定的磁铁、电磁铁或者霍尔效应直流电源等。
电流源的作用是提供通过霍尔元件的电流，其大小和方向可以通过电流源来控制。
电压测量仪器用于测量霍尔元件两侧的电势差。
在实验开始前，我们需要将霍尔元件固定在一个平整的表面上，并确保其两侧与磁场的方向垂直。
这是因为霍尔效应发生时，电势差与磁场的垂直成分有关。
如果霍尔元件与磁场的方向平行，那么电势差将为零，无法测量出磁场的强度。
接下来，我们可以开始进行实验了。
首先，我们需要设置相应的实验参数，如电流的大小和方向，磁场的强度和方向等。
在设置完参数后，我们通过电流源将电流引入霍尔元件中。
霍尔元件两侧会产生电势差，我们可以通过电压测量仪器来测量这个电势差。
根据霍尔效应的原理，电势差与通过霍尔元件的电流和磁场的强度成正比。
在测量过程中，我们可以改变电流的大小和方向，观察电势差的变化。
通过这种方式，我们可以验证电势差与电流和磁场的强度的关系，并确定霍尔元件的比例系数。
比例系数是一个常数，它可以用来计算磁场的强度。
此外，我们还可以通过改变磁场的方向和强度，来研究霍尔效应对磁场的响应特性。
例如，我们可以固定电流的方向和大小，改变磁场的方向，观察电势差的变化。
通过这种方式，我们可以了解霍尔元件对不同方向的磁场的响应情况，并进一步研究磁场的空间分布。
最后，在完成实验后，我们需要对实验数据进行处理和分析。
首先，我们可以根据实验测得的电势差和电流的关系，来确定霍尔元件的比例系数。
然后，我们可以利用比例系数，将测得的电势差转化为磁场的强度。
实验五用霍尔元件测量磁场
实验五用霍耳元件测量磁场一、实验目的1．了解霍耳效应的产生机理。
2．掌握用霍耳元件测量磁场的基本方法。
二、实验仪器霍尔效应实验仪。
三、实验原理1、什么叫做霍耳效应？若将通有电流的导体置于磁场B之中，磁场B（沿z轴）垂直于电流I H（沿x轴）的方向，如图1U H，这个现象称为霍耳效应。
图1 霍耳效应原理这一效应对金属来说并不显著，但对半导体非常显著。
霍耳效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数，以及判断材料的导电类型，是研究半导体材料的重要手段。
还可以用霍耳效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大。
用霍耳效应制作的传感器广泛用于磁场、位置、位移、转速的测量。
（1）用什么原理来解释霍耳效应产生的机理？霍耳电势差是这样产生的：当电流I H通过霍耳元件（假设为P型）时，空穴有一定的漂移速度v，垂直磁场对运动电荷产生一个洛沦兹力)(BvF⨯=qB（1）式中q为电子电荷。
洛沦兹力使电荷产生横向的偏转，由于样品有边界，所以有些偏转的载流子将在边界积累起来，产生一个横向电场E，直到电场对载流子的作用力F E=q E与磁场作用的洛沦兹力相抵消为止，即EBv qq=⨯)(（2）这时电荷在样品中流动时将不再偏转，霍耳电势差就是由这个电场建立起来的。
如果是N 型样品，则横向电场与前者相反，所以N 型样品和P 型样品的霍耳电势差有不同的符号，据此可以判断霍耳元件的导电类型。
（2）如何用霍耳效应侧磁场？设P 型样品的载流子浓度为p ，宽度为b ，厚度为d 。
通过样品电流I H ＝pqvbd ，则空穴的速度v ＝I H ／pqvbd ，代入（2）式有pqbd BI E H =⨯=B v （3）上式两边各乘以b ，便得到d BI R pqd B I Eb U HH H H === （4）pq R H 1=称为霍耳系数。
在应用中一般写成U H ＝K H I H B . （5）比例系数K H ＝R H ／d ＝1／pqd 称为霍耳元件灵敏度，单位为mV/(mA ·T)。
