8实验八锑化铟磁电阻传感器的磁阻特性测量及应用
磁阻效应及磁阻传感器的特性研究
实验报告85PB073210178 冯晨磁阻效应及磁阻传感器的特性研究【实验目的】1、了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法；2、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系；3、画出锑化铟传感器电阻变化与磁感应强度的关系曲线，并进行相应的曲线和直线拟合；4、学习用磁阻传感器测量磁场的方法。
【实验原理】磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。
和霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到的洛仑兹力而产生的。
若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。
磁阻效应还与样品的形状有关，不同几何形状的样品，在同样大小的磁场作用下，其电阻不同，该效应称为几何磁阻效应。
由于半导体的电阻率随磁场的增加而增加，有人又把该磁阻效应称为物理磁阻效应。
目前，磁阻效应广泛应用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储（磁卡、硬盘）等领域。
一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B变化规律称为磁阻效应。
如图1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。
如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，则小于此速度的电子将沿霍尔电场作用的方向偏转，而大于此速度的电子则沿相反方向偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，即沿电场方向的电流密度减小，电阻增大，也就是由于磁场的存在，增加了电阻，此现象称为磁阻效应。
如果将图1中U H短路，磁阻效应更明显。
因为在上述的情况里，磁场与外加电场垂直，所以该磁阻效应称为横向磁阻效应。
当磁感应强度平行于电流时，是纵向情况。
若载流子的有效质量和弛豫时间与移动方向无关，纵向磁感应强度不引起载流子漂移运动的偏转，因而没有纵向霍尔效应的磁阻。
而对于载流子的有效质量和弛豫时间与移动方向有关的情形，若作用力的方向不在载流子的有效质量和弛豫时间的主轴方向上，此时，载流子的加速度和漂移移动方向与作用力的方向不相同，也可引起载流子漂移运动的偏转现象，其结果总是导致样品的纵向电流减小电阻增加。
锑化铟磁阻特性测量实验报告
测量锑化铟片的磁阻特性一、实验简介磁阻概念：材料的电阻会因外加磁场而增加或减少，电阻的变化量称为磁阻(Magnetoresistance)。
物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。
磁阻效应是1857年由英国物理学家威廉·汤姆森发现的。
它在金属中可以忽略，在半导体中则可能由小到中等。
从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻(GMR)、庞磁阻(CMR)、穿隧磁阻(TMR)、直冲磁阻(BMR)和异常磁阻(EMR)。
磁阻应用：目前，磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域。
磁阻器件的特点：灵敏度高、抗干扰能力强。
在众多的磁阻器件中，锑化铟(InSb)传感器最为典型，它是一种价格低廉、灵敏度高的磁阻器件，在生产生活应用广泛。
磁阻分类：若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。
一般情况下，纵向磁感强度不引起载流子偏移，因此一般不考虑纵向磁阻效应。
二、实验原理如图1所示，当导电体处于磁场中时(电流方向与磁场方向垂直)，导电体内的载流子将在洛仑兹力的作用发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。
如果霍尔电场作用和某一速度的载流子受到的洛仑兹力作用刚好抵消，则小于此速度的电子将沿霍尔电场作用的方向偏转，而大于此速度的电子则沿相反方向偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，即沿电场方向的电流密度减小，电阻增大，也就是由于磁场的存在，增加了电阻，此现象称为磁阻效应。
如果将图1中a、b短路，霍尔电场将不存在，所有电子将向b端偏转，使电阻变得更大，因而磁阻效应更明显。
因此，霍尔效应比较明显的样品，磁阻效应就小；霍尔效应比较小的，磁阻效应就大。
图1 磁阻效应通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用Δρ/ρ(0)表示。
其中ρ(0) 为零磁场时的电阻率， ρ(B)为在磁场强度为B 时的电阻率，则Δρ = ρ(B) －ρ(0) 。
磁阻效应及磁阻传感器实验
一、实验题目：磁阻效应及磁阻传感器的特性研究二、实验目的：1、了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法；2、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系；3、画出锑化铟传感器电阻变化与磁感应强度的关系曲线，并进行相应的曲线和直线拟合；4、学习用磁阻传感器测量磁场的方法。
三、实验原理：磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。
和霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到的洛仑兹力而产生的。