实验报告-集成霍尔传感器测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场
大学物理实验报告实验3-9 集成霍尔传感器测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场一、 实验名称：集成霍尔传感器测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场二、 实验目的：1、掌握霍尔效应原理测量磁场；2、测量单匝载流原线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布。
三、 实验器材：1、亥姆霍兹线圈磁场测定仪，包括圆线圈和亥姆霍兹线圈平台（包括两个圆线圈、固定夹、不锈钢直尺等）、高灵敏度毫特计和数字式直流稳压电源。
四、 实验原理：1、圆线圈的磁场：根据毕奥-萨伐尔定律，载流线圈在轴线（通过圆心并与线圈平面垂直的直线）上某点的磁感应强度为：NI x R R o 2/3222)(2B +=μ式中I 为通过线圈的电流强度，R 为线圈平均半径，x 为圆心到该点的距离，N 为线A m T o ⋅⨯=-7104πμ ，为真空磁导率。
因此，圆心处的磁感应强度为NI RB O2μ=轴线外的磁场分布计算公式较复杂。
2、亥姆霍兹线圈的磁场亥姆霍兹线圈如图3-9-1所示，是一对彼此平行且连通的共轴圆形线圈，两线圈内的电流方向一致，大小相同，线圈之间的距离d 正好等于圆形线圈的半径R 。
设z 为亥姆霍兹线圈中轴线上某点离中心点O 处的距离，根据毕奥-萨伐尔定律及磁场叠加原理可以从理论上计算出亥姆霍兹线圈周线上任意一点的磁感应强度为}])2([])2({[21B 232223222---++++⋅⋅⋅='z RR z R R R I N o μ 而在亥姆霍兹线圈上中心O 处的磁感应强度B 为RIN B o ⋅⋅='μ2358当线圈通有某一电流时，两线圈磁场合成如图：从图3-9-2可以看出，两线圈之间轴线上磁感应强度在相当大的范围内是均匀的。
五、 实验步骤：1、载流圈和骇姆霍兹线圈轴线上各点磁感应强度的测量亥姆霍兹线圈磁场测定仪:图3-9-3 亥姆霍兹线圈磁场测定仪器示意图1.毫特斯拉计2.电流表3.直流电流源4.电流调节旋钮5.调零旋钮6.传感器插头7.固定架 8.霍尔传感器 9.大理石 10.线圈 A 、B 、C 、D 为接线柱（1）按课本图3-9-3接线，直流稳流电源中数字电流表已串接在电源的一个输出端，测量电流A 100m I =时，单线圈a 轴线上各点磁感应强度a B ，每个1.00cm 测一个数据。
大学物理实验系列——霍尔元件磁场测量讲义
实验内容
1.用消除附加电压的方法，测霍耳元件的 UH—IS曲线。
2.用消除附加电压的方法，测电磁铁的励 磁特性B—IM曲线。
3.测电磁铁的磁场分布B—x和B—y 曲线 （忽略附加电压）。
1.电极位置不对称产生的不等势电势差U0 2.热磁效应直接引起的附加电势差UN 以及热磁效应产
生的温差引起的附加电势差UR （能斯脱Nernst效应和纪- 勒杜克Righi-Leduc效应） 3.温差电效应引起的附加电势差UE （厄廷豪森Etinghausen效应）
U0、UN、 UR可以通过改变 IS 或B 的方向予以消除
UHUEU1U2 4U3U4 UHU1U2 4U3U4
UEUH
改变 霍尔 元件 位置 旋钮
标尺
霍尔电 流IS的 输入和 换向开 关
霍尔效应实验仪
电磁铁
电压Uσ和霍尔电压UH的测量选择开关
励磁电 流IM的 输入和
换向开 关
霍尔效应测试仪
用于霍尔电流 IS的电源输出
数字电压表
数字电流表 用于励磁电流 IM的电源输出