若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。
磁阻效应还与样品的形状有关，不同几何形状的样品，在同样大小的磁场作用下，其电阻不同，该效应称为几何磁阻效应。
由于半导体的电阻率随磁场的增加而增加，有人又把该磁阻效应称为物理磁阻效应。
目前，磁阻效应广泛应用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储（磁卡、硬盘）等领域。
一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B变化规律称为磁阻效应。
如图1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。
如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，则小于此速度的电子将沿霍尔电场作用的方向偏转，而大于此速度的电子则沿相反方向偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，即沿电场方向的电流密度减小，电阻增大，也就是由于磁场的存在，增加了电阻，此现象称为磁阻效应。
如果将图1中U H短路，磁阻效应更明显。
因为在上述的情况里，磁场与外加电场垂直，所以该磁阻效应称为横向磁阻效应。
当磁感应强度平行于电流时，是纵向情况。
若载流子的有效质量和弛豫时间与移动方向无关，纵向磁感应强度不引起载流子漂移运动的偏转，因而没有纵向霍尔效应的磁阻。
而对于载流子的有效质量和弛豫时间与移动方向有关的情形，若作用力的方向不在载流子的有效质量和弛豫时间的主轴方向上，此时，载流子的加速度和漂移移动方向与作用力的方向不相同，也可引起载流子漂移运动的偏转现象，其结果总是导致样品的纵向电流减小电阻增加。
磁电阻测量实验报告
竭诚为您提供优质文档/双击可除磁电阻测量实验报告篇一：巨磁电阻实验报告实验报告班姓名张涛学号1003120505指导老师徐富新实验时间20XX年5月25日，第十三周，星期日篇二：_磁电阻特性_实验报告实验8-1Insb磁电阻特性研究【实验目的】1、掌握磁感应强度的测量方法；2、了解磁电阻的一些基本知识；3、测量和分析Insb材料磁电阻特性；【实验原理】磁电阻(magnetoResistance，mR)通常定义为?RR(0)?R(b)?R(0)R(0)（8-1-1）其中：R（0）是零外场下的电阻，R（b）是外场b下的电阻。
有时，上式也可以表示为目前，已被研究的磁性材料的磁电阻效应大致包括：由磁场直接引起的磁性材料的正常磁电阻、与技术磁化相联系的各向异性磁电阻、掺杂稀土氧化物中特大磁电阻、磁性多层膜和颗粒膜中特有的巨磁电阻、以及隧道磁电阻等。
图8-1-2列出了几种磁电阻阻值R随外磁场μ0h的变化形式。
在以上磁电阻效应中，正常磁电阻应用最为普遍。
图8-1-1几种典型的磁电阻效应正常磁电阻普遍存在于所有磁性与非磁性材料中，其来源于外磁场对载流子的洛仑兹力，它导致载流子运动发生偏转或产生螺旋运动，从而使载流子碰撞几率增加，造成电阻升高，因而，在正常磁电阻中，??//、??T和均为正，并且有?T??//。
正常磁电阻与外场的关系如图8-1-2所示。
在特定的温度，随外场的增加，在低场区域，正常磁电阻近似地与外场成平方关系。
对于单晶样品，在较高的磁场区域，??//显示了饱和的趋势(曲线图8-1-2Ｂ)，而??T和显示出各向异性，即随外场增加或正比于(曲线A)或趋于饱和(曲线b)。
对于多晶样品，在强场中，正常磁电阻则显示出与外场h的线性关系(曲线c)。
正常磁电阻的各项异性来源于费米面的褶皱。
如果设载流子速度为v，在洛仑兹力的作用下，沿外场方向作螺线运动，螺线的轴与b方向平行，则载流子围绕该轴的角速度即回旋频率ωc为：?c?eb??m?(8-1-2)式中m?是载流子的有效质量，μ是磁导率。
实验题目：磁阻效应及磁阻传感器的研究
Pb07007134 程雅苹83实验题目：磁阻效应及磁阻传感器的研究实验目的：1 了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法2 测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系3 画出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系并进行相应的曲线和直线拟合4 学习用磁阻传感器测量磁场的方法实验原理：某些金属或半导体的载流子在磁场中收到洛伦兹力，电阻值会随外加磁场的变化而变化。
这种效应称为磁阻效应。
横向磁阻效应：当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。
如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，则小于此速度的电子将沿霍尔电场作用的方向偏转，而大于此速度的电子则沿相反方向偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，即沿电场方向的电流密度减小，电阻增大，也就是由于磁场的存在，增加了电阻纵向磁阻效应：对于载流子的有效质量和弛豫时间与移动方向有关的情形，若作用力的方向不在载流子的有效质量和弛豫时间的主轴方向上，此时，载流子的加速度和漂移移动方向与作用力的方向不相同，也可引起载流子漂移运动的偏转现象，其结果总是导致样品的纵向电流减小电阻增加。
磁阻大小的表示：用电阻率的相对改变表示Δρ/ρ（0），因为Δρ/ρ（0）正比于ΔR/ R（0），所以用磁阻传感器电阻相对改变量ΔR/ R（0）表示磁阻大小实验预期：外加磁场较弱时，电阻相对变化率ΔR/ R（0）正比于磁感应强度B的二次方；随磁场的加强，ΔR/ R（0）与磁感应强度B呈线性函数关系；当外加磁场超过特定值时，ΔR/ R（0）与磁感应强度B的响应会趋于饱和。
实验步骤：1、在锑化铟磁阻传感器工作电流保持不变的条件下，测量锑化铟磁阻传感器的电阻与磁感应强度的关系。
作ΔR/ R（0）与B的关系曲线，并进行曲线拟合。
（实验步骤由学生自己拟定，实验时注意GaAs和InSb 传感器工作电流应调至1mA）。
磁阻效应大物实验
8、确认接线正确完成后，打开交流电源，将信号源及测试架的切换开关都 处于按上状态，这时将测试架上取出的霍尔电压信号输入到信号源，经内
部处理转换成磁场强度由表头显示。
9、调节Is调节电位器让Is表头显示为1.00mA，然后调节IM=0mA，记下零点误差B0=？ mT。
10、调节IM使磁场强度显示为B'=（10+B0）mT，（20+B0）mT......按下信号源及测 试架上的切换开关，测量并记录该磁场强度下对应的磁阻电压。注意：这时的Is表头 显示应为1.00mA。参考表1。【B'在100mT以内每增加10mT测一组数据，大于 100mT后每增加50mT测一组，直到500mT附近为止】。
11、根据表一所记录的数据在整个区间作出ΔR/R(0)～B曲线并在B<0.06T区间作 ΔR/R(0)～B2曲线，并在B<0.06T和B>0.12T两个区间分别给出：
ΔR/R（0）=f（B）。
13、调节IM=0.300A, Is=1.00mA电流，使电磁铁产生一个未知的磁场强度。测量磁阻
传感器的磁阻电压，求R（B）后得ΔR/ R（0）=[R（B）－R（0）]/R（0）并从ΔR/R(0)～B曲
一、实验背景
导电材料的电阻值R随磁感应强度B变化这样一个规律，称 为磁阻效应。利用磁阻效应制成的器件叫做磁阻器件。 磁阻器件有很多的优点：体积小、灵敏度高、抗干扰能力 强等等。在导航、电流检测、磁性编码等方面有着十分广泛的 应用。
锑化铟（InSb）传感器是一种价格比较低，但灵敏度比较高的 磁阻器件，有着十分重要的应用价值。
2、用磁阻传感器测量一个未知的磁场强度，与毫特计测得的磁场强度相
磁阻效应及磁阻传感器的特性研究 (5)
实验报告85PB07001095 蔡嘉铖数学系 08.11.23【实验题目】磁阻效应及磁阻传感器的特性研究【实验目的】1、了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法；2、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系；3、画出锑化铟传感器电阻变化与磁感应强度的关系曲线，并进行相应的曲线和直线拟合；4、学习用磁阻传感器测量磁场的方法。
【实验原理】磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。
和霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到的洛仑兹力而产生的。
若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。
磁阻效应还与样品的形状有关，不同几何形状的样品，在同样大小的磁场作用下，其电阻不同，该效应称为几何磁阻效应。
由于半导体的电阻率随磁场的增加而增加，有人又把该磁阻效应称为物理磁阻效应。
目前，磁阻效应广泛应用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储（磁卡、硬盘）等领域。
一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B变化规律称为磁阻效应。
如图1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。
如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，则小于此速度的电子将沿霍尔电场作用的方向偏转，而大于此速度的电子则沿相反方向偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，即沿电场方向的电流密度减小，电阻增大，也就是由于磁场的存在，增加了电阻，此现象称为磁阻效应。
如果将图1中U H 短路，磁阻效应更明显。
因为在上述的情况里，磁场与外加电场垂直，所以该磁阻效应称为横向磁阻效应。
当磁感应强度平行于电流时，是纵向情况。
若载流子的有效质量和弛豫时间与移动方向无关，纵向磁感应强度不引起载流子漂移运动的偏转，因而没有纵向霍尔效应的磁阻。
而对于载流子的有效质量和弛豫时间与移动方向有关的情形，若作用力的方向不在载流子的有效质量和弛豫时间的主轴方向上，此时，载流子的加速度和漂移移动方向与作用力的方向不相同，也可引起载流子漂移运动的偏转现象，其结果总是导致样品的纵向电流减小电阻增加。
锑化铟磁阻型红外光电传感器及其特性研究
第35卷，增刊、，01．35Sup pl em ent红外与激光工程IIl fl骶d and Las erEngi nee r i ng2006年10月0ct．2006锑化铟磁阻型红外光电传感器及其特性研究吴闽，黄钊洪(华南师范大学光电子学院光子信息技术省教育厅重点实验室，广东广州510006)摘要：介绍了锑化铟磁阻型光电传感器的结构及工作原理，并对锑化铟磁阻型光电传感器的输出特性进行了研究；随着间隙由0m m增至5m m，放大后的光电传感器输出电压峰峰值由3V多急剧下降至500m V 以下；若使输入光脉冲电压的频率保持50H z不变，改变红外发光二极管输入光脉冲电压(变化范围y西为3．8～5．o V)，测量磁阻型光电传感器输出电压峰值诈P随输入光脉冲电压的增加按指数规律增加；磁阻型光电传感器的中心频率为50H z，通频带为46～55H z，即通频带宽度为9H z，可得其品质因数Q为5．56。