附加电压的消除方法
保持磁感应强度B 和霍尔电流 IS 大小不变，测量U
+B +IS ：
U1 = UH+ UE+ UR+ UN+ UO
+B，-IS ：
U2 =- UH- UE+ UR+ UN- UO
-B， -IS ：
U3 = UH+ UE - UR - UN - UO
-B，+IS ：
实验二十二霍尔效应测量磁场
实验二十二霍尔效应测量磁场
霍尔效应是指当导体（通常是金属或半导体）中有电流流过时，如果将一个垂直于电流方向的外加磁场加入，则在导体两侧会产生一定的电势差（称为霍尔电势），这种现象就是霍尔效应。
利用霍尔效应可以测量磁场强度。
下面是关于霍尔效应测量磁场实验的分析与总结：
实验原理：
当一块导体（霍尔元件）被垂直于磁场放置时，磁场会对电子的运动轨迹产生影响，导致电子在导体中积累，并产生电势差。
这个电势差称为霍尔电势（VH），霍尔电势与磁场强度（B）、电流强度（I）、导体材料和几何尺寸有关。
霍尔电势的大小可以通过测量导体两端的电压差来确定。
实验步骤：
1.将霍尔元件放置在磁场中心。
2.将电流通过霍尔元件。
3.测量霍尔电势，可以通过连接外部电压表来测量电势差。
4.改变磁场强度或电流强度并重新测量霍尔电势。
5.记录数据并进行数据处理。
实验总结：
1.霍尔效应可以用来测量磁场强度，它是一种简便、快速、精度高的磁场测量方法。
2.实验中需要注意的是，霍尔元件必须垂直于磁场，否则测量
结果会产生误差。
3.实验中需要选择合适的电流强度和测量范围，以保证测量结果的准确性和稳定性。
4.实验过程中需要进行数据处理和分析，以获得更加准确的测量结果。
5.霍尔效应不仅可以用于磁场测量，还可以用于其他领域的研究，如半导体物理、热电测量等。
霍尔元件测量磁场
4.1.1. 霍尔元件测量磁场置于磁场中的载流导体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场。
这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应。
根据霍尔效应，人们用半导体材料制成霍尔元件，它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点。
利用它可以测量磁场；可以研究半导体中载流子的类别和特性等；也可以利用它制作传感器，用于磁读出头、隔离器，转速仪等。
量子霍耳效应更是当代凝聚态物理领域最重要的发现之一，它在建立国际计量的自然基准方面也起了重要的作用。
【实验目的】1.了解霍耳效应法测量磁场的原理和方法。
2.测定所用霍耳片的霍耳灵敏度。
3.用霍耳效应法测量通电螺线管轴线上的磁场。
4.用霍耳效应法测量通电线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场，验证磁场叠加原理，验证亥姆霍兹线圈中央存在均匀磁场。
【实验原理】1．霍耳效应及其测磁原理把一块半导体薄片（锗片或硅片等）放在磁感应强度大小为B 的磁场中（B 的方向沿z 轴方向），如图4.5.1所示。
从薄片的四个侧面A 、A ’、D 、D ’上分别引出两对电极，沿纵向（即x 轴正向）通以电流I H ，则在薄片的两个横向面D 、D ’之间就会产生电势差，这种现象称为“霍耳效应”，产生的电势差称为霍耳电势差。
根据霍耳效应制成的磁电变换元件称为霍耳元件。
霍耳效应是由洛伦兹力引起的，当放在垂直于磁场方向的半导体薄片通以电流后，薄片内定向移动的载流子受到洛伦兹力F B ：B v F B ⨯=q （4.5.1）式中，q 、v 分别是载流子的电荷和移动速度。