关键词：锑化铟；磁阻；红外光电传感器；特性中图分类号：r I’P2121文献标识码：A文章编号：1007．2276(2006)增E．0058．06I nSb m agnet or esi st ance I R—phot oel ect ri c s ens or and i t’s cha r act erW U M i n，H U A N G z l l a0一hong(1kph ot oni nf0朋叩h硒i sl abor at or y of ph ot∞l cc廿D nil l s t i t u t eof s cN u，(h王缸gzhou51006，C hi na)A bst m ct：TI l e paper i nt r oduces t he conf igur at i on aJl d m eor y of t he I n S b m agnet or esi st ance瓜一Pho妣l ec疵s ens o r'and s t u dy t ll e out put cha rac t er i s t i c of t he s en s or，al o ng w i t l l t lle cl ea r aJ l c e of t he L E D t o t he I nSb m at er i al change f r om t he0～5m m，t he m gni f i ed out put vol切ge‰of t he s e nsor chaJ l ge怕m3V t o1es s m aJl500m V Re删n m e眈quency of t henght pul s e V ol t age50H z inV撕abl e，aJl d c ha l l ge t he L E D i叩ut l i g ht pul se V ol t age(m e s quar e w aV e pul s e V01t age‰f r om3．8V t05．O V．M e asur e t he out put V ol t age of t he I ns b m a gnet ores i st a堇l c e phot oe l e ct r i c s ensor’w h i ch i I l cr e ase s a s t l le exp one nt r ul e．The c ent er f bquenc y of t he phot oel ect dc s ens o r i s50H z，t he t r ans m i s s i on ban ds of m e s e nsor is46～55H z，s o t r ansI I l i ssi on bands is9H z，qual i t y f kt or Q i s5．56．K e y w O r ds：I nS b；M agnetor esi s t锄ce；m-Pho晚l ect ri c S e ns or；C ha ra ct e ri st i cO引言光敏传感器是把光信号转换为电信号的一种传感器，迄今为止，光电器件在许多工业部门和日常生活的各个领域内都得到了应用，己经研究设计的锑化铟磁阻型红外光电传感器中，利用霍尔效应、磁阻效应和光电导效应制成的这种磁阻型光电传感器除了具有一般光电传感器所具有的特点外，还具有灵敏度高、光谱范围宽、所用元件少、结构不太复杂、易于制造等优点。
锑化铟传感器的磁阻效应特性数据的回归分析
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
表差法 是确 定 曲线 类 型的一 种方法．若 所求 经验公 式 是一 多项式 ， 则可 应用其 来 确定 多项 式 的次 数 ， 这是 因为 当差 分等 于常 数 时 ， 该差 分 的级 次就 是多 项式 的级 次． 设测 量数 据 （ ， （ 。 ） ｉ＝ １ ２ … ， ） 利 用 Ｙ ，， １ ， ７ ， 表差法 对所选 择 的 曲线 类型进 行检 验 ， 确定 曲线 方程 的次数 ． 步骤 如下 ： 并 其
△Ｙ Ｊ＝Ａ 一Ａ △ Ｙ ｙ ｙ ， ２＝Ａ ３一Ａ … 称 为第 二 阶差 ， ｙ ｙ，
△Ｙ “ Ｊ＝△ Ｙ ２一△ Ｙ ， ２＝△ Ｙ △Ｙ Ｊ ３一△ Ｙ ， 称 为第 ｎ阶差 ； ２… ４ ）若 发现第 ｊ ． 阶差 Ｎｙ 的各 项 Ｎｙ ， … 相差很 小 ， Ｎｙ ， 近似 为一 常数 ， 表 明所选 出的 曲线类 型是恰 则
Ｙ ＋ ： ａ ＋ ｂ 】 ＾１ ｘ＋ Ｙ ＋ ＝ ａ － ｂ ２ ２ ＇ ｘ＋ － １
Ｙ ＝ ａ＋ｂ ｘ
将 两组测 量方程 各 自相加 ， 即得 两个方 程 ， 后解 出 ａ和 ６ 求 出经验 公式． 然 ， 为 了检验经 验公式 是 否恰 当 ， 可用 相关 系数 ｒ 的大小来 判 断 ， 即
１ 回 归分 析
回归分 析 即是 首先确 定所 求经 验公式 的形式 ， 然后 求 出经验公 式 的回归参 数 ， 后分 析经验 公式 的可 最
信赖程 度．
１ １ 一 元非线 性关 系的 回归分 析的表 差法 和插入 法 ．
一
元 非线 性 回归常用 解决方 法 ， 一种是 通过级 数展 开 ， 曲线 函数 变成 多 项式 的形式 ， 把 即直 接用 回归
锑化铟磁阻式接近开关特性分析
ｓ ｏ ｓ ｔａ ｈ ｒ ｘｍｉ ｗ ｔｈ ｈ ｓｆ ｖ ｒ ｂ ｅ ｄ ｎ ｍｉ ｈ ｒ ｃ ｅ ｓｉｓ Ｉ ｃ ｉｎ ｄｓａ ｃ ｓ８ １ ｈ ｗ ｈ ｔｔ ｅ ｐ ｏ ｉ ｔ ｓ ｉ ａ ａ ｏ ａ ｌ ｙ ａ ｃ ｃ ａ ａ ｔｒ ｔ ． ｔ ａ ｔ — ｉｔｎ ｅ ｉ ． ３ ｍｍ ｈ ｎ ｔｅ ｒ ｄ ａ ・ ｉｔｎ ｅ ｉ ４ ｙ ｃ ｉ ｃ ｓ ｏ ｗ ｅ ｈ ａ ｉｌｄ ｓａ ｃ ｓ
磁敏 电阻采用三端式 ， 以减少环 境温度变 化引起 的温漂 可 对磁 敏 电阻 的影 响 ， 稳定 低频 工作 方式 时放 大 电路 的输 出 电
压 。磁敏 电阻输 出 电压 经过 电压跟 随器 ， 以提 高输 入 电阻 ， 可 减小输 出电阻 ， 达到阻抗匹配 的 目的。直接耦合 反相放 大 电路 进行放大和滤波 ， 既可 以放大高频和低频信 号 ， 又能滤除环境 中
（） ａ 图 ２ 磁 阻式 接 近 开 关 工 作 示 意 图 （） ｂ
表 １ 不 同接近开 关特 性测量值
ｍｍ
２ 信 号 处理 电 路
锑化铟磁阻式接近 开关信 号处理 电路 包括信号 采集 电路 、 信号放大 电路 、 比较级电路和驱动 电路 ， 如图 ３所示 。
＋ 【
２ １焦 ０１
仪 表 技 术 与 传 感 器
Ｉ ｓｒ ｍ ｅ ｔ Ｔｅ ｈｎｑｕ ａ Ｓ ｎｓ ｒ ｎ ｔｕ ｎ ｃ ｉ ｅ ｎｄ ｅ ｏ
２ １ ０１
Ｎｏ ９ ．
第 ９期
锑 化 铟 磁 阻 式 接 近 开 关 特 性 分 析
秦 玉伟
（ 渭南师范学院物理 与电子工 程系， 陕西渭南 ７４０ ） １０ ０
接近开关是一种非接触式检测 开关 ， 主要功能 是对位 置进
8实验八锑化铟磁电阻传感器的磁阻特性测量和应用
8实验八锑化铟磁电阻传感器的磁阻特性测量和应用1.实验目的（1）了解锑化铟磁电阻传感器的基本原理和特性；（2）学习磁阻特性测量方法和技术；（4）提高实验操作技能。
2.实验原理锑化铟磁电阻传感器是以锑化铟为主要材料制成的磁敏元件，其基本特性是在外磁场作用下，其电阻值发生变化。
其本质是利用磁敏效应制成的一种传感器，可以用作磁场强度、位置和速度等物理量的检测。
锑化铟磁电阻传感器的原理是：在外磁场的作用下，锑化铟磁电阻传感器内部的磁畴会发生变化，导致电阻值的变化，两个接触电极上的电势差也发生相应变化，进而得到磁场信号的电信号输出。
3.实验设备锑化铟磁电阻传感器、磁场强度计、数字多用表、稳压电源、直流电机、卡尺等。
4.实验步骤（1）使用磁场强度计测量试验区域内的磁场强度，并记录测量结果。
（2）将磁电阻传感器固定在直流电机旋转轴上，令电机转速为1000r/min左右。
（3）调节稳压电源电压，使磁电阻传感器输出电压稳定在1V左右，这时记录此时电机的磁场输出电压。
（4）依次改变磁场方向，记录各磁场强度下的输出电压值，并画出磁阻曲线图。
（5）计算磁电阻传感器的磁阻率，并分析观察磁场强度、传感器输出电压和转速之间的关系。
5.实验结果6.实验分析本实验通过加强对锑化铟磁电阻传感器磁阻特性测量方法和技术的了解和实践，掌握锑化铟磁电阻传感器的应用，并成功完成了实验。
实验结果表明，本实验中测量出的锑化铟磁电阻传感器的磁阻率值为2.6Ω/cm，磁阻曲线图呈现出线性变化趋势，并且磁场强度、磁电阻传感器输出电压与转速之间存在一定的相关性，带有稳定性和可靠性。
因此，锑化铟磁电阻传感器是一种效果优良、性能可靠的磁敏元件，在物理学、电子学、计量学及工业生产等领域均有广泛应用和推广的前景。
磁电阻效应实验
磁电阻效应实验概述磁电阻传感器由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、伪钞检测、位置测量等。
其中最典型的锑化铟（InSb ）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻传感器，有着十分重要的应用价值。
【实验目的】1. 测量锑化铟磁电阻传感器的电阻值B R 与磁感应强度B 的关系。
2. 作出锑化铟磁电阻传感器的电阻变化0/R R ∆与磁感应强度B 的关系曲线，对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合。
3. 研究锑化铟磁电阻传感器在弱磁场下的交流特性（倍频效应），观测其特有的物理现象。
【实验原理】一定条件下，导电材料的电阻值随磁感应强度B 的变化规律称为磁电阻效应。
如图1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。
如果霍耳电场作用和某一速度载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大，表现出横向磁电阻效应。
若将图1中a 端和b 端短路，则磁电阻效应更明显。
通常以电阻率的相对改变量来表示磁电阻的大小，即用0/ρρ∆表示。
其中0ρ为零磁场时的电阻率，设磁电阻在磁感应强度为B 的磁场中电阻率为B ρ，则0ρρρ-=∆B 。
由于磁电阻传感器电阻的相对变化率0/R R ∆正比于0/ρρ∆，这里0R R R B -=∆，因此也可以用磁电阻传感器电阻的相对改变量0/R R ∆来表示磁电阻效应的大小。
图1 磁电阻效应- 1 -实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁电阻传感器电阻相对变化率0/R R ∆正比于磁感应强度B 的平方，而在强磁场中0/R R ∆与磁感应强度B 呈线性关系。
磁电阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用。
如果半导体材料磁电阻传感器处于角频率为ω的弱正弦波交流磁场中，由于磁电阻相对变化量0/R R ∆正比于2B ，则磁电阻传感器的电阻值B R 将随角频率ω2作周期性变化。
磁阻效应实验
由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/R(0)正
比于Δρ/ρ(0)，因此也可以用磁阻传感器电阻的
相对改变量ΔR/R(0)来表示磁阻效应的大小.
ΔR=R(B)-R(0)
实验原理
R R(0)
一般情况下外加磁场较
弱时，电阻相对变化率
正比于磁感应强度B的
二次方；随磁场的加Байду номын сангаас，
与磁感应强度B呈线性
每一个数据点测量两组数据：磁场强度和磁电阻（电压） 霍尔、磁阻元件
IM
磁阻效应测量电路示意图——伏安法
实 验 仪 器
数
ΔR/R(0) ~B关系曲线 （IS=1mA）
据
电磁铁 IM(mA)
InSb UR(mV)
ΔR/R(0) ~B关系 B(mT) R(Ω) ΔR/R(0)
表
0
格
10
20
100
150
函数关系；当外加磁场
超过特定值时，与磁感
应强度B的响应会趋于
0
B /T 饱和。
图2 磁阻效应曲线
实验操作要求
1.在锑化铟磁阻传感器工作电流保持不变的条 件下（IS=1mA）,测量锑化铟磁阻传感器的 电阻与磁感应强度的关系，作△R/R(0)~B关 系曲线。
2. 用 磁 阻 传 感 器 测 量 一 个 未 知 的 磁 场 强 度 (275mT),与毫特计测得的磁场强度相比较,估 算测量误差.