载流子受力偏转的结果使电荷在D 、D ’两端面积聚而形成电场（图4.5.1中设载流子是负电荷，故F B 沿y 轴负方向），这个电场又给载流子一个与F B 反设方向的电场力F E 。
设E 表示电场强度，U DD ’表示D 、D ’间的电势差，b 表示薄片宽度，则 b U q qE F DD E '== （4.5.2） 达到稳定状态时，电场力和洛伦兹力平衡，有E BF F =即bU q qvB DD '=图4.5.1 霍尔效应原理图载流子的浓度用n 表示，薄片厚度用d 表示，则电流nqvbd I H =，故得dB I R nqd B I U H H H DD ==' （4.5.3） 式中，nqR H 1=称为霍耳系数，它表示材料的霍耳效应的大小。
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目录一、课程设计目的与要求 (2)二、元件介绍 (3)三、课程设计原理 (6)3.1霍尔效应 (6)3.2测磁场的原理,载流长直螺线管内的磁感应强度 (8)四、课程设计内容 (10)4.1电路补偿调节 (10)4.2失调电压调零 (10)4.3按图4-3接好信号处理电路 (10)4.4按图4-4接好总测量电路 (11)4.5数据记录与处理 (12)4.6数据拟合 (14)五、成品展示 (16)六、分析与讨论 (17)实验所需仪器 (19)个人总结 (20)致谢 (21)参考文献 (22)参考网址 (22)一、课程设计目的与要求1.了解霍尔传感器的工作原理2.掌握运用霍尔传感器测量磁场的方法二、元件介绍CA3140CA3140高输入阻抗运算放大器,是美国无线电公司研制开发的一种BiMOS高电压的运算放大器在一片集成芯片上，该CA3140A和CA3140 BiMOS运算放大器功能保护MOSFET的栅极（PMOS上）中的晶体管输入电路提供非常高的输入阻抗，极低输入电流和高速性能。
操作电源电压从4V至36V（无论单或双电源),它结合了压电PMOS晶体管工艺和高电压双授晶体管的优点.(互补对称金属氧化物半导体)卓越性能的运放。
应用范围:.单电源放大器在汽车和便携式仪表.采样保持放大器.长期定时器.光电仪表.探测器.有源滤波器.比较器.TTL接口.所有标准运算放大器的应用.函数发生器.音调控制.电源.便携式仪器3503霍尔元件UGN3503LT，UGN3503U和UGN3503UA霍尔效应传感器准确地跟踪磁通量非常小的变化，密度变化通常太小以致不方便操作霍尔效应开关。
可作为运动探测器，齿传感器和接近探测器，磁驱动机械事件的镜像。
作为敏感电磁铁的显示器，就可以有效地衡量一个系统的负载量可以忽略不计的性能，同时提供隔离污染和电气噪声。
每个霍尔效应集成电路包括一个霍尔传感元件，线性放大器和射极跟随器输出级。
三种封装形式提供了对磁性优化包大多数应用程序。
封装后缀“LT”是一个缩影SOT-89/TO243AA表面贴装应用的晶体管封装;后缀“U”是一个微型三引脚塑料SIP，而'UA'是一个三引脚超小型SIP协议。
所有器件的额定连续运行温度范围为-20 °C至+85°C。
特点:·极为敏感·至23 kHz的平坦的响应Array·低噪声输出·4.5 V至6 V的操作·磁性优化装箱图2-4 3503霍尔元件封装及引脚图三、课程设计原理3.1霍尔效应图3-1-1 霍尔效应原理图 把矩形的金属或半导体薄片放在磁感应强度为的磁场中，薄片平面垂直于磁场方向。
如图3-1-1所示，在横向方向通以电流I ，那么就会在纵向方向的两端面间出现电位差，这种现象称为霍尔效应，两端的电压差称为霍尔电压，其正负性取决于载流子的类型。
(图3-1-1载流子为带负电的电子，是N 型半导体或金属)，这一金属或半导体薄片称为霍尔元件。