实验原理
B•
+
+
+
a ++
+
IS
FE
v
-e
FB
-----b
UR
图2 磁阻效应
实验八 锑化铟磁电阻传感器的磁阻特性测量及应用
实验八 锑化铟磁阻特性测量磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、伪钞检测、位置测量等，其中最典型的锑化铟（InSb ）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻，有着十分重要的应用价值。
本实验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种材料的传感器：利用砷化镓（GaAs ）霍尔传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（InSb ）磁阻传感器的电阻随磁感应强度的变化情况。
一、实验目的1 、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度变化的关系。
2 、作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。
3 、对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行曲线和直线拟合。
二、实验仪器FD-MR-Ⅱ型磁阻效应实验仪（直流双路恒流电源、 0~2V 直流数字电压表、电磁铁、数字式毫特仪、锑化铟磁阻传感器、电磁铁及双向单刀开关等）、示波器、电阻箱、正弦交流低频发生器及导线若干。
三、实验原理在一定条件下，载流导体或半导体的电阻值 R 随磁感应强度 B 变化的规律称为磁阻效应。
如图 43-1 所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场，如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大出现横向磁阻效应。
如果将图43-1中的 a 端和 b 端短路，磁阻效应更明显。
通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用 )0(/ρρ∆表示。
其中)0(ρ为零磁场时的电阻率，设磁阻在磁感应强度为B 的磁场作用下的电阻率为)B (ρ，则 )0()B (ρρρ-=∆。
由于磁阻传感器电阻的相对变化率 △R/R(0)正比于)0(/ρρ∆，这里△R = R (B)－R(0)，因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量△R/R(0)来表示磁阻效应的大小。
8实验八锑化铟磁电阻传感器的磁阻特性测量及应用
实验八 锑化铟磁阻特性测量磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、伪钞检测、位置测量等，其中最典型的锑化铟（InSb ）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻，有着十分重要的应用价值。
本实验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种材料的传感器：利用砷化镓（GaAs ）霍尔传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（InSb ）磁阻传感器的电阻随磁感应强度的变化情况。
一、实验目的1 、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度变化的关系。
2 、作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。
3 、对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行曲线和直线拟合。
二、实验仪器FD-MR-Ⅱ型磁阻效应实验仪（直流双路恒流电源、 0~2V 直流数字电压表、电磁铁、数字式毫特仪、锑化铟磁阻传感器、电磁铁及双向单刀开关等）、示波器、电阻箱、正弦交流低频发生器及导线若干。
三、实验原理在一定条件下，载流导体或半导体的电阻值 R 随磁感应强度 B 变化的规律称为磁阻效应。
如图 43-1 所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场，如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大出现横向磁阻效应。
如果将图43-1中的 a 端和 b 端短路，磁阻效应更明显。
通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用 )0(/ρρ∆表示。
其中)0(ρ为零磁场时的电阻率，设磁阻在磁感应强度为B 的磁场作用下的电阻率为)B (ρ，则 )0()B (ρρρ-=∆。
由于磁阻传感器电阻的相对变化率 △R/R(0)正比于)0(/ρρ∆，这里△R = R(B)－R(0)，因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量△R/R(0)来表示磁阻效应的大小。
磁阻传感器实验报告
磁阻传感器实验报告摘要：磁阻传感器是一种常用的传感器类型，可以测量物体相对位置和运动的变化。
本实验通过使用磁阻传感器来测量物体的位移，并探究磁阻传感器的工作原理和性能。
实验结果表明，磁阻传感器在测量精度、灵敏度和稳定性方面均表现优秀。
引言：实验目的：1.了解磁阻传感器的工作原理；2.探究磁阻传感器在位置测量方面的性能；3.分析磁阻传感器的线性度和响应时间。
实验方法：1.准备实验材料：磁阻传感器、磁性物体、直流电源、电压表、电阻箱等；2.按照实验装置图搭建实验电路，将磁阻传感器连接到电压表上；3.调节电源输出电压，使电压表读数在磁阻传感器的测量范围内；4.将磁性物体放置在磁阻传感器的测量范围内，并记录电压表的读数；5.移动磁性物体，记录不同位置下的电压表读数；6.对实验数据进行处理和分析。
实验结果：在本实验中，我们对磁阻传感器进行了测试，并记录了相关的实验数据。
通过处理数据，得到以下结果：1.在不同位置下，磁阻传感器的电压输出值呈现线性关系。
实验数据经过拟合，得到了电压输出与位置之间的线性方程。
2.在相同位置下，磁阻传感器的电压输出值具有较高的重复性和稳定性。
重复测量的结果非常接近，证明磁阻传感器的测量误差较小。
3.磁阻传感器的响应时间较短，可以实时检测到磁性物体的位置变化。
讨论与分析：实验结果表明，磁阻传感器在测量精度、灵敏度和稳定性方面表现良好。
其响应时间较短，可以适用于对位置变化要求较高的实时监测场景。
此外，磁阻传感器还具有体积小、重量轻、易于安装和使用的特点，在实际应用中具有广泛的应用前景。
结论：通过本实验，我们对磁阻传感器的工作原理和性能有了更深入的了解。
磁阻传感器在测量物体位置和运动方面表现出很好的线性度、响应时间和稳定性。
在实际应用中，磁阻传感器可以用于测量物体位置变化、物体运动速度等物理量的检测。
_磁电阻特性_实验报告
实验8-1 InSb 磁电阻特性研究【实验目的】1、掌握磁感应强度的测量方法；2、了解磁电阻的一些基本知识；3、测量和分析InSb 材料磁电阻特性； 【实验原理】磁电阻(Magneto Resistance ，MR )通常定义为)0()0()()0(R R B R R R -=∆ （8-1-1）其中：R （0）是零外场下的电阻，R （B ）是外场B 下的电阻。
有时，上式也可以表示为 目前，已被研究的磁性材料的磁电阻效应大致包括：由磁场直接引起的磁性材料的正常磁电阻、与技术磁化相联系的各向异性磁电阻、掺杂稀土氧化物中特大磁电阻、磁性多层膜和颗粒膜中特有的巨磁电阻、以及隧道磁电阻等。
图8-1-2列出了几种磁电阻阻值R 随外磁场μ0H 的变化形式。
在以上磁电阻效应中，正常磁电阻应用最为普遍。
图8-1-1 几种典型的磁电阻效应正常磁电阻普遍存在于所有磁性与非磁性材料中，其来源于外磁场对载流子的洛仑兹力，它导致载流子运动发生偏转或产生螺旋运动，从而使载流子碰撞几率增加，造成电阻升高，因而，在正常磁电阻中，//ρ∆、T ρ∆和⊥ρ∆均为正，并且有//ρρ>T 。
正常磁电阻与外场的关系如图8-1-2 所示。
在特定的温度，随外场的增加，在低场区域，正常磁电阻近似地与外场成平方关系。
对于单晶样品，在较高的磁场区域，//ρ∆显示了饱和的趋势(曲线Ｂ)，而T ρ∆和⊥ρ∆显示出各向异性，即随外场增加或正比于(曲线A )或趋于饱和(曲线B )。
对于多晶样品，在强场中，正常磁电阻则显示出与外场H 的线性关系(曲线C )。
正常磁电阻的各项异性来源于费米面的褶皱。
如果设载流子速度为v，在洛仑兹力的作用下，沿外场方向作螺线运动，螺线的轴与B 方向平行，则载流子围绕该轴的角速度即回旋频率ωc 为：*=meBc μω (8-1-2)式中*m 是载流子的有效质量，μ是磁导率。
由于散射和碰撞，载流子绕轴回转的平均角度为：neB c c μστωθ0== (8-1-3)其中：0σ是电导率，为*=m ne τσ20，n 是载流子的密度(cm -3),τ为驰豫时间，即载流子经过两次碰撞的平均时间。
磁阻传感器特性的测量操作流程
磁阻传感器特性的测量操作流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor. I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!磁阻传感器是一种基于磁阻效应的传感器，它可以测量磁场的强度和方向。
基于锑化铟-铟共晶体磁敏电阻的液体流量计的应用研究的开题报告
基于锑化铟-铟共晶体磁敏电阻的液体流量计的应用研究的开题报告题目：基于锑化铟-铟共晶体磁敏电阻的液体流量计的应用研究一、研究背景和意义随着科技的不断发展和流量测量技术的不断提高，液体流量测量已经成为了工业生产、环境监测和科学研究等领域中不可缺少的任务之一。
液体流量计是通过对液体在管道中运动的速度、体积等参数的测量，来实现对液体流量的准确控制和监测。
在液体流量计的研究中，磁敏电阻的应用越来越广泛，因其优异的灵敏度、响应速度和稳定性，成为流量测量领域中的热门研究方向之一。
锑化铟-铟共晶体是一种新型的磁敏电阻材料，其具有高灵敏度、低温漂移、低噪声等特点，在流量计等磁敏感应器件中被广泛地应用。
因此，以锑化铟-铟共晶体磁敏电阻为基础，研究一种新型的液体流量计具有非常重要的意义。
本研究旨在设计和制造一种基于锑化铟-铟共晶体磁敏电阻的液体流量计，并对其性能进行测试和分析，从而为液体流量测量领域中的研究和应用提供新的思路和方法。
二、研究内容和方法（一）研究内容本研究的主要内容是：1.设计和制造基于锑化铟-铟共晶体磁敏电阻的液体流量计装置。
2.对液体流量计的结构、材料、工艺制造等方面进行优化，以提高液体流量计的性能和精度。
3.对液体流量计进行测试和分析，验证其性能和本研究的可行性，并与已有的流量计进行比较。
（二）研究方法本研究将采用以下方法进行：1.文献调研：对磁敏电阻、流量计等相关方面的文献进行搜集和综合，了解已有研究情况并确定本研究的研究方向和内容。
2.原理验证：首先进行基于锑化铟-铟共晶体磁敏电阻的磁敏测量原理的验证，为液体流量计的设计和制造提供理论基础。
3.设计和制造：根据研究目标和原理，设计和制造基于锑化铟-铟共晶体磁敏电阻的液体流量计装置，对其结构和材料进行优化，并制定相应的工艺制造方案。
4.测试和分析：对液体流量计进行测试和分析，主要包括性能测试（如精度、响应时间、灵敏度等）和工作稳定性测试；对实验数据进行统计和分析，验证本研究的可行性。
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实验八 锑化铟磁阻特性测量
磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、伪钞检测、位置测量等，其中最典型的锑化铟（InSb ）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻，有着十分重要的应用价值。
本实验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种材料的传感器：利用砷化镓（GaAs ）霍尔传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（InSb ）磁阻传感器的电阻随磁感应强度的变化情况。
一、实验目的
1 、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度变化的关系。