假设霍尔元件由N 型半导体制成，当霍尔元件上通有电流时，自由电子运动的方向与电流I 的流向相反的。
由于洛伦兹力B v e F m ⨯-=的作用，电子向一侧偏转，在半导体薄片的横向两端面间形成电场 称为霍尔电场H E ，对应的电势差称为霍尔电压U H 。
电子在霍尔电场H 中所受的电场力为H H e -=，当电场力与磁场力达到平衡时，有()()0=⨯-+-e e HB v E H ⨯-=若只考虑大小，不考虑方向有E H =vB因此霍尔电压U H =wE H =wvB (1)根据经典电子理论，霍尔元件上的电流I 与载流子运动的速度v 之间的关系为I=nevwd (2)式中n 为单位体积中的自由电子数，w 为霍尔元件纵向宽度，d 为霍尔元件的厚度。
由式(1)和式(2)可得IB K IB d R end IB U H H H =⎪⎭⎫ ⎝⎛== (3) 即I K U B H H =(4) 式中en R H 1=是由半导体本身电子迁移率决定的物理常数，称为霍尔系数，而K H 称为霍尔元件的灵敏度。
在半导体中，电荷密度比金属中低得很多，因而半导体的灵敏度比金属导体大得多，所以半导体中，电荷密度比金属中低得多，因而半导体的灵敏度比金属导体大得多，所以半导体能产生很强的霍尔效应。
对于一定的霍尔元件，K H 是一常数，可用实验方法测定。
虽然从理论上讲霍尔元件在无磁场作用(B=0)时，U H =0，但是实际情况用数字电压表测量并不为零，这是由于半导体材料结晶不均匀、各电极不对称等引起附加电势差，该电势差U HO 称为剩余电压。
随着科技的发展，新的集成化(IC)器件不断被研制成功，本课程设计采用AN503型集成霍尔传感器。
AN503型集成霍尔传感器有三根引线，分别是：“V+”、“V －”、“V out ”。
其中“V+”和“V －”构成“电流输入端”，“V out ”和“V －”构成“电压输出端”。
由于AN503型集成霍尔传感器它的工作电流已设定，被称为标准工作电流，使用传感器时，必须使工作电流处于该标准状态。
在实验时，只要在磁感应强度为零(B=0)条件下，“V out ”和“V －”之间的电压为2.500V ，实际测得2.53V ，则传感器就处于标准工作状态之下（V+标号为1，V-标号为2，V out 标号为3）。
所以要对霍尔传感器进行电路补偿，使得传感器在0磁场的条件下接入电路输出电压Uo=0V ，则补偿电路如下：图3-1-2 霍尔传感器的补偿电路3.2测磁场的原理,载流长直螺线管内的磁感应强度对于密绕的螺线管，可以看成是一列有共同轴线的圆形线圈的并排组合，因此一个载流长直螺线管轴线上某点的磁感应强度，可以从对各圆形电流在轴线上该点所产生的磁感应强度进行积分求和得到。
根据毕奥—萨伐尔定律，当线圈通以电流IM 时，管内轴线上P 点的磁感应强度为 )cos (cos 21210ββμ-=M P NI B 5其中μO 为真空磁导率，μO =4π×10-7亨利/米，N 为螺线管单位长度的线圈匝数，IM 为线圈的励磁电流，β1、β2分别为点P 到螺线管两端径失与轴线夹角，如图3-2-1所示。
对于一个有限长的螺线管，在距离两端口等远的中心处轴上O 点，221)2()2(2cos D L L +=β 6 222)2()2(2cos D L L +-=β7图3-2-1式中D 为长直螺线管直径，L 为螺线管长度。