2 、作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。
3 、对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行曲线和直线拟合。
二、实验仪器
FD-MR-Ⅱ型磁阻效应实验仪（直流双路恒流电源、 0~2V 直流数字电压表、电磁铁、数字式毫特仪、锑化铟磁阻传感器、电磁铁及双向单刀开关等）、示波器、电阻箱、正弦交流低频发生器及导线若干。
三、实验原理
在一定条件下，载流导体或半导体的电阻值 R 随磁感应强度 B 变化的规律称为磁阻效
应。
如图 43-1 所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场，如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大出现横向磁阻效应。
如果将图43-1中的 a 端和 b 端短路，磁阻效应更明显。
通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用 )0(/ρρ∆表示。
其中)0(ρ为零磁场时的电阻率，设磁阻在磁感应强度为B 的磁场作用下的电阻率为
)B (ρ，则 )0()B (ρρρ-=∆。
由于磁阻传感器电阻的相对变化率 △R/R(0)正比于)0(/ρρ∆，这里△R = R(B)－R(0)，因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量△R/R(0)来表示磁阻效应的大小。
测量磁阻电阻值R 与磁感应强度 B 的关系所用实验装置及线路如图 43-2 所示。
图43-1 磁阻效应
实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，磁阻传感器电阻相对变化率△R/R(0)正比于磁感应强度B的二次方，而在强磁场中△R/R(0)与磁感应强度B呈线性函数关系。
磁阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用。
如果半导体材料磁阻传感器处于角频率为ω的弱正弦波交流磁场中，由于磁电阻相对变化量△R/R(0)正比于B2，那么磁阻传感器的电阻 R 将随角频率 2ω作周期性变化。
图 43-2 测量磁电阻实验装置
若外界交流磁场的磁感应强度 B为：
B=B0cosωt(43-1) (43-1)式中，B0为磁感应强度的振幅， 为角频率，t为时间。
设在弱磁场中
ΔR/R(0)=KB 2
(43-2)
(43-2)式中， K 为常量。
由（43-1）式和（43-2）式可得
t KB R KB R R t KB R R R R R R DR
R B R ωω2cos )0(2
1
)0(21)0(cos )0()0()]
0(/)[0()0()0()(2020220++
=+=∆+=+= (43-3)
(43-3) 式中，20)0(21)0(KB R R +
为不随时间变化的电阻值， 而t cos2kB )0(R 2
12
0ω为以角频率2ω作余弦变化的电阻值。
因此，磁阻传感器的电阻值在弱正弦波交流磁场中，将产生
倍
频交流电阻阻值变化。
以锑化铟为例，磁阻在交流磁场下对正弦信号的倍频效应可以形象直观地说明磁场在小于0.06T 时，该磁阻器件的特性非常类似于光学二阶非线性效应。
与锑化铟器件有类似性质的由四只薄膜合金器件组成的非平衡电桥磁阻传感器已将磁阻器件集成化，并通过附加场的补偿作用使测量区域处于线性区域，更方便地应用于工业、医疗、探矿和军事等领域中。
四、实验内容及步骤
1．在锑化铟磁阻传感器电流或电压保持不变的条件下，测量锑化铟磁阻传感器的电阻与磁感应强度的变化关系，作△R/R(0）与 B 的关系曲线，并进行曲线拟合。
实验时注意 GaAs 和 InSb 传感器工作电流应小于 3mA 。
具体实验步骤如下：
（1）直流励磁恒流源与电磁铁输入端相连，通过调节该直流恒流电源控制电位器改变输入电磁铁电流大小，从而改变电磁铁间隙中磁感应强度的大小。
（2）按图 43-2 所示将锑化铟磁阻传感器与电阻箱串联，并与可调直流电源相接，数字电压表的一端连接磁阻传感器电阻箱公共接点，另一端与单刀双向开关的刀口处相连。
（3）确定通过锑化铟磁阻传感器的工作电流。
（4）通过电磁铁的直流电流逐渐由小增加，读出磁感应强度 B 。
通过测量锑化铟磁阻
传感器两端的电压值。
以求得锑化铟磁阻传感器的电阻 R，作出 R与B的关系图。
注：由上述实验数据和曲线得出锑化铟磁阻器件在 B <0.06T 时，△R/R(0)为二次函数。
B > 0.12T 时，△R / R (0)为 B 的一次函数，如果要使磁阻器件工作在线性范围内，应使其工作在大于 0.12T强的磁场下，其他的正常磁阻器件也有类似的特性。
2．如图 43-3 所示，将电磁铁的线圈引线与正弦交流低频发生器输出端相接；锑化铟磁阻传感器通以 2.5mA 直流电，用示波器测量磁阻传感器两端电压与电磁铁两端电压构成的李萨如图形如43-4所示，证明在弱正弦交流磁场情况下，磁阻传感器的阻值具有交流正弦倍频特性。
图 43-3 磁阻传感器倍频效应原理图
图 43-4 李萨如图形
五、思考题
1．什么叫做磁阻效应？霍尔传感器为何有磁阻效应？
2．锑化铟磁阻传感器在弱磁场时和强磁场时的电阻值与磁感应强度关系有何不同？这两种特性有什么应用？
附录一 实验数据处理参考
1. 取样电阻 R= 300Ω 电压 U=300mV 。
2. 求出电流U 300I 1.00mA R 300
=
==。
表 43-1
3. 对表43-1数据在06T .0B <时，对ΔR/R（0）作曲线拟合见表43-2，拟合得
251B .37)0(R /R =∆ (43-4)
可知，在B<0.06T 时，磁阻变化率)0(R /R ∆与磁感应强度B 成二次函数关系。
4. 对表 43-1 数据在 B>0.12T 时对△R/R(0）作曲线拟合见表 43-3 ，拟合得
/
R+
∆ (43-5)
=
R
)0(
.0
14
.1
72B
可知，在 B>0.12时磁阻变化率△R/R(0)与磁感应强度 B 成一次函数关系。
整体磁阻变化率△R/R(0)与磁感应强度B的关系曲线如图43-5所示。
表 43-3
图 43-5 △R/R 与 B 的关系曲线。