此时，磁感应强度为最大，且等于220222200))21()21(21)21()21(21(21D L L NI D L L D L L NI B M M +=+++=μμ 8由于本设计所用的长直螺线管满足L>>D ，则近似认为M NI B 00μ= 9 在两端口处，221)21(cos D L L+=β， 0cos 2=β 10磁感应强度为最小，且等于2201)21(21D L L NI B M +=μ 11同理，由于本设计所用的长直螺线管满足L>>D ，则近似认为M NI B 0121μ= 12由（11）、（12）式可知， 0121B B =由图3-2-2所示的长直螺线管的磁力线分布可知，其内腔中部磁力线是平行于轴线的直线系，渐近两端口时，这些直线变为从两端口离散的曲线，说明其内部的磁场在很大一个范围内是近似均匀的，仅在靠近两端口处磁感应强度才显著下降，呈现明显的不均匀性。
根据上面理论计算，长直螺线管一端的磁感应强度为内腔中部磁感应强度的1/2。
图 3-2-2四、课程设计内容4.1电路补偿调节（1）按图3-1-2接好电路。
集成霍尔传感器与5V微机电源相接(正负极请勿接错)。
如图标号，1接正极，2接地，3和2与数字电压表+、-相接。
（2）霍尔传感器处于零磁场条件下，传感器工作电源输出电压5V，测得数字电压显示的电压指示值为2.53V，调节传感器补偿电路中的可调电阻，也就是用一外接2.53V的电位差与传感器输出2.53V电位差进行补偿，使数字电压表指示值为0(这时应将数字电压表量程开关拨向mV档)，这时集成霍尔元件便达到了标准化工作状态，即集成霍尔传感补偿电路的输出电压恰好达到U0=0V。
4.2失调电压调零按图2-3接好电路。
调节可调电阻使得运算放大器的输出端电压Uo=0V。
4.3按图4-3接好信号处理电路图4-3 信号处理电路4.4按图4-4接好总测量电路图4-4为螺线管磁场测量电路示意图，即总电路图。
螺线管长度：22.3cm ，平均直径:25mm 。
螺线管匝数：2000±20匝。
螺线管中央均匀磁场长度：>10.0cm 。
电源组和数字电压表：传感器工作电源5V ，传感器补偿电源5V 。
【注意事项】1.集成霍尔元件的“V+”和“V －”不能接反，否则将损坏元件。
2.实验中常检查Im=0时，传感器输出电压是否为2.500V 。
3.用mV 档读U'值。
当Im=0时，输出端mV 指示应该为0。
5.拆除接线前应先将螺线管工作电流调至为零，再关闭电源。
以防止电感电流突变引起高电压。
6.实验完毕后，请逆时针地旋转仪器上的三个调节旋钮，使恢复到起始位置(最小的位置)。
4.5数据记录与处理（1）三位半数字万用表测量数据表一正向测量结果表二反向测量结果（2）四位半数字万用表测量数据表三正向测量结果表四反向测量结果4.6数据拟合（1）y = 165.1745 x – 7.6376线性度el = 0.76%y = 162.8667x - 5.8409线性度el = 0.71%（2）y = 169.0742x + 9.4787线性度el = 0.21%y = 1681321x - 14.3265线性度el = 0.2%五、成品展示1、全图图 52、面包板接线六、分析与讨论1、补偿电路的分压电阻的大小对整个电路的输出电压是否有影响？答：有影响。
现象1：分压电阻用10k的电阻，可调电阻用50k的电阻。
虽然此时补偿后传感器的输出电压可基本调至0.而整个电路的输出无法调至0，且数值波动很大。
现象2：分压电阻用0.51k的电阻，可调电阻用1k的电阻。
此时补偿后传感器的输出电压可基本调至零，且整个电路的输出电压也可基本调至零，且波动很小。
由此可以得出，输入阻抗的大小对整个电路的输出电压是有影响的，所以补偿电路的分压电阻的大小对整个电路的输出电压是有影响的。
2、失调电压调零电路的电阻对传感器的输出是否有影响？答：有影响。
现象1：当用1k和0.51k电阻并联时，输出端电压可基本调至0，但是接入电路时，输出电压稳定，且可基本调至0。
现象2：当换成10k电阻时，输出电压也可基本调至0，但是接入电路时输出电压不稳定，且波动较大